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TWI898687B - 光電半導體元件 - Google Patents

光電半導體元件

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TWI898687B
TWI898687B TW113123487A TW113123487A TWI898687B TW I898687 B TWI898687 B TW I898687B TW 113123487 A TW113123487 A TW 113123487A TW 113123487 A TW113123487 A TW 113123487A TW I898687 B TWI898687 B TW I898687B
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Taiwan
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emitting
electrical connection
optoelectronic semiconductor
emitting chips
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郭修邑
楊亦展
王文勳
陳富鑫
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隆達電子股份有限公司
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Abstract

本揭露提供一種光電半導體元件，包括：基底，包括底材及複數個導體部，底材包覆複數個導體部且複數個導體部貫穿底材；電連接結構，包括中介部及複數個金屬部，位於基底上，中介部包覆複數個金屬部；複數個發光晶片，位於電連接結構上；複數個波長轉換件，位於複數個發光晶片上；以及分隔結構，位於電連接結構上並包覆複數個發光晶片及複數個波長轉換件；其中基底的部分複數個導體部延伸至電連接結構中並與電連接結構的複數個金屬部電性連接，且複數個金屬部延伸至分隔結構中並與複數個發光晶片電性連接。

Description

光電半導體元件
本揭露是關於一種光電半導體元件，特別是關於一種包含多畫素光源結構的光電半導體元件。
半導體元件的用途十分廣泛，相關材料的開發研究也持續進行。舉例來說，包含三族及五族元素的半導體材料可應用於各種光電半導體元件如發光晶片(例如，發光二極體或雷射二極體)、吸光晶片(例如，光電偵測器或太陽能電池)或功率元件(例如，開關或整流器)，其可以用於照明、醫療、顯示、車用、通訊、感測、電源系統等領域。隨著科技進步，光電半導體元件的體積逐漸往小型化發展。隨著科技發展，現今對於光電半導體元件仍存在許多技術研發的需求。雖然現有的光電半導體元件大致上已經符合多種需求，但並非在各方面皆令人滿意，仍需要進一步改良。
根據本揭露的一實施例，提供一種光電半導體元 件，包括：一基底，包括一底材及複數個導體部，該底材包覆該等導體部且該等導體部貫穿該底材；一電連接結構，包括一中介部及複數個金屬部，位於該基底上，該中介部包覆該等金屬部；複數個發光晶片，位於該電連接結構上；複數個波長轉換件，位於該等發光晶片上，其中每一該等波長轉換件覆蓋不同的該等發光晶片；以及一分隔結構，位於該電連接結構上並包覆該等發光晶片及該等波長轉換件；其中該基底的部分該等導體部延伸至該電連接結構中並與該電連接結構的該等金屬部電性連接，且該等金屬部延伸至該分隔結構中並與該等發光晶片電性連接。
10,10a,10b,10c:光電半導體元件
12:基底
14:電連接結構
16:發光晶片
18:波長轉換件
18T:上表面
20:分隔結構
122:底材
124:導體部
1242:導電部
1244:導熱部
142:中介部
144:金屬部
1442:第一金屬部
1444:第二金屬部
126:接合墊
162:發光結構
162T:上表面
162B:下表面
162S:側表面
164:電極結構
1622:磊晶疊層
1624:基板
24:接合層
1642:第一電極
1644:第二電極
第1圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件的剖面示意圖；第2圖係根據本揭露的一實施例，繪示出發光晶片的剖面示意圖；第3圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件的剖面示意圖；第4圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件的剖面示意圖；第5圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件的剖面示意圖；第6圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件的上視圖； 第7圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件的仰視圖；第8圖為第6、7圖所示光電半導體元件沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖。
在以下描述中詳細描述本揭露的發光元件。在以下的實施方式中，出於解釋的目的，闡述了許多具體細節和實施例以提供對本揭露的透徹理解。闡述以下實施方式中所描述的特定元件和配置，以清楚地描述本揭露。然而，將顯而易見的是，本文所闡述的示例性實施例僅用於說明的目的，且其概念可以各種形式體現，而不限於那些示例性實施例。
此外，不同實施例的圖式可使用相似和/或對應的數字來表示相似和/或對應的元件，以便清楚地描述本揭露。然而，在不同實施例的圖式中使用相似和/或對應的數字不暗示不同實施例之間的任何相關性。
在本揭露中，例如「設置在第二材料層上/上方的第一材料層」的表達可指第一材料層和第二材料層的直接接觸，或者其可指在第一材料層和第二材料層之間有一或多層中間層的非接觸狀態。在上述情況中，第一材料層可不與第二材料層直接接觸。
除非另有定義，否則本揭露使用的所有技術和科學術語都具有與本揭露所屬技術領域中通常知識者一般所理解的相同含義。應理解的是，在各種情況下，在常用字典中定義的術語應被 解釋為具有符合本揭露的相對技能和本揭露的背景或上下文的含義，且不應以理想化或過於正式的方式來解釋，除非在本揭露的實施例有特別定義。
在敘述中，相對性術語例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「頂部」、「底部」等等應被理解為該實施例以及相關圖式中所繪示的方位，用於描述一元件與另一元件之間的空間相對關係。應理解的是，若將裝置轉向不同方位時，其中所使用的空間相對形容詞也將依轉向後的方位來解釋。此相對性的用語是為了方便說明之用，並不表示所敘述之裝置需以特定方位來製造或運作。此外，關於接合、連接之用語，例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可表示兩個結構直接接觸，或者亦可表示兩個結構並非直接接觸，而是有其它結構設置於此兩個結構之間。另外，關於接合、連接之用語，亦可包含兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之實施例。
應理解的是，儘管可在本揭露中使用術語第一、第二、第三等等，來描述各種元件、組件、區域、膜層、部分和/或區段，但這些元件、組件、區域、膜層、部分和/或區段不應受這些術語所限制。這些術語僅用於區分一元件、組件、區域、膜層、部分或區段與另一元件、組件、區域、膜層、部分或區段，而並非用來限制部件數量上的上限或下限，也並非用以限定部件的製造順序或設置順序。
以下描述為實施本揭露的構想模式。進行該描述的 目的是為了說明本揭露的一般原理，而不應被認為是限制性的。本揭露之範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第1圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件10的剖面示意圖。如第1圖所示，光電半導體元件10包括基底12、電連接結構14、複數個發光晶片16、複數個波長轉換件18、以及分隔結構20。基底12包括底材122及複數個導體部124，底材122包覆導體部124且導體部124貫穿底材122。電連接結構14包括中介部142及複數個金屬部144，位於基底12上。中介部142包覆金屬部144，並將複數個金屬部144彼此分隔。發光晶片16位於電連接結構14上。波長轉換件18位於發光晶片16上。每一波長轉換件18覆蓋不同的發光晶片16。分隔結構20位於電連接結構14上並包覆發光晶片16及波長轉換件18，並露出波長轉換件18的上表面18T。需注意的是，基底12的部分導體部124延伸至電連接結構14中並與電連接結構14的金屬部144電性連接，且金屬部144延伸至分隔結構20中並與發光晶片16電性連接。當提供一電流至光電半導體元件10，發光晶片16的光會進入波長轉換件18，並自波長轉換件18的上表面18T發出。
在一些實施例中，底材122可包括絕緣材料，例如，環氧樹脂(epoxy)、聚醯亞胺(PI)、矽氧樹脂(silicone)、或上述材料的組合，但不以此為限。在一些實施例中，可添加填充物於底材122的材料中，使底材122可遮蔽、吸收、或反射發光晶片16發出的 光。填充物例如可為氧化鈦(TiOx)、氧化矽(SiOx)、有色顏料、其他合適的材料或其組合。
在一些實施例中，導體部124可包括銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鉻(Cr)、錫(Sn)、上述材料之合金或其組合，但不以此為限。在一些實施例中，導體部124例如為具有一定厚度的柱體或塊體，厚度例如可為2μm至100μm。當導體部124的厚度小於2μm時，可能導致基底12無法穩固承載形成於其上的電連接結構14、複數個發光晶片16、複數個波長轉換件18、以及分隔結構20；當導體部124的厚度大於100μm時，將導致光電半導體元件10的整體體積變大，不利於薄型化的應用。
在一些實施例中，導體部124可包括導電部1242與導熱部1244，導電部1242用以形成電流流通之路徑，導熱部1244用以作為熱能流散之路徑。具體而言，導電部1242延伸至電連接結構14中以與金屬部144電性連接，並藉由金屬部144與發光晶片16電性連接，而導熱部1244則不會與發光晶片16電性連接。在一些實施例中，導體部124可包括一或多個導熱部1244。在一些實施例中，導體部124可不包括導熱部1244。
在一些實施例中，底材122可透過塗佈(coating)、成型(molding)、其他合適的方式或其組合形成，導體部124可透過如蒸鍍(evaporation)、濺鍍(sputtering)、電鍍(plating)等沉積製程、網印、真空噴塗、其他合適的方式或其組合形成。在一些實施 例中，導電部1242與導熱部1244可在同一道製程形成，以簡化製程。於本實施例中，底材122可為添加黑色顏料的環氧樹脂成型料(epoxy molding compound,EMC)，導體部124可為電鍍形成的銅塊(Cu)。
在一些實施例中，中介部142可包括單層。在一些實施例中，中介部142可包括多層，如第1圖所示。在一些實施例中，中介部142可包括絕緣材料，例如，環氧樹脂(epoxy)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚苯噁唑(polybenzoxazole，PBO)、苯並環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、矽氧樹脂(silicone)、氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或上述材料的組合，但不以此為限。在一些實施例中，中介部142可透過如蒸鍍(evaporation)、濺鍍(sputtering)、電鍍(plating)等沉積製程、塗佈(coating)、成型(molding)、其他合適的方式或其組合形成。
在一些實施例中，金屬部144可包括錫(Sn)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鍺(Ge)、上述材料之合金或上述材料的組合，但不以此為限。在一些實施例中，金屬部144可透過如蒸鍍(evaporation)、濺鍍(sputtering)、電鍍(plating)等沉積製程形成。在一些實施例中，金屬部144可為厚度小於導體部124的膜層。
在一些實施例中，於剖視時，與同一個發光晶片16電性連接的二個金屬部144的最大水平寬度不同，例如，其中一個 金屬部144的邊界會在水平方向上超出發光晶片16的邊界，另一個金屬部144的邊界則不會在水平方向上超出發光晶片16的邊界。在一些實施例中，於剖視時，與同一個發光晶片16電性連接的二個金屬部144的最大垂直厚度不同，例如，其中一個金屬部144與基底12的垂直間距小於另一個金屬部144與基底12的垂直間距，也就是說，與同一個發光晶片16電性連接的二個金屬部144分別與基底12具有不同的垂直間距。在一些實施例中，當中介部142包括多層時，中介部142與金屬部144的製程可交替進行，以形成具有不同最大水平寬度及/或具有不同最大垂直厚度的金屬部144。於本實施例中，中介部142為聚苯噁唑(PBO)，金屬部144為濺鍍而成的鉻(Cr)/鉑(Pt)/金(Au)疊層或鈦(Ti)/銅(Cu)/鈦(Ti)疊層形成之金屬膜疊層。
在一些實施例中，發光晶片16可包括發光二極體(light emitting diode,LED)晶片或雷射二極體(laser diode)晶片。於本實施例中，發光晶片16為次毫米發光二極體(mini LED)。
在一些實施例中，波長轉換件18可包括含有波長轉換材料的透光材料，透光材料例如為膠體或玻璃片，波長轉換材料例如為螢光粉或量子點(quantum dot,QD)。
在一些實施例中，分隔結構20可包括單層。在一些實施例中，分隔結構20可包括多層，例如於垂直方向堆疊的上下多層形式(如第1圖所示)或於水平方向堆疊的左右多層形式。在一些實施例中，分隔結構20可包括環氧樹脂(epoxy)、聚醯亞胺(PI)、矽氧樹脂(silicone)、金屬、其他合適的材料或上述材料的組合，但不以 此為限。在一些實施例中，可添加填充物於分隔結構20中，填充物例如可為氧化鈦(TiOx)、氧化矽(SiOx)、有色顏料、其他合適的材料或其組合。在一些實施例中，分隔結構20可遮蔽、反射或吸收發光晶片16所發之光。於本實施例中，分隔結構20為添加氧化鈦(TiOx)而呈現白色的環氧樹脂成型料(epoxy molding compound,EMC)。在一些實施例中，分隔結構20的材料與底材122的材料可為相同。
在一些實施例中，每一波長轉換件18可對應不同的發光晶片16，例如，每一波長轉換件18覆蓋不同的發光晶片16的上表面162T。
在一些實施例中，每一金屬部144可連接不同的發光晶片16。在一些實施例中，單一個金屬部144可同時連接複數個發光晶片16。
在一些實施例中，基底12更包括複數個接合墊126，分別與不同的導體部124電性連接，使導體部124位於接合墊126與電連接結構14之間。光電半導體元件10可藉由接合墊126與外部電路接合。在一些實施例中，接合墊126的材料與形成方式可與導體部124相同或相似。
第2圖為第1圖中區域A的放大示意圖。
如第2圖所示，發光晶片16可包括發光結構162以及電極結構164。發光結構162具有上表面162T、下表面162B以及側表面162S。上表面162T與下表面162B彼此相對，且側表面162S 連接上表面162T及下表面162B，電極結構164位於發光結構162的下表面162B上。發光結構162可包括磊晶疊層1622以及基板1624，磊晶疊層1622位於基板1624與電極結構164之間，此時，發光結構162的上表面162T由基板1624構成。在一些實施例中，發光晶片16可不包括基板1624，例如薄膜(thin film)晶片，此時，發光晶片16的上表面162T由磊晶疊層1622構成。
在一些實施例中，磊晶疊層1622可包括三五族化合物材料，例如包含鋁(Al)、鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、銦(In)或氮(N)。詳細而言，在一些實施例中，上述三五族化合物材料可以為二元化合物半導體(例如，GaAs、GaP、GaN或InP)、三元化合物半導體(例如，InGaAs、AlGaAs、GaInP、AlInP、InGaN或AlGaN)或四元化合物半導體(例如，AlGaInAs、AlGaInP、AlInGaN、InGaAsP、InGaAsN或AlGaAsP)。
在一些實施例中，基板1624可包括矽(Si)、鑽石(C)、碳化矽(SiC)、藍寶石(sapphire)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁(AlN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、其他III-V族化合物、其他合適的基板或其組合。
在一些實施例中，電極結構164可包括導電材料，例如金屬、氮化物、氧化物、類似的材料或前述之組合。舉例來說，金屬可包含金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈹(Be)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、錫(Sn)、 前述之合金或其組合，氮化物可包含氮化鈦(TiN)，氧化物可包含氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。在一些實施例中，電極結構164可包括具有不同極性的第一電極1642與第二電極1644，例如，第一電極1642為P型，第二電極1644為N型。
在一些實施例中，磊晶疊層1622可包括第一型半導體層、主動層及第二型半導體層依序堆疊(圖未示)，第一型半導體層與第二型半導體層具有不同的導電特性，例如，第一型半導體層為N型，第二型半導體層為P型。在一些實施例中，第一電極1642及第二電極1644分別與磊晶疊層1622的第一型半導體層及第二型半導體層電性連接。當電流注入電極164時，第一型半導體層與第二型半導體層提供的電子及電洞會在主動層複合，並朝遠離電極164的方向發出，例如上表面162T及側表面162S。
第3圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件10a的剖面示意圖。在第3圖所示的實施例中，有關各元件的組成結構、材料、功能、設置及連接方式等類似於第1圖所示的實施例，為了便於比較與上述各實施方式之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標註相同的元件，並主要針對各實施方式之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。
如第3圖所示，光電半導體元件10a包括基底12、電連接結構14、複數個發光晶片16、複數個波長轉換件18、以及分隔結構20。光電半導體元件10a與光電半導體元件10的差異在於，發光晶片16的一部分鑲埋於覆蓋其的波長轉換件18中。具體而言，波 長轉換件18覆蓋對應的發光晶片16的上表面162T，並朝基底12方向延伸覆蓋對應的發光晶片16的部分側表面162S。由於波長轉換件18與發光晶片16接觸的範圍增加，代表發光晶片16的光進入波長轉換件18的範圍也同步增加，從而可提升波長轉換效率。於本實施例中，每一個發光晶片16皆有一部分鑲埋於覆蓋其的波長轉換件18中。於其他實施例中，也可以僅有部分的發光晶片16有一部分鑲埋於覆蓋其的波長轉換件18中。
第4圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件10b的剖面示意圖。如第4圖所示，光電半導體元件10b包括基底12、電連接結構14、複數個發光晶片16、複數個波長轉換件18、以及分隔結構20。光電半導體元件10b與光電半導體元件10的差異在於，波長轉換件18與其覆蓋的發光晶片16之間更包括接合層24。接合層24可增加波長轉換件18與發光晶片16之間的接著力，降低因二者分離而造成可靠度問題的風險。於本實施例中，每一個發光晶片16與其對應的波長轉換件18之間皆含有接合層24。於其他實施例中，也可以僅有部分的發光晶片16與其對應的波長轉換件18之間含有接合層24。
第5圖係根據本揭露的一實施例，繪示出光電半導體元件10c的剖面示意圖。如第5圖所示，光電半導體元件10c包括基底12、電連接結構14、複數個發光晶片16、複數個波長轉換件18、以及分隔結構20。光電半導體元件10c與光電半導體元件10的差異在於，發光晶片16至少部分鑲埋於與其對應的接合層24中。具體而 言，接合層24覆蓋對應的發光晶片16的上表面162T，並朝基底12方向延伸覆蓋對應的發光晶片16的部分側表面162S。由於接合層24與發光晶片16接觸的範圍增加，因而可進一步地提升二者之間的接著力。於本實施例中，每一個發光晶片16皆有一部分鑲埋於與其對應的接合層24中。於其他實施例中，也可以僅有部分的發光晶片16有一部分鑲埋於與其對應的接合層24中。
以下以第6、7、8圖說明光電半導體元件10的線路配置。第6圖為光電半導體元件10的上視圖。第7圖為光電半導體元件10的仰視圖。第8圖為第6、7圖沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖。需注意的是，第7圖僅繪示出光電半導體元件10中的分隔結構20的輪廓、發光晶片16及金屬部144，其他元件皆已省略，以便說明發光晶片16與金屬部144之間的配置關係。
如第6圖所示，分隔結構20包覆以陣列方式彼此間隔排列的複數個波長轉換件18，並露出波長轉換件18的上表面18T以作為光電半導體元件10的出光面，且相鄰的上表面18T之間藉由分隔結構20彼此分離，也就是說，光電半導體元件10具有彼此間隔排列的複數個出光面。
如第7圖所示，複數個發光晶片16以陣列方式彼此間隔排列，分隔結構20包覆複數個發光晶片16，並露出發光晶片16的電極164，每一個發光晶片16分別對應位於不同的波長轉換件18之下，換句話說，複數個發光晶片16的排列方式與複數個波長轉換件18的排列方式相同。每一發光晶片16的電極164皆包括第一電極 1642與第二電極1644，金屬部144包括一個第一金屬部1442與複數個第二金屬部1444，每一個發光晶片16的第一電極1642皆與第一金屬部1442連接，而每一個發光晶片16的第二電極1644則分別對應連接至不同的第二金屬部1444。也就是說，所有的發光晶片16共用一個第一金屬部1442，從而簡化了光電半導體元件10內部的電性連接線路設計。
如第8圖所示，發光晶片16的第一電極1642與第二電極1644分別藉由第一金屬部1442與第二金屬部1444電性連接基底12的導電部1242。也就是說，發光晶片16的線路接點位置(即，電極164)可藉由電連接結構14的金屬部144調整延伸至所需的位置(即，導電部1242)，提升了發光晶片16的連接線路設計彈性。
本揭露採用由金屬膜疊層構成的金屬部形成發光晶片之間的連接線路，再搭配底材與塊狀的導體部構成具有支撐力的基底，可提升電性連接的設計精度，以應付當發光晶片的尺寸微小化時(例如為次毫米級晶片(mini chip)或微米級晶片(micro chip))，微小的電極尺寸及遽增的發光晶片數量(數量達100或甚至500以上)所衍生出的高複雜度及高精度的製程要求，再搭配分隔結構及波長轉換件的模封，可符合多畫素(pixel)元件的應用(例如自適應(ADB)光源結構)。相較於以往先將電路形成於支撐基板，再藉焊接、共晶或黏合等製程使發光晶片與支撐基板電性連接的方式，本揭露的實施例不僅可完成高精度的電性連接線路，更能有效縮減元件整體體積，達到薄型化的需求。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，本揭露所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，本揭露所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露實施例內容中理解，現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以與在此處所述實施例中實現大抵相同功能或獲得大抵相同結果者皆可根據本揭露實施例使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。此外，本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
10:光電半導體元件
12:基底
14:電連接結構
16:發光晶片
18:波長轉換件
18T:上表面
20:分隔結構
122:底材
124:導體部
1242:導電部
1244:導熱部
142:中介部
144:金屬部
126:接合墊
162T:上表面
A:區域

Claims (10)

  1. 一種光電半導體元件，包括：一基底，包括一底材及複數個導體部，該底材包覆該等導體部且該等導體部貫穿該底材；一電連接結構，包括一中介部及複數個金屬部，位於該基底上，該中介部包覆該等金屬部；複數個發光晶片，位於該電連接結構上；複數個波長轉換件，位於該等發光晶片上，其中每一該等波長轉換件覆蓋不同的該等發光晶片；以及一分隔結構，位於該電連接結構上並包覆該等發光晶片及該等波長轉換件；其中該基底的部分該等導體部延伸至該電連接結構中並與該電連接結構的該等金屬部電性連接，且該等金屬部延伸至該分隔結構中並與該等發光晶片電性連接；其中，該等金屬部的其中二個同時與該等發光晶片的其中一個電性連接，且該等金屬部的該其中二個分別與該基底之間具有不同的垂直間距。
  2. 如請求項1的光電半導體元件，其中該等金屬部的該其中二個具有不同的最大垂直厚度。
  3. 如請求項1的光電半導體元件，其中每一該等發光晶片包括一發光結構及一電極結構，該電極結構位於該發光結構與該電連接結構之間，該發光結構具有一上表面、一下表面及一側表面，該上表面與該下表面彼此相對，且該側表面連接該上表面及該下表面，其中每一該等波長轉換件覆蓋不同的該等發光晶片的該上表面。
  4. 如請求項3的光電半導體元件，其中至少一該等發光晶片的一部分鑲埋於覆蓋其的該波長轉換件中。
  5. 如請求項3的光電半導體元件，其中至少一該等波長轉換件與其覆蓋的該發光晶片之間更包括一接合層。
  6. 如請求項5的光電半導體元件，其中該發光晶片至少部分鑲埋於該接合層中。
  7. 如請求項3的光電半導體元件，其中於一剖視圖中，部分該等導體部，分別與對應電性連接的該等發光晶片的該電極結構於垂直方向上錯位不重疊。
  8. 如請求項1的光電半導體元件，其中於一剖視圖中，該等金屬部的該其中二個於垂直方向上重疊。
  9. 如請求項3的光電半導體元件，其中該發光結構包含一基板及一磊晶疊層，該磊晶疊層位於該基板與該電極結構之間。
  10. 如請求項3的光電半導體元件，其中該發光結構包含一磊晶疊層，且該上表面由該磊晶疊層構成。
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