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TWI873725B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Publication number
TWI873725B
TWI873725B TW112126678A TW112126678A TWI873725B TW I873725 B TWI873725 B TW I873725B TW 112126678 A TW112126678 A TW 112126678A TW 112126678 A TW112126678 A TW 112126678A TW I873725 B TWI873725 B TW I873725B
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TW
Taiwan
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cleaning
drying
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hand
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Application number
TW112126678A
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English (en)
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TW202405994A (zh
Inventor
前川直嗣
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202405994A publication Critical patent/TW202405994A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI873725B publication Critical patent/TWI873725B/zh

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    • H10P72/0408
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/048Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26DRYING
    • F26BDRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/001Drying-air generating units, e.g. movable, independent of drying enclosure
    • H10P72/0414
    • H10P72/0426
    • H10P72/0456
    • H10P72/0458
    • H10P72/3211
    • H10P72/3302
    • H10P72/3306
    • H10P72/3312
    • H10P72/76
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
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    • B08B2203/0217Use of a detergent in high pressure cleaners; arrangements for supplying the same
    • H10P72/0406
    • H10P72/0416
    • H10P72/0432
    • H10P72/7602

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Abstract

本發明係一種處理基板之基板處理裝置,且上述裝置包含以下要件。分批式處理部,其統一處理複數片基板;單片式處理部,其處理一片基板;姿勢轉換部,其將由上述分批式處理部結束處理之上述複數片基板於以純水濡濕之狀態下轉換姿勢;第1搬送部,其將由上述分批式處理部結束處理之複數片基板搬送至上述姿勢轉換部;第2搬送部,其將由上述姿勢轉換部設為水平姿勢之基板支持於手並向上述單片式處理部搬送,將由上述單片式處理部處理之基板支持於手並搬送;及洗淨乾燥部,其對上述手進行洗淨及乾燥。

Description

基板處理裝置
本發明關於一種於半導體基板、液晶顯示用或有機EL(Electroluminescence:電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display:平板顯示器)用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等之基板進行指定處理之基板處理裝置。
先前,作為該種裝置,有具備分批式模組、單片式模組、旋轉機構、及搬送機器人者(例如參照專利文獻1)。分批式模組對複數片基板統一進行處理。單片式模組對每一片基板進行處理。一般而言,單片式模組之乾燥處理相較於分批式模組之乾燥處理,基板受到影響之處理氣氛之空間更小,微粒性能更高。因此,單片式模組較分批式模組更容易提高乾燥性能。因此,例如,於由分批式模組進行蝕刻處理及清洗處理後,由單片式模組進行乾燥處理。
於分批式模組中,於將複數片基板設為鉛直姿勢之狀態下進行處理。另一方面,於單片式模組中,於將基板設為水平姿勢之狀態下進行處 理。因此,於分批式模組結束處理之鉛直姿勢之基板,於被搬送至單片式模組前藉由旋轉機構轉換為水平姿勢。由旋轉機構設為水平姿勢之基板由搬送機器人搬送至單片式模組。由單片式模組乾燥處理後之基板為了搬出而再次由相同搬送機器人搬送。
然而近年,於半導體領域,3維構造之圖案之精細化逐步進展。因此,於此種基板中,因基板乾燥時之氣液界面之影響,有圖案倒塌之虞。因此,於分批式模組之處理後,於進行單片式模組之處理前,以基板不乾燥之方式將基板設為濡濕之狀態。
具體而言,於旋轉機構之旁側配置複數個吹送管。吹送管向保持於旋轉機構之基板吹送純水。藉此,將保持於旋轉機構之基板於載置於單片式模組前設為濡濕之狀態。
然而,於具有此種構成之先前例之情形時,存在如下問題。
即,先前裝置於搬送機器人以手接收由旋轉機構設為水平姿勢之基板時,手被純水濡濕。因此,於搬送機器人進行由單片式模組乾燥處理後之基板之搬送時,有因手污染乾燥後之基板之虞。
本發明係鑑於此種狀況而完成者,其目的在於提供一種即使搬送濡濕之基板,亦可防止於乾燥之基板之搬送時產生污染之基板處理裝置。
為了達成此種目的,本發明採用以下構成。
本發明係一種處理基板之基板處理裝置;且上述裝置包含以下要件:分批式處理部,其將複數片基板於鉛直姿勢之狀態下予以統一處理;單片式處理部,其將一片基板於水平姿勢之狀態下進行處理;姿勢轉換部,其保持由上述分批式處理部結束處理之複數片基板,並將上述複數片基板於以純水濡濕之狀態下自鉛直姿勢轉換為水平姿勢;第1搬送部,其將由上述分批式處理部結束處理之複數片基板搬送至上述姿勢轉換部;第2搬送部,其將由上述姿勢轉換部設為水平姿勢之基板支持於手並向上述單片式處理部搬送,將由上述單片式處理部處理之基板支持於手並自上述單片式處理部搬送;及洗淨乾燥部,其對上述第2搬送部之上述手進行洗淨及乾燥。
根據本發明,第2搬送部於洗淨乾燥部洗淨及乾燥手。因此,第2搬送部可清潔手。因此,第2搬送部雖自姿勢轉換部搬送濡濕之基板,但可防止於自單片式處理部搬送乾燥之基板時產生污染。
又,如本發明,較佳為上述洗淨乾燥部於上述第2搬送部自上述單片式處理部搬送由上述單片式處理部處理之基板前,對上述手進行洗淨及乾燥。
並非每次手因自姿勢轉換部向單片式處理部搬送基板而濡濕時進行手之洗淨及乾燥。因此,可減少洗淨及乾燥之頻率。其結果,可節約洗淨 及乾燥所需之資源。
又,本發明較佳為上述洗淨乾燥部於自上述姿勢轉換部向上述單片式處理部搬送基板後,對上述手進行洗淨及乾燥。
於手因向單片式處理部搬送基板而濡濕後,進行洗淨及乾燥。因此,可縮短自手濡濕至洗淨及乾燥之時間。因此,藉由於手濡濕後經過長時間,可防止於手產生因附著之純水引起之殘渣。其結果,可提高手之清潔度。
又,本發明較佳為上述洗淨乾燥部配置於上述姿勢轉換部之上方。
因將洗淨乾燥部配置於姿勢轉換部之上方,故可減小裝置之所佔面積。
又,如本發明,較佳為上述洗淨乾燥部與上述姿勢轉換部相互之空間於鉛直方向連通。
於利用洗淨乾燥部洗淨及乾燥時,洗淨液向下方流下。將複數片基板設為以純水濡濕之狀態之姿勢轉換部位於下方。因此,可省略用於接收洗淨乾燥部之洗淨液之底盤。其結果,可簡化構成,可抑制成本。
又,如本發明,較佳為上述洗淨乾燥部具備:洗淨液噴嘴,其向上 述手噴出洗淨液;及乾燥機構,其使上述手乾燥。
可由洗淨液噴嘴與乾燥機構洗淨及乾燥手。
又,如本發明,較佳為上述乾燥機構係向上述手供給氣體之氣體噴嘴。
可以較簡單之構成有效乾燥手。
又,如本發明,較佳為上述單片式處理部具備:自旋夾盤,其將基板以水平姿勢可旋轉地支持;處理液供給機構,其向由上述自旋夾盤支持之基板供給處理液;及氣體供給機構,其向由上述自旋夾盤支持之基板供給氣體;且上述洗淨乾燥部藉由使用上述單片式處理部之上述處理液供給機構與上述氣體供給機構對上述手進行洗淨及乾燥而實現。
可由單片式處理部兼用洗淨乾燥部。因此,可簡化構成,可抑制裝置成本。
又,如本發明,較佳為具備複數個上述洗淨乾燥部,且將上述複數個上述洗淨乾燥部配備於俯視時不同之位置;且根據上述第2搬送部之位置,由較近之上述洗淨乾燥部進行洗淨及乾燥。
因由較近位置之洗淨乾燥部進行手之洗淨及乾燥,故可快速進行手 之清潔化。因此,可不易產生附著之純水引起之殘渣。又,因可快速進行來自單片處理部之基板之搬送,故可提高處理量。
1,1A:基板處理裝置
3:搬入搬出區塊
5:儲料區塊
7:移載區塊
9:處理區塊
11:投入部
13:抽出部
15:載置台
17:載置台
19:搬送機構
21:擱板
23:手
25:水中姿勢轉換部
27:處理槽
29:手
31:緩衝部
33:旋轉處理部
35:噴嘴
37:超臨界流體腔室
39:載置擱板
41:姿勢轉換部
43:浸漬槽
43a:噴出管
44:貫通孔
45:推進器
47:槽內載體
49:旋轉機構
51:開口
53:開口
55:扣合部
57:氣缸
57a:作動軸
57b:扣合片
59:馬達
63:背板部
65:支持部
67:升降機構
69:馬達
71:螺紋軸
73:線性引導件
75:升降片
77:連結構件
79:貫通孔
81:升降構件
83:升降機構
85:馬達
87:螺紋軸
89:線性引導件
91:升降片
101:支持框架
101a:頂板部
101b:側面部
103:洗淨液噴嘴
105:氣體噴嘴
107:加熱器
109:加熱器用電源
ACB:搬送收納部
BPU1:第1分批處理部
BPU2:第2分批處理部
BPU3:第3分批處理部
C:載體
CDU:洗淨乾燥部
CDU1:第1洗淨乾燥部
CDU2:第2洗淨乾燥部
CHB1:藥液處理部
CHB2:藥液處理部
CR:中心機器人
CTC:移載機構
CU:控制部
HP1:第1水平位置
HP2:第2水平位置
HTR:第1搬送機構
LF1,LF2,LF3,LF4:升降機
ONB:純水處理部
P1:第1高度位置
P2:第2高度位置
P3:第3高度位置
P4:第4高度位置
R1:第1行
R2:第2行
R3:第3行
SWP1:第1單片處理部
SWP2:第2單片處理部
SWP3:第3單片處理部
VP1:第1高度位置
VP2:第2高度位置
W:基板
WTR:第2搬送機構
X:前後方向
Y:寬度方向
Z:鉛直方向
為了說明本發明,於附圖顯示目前較佳之若干形態,但應理解,本發明並非限定於所示之精確配置與裝置。
圖1係實施例之基板處理裝置之俯視圖。
圖2係表示控制系統之方塊圖。
圖3係水中姿勢轉換部及洗淨乾燥部之側視圖。
圖4係水中姿勢轉換部之俯視圖。
圖5係水中姿勢轉換部之側視圖。
圖6係水中姿勢轉換部之前視圖。
圖7係水中姿勢轉換部之動作說明圖。
圖8係水中姿勢轉換部之動作說明圖。
圖9係水中姿勢轉換部之動作說明圖。
圖10係水中姿勢轉換部之動作說明圖。
圖11係水中姿勢轉換部之動作說明圖。
圖12係水中姿勢轉換部之動作說明圖。
圖13係水中姿勢轉換部之動作說明圖。
圖14係水中姿勢轉換部之動作說明圖。
圖15係洗淨乾燥部之動作說明圖。
圖16係洗淨乾燥部之動作說明圖。
圖17係洗淨乾燥部之動作說明圖。
圖18係洗淨乾燥部之動作說明圖。
圖19係表示乾燥機構之變化例之側視圖。
圖20係表示基板處理裝置之變化例之俯視圖。
以下,參照圖式說明本發明之實施例。
圖1係實施例之基板處理裝置之俯視圖。
<1.整體構成>
基板處理裝置1具備搬入搬出區塊3、儲料區塊5、移載區塊7及處理區塊9。
基板處理裝置1處理基板W。基板處理裝置1例如對基板W進行藥液處理、洗淨處理、乾燥處理等。基板處理裝置1採用兼具分批式與單片式之處理方式(所謂混合方式)。分批式將複數片基板W於鉛直姿勢之狀態下統一處理。單片式將一片基板W於水平姿勢之狀態下進行處理。
於本說明書中,為了方便,將搬入搬出區塊3、儲料區塊5、移載區塊7及處理區塊9排列之方向稱為「前後方向X」。前後方向X為水平。於前後方向X中,將自儲料區塊5朝向搬入搬出區塊3之方向稱為「前方」。將與前方相反之方向稱為「後方」。將與前後方向X正交之水平方向稱為「寬度方向Y」。適當將「寬度方向Y」之一方向稱為「右方」。將與右方相反之方向稱為「左方」。將相對於水平方向垂直之方向稱為「鉛直方向 Z」。於各圖中,作為參考,適當顯示前、後、右、左、上、下。
<2.搬入搬出區塊>
搬入搬出區塊3具備投入部11與抽出部13。投入部11與抽出部13配置於寬度方向Y。基板W於一個載體C內,將複數片以水平姿勢空出恆定間隔地積層收納(例如25片)。收納有未處理之基板W之載體C載置於投入部11。投入部11例如具備兩個載置載體C之載置台15。載體C形成有複數個將基板W之面彼此分開,逐片收容基板W之槽(省略圖示)。作為載體C,例如有FOUP(Front Opening Unify Pod:前開式晶圓傳送盒)。FOUP為密閉型容器。載體C亦可為開放型容器,無論種類。
抽出部13配備於基板處理裝置1中隔著寬度方向Y之中央部之投入部11之相反側。抽出部13配置於投入部11之左方Y。抽出部13將處理完成之基板W收納於載體C,連同載體C一起抽出。如此發揮功能之抽出部13與投入部11同樣,例如具備用於載置載體C之兩個載置台17。投入部11與抽出部13亦被稱為裝載埠。
<3.儲料區塊>
儲料區塊5與搬入搬出區塊3之後方X相鄰配置。儲料區塊5具備搬送收納部ACB。搬送收納部ACB具備搬送機構19與擱板21。
搬送機構19搬送載體C。搬送收納部ACB具備複數個擱板21。於擱板21,有單純暫時載置載體C者、與為了與第1搬送機構HTR之間之交接而載置載體C者。搬送收納部ACB將收納有未處理之基板W之載體C自投入部11取入並載置於擱板21。搬送收納部ACB根據規定處理順序之排程,將載體C搬送至交接用之擱板21並載置。搬送收納部ACB將載置於交接用之擱板21而變空之載體C搬送至擱板21並載置。搬送收納部ACB將載置於交接用之擱板21並藉由第1搬送機構HTR收納有處理後之基板W之載體C搬送至擱板21並載置。搬送收納部ACB將載置於擱板21並收納有處理後之基板W之載體C搬出至抽出部13。
<4.移載區塊>
移載區塊7與儲料區塊5之後方X相鄰配置。移載區塊7具備第1搬送機構HTR、移載機構CTC及第2搬送機構WTR。
於搬送收納部ACB之後方X中之右方Y,配置有第1搬送機構HTR。第1搬送機構HTR統一搬送複數片基板W。換言之,第1搬送機構HTR具備複數個手(省略圖示)。1個手支持1片基板W。第1搬送機構HTR亦可僅搬送1片基板W。第1搬送機構HTR自載置於搬送收納部ACB之交接用之擱板21之載體C,統一取出複數片基板W(例如25片),並搬送至移載機構CTC。此時,第1搬送機構HTR將基板W之姿勢自水平姿勢轉換為鉛直姿勢。第1搬送機構HTR自後述之處理區塊9統一接收處理完成之複數片基板W。第1搬送機構HTR對載置於搬送收納部ACB之交接用之擱板21之載 體C,統一搬送處理完成之複數片基板W。
於第1搬送機構HTR之左方Y配置有移載機構CTC。移載機構CTC於第1搬送機構HTR與第2搬送機構WTR之間交接複數片基板W。移載機構CTC於第1搬送機構HTR與第2搬送機構WTR之間,於寬度方向Y搬送複數片基板W。移載機構CTC於自第1搬送機構HTR接收複數片基板W後,於寬度方向Y上向第2搬送機構WTR移動。此時,移載機構CTC進行批量組裝或批量解除。移載機構CTC例如將構成自某一個載體C取出之一個批次之複數片基板W、與構成自其他載體C取出之另一個批次之複數片基板W組合為一個批量。此為批量組裝。相反之動作成為批量解除。即,將構成一個批量之一個批次之複數片基板W、與構成相同批量之其他批次之複數片基板W分別分離並返回原批次。通常,自載體C取出之複數片基板W之間隔係與載體C相同之間隔。將此稱為全間距。於一個批量中,例如複數片基板W之間隔成為全間距之一半。將此稱為半間距。另,因本發明不論間距,故為了容易理解發明,於以下之說明中省略對間距之詳細說明。
另,於以下之說明中,不論處理對象之批次之構成。即,因無論通常批次或批量均相同,故於以下之說明中,將處理對象簡稱為批次或複數片基板W。
第2搬送機構WTR配置於移載機構CTC之左方Y。第2搬送機構WTR構成為可跨及移載區塊7與處理區塊9地移動。第2搬送機構WTR構成為可於前後方向X移動。第2搬送機構WTR具備搬送批次之一對手23。一對手 23例如具備朝向寬度方向Y之旋轉軸。一對手23繞該旋轉軸擺動。一對手23夾持構成批次之複數片基板W之兩端面。第2搬送機構WTR於與移載機構CTC之間交接複數片基板W。第2搬送機構WTR對處理區塊9交接未處理之複數片基板W。
另,上述之第2搬送機構WTR相當於本發明之「第1搬送部」。
<5.處理區塊>
處理區塊9對基板W進行處理。處理區塊9除第2搬送機構WTR外,例如於寬度方向Y上分為第1行R1、第2行R2及第3行R3。詳細而言,第1行R1配置於左方Y。第2行R2配置於寬度方向Y之中央部。換言之,第2行R2配置於第1行R1之右方Y。第3行R3配置於第2行R2之右方Y。
<5-1.第1行>
第1行R1主要具備分批式處理部。具體而言,第1行R1具備第1分批處理部BPU1、第2分批處理部BPU2、第3分批處理部BPU3、水中姿勢轉換部25、及洗淨乾燥部CDU。第1分批處理部BPU1與移載區塊7之後方X相鄰。第2分批處理部BPU2與第1分批處理部BPU1之後方X相鄰。第3分批處理部BPU3與第2分批處理部BPU2之後方X相鄰。水中姿勢轉換部25與第3分批處理部BPU3之後方X相鄰。洗淨乾燥部CDU配置於水中姿勢轉換部25之上方。洗淨乾燥部CDU於寬度方向Y上靠近配置於接近第2行R2 之位置。
另,第1分批處理部BPU1、第2分批處理部BPU2及第3分批處理部BPU3相當於本發明之「分批式處理部」。
第1分批處理部BPU1例如為藥液處理部CHB1。藥液處理部CHB1例如進行磷酸處理。磷酸處理使用磷酸作為處理液。磷酸處理對複數片基板W進行蝕刻處理。蝕刻處理例如對被著於基板W之被膜之膜厚進行化學切削。被膜例如為氮化膜。
藥液處理部CHB1具備處理槽27與升降機LF1。處理槽27貯存處理液。處理槽27例如自下方朝向上方供給處理液。升降機LF1於鉛直方向Z升降。具體而言,升降機LF1跨及處於處理槽27之內部之處理位置、與處於處理槽27之上方之交接位置地升降。升降機LF1使複數片基板W保持鉛直姿勢。升降機LF1於交接位置,於與第2搬送機構WTR之間交接複數片基板W。
第2分批處理部BPU2例如為藥液處理部CHB2。藥液處理部CHB2具備與藥液處理部CHB1同樣之構成。即,藥液處理部CHB2具備處理槽27、與升降機LF2。藥液處理部CHB2進行與藥液處理部CHB1同樣之處理。即,存在複數個進行相同藥液處理之處理部。其原因在於,磷酸處理與其他藥液處理或純水洗淨處理等相比需要較長時間。磷酸處理例如需要60分鐘左右。因此,藉由複數台處理部並行進行處理,可提高處理量。
第3分批處理部BPU3例如為純水處理部ONB。純水處理部ONB具備與藥液處理部CHB1、CHB2相似之構成。具體而言,具備處理槽27與升降機LF3。但,處理槽27主要供給純水用於純水洗淨處理。純水處理部ONB之處理槽27對附著於複數片基板W之藥液進行洗淨。換言之,純水處理部ONB之處理槽27沖洗附著於複數片基板W之藥液。例如當處理槽27內之純水之比電阻上升至指定值時,純水處理部ONB結束洗淨處理。
<5-2.第2行>
第2行R2具備中心機器人CR。中心機器人CR具備手29。手29保持1片基板W。中心機器人CR例如亦可採用於鉛直方向Z配備另1個手29之構成。中心機器人CR構成為可於前後方向X移動。中心機器人CR構成為可於鉛直方向Z升降。中心機器人CR構成為可於包含前後方向X及寬度方向Y之水平面內回轉。手29構成為可於包含前後方向X及寬度方向Y之水平面內進退。手29自水中姿勢轉換部25逐片接收基板W。中心機器人CR相對於第3行R3逐片傳遞基板W。中心機器人CR自第3行R3逐片接收基板W。另,於中心機器人CR具備2個手29之情形時,自水中姿勢轉換部25接收2片基板W,於與第3行R3之間向兩處逐片交接基板W。
上述之中心機器人CR相當於本發明之「第2搬送部」。
<5-3.第3行>
第3行R3主要具備單片式處理部。具體而言,第3行R3具備第1單片處理部SWP1、第2單片處理部SWP2、第3單片處理部SWP3及緩衝部31。第1單片處理部SWP1配置於前後方向X之最裏側。換言之,第1單片處理部SWP1於寬度方向Y上隔著第2行R2而配置於水中姿勢轉換部25之相反側。第2單片處理部SWP2與第1單片處理部SWP1之前方X相鄰。第3單片處理部SWP3與第2單片處理部SWP2之前方X相鄰。緩衝部31與第3單片處理部SWP3之前方X相鄰,且與第1搬送機構HTR之後方X相鄰。
另,第1單片處理部SWP1、第2單片處理部SWP2、及第3單片處理部SWP3相當於本發明之「單片式處理部」。
第1單片處理部SWP1及第2單片處理部SWP2例如具備旋轉處理部33與噴嘴35。旋轉處理部33於水平面內旋轉驅動基板W。噴嘴35向基板W供給處理液及氣體。噴嘴35不同時供給處理液與氣體。噴嘴35可僅供給處理液,或僅供給氣體。噴嘴35跨及離開旋轉處理部33之待機位置、與旋轉處理部33之上方之供給位置地擺動。處理液例如為IPA(isopropyl alcohol:異丙醇)或純水。氣體例如為氮氣(N2氣體)。氮氣較佳為乾燥氮氣。第1單片處理部SWP1及第2單片處理部SWP2例如於以純水對基板W進行洗淨處理後,以IPA進行預備之乾燥處理。
上述之旋轉處理部33相當於本發明之「自旋夾盤」。上述之噴嘴35相當於本發明之「處理液供給機構」及「氣體供給機構」。
第3單片處理部SWP3例如具備超臨界流體腔室37。超臨界流體腔室37例如利用超臨界流體進行乾燥處理。此時使用之流體例如為二氧化碳。超臨界流體腔室37將處理液設為超臨界狀態而對基板W進行處理。超臨界狀態藉由將流體設為流體固有之臨界溫度與臨界壓力而獲得。具體而言,於流體為二氧化碳之情形時,臨界溫度=31℃,臨界壓力為7.38MPa。於超臨界狀態下,流體之表面張力為零。因此,不對基板W之圖案產生氣液界面之影響。因此,不易產生基板W中之圖案倒塌。
緩衝部31例如具備複數級之載置擱板39。複數個載置擱板39較佳為積層配置於鉛直方向Z。複數個載置擱板39可載置至少1批次量之基板W。因第1搬送機構HTR可統一取出複數片基板W,故與逐片取出基板W之情形相比,可減少第1搬送機構HTR之負擔。緩衝部31可自水平方向之不同之複數個方向進行接取。中心機器人CR為了自第2行R2側朝向右方Y載置基板W,而對緩衝部31進行接取。第1搬送機構HTR為了自前方X朝向後方X接收1批次量之基板W而對緩衝部31進行接取。第1搬送機構HTR亦可接收未達1批次之片數之基板W。上述中心機器人CR以可於與複數個載置擱板39之間交接基板W之方式於鉛直方向Z升降。
上述第1單片處理部SWP1、第2單片處理部SWP2及第3單片處理部SWP3較佳為分別於鉛直方向Z多級地積層有同樣之處理部。藉此,可提高處理量。
<6.控制系統>
此處,參照圖2。圖2係表示控制系統之方塊圖。
上述之各構成由控制部CU統括控制。控制部CU具備CPU(Central Processing Unit:中央處理單元)或記憶體。控制部CU以信號線將與上述之各部之間電性連接。控制部CU藉由預先記憶於記憶體之程式操作各部,進行對基板W之處理。
<7.水中姿勢轉換部>
此處,參照圖3~圖6,對水中姿勢轉換部進行說明。圖3係水中姿勢轉換部及洗淨乾燥部之側視圖。圖4係水中姿勢轉換部之俯視圖。圖5係水中姿勢轉換部之側視圖。圖6係水中姿勢轉換部之前視圖。
水中姿勢轉換部25具備姿勢轉換部41、浸漬槽43、升降機LF4及推進器45。姿勢轉換部41具備槽內載體47與旋轉機構49。
槽內載體47於橫長狀態下,將複數片基板W以鉛直姿勢收納。槽內載體47於指定排列方向以指定間隔分開而收納複數片基板W。基板W之面係與排列方向正交之方向。該例中之排列方向為寬度方向Y。槽內載體47於底部形成開口51。槽內載體47於上表面形成開口53。開口53之前後方向X之長度較基板W之直徑長。開口51之開口面積較開口53窄。槽內載體 47具備扣合部55。扣合部55形成於槽內載體47之前後方向X上之兩個外側面。扣合部55形成於與複數片基板W之排列方向正交之方向之外側面。
浸漬槽43收容槽內載體47。浸漬槽43具有不論槽內載體47為縱長之狀態(基板W為水平姿勢)、或為橫長狀態(基板W為鉛直姿勢)均可於液面下收容槽內載體47之大小。浸漬槽43於底面之前後方向X之兩端具備噴出管43a。各噴出管43a呈筒狀。各噴出管43a於寬度方向Y具有長軸。各噴出管43a於寬度方向Y較長。各噴出管43a朝向浸漬槽43之前後方向X之中央部供給純水。各噴出管43a形成自浸漬槽43之底部朝向上方之純水之上升流。自各噴出管43a向浸漬槽43供給之純水,越過浸漬槽43之上緣而排出。
旋轉機構49具備氣缸57與馬達59。氣缸57具備作動軸57a與扣合片57b。根據氣缸57之打開關閉,而於前後方向X進退驅動作動軸57a。浸漬槽43形成貫通孔44。貫通孔44形成於浸漬槽43之前後方向X之側壁。作動軸57a以液密狀態安裝於浸漬槽43之貫通孔44。作動軸57a可以液密狀態於前後方向X進退。作動軸57a可以液密狀態繞前後方向X之軸旋轉。換言之,作動軸57a可於維持液密性之狀態下,相對於浸漬槽43之中央部進退及旋轉。
作動軸57a之扣合片57b扣合於扣合部55之進入位置為連結位置。作動軸57a之扣合片57b與扣合部55分開之退出位置為開放位置。圖4所示之作動軸57a之扣合片57b位於開放位置。
扣合片57b與槽內載體47之扣合部55扣合。扣合片57b以與扣合部55扣合之方式,形成外周面之形狀(輪廓)。扣合部55與扣合片57b例如自前後方向X觀察之形狀為多邊形狀。扣合片57b之縱剖面形狀之尺寸稍小於扣合部55。扣合部55之內周面之形狀、與扣合片57b之外周面之形狀相似。於扣合片57b扣合於扣合部55之狀態下,槽內載體47與作動軸57a一體化。換言之,於扣合片57b扣合於扣合部55之狀態下,槽內載體47不相對於作動軸57a繞前後方向X之軸旋轉。槽內載體47可與作動軸57a一起繞前後方向X之軸旋轉。
例如,當氣缸57打開時,作動軸57a進入。例如,當氣缸57關閉時,作動軸57a退出。氣缸57於打開時移動至扣合片57b扣合於扣合部55之連結位置。氣缸57於關閉時移動至扣合片57b與扣合部55分開之開放位置。於連結位置,作動軸57a與槽內載體47成為一體。於開放位置,作動軸57a與槽內載體47分體。
馬達59使氣缸57繞前後方向X之軸旋轉。於氣缸57打開、馬達59向第1方向旋轉驅動之情形時,馬達59繞前後方向X之軸旋轉槽內載體47。於氣缸57打開、馬達59向第1方向之相反方向之第2方向旋轉驅動之情形時,馬達59繞前後方向X之軸向相反方向旋轉槽內載體47。該等旋轉角度分別為約90°。此時之旋轉角度係收納於槽內載體47之複數片基板W之姿勢轉換為水平姿勢與鉛直姿勢之旋轉角度。
升降機LF4具備背板部63與支持部65。背板部63沿浸漬槽43之內側面延伸。背板部63於沿前後方向X之內側面,向鉛直方向Z之下方延伸。於背板部63之下端部安裝有例如2根支持部65。2根支持部65於寬度方向Y延伸。2根支持部65於前後方向X上之間隔較開口51寬。2根支持部65於前後方向X上之間隔,較前後方向X上之槽內載體47之寬度窄。升降機LF4以槽內載體47之長度方向成為水平姿勢之方式支持。
升降機構67配置於升降機LF4附近。升降機構67具備馬達69、螺紋軸71、線性引導件73及升降片75。馬達69以旋轉軸成為縱向之姿勢配置。於馬達69之旋轉軸安裝有螺紋軸71。螺紋軸71朝向鉛直方向Z。線性引導件73平行於螺紋軸71設置。線性引導件73朝向鉛直方向Z。升降片75螺合於螺紋軸71。升降片75之一者滑動自如地安裝於線性引導件73。升降片75之另一者安裝於連結構件77。連結構件77呈倒L字狀。連結構件77結合於背板部63之上端。
當馬達69旋轉時,螺紋軸71旋轉。當螺紋軸71旋轉時,升降片75根據馬達69之旋轉方向,沿線性引導件73於鉛直方向Z升降。藉此,例如升降機LF4升降移動至複數個高度位置。
例如,如圖5所示,升降機LF4藉由升降機構67,跨及第1高度位置P1、第2高度位置P2、第3高度位置P3及第4高度位置P4地升降移動。第1高度位置P1低於第2~第4高度位置P2~P4。第2高度位置P2高於第1高度位置P1及第4高度位置P4,低於第3高度位置P3。第3高度位置P3高於第1 高度位置P1、第2高度位置P2及第4高度位置P4。第4高度位置P4高於第1高度位置P1,低於第2高度位置P2及第3高度位置P3。
第1高度位置P1係升降機LF4之支持部65位於浸漬槽43之底面附近。第1高度位置P1係藉由旋轉機構49夾持槽內載體47、且支持部65與槽內載體47之下表面分開之位置。第1高度位置P1係槽內載體47藉由旋轉機構49於浸漬槽43內於長度方向縱旋轉之位置。
第2高度位置P2係於浸漬槽43之液面下支持槽內載體47整體之位置。於第2高度位置P2,槽內載體47之開口53位於液面下。第2高度位置P2係藉由旋轉機構49進行對槽內載體47之夾持動作之位置。第2高度位置P2係槽內載體47之扣合部55、與氣缸57之扣合片57b於水平方向直線排列之位置。換言之,第2高度位置P2係扣合部55與扣合片57b於水平方向對向之位置。
第3高度位置P3係於第2搬送機構WTR與槽內載體47之間交接複數片基板W之位置。第3高度位置P3係例如升降機LF4之支持部65位於較浸漬槽43之液面更上方。但,因只要槽內載體47之底部位於液面之上方即可,故支持部65未必位於液面之上方。
第4高度位置P4係於浸漬槽43內之水面下,維持將複數片基板W設為水平姿勢之槽內載體47。換言之,第4高度位置P4將縱長狀態之槽內載體47維持於水面下。自第4高度位置P4至第3高度位置P3之階段性位置,係 僅使中心機器人CR之搬送對象之基板W位於浸漬槽43之液面上方之高度位置。
浸漬槽43於底部形成有貫通孔79。於貫通孔79插通升降構件81。貫通孔79將浸漬槽43維持為液密狀態並插通升降構件81。升降構件81呈U字狀。於升降構件81之一者安裝有推進器45。推進器45可統一支持複數片基板W。推進器45抵接支持基板W之下緣。如圖4及圖6所示,推進器45之尺寸小於槽內載體47之開口51及開口53。推進器45可於鉛直方向Z貫通槽內載體47而升降。推進器45之寬度較升降機LF4之支持部65中前後方向X上之間隔小。推進器45不與槽內載體47及升降機LF4之支持部65干涉。
如圖4及圖6所示,推進器45於相鄰之位置具有升降機構83。升降機構83具備馬達85、螺紋軸87、線性引導件89及升降片91。馬達85之旋轉軸縱置配置。於馬達85之旋轉軸安裝有螺紋軸87。螺紋軸87配置於鉛直方向Z。線性引導件89以相對於螺紋軸87平行之位置關係配置。線性引導件89配置於鉛直方向Z。升降片91螺合於螺紋軸87。升降片91之一者滑動自如地安裝於線性引導件89。升降片91之另一者連結於升降構件81。
當正轉驅動或反轉驅動馬達85時,螺紋軸87向正方向或反方向旋轉。升降片91根據馬達85之旋轉方向,沿線性引導件89於鉛直方向Z升降。藉此,推進器45於鉛直方向Z升降。推進器45跨及待機位置與移載位置地升降。待機位置係槽內載體47之下方、且浸漬槽43之底部附近。該待機位置於圖5及圖6以實線顯示。移載位置係浸漬槽43之液面之上方。 該移載位置於圖5及圖6以雙點鏈線顯示。移載位置係於與第2搬送機構WTR之間交接複數片基板W之位置。
另,因由旋轉機構49使槽內載體47旋轉,故於槽內載體47產生污損等之情形時,可藉由僅更換槽內載體47而使其恢復。因此,可縮短基板處理裝置1之停機時間,可期待運轉率之提高。
<8.洗淨乾燥部>
參照圖3及圖4,對洗淨乾燥部CDU進行說明。
洗淨乾燥部CDU具備支持框架101、洗淨液噴嘴103及氣體噴嘴105。
支持框架101藉由未圖示之支柱配置於水中姿勢轉換部25之上方。其高度如圖3所示,較位於最上升之位置之槽內載體47之上表面稍上方。藉此,即使成為槽內載體47移動至最高位置之狀態,亦可洗淨及乾燥手29。換言之,無論槽內載體47之高度位置,均可洗淨及乾燥手29。
支持框架101具備頂板部101a與側面部101b。支持框架101配置於浸漬槽43之正上方。支持框架101於寬度方向Y上,配置於浸漬槽43中接近第2行R2之位置。支持框架101如圖3所示,於俯視時,配置於與設為縱長狀態之槽內載體47不重複之位置。於圖4中,以陰影線顯示設為縱長狀態 之槽內載體47。支持框架101於前後方向X之兩端部具備側面部101b。各側面部101b自頂板部101a向下方垂下而設置。換言之,當自寬度方向Y觀察時,支持框架101呈括弧狀。支持框架101不具備底面。
於支持框架101安裝有洗淨液噴嘴103與氣體噴嘴105。詳細而言,支持框架101於其頂板部101a安裝有洗淨液噴嘴103與氣體噴嘴105。換言之,洗淨液噴嘴103與氣體噴嘴105安裝於頂板部101a之下表面。
洗淨液噴嘴103於寬度方向Y上安裝於支持框架101之左方Y附近。換言之,洗淨液噴嘴103於寬度方向Y上安裝於支持框架101之升降機LF4側。洗淨液噴嘴103例如由2個構成。2個洗淨液噴嘴103於前後方向X上分開配置。各洗淨液噴嘴103為相同構成。各洗淨液噴嘴103朝向下方噴射洗淨液。各洗淨液噴嘴103配置於可向中心機器人CR之手29供給洗淨液之位置。洗淨液例如為純水或有機溶劑。有機溶劑例如為IPA(異丙醇)。
氣體噴嘴105例如由2個構成。2個氣體噴嘴105較洗淨液噴嘴103於寬度方向Y上更靠近第2行R2配置。換言之,2個氣體噴嘴105配置於較2個洗淨液噴嘴103更接近中心機器人CR之位置。2個氣體噴嘴105於前後方向X上隔開配置。各氣體噴嘴105為相同構成。各氣體噴嘴105朝向下方噴射氣體。各氣體噴嘴105配置於可向中心機器人CR之手29供給氣體之位置。氣體例如為氮氣(N2氣體)。氮氣較佳為乾燥氮氣。氣體只要為惰性氣體,則亦可為氮氣以外者。
洗淨液噴嘴103與氣體噴嘴105只要可洗淨及乾燥手29,則不限定為各2個之個數。可各為1個。亦可各為3個以上。
洗淨乾燥部CDU如上所述般構成。因此,洗淨乾燥部CDU與水中姿勢轉換部25於鉛直方向Z上相互之空間連通。換言之,洗淨乾燥部CDU於與水中姿勢轉換部25之間,不存在於鉛直方向Z上劃分相互之空間之構件。
上述中心機器人CR之手29如圖3所示,於寬度方向Y上對於洗淨乾燥部CDU進退。具體而言,中心機器人CR使手29跨及第1水平位置HP1、與第2水平位置HP2進退。該等位置係手29之前端部之位置。第1水平位置HP1係於寬度方向Y上接近水中姿勢轉換部25與洗淨乾燥部CDU之位置。第2水平位置HP2係於寬度方向Y上接近設為縱長狀態之槽內載體47之開口51之位置。換言之,第2水平位置HP2係較第1水平位置HP1於寬度方向Y上更靠左方Y之位置。
中心機器人CR於手29之鉛直方向Z上之高度,跨及第1高度位置VP1與第2高度位置VP2地升降。第1高度位置VP1係自槽內載體47取出基板W時之進入高度。手29於該第1高度位置VP1進入後,稍向鉛直方向Z上升而將基板W撈起,載置基板W並退出。第2高度位置VP2係由洗淨乾燥部CDU洗淨及乾燥手29時之進入高度。第2高度位置VP2亦為自洗淨乾燥部CDU退出時之退出高度。但,亦可於洗淨乾燥時亦使手29退出時,與基板W之接收時同樣稍向鉛直方向Z上升。藉此,可簡化中心機器人CR中之 手29之升降控制。
就如上所述般構成之洗淨乾燥部CDU之動作,稍後敘述細節。另,上述之氣體噴嘴105相當於本發明之「乾燥機構」。
<9.動作說明>
參照圖7~圖14,對上述基板處理裝置1中之水中姿勢轉換部25之動作進行說明。圖7~圖14係水中姿勢轉換部之動作說明圖。
<9-1.分批處理>
複數片基板W由藥液處理部CHB1進行利用磷酸之蝕刻處理,接著,由純水處理部ONB進行純水洗淨處理。進行了純水洗淨處理之複數片基板W藉由第2搬送機構WTR搬送至水中姿勢轉換部25。
<9-2.姿勢轉換>
參照圖7。第2搬送機構WTR以手23夾持於純水處理部ONB結束處理之複數片基板W,並搬送至水中姿勢轉換部25之上方。此時,水中姿勢轉換部25之升降機LF4之支持部65位於第2高度位置P2。槽內載體47保持於支持部65。浸漬槽43自噴出管43a以上升流供給純水。浸漬槽43之純水自上緣向周圍溢出。藉此,浸漬槽43始終充滿清潔之純水。旋轉機構49之 作動軸57a之扣合片57b設為開放位置。即,旋轉機構49與槽內載體47分開。推進器45自浸漬槽43之待機位置向移載位置上升。藉此,藉由推進器45抵接支持保持於第2搬送機構WTR之複數片基板W之下緣。
參照圖8。第2搬送機構WTR解除手23之夾持,開放複數片基板W。藉此,複數片基板W自第2搬送機構WTR向推進器45交接。接著,第2搬送機構WTR自水中姿勢轉換部25之上方避讓。具體而言,向第1分批處理部BPU1之方向移動。
升降機構67驅動馬達69,使升降機LF4上升至交接位置。具體而言,使升降機LF4上升至第3高度位置P3。藉此,於槽內載體47收納由推進器45支持下緣之複數片基板W。
參照圖9。升降機構83旋轉驅動馬達85,並使推進器45下降至待機位置。藉此,複數片基板W完全收納於槽內載體47。
參照圖10。升降機構67旋轉驅動馬達69,並使升降機LF4下降至第2高度位置P2。
參照圖11。旋轉機構49使氣缸57作動,使作動軸57a進入槽內載體47。旋轉機構49使作動軸57a進入連結位置。藉此,氣缸57之扣合片57b扣合於槽內載體47之扣合部55。槽內載體47於由升降機LF4支持下部之狀態下,由一對作動軸57a夾持。接著,旋轉驅動升降機構67之馬達69,使 升降機LF4下降至第1高度位置P1。藉此,槽內載體47成為僅由一對作動軸57a夾持之狀態。
參照圖12。使姿勢轉換部41之旋轉機構49作動。具體而言,旋轉驅動旋轉機構49之馬達59,使槽內載體47連同氣缸57一起繞前後方向X之軸旋轉。換言之,旋轉驅動馬達59,自純水處理部ONB側觀察,使洗淨槽內載體47逆時針旋轉。旋轉角度為90°。藉此,槽內載體47自橫姿勢(橫長狀態)成為縱姿勢(縱長狀態)。因此,複數片基板W之姿勢自鉛直姿勢轉換為水平姿勢。此時,複數片基板W仍浸漬於浸漬槽43之純水。複數片基板W於進行姿勢轉換時,不自純水露出任一部分。
如此,藉由旋轉機構49旋轉驅動處於連結位置之一對作動軸57a,可使槽內載體47旋轉而將複數片基板W之姿勢統一轉換為水平姿勢。因此,因可由簡易之構造轉換複數片基板W之姿勢,故可抑制裝置成本。
參照圖13。藉由升降機構67,使升降機LF4上升至第4位置P4。藉此,升降機LF4之支持部65於液體中保持設為縱姿勢之槽內載體47。再者,使氣缸57收縮動作,使作動軸57a移動至開放位置。藉此,槽內載體47僅由升降機LF4保持。
參照圖14。藉由升降機構67,使升降機LF4自第4位置P4上升,並上升至僅槽內載體47最上方之基板W自液面露出之位置。該基板W係由中心機器人CR搬送之搬送對象。藉此,最上位置之基板W於將貯存於浸漬槽 43之純水盛於上表面之狀態下,自浸漬槽43之液面向上方露出。於該狀態下,中心機器人CR使手29進入槽內載體47,搬出最上位置之基板W。
於中心機器人CR為了搬送下一片基板W而移動至水中姿勢轉換部25之情形時,藉由升降機構67使升降機LF4進一步上升。具體而言,僅上升槽內載體47具有之槽之間隔量。藉此,僅下一片基板W自浸漬槽43之液面向上方露出。於該狀態下,中心機器人CR搬出基板W。如此,每當中心機器人CR移動時,藉由升降機構67使升降機LF4逐漸上升。藉此,全部基板W以被純水濡濕之狀態藉由中心機器人CR搬送。
如此,未被中心機器人CR搬送之搬送對象外之基板W位於浸漬槽43之液面下。因此,可防止基板W於成為中心機器人CR之搬送對象之前乾燥。其結果,可抑制基板W之圖案之倒塌。
<9-3.單片處理>
如上所述,藉由中心機器人CR搬送之基板W例如如下處理。
中心機器人CR將基板W搬送至第1單片處理部SWP1。第1單片處理部SWP1例如以旋轉處理部33使基板W旋轉,且自噴嘴35供給純水。隨後,自噴嘴35對基板W供給IPA,以IPA置換基板W之純水。隨後,由中心機器人CR搬出基板W,並搬送至第3單片處理部SWP3。於第3單片處理部SWP3中,將基板W搬入至超臨界流體腔室37。基板W於超臨界流體腔 室37內,藉由二氧化碳進行乾燥處理。藉由超臨界流體腔室37中之乾燥處理,對基板W進行精乾燥處理。藉此,基板W完全乾燥,但可抑制形成於基板W之圖案之倒塌。
於超臨界流體腔室37結束乾燥處理之基板W,藉由中心機器人CR搬送至緩衝部31。中心機器人CR將基板W載置於緩衝部31之載置擱板39。當於緩衝部31載置1批次量之基板W時,第1搬送機構HTR將複數片基板W一次搬送至搬送收納部ACB。搬送收納部ACB連同載體C一起搬送至抽出部13。對槽內載體47之全部基板W進行如上所述之單片處理與隨後之搬送。藉此,可對複數片全部基板W進行分批處理及單片處理。
<9-4.手29之洗淨乾燥處理>
如上所述,最終,複數片基板W於由超臨界流體腔室37進行乾燥處理後,藉由中心機器人CR搬送並載置於緩衝部31。中心機器人CR之手29於水中姿勢轉換部25中接收基板W時被純水濡濕。當藉由該濡濕之手29,搬送於超臨界流體腔室37結束乾燥處理之基板W時,將結束乾燥處理之基板W濡濕。換言之,有因濡濕之手29污染基板W之虞。因此,於自超臨界流體腔室37搬送基板W前,如下對手29進行洗淨乾燥處理。
此處,自超臨界流體腔室37搬送基板W前,意指包含即將自超臨界流體腔室37搬送基板W前。又,自超臨界流體腔室37搬送基板W前,意指包含自水中姿勢轉換部25接收基板W、並將基板W搬送至第1單片處理部 SWP1或第2單片處理部SWP2後。
此處,參照圖15~圖18。圖15~圖18係洗淨乾燥部之動作說明圖。另,中心機器人CR之手29上升至第2高度位置VP2。
如圖15所示,使中心機器人CR之手29位於第1水平位置HP1。自洗淨乾燥部CDU之洗淨液噴嘴103噴射純水。自該狀態,使中心機器人CR之手29於寬度方向Y上向左方Y移動。此時之移動速度較佳為較接收槽內載體47內之基板W之動作更低速。其原因在於可期待利用純水之洗淨效果。
如圖16所示,手29移動,手29到達第2水平位置HP2。手29於第2水平位置HP2暫時停止。此時,手29之前端側整體藉由自洗淨液噴嘴103噴射之純水洗淨。藉此,即使於自槽內載體47接收到基板W時附著有微粒或純水,亦被純水沖洗。包含微粒等,沿手29流下之純水流下至浸漬槽43。因浸漬槽43之純水自上緣溢出,故不對浸漬槽43內之基板W產生不良影響。
於手29到達第2水平位置HP2後,停止自洗淨液噴嘴103噴射純水。進而,如圖17所示,自氣體噴嘴105噴射氮氣。且,使手29自第2水平位置HP2朝向第1水平位置HP1移動。詳細而言,使手29於寬度方向Y上向右方Y移動。此時之移動速度亦較佳為較接收槽內載體47內之基板W之動作更低速。其原因在於可期待利用氮氣之乾燥效果。
如圖18所示,手29移動,手29到達第1水平位置HP1。藉此,手29藉由來自氣體噴嘴105之氮氣去除附著之純水。換言之,手29被氮氣除液。自手29去除之純水向下方流下。藉此,可清潔中心機器人CR之手29。
根據本實施例,於自超臨界流體腔室37搬送基板W前,藉由洗淨乾燥部CDU對手29進行洗淨乾燥處理。因此,中心機器人CR可清潔手29。因此,中心機器人CR雖自水中姿勢轉換部25搬送濡濕之基板W,但可防止於自超臨界流體腔室37搬送乾燥之基板W時產生污染。因此,即使由手29搬送濡濕之基板W,亦可防止於乾燥之基板W之搬送時產生污染。
另,於上述實施例中,將對手29之洗淨乾燥之時序設為自超臨界流體腔室37搬送基板W前。此並非每次手29因自水中姿勢轉換部25向第2單片處理部SWP2及第3單片處理部SWP3搬送基板W而濡濕時進行手29之洗淨及乾燥。因此,可減少手29之洗淨及乾燥之頻率。其結果,可節約洗淨及乾燥所需之純水或氮氣之使用量。
藉由上述洗淨乾燥處理,自中心機器人CR之手29去除之純水向下方流下。貯存純水之浸漬槽43位於下方。因此,無需配置用於洗淨乾燥部CDU之底盤。其結果,可簡化構成,可抑制成本。又,洗淨乾燥部CDU配置於水中姿勢轉換部25之上方。因此,可減小基板處理裝置1之所佔面積。
本發明並不限定於上述實施形態,可如下述般變化實施。
(1)於上述實施例中,於自超臨界流體腔室37搬送基板W前,對手29進行洗淨乾燥處理。然而,本發明並不限定於此種時序之洗淨乾燥處理。例如,亦可於自水中姿勢轉換部25向第1單片處理部SWP1或第2單片處理部SWP2搬送基板W後、搬送其他基板W前,對手29進行洗淨及乾燥。
換言之,每次手29因自水中姿勢轉換部25向第1單片處理部SWP1或第2單片處理部SWP2搬送基板W而濡濕時,進行對手29之洗淨及乾燥。換言之,若手29濡濕,則盡快進行洗淨及乾燥。因此,可縮短自手29濡濕至洗淨及乾燥之時間。因此,藉由於手29濡濕後經過長時間,可防止於手29產生因附著之純水引起之殘渣。其結果,可提高手29之清潔度。
(2)於上述實施例中,將洗淨乾燥部CDU配置於水中姿勢轉換部25之上方。然而,本發明並不限定於此種構成。即,亦可將洗淨乾燥部CDU配置於與第1分批處理部BPU1或水中姿勢轉換部25等於俯視時不重複之位置。
(3)於上述實施例中,作為乾燥機構,以氣體噴嘴105為例進行了說明。然而,本發明並不限定於此種構成。例如,亦可採用如圖19所示之乾燥機構。另,圖19係表示乾燥機構之變化例之側視圖。
手29於內部具備加熱器107作為乾燥機構。加熱器107電性連接有加 熱器用電源109。加熱器用電源109由控制部CU操作。加熱器用電源109由控制部CU控制向加熱器107賦予之電力。亦可代替上述氣體噴嘴105,藉由經由加熱器用電源109對加熱器107進行加熱,而乾燥洗淨後之手29。藉此,於由洗淨液噴嘴103洗淨後,可一面使手29移動至與洗淨乾燥部CDU不同之位置,一面進行乾燥。另,亦可並用上述氣體噴嘴105與加熱器107。
於採用上述構成之情形時,例如,較佳為如下構成手29。例如,於不鏽鋼鋼板之上表面配置加熱器107,將不鏽鋼鋼板與加熱器107一起以氟樹脂塗敷。或,於陶瓷構件之上表面配置加熱器107,將陶瓷構件與加熱器107一起以氟樹脂塗敷。藉此,可不使手29之耐藥品性下降,容易將加熱器107內置於手29。
(4)於上述實施例中,於洗淨乾燥部CDU進行手29之洗淨及乾燥。然而,亦可省略洗淨乾燥部CDU,以第1單片處理部SWP1或第2單片處理部SWP2進行洗淨及乾燥。於該情形時,於使手29移動至第1單片處理部SWP1或第2單片處理部SWP2後,自噴嘴35供給處理液作為洗淨液。隨後,自噴嘴35供給氮氣並進行乾燥處理即可。藉此,可由第1單片處理部SWP1或第2單片處理部SWP2兼用洗淨乾燥部CDU。因此,可簡化構成,可抑制裝置成本。
(5)於上述實施例中,由洗淨乾燥部CDU,於洗淨液之供給後供給氣體並使其乾燥。然而,本發明並不限定於此種形態。例如,亦可代替氣體 而供給有機溶劑,使其乾燥。於該情形時,較佳為沸點較低之有機溶劑。具體而言,例如可舉出IPA(異丙醇)。
(6)於上述實施例中,以基板處理裝置1僅具備1個洗淨乾燥部CDU之構成為例進行了說明。然而,本發明並不限定於該構成。此處,參照圖20,以變化例即基板處理裝置1A為例進行說明。圖20係表示基板處理裝置之變化例之俯視圖。
基板處理裝置1A具備第1洗淨乾燥部CDU1與第2洗淨乾燥部CDU2。第1洗淨乾燥部CDU1如實施例所記載般,配置於水中姿勢轉換部25之上方。第2洗淨乾燥部CDU2如變化例所記載般,例如兼用第2單片處理部SWP2。換言之,第1洗淨乾燥部CDU1與第2洗淨乾燥部CDU2隔著第2行R2分別配置於寬度方向Y。第1洗淨乾燥部CDU1與第2洗淨乾燥部CDU2於前後方向X上錯開配置。第1洗淨乾燥部CDU1與第2洗淨乾燥部CDU2配置於俯視時不同之位置。
於此種構成中,中心機器人CR可於第1洗淨乾燥部CDU1與第2洗淨乾燥部CDU2之任一者進行手29之洗淨及乾燥。於此種構成之情形時,較佳為控制部CU如下進行控制。
即,控制部CU可知曉中心機器人CR之當前位置。又,控制部CU記憶第1洗淨乾燥部CDU1與第2洗淨乾燥部CDU2之位置。因此,控制部CU當前可判斷中心機器人CR接近第1洗淨乾燥部CDU1與第2洗淨乾燥部 CDU2之何者。控制部CU於對中心機器人CR之手29進行洗淨及乾燥時,選擇第1洗淨乾燥部CDU1與第2洗淨乾燥部CDU2中較近者,使中心機器人CR移動。藉由如此控制,可快速進行手29之清潔化。因此,不易產生附著於手29之純水引起之殘渣。又,因可快速進行來自超臨界流體腔室37之基板W之搬送,故可提高處理量。
又,亦可將3個以上之洗淨乾燥部CDU分別配備於不同位置。
(7)於上述實施例及變化例中,以具備水中姿勢轉換部25之基板處理裝置1、1A為例進行了說明。然而,本發明並非必需水中姿勢轉換部25者。即,即使為具備將基板W之姿勢自鉛直姿勢轉換為水平姿勢之姿勢轉換部、及向經姿勢轉換之基板W吹送純水之噴嘴之構成亦可應用。
(8)於上述實施例及變化例中,以基板處理裝置1、1A如圖1或圖20所示之構成為例進行了說明。但,本發明並不限定於此種構成。即,並非必需儲料區塊5、第1搬送機構HTR、移載機構CTC。
於不脫離本發明之精神或基本屬性之情形時,本發明可以其他特定形態實施,因此,應參照所附申請專利範圍而非上述說明書以指示本發明之範圍。
25:水中姿勢轉換部
29:手
43:浸漬槽
43a:噴出管
45:推進器
47:槽內載體
65:支持部
79:貫通孔
101:支持框架
101a:頂板部
101b:側面部
103:洗淨液噴嘴
105:氣體噴嘴
CDU:洗淨乾燥部
CR:中心機器人
HP1:第1水平位置
HP2:第2水平位置
VP1:第1高度位置
VP2:第2高度位置
W:基板
X:前後方向
Y:寬度方向
Z:鉛直方向

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置,其係處理基板者;且上述裝置包含以下要件:分批式處理部,其將複數片基板於鉛直姿勢之狀態下予以統一處理;單片式處理部,其將一片基板於水平姿勢之狀態下進行處理;姿勢轉換部,其保持由上述分批式處理部結束處理之複數片基板,並將上述複數片基板於以純水濡濕之狀態下自鉛直姿勢轉換為水平姿勢;第1搬送部,其將由上述分批式處理部結束處理之複數片基板搬送至上述姿勢轉換部;第2搬送部,其將由上述姿勢轉換部設為水平姿勢之基板支持於手並向上述單片式處理部搬送,將由上述單片式處理部處理之基板支持於手並自上述單片式處理部搬送;及洗淨乾燥部,其對上述第2搬送部之上述手進行洗淨及乾燥。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部於上述第2搬送部自上述單片式處理部搬送由上述單片式處理部處理之基板前,對上述手進行洗淨及乾燥。
  3. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部於自上述姿勢轉換部向上述單片式處理部搬送基板後,對上述手進行洗淨及乾燥。
  4. 如請求項2之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部於自上述姿勢轉換部向上述單片式處理部搬送基板後,對上述手進行洗淨及乾燥。
  5. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部配置於上述姿勢轉換部之上方。
  6. 如請求項2之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部配置於上述姿勢轉換部之上方。
  7. 如請求項3之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部配置於上述姿勢轉換部之上方。
  8. 如請求項4之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部配置於上述姿勢轉換部之上方。
  9. 如請求項5之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部與上述姿勢轉換部相互之空間於鉛直方向連通。
  10. 如請求項6之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部與上述姿勢轉換部相互之空間於鉛直方向連通。
  11. 如請求項7之基板處理裝置,其中 上述洗淨乾燥部與上述姿勢轉換部相互之空間於鉛直方向連通。
  12. 如請求項8之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部與上述姿勢轉換部相互之空間於鉛直方向連通。
  13. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部具備:洗淨液噴嘴,其向上述手噴出洗淨液;及乾燥機構,其使上述手乾燥。
  14. 如請求項2之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部具備:洗淨液噴嘴,其向上述手噴出洗淨液;及乾燥機構,其使上述手乾燥。
  15. 如請求項3之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部具備:洗淨液噴嘴,其向上述手噴出洗淨液;及乾燥機構,其使上述手乾燥。
  16. 如請求項5之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部具備:洗淨液噴嘴,其向上述手噴出洗淨液;及乾燥機構,其使上述手乾燥。
  17. 如請求項9之基板處理裝置,其中上述洗淨乾燥部具備:洗淨液噴嘴,其向上述手噴出洗淨液;及乾 燥機構,其使上述手乾燥。
  18. 如請求項13之基板處理裝置,其中上述乾燥機構係向上述手供給氣體之氣體噴嘴。
  19. 如請求項1之基板處理裝置,其中上述單片式處理部具備:自旋夾盤,其將基板以水平姿勢可旋轉地支持;處理液供給機構,其向由上述自旋夾盤支持之基板供給處理液;及氣體供給機構,其向由上述自旋夾盤支持之基板供給氣體;且上述洗淨乾燥部藉由使用上述單片式處理部之上述處理液供給機構與上述氣體供給機構對上述手進行洗淨及乾燥而實現。
  20. 如請求項1之基板處理裝置,其具備:複數個上述洗淨乾燥部,且將上述複數個上述洗淨乾燥部配備於俯視時不同之位置;且根據上述第2搬送部之位置,由較近之上述洗淨乾燥部進行洗淨及乾燥。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024013455A (ja) * 2022-07-20 2024-02-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN118089349B (zh) * 2024-04-29 2024-07-19 江苏亚电科技股份有限公司 一种提拉干燥设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202044383A (zh) * 2019-02-05 2020-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
TW202117821A (zh) * 2019-10-10 2021-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法
TW202121566A (zh) * 2019-10-10 2021-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法
CN114334710A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 东京毅力科创株式会社 基片处理系统
CN114334711A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 东京毅力科创株式会社 基片处理系统和基片输送方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068244A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Sony Corp 洗浄装置
JP2001018169A (ja) * 1999-07-07 2001-01-23 Ebara Corp 研磨装置
JP2012199327A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US11666951B2 (en) * 2020-07-10 2023-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer handler cleaning tool
JP2024013455A (ja) * 2022-07-20 2024-02-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202044383A (zh) * 2019-02-05 2020-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
TW202117821A (zh) * 2019-10-10 2021-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法
TW202121566A (zh) * 2019-10-10 2021-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法
CN114334710A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 东京毅力科创株式会社 基片处理系统
CN114334711A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 东京毅力科创株式会社 基片处理系统和基片输送方法

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