TWI872941B

TWI872941B - 光電元件

Info

Publication number: TWI872941B
Application number: TW113104414A
Authority: TW
Inventors: 郭修邑; 梁建欽
Original assignee: 隆達電子股份有限公司
Priority date: 2024-02-05
Filing date: 2024-02-05
Publication date: 2025-02-11
Also published as: US20250255080A1; CN120435144A; TW202533382A

Abstract

本揭露提供一種光電元件，包括基底、發光晶片、中間層、波長轉換件及外牆。基底包含底材及導體部，導體部具有複數接合面，底材包覆導體部並露出接合面。發光晶片及中間層位於基底上，發光晶片具有頂表面，中間層包覆發光晶片並露出發光晶片的頂表面。波長轉換件覆蓋發光晶片及中間層，波長轉換件具有出光面。外牆位於基底上，外牆包覆中間層及波長轉換件並露出波長轉換件的出光面。波長轉換件的出光面平行於發光晶片的頂表面，且波長轉換件的出光面垂直於導體部的接合面。

Description

光電元件

本發明是關於光電元件，特別是關於側出光型式的光電元件。

光電元件以光源的形態被廣泛應用於背光、照明、感測等各種領域。對背光應用來說，在追求輕薄的潮流下，為了壓縮背光模組的厚度，側出光型式的光源應運而生。雖然現有的側出光型式的光源已逐步滿足它們既定的用途，但它們並非在各方面皆符合要求。因此，關於側出光型式的光源仍有一些問題需要克服。

在一些實施例中，提供一種光電元件，包括：基底，包含底材及導體部，導體部具有複數接合面，其中，底材包覆導體部並露出複數接合面；發光晶片，位於基底上，發光晶片具有頂表面；中間層，位於基底上，中間層包覆發光晶片並露出發光晶片的頂表面；波長轉換件，覆蓋發光晶片及中間層，波長轉換件具有出光面；以及外牆，位於基底上，外牆包覆中間層及波長轉換件並露出出光面；其中，波長轉換件的出光面平行於發光晶片的頂表面，且波長轉換件的出光面垂直於導體部的複數接合面。

在一些實施例中，提供另一種光電元件，包括：基底，包含底材及導體部，導體部具有複數接合面，其中，底材包覆導體部並露出複數接合面；複數發光晶片，位於基底上，每一個發光晶片具有一個頂表面；中間層，位於基底上，中間層包覆複數發光晶片並露出複數頂表面；波長轉換件，覆蓋複數發光晶片及中間層，波長轉換件具有出光面；以及外牆，位於基底上，外牆包覆中間層及波長轉換件並露出出光面；其中，波長轉換件的出光面平行於複數發光晶片的複數頂表面，且波長轉換件的出光面垂直於導體部的複數接合面。

在一些實施例中，提供又一種光電元件，包括：基底，包含底材及導體部，導體部具有複數接合面，其中，底材包覆導體部並露出複數接合面；複數發光晶片，位於基底上，每一發光晶片具有一頂表面；中間層，位於基底上，中間層包覆複數發光晶片並露出複數頂表面；複數波長轉換件，覆蓋複數發光晶片及中間層，複數波長轉換件各自對應覆蓋不同的發光晶片，其中，每一波長轉換件具有一出光面；以及外牆，位於基底上，外牆包覆中間層及波長轉換件並露出複數出光面，且複數出光面之間藉由外牆彼此分隔；其中，複數波長轉換件的複數出光面平行於複數發光晶片的複數頂表面，且複數波長轉換件的複數出光面垂直於導體部的複數接合面。

本揭露的光電元件藉由金屬沈積的方式形成發光晶片的連接線路，再搭配金屬塊與底材構成基底，可提升電性連接的設計精度，提高單位面積內的發光晶片數量，加上利用成型製程形成的外牆及波長轉換件，並透過切割以於光電元件側壁露出金屬塊的接合面，使光電元件的出光面與接合面彼此垂直，可有效降低背光模組厚度。為讓本揭露之特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉出各種實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

以下揭露提供了很多不同的實施例或範例，用於實施所提供的標的物之不同元件。各部件及其配置的具體範例描述如下，以簡化本揭露實施例，當然，這些僅為範例，並非用以限定本揭露。舉例而言，敘述中若提及第一部件形成在第二部件之上，可能包括第一部件及第二部件直接接觸的實施例，也可能包括形成額外的部件在第一部件及第二部件之間，使得第一部件及第二部件不直接接觸的實施例。此外，本揭露可能在不同的實施例或範例中重複元件符號及/或字符。如此重複是為了簡明及清楚，而非用以表示所討論的不同實施例及/或範例之間的關係。

本文可能用到與空間相對的用詞，例如「在……之下」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」等類似用詞，是為了便於描述圖式中一個（些）部件或特徵與另一個（些）部件或特徵之間的關係。空間相對用詞用以包括使用中或操作中的裝置之不同方位，以及圖式中所描述的方位。當元件被轉向不同方位時（旋轉90度或其他方位），其中所使用的空間相對形容詞也將依轉向後的方位來解釋。

在本揭露的一些實施例中，關於設置、連接之用語例如「設置」、「連接」及其類似用語，除非特別定義，否則可指兩個部件直接接觸，或者亦可指兩個部件並非直接接觸，其中有額外部件位於此兩個結構之間。關於設置、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定的情況。

另外，本說明書或申請專利範圍中提及的「第一」、「第二」及其類似用語是用以命名不同的部件或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制部件數量上的上限或下限，也並非用以限定部件的製造順序或設置順序。

除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與所屬技術領域中具有通常知識者通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露的實施例有特別定義。

以下描述實施例的一些變化。在不同圖式和說明的實施例中，相同或相似的元件符號被用來標明相同或相似的部件。

第1A、1B圖係根據本揭露的一實施例，分別繪示出光電元件100的立體圖及剖視圖。請同時參閱第1A圖及第1B圖，光電元件100包含基底1、發光晶片2、中間層3、波長轉換件4、以及外牆5。

基底1包含底材11與導體部12，導體部12具有複數接合面12a，底材11包覆導體部12並露出複數接合面12a，也就是說，底材11環繞複數接合面12a但並未覆蓋複數接合面12a。在一些實施例中，環繞於複數接合面12a周圍的底材11的表面會與複數接合面12a齊平。在一些實施例中，導體部12包含導電部121、導熱部122及連接部123，導電部121用以使光電元件100與外部電源電性連接；導熱部122用以提升光電元件100的散熱；連接部123用以形成光電元件100內部的電性連接，例如使導電部121與發光晶片2電性連接及/或使複數發光晶片2之間電性連接。在一些實施例中，導體部12可包含複數個導電部121及複數個連接部123，連接部123的數量可大於或等於導電部121的數量。在一些實施例中，導體部12可包含一或多個導熱部122。在一些實施例中，導體部12可不包含導熱部122。在一些實施例中，複數接合面12a由導電部121及/或導熱部122構成。

在一些實施例中，導電部121與導熱部122例如為具有一定厚度的柱體或塊體，厚度例如可為5μm至100μm，連接部123例如為厚度小於導電部121與導熱部122的膜層。當導電部121與導熱部122的厚度小於5μm時，接合面12a的面積會連帶縮小，不利於後續的元件接合製程；當導電部121與導熱部122的厚度大於100μm時，將導致光電元件100的整體體積變大，不利於薄型化的應用。

在一些實施例中，底材11包含絕緣材料，絕緣材料例如可為聚醯亞胺(PI)、環氧樹脂(epoxy)、矽氧樹脂(silicone)、其他合適的材料或其組合。在一些實施例中，可添加填充物於底材11的絕緣材料中，使底材11可遮蔽、吸收、或反射發光晶片2發出的光。填充物例如可為氧化鈦(TiO _x)、氧化矽(SiO _x)、有色顏料、其他合適的材料或其組合。在一些實施例中，導體部12包含具有導電或導熱能力的導體材料，導體材料可包括金屬、金屬化合物、其他合適的材料或其組合。舉例而言，金屬可為錫(Sn)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎳(Ni)、銦(In)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、前述材料之合金或其組合。金屬化合物可為氮化鉭(TaN)、氮化鈦(TiN)、矽化鎢(WSi ₂)等。在一些實施例中，導電部121、導熱部122與連接部123的材料可以相同或不同，例如導電部121的材料與導熱部122的材料相同，而導電部121的材料與連接部123的材料不相同。

在一些實施例中，底材11可透過塗佈(coating)、成型(molding)、其它合適的方式或其組合形成，導體部12可透過如蒸鍍(Evaporation)、濺鍍(Sputtering)、電鍍(plating)等沉積製程、網印、真空噴塗、其它合適的方式或其組合形成。在一些實施例中，導電部121與導熱部122可在同一道製程形成，以簡化製程。於本實施例中，底材11可為添加黑色顏料的環氧樹脂成型料(epoxy molding compound, EMC)，導體部12的導電部121及導熱部122可為電鍍形成的銅塊(Cu)，連接部123可為濺鍍而成的鉻(Cr)/鉑(Pt)/金(Au)疊層或鈦(Ti)/銅(Cu)/鈦(Ti)疊層形成之金屬膜疊層。由於發光晶片2是透過金屬沈積製程的連接部123以與導電部 121之間的形成電性連結，且具有厚度的銅塊導電部121及銅塊導熱部122搭配底材11即可形成具支撐力的基底1，相較於以往先將電路形成於支撐基板，再藉焊接、共晶或黏合等製程使發光晶片與支撐基板電性連接的方式，本揭露的實施例不僅可完成高精度的電性連接線路，更能有效縮減元件整體體積，達到薄型化的需求。

發光晶片2位於基底1上，可經由供給電力而發光，所發之光主要自頂表面2a發出。發光晶片2例如為發光二極體(light emitting diode, LED)晶片或雷射二極體(laser diode)晶片。發光晶片2包含發光疊層21與電極對22，電極對22位於發光疊層21面對基底1的一側，也就是說，電極對22位於發光晶片2相對於頂表面2a的一側。在一些實施例中，電極對22具有不同特性，舉例來說，電極對22的其中一個為P型時，另一個為N型。

在一些實施例中，發光疊層21可以包含三五族化合物材料，例如包含鋁(Al)、鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、銦(In)或氮(N)。詳細而言，在一些實施例中，上述三五族化合物材料可以為二元化合物半導體(例如，GaAs、GaP、GaN或InP)、三元化合物半導體(例如，InGaAs、AlGaAs、GaInP、AlInP、InGaN或AlGaN)或四元化合物半導體(例如，AlGaInAs、AlGaInP、AlInGaN、InGaAsP、InGaAsN或AlGaAsP)。在一些實施例中，發光晶片2的頂表面2a包含三五族化合物材料。

在一些實施例中，電極對22包含導電材料，例如金屬、氮化物、氧化物、類似的材料或前述之組合。舉例來說，金屬可包含金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈹(Be)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、錫(Sn)、前述之合金或其組合，氮化物可包含氮化鈦(TiN)，氧化物可包含氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。

在一些實施例中，可先在成長基板(未繪示)上藉由例如有機金屬化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)、氫化物氣相磊晶(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)、分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE)、液相磊晶(liquid-phase epitaxy, LPE)、氣相磊晶(vapor phase epitaxy, VPE)或其他合適的磊晶成長製程形成發光疊層21，再藉由例如蒸鍍(Evaporation)或濺鍍(Sputtering)等製程形成電極對22，最後將成長基板移除，以形成發光晶片2。換句話說，發光晶片2不包含基板，且發光晶片2的頂表面2a由發光疊層21構成。

在一些實施例中，光電元件100可包含一或多個發光晶片2。多個發光晶片2之間的電性可為彼此獨立，也可以是藉由導體部12的連接部123彼此連接。詳細而言，當多個發光晶片2彼此電性獨立時，發光晶片2各自對應連接不同的連接部123及導電部121，導電部121與連接部123的數量會與發光晶片2的電極對22數量相當，也就是說，一組電極對22會藉由二個連接部123以與二個導電部121連接，由於發光晶片2彼此電性獨立，因而可分別控制；當多個發光晶片2彼此電性連接時，至少二個發光晶片2同時連接到同一個連接部123，例如形成串聯或並聯，並且分別再透過各自對應的連接部123以與對應的導電部121連接，如此可減少導電部121及連接部123的數量，簡化電路的設計及後續與外部電性連接時的複雜度。

中間層3位於基底1上，其包覆發光晶片2並露出發光晶片2的頂表面2a，也就是說，中間層3並未覆蓋發光晶片2的頂表面2a。在一些實施例中，環繞於頂表面2a周圍的中間層3的表面會與頂表面2a齊平。在一些實施例中，中間層3包含絕緣材料，絕緣材料例如可為環氧樹脂(epoxy)、聚醯亞胺(PI)、聚苯噁唑(PBO)、矽氧樹脂(silicone)、氧化矽(SiO _x)、氮化矽(SiN _x)或其組合。在一些實施例中，發光晶片2發出的光對於中間層3的穿透率範圍可為5%至90%，例如5%至10%、10%至20%、20%至30%、30%至40%、40%至50%、50%至60%、60%至70%、70%至80%、80%至90%或上述數值的任意範圍。在一些實施例中，中間層3位於基底1上並露出基底1的周緣表面，也就是說，中間層3並未完全覆蓋基底1，如第1B圖所示。

在一些實施例中，導體部12的連接部123可以是埋設在中間層3內。在一些實施例中，導體部12的導電部121可朝發光晶片2方向延伸穿入中間層3以與對應的連接部123電性連接。發光晶片2的線路接點位置(即，電極對22)可藉由連接部123調整延伸至所需的位置(即，導電部121)，導電部121的延伸方向可為垂直延伸及/或水平延伸。

波長轉換件4覆蓋發光晶片2及中間層3，用以改變發光晶片2之光波長，經改變波長的光主要自波長轉換件4的出光面4a發出。在一些實施例中，發光晶片2發出的光對波長轉換件4的穿透率例如可為80%、85%、90%、95%、100%或上述數值的任意範圍。在一些實施例中，發光晶片2發出的光對波長轉換件4的穿透率大於對中間層3的穿透率。在一些實施例中，波長轉換件4包含波長轉換材料，波長轉換材料例如為螢光粉或量子點(quantum dot, QD)。波長轉換件4可透過塗佈(coating)、模製(molding)、其它合適的方式或其組合形成。在一些實施例中，波長轉換件4的出光面4a與發光晶片2的出光面2a平行。在一些實施例中，波長轉換件4的外側壁與中間層3的外側壁齊平。

外牆5位於基底1上，包覆中間層3及波長轉換件4並露出波長轉換件4的出光面4a，也就是說，外牆5並未覆蓋出光面4a。在一些實施例中，環繞於出光面4a周圍的外牆5的表面會與出光面4a齊平。在一些實施例中，外牆5包含絕緣材料，絕緣材料例如可為聚醯亞胺(PI)、環氧樹脂(epoxy)、矽氧樹脂(silicone)、其他合適的材料或其組合。在一些實施例中，可添加填充物於外牆5的絕緣材料中，使外牆5具有不透光的特性，例如可遮蔽、吸收、或反射發光晶片2發出的光。填充物例如可為氧化鈦(TiO _x)、氧化矽(SiO _x)、有色顏料、其他合適的材料或其組合。於本實施例中，外牆5為添加氧化鈦(TiO _x)而呈現白色的環氧樹脂成型料(epoxy molding compound, EMC)。在一些實施例中，外牆5的外側壁與中間層3的外側壁齊平。

在一些實施例中，波長轉換件4直接接觸發光晶片2及中間層3，詳細而言，波長轉換件4直接接觸發光晶片2的出光面2a及中間層3，波長轉換件4與出光面2a接觸的水平界面為第一接觸面S1，波長轉換件4與中間層3接觸的水平界面為第二接觸面S2。在一些實施例中，第一接觸面S1與第二接觸面S2齊平。

在一些實施例中，基底1直接接觸中間層3及外牆5，詳細而言，基底1的底材11直接接觸中間層3及外牆5，底材11與中間層3接觸的水平界面為第三接觸面S3，底材11與外牆5接觸的水平界面為第四接觸面S4。在一些實施例中，第三接觸面S3與第四接觸面S4齊平。

如第1A圖所示，光電元件100包含上表面100a、下表面100b以及複數側表面100c，複數側表面100c位於上表面100a與下表面100b之間，也就是說，相對設置的上表面100a與下表面100b藉由複數側表面100c相連。在一些實施例中，上表面100a包含波長轉換件4的出光面4a。詳細而言，上表面100a由波長轉換件4及外牆5構成，且波長轉換件4的出光面4a被外牆5環繞。在一些實施例中，下表面100b包含基底1。詳細而言，下表面100b由基底1的底材11構成，也就是說，下表面100b僅包含底材11。在一些實施例中，複數側表面100c包含基底1及外牆5，且複數側表面100c的其中之一包含導體部12的複數接合面12a，其餘的側表面100c皆未包含導體部12的複數接合面12a。詳細而言，包含複數接合面12a的側表面100c由底材11、導體部12及外牆5構成，其他未包含複數接合面12a的側表面100c由底材11及外牆5構成。

在一些實施例中，複數接合面12a可以是藉由切割製程而形成於側表面100c上。具體而言，在形成基底1的製造過程中，導體部12會先被底材11環繞，再經由切割製程，去除部分的底材11，以使接合面12a形成於預定的側表面100c上。因此，位於側表面100c上的複數接合面12a會與環繞複數接合面12a的底材11的表面及外牆5的表面齊平，如圖1A所示。

第1C圖是係根據本揭露的一些實施例，繪示出光電元件100的應用示意圖。如第1C圖所示，光電元件100的側表面100c接合於包含外部電路R的載板C上，而光電元件100的光束L由上表面100a發出。具體而言，光電元件100藉由側表面100c上的複數接合面12a與外部電路R電性連接，光電元件100的光束L則是由位於上表面100a的出光面4a發出。由於複數接合面12a是位於光電元件100的側表面100c上，而光電元件100的光束L是從位於上表面100a的出光面4a發出，也就是說，複數接合面12a與出光面4a並非相對設置，因此當光電元件100接合至載板C上時，便可形成側向出光。此外，由於光電元件100的下表面100b及複數側表面100c皆不包含出光面4a，且位於上表面100a的出光面4a被具有不透光特性的外牆5圍繞，因而可提升出光效率並使出光更加集中。再者，由於發光晶片2的光主要自頂表面2a發出，且頂表面2a直接接觸波長轉換件4並朝向出光面4a，使得發光晶片2的光可直接進入波長轉換件4，並在通過波長轉換件4後直接自出光面4a發出，出光路徑上未經過波長轉換件4以外的介質，因此可進一步地減少出光損耗。

第2圖係根據本揭露的另一實施例，繪示光電元件200的剖面示意圖。為了便於比較與上述各實施方式之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，並主要針對各實施方式之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。光電元件200與光電元件100的差異在於，第一接觸面S1與第二接觸面S2未齊平，也就是說，第一接觸面S1與第二接觸面S2於垂直方向上具有間距h1，間距h1的範圍例如為大於0微米(μm)且小於10微米(μm)。於本實施例中，第二接觸面S2較第一接觸面S1更接近基底1，換言之，波長轉換件4更進一步地朝基底1方向延伸，並接觸發光晶片2除了頂表面2a之外的其它表面，如第2圖所示。由於波長轉換件4與發光晶片2接觸的範圍增加，代表發光晶片2的光能直接進入波長轉換件4的範圍也同步增加，因而可提升波長轉換效率。

第3圖係根據本揭露的一實施例，繪示光電元件300的剖面示意圖。光電元件300與光電元件100的差異在於，第三接觸面S3與第四接觸面S4未齊平，也就是說，第三接觸面S3與第四接觸面S4於垂直方向上具有間距h2，間距h2的範圍例如為大於0微米(μm)且小於5微米(μm)。於本實施例中，第四接觸面S4較第三接觸面S3更遠離波長轉換件4，換言之，外牆5與底材11的接觸範圍增加，如第3圖所示。由於外牆5與底材11接觸的範圍增加，因而可提升外牆5與底材11之間的附著力，降低因二者間附著不良而導致的可靠度風險。

第4A、4B圖係根據本揭露的一實施例，分別繪示出光電元件400的立體圖及剖視圖。光電元件400與光電元件100的差異在於，光電元件400包含複數個發光晶片2及複數個波長轉換件4，複數個波長轉換件4分別覆蓋各自對應的發光晶片2，且每個波長轉換件4各自具有出光面4a。如第4A圖所示，光電元件400的上表面400a包含複數個出光面4a，複數個出光面4a分別被外牆5環繞，也就是說，複數個出光面4a之間藉由外牆5彼此分隔。在一些實施例中，環繞出光面4a的外牆5的表面會與出光面4a齊平。在一些實施例中，複數個出光面4a彼此齊平。

本揭露的光電元件藉由金屬沈積的方式形成發光晶片的電性連接線路，再搭配金屬塊與底材構成基底，可提升電性連接的設計精度，提高單位面積內的發光晶片數量，加上利用成型製程形成的外牆及波長轉換件，並透過切割以於光電元件側壁露出金屬塊的接合面，使光電元件的出光面與接合面彼此垂直，可有效降低背光模組厚度。

本揭露實施例之間的部件只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何本領域中的通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施實質上相同功能或獲得實質上相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。本揭露的任一實施例或請求項不須達成本揭露所公開的全部目的、優點及/或特點。

以上概述數個實施例，以便本領域中的通常知識者可以更理解本揭露實施例的觀點。本領域中的通常知識者應該理解的是，能以本揭露實施例為基礎，設計或修改其他製程與結構，以達到與在此介紹的實施例相同之目的及/或優勢。本領域中的通常知識者也應該理解的是，此類等效的製程與結構並無悖離本揭露的精神與範圍，且能在不違背本揭露之精神與範圍之下，做各式各樣的改變、取代與替換。

100,200,300,400:光電元件 100a,400a:上表面 100b,400b:下表面 100c,400c:側表面 1:基底 11:底材 12:導體部 121:導電部 122:導熱部 123:連接部 2:發光晶片 2a:頂表面 21:發光疊層 22:電極對 3:中間層 4:波長轉換件 4a:出光面 5:外牆 S1:第一接觸面 S2:第二接觸面 S3:第三接觸面 S4:第四接觸面 A-A, B-B:線段

藉由以下的詳細敘述配合所附圖式，能更加理解本揭露實施例的觀點。值得注意的是，根據工業上的標準慣例，一些部件(feature)可能沒有按照比例繪製。事實上，為了能清楚地描述，不同部件的尺寸可能被增加或減少。第1A圖是根據本揭露的一實施例，繪示光電元件的立體示意圖。第1B圖是根據本揭露的一實施例，繪示沿第1A圖的AA線段的剖面示意圖。第1C圖是根據本揭露的一實施例，繪示光電元件的應用示意圖。第2圖是根據本揭露的一實施例，繪示光電元件的剖面示意圖。第3圖是根據本揭露的一實施例，繪示光電元件的剖面示意圖。第4A圖是根據本揭露的一實施例，繪示光電元件的立體示意圖。第4B圖是根據本揭露的一實施例，繪示沿第4A圖的BB線段的剖面示意圖。

100:光電元件

1:基底

11:底材

12:導體部

121:導電部

122:導熱部

123:連接部

2:發光晶片

2a:頂表面

21:發光疊層

22:電極對

3:中間層

4:波長轉換件

4a:出光面

5:外牆

S1:第一接觸面

S2:第二接觸面

S3:第三接觸面

S4:第四接觸面

Claims

一種光電元件，包括：一基底，包含一底材及一導體部，該導體部具有複數接合面，其中，該底材包覆該導體部並露出該些接合面；一發光晶片，位於該基底上，該發光晶片具有一頂表面；一中間層，位於該基底上，該中間層包覆該發光晶片並露出該頂表面；一波長轉換件，覆蓋該發光晶片及該中間層，該波長轉換件具有一出光面；以及一外牆，位於該基底上，該外牆包覆該中間層及該波長轉換件並露出該出光面；其中，該波長轉換件的該出光面平行於該發光晶片的該頂表面，且該波長轉換件的該出光面垂直於該導體部的該些接合面；其中，該光電元件具有相對的一上表面與一下表面，以及連接該上表面與該下表面的複數側表面，該些側表面的其中之一包含該導體部的該些接合面，其餘的該些側表面皆未包含該導體部的該些接合面；其中，包含該些接合面的該側表面由該底材、該導體部以及該外牆構成，其餘未包含該導體部的該些側表面由該底材以及該外牆構成。
如請求項1所述之光電元件，其中，該下表面由該底材構成，該上表面由該波長轉換件及該外牆構成，且該外牆環繞該波長轉換件。
如請求項1所述之光電元件，其中，該波長轉換件直接接觸該發光晶片的該頂表面。
如請求項3所述之光電元件，其中，該波長轉換件直接接觸該中間層，由剖面觀之，該波長轉換件與該發光晶片的該頂表面之間具有一第一接觸面，該波長轉換件與該中間層之間具有一第二接觸面，該第一接觸面與該第二接觸面不等高。
如請求項1所述之光電元件，其中，該發光晶片的該頂表面包含三五族化合物材料。
如請求項1所述之光電元件，其中，該底材直接接觸該中間層以及該外牆，由剖面觀之，該底材與該中間層之間具有一第三接觸面，該底材與該外牆之間具有一第四接觸面，該第三接觸面與該第四接觸面不等高。
一種光電元件，包括：一基底，包含一底材及一導體部，該導體部具有複數接合面，其中，該底材包覆該導體部並露出該些接合面；複數發光晶片，位於該基底上，每一該些發光晶片具有一頂表面；一中間層，位於該基底上，該中間層包覆該些發光晶片並露出該些頂表面；一波長轉換件，覆蓋該些發光晶片及該中間層，該波長轉換件具有一出光面；以及一外牆，位於該基底上，該外牆包覆該中間層及該波長轉換件並露出該出光面；其中，該波長轉換件的該出光面平行於該些發光晶片的該些頂表面，且該波長轉換件的該出光面垂直於該導體部的該些接合面；其中，該光電元件具有相對的一上表面與一下表面，以及連接該上表面與該下表面的複數側表面，該些側表面的其中之一包含該導體部的該些接合面，其餘的該些側表面皆未包含該導體部的該些接合面；其中，包含該些接合面的該側表面由該底材、該導體部以及該外牆構成，其餘未包含該導體部的該些側表面由該底材以及該外牆構成。
一種光電元件，包括：一基底，包含一底材及一導體部，該導體部具有複數接合面，其中，該底材包覆該導體部並露出該些接合面；複數發光晶片，位於該基底上，每一該些發光晶片具有一頂表面；一中間層，位於該基底上，該中間層包覆該些發光晶片並露出該些頂表面；複數波長轉換件，覆蓋該些發光晶片及該中間層，該些波長轉換件各自對應覆蓋不同的該些發光晶片，其中，每一該些波長轉換件皆具有一出光面；以及一外牆，位於該基底上，該外牆包覆該中間層及該些波長轉換件並露出該些出光面，且該些出光面之間藉由該外牆彼此分隔；其中，該些波長轉換件的該些出光面平行於該些發光晶片的該些頂表面，且該些波長轉換件的該些出光面垂直於該導體部的該些接合面；其中，該光電元件具有相對的一上表面與一下表面，以及連接該上表面與該下表面的複數側表面，該些側表面的其中之一包含該導體部的該些接合面，其餘的該些側表面皆未包含該導體部的該些接合面；其中，包含該些接合面的該側表面由該底材、該導體部以及該外牆構成，其餘未包含該導體部的該些側表面由該底材以及該外牆構成。