TWI789175B - 鍍覆裝置之維護方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可抑制配置於鍍覆槽內部之膜變形的技術。鍍覆裝置之維護方法包含：將陽極室之陽極液返回陽極液槽後，使陽極液在陽極液槽與陽極室之間循環（步驟S10e）；及將陰極室之陰極液返回陰極液槽後，於陽極液開始在陽極液槽與陽極室之間循環後，使陰極液在陰極液槽與陰極室之間循環（步驟S10f）。

Description

鍍覆裝置之維護方法

本發明係關於一種鍍覆裝置之維護方法。

過去，對基板實施鍍覆處理之鍍覆裝置習知有所謂杯式的鍍覆裝置（例如，參照專利文獻1、專利文獻2）。此種鍍覆裝置具有鍍覆槽。該鍍覆槽之內部藉由膜而劃分成比膜下方之陽極室與比膜上方之陰極室。陽極室中配置陽極，陰極室中配置作為陰極之基板。此外，在基板上形成鍍覆皮膜之鍍覆處理時，係使貯存於陽極液槽之陽極液（鍍覆液）在陽極液槽與陽極室之間循環，並使貯存於陰極液槽之陰極液（鍍覆液）在陰極液槽與陰極室之間循環。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008－19496號公報 [專利文獻2]美國專利第6821407號說明書

（發明所欲解決之問題）

而上述之杯式的鍍覆裝置中，例如在尚未對基板執行鍍覆處理時，會進行鍍覆裝置的維護。具體而言，在該鍍覆裝置之維護中，例如係將殘留於鍍覆槽之陽極室的陽極液返回陽極液槽，並使陽極液在陽極液槽與陽極室之間循環，或是將殘留於鍍覆槽之陰極室的陰極液返回陰極液槽，並使陰極液在陰極液槽與陰極室之間循環。但是，此種鍍覆裝置之維護，從抑制配置於鍍覆槽內部之膜的變形觀點而言尚有改善的餘地。

本發明係鑑於上述情形者，目的之一為提供一種可抑制配置於鍍覆槽內部之膜的變形之技術。 （解決問題之手段） （樣態1）

為了達成上述目的，本發明一個樣態的鍍覆裝置之維護方法包含：將殘留於在鍍覆槽內部劃分成比膜下方之陽極室的陽極液返回用於貯存陽極液之陽極液槽；將殘留於在前述鍍覆槽內部劃分成比前述膜上方之陰極室的陰極液返回用於貯存陰極液之陰極液槽；將殘留於前述陽極室之陽極液返回前述陽極液槽後，使陽極液在前述陽極液槽與前述陽極室之間循環；及將殘留於前述陰極室之陰極液返回前述陰極液槽後，並在陽極液開始在前述陽極液槽與前述陽極室之間循環後，使陰極液在前述陰極液槽與前述陰極室之間循環。

採用該樣態時，由於使陽極液在陽極液槽與陽極室之間循環，係比使陰極液在陰極液槽與陰極室之間循環先開始，因此可使陽極室之壓力上升比陰極室的壓力上升先開始。藉此，例如，與比陽極液之循環先進行陰極液的循環，陰極室之壓力上升比陽極室的壓力上升先開始時比較，可抑制配置於鍍覆槽內部之膜藉由陰極室之壓力而向下方變形。 （樣態2）

上述樣態1亦可進一步包含當貯存於前述陽極液槽之陽極液的液面水平未達預設之指定水平時，以貯存於前述陽極液槽之陽極液的液面水平超過該指定水平之方式，將從陽極液供給裝置所供給之陽極液補充至前述陽極液槽。 （樣態3）

上述樣態2中，使陽極液在前述陽極液槽與前述陽極室之間循環，亦可在殘留於前述陽極室之陽極液返回前述陽極液槽之後，且貯存於前述陽極液槽之陽極液的液面水平超過前述指定水平時執行。 （樣態4）

上述樣態1～3中任何1個樣態亦可進一步包含當貯存於前述陰極液槽之陰極液的液面水平未達預設之指定水平時，以貯存於前述陰極液槽之陰極液的液面水平超過該指定水平之方式，將從陰極液供給裝置所供給之陰極液補充至前述陰極液槽。 （樣態5）

上述樣態4亦可進一步包含當貯存於前述陰極液槽之陰極液的液面水平超過前述指定水平時，在使陰極液在前述陰極液槽與前述陰極室之間循環之前，使貯存於前述陰極液槽之陰極液旁路流通前述陰極室後，返回前述陰極液槽。

採用該樣態時，藉由使陰極液旁路流通陰極室後返回陰極液槽，可使陰極液中包含之氣泡量減少。藉此，可使在此之後進行之陰極液在陰極液槽與陰極室之間循環時，供給至陰極室之陰極液中包含的氣泡量減少。 （樣態6）

上述樣態1～5中任何1個樣態中，亦可包含使陽極液在前述陽極液槽與前述陽極室之間循環時，藉由調溫器將從前述陽極液槽朝向前述陽極室流通之陽極液的溫度調整至指定的溫度範圍內。

採用該樣態時，可早期將從陽極液槽朝向陽極室而流通之陽極液的溫度設在指定的溫度範圍內。 （樣態7）

上述樣態1～6中任何1個樣態中，亦可包含使陰極液在前述陰極液槽與前述陰極室之間循環時，藉由調溫器將從前述陰極液槽朝向前述陰極室而流通之陰極液的溫度調整至指定之溫度範圍內。

採用該樣態時，可早期將從陰極液槽朝向陰極室而流通之陰極液的溫度設在指定的溫度範圍內。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。另外，圖式係為了容易理解特徵而模式地圖示，各構成元件之尺寸比率等未必與實際者相同。此外，在一些圖式中圖示有X－Y－Z之正交座標作為參考用。該正交座標中，Z方向相當於上方，－Z方向相當於下方（重力作用之方向）。

圖1係示出本實施形態之鍍覆裝置1000的全體構成的立體圖。圖2係示出本實施形態之鍍覆裝置1000的全體構成的俯視圖。如圖1及圖2所示，鍍覆裝置1000係具備：載入埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、洗淨模組500、旋乾機600、搬送裝置700、及控制模組800。

載入埠100係用以將被收容在未圖示的FOUP等匣盒的基板搬入至鍍覆裝置1000、或將基板由鍍覆裝置1000搬出至匣盒的模組。在本實施形態中係以水平方向排列配置4台載入埠100，惟載入埠100的數量及配置為任意。搬送機器人110係用以搬送基板的機器人，構成為在載入埠100、對準器120、及搬送裝置700之間收授基板。搬送機器人110及搬送裝置700係當在搬送機器人110與搬送裝置700之間收授基板時，係可透過暫置台（未圖示）來進行基板的收授。

對準器120係用以將基板的定向平面或凹口等的位置對合在預定的方向的模組。在本實施形態中係以水平方向排列配置2台對準器120，惟對準器120的數量及配置為任意。預濕模組200係以純水或脫氣水等處理液將鍍覆處理前的基板的被鍍覆面弄濕，藉此將形成在基板表面的圖案內部的空氣置換成處理液。預濕模組200係構成為施行藉由在鍍覆時將圖案內部的處理液置換成鍍覆液，以對圖案內部容易供給鍍覆液的預濕處理。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台預濕模組200，惟預濕模組200的數量及配置為任意。

預浸模組300係構成為施行例如將形成在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面的種層表面等所存在的電阻大的氧化膜，以硫酸或鹽酸等處理液蝕刻去除而將鍍覆基底表面進行洗淨或活性化的預浸處理。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台預浸模組300，惟預浸模組300的數量及配置為任意。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。在本實施形態中，係以上下方向排列配置3台且以水平方向排列配置4台的12台鍍覆模組400的集合有2個，設有合計24台鍍覆模組400，惟鍍覆模組400的數量及配置為任意。

洗淨模組500係構成為對基板施行洗淨處理，俾以去除殘留在鍍覆處理後的基板的鍍覆液等。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台洗淨模組500，惟洗淨模組500的數量及配置為任意。旋乾機600係用以使洗淨處理後的基板高速旋轉而乾燥的模組。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台旋乾機600，惟旋乾機600的數量及配置為任意。搬送裝置700係用以在鍍覆裝置1000內的複數模組間搬送基板的裝置。控制模組800係構成為控制鍍覆裝置1000的複數模組，可由具備例如與操作員之間的輸出入介面的一般電腦或專用電腦所構成。

以下說明藉由鍍覆裝置1000所為之一連串鍍覆處理之一例。首先，被收容在匣盒的基板被搬入至載入埠100。接著，搬送機器人110係由載入埠100的匣盒取出基板，且將基板搬送至對準器120。對準器120係將基板的定向平面或凹口等的位置對合在預定的方向。搬送機器人110係將以對準器120將方向對合後的基板對搬送裝置700進行收授。

搬送裝置700係將由搬送機器人110所收取到的基板搬送至預濕模組200。預濕模組200係對基板施行預濕處理。搬送裝置700係將已施行預濕處理的基板搬送至預浸模組300。預浸模組300係對基板施行預浸處理。搬送裝置700係將已施行預浸處理的基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。

搬送裝置700係將已施行鍍覆處理的基板搬送至洗淨模組500。洗淨模組500係對基板施行洗淨處理。搬送裝置700係將已施行洗淨處理的基板搬送至旋乾機600。旋乾機600係對基板施行乾燥處理。搬送裝置700係將已施行乾燥處理的基板對搬送機器人110進行收授。搬送機器人110係將由搬送裝置700所收取到的基板搬送至載入埠100的匣盒。最後由載入埠100搬出收容有基板的匣盒。

另外，圖1及圖2所說明之鍍覆裝置1000的構成不過是一例，鍍覆裝置1000之構成並非限定於圖1及圖2之構成者。

繼續，說明鍍覆模組400。另外，本實施形態之鍍覆裝置1000具有的複數個鍍覆模組400具有同樣之構成，因此就1個鍍覆模組400作說明。

圖3係模式顯示本實施形態之鍍覆裝置1000中的鍍覆模組400之1個鍍覆槽10的周邊構成圖。本實施形態之鍍覆裝置1000係杯式的鍍覆裝置。本實施形態之鍍覆裝置1000的鍍覆模組400具備：鍍覆槽10、基板固持器20、旋轉機構22、升降機構24。

另外，本實施形態中，1個鍍覆模組400具備複數個鍍覆槽10。複數個鍍覆槽10的數量係2個以上即可，其具體數量並非特別限定者。本實施形態之一例為1個鍍覆模組400具備4個鍍覆槽10（參照後述之圖4）。

如圖3所例示，鍍覆槽10藉由上方具有開口之有底的容器而構成。具體而言，鍍覆槽10具有：底壁10a；及從該底壁10a之外緣向上方延伸的外周壁10b；該外周壁10b之上部開口。另外，鍍覆槽10之外周壁10b的形狀並非特別限定者，本實施形態之外周壁10b的一例為具有圓筒形狀。在鍍覆槽10之內部貯存有鍍覆液Ps。在鍍覆槽10之外周壁10b的外側配置有用於貯存從外周壁10b之上端溢流的鍍覆液Ps之溢流槽19。

鍍覆液Ps只要係包含構成鍍覆皮膜之金屬元素的離子之容易即可，其具體例並非特別限定者。本實施形態中，鍍覆處理之一例為使用銅鍍覆處理，鍍覆液Ps之一例為使用硫酸銅溶液。

此外，本實施形態中，在鍍覆液Ps中含有指定之鍍覆添加劑。該指定之鍍覆添加劑的具體例，本實施形態係使用「非離子系鍍覆添加劑」。另外，所謂非離子系鍍覆添加劑，是指在鍍覆液Ps中不顯示離子性之添加劑。

在鍍覆槽10之內部配置有陽極13。此外，陽極13係以在水平方向延伸之方式配置。陽極13之具體種類並非特別限定者，亦可係不溶性陽極，亦可係可溶性陽極。本實施形態之陽極13的一例係使用不溶性陽極。該不溶性陽極之具體種類並非特別限定者，可使用鉑或氧化銥等。

在鍍覆槽10內部之後述的陰極室12中配置有離子抵抗體14。具體而言，離子抵抗體14係設於陰極室12中比後述之膜40上方，且比基板Wf下方的部位。離子抵抗體14係可成為抵抗陰極室12中之離子移動的構件，且為了謀求形成於陽極13與基板Wf之間的電場均勻化而設。

本實施形態之離子抵抗體14藉由具有以貫穿離子抵抗體14之下面與上面的方式而設之複數個貫穿孔15的板構件而構成。該複數個貫穿孔15設於離子抵抗體14之孔形成區域（本實施形態其一例於俯視時係圓形之區域）。離子抵抗體14之具體材質並非特別限定者，不過，本實施形態中之一例為使用聚醚醚酮等的樹脂。

藉由鍍覆模組400具有離子抵抗體14，可謀求形成於基板Wf之鍍覆皮膜（鍍覆層）的膜厚均勻化。但是，該離子抵抗體14並非本實施形態中必要的構件，鍍覆模組400亦可為不具離子抵抗體14之構成。

在鍍覆槽10之內部配置有膜40。鍍覆槽10之內部藉由膜40而劃分成：比膜40下方之陽極室11；與比膜40上方之陰極室12。前述之陽極13配置於陽極室11，離子抵抗體14則配置於陰極室12。此外，在對基板Wf進行鍍覆處理時，係將基板Wf配置於陰極室12。

另外，本實施形態中，係將供給至陽極室11之鍍覆液Ps稱為「陽極液」，並將供給至陰極室12之鍍覆液Ps稱為「陰極液」。

膜40係以容許鍍覆液Ps中所含之離子種（其包含金屬離子）通過膜40，並抑制鍍覆液Ps中所含之非離子係的鍍覆添加劑通過膜40之方式而構成的膜。具體而言，膜40具有複數個微細之孔（微細孔）（省略該微細孔之圖示）。該複數個孔之平均直徑系奈米尺寸（亦即，係1nm以上，999nm以下之尺寸）。藉此，允許包含金屬離子之離子種（其係奈米尺寸）通過膜40之複數個微細孔，另外，抑制非離子系之鍍覆添加劑（其比奈米尺寸大）通過膜40的複數個微細孔。此種膜40例如可使用離子交換膜。

如本實施形態，藉由鍍覆模組400具備膜40，可抑制陰極室12之陰極液中所含的非離子系之鍍覆添加劑向陽極室11移動。藉此，可謀求減少陰極室12之鍍覆添加劑的消耗量。

另外，如圖3所例示，膜40亦可具備對水平方向傾斜之傾斜部位41。具體而言，圖3所例示之膜40的傾斜部位41對水平方向傾斜，並且係以隨著從鍍覆槽10之中央側朝向鍍覆槽10的外周壁10b之側而位於上方的方式傾斜。此外，圖3所例示之膜40的一例，於前視時，為具有「V字狀」的外觀形狀。

但是，膜40之構成並非限定於上述構成者。例如，膜40亦可不具傾斜部位41，而整體地在水平方向延伸。

基板固持器20將作為陰極之基板Wf以基板Wf之被鍍覆面（下面）與陽極13相對的方式而保持。基板固持器20連接於旋轉機構22。旋轉機構22係用於使基板固持器20旋轉之機構。旋轉機構22連接於升降機構24。升降機構24藉由在上下方向延伸之支柱26而支撐。升降機構24係用於使基板固持器20及旋轉機構22升降的機構。旋轉機構22及升降機構24之動作藉由控制模組800來控制。另外，基板Wf及陽極13與通電裝置（無圖示）電性連接。通電裝置係執行鍍覆處理時，用於在基板Wf與陽極13之間流通電流的裝置。

鍍覆槽10中設有：用於在陽極室11中供給陽極液之陽極室用供給口16a；及用於從陽極室11排出陽極液之陽極室用排出口16b。本實施形態之陽極室用供給口16a的一例為配置於鍍覆槽10之底壁10a。陽極室用排出口16b之一例為配置於鍍覆槽10的外周壁10b。此外，陽極室用排出口16b之一例為設於鍍覆槽10的2處。

此外，在鍍覆槽10中設有陰極室12用之供給‧排放口17。供給‧排放口17係「陰極液用之供給口」與「陰極液用之排放口」合體者。

亦即，在陰極室12中供給陰極液時，該供給‧排放口17發揮「陰極液用之供給口」的功能，而從該供給‧排放口17供給陰極液至陰極室12。另外，從陰極室12排出陰極液，例如排空陰極室12之陰極液時，該供給‧排放口17發揮「陰極液用之排放口」的功能，而從該供給‧排放口17排出陰極液。

另外，供給‧排放口17之構成並非限定於上述構成者。舉出其他一例時，鍍覆模組400亦可個別地具備「陰極液用之供給口」、及「陰極液用之排放口」，來取代供給‧排放口17。

本實施形態之供給‧排放口17的一例，係以從陰極室12之底部（底面）至供給‧排放口17的距離例如小於20mm之方式而配置於鍍覆槽10的外周壁10b。

溢流槽19中設有用於將從陰極室12溢流而貯存於溢流槽19之鍍覆液Ps（陰極液）排出溢流槽19外部的溢流槽用排出口18。

鍍覆槽10中配置有：用於檢測陽極室11之壓力（Pa）的壓力計80a；及用於檢測陰極室12之壓力（Pa）的壓力計80b。壓力計80a及壓力計80b之檢測結果傳送至控制模組800。

控制模組800具備：處理器801、及永久性之記憶裝置802。記憶裝置802中記憶有程式及資料等。控制模組800中，處理器801依據記憶於記憶裝置802之程式的指令控制鍍覆裝置1000之動作。

對基板Wf執行鍍覆處理時，首先，旋轉機構22使基板固持器20旋轉，並且升降機構24使基板固持器20移動至下方，而使基板Wf浸漬於鍍覆槽10之鍍覆液Ps（陰極室12之陰極液）。接著，藉由通電裝置在陽極13與基板Wf之間流通電流。藉此，在基板Wf之被鍍覆面上形成鍍覆皮膜。

圖4係顯示1個鍍覆模組400之液體流通構成的模式圖。如圖4所示，鍍覆模組400具備：槽50、51、泵浦52a、52b、調溫器53a、53b、過濾器54、陽極液供給裝置57a、陰極液供給裝置57b、添加劑供給裝置57c、金屬離子供給裝置57d、複數條流路（流路70a~70g4）、複數個閥門（閥門75a～75o）、及複數個流路切換閥（流路切換閥77a～77d等）。

另外，本實施形態之一例為對1組槽50及槽51適用4個鍍覆槽10（＃1～＃4之鍍覆槽10）。亦即，本實施形態中，經由流路而連通於1組槽50及槽51之鍍覆槽10數量的一例為4個。但是，對1組槽50及槽51適用之鍍覆槽10的數量只要是複數個即可，亦可比4少，亦可比其多。

複數個閥門（閥門75a～75o）可使用可至少切換關閥狀態（閥門開度係0％狀態，且通過閥門之液體的流量為零之狀態）；與開閥狀態（閥門開度係比0％大之狀態，且通過閥門之液體的流量為比零大之狀態）的流量調整閥。

此外，此等複數個閥門亦可使用可在0％以上，100％以下之範圍內（亦即，通過閥門之流量為零以上，指定值以下之範圍內）連續或階段性調整閥門開度的流量調整閥。

另外，複數個閥門及複數個流路切換閥亦可係藉由控制模組800而控制之閥門，或是，亦可係藉由手動而動作之手動式閥門。本實施形態中，複數個閥門及複數個流路切換閥係藉由控制模組800來控制。

槽50係用於貯存陽極液之槽。槽50連通於陽極室11。槽51係用於貯存陰極液之槽。槽51連通於陰極室12。另外，槽50係「陽極液槽」之一例，槽51係「陰極液槽」之一例。

槽50中配置有用於檢測貯存於槽50之陽極液的液面水平之液面水平檢測器81a。此外，槽51中亦配置有用於檢測貯存於槽51之陰極液的液面水平之液面水平檢測器81b。液面水平檢測器81a、81b之檢測結果傳送至控制模組800。

泵浦52a係用於將槽50之陽極液朝向陽極室11壓送的泵浦。泵浦52b係用於將槽51之陰極液朝向陰極室12壓送的泵浦。泵浦52a、52b之動作由控制模組800控制。另外，泵浦52a係「陽極液泵浦」之一例，泵浦52b係「陰極液泵浦」之一例。

調溫器53a係用於調整陽極液之溫度的裝置。調溫器53b係用於調整陰極液之溫度的裝置。本實施形態之調溫器53a的一例為配置於流路70a之比泵浦52a下游側的部位。本實施形態之調溫器53b的一例為配置於流路70c之比泵浦52b下游側的部位。調溫器53a、53b之動作由控制模組800控制。

如圖5所示，過濾器54係用於過濾從槽51朝向陰極室12而流通之陰極液的裝置。過濾器54配置於後述之流路70c的例如比調溫器53b下游側之部位。

另外，鍍覆模組400具有之過濾器的數量並非限定於1個者，亦可係2個以上。或是，鍍覆模組400亦可為不具過濾器之構成。

陽極液供給裝置57a係用於供給陽極液之裝置。陽極液供給裝置57a供給之陽極液亦可係未使用之陽極液（亦即，新的陽極液），亦可係使用於鍍覆處理之陽極液。陰極液供給裝置57b係用於供給陰極液之裝置。陰極液供給裝置57b供給之陰極液亦可係未使用之陰極液（亦即，新的陰極液），亦可係使用於鍍覆處理之陰極液。

陽極液供給裝置57a之具體構成並非特別限定者，例如，陽極液供給裝置57a亦可具備：用於貯存供給用之陽極液的槽；及用於經由流路70g1而朝向槽50壓送該槽之陽極液的泵浦。陰極液供給裝置57b之具體構成並非特別限定者，例如陰極液供給裝置57b亦可具備：用於貯存供給用之陰極液的槽；及用於經由流路70g2而朝向槽51壓送該槽之陰極液的泵浦。本實施形態之陽極液供給裝置57a及陰極液供給裝置57b的動作由控制模組800控制。

添加劑供給裝置57c係用於供給鍍覆添加劑的裝置。本實施形態中，添加劑供給裝置57c用在對鍍覆液Ps補充鍍覆添加劑時。具體而言，本實施形態之添加劑供給裝置57c的一例為用於在槽51之陰極液中補充鍍覆添加劑時。本實施形態之添加劑供給裝置57c的動作由控制模組800控制。

金屬離子供給裝置57d係用於供給金屬離子的裝置。本實施形態之金屬離子供給裝置57d係用於在鍍覆液Ps中補充金屬離子時。具體而言，本實施形態之金屬離子供給裝置57d的一例為用於在槽51之陰極液中補充包含金屬離子（一例為銅離子）的溶液時。本實施形態之金屬離子供給裝置57d的動作由控制模組800控制。

流路70a連通槽50、泵浦52a與各個鍍覆槽10之陽極室11。此外，本實施形態之流路70a中配置有調溫器53a。本實施形態之流路70a在比調溫器53a下游側之部位分支成複數條，而變成流路70a1、流路70a2、流路70a3、及流路70a4，並連通於各個鍍覆槽10之陽極室11。

流路70a1之下游端連通於＃1之鍍覆槽10的陽極室用供給口16a。流路70a2之下游端連通於＃2之鍍覆槽10的陽極室用供給口16a。流路70a3之下游端連通於＃3之鍍覆槽10的陽極室用供給口16a。流路70a4之下游端連通於＃4之鍍覆槽10的陽極室用供給口16a。

流路70b1、70b2、70b3、70b4係以將各個鍍覆槽10之陽極室11的陽極液返回槽50之方式而構成的流路。

具體而言，本實施形態之流路70b1在比指定部位上游側的部分分支成2條，並連通於＃1之鍍覆槽10的2個陽極室用排出口16b。流路70b1之下游端連通於槽50。流路70b2之比指定部位上游側的部分分支成2條，並連通於＃2之鍍覆槽10的2個陽極室用排出口16b。流路70b2之下游端連通於槽50。

流路70b3之比指定部位上游側的部分分支成2條，並連通於＃3之鍍覆槽10的2個陽極室用排出口16b。流路70b3之下游端連通於槽50。流路70b4之比指定部位上游側的部分分支成2條，並連通於＃4之鍍覆槽10的2個陽極室用排出口16b。流路70b4之下游端連通於槽50。

流路70c連通槽51、泵浦52b、及各個鍍覆槽10之陰極室12。此外，本實施形態之流路70c中配置有調溫器53b及過濾器54。本實施形態之流路70c在比過濾器54下游側之部位分支成複數條，而變成流路70c1、70c2、70c3、70c4。

流路70c1之下游端連通於＃1之鍍覆槽10的供給‧排放口17。流路70c2之下游端連通於＃2之鍍覆槽10的供給‧排放口17。流路70c3之下游端連通於＃3之鍍覆槽10的供給‧排放口17。流路70c4之下游端連通於＃4之鍍覆槽10的供給‧排放口17。

流路70d1、70d2、70d3、70d4係以將各個鍍覆槽10之溢流槽19的陰極液返回槽51之方式而構成的流路。具體而言，流路70d1之上游端連通於＃1之鍍覆槽10的溢流槽用排出口18，下游端連通於槽51。流路70d2之上游端連通於＃2之鍍覆槽10的溢流槽用排出口18，下游端連通於槽51。流路70d3之上游端連通於＃3之鍍覆槽10的溢流槽用排出口18，下游端連通於槽51。流路70d4之上游端連通於＃4之鍍覆槽10的溢流槽用排出口18，下游端連通於槽51。

流路70e1、70e2、70e3、70e4係以使陰極液旁路流通陰極室12後返回槽51之方式而構成的流路。具體而言，流路70e1之上游端經由流路切換閥77a連通於流路70c1的中途，下游端連通於槽51。流路70e2之上游端經由流路切換閥77b連通於流路70c2的中途，下游端連通於槽51。流路70e3之上游端經由流路切換閥77c連通於流路70c3的中途，下游端連通於槽51。流路70e4之上游端經由流路切換閥77d連通於流路70c4的中途，下游端連通於槽51。

流路70g1係以使從陽極液供給裝置57a供給之陽極液流入槽50的方式而構成之流路。具體而言，流路70g1之上游端連通於陽極液供給裝置57a，下游端連通於槽50。流路70g2係以使從陰極液供給裝置57b供給之陰極液流入槽51的方式而構成之流路。具體而言，流路70g2之上游端連通於陰極液供給裝置57b，下游端連通於槽51。

流路70g3係以使從添加劑供給裝置57c供給之鍍覆添加劑流入槽51的方式而構成之流路。流路70g4係以使包含從金屬離子供給裝置57d供給之金屬離子的溶液流入槽51之方式而構成的流路。

流路70f係以連通槽50與槽51之方式而構成的流路（連通流路）。具體而言，本實施形態之流路70f係以連通流路70a之中途部位（比後述之閥門75a上游側的部位）與流路70c之中途部位（比後述之閥門75j上游側的部位）之方式而構成。

流路70f中配置有用於開閉流路70f之閥門75k。閥門75k變成開閥狀態時，槽50及槽51經由流路70f而變成彼此連通的狀態。另外，當閥門75k變成關閥狀態時，槽50及槽51變成不連通狀態。

採用本實施形態時，陽極液及陰極液為使用不同成分之鍍覆液情況下，藉由將閥門75k形成關閥狀態而關閉流路70f，可使槽50之陽極液不致與槽51之陰極液混合。另外，例如，陽極液及陰極液為使用相同成分的鍍覆液情況下，藉由將閥門75k形成開閥狀態而打開流路70f，使槽50與槽51連通，亦可使槽50及槽51發揮1個大的鍍覆液槽之功能。

閥門75a配置於流路70a中比泵浦52a上游側，且比流路70a中連接有流路70f之部位下游側的部位。

閥門75b配置於流路70a1。閥門75c配置於流路70a2。閥門75d配置於流路70a3。閥門75e配置於流路70a4。

閥門75f配置於流路70b1。閥門75g配置於流路70b2。閥門75h配置於流路70b3。閥門75i配置於流路70b4。

閥門75j配置於流路70c中比泵浦52b上游側，且流路70c中比流路70f連接之部位下游側的部位。閥門75l配置於流路70g1。閥門75m配置於流路70g2。閥門75n配置於流路70g3。閥門75o配置於流路70g4。

流路切換閥77a配置於流路70c1中流路70e1連接之部位。流路切換閥77a在流路70e1與＃1之鍍覆槽10的陽極室11之間切換流路70c1之流體的流動目的地。流路切換閥77b配置於流路70c2中流路70e2連接之部位。流路切換閥77b在流路70e2與＃2之鍍覆槽10的陽極室11之間切換流路70c2之流體的流動目的地。

流路切換閥77c配置於流路70c3中流路70e3連接之部位。流路切換閥77c在流路70e3與＃3之鍍覆槽10的陽極室11之間切換流路70c3的流體之流動目的地。流路切換閥77d配置於流路70c4中流路70e4連接之部位。流路切換閥77d在流路70e4與＃4之鍍覆槽10的陽極室11之間切換流路70c4的流體之流動目的地。

另外，流路切換閥77a、77b、77c、77d可使用所謂的三通閥。

圖5係用於說明鍍覆模組400中之液體流通樣態的一例之流程圖。圖5之各步驟中，步驟S20之鍍覆液循環步驟係在對基板Wf實施鍍覆處理時執行。另外，步驟S10係在鍍覆裝置1000維護時執行。亦即，步驟S10相當於鍍覆裝置1000之維護方法。此外，圖5之各步驟例如亦可由控制模組800依據程式之指令而自動執行。 ＜＜鍍覆液循環步驟＞＞

首先，說明圖5之步驟S20的鍍覆液循環步驟。在步驟S20之鍍覆液循環步驟中，使陽極液在槽50與陽極室11之間循環，並且使陰極液在槽51與陰極室12之間循環。 （陽極循環）

具體而言，使陽極液循環時，係使泵浦52a驅動並且將閥門75a、75b、75c、75d、75e、75f、75g、75h、75i形成開閥狀態。藉此，槽50之陽極液在流路70a中流動後，繼續在流路70a1、70a2、70a3、70a4中流動，而流入＃1～＃4之鍍覆槽10的陽極室11。而後，＃1～＃4之鍍覆槽10的陽極室11之陽極液在流路70b1、70b2、70b3、70b4中流動後返回槽50。

另外，流路70a、70a1、70a2、70a3、70a4係用於將槽50之陽極液供給至陽極室11的「陽極液供給流路」之一例。此外，流路70b1、70b2、70b3、70b4係用於將陽極室11之陽極液返回槽50的「陽極液返回流路」之一例。此外，陽極液供給流路及陽極液返回流路係用於使陽極液在槽50與陽極室11之間循環的「陽極液循環流路」之一例。 （陰極循環）

此外，使陰極液循環時，具體而言，使泵浦52b驅動並且將閥門75j形成開閥狀態。進一步，以陰極液流入陰極室12之方式切換流路切換閥77a、77b、77c、77d藉此，槽51之陰極液在流路70c中流動後，繼續在流路70c1、70c2、70c3、70c4中流動而流入＃1～＃4之鍍覆槽10的陰極室12。從陰極室12溢流而流入溢流槽19之陰極液在流路70d1、70d2、70d3、70d4中流動而返回槽51。

另外，流路70c、70c1、70c2、70c3、70c4係用於將槽51之陰極液供給至陰極室12的「陰極液供給流路」之一例。此外，流路70d1、70d2、70d3、70d4係用於將陰極室12之陰極液返回槽51的「陰極液返回流路」之一例。此外，陰極液供給流路及陰極液返回流路係使陰極液在槽51與陰極室12之間循環的「陰極液循環流路」之一例。

另外，步驟S20中，亦可藉由調溫器53a將陽極液之溫度調整在指定的溫度範圍內。同樣地，亦可藉由調溫器53b將陰極液調整在指定的溫度範圍內。此等溫度範圍之具體值並非特別限定者，不過舉出一例時，可使用30℃以上，70℃以下之範圍，更具體而言，可使用40℃以上，60℃以下之範圍。

採用本實施形態時，由於各個鍍覆模組400備有複數個鍍覆槽10，且各個鍍覆模組400中形成陽極液在複數個鍍覆槽10之陽極室11與槽50之間循環，而陰極液在複數個鍍覆槽10之陰極室12與槽51之間循環的構成，因此1個鍍覆模組400中之陽極液及陰極液的循環，係與其他鍍覆模組400中之陽極液及陰極液的循環獨立地進行。藉此，可與其他鍍覆模組400獨立地進行一部分鍍覆模組400之維護。具體而言，例如可在其他鍍覆模組400中執行對基板Wf之鍍覆處理中，進行一部分鍍覆模組400的維護。

另外，在步驟S20執行中，亦可藉由調整閥門75f、75g、75h、75i，來調整＃1～＃4之鍍覆槽10的陽極室11之壓力。舉出其一例時，例如亦可以將＃1～＃4之鍍覆槽10的陽極室11之壓力分別形成與＃1～＃4之鍍覆槽10的陰極室12之壓力相同值的方式，來調整閥門75f、75g、75h、75i。

具體而言，例如藉由使閥門75f之閥門開度減少，而使通過閥門75f之陽極液的流量減少，可使＃1之鍍覆槽10的陽極室11之壓力上升。另外，藉由使閥門75f之閥門開度增加而使通過閥門75f之陽極液的流量增加，可使＃1之鍍覆槽10的陽極室11之壓力降低。如此，藉由在0％～100％之範圍內調整閥門75f之閥門開度，可調整＃1之鍍覆槽10的陽極室11之壓力。藉此，可將＃1之鍍覆槽10的陽極室11之壓力形成與陰極室12之壓力相同值。

同樣地，藉由調整閥門75g之閥門開度，來調整＃2之鍍覆槽10的陽極室11之壓力，可將該陽極室11之壓力形成與陰極室12的壓力相同值。此外，藉由調整閥門75h之閥門開度，來調整＃3之鍍覆槽10的陽極室11之壓力，可將該陽極室11之壓力形成與陰極室12的壓力相同值。此外，藉由調整閥門75i之閥門開度，來調整＃4之鍍覆槽10的陽極室11之壓力，可將該陽極室11之壓力形成與陰極室12的壓力相同值。

另外，＃1～＃4之鍍覆槽10的陽極室11之壓力例如可依據壓力計80a之檢測結果而取得。此外，＃1～＃4之鍍覆槽10的陰極室12之壓力例如可依據壓力計80b之檢測結果而取得。 ＜＜藥液準備處理＞＞

繼續，說明圖5之步驟S10的藥液準備處理。步驟S10係在對基板Wf執行鍍覆處理之前執行。具體而言，本實施形態之步驟S10係在步驟S20之前執行。圖6係用於詳細說明藥液準備處理之流程圖。 （陽極液、陰極液回收步驟（步驟S10a））

在藥液準備處理中，首先，執行將殘留於複數個鍍覆槽10之陽極室11的陽極液返回連通於陽極室11之槽50的「陽極液回收步驟」。此外，執行將殘留於複數個鍍覆槽10之陰極室12的陰極液返回連通於陰極室12之槽51的「陰極液回收步驟」。

具體而言，陽極液回收步驟中，在使泵浦52a停止之狀態下，藉由將閥門75f、75g、75h、75i形成開閥狀態，使各個陽極室11之陽極液在流路70b1、70b2、70b3、70b4中流通，而返回槽50（回收）。另外，此時，陽極室11之陽極液係利用重力返回槽50。

此外，陰極液回收步驟中，在使泵浦52b停止狀態下，藉由使流路70e1、70e2、70e3、70e4與陰極室12變成連通狀態之方式切換流路切換閥77a、77b、77c、77d，使各個陰極室12之陰極液在流路70e1、70e2、70e3、70e4中流通而返回槽51（回收）。另外，此時，陰極室12之陰極液係利用重力返回槽51。

此外，本實施形態中，陽極液回收步驟亦可在殘留於陽極室11之陽極液低於陽極室11之容積的10％，並宜低於5％，更宜低於1％之前執行。同樣地，本實施形態中，陰極液回收步驟亦可在殘留於陰極室12之陰極液低於陰極室12之容積的10％，並宜低於5％，更宜低於1％之前執行。

具體而言，本實施形態中，陽極液回收步驟亦可在預設之指定時間內執行。該指定時間例如可預先進行實驗、模擬等來設定殘留於陽極室11之陽極液低於陽極室11之容積的10％，並宜低於5％，更宜低於1％之時間。

同樣地，本實施形態中，陰極液回收步驟亦可在預設之指定時間內執行。該指定時間例如可預先進行實驗、模擬等來設定殘留於陰極室12之陰極液低於陰極室12之容積的10％，並宜低於5％，更宜低於1％之時間。 （陽極、陰極液面水平判定步驟（步驟S10b））

接著，亦可執行判定貯存於槽50之陽極液的液面水平是否超過預設之指定水平的「陽極液面水平判定步驟」；與判定貯存於槽51之陰極液的液面水平是否超過預設之指定水平的「陰極液面水平判定步驟」。另外，槽50之陽極液的液面水平例如可依據液面水平檢測器81a而取得。槽51之陰極液的液面水平例如可依據液面水平檢測器81b之檢測結果而取得。

槽50之陽極液的「指定水平」之具體值並非特別限定者，不過，例如可使用以陽極液裝滿陽極室11，且陽極液可在槽50與陽極室11之間循環的最低限度之超過液面水平的值。

同樣地，槽51之陰極液的「指定水平」之具體值並非特別限定者，不過，例如可使用以陰極液裝滿陰極室12，且陰極液可在槽51與陰極室12之間循環的最低限度之超過液面水平的值。另外，判定槽50之陽極液的液面水平之基準值的「指定水平」、與判定槽51之陰極液的液面水平之基準值的「指定水平」亦可係相同值，亦可係不同值。 （陽極液、陰極液補充步驟（步驟S10c））

貯存於槽50之陽極液的液面水平未達指定水平情況下，宜以使貯存於槽50之陽極液的液面水平超過指定水平之方式，執行在槽50中補充陽極液之「陽極液補充步驟」。此外，貯存於槽51之陰極液的液面水平未達指定水平情況下，宜以使貯存於槽51之陰極液的液面水平超過指定水平之方式，執行在槽51中補充陰極液之「陰極液補充步驟」。

具體而言，在前述步驟S10b之陽極液面水平判定步驟中，並非判定為貯存於槽50之陽極液的液面水平超過指定水平時（陽極液之液面水平未達指定水平時），在步驟S10c之陽極液補充步驟中，從陽極液供給裝置57a供給陽極液，並且將閥門75l形成開閥狀態。藉此，從陽極液供給裝置57a供給之陽極液在流路70g1中流通而補充至槽50。該處理係執行至貯存於槽50之陽極液的液面水平超過指定水平。

同樣地，在前述步驟S10b之陰極液面水平判定步驟中，並非判定為貯存於槽51之陰極液的液面水平超過指定水平時（陰極液之液面水平未達指定水平時），在步驟S10c之陰極液補充步驟中，從陰極液供給裝置57b供給陰極液，並且將閥門75m形成開閥狀態。藉此，從陰極液供給裝置57b供給之陰極液在流路70g2中流通而補充至槽51。該處理係執行至貯存於槽51之陰極液的液面水平超過指定水平。 （陰極旁路循環步驟（步驟S10d））

步驟S10b之判定結果，貯存於槽51之陰極液的液面水平超過指定水平時，宜執行使貯存於槽51之陰極液旁路流通於陰極室12後返回槽51的「陰極旁路循環步驟」。另外，本實施形態之步驟S10d至少在後述的步驟S10f之前執行（圖6中，進一步在後述的步驟S10e之前執行）。

具體而言，在步驟S10d中，使泵浦52b運轉，並且將閥門75j形成開閥狀態，將其他閥門形成關閥狀態，且以流路70c1、70c2、70c3、70c4與流路70e1、70e2、70e3、70e4連通之方式切換流路切換閥77a、77b、77c、77d。

藉此，貯存於槽51之陰極液在流路70c中流通，繼續在調溫器53b、過濾器54中流通。而後，在該過濾器54中流通之陰極液於在流路70c1、70c2、70c3、70c4中流通後，繼續在流路70e1、70e2、70e3、70e4中流通（亦即，旁通於陰極室12）並返回槽51。另外，本實施形態之步驟S10d係在預設之指定時間執行。

另外，流路70c、70c1、70c2、70c3、70c4、70e1、70e2、70e3、70e4係用於使貯存於槽51之陰極液旁路流通於陰極室12後返回槽51的「陰極液旁路流路」之一例。

此外，步驟S10d中，調溫器53b亦可在指定之溫度範圍內調整在流路中流通之陰極液的溫度。該溫度範圍之具體值並非特別限定者，不過舉出一例時，可使用30℃以上，70℃以下之範圍，更具體而言，可使用40℃以上，60℃以下之範圍。

採用本實施形態時，在步驟S10d之陰極旁路循環步驟中，於陰極液流通期間，可使陰極液中所含之氣泡量減少。藉此，在其後進行之後述步驟S10f的陰極液在槽51與陰極室12之間循環時，可使供給至陰極室12之陰極液中所含的氣泡量減少。藉此，例如可抑制大量氣泡附著於離子抵抗體14。 （陽極液循環步驟（步驟S10e））

接著，在步驟S10e中，執行使陽極液在槽50與陽極室11之間循環的「陽極液循環步驟」。藉此，可以陽極液裝滿陽極室11。

具體而言，在步驟S10e中，使泵浦52a運轉，並且將閥門75a、75b、75c、75d、75e、75f、75g、75h、75i形成開閥狀態，並將其他閥門形成關閥狀態。藉此，槽50之陽極液在流路70a中流通，並在調溫器53a中流通後，繼續在流路70a1、70a2、70a3、70a4中流通而流入各個陽極室11。在陽極室11中流通之陽極液在流路70b1、70b2、70b3、70b4中流通而返回槽50。

此外，步驟S10e至少在步驟S10a結束後執行。具體而言，本實施形態之步驟S10e係在步驟S10a結束後，且在步驟S10b中，判定為貯存於槽50之陽極液的液面水平超過指定水平時執行，更具體而言，進一步在步驟S10d結束後執行。

在步驟S10e中，調溫器53a亦可將從槽50朝向陽極室11流通之陽極液的溫度調整在指定的溫度範圍內。該溫度範圍之具體值並非特別限定者，不過舉出一例時，可使用30℃以上，70℃以下之範圍，更具體而言，可使用40℃以上，60℃以下之範圍。採用該構成時，可早期將從槽50朝向陽極室11流通之陽極液的溫度保持在指定的溫度範圍內。 （陰極液循環步驟（步驟S10f））

步驟S10a結束後（將殘留於陰極室12之陰極液返回槽51後），且在開始進行步驟S10e之陽極液循環步驟後，在步驟S10f中執行使陰極液在槽51與陰極室12之間循環的「陰極液循環步驟」。藉此，可以陰極液裝滿陰極室12。

具體而言，在步驟S10f中，使泵浦52b運轉，並且控制閥門75j為開閥狀態，其他閥門形成關閥狀態，並以在流路70c1、70c2、70c3、70c4中流通之陰極液流入陰極室12之方式切換流路切換閥77a、77b、77c、77d。

藉此，貯存於槽51之陰極液在流路70c中流通，繼續在調溫器53b及過濾器54中流通。流經該過濾器54之陰極液繼續流經流路70c1、70c2、70c3、70c4後，流入各個陰極室12。流經陰極室12之陰極液（具體而言，係從陰極室12溢流而流入溢流槽19之陰極液）在流路70d1、70d2、70d3、70d4中流通並返回槽51。

在步驟S10f中，調溫器53b亦可將從槽51朝向陰極室12流通之陰極液的溫度調整成指定之溫度範圍內。該溫度範圍之具體值並非特別限定者，不過舉出一例時，可使用30℃以上，70℃以下之範圍，更具體而言，可使用40℃以上，60℃以下之範圍。採用該構成時，可早期將從槽51朝向陰極室12流通之陰極液的溫度保持在指定的溫度範圍內。

此外，步驟S10f亦可在開始步驟S10e之後開始，例如，亦可在步驟S10f執行中繼續執行步驟S10e。換言之，開始步驟S10e之陽極液循環步驟，在執行該陽極液循環步驟期間，開始執行步驟S10f之陰極液循環步驟，然後，亦可一起執行陽極液循環步驟與陰極液循環步驟。

此外，步驟S10f宜在開始步驟S10e之後，且以陽極液裝滿陽極室11之後開始。具體而言，此時，例如亦可在開始步驟S10e後經過預設之指定時間後開始步驟S10f。該指定時間例如預先求出以陽極液裝滿陽極室11的足夠時間，可使用如此求出之時間。

另外，例如亦可在執行步驟S10f中，於槽51中補充鍍覆添加劑（此稱為「添加劑補充步驟」）。具體而言，在該添加劑補充步驟中，使添加劑供給裝置57c開始供給鍍覆添加劑，並且控制閥門75n為開閥狀態。藉此，從添加劑供給裝置57c供給之鍍覆添加劑在流路70g3中流通而補充至槽51。

此外，例如亦可在執行步驟S10f中，除了上述的添加劑補充步驟之外，或是取代添加劑補充步驟，而在槽51中補充金屬離子（此稱為「金屬離子補充步驟」）。具體而言，在該金屬離子補充步驟中，使金屬離子供給裝置57d開始供給含有金屬離子之溶液，並且控制閥門75o為開閥狀態。藉此，從金屬離子供給裝置57d供給之含有金屬離子的溶液在流路70g4中流通而補充至槽51。

採用如以上說明之本實施形態時，在步驟S10之藥液準備處理中，由於陽極液在槽50與陽極室11之間循環（陽極液循環步驟），比陰極液在槽51與陰極室12之間循環（陰極液循環步驟）先開始，因此可使陽極室11之壓力上升比陰極室12的壓力上升先開始。藉此，例如與陰極液循環步驟比陽極液循環步驟先開始，陰極室12之壓力上升比陽極室11的壓力上升先開始時比較，可抑制配置於鍍覆槽10內部之膜40藉由陰極室12之壓力而向下方變形。

以上，詳述了本發明之實施形態，不過本發明並非限定於該特定之實施形態者，在申請專利範圍記載之本發明的範圍內可進一步作各種修改、變更。

10:鍍覆槽 10a:底壁 10b:外周壁 11:陽極室 12:陰極室 13:陽極 14:離子抵抗體 15:貫穿孔 16a:陽極室用供給口 16b:陽極室用排出口 17:供給‧排放口 18:溢流槽用排出口 19:溢流槽 20:基板固持器 22:旋轉機構 24:升降機構 26:支柱 40:膜 41:傾斜部位 50,51:槽 52a,52b:泵浦 53a,53b:調溫器 54:過濾器 57a:陽極液供給裝置 57b:陰極液供給裝置 57c:添加劑供給裝置 57d:金屬離子供給裝置 70a~70g4:流路 75a～75o:閥門 77a,77b,77c,77d:流路切換閥 70a1～70a4,70b1～70b4,70c1～70c4,70d1～70d4,70e1～70e4:流路 80a,80b:壓力計 801:處理器 802:記憶裝置 81a,81b:液面水平檢測器 400:鍍覆模組 1000:鍍覆裝置 Ps:鍍覆液（陽極液、陰極液） Wf:基板

圖1係顯示本案實施形態之鍍覆裝置的整體構成之立體圖。 圖2係顯示本案實施形態之鍍覆裝置的整體構成之俯視圖。 圖3係模式顯示本案實施形態之鍍覆模組的1個鍍覆槽之周邊構成圖。 圖4係顯示本案實施形態之1個鍍覆模組的液體流通構成之模式圖。 圖5係用於說明本案實施形態之鍍覆模組中液體的流通樣態之一例流程圖。 圖6係用於詳細說明本案實施形態之藥液準備處理的流程圖。

Claims (7)

1. 一種鍍覆裝置之維護方法，係包含： 讓殘留於在鍍覆槽內部劃分成比膜下方之陽極室的陽極液，返回用於貯存陽極液之陽極液槽； 讓殘留於在前述鍍覆槽內部劃分成比前述膜上方之陰極室的陰極液，返回用於貯存陰極液之陰極液槽； 讓殘留於前述陽極室之陽極液返回前述陽極液槽後，使陽極液在前述陽極液槽與前述陽極室之間循環；及 讓殘留於前述陰極室之陰極液返回前述陰極液槽後，並在陽極液開始在前述陽極液槽與前述陽極室之間循環後，使陰極液在前述陰極液槽與前述陰極室之間循環。
2. 如請求項1的鍍覆裝置之維護方法，其中進一步包含: 當貯存於前述陽極液槽之陽極液的液面水平未達預設之指定水平時，以貯存於前述陽極液槽之陽極液的液面水平超過該指定水平之方式，將從陽極液供給裝置所供給之陽極液補充至前述陽極液槽。
3. 如請求項2的鍍覆裝置之維護方法，其中使陽極液在前述陽極液槽與前述陽極室之間循環，係在殘留於前述陽極室之陽極液返回前述陽極液槽之後，且貯存於前述陽極液槽之陽極液的液面水平超過前述指定水平時執行。
4. 如請求項1的鍍覆裝置之維護方法，其中進一步包含: 當貯存於前述陰極液槽之陰極液的液面水平未達預設之指定水平時，以貯存於前述陰極液槽之陰極液的液面水平超過該指定水平之方式，將從陰極液供給裝置所供給之陰極液補充至前述陰極液槽。
5. 如請求項4的鍍覆裝置之維護方法，其中進一步包含:　當貯存於前述陰極液槽之陰極液的液面水平超過前述指定水平時，在使陰極液在前述陰極液槽與前述陰極室之間循環之前，使貯存於前述陰極液槽之陰極液旁路流通前述陰極室後，返回前述陰極液槽。
6. 如請求項1的鍍覆裝置之維護方法，其中包含:　使陽極液在前述陽極液槽與前述陽極室之間循環時，藉由調溫器將從前述陽極液槽朝向前述陽極室流通之陽極液的溫度調整至指定的溫度範圍內。
7. 如請求項1的鍍覆裝置之維護方法，其中包含:　使陰極液在前述陰極液槽與前述陰極室之間循環時，藉由調溫器將從前述陰極液槽朝向前述陰極室而流通之陰極液的溫度調整至指定之溫度範圍內。

Images