TW202327132A - 發光模組 - Google Patents

Abstract

發光模組包括基板、發光件、反射層及波長轉換層。發光件配置在基板。反射層環繞發光件配置。波長轉換層配置在發光件上。發光模組具有側平面及上平面，側平面包含基板、反射層及波長轉換層，而上平面包含波長轉換層。

Description

發光模組

本發明是有關於一種發光模組及其製造方法。

傳統的發光模組包含螢光膠及發光元件，其中螢光膠包覆發光元件。然而，螢光膠必須適當地包覆發光元件，不然將導致發光模組的出光特性(如，光色、均勻度、亮度等)不符預期。因此，螢光膠如何適當地包覆發光元件是本技術領域業者不斷努力的方向之一。

因此，本發明提出一種發光模組及其製造方法，可改善前述習知問題。

本發明一實施例提出一種發光模組。發光模組包括一基板、一發光件、一反射層及一波長轉換層。發光件配置在基板。反射層環繞發光件配置。波長轉換層配置在發光件上。發光模組具有一側平面及一上平面，側平面包含基板、反射層及波長轉換層，而上平面包含波長轉換層。

本發明另一實施例提出一種發光模組。發光模組包括一基板、一發光件、一反射層及一波長轉換層。發光件配置在基板。波長轉換層配置在發光件上。反射層環繞發光件及波長轉換層配置。發光模組具有一側平面及一上平面，側平面包含基板及反射層，而上平面包含波長轉換層及反射層。

本發明另一實施例提出一種發光模組。發光模組包括一基板、一發光件、一透光層及一波長轉換層。發光件配置在基板。透光層環繞發光件配置。波長轉換層配置在發光件上。發光模組具有一側平面及一上平面，側平面包含基板、透光層及波長轉換層，而上平面包含波長轉換層。

本發明另一實施例提出一種發光模組之製造方法。製造方法包括以下步驟：配置數個發光件在一基板；形成數個第一切割道經過基板；連接此些發光件與一波長轉換層；形成一反射層於波長轉換層上，其中反射層環繞此些發光件；以及，形成數個第二切割道經過基板、反射層及波長轉換層，以形成數個發光模組，其中各發光模組具有一側平面及一上平面，側平面包含基板、反射層及波長轉換層，而上平面包含波長轉換層。

本發明另一實施例提出一種發光模組之製造方法。製造方法包括以下步驟：配置數個發光件在數個波長轉換層上；配置此些發光件與此些波長轉換層於一基板；形成一反射層在基板上，其中反射層圍繞發光件及此些波長轉換層；以及，形成數個切割道經過反射層及基板，以形成數個發光模組，各發光模組具有一側平面及一上平面，側平面包含基板及反射層，而上平面包含波長轉換層及反射層。

本發明另一實施例提出一種發光模組之製造方法。製造方法包括以下步驟：配置數個發光件在一基板；形成數個第一切割道經過基板；連接此些發光件與一波長轉換層；形成一透光層於波長轉換層上，其中透光層環繞此些發光件；以及，形成數個第二切割道經過基板、透光層及波長轉換層，以形成數個發光模組，其中各發光模組具有一側平面及一上平面，側平面包含基板、透光層及波長轉換層，而上平面包含波長轉換層。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

請參照第1A~1B圖，第1A圖繪示依照本發明一實施例之發光模組100的俯視圖，而第1B圖繪示第1A圖之發光模組100沿方向1B-1B’的剖面圖。

如第1A及1B圖所示，發光模組100包括基板110、發光件120、反射層130、波長轉換層140及黏膠150。發光件120配置在基板110。反射層130環繞發光件120配置。波長轉換層140配置在發光件120上。發光模組100具有側平面100s。側平面100s包含基板110、反射層130及波長轉換層140。發光模組100具有一上平面100u，上平面100u包含波長轉換層140。由於波長轉換層140提供一大發光面積(上平面100u的面積)，使發光模組100可提供一高流明的出光。

如第1B圖所示，在本實施例中，上平面100u為波長轉換層140之整個上表面140u，即，發光模組100之整個上平面100u僅包含波長轉換層140之整個上表面140u。相較於波長轉換層140之上表面140u僅占上平面100u的局部而言，由於上平面100u為波長轉換層140之整個上表面140u，本發明實施例之發光模組100提供一更為均勻的出光。

如第1B圖所示，基板110具有第一側面110s，反射層130具有第二側面130s，而波長轉換層140具有第三側面140s。側平面100s包含基板110之第一側面110s、反射層130之第二側面130s及波長轉換層140之第三側面140s，第一側面110s、第二側面130s與第三側面140s實質上齊平。發光模組100之側平面100s包含波長轉換層140之第三側面140s，意味著波長轉換層140延伸至反射層130之第二側面130s，使發光模組100之上平面100u為波長轉換層140之整個上表面140u。在一實施例中，側平面100s例如是發光模組100的整個側邊界的至少一部分，使側平面100s呈封閉環形或開放環形。

如第1B圖所示，基板110包括基材111、第三電極112、第四電極113、第一接墊114、第二接墊115、第一導電層116及第二導電層117。

如第1B圖所示，基材111例如是由矽基材料、金屬及/或塑膠等所形成。基材111具有相對之第一表面111u與第二表面111b。第三電極112及第四電極113形成於基材111的第一表面111u，而第一接墊114及第二接墊115形成於基材111的第二表面111b。第一導電層116及第二導電層117從第一表面111u延伸至第二表面111b，其中第一導電層116連接第三電極112與第一接墊114，以電連接第三電極112與第一接墊114，而第二導電層117連接第四電極113與第二接墊115，以電連接第四電極113與第二接墊115。

如第1B圖所示，當發光模組100配置於一電路板(未繪示)時，基板110的第一接墊114及第二接墊115可分別電性連接於電路板的二電極(未繪示)，使發光件120透過第一接墊114及第二接墊115電性連接於電路板。

如第1B圖所示，發光件120設於基板110上。發光件120包括第一電極121及第二電極122，其中第一電極121及第二電極122分別電性連接於基板110之第三電極112及第四電極113。

如第1B圖所示，發光件120例如是發光二極體。雖然圖未繪示，發光件120可更包含第一型半導體層、第二型半導體層及發光層。發光層設於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層例如是N型半導體層，而第二型半導體層則為P型半導體層；或是，第一型半導體層是P型半導體層，而第二型半導體層則為N型半導體層。以材料來說，P型半導體層例如是摻雜鈹(Be)、鋅(Zn)、錳(Mn)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鈣(Ca)等之氮化鎵基半導體層，而N型半導體層例如是摻雜矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)、硫(S)、氧(O)、鈦(Ti)及或鋯(Zr)等之氮化鎵基半導體層。發光層122可以是氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵或氮化鋁鎵結構，亦可混雜硼(B)或磷(P)或砷(As)，可為單一層或多層構造。

如第1B圖所示，第一電極121可由金、鋁、銀、銅、銠(Rh)、釕(Ru)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鉑(Pt)、鉻、錫、鎳、鈦、鎢(W)、鉻合金、鈦鎢合金、鎳合金、銅矽合金、鋁銅矽合金、鋁矽合金、金錫合金及其組合之至少一者所構成的單層或多層結構，但不以此為限。第二電極122的材料可類似第一電極121，容此不再贅述。此外，第一導電層116及/或第二導電層117的材料可類似第一電極121，容此不再贅述。第一接墊114及第二接墊115的材料也可類似第一電極121，容此不再贅述。

如第1B圖所示，反射層130覆蓋黏膠150及/或發光件120之側面120s且環繞黏膠150及發光件120的側面120s。反射層130可將自發光件120的側面發出的光線反射至波長轉換層140。反射層130的反射率可大於90%。反射層130之材料可由聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚醯胺(PA)、聚對苯二甲酸丙二酯(PTT)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸1,4-環己烷二甲醇酯(PCT)、環氧膠化合物(EMC)、矽膠化合物(SMC)或其它高反射率樹脂/陶瓷材料所組成。具體而言，反射層130例如是白膠。

如第1B圖所示，波長轉換層140包括高密度轉換層141及低密度轉換層142。波長轉換層140內包含數個螢光粒子，其中螢光粒子密度較高的區域界定為高密度轉換層141，而螢光粒子密度較低的區域界定為低密度轉換層142。在一實施例中，螢光粒子摻雜於同一層透光基材中，高密度區域(高密度轉換層141)與低密度區域(低密度轉換層142)之間可不具有明顯的分界面。

在一實施例中，高密度轉換層141的螢光粒子密度與低密度轉換層142的螢光粒子密度的比值可介於1與10 ¹⁵之間，其中的數值可包含或不包含1及10 ¹⁵。在本實施例中，高密度轉換層141位於發光件120與低密度轉換層142之間。也就是說，發光件120所發出之光線L1會先經過高密度轉換層141，再透過低密度轉換層142出光。由於高密度轉換層141的設計，可讓數個發光模組100的出光光色於色度座標上集中地分布，如此可增加此些發光模組100的產品良率。低密度轉換層142可增加自發光件120的光線L1的混光機率。詳細來說，對於在高密度轉換層141內未接觸到螢光粒子的光線L1來說，低密度轉換層142增加其接觸螢光粒子的機會。在本實施例中，低密度轉換層142的厚度T2大於高密度轉換層141的厚度T1，因此更可增加發光件120的光線L1的混光機率。在一實施例中，厚度T2與厚度T1的比值可介於1至100之間，其中的數值範圍可包含或不包含端點值。

如第1B圖所示，波長轉換層140覆蓋發光件120的整個上表面120u，亦即，在本實施例中，波長轉換層130的俯視面積大於發光件120的俯視面積。在一實施例中，波長轉換層130的俯視面積與發光件120的俯視面積的比值可介於1與1.35之間，然亦可小於1或大於1.35。

在一實施例中，波長轉換層140例如是由硫化物(Sulfide)、釔鋁石榴石(YAG)、LuAG、 矽酸鹽(Silicate)、氮化物(Nitride)、氮氧化物(Oxynitride)、氟化物(Fluoride)、TAG、 KSF、KTF等材料製成。

如第1B圖所示，黏膠150例如是透光膠。黏膠150包括側部151及熱阻層152。側部151覆蓋發光件120的側面120s的一部分，而側面120s的另一部分或其餘部分則受到反射層150覆蓋。從第1B圖的俯視方向看去(將波長轉換層140移除)，側部151呈封閉環狀，其環繞發光件120的整個側面。在另一實施例中，側部151可呈開放環狀。

如第1B圖的放大圖所示，黏膠150的熱阻層152形成於高密度轉換層141與發光件120之間，可提高發光件120與波長轉換層140之間的熱阻，以減緩波長轉換層140的老化速率。進一步來說，發光件120在運作時會發出熱量，若此熱量輕易傳遞至波長轉換層140，容易導致其內的螢光粒子老化。反觀本發明實施例，由於熱阻層152的形成，可減少傳遞至波長轉換層140的熱量，減緩波長轉換層140的老化速率。在一實施例中，熱阻層152的厚度可介於1與1000之間，其中的數值可包含或不包含1及1000。

請參照第2A~2B圖，第2A圖繪示依照本發明另一實施例之發光模組200的俯視圖，而第2B圖繪示第2A圖之發光模組200沿方向2B-2B’的剖面圖。

如第2B圖所示，發光模組200包括基板110、發光件120、反射層230、波長轉換層240及黏膠150。發光件120配置在基板110。反射層230環繞發光件120配置。波長轉換層240配置在發光件120上。發光模組200具有側平面200s及上平面200u，側平面200s包含基板110及反射層230，而上平面200u包含波長轉換層240及反射層230。相較於發光模組100，本實施例之波長轉換層240占上平面200u的局部，因此發光模組200的發光面較小，使發光模組200提供一高亮度集中的出光(照度高)。

在本實施例中，側平面200s包含基板110之第一側面110s及反射層230之第二側面230s，第一側面110s與第二側面230s實質上齊平。在一實施例中，側平面200s例如是發光模組200的整個側邊界的至少一部分，使側平面200s呈封閉環形或開放環形。在本實施例中，上平面200u包含波長轉換層240之第一上表面240u及反射層230之第二上表面230u，第二上表面230u環繞第一上表面240u，例如，第二上表面230u封閉式地環繞第一上表面240u。

在一實施例中，波長轉換層240之面積小於上平面200u之面積。此外，波長轉換層240包括相同於或相似於前述波長轉換層140的結構，於此不再贅述。另，反射層230包括相同於或相似於前述反射層130的結構，於此不再贅述。

請參照第3圖，其繪示依照本發明另一實施例之發光模組300的側視圖。發光模組300包括基板110、發光件120、透光層330、波長轉換層140及黏膠150。發光件120配置在基板110。透光層330環繞發光件120配置。波長轉換層140配置在發光件120上。發光模組300具有側平面300s。發光模組300具有側平面300s及上平面100u，側平面300s包含基板110、透光層330及波長轉換層140，上平面300u包含波長轉換層140。由於上平面100u提供一大發光面積，使發光模組300可提供一高流明的出光，且由於本實施例之發光模組300環繞發光件120的是透光層330，發光件120所發出光線能透過透光層330出光，因此可減少藍圈現象。

在本實施例中，上平面100u為波長轉換層140之整個上表面140u，即，發光模組300之整個上平面100u僅包含波長轉換層140之上表面140u。相較於波長轉換層140之上表面140u僅占上平面100u的局部而言，由於上平面100u為波長轉換層140之整個上表面140u，本發明實施例之發光模組300提供一更為均勻的出光。

在本實施例中，側平面300s包含基板110之第一側面110s、透光層330之第二側面330s及波長轉換層140之第三側面140s，第一側面110s、第二側面330s與第三側面140s實質上齊平。發光模組300之側平面300s包含透光層330之第二側面330s，意味著發光件120所發出光線L1(未繪示)可從第二側面330s出光，因此可改善藍圈現象(相較於發光模組200之反射層230的低透光率或不透光性，發光模組300的藍圈問題較小或甚至消除)。在一實施例中，側平面300s例如是發光模組300的整個側邊界的至少一部分，使側平面300s呈封閉環形或開放環形。

在本實施例中，透光層330例如是半透明層或全透明層，只要是可透光的的材料，無論透光率的數值大小，都可作為本發明實施例之透光層330。在一實施例中，前述發光模組200之反射層230也可由透光層330取代。

請參照第4A~4B圖，其繪示依照本發明另一實施例之基板410於不同視角的示意圖。前述發光模組100~300之一者的基板110可由基板410取代。

如第4A及4B圖所示，基板410包括基材411、第三電極112、第四電極113、第一接墊414、第二接墊415、第一導電層416及第二導電層417。基材411的材質及/或種類可類似前述基材111，接墊(第一接墊414及第二接墊415) 的材質可類似前述第一接墊114，而導電層(第一導電層416及第二導電層417) 的材質可類似前述第一導電層116，容此不再贅述。

如第4A及4B圖所示，基材411具有相對之第一表面411u與第二表面411b。在本實施例中，電極(例如，第三電極112、第四電極113)配置在第一表面411u，接墊(例如，第一接墊414及第二接墊415)配置在第二表面411b，而導電層(例如，第一導電層416及第二導電層417)配置在第一側面410s且連接電極與接墊。例如，第一導電層416電性連接第三電極112與第一接墊414，而第二導電層417電性連接第四電極113與第二接墊415。此外，第一導電層416與第二導電層417電性隔離，以電性隔離第三電極112與第四電極113，且電性隔離第一接墊414與第二接墊415。導電層可做為發光模組對外電性連接的接點。詳言之，由於導電層從基材411之側面露出，因此發光模組可直式地(如沿第4A圖所示之Y軸向)連接於一電路板(未繪示)，使發光模組側向地(如沿第4A圖所示之X軸向)發光。在一實施例中，第一導電層416與第二導電層417之一者可做為正極，而另一者可做為負極。

如第4A及4B圖所示，基材411具有第一貫孔411a及第二貫孔411b。第一貫孔411a及第二貫孔411b從第一表面411u延伸至第二表面411b，且從第一側面410s內凹。第一導電層416形成於第一貫孔411a之內側壁，第二導電層417形成於第二貫孔411b之內側壁。在本實施例中，導電層為薄層。在另一實施例中，導電層可以是實心柱，其填滿貫孔。

請參照第5A~5B圖，其繪示依照本發明另一實施例之基板510於不同視角的示意圖。前述發光模組100~300之一者的基板110可由基板510取代。

如第5A及5B圖所示，基板510包括基材511、第三電極112、第四電極113、第一接墊514、第二接墊515、第一導電層516及第二導電層517。基材511的材質及/或種類可類似前述基材111，接墊(第一接墊514及第二接墊515) 的材質可類似前述第一接墊114，而導電層(第一導電層516及第二導電層517) 的材質可類似前述第一導電層116，容此不再贅述。

如第5A及5B圖所示，基材511具有相對之第一表面511u與第二表面511b。在本實施例中，電極(例如，第三電極112及第四電極113)配置在第一表面511u，接墊(例如，第一接墊414及第二接墊415)配置在第二表面511b，而導電層(例如，第一導電層516及第二導電層517)配置在第一側面510s且連接電極與接墊。例如，第一導電層516電性連接第三電極112與第一接墊414，而第二導電層517電性連接第四電極113與第二接墊415。此外，第一導電層516與第二導電層517電性隔離，以電性隔離第三電極112與第四電極113，且電性隔離第一接墊414與第二接墊415。導電層可做為發光模組對外電性連接的接點，由於導電層從基材511之側面露出，因此發光模組可直式地(如沿第5A圖所示之Y軸向)連接於一電路板(未繪示)，使發光模組側向地(如沿第5A圖所示之X軸向)發光。在一實施例中，第一導電層516與第二導電層517之一者可做為正極，而另一者可做為負極。

如第5A及5B圖所示，基材511具有第一貫孔511a及第二貫孔511b。第一貫孔511a及第二貫孔511b從第一表面511u延伸至第二表面511b，且從第一側面510s內凹。第一導電層516及第二導電層517分別形成於第一貫孔511a之內側壁及第二貫孔511b之內側壁。在本實施例中，導電層為薄層。在另一實施例中，導電層可以是實心柱，其填滿貫孔。

在本實施例中，貫孔從第一側面510s之轉角處內凹。例如，第一側面510s至少包含第一子側面510s1、第二子側面510s2、第三子側面510s3及第四子側面510s4，其中第一子側面510s1與第四子側面510s4相對，而第二子側面510s2與第三子側面510s3相對。在未形成貫孔前，第一子側面510s1的延伸與第二子側面510s2的延伸相交於一轉角，而第一子側面510s1的延伸與第三子側面510s3的延伸相交於另一轉角。第一貫孔511a連接第一子側面510s1及第二子側面510s2，而第二貫孔511b連接第一子側面510s1及第三子側面510s3。

請參照第6A~6C圖，其繪示依照本發明另一實施例之基板610於不同視角的示意圖。前述發光模組100~300之一者的基板110可由基板610取代。

如第6A及6B圖所示，基板610包括基材611、第三電極112、第四電極113、第一接墊614、第二接墊615、第一導電層616及第二導電層617。基材611的材質及/或種類可類似前述基材111，接墊(第一接墊614及第二接墊615) 的材質可類似前述第一接墊114，而導電層(第一導電層616及第二導電層617) 的材質可類似前述第一導電層116，容此不再贅述。

如第6A及6B圖所示，基材611具有相對之第一表面611u與第二表面611b。在本實施例中，電極(例如，第三電極112、第四電極113)配置在第一表面611u，接墊(例如，第一接墊614及第二接墊615)配置在第二表面611b，而導電層(例如，第一導電層616及第二導電層617)配置在第一側面610s且連接電極與接墊。例如，第一導電層616電性連接第三電極112與第一接墊614，而第二導電層617電性連接第四電極113與第二接墊615。此外，第一導電層616與第二導電層617電性隔離，以電性隔離第三電極112與第四電極113，且電性隔離第一接墊614與第二接墊615。導電層可做為發光模組對外電性連接的接點，由於導電層從基材611之側面露出，因此發光模組可直式地(如沿第6A圖所示之Y軸向)連接於一電路板(未繪示)，使發光模組側向地(如沿第6A圖所示之X軸向)發光。在一實施例中，第一導電層616與第二導電層617之一者可做為正極，而另一者可做為負極。

如第6A及6B圖所示，第一導電層616及第二導電層617形成基材611之第一側面610s。第一側面610s至少包含第一子側面610s1、第二子側面610s2、第三子側面610s3及第四子側面610s4，其中第一子側面610s1與第四子側面610s4相對，而第二子側面610s2與第三子側面610s3相對。在本實施例中，導電層為薄層。第一導電層616形成於第一子側面610s1、第二子側面610s2及第四子側面610s4，而第二導電層617形成於第一子側面610s1、第三子側面610s3及第四子側面610s4。

請參照第7A~7B圖，第7A圖繪示依照本發明另一實施例之發光模組700之示意圖，而第7B圖繪示第7A圖之發光模組700沿方向7B-7B’的剖面圖。

發光模組700包括多個發光件720及基板710，其中發光件720配置於基板710。基板710包括基材711、多個第三電極112、多個第四電極113、第一接墊114、第二接墊115及導電層716。基材711的材質及/或種類可類似前述基材111，而導電層716的材質可類似前述第一導電層116，容此不再贅述。第三電極112及第四電極113形成於基材711之第一表面711u，而第一接墊114及第二接墊115形成於基材711之第二表面711b。

如第7A~7B圖所示，與前述實施例不同的是，本發明實施例之多個發光件720可配置在基板710上。發光件720的結構類似前述發光件120，然亦可為包含波長轉換層之封裝發光件。對應同一個發光件720之第三電極112與第四電極113電性隔離，對應相鄰二發光件720之第三電極112與第四電極113彼此連接。導電層716可形成於基材711之第一表面711u、內部及第二表面711b。導電層716連接電極(第三電極112及第四電極113)與接墊(第一接墊114及第二接墊115)。在本實施例中，導電層716包含至少一導電孔及至少一走線，導電孔及走線形成於基材711的內部，且導電孔連接位於不同層之走線。多個發光件720可串聯成一發光串，多個發光串透過導電層716之導電孔及走線並聯。例如，如第7A圖所示，5個發光件720串聯成一發光串，而5個發光串並聯。在另一實施例中，也可以只有一個發光串配置在基板710。

此外，多個發光件720可沿一曲線、一直線或其組合線段排列。例如，多個發光件720可沿圓形、橢圓形或多邊形排列。對應地，基板710的俯視形狀可以是圓形、橢圓形或多邊形。

請參照第8圖，其繪示依照本發明另一實施例之發光模組800之示意圖。發光模組800包括基板710、多個發光件720及電路板830。發光件720配置於基板710，電路板830可連接於基板710之第一接墊114及第二接墊115。電路板830例如是軟性電路板。

請參照第9A~9B圖，第9A圖繪示依照本發明另一實施例之發光模組900的示意圖，而第9B圖繪示第9A圖之發光模組900沿方向9B-9B’的剖面圖。發光模組900包括基板710、多個發光件920及波長轉換層930。發光件920配置在基板710。與第7A圖之實施例不同的是，本發明實施例更包含波長轉換層930形成於基板710上，並包覆多個發光件920。波長轉換層930可改變發光件920所發出光的波長。發光件920配置在基板710上。波長轉換層930的材質類似或同於前述波長轉換層140，於此不再贅述。發光件920的結構類似前述發光件120，然亦可為包含波長轉換層之封裝發光件。

請參照第10A~10H圖，其繪示第1B圖之發光模組100的製造過程圖。

如第10A圖所示，多個發光件120配置在基板110’。 發光件120包括第一電極121及第二電極122。基板110’包括基材111’、多個第三電極112、多個第四電極113、多個第一接墊114、多個第二接墊115、多個第一導電層116及多個第二導電層117，其中此些第三電極112彼此隔離，此些第四電極113彼此隔離，此些第一接墊114彼此隔離，此些第二接墊115彼此隔離，此些第一導電層116彼此隔離及此些第二導電層117彼此隔離。一個第一導電層116電性連接相對應之第三電極112與第一接墊114，而一個第二導電層117電性連接相對應之第四電極113與第二接墊115。此外，各發光件120之第一電極121及第二電極122分別電性連接於第三電極112及第四電極113。

如第10B圖所示，可採用刀具或雷射，形成至少一第一切割道P1經過整個基材111’，以形成至少一基板單元110A。各基板單元110A包括基板110及發光件120。

如第10C圖所示，配置至少一基板單元110A在載板20上，基板單元110A透過黏合層10固定於載板20。

如第10D圖所示，可採用例如是點膠技術，形成黏膠150於基板單元110A的發光件120上。

如第10E圖所示，配置第10D圖之發光件120於波長轉換層140’。例如，倒置第10D圖之結構，使發光件120朝下配置在波長轉換層140’上。發光件120擠壓黏膠150，黏膠150受擠壓後往二側擴展，而形成覆蓋在發光件120之側面120s之側部151。波長轉換層140’包括高密度轉換層141及低密度轉換層142。波長轉換層140’可另外形成後，再透過黏合層30配置在載板40上，或者直接形成於黏合層30上。此外，殘留於高密度轉換層141與發光件120之間的部分黏膠形成熱阻層152，熱阻層152可提高發光件120與波長轉換層140’之間的熱阻，以減緩波長轉換層140’的老化速率。

如第10F圖所示，分離基板110與第10E圖之黏合層10。例如，自基板110移除黏合層10及載板20，以露出基板110。

如第10G圖所示，可採用例如是模壓技術，形成呈流動態的反射層130’於波長轉換層140’上，反射層130’環繞基板110、發光件120及黏膠150。然後，可採用加熱方式，固化反射層130’。

如第10H圖所示，可採用雷射或刀具，形成至少一第二切割道P2經過基板110、反射層130’及波長轉換層140’，以形成至少一如第1B圖所示之發光模組100，其中各發光模組100包括如第1B圖所示之基板110、發光件120、反射層130、波長轉換層140及黏膠150。在第二切割道P2形成後，基板110、反射層130及波長轉換層140分別形成第一側面110s、第二側面130s及第三側面140s，第一側面110s、第二側面130s與第三側面140s組成發光模組100的側平面100s。由於是同一切割道所形成，因此第一側面110s、第二側面130s與第三側面140s大致上齊平，使側平面100s為一連續延伸的平滑面(即，無段差結構)。

請參照第11A~11G圖，其繪示第2B圖之發光模組200的製造過程圖。

如第11A圖所示，形成或提供波長轉換層240’。 波長轉換層240’包括高密度轉換層141及低密度轉換層142。波長轉換層240’可另外形成後，再透過黏合層30配置在載板40上，或者直接形成於黏合層30上。

如第11B圖所示，可採用刀具或雷射，形成至少一第一切割道P1經過整個波長轉換層240’，以形成至少一如第2B圖所示之波長轉換層240。

如第11C圖所示，可採用例如是點膠技術，形成黏膠150於波長轉換層240上，例如是波長轉換層240之高密度轉換層141上。

如第11D圖所示，配置至少一發光件120於波長轉換層240上，以形成至少一組件200A，組件200A包括發光件120、波長轉換層240及黏膠150。。發光件120擠壓黏膠150，黏膠150受擠壓後往二側擴展，而形成覆蓋在發光件120之側面120s之側部151。。此外，殘留於高密度轉換層141與發光件120之間的部分黏膠形成熱阻層151。熱阻層152可提高發光件120與波長轉換層240之間的熱阻，以減緩波長轉換層240的老化速率。

如第11E圖所示，配置至少一阻件200A在基板110’上。發光件120包括第一電極121及第二電極122。基板110’包括基材111、多個第三電極112、多個第四電極113、多個第一接墊114、多個第二接墊115、多個第一導電層116及多個第二導電層117，，其中此些第三電極112彼此隔離，此些第四電極113彼此隔離，此些第一接墊114彼此隔離，此些第二接墊115彼此隔離，此些第一導電層116彼此隔離及此些第二導電層117彼此隔離。一個第一導電層116電性連接相對應之第三電極112與第一接墊114，而一個第二導電層117電性連接相對應之第四電極113與第二接墊115。此外，各發光件120之第一電極121及第二電極122分別電性連接於第三電極112及第四電極113。

如第11F圖所示，可採用例如是模壓技術，形成呈流動態的反射層230’於基板110’上方，反射層230’環繞波長轉換層240、發光件120及黏膠150。然後，可採用加熱方式，固化反射層230’

如第11G圖所示，可採用刀具或雷射，形成至少一第二切割道P2經過反射層230’及基板110’，以形成至少一如第2B圖所示之發光模組200，其中各發光模組200包括如第2B圖所示之基板110、發光件120、反射層230、波長轉換層240及黏膠150。在第二切割道P2形成後，基板110及反射層230分別形成第一側面110s及第二側面230s，第一側面110s與第二側面230s組成發光模組200的側平面200s。由於是同一切割道所形成，因此第一側面110s與第二側面230s大致上齊平，使側平面200s為一連續延伸的平滑面(即，無段差結構)。

第3圖之發光模組300的製造過程與第2圖之發光模組100的製造過程相似，差異僅在於透光層330的材質不同，其餘製程步驟相似，於此不再贅述。

請參照第12圖，其繪示第4圖之多個基板410在單一化前的示意圖。在單一化前，多個第一接墊414、多個第二接墊415、多個第一導電層416’及多個第二導電層417’形成在一基材411’上。以製程來說，第一接墊414、第二接墊415、第一導電層416’及第二導電層417’例如是採用電鍍同時形成。各第一導電層416’例如是包含前述第一導電層416的一部分，且各第二導電層417’例如是包含前述第二導電層417的一部分。在單一化(例如，沿虛線切割)後，形成多個如第4圖所示之基板410，其中各基板410包含第一導電層416’的一部分(即，第一導電層416)及第二導電層417’的一部分(即，第二導電層417)。

請參照第13圖，其繪示第5圖之多個基板510在單一化前的示意圖。在單一化前，多個第一接墊514、多個第二接墊515、多個第一導電層516’及多個第二導電層517’形成在一基材511’上。以製程來說，第一接墊514、第二接墊515、第一導電層516’及第二導電層517’例如是採用電鍍同時形成。各第一導電層516’例如是包含前述第一導電層516的一部分，且各第二導電層517’例如是包含前述第二導電層517的一部分。在單一化(例如，沿虛線切割)後，形成多個如第5圖所示之基板510，其中各基板510包含第一導電層516’的一部分(即，第一導電層516)及第二導電層517’的一部分(即，第二導電層517)。

請參照第14圖，其繪示第6圖之多個基板610在單一化前的示意圖。在單一化前，多個第一接墊614、多個第二接墊615、多個第一導電層616及多個第二導電層617形成在一基材611’上。以製程來說，第一接墊614、第二接墊615、第一導電層616及第二導電層617例如是採用電鍍同時形成。此些第一導電層616及此些第二導電層617形成於基材611的側面，其中此些第一導電層616彼此連接且此些第二導電層617彼此連接。基材611僅透過多個連接部611a彼此連接。在單一化(例如，沿虛線切割連接部611a)後，形成多個如第6圖所示之基板610，其中各基板610包含第一接墊614、第二接墊615、單一化之第一導電層616及單一化之第二導電層617。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100,200,300,700,800,900:發光模組 100s,200s,300s:側平面 100u,200u:上平面 110,110’,410,540,610,710:基板 110A:基板單元 110s,120s,130s,140s,410s,230s,330s,410s,510s,510s1,510s2,510s3,510s4,610s,610s1,610s2,610s3,610s4:側面 111,411,411’,511,511’,611,611’,711:基材 111u,411u,511u,611u,711u:第一表面 111b,411b,511b,611b,711b:第二表面 112:第三電極 113:第四電極 114,414,514,614:第一接墊 115,415,515,615:第二接墊 116,416,416’,516,516’,616:第一導電層 117,417,417’,517,517’,617:第二導電層 120,720,920:發光件 120u,140u,230u,240u:上表面 121:第一電極 122:第二電極 130,230:反射層 140,240:波長轉換層 141:高密度轉換層 142:低密度轉換層 150:黏膠 151:側部 152:熱阻層 200A:組件 330:透光層 411a,511a:第一貫孔 411b,511b:第二貫孔 716:導電層 830:電路板 930:波長轉換層 L1:光線 T1,T2:厚度 X,Y,Z:軸

第1A圖繪示依照本發明一實施例之發光模組的俯視圖。 第1B圖繪示第1A圖之發光模組沿方向1B-1B’的剖面圖。 第2A圖繪示依照本發明另一實施例之發光模組的俯視圖。 第2B圖繪示第2A圖之發光模組沿方向2B-2B’的剖面圖。 第3圖繪示依照本發明另一實施例之發光模組的側視圖。 第4A~4B圖繪示依照本發明另一實施例之基板於不同視角的示意圖。 第5A~5B圖繪示依照本發明另一實施例之基板於不同視角的示意圖。 第6A~6C圖繪示依照本發明另一實施例之基板於不同視角的示意圖。 第7A圖繪示依照本發明另一實施例之發光模組之示意圖。 第7B圖繪示第7A圖之發光模組沿方向7B-7B’的剖面圖 第8圖繪示依照本發明另一實施例之發光模組之示意圖。 第9A圖繪示依照本發明另一實施例之發光模組的示意圖。 第9B圖繪示第9A圖之發光模組沿方向9B-9B’的剖面圖。 第10A~10H圖繪示第1B圖之發光模組的製造過程圖。 第11A~11G圖繪示第2B圖之發光模組的製造過程圖。 第12圖繪示第4圖之多個基板在單一化前的示意圖。 第13圖繪示第5圖之多個基板在單一化前的示意圖。 第14圖繪示第6圖之多個基板在單一化前的示意圖。

100:發光模組

100s:側平面

100u:上平面

110:基板

110s,120s,130s,140s:側面

111:基材

111u:第一表面

111b:第二表面

112:第三電極

113:第四電極

114:第一接墊

115:第二接墊

116:第一導電層

117:第二導電層

120:發光件

120u,140u:上表面

121:第一電極

122:第二電極

130:反射層

140:波長轉換層

141:高密度轉換層

142:低密度轉換層

150:黏膠

151:側部

152:熱阻層

L1:光線

T1,T2:厚度

X,Y,Z:軸

Claims (15)

1. 一種發光模組，包括： 一基板； 一發光件，配置在該基板； 一反射層，環繞該發光件配置；以及 一波長轉換層，配置在該發光件上； 其中，該發光模組具有一側平面及一上平面，該側平面包含該基板、該反射層及該波長轉換層，而該上平面包含該波長轉換層。
2. 如請求項1所述之發光模組，其中該波長轉換層包括一低密度轉換層及一高密度轉換層，該高密度轉換層配置於該低密度轉換層與該發光件之間。
3. 如請求項1所述之發光模組，其中該上平面的整個包含該波長轉換層。
4. 如請求項1所述之發光模組，其中側平面包含該基板之一第一側面、該反射層之一第二側面及該波長轉換層之一第三側面，該第一側面、該第二側面與該第三側面實質上齊平。
5. 一種發光模組，包括： 一基板； 一發光件，配置在該基板； 一波長轉換層，配置在該發光件上； 一反射層，環繞該發光件及該波長轉換層配置； 其中，該發光模組具有一側平面及一上平面，該側平面包含該基板及該反射層，而該上平面包含該波長轉換層及該反射層。
6. 如請求項5所述之發光模組，其中該波長轉換層包括一低密度轉換層及一高密度轉換層，該高密度轉換層配置於該低密度轉換層與該發光件之間。
7. 如請求項5所述之發光模組，其中側平面包含該基板之一第一側面及該反射層之一第二側面，該第一側面與該第二側面實質上齊平。
8. 如請求項5所述之發光模組，其中該上平面包含該波長轉換層之一第一上表面及該反射層之一第二上表面，該第二上表面環繞該第一上表面。
9. 一種發光模組，包括： 一基板； 一發光件，配置在該基板； 一透光層，環繞該發光件配置； 一波長轉換層，配置在該發光件上； 其中，該發光模組具有一側平面及一上平面，該側平面包含該基板、該透光層及該波長轉換層，而該上平面包含該波長轉換層。
10. 如請求項9所述之發光模組，其中該透光層為透明層。
11. 如請求項9所述之發光模組，其中該波長轉換層包括一低密度轉換層及一高密度轉換層，該高密度轉換層配置於該低密度轉換層與該發光件之間。
12. 如請求項9所述之發光模組，其中側平面包含該基板之一第一側面、該透光層之一第二側面及該波長轉換層之一第三側面，該第一側面、該第二側面與該第三側面實質上齊平。
13. 如請求項9所述之發光模組，其中該上平面的整個包含該波長轉換層。
14. 如請求項1~13之任一項所述之發光模組，其中該基板具有一表面及一第一側面且包括一接墊及一導電層，該接墊配置在該表面，該導電層配置在該第一側面且連接於該接墊。
15. 如請求項14所述之發光模組，其中該基板更具有一貫孔，該貫孔從該第一側面內凹，該導電層形成於該貫孔之內側壁。

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