TWI867761B

TWI867761B - 鍍覆裝置及鍍覆液排出方法

Info

Publication number: TWI867761B
Application number: TW112136626A
Authority: TW
Inventors: 富田正輝
Original assignee: 日商荏原製作所股份有限公司
Priority date: 2023-09-25
Filing date: 2023-09-25
Publication date: 2024-12-21
Also published as: TW202513903A

Abstract

本發明抑制因陽極產生的氣泡導致鍍覆不良且簡單化關於供給鍍覆液的結構。鍍覆模組400包含：鍍覆槽410，用來收容鍍覆液；陽極430，配置於鍍覆槽410內；基板固持器440，構成來在被鍍覆面Wf-a朝向下方的狀態下保持基板Wf；膜420，分隔配置有陽極430的陽極區域424與鍍覆處理時配置有基板Wf的陰極區域422，具有面對陽極430的傾斜面423a；供給口412，用來供給鍍覆液至陽極區域424；以及氣液配管470，具有：第一端部472，在膜420的傾斜面423a的上端附近開口；以及第二端部474，在鍍覆處理時的基板的被鍍覆面的更上方開口，前述氣液配管構成來將從供給口412供給至陽極區域424的鍍覆液，經由第二端部474供給至陰極區域422。

Description

鍍覆裝置及鍍覆液排出方法

本申請是關於一種鍍覆裝置及鍍覆液排出方法。

已知一種杯式電解鍍覆裝置來做為鍍覆裝置的一例。杯式電解鍍覆裝置是藉由將被鍍覆面向下方，使保持在基板固持器的基板(例如半導體晶圓)浸漬於鍍覆液，施加電壓於基板(陰極)與陽極之間，使導電膜在基板表面析出。

在專利文獻1揭露了一種杯式鍍覆裝置。此鍍覆裝置構成來藉由設有在陽極與陰極之間具有傾斜的膜，以膜捕捉從陽極產生的氣泡並排出，來抑制因氣泡產生的鍍覆不良。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]美國專利6126798號公報

專利文獻1所揭露的鍍覆裝置，雖然考慮了抑制氣泡附著於基板的被鍍覆面產生的鍍覆不良，但並未考慮簡單化關於對鍍覆槽的鍍覆液供給結構。

也就是說，專利文獻1所揭露的鍍覆裝置，因為設有用來分別對於陽極區域與陰極區域供給鍍覆液的配管，所以配管數量變多，結果導致鍍覆裝置的結構複雜化。

因此，做為本申請的一個目的是抑制從陽極產生的氣泡導致的鍍覆不良，且簡單化關於鍍覆液供給的結構。

根據一實施形態，揭露一種鍍覆裝置，包含：鍍覆槽，用來收容鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板固持器，構成來在被鍍覆面朝向下方的狀態下保持基板；膜，分隔配置有前述陽極的陽極區域與鍍覆處理時配置有基板的陰極區域，具有面對前述陽極的傾斜面；供給口，用來供給鍍覆液至前述陽極區域；以及氣液配管，具有：第一端部，在前述膜的前述傾斜面的上端附近開口；以及第二端部，在鍍覆處理時的基板的被鍍覆面的更上方開口，前述氣液配管構成來將從前述供給口供給至前述陽極區域的鍍覆液，經由前述第二端部供給至前述陰極區域。

100:裝載埠

110:搬送機器人

120:對準器

200:預濕模組

300:預浸模組

400:鍍覆模組

410:鍍覆槽

411:底壁

412:供給口

412-1、414-1:供給配管

412-2、414-2:排出配管

413:側壁

413-1:第一側壁

413-2:第二側壁

414:共同配管

416:儲液槽

417:泵

418:供給閥

419:排出閥

420:膜

421:中央部件

422:陰極區域

423:傾斜膜

423a:傾斜面

423b:端部

424:陽極區域

425:止回閥

426:閥箱

426a:流路

426b:閥座

427:浮動式閥體/閥體

430:陽極

440:基板固持器

442:密封環固持器

443:升降機構

444:背板

446:框

447:旋轉機構

448:軸

450:電阻體

460:槳

462:驅動機構

470:氣液配管

472:第一端部

474:第二端部

500:洗淨模組

600:旋乾機

700:搬送裝置

800:控制模組

1000:鍍覆裝置

BA:氣泡累積區域

OF:鍍覆液面

Wf:基板

Wf-a:被鍍覆面

S101~109:步驟

α、β:區域

圖1表示一實施形態的鍍覆裝置的整體結構的斜視圖。

圖2表示一實施形態的鍍覆裝置的整體結構的平面圖。

圖3概略表示一實施形態的鍍覆模組的結構的縱剖面圖。

圖4概略表示一實施形態的止回閥的結構的縱剖面。

圖5概略表示一實施形態的氣液配管的結構的縱剖面。

圖6是包含一實施形態的鍍覆液排出方法的鍍覆處理方法的流程圖。

以下，參照圖式來說明關於本發明的實施形態。以下說明的圖式中，相同或相當的結構元件賦予相同符號並省略重複說明。

<鍍覆裝置的整體結構>

圖1表示本實施形態的鍍覆裝置的整體結構的斜視圖。圖2表示本實施形態的鍍覆裝置的整體結構的平面圖。如圖1、圖2所示，鍍覆裝置1000具備：裝載埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、洗淨模組500、旋乾機600、搬送裝置700、及控制模組800。

裝載埠100是用來將未圖示在鍍覆裝置1000的FOUP等卡匣所收容的基板搬入，從鍍覆裝置1000將基板搬出至卡匣的模組。在本實施形態中，4台裝載埠100在水平方向並列配置，但裝載埠100的數量及配置為任意。搬送機器人110是用來搬送基板的機器人，構成來在裝載埠100、對準器120、預濕模組200以及旋乾機600之間傳遞基板。搬送機器人110及搬送裝置700是在搬送機器人110與搬送裝置700之間傳遞基板時，可經由圖未顯示的暫置台進行基板傳遞。

對準器120是用來將基板的定向平面或凹口等位置配合特定方向的模組。在本實施形態中，2台對準器120在水平方向並列配置，但對準器120的數量及配置為任意。預濕模組200是以鍍覆處理前的基板的被鍍覆面被純水或脫氣水等處理液弄濕的方式，將形成於基板表面的圖案內部的空氣置換成處理液。預濕模組200構成來實施預濕處理，其為以在鍍覆時將圖案內部的處理液置換成鍍覆液的方式，使鍍覆液容易供給至圖案內部。在本實施形態中，2台預濕模組200在上下方向並列配置，但預濕模組200的數量及配置為任意。

預浸模組300構成來實施預浸處理，其為例如以硫酸或鹽酸等處理液蝕刻除去在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面所形成的晶種層表面等所存在的電阻大的氧化膜，洗淨或活化鍍覆基底表面。在本實施形態中，在上下方向並列配置有2台預浸模組300，但預浸模組300的數量及配置為任意。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。在本實施形態中，上下方向3台且水平方向4台並列配置的12台鍍覆模組400組有2個，設有合計24台的鍍覆模組400，但鍍覆模組400的數量及配置為任意。

洗淨模組500構成來為了除去在鍍覆處理後的基板所殘留的鍍覆液等，對基板實施洗淨處理。在本實施形態中，2台洗淨模組500在上下方向並列配置，但洗淨模組500的數量及配置為任意。旋乾機600是用來使洗淨處理後的基板高速旋轉並乾燥的模組。在本實施形態中，2台旋乾機600在上下方向並列配置，但旋乾機600的數量及配置為任意。搬送裝置700是用來在鍍覆裝置1000內的複數個模組間搬送基板的裝置。控制模組800構成來控制鍍覆裝置1000的複數個模組，可由例如具備在其與作業員之間的輸出入介面的一般電腦或專用電腦所構成。

說明鍍覆裝置1000進行一連串的鍍覆處理的一例。首先，將卡匣所收容的基板搬入裝載埠100。然後，搬送機器人110從裝載埠100的卡匣取出基板，搬送基板至對準器120。對準器120將基板的定向平面或凹口等位置配合特定方向。搬送機器人110將在對準器120經配合方向的基板往預濕模組200遞交。

預濕模組200對基板實施預濕處理。搬送裝置700將經實施預濕處理的基板往預浸模組300搬送。預浸模組300對基板實施預浸處理。搬送裝置700將經實施預浸處理的基板往鍍覆模組400搬送。鍍覆模組400對基板實施鍍覆。

搬送裝置700將實施過鍍覆處理的基板搬送到洗淨模組500。洗淨模組500對基板實施洗淨處理。搬送裝置700將經實施洗淨處理的基板往旋乾機600搬送。旋乾機600對基板實施乾燥處理。搬送機器人110從旋乾機600接收基板，並將經實施乾燥處理的基板往裝載埠100的卡匣搬送。最後，從裝載埠100搬出收容基板的卡匣。

<鍍覆模組的結構>

接下來，說明鍍覆模組400的結構。因為在本實施形態的24台鍍覆模組400為相同結構，所以僅說明一台鍍覆模組400。圖3概略表示一實施形態的鍍覆模組的結構的縱剖面圖。

如圖3所示，鍍覆模組400具備用來收容鍍覆液的鍍覆槽410。鍍覆槽410構成來具有：圓板形狀的底壁411；以及圓筒形狀的側壁413，包圍底壁411的周緣部，並在上表面開口。側壁413構成來具有：圓筒形狀的第一側壁413-1，連接於底壁411的周緣部，具有第一厚度；以及圓筒形狀的第二側壁413-2，配置於第一側壁413-1的上部，具有比第一厚度薄的第二厚度。

鍍覆模組400具備配置在鍍覆槽410底部的陽極430。陽極430可以是溶解陽極，也可以是不溶解陽極。鍍覆模組400具備膜420，在上下方向隔開鍍覆槽410的內部。膜420是區隔配置有陽極430的陽極區域424與鍍覆處理時配置有基板Wf的陰極區域422的膜。在陰極區域422，面對膜420配置有電阻體450。電阻體450是用來均勻化在基板Wf的被鍍覆面Wf-a的鍍覆處理的部件，由形成有許多孔的板狀部件所構成。

鍍覆模組400具備：基板固持器440，用來在被鍍覆面Wf-a向下方的狀態下保持基板Wf(例如圓板形狀的基板)。基板固持器440具備用來從圖未顯示的店員供電到基板Wf的供電接點。基板固持器440具備：密封環固持器442，用來支持基板Wf的被鍍覆面Wf-a的外緣部；以及框446，用來將密封環固持器442保持在圖未顯示的基板固持器本體。又，基板固持器440具備：背板444，用來按壓基板Wf的被鍍覆面Wf-a的背面；以及軸448，安裝於背板444的基板按壓面的背面。

鍍覆模組400具備：升降機構443，用來使基板固持器440升降；以及旋轉機構447，用來使基板固持器440旋轉成基板Wf在軸448的假想軸(垂直於被鍍覆面Wf-a的中央延伸的假想旋轉軸)的周圍旋轉。升降機構443及旋轉機構447可藉由例如馬達等公知機構來實現。鍍覆模組400構成來藉由用升降機構443來將基板Wf浸漬於陰極區域422的鍍覆液，在陽極430與基板Wf之間施加電壓，在基板Wf的被鍍覆面Wf-a實施鍍覆處理。

又，鍍覆模組400具備：槳460，配置在陽極430與基板Wf之間，具體來說在電阻體450與基板Wf之間。槳460面對基板Wf的被鍍覆面Wf-a來配置。鍍覆模組400具備：驅動機構462，用來使槳460沿著基板Wf的被鍍覆面Wf-a往返移動。驅動機構462可藉由馬達等公知機構來實現。鍍覆模組400可藉由使槳460往返移動來攪拌鍍覆液，提高形成於被鍍覆面的鍍覆均勻性。

鍍覆模組400具備：供給口412，用來供給鍍覆液至陽極區域424。供給口412形成於鍍覆槽410的底壁411中央。鍍覆模組400具備：共同配管414，連接於供給口412；以及供給配管412-1及排出配管412-2，從共同配管414分歧。供給配管412-1連接有：儲液槽416，用來儲存鍍覆液；泵417，用來泵送累積在儲液槽416的鍍覆液；以及供給閥418，用來開閉供給配管412-1。

鍍覆模組400可藉由打開供給閥418，關閉排出閥419，啟動泵417，來供給鍍覆液至鍍覆槽410。另一方面，鍍覆模組400可藉由停止泵417，關閉供給閥418，打開排出閥419，來從鍍覆槽410排出鍍覆液。

<膜>

膜420扮演捕捉從陽極430產生的氣泡的角色。膜420為了將捕捉到的氣泡排出至鍍覆模組400的外部，成為具有傾斜的形狀。具體來說，膜420形成為倒圓錐形，該倒圓錐形具有：中央部件421，配置在鍍覆槽410的徑方向中央；以及傾斜膜423，從中央部件421放射狀地斜上延伸。藉此，膜420在傾斜膜423的底面具有面向陽極430的傾斜面423a。此外，在本說明書中，傾斜面是指相對於水平面傾斜的面。又，膜420並不受限於倒圓錐形，只要具有面向陽極430的傾斜面423a即可。傾斜膜423可為能捕捉從陽極430產生的氣泡的材質的膜。

根據本實施形態的鍍覆模組400，因為膜420具有傾斜面423a，所以可以使膜420捕捉到的氣泡沿著傾斜面423a往斜上方向移動。結果，可使膜420捕捉到的氣泡往傾斜面423a的上端移動。

<止回閥>

鍍覆模組400具備：止回閥425，配置於膜420的中央部件421。圖4概略表示止回閥的結構的縱剖面。圖4是擴大表示圖3的區域α，止回閥425分別表示「關」狀態(左側)與「開」狀態(右側)。

如圖4所示，止回閥425具有：閥箱426，形成連通陽極區域424與陰極區域422的流路426a；閥座426b，設於流路426a；以及浮動式閥體427，配置於流路426a的閥座426b的下方，形成為可抵接於閥座426b。閥體427是由比重小於1的物質所形成。

當開始鍍覆處理，從供給口412供給鍍覆液至陽極區域424，液面提升到閥體427時，閥體427上升，來抵接於閥座426b。藉此，因為止回閥425關閉，鍍覆液及氣泡不會從陽極區域424通過流路426a供給至陰極區域422。另一方面，鍍覆處理後排出鍍覆液時，陽極區域424的鍍覆液的液面下降到閥體427，閥體427下降，並離開閥座426b。藉此，因為止回閥425打開，所以鍍覆液從陰極區域422通過流路426a流到陽極區域424。

<氣液配管>

如圖3所示，鍍覆模組400具備：氣液配管470，用來排出被膜420捕捉到的氣泡，同時供給鍍覆液至陰極區域422。此外，在本實施形態中，雖然鍍覆模組400例示具備夾著鍍覆槽410中央而相對的兩條氣液配管470，但並不受限於此。鍍覆模組400也可以具備一條氣液配管470，也可以具備沿著鍍覆槽410周方向等間隔或不等間隔配置的三條以上的氣液配管470。

圖5概略表示一實施形態的氣液配管結構的縱剖面。圖5是擴大表示圖3的區域β，省略適當部件來描繪。因為兩條氣液配管470除了配置位置不同以外具有相同結構，所以在圖5僅說明關於一個氣液配管470。如圖5所示，氣液配管470具有：第一端部472，在陽極區域424的膜420的傾斜面423a的上端附近開口。

在本實施形態中，在傾斜面423a的上端附近，形成有氣泡累積區域BA，氣泡累積區域BA集中被膜420捕捉到的氣泡。也就是說，與傾斜膜423的中央部件421相反側的端部423b，在距離第一側壁413-1的內面以預定距離連接至電阻體450的底面的周緣部。藉此，形成由傾斜膜423的端部423b、電阻體450的底面的周緣部以及第一側壁413-1的內面所包圍的環狀流路。因為環狀流路由此三面形成，所以可在氣泡累積區域BA集中固定量的氣泡。第一端部472朝向氣泡累積區域BA在電阻體450的底面開口。

又，氣液配管470具有：第二端部474，在鍍覆處理時的基板Wf的被鍍覆面Wf-a的更上方，且在鍍覆槽410的內側開口。氣液配管470從第一端部472貫穿電阻體450的內部向上方向延伸後，貫穿電阻體450及第一側壁413-1的內部在徑方向外側延伸，再於第二側壁413-2的內側向上方向延伸到達第二端部474。氣泡累積區域BA所累積的氣泡，通過氣液配管470，從第二端部474排出。因為第二端部474在被鍍覆面Wf-a更上方開口，所以可抑制從第二端部474排出的氣泡附著於被鍍覆面Wf-a。

氣液配管470不只是排出氣泡，還構成來將從供給口412供給至陽極區域424的鍍覆液經由第二端部474供給至陰極區域422。也就是說，當從供給口412供給的鍍覆液充滿陽極區域424，從泵417泵送鍍覆液至陽極區域424時，鍍覆液從第一端部472流到氣液配管470。這是因為膜420的鍍覆液的流動阻力大，第一端部472的鍍覆液的流動阻力小。再者，當從泵417泵送鍍覆液至陽極區域424，氣液配管470流動的鍍覆液經由第二端部474供給至陰極區域422。藉此，陰極區域422充滿鍍覆液。

在本實施形態中，氣液配管470的第二端部474是在鍍覆處理時鍍覆槽410所收容的鍍覆液面OF更下方開口。也就是說，鍍覆模組400構成來使供給至陰極區域422的鍍覆液從第二側壁413-2溢流，同時進行鍍覆處理。因此，鍍覆液面OF處於對應第二側壁413-2的上端的高度位置。藉由使第二端部474在鍍覆液面OF更下方開口，從第二端部474供給的鍍覆液所包含的添加劑能有助於鍍覆處理。

但是，不受限於此，氣液配管470的第二端部474也可以是在鍍覆處理時鍍覆槽410所收容的鍍覆液面OF更上方開口。也就是說，在本說明書中「在鍍覆槽410的內側開口」是指從上方來平面視鍍覆模組400時，第二端部474位於鍍覆槽410的第二側壁413-2內側。因此，第二端部474也可以在第二側壁413-2的上端部(鍍覆液面OF)更下方的區域開口，也可以在第二側壁413-2的上端部(鍍覆液面OF)更上方的區域開口。無論如何，只要第二端部474在鍍覆槽410的內側開口，從第二端部474流動的鍍覆液就供給到陰極區域422。

根據本實施形態的鍍覆模組400，可抑制從陽極產生的氣泡導致的鍍覆不良，且簡單化關於鍍覆液供給的結構。也就是說，因為從陽極430產生的氣泡可被膜420捕捉，並藉由氣液配管470排出至基板的被鍍覆面更上方，所以可抑制氣泡附著於被鍍覆面產生的鍍覆不良。又，因為從陽極區域424經由氣液配管470可供給鍍覆液至陰極區域422，所以不需要分別在陽極區域424及陰極區域422設有供給配管，可簡單化關於鍍覆液供給的結構。

再者，根據本實施形態的鍍覆液模組400，因為從陰極區域422經由止回閥425傳送鍍覆液至陽極區域424，可從從排出配管414-2排出，所以不需要分別在陽極區域424及陰極區域422設有排出配管，可簡單化關於鍍覆液排出的結構。再者，根據本實施形態的鍍覆液模組400，因為從陰極區域422經由止回閥425使鍍覆液落下至陽極區域424而排出，所以可洗掉更多附著於陽極430表面的副產物(污泥)。

<鍍覆處理方法>

圖6是包含一實施形態的鍍覆液排出方法的鍍覆處理方法的流程圖。以下的鍍覆處理方法是以鍍覆液未累積於鍍覆槽410，供給閥418及排出閥419被關閉的狀態下開始。

鍍覆處理方法是首先執行打開供給閥418，同時使泵417啟動的步驟(S101)。藉此，供給配管414-1打開，儲液槽416所累積的鍍覆液從供給口412供給至陽極區域424。

然後，鍍覆處理方法是執行藉由供給鍍覆液至陽極區域424，使陽極區域424的鍍覆液面上升來關閉止回閥425的步驟(S102)。S102具體來說是當陽極區域424的鍍覆液面上升至閥體427時，鍍覆液面上生同時閥體427上升來抵接於閥座426b，藉由關閉流路426a來執行。

接著，鍍覆處理方法是執行藉由關閉止回閥425提高包含流路426a的膜420整體的流動阻力，來從氣液配管470供給鍍覆液至陰極區域422的步驟(S103)。

鍍覆處理方法執行以膜420捕捉從陽極430產生的氣泡，捕捉到的氣泡經由氣液配管470在基板Wf的被鍍覆面Wf-a更上方排出的步驟(S104)。具體來說，膜420所捕捉的氣泡沿著傾斜面423a向斜上方向移動，集中到傾斜面423a的上端附近的氣泡累積區域BA，經由氣液配管470在基板Wf的被鍍覆面Wf-a更上方排出。

因為鍍覆槽410充滿了鍍覆液，所以鍍覆處理方法是藉由在基板Wf(陰極)與陽極之間施加電壓來執行鍍覆處理(步驟S105)。鍍覆處理結束後，鍍覆處理方法執行使泵417停止同時關閉供給閥418的步驟(S106)。

接著，鍍覆處理方法執行藉由打開排出閥419並打開排出配管414-2來排出鍍覆液的步驟(S107)。

接著，鍍覆處理方法執行藉由從陽極區域424排出鍍覆液使陽極區域424的鍍覆液面下降，來打開設於分隔陽極區域424與陰極區域422的膜420的止回閥425的步驟(S108)。S108具體來說是當陽極區域424的鍍覆液面下降至閥體427，鍍覆液面下降同時閥體427下降來離開閥座426b，藉由打開流路426a來執行。

接著，鍍覆處理方法執行藉由打開止回閥425來經由流路426a將陰極區域422的鍍覆液送到陽極區域424，從排出配管414-2排出的步驟(S109)。

根據本實施形態的鍍覆處理方法，因為可捕捉從陽極430產生的氣泡來在基板的被鍍覆面上排出，所以可抑制氣泡附著於被鍍覆面而產生的鍍覆不良。又，根據本實施形態的鍍覆處理方法，因為可從陽極區域424經由氣液配管470供給鍍覆液至陰極區域422，所以不需要分別在陽極區域424及陰極區域422設有供給配管，可簡單化關於鍍覆液供給的結構。再者，根據本實施形態的鍍覆處理方法，因為可從陰極區域422經由止回閥425將鍍覆液送到陽極區域424，所以不需要分別在陽極區域424及陰極區域422設有排出配管，可簡單化關於鍍覆液排出的結構。再者，根據本實施形態的鍍覆處理方法，因為可從陰極區域422經由止回閥425使鍍覆液落下至陽極區域424，所以可洗掉更多附著於陽極430表面的副產物(污泥)。

以上，雖然說明了關於一些本發明的實施形態，但上述發明的實施形態是用來容易理解本發明，並非限定本發明。本發明在不脫離其要旨下可變更、改良，本發明當然也包含其均等物。又，在可解決上述至少一部分問題的範圍，或達成至少一部份效果的範圍內，可任意組合或省略申請專利範圍及說明書所記載的各結構元件。

本申請揭露一種鍍覆裝置做為一實施形態，包含：鍍覆槽，用來收容鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板固持器，構成來在被鍍覆面朝向下方的狀態下保持基板；膜，分隔配置有前述陽極的陽極區域與鍍覆處理時配置有基板的陰極區域，具有面對前述陽極的傾斜面；供給口，用來供給鍍覆液至前述陽極區域；以及氣液配管，具有：第一端部，在前述膜的前述傾斜面的上端附近開口；以及第二端部，在鍍覆處理時的基板的被鍍覆面的更上方開口，前述氣液配管構成來將從前述供給口供給至前述陽極區域的鍍覆液，經由前述第二端部供給至前述陰極區域。

再者，本申請揭露一種鍍覆裝置做為一實施形態，其中前述氣液配管的前述第二端部構成來在前述鍍覆槽所收容的鍍覆液面的更下方開口。

再者，本申請揭露一種鍍覆裝置做為一實施形態，其中前述膜具有：中央部件，配置於前述鍍覆槽的徑方向中央；以及傾斜膜，從前述中央部件放射狀地往斜上延伸。

再者，本申請揭露一種鍍覆裝置做為一實施形態，其中在前述膜的前述中央部件，配置有止回閥，該止回閥構成來使鍍覆液只從前述陰極區域往前述陽極區域的方向流動。

再者，本申請揭露一種鍍覆裝置做為一實施形態，其中前述止回閥具有：閥箱，形成連通前述陽極區域與前述陰極區域的流路；閥座，設於前述流路；以及浮動式閥體，配置於前述流路的前述閥座的下方，形成為可抵接於前述閥座。

再者，本申請揭露一種鍍覆液排出方法做為一實施形態，是用來排出杯式鍍覆裝置的鍍覆槽所收容的鍍覆液的方法，其步驟包含：打開連通前述鍍覆槽的陽極區域的排出配管，從前述陽極區域排出鍍覆液；藉由從前述陽極區域排出鍍覆液，使前述陽極區域的鍍覆液面下降，來打開止回閥，該止回閥設於分隔前述陽極區域與陰極區域的膜；以及藉由打開前述止回閥，將前述陰極區域的鍍覆液送到前述陽極區域，從前述排出配管排出。