TWI867551B - 可調整間距的巨量轉移電子元件的方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其步驟包括：提供一第一基板，包含一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列，其中，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0；提供一第二基板，並將該第二基板設置於該第一基板下方；以及將位在該第一基板的該等電子元件全部或部分轉移至該第二基板，並在該第二基板的該第二上表面形成一第二電子元件陣列，且該第二電子元件陣列之行距、列距分別為X2、Y2，X2、Y2>0，且X1≠X2及/或Y1≠Y2。

Description

可調整間距的巨量轉移電子元件的方法

本發明是關於一種巨量轉移電子元件的方法，且特別是關於一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

發光二極體具備主動發光、高亮度、節省能源等優點，因此已經廣泛地被應用於照明、顯示器、投影機等技術領域中，且微發光二極體顯示器(Micro LED display)已逐漸成為新一代的顯示技術。惟，一個高密度(FHD：Full High Density)的顯示器具有1920行*1080列大約200萬個畫素，每一個畫素還要再分為紅、綠、藍三個次畫素(Sub pixel)，因此一個高密度發光二極體顯示器(FHD LED Display)總共有大約600萬個LED晶粒(Die)，要將600萬個晶粒切割後黏貼在顯示器面板的基板上，其關鍵技術在於如何將巨量之微型發光二極體精確地轉移至顯示器面板的基板上並加以固定接合。

圖1A~1D的俯視圖所繪示的是一種習知巨量轉移電子元件的方法，其步驟包括：提供一如圖1A所示的暫時基板10，該暫時基板具有相對的第一上表面10A與第一下表面10B，且該第一上表面10A形成有複數電子元件12，且該等電子元件12彼此間隔排列，形成一電子元件矩陣(未標示)，且該電子元件矩陣之行距與列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0，其中，該暫時基板10為一熱解膠膜或一光解膠膜；提供一如圖1B所示的目標基板20，該目標基板20具有相對 的第二上表面20A與第二下表面20B，然後將該暫時基板10設置於該目標基板20上方，使該暫時基板10的第一上表面10A面向該目標基板20的第二上表面20A；然後，提供一具第一波長的光(未繪示)於該暫時基板10上方，並使該具第一波長的光沿照射該暫時基板20使其被熱解或光解而失去黏性，並使該等電子元件12如圖1C所示般全部被剝離並接合於該目標基板20的第二上表面20A。利用此習知巨量轉移電子元件的方法，雖可將複數電子元件12迅速地自暫時基板的第一上表面10A巨量轉移至目標基板20的第二上表面20A，不過如圖1D所示，位在該第二上表面20A的該等電子元件12所形成的電子元件矩陣(未標示)，其行距與列距仍為X1、Y1，無法視需要調整電子元件之間的間距，使其應用受到相當大的限制。

有鑑於此，一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法乃業界所殷切期盼。

本發明揭示一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其步驟包括：提供一第一基板，該第一基板具有相對的第一上表面與第一下表面，其中該第一基板的該第一上表面具有複數個電子元件，且該等電子元件分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列，其中，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0；提供一第二基板，並將該第二基板設置於該第一基板下方，該第二基板具有相對的第二上表面與第二下表面，且該第一基板的該第一上表面面向該第二基板的該第二上表面；以及將位在該第一基板的該等電子元件全部或部分轉 移至該第二基板，並在該第二基板的該第二上表面形成一第二電子元件陣列，且該第二電子元件陣列之行距、列距分別為X2、Y2，X2、Y2>0，且X1≠X2，Y1≠Y2。

如前所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列的形成步驟，包括：提供一具第一波長的第一光於該第一基板上方，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第K列的該電子元件所在的該第一基板使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第K列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，然後使該第一基板相對於該第二基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第K列的該電子元件所在的該第一基板使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第K列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，其中J、K、X2均為自然數，且1

J

(M-1)，1

K

(N-1)；以及當該第一電子元件陣列的第K列的該等電子元件全部或部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，先使該第一基板重新對準該第二基板，再使該第一基板相對於該第二基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第(K+1)列的該電子元件所在的該第一基板使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第(K+1)列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，然後再使該第一基板相對於該第二基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件所在的該第一基板使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，其中Y2為自然數；其中，當位在該第一基板的該等電子元件全 部或部分被選擇性剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，便可在該第二基板的該第二上表面形成該第二電子元件陣列。

如前所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列的形成步驟，包括：提供一具第一波長的第一光於該第一基板上方，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第K列的該電子元件所在的該第一基板使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第K列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，然後使該第一基板相對於該第二基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第(K+1)列的該電子元件所在的該第一基板使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第(K+1)列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，其中J、K、Y2均為自然數，且1

J

(M-1)，1

K

(N-1)；以及當該第一電子元件陣列的第J行的該等電子元件全部或部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，先使該第一基板重新對準該第二基板，再使該第一基板相對於該第二基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第K列的該電子元件所在的該第一基板使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第K列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，然後再使該第一基板相對於該第二基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件所在的該第一基板使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，其中X2為自然數；其中，當位在該第一基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，便可在該第二基板的該第二上表面形成該第二電子元件陣列。

如前所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一熱解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一光解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等電子元件為選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組，其中該等發光二極體所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光；其中該等雷射二極體的波長介於390奈米至1700奈米；其中該等半導體元件為選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

本發明揭示另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其步驟包括：提供一第一基板，該第一基板具有相對的第一上表面與第一下表面，其中該第一基板的該第一上表面具有複數個電子元件，且該等電子元件分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列，其中，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0；提供一第二基板，並將該第二基板設置於該第一基板下方，該第二基板具有相對的第二上表面與第二下表面，且該第一基板的該第一上表面面向該第二基板的該第二上表面；以及將位在該第一基板的該等電子元件全部或部分轉移至該第二基板，並在該第二基板形成一第二電子元件陣列，且該第二電子元件陣列之行距與列距分別為X1、Y2或X2、Y1，其中X2、Y2>0，且X1≠X2，Y1≠Y2。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之行距與列距分別為X1、Y2，且該第二電子元件陣列的形成步驟，包括：提供一具第一波長的第一光於該第一基板上方，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第K列的該等電子元件所在的該第一基板，使其熱解或光解而失去黏性，並使第K列的該等電子元件全部被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面；以及使該第一基板相對於該第二基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(K+1)列的該等電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(K+1)列的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，K為自然數，且1

K

(N-1)；其中，當位在該第一基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，便可在該第二基板形成該第二電子元件陣列。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，且更包括下列步驟：提供一第三基板，並將該第三基板設置於該第二基板下方，該第三基板具有相對的第三上表面與第三下表面，且該第二基板的該第二上表面面向該第三基板的該第三上表面；以及將位在該第二基板的該等電子元件全部或部分轉移至該第三基板，並在該第三基板形成一個第三電子元件陣列，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第三電子元件陣列的形成步驟，包括：提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，並使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第J行的該等電子元件所在的該第二基板，使該第二基板被熱解或光解失去黏性，並使第J行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第三基板的該第三上表面；以及使該第二基板相對於該第三基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，然後使該具 第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第(J+1)行的該等電子元件所在的該第二基板，使該第二基板被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第三基板的該第三上表面，J為自然數，且1

J

(M-1)；其中，當位在該第二基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第三基板的該第三上表面後，便可在該第三基板形成該第三電子元件陣列。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y1，且該第二電子元件陣列的形成步驟，包括：提供一具第一波長的第一光於該第一基板上方，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行的該等電子元件所在的該第一基板，使其熱解或光解而失去黏性，並使第J行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面；以及使該第一基板相對於該第二基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行的該等電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A，J為自然數，且1

J

(M-1)；其中，當位在該第一基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，便可在該第二基板形成該第二電子元件陣列。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，且更包括下列步驟：提供一第三基板，並將該第三基板設置於該第二基板下方，該第三基板具有相對的第三上表面與第三下表面，且該第二基板的該第二上表面面向該第三基板的該第三上表面；以及將位在該第二基板的該等電子元件全部或部分轉移至該第三基板，並在該第三基板形成一第三電子元件陣列，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第三電子元件陣列的形成步驟，包括：提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，並使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第K列的該等電子元件所在的該第二基板，使該第二基板被熱解或光解失去黏性，並使第J行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第三基板的該第三上表面；以及使該第二基板相對於該第三基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，然後使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第(K+1)列的該等電子元件所在的該第二基板，使該第二基板被熱解或光解而失去黏性，並使第(K+1)列的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第三基板的該第三上表面，K為自然數，且1

K

(N-1)；其中，當位在該第二基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第三基板的該第三上表面後，便可在該第三基板形成該第三電子元件陣列。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一熱解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一光解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二基板為一熱解膠膜，且該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二基板為一光解膠膜，且該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等電子元件為選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組，其中該等發光二極體所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光；其中該等雷射二極體的波長介於390奈米至1700奈米；其中該等半導體元件為選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

本發明揭示再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其步驟包括：提供一第一基板，該第一基板具有相對的第一上表面與第一下表面，其中該第一基板的該第一上表面具有複數個電子元件(1211~12NM)，且該等電子元件分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列，其中，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0；提供一第二基板，並將該第二基板設置於該第一基板下方，該第二基板具有相對的第二上表面與第二下表面，且該第一基板的該第一上表面面向該第二基板的該第二上表面；以及將位在該第一基板的該等電子元件轉移至該第二基板，並在該第二基板的該第二上表面形成一個由P行電子元件乘以Q列電子元件排列所形成的第二電子元件陣列，其中P、Q為大於1的自然數，P≠M及/或Q≠N。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之列距為Y2，Y2>0且Y1≠Y2。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之形成步驟，包括：將位在該第一基板的第R1列的該等電子元件作為該第一基板沿該第一軸方向的一第一基準線，將位在該第二基板的第R2列的該等電子元件作為該第二基板沿該第一軸方向的一第二基準線，並使 該第一基準線對準該第二基準線；以及提供一具第一波長的第一光於該第一基板上方，使該具第一波長的第一光照射位在該第一電子元件陣列的第N1列的該或該等電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使位在該第一基板的第N1列的該或該等電子元件被選擇性剝離，並接合至該第二基板的該第二上表面，使其位在第二電子元件陣列的第N2列，其中R1、R2、N1、N2為自然數，N1

N，N2

Q，且1

R1

N1，1

R2

N2；其中，當位在該第一基板的該第一電子元件陣列的第N1列的該或該等電子元件被轉移至該第二基板的該第二電子元件陣列的第N2列時，其沿該第二軸方向的相對移動距離為[(N2-R2)*Y2-(N1-R1)*Y1]。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，且更包括下列步驟：提供一第三基板，並將該第三基板設置於該第二基板下方，該第三基板具有相對的第三上表面與第三下表面，且該第二基板的該第二上表面面向該第三基板的該第三上表面；以及將位在該第二基板的該第二電子元件陣列轉移至該第三基板，並在該第三基板形成一個由U行電子元件乘以V列電子元件排列所形成的第三電子元件陣列，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2，其中U、V為大於1的自然數。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第三電子元件陣列之形成步驟，包括：將位在該第二基板的第S1行的該等電子元件作為該第二基板沿該第二軸方向的一第三基準線，將位在該第三基板的第S2行的該等電子元件作為該第三基板沿該第二軸方向的一第四基準線，並使該第三基準線對準該第四基準線；以及提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，使該具第二波長的第二光照射位在該第二電子元件陣列的第M1行的該或該等電子元件所在的該第二基板，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第二基板的第M1行的該或該等電子元件被選擇性剝離，並接合至該第三基板的該 第三上表面，使其位在第三電子元件陣列的第M2列，其中S1、S2、M1、M2為自然數，M1

M，M2

U，且1

S1

M1，1

S2

M2；其中，當位在該第二基板的該第二電子元件陣列的第M1行的該或該等電子元件被轉移至該第三基板的該第三電子元件陣列的第M2行時，其沿該第一軸方向的相對移動距離為[(M2-S2)*X2-(M1-S1)*X1]。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之行距為X2，X2>0且X1≠X2。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之形成步驟，包括：將位在該第一基板的第S1行的該等電子元件作為該第一基板沿該第二軸方向的一第一基準線，將位在該第二基板的第S2行的該等電子元件作為該第二基板沿該第二軸方向的一第二基準線，並使該第一基準線對準該第二基準線；以及提供一具第一波長的第一光於該第一基板上方，使該具第一波長的第一光照射位在該第一電子元件陣列的第M1行的該或該等電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第一基板的第M1行的該或該等電子元件被選擇性剝離，並接合至該第二基板的該第二上表面，使其位在第二電子元件陣列的第M2列，其中S1、S2、M1、M2為自然數，M1

M，M2

P，且1

S1

M1，1

S2

M2；其中，當位在該第一基板的該第一電子元件陣列的第M1行的該或該等電子元件被轉移至該第二基板的該第二電子元件陣列的第M2行時，其沿該第一軸方向的相對移動距離為[(M2-S2)*X2-(M1-S1)*X1]。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，且更包括下列步驟：提供一第三基板，並將該第三基板設置於該第二基板下方，該第三基板具有相對的第三上表面與第三下表面，且該第二基板的該第二上表面面向該第三基板的該第三上表面；以及將位在該第二基板的該第二電子元件陣列 轉移至該第三基板，並在該第三基板形成一個由U行電子元件乘以V列電子元件排列所形成的第三電子元件陣列，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2，其中U、V為大於1的自然數。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第三電子元件陣列之形成步驟，包括：將位在該第二基板的第R1列的該等電子元件作為該第二基板沿該第一軸方向的一第三基準線，將位在該第三基板的第R2列的該等電子元件作為該第三基板沿該第一軸方向的一第四基準線，並使該第三基準線對準該第四基準線；以及提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，使該具第二波長的第二光照射位在該第二電子元件陣列的第N1列的該或該等電子元件所在的該第二基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使位在該第二基板的第N1列的該或該等電子元件被選擇性剝離，並接合至該第三基板的該第三上表面，使其位在第三電子元件陣列的第N2列，其中R1、R2、N1、N2為自然數，N1

N，N2

V，且1

R1

N1，1

R2

N2；其中，當位在該第二基板的該第二電子元件陣列的第N1列的該或該等電子元件被轉移至該第三基板的該第三電子元件陣列的第N2列時，其沿該第二軸方向的相對移動距離為[(N2-R2)*Y2-(N1-R1)*Y1]。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一熱解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一光解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二基板為一熱解膠膜，且該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二基板(200)為一光解膠膜，且該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等電子元件為選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等發光二極體所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等雷射二極體的波長介於390奈米至1700奈米。

如前所述的再一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等半導體元件為選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

10:暫時基板

10A:第一上表面

10B:第一下表面

12:電子元件

20:目標基板

20A:第二上表面

20B:第二下表面

100:第一基板

100A:第一上表面

100B:第一下表面

110、110’:第一基準線

1211~121J、121M、1221~122J、122M、12K1~12KJ、12KM、12N1~12NJ、12NM、12(N1)1~12(N1)J、12(N1)M、121(M1)~12N(M1)、121(M1)~12K(M1)、12N(M1):電子元件

2211~221(j)、221(M2)~22k(M2)、22Q(M2)、221P~22kP、2221~222(j)、222P、22(N2)1~22(N2)j、22(N2)P、22Q1~22Q(J)、22QP:電子元件

3211~321(M2)、321U~32(N2)U、3221~322(M2)、322U、32k1~32k(M2)、32kU、32V1~32V(M2)、3211~321J、321U、33221~322j、322U、2(N2)1~32(N2)j、32(N2)U、32Vj、32VU:電子元件

200:第二基板

200A:第二上表面

200B:第二下表面

210、210’:第二基準線

300:第三基板

300A:第三上表面

300B:第三下表面

210、210’:第二基準線

250、250’:第三基準線

350、350’:第四基準線

圖1A~1D俯視圖所繪示的是習知一種巨量轉移電子元件的方法。

圖2A~2H俯視圖是根據本發明實施例一所繪示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

圖2A’~2E’俯視圖是根據本發明實施例二所繪示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

圖3A~3I俯視圖是根據本發明實施例三所繪示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

圖3A’~3H’俯視圖是根據本發明實施例四所繪示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

圖4A~4E俯視圖是根據本發明實施例五所繪示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

圖4A’~4E’俯視圖是根據本發明實施例六所繪示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

為了使本發明揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發明的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本發明具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。

在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明之實施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。

實施例

實施例一

以下將參照圖2A~2H俯視圖詳細說明本實施例一所揭示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

首先，請參閱圖2A。如圖2A所示，提供一第一基板100，該第一基板100具有相對的第一上表面100A與第一下表面100B，其中該第一基板100的該第一上表面100A具有複數個電子元件1211~12NM，且該等電子元件 1211~12NM分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列(未標示)，其中，該第一基板100為一熱解膠膜或一光解膠膜，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0。本實施例一是以第一軸方向為X軸方向，第二軸方向為Y軸方向作為例示說明，惟在根據本發明的其它實施例中，也可視需要選擇第一軸方向為Y軸方向，第二軸方向為X軸方向。

本實施例一的該等電子元件1211~12NM為例如但不限於選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。其中，該等發光二極體為例如但不限於所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光；該等雷射二極體的波長為例如但不限於介於390奈米至1700奈米；該等半導體元件為為例如但不限於選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

其次，請參照圖2B。提供一第二基板200，並將該第二基板200設置於該第一基板100下方，該第二基板200具有相對的第二上表面200A與第二下表面200B，且該第一基板100的該第一上表面100A面向該第二基板200的該第二上表面200A。

其次，請參照圖2B~2D。提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，該具第一波長的第一光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第K列的該電子元件12KJ所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第K列的該電子元件12KJ選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A，然後使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1) 行、第K列的該電子元件12(K+1)J所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第K列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A，其中J、K、X2均為自然數，X1≠X2，且1

J

(M-1)，1

K

(N-1)。本實施例一是以第K列的電子元件12K1~12KM全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第K列的電子元件12K1~12KM部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。

如圖2B所示，當J=1、K=1時，使該具第一波長的第一光沿第一軸方向(X軸方向)照射該第一電子元件陣列的第1行、第1列的電子元件1211所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第1行、第1列的電子元件1211選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。

接著，如圖2C~2D所示，使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第一軸方向(X軸方向)位移(X2-X1)的距離，使該具第一波長的第一光沿第一軸方向(X軸方向)照射該第一電子元件陣列的第2行、第1列的該電子元件所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第2行、第1列的電子元件1212選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。同理，第1列的其它電子元件1213~121M也可利用前述的相同方法，選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。

然後，請參照圖2E~2G。當該第一電子元件陣列的第K列的該等電子元件12K1~12KM被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，先使該第一基板100重新對準該第二基板200，其次再使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第二軸方向(Y軸方向)位移(Y2-Y1)的距離，Y2>0，且Y1≠Y2，然後再使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第(K+1)列的該電子元件12(K+1)J所在的該第一基板100，該具第一波長的第一光為 例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第(K+1)列的該電子元件12(K+1)K選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。然後，使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第一軸方向(X軸方向)位移(X2-X1)的距離，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件12(K+1)(J+1)所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件12(K+1)(J+1)選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A，其中Y2為自然數。當位在該第一基板100的該等電子元件1211~12NM被選擇性剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，便可在該第二基板200的該第二上表面200A形成一第二電子元件陣列(未標示)。本實施例一是以位在第一基板100的第一電子元件陣列(未標示)的電子元件1211~121M全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使位在第一基板100的第一電子元件陣列(未標示)的電子元件1211~121M部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。

如圖2E所示，當K=1時，且第1列的電子元件1213~121M被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，先使該第一基板100重新對準該第二基板200。其次，使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第二軸方向(Y軸方向)位移(Y2-Y1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第2列、第1行的電子元件1221所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第2列、第1行的電子元件1221選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。然後，如圖2F所示，使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第一軸方向(X軸方向)位移(X2-X1)的距離，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第2列、第2行的電子元件1222所 在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第2列、第2行的電子元件1222選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。同理，如圖2G所示，第3~M行的其它電子元件1223~122M也可利用前述的相同方法，選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。

如圖2H所示，當位在該第一基板100的該等電子元件1211~12NM利用上述方法被選擇性剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，便可在該第二基板200的該第二上表面200A形成該第二電子元件陣列(未標示)，且該第二電子元件陣列的行距、列距分別為X2、Y2。其中，當X2>X1時，即第二電子元件陣列的行距X2大於第一電子元件陣列的行距X1；當X2<X1時，即第二電子元件陣列的行距X2小於第一電子元件陣列的行距X1。此外，當Y2>Y1時，即第二電子元件陣列的列距Y2大於第一電子元件陣列的列距Y1；當Y2<Y1時，即第二電子元件陣列的列距Y2小於第一電子元件陣列的列距Y1。

實施例二

以下將參照圖2A’~2E’俯視圖詳細說明本實施例二所揭示的另一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

首先，請參閱圖2A’。如圖2A’所示，提供一第一基板100，該第一基板具有相對的第一上表面100A與第一下表面100B，其中該第一基板100的該第一上表面100A具有複數個電子元件1211~12NM，且該等電子元件1211~12NM分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列(未標示)，其中，該第一基板100為一熱解膠膜或一光解膠膜，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0。本實施例一是以第一軸方向為X軸方向，第二軸方向為Y軸方向作為例示說明，惟在 根據本發明的其它實施例中，也可視需要選擇第一軸方向為Y軸方向，第二軸方向為X軸方向。

本實施例二的該等電子元件1211~12NM為例如但不限於選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。其中，該等發光二極體為例如但不限於所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光；該等雷射二極體的波長為例如但不限於介於390奈米至1700奈米；該等半導體元件為為例如但不限於選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

其次，請參照圖2B’。提供一第二基板200，並將該第二基板200設置於該第一基板100下方，該第二基板200具有相對的第二上表面200A與第二下表面200B，且該第一基板100的該第一上表面100A面向該第二基板200的該第二上表面200A。

其次，請參照圖2B’~2E’。提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第K列的該電子元件12KJ所在的該第一基板100，該具第一波長的第一光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第K列的該電子元件12KJ選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。然後，如圖2C’所示，先使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第二軸方向(Y軸方向)位移(Y2-Y1)的距離，Y2>0且Y1≠Y2，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第(K+1)列的該電子元件12(K+1)J所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第(K+1)列的該電子元件12(K+1)J選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面，其中J、K、Y2均為自然數，且 1

J

(M-1)，1

K

(N-1)。本實施例二是以第J行的電子元件121J~12NJ全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第J行的電子元件121J~12NJ部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。

如圖2B’所示，當J=1、K=1時，提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第1列、第1行的電子元件1211所在的該第一基板100，該具第一波長的第一光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第1列、第1行的電子元件1211選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。然後，如圖2C’所示，先使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第二軸方向(Y軸方向)位移(Y2-Y1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第2列、第1行的電子元件1221所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第2列、第1行的電子元件1221選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面。同理，第1行的其它電子元件1231~12N1也可利用前述的相同方法，選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。

然後，請參照圖2D’~2E’。當該第一電子元件陣列的第J行的該等電子元件121J~12NJ被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，先使該第一基板100重新對準該第二基板200，再使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第一軸方向(X軸方向)位移(X2-X1)的距離，X2>0且X1≠X2，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第K列的該電子元件12K(J+1)所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第K列的該電子元件12K(J+1)選擇性地被剝離並接合於 該第二基板200的該第二上表面200A。然後，再使該第一基板相對於該第二基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件12(K+1)(J+1)所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件12(K+1)(J+1)選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A，其中X2為自然數；其中，當位在該第一基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，便可在該第二基板200的該第二上表面200A形成該第二電子元件陣列(未標示)。

如圖2D’所示，當J=1、K=1時，且該第一電子元件陣列的第1行的該等電子元件1211~12N1被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，先使該第一基板100重新對準該第二基板200，再使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第一軸方向(X軸方向)位移(X2-X1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第2行、第1列的該電子元件1212所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第2行、第1列的該電子元件1212選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。然後，如圖2E’所示，先使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第二軸方向(Y軸方向)位移(Y2-Y1)的距離，再使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第2行、第2列的該電子元件1222所在的該第一基板100使其被熱解或光解而失去黏性，並使第2行、第2列的該電子元件1222選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。同理，第2行的其它電子元件1232~12N2也可利用前述的相同方法，選擇性地被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。

如圖2E’所示，當位在該第一基板100的該等電子元件1211~12NM利用上述方法被選擇性剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，便可在該第二基板200的該第二上表面200A形成該第二電子元件陣列(未標示)，且該第二電子元件陣列的行距、列距分別為X2、Y2。其中，當X2>X1時，即第二電子元件陣列的行距X2大於第一電子元件陣列的行距X1；當X2<X1時，即第二電子元件陣列的行距X2小於第一電子元件陣列的行距X1。其中，當Y2>Y1時，即第二電子元件陣列的列距Y2大於第一電子元件陣列的列距Y1；當Y2<Y1時，即第二電子元件陣列的列距Y2小於第一電子元件陣列的列距Y1。

實施例三

以下將參照圖3A~3I俯視圖詳細說明本實施例三所揭示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

首先，，請參閱圖3A。如圖3A所示，提供一第一基板100，該第一基板100具有相對的第一上表面100A與第一下表面100B，其中該第一基板100的該第一上表面100A具有複數個電子元件1211~12NM，且該等電子元件1211~12NM分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列(未標示)，其中，該第一基板100為一熱解膠膜或一光解膠膜，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0。本實施例一是以第一軸方向為X軸方向，第二軸方向為Y軸方向作為例示說明，惟在根據本發明的其它實施例中，也可視需要選擇第一軸方向為Y軸方向，第二軸方向為X軸方向。

本實施例三的該等電子元件1211~12NM為例如但不限於選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。其中，該等發光 二極體為例如但不限於所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光；該等雷射二極體的波長為例如但不限於介於390奈米至1700奈米；該等半導體元件為為例如但不限於選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

其次，請參照圖3B。提供一第二基板200，並將該第二基板200設置於該第一基板100下方，該第二基板200具有相對的第二上表面200A與第二下表面200B，且該第一基板100的該第一上表面100A面向該第二基板200的該第二上表面200A。其中，該第二基板200為一熱解膠膜或一光解膠膜。

其次，請參照圖3B~3D。提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，該具第一波長的第一光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第K列的該等電子元件12K1~12KM所在的該第一基板100，使其熱解或光解而失去黏性，並使第K列的該等電子元件全部被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。本實施例三是以第K列的電子元件12K1~12KM全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第K列的電子元件12K1~12KM部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。然後，使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第二軸方向(Y軸方向)位移(Y2-Y1)的距離，Y2>0且Y1≠Y2，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(K+1)列的該等電子元件12(K+1)1~12(K+1)M所在的該第一基板100，該具第一波長的第一光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(K+1)列的該等電子元件12(K+1)1~12(K+1)M全部或部分被剝離並接合於 該第二基板200的該第二上表面200A，K為自然數，且1

K

(N-1)，Y2>0，且Y1≠Y2。本實施例三是以第(K+1)列的電子元件12(K+1)1~12(K+1)M全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第(K+1)列的電子元件12(K+1)1~12(K+1)M部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。

如圖3B所示，當K=1時，提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，該具第一波長的第一光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第1列的該等電子元件1211~121M所在的該第一基板100，使其熱解或光解而失去黏性，並使第1列的該等電子元件1211~121M全部被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。本實施例三是以第1列的電子元件1211~121M全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第1列的電子元件1211~121M部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。接著，如圖3C所示，使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第二軸方向(Y軸方向)位移(Y2-Y1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第2列的該等電子元件1221~122M所在的該第一基板100，該具第一波長的第一光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第2列的該等電子元件1221~122M全部被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A，Y2>0，且Y1≠Y2。本實施例三是以第2列的電子元件12(21~122M全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第2列的電子元件1221~122M部分被選 擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。同理，如圖3D所示，第3~N列的其它電子元件1231~12NM也可利用前述的相同方法，選擇性地被全部或部分剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。

如圖3E所示，當位在該第一基板100的該等電子元件1211~12NM利用上述方法全部被選擇性剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，便可在該第二基板200的該第二上表面200A形成該第二電子元件陣列(未標示)，且該第二電子元件陣列之間的行距、列距分別為X1、Y2。其中，當Y2>Y1時，即第二電子元件陣列的列距大於第一電子元件陣列的列距；當Y2<Y1時，即第二電子元件陣列的列距小於第一電子元件陣列的列距。

如圖3F~3I所示，本實施例三更可將位在該第二基板200的該等電子元件1211~12NM進一部地全部或部分轉移至該第三基板300，並在該第三基板300形成一個第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2，且X1≠X2、Y1≠Y2。

如圖3F~3I所示，提供一第三基板300，並將該第三基板300設置於該第二基板200下方，該第三基板300具有相對的第三上表面300A與第三下表面300B，且該第二基板200的該第二上表面200A面向該第三基板300的該第三上表面300A。然後，提供一具第二波長的第二光於該第二基板200上方，並使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第J行的該等電子元件所在的該第二基板200，該具第二波長的第二光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，使該第二基板200被熱解或光解失去黏性，並使第J行的該等電子元件121J~12NJ全部被剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A。接著，使該第二基板200相對於該第三基板300沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，其中 X2>0，且X1≠X2，然後使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第(J+1)行的該等電子元件121(J+1)~12N(J+1)所在的該第二基板200，使該第二基板200被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行的該等電子元件121(J+1)~12N(J+1)全部或部分被剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A，J為自然數，且1

J

(M-1)。當位在該第二基板200的該等電子元件1211~12NM全部被選擇性剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A後，便可在該第三基板300形成一第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列(未標示)之行距與列距分別為X2、Y2。本實施例三是以第J行的該等電子元件121J~12NJ、第(J+1)行的該等電子元件121(J+1)~12N(J+1)全部被選擇性地剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第J行的該等電子元件121J~12NJ、第(J+1)行的該等電子元件121(J+1)~12N(J+1)部分被選擇性地剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A上。

如圖3F所示，當J=1時，提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，並使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第1行的該等電子元件所在的該第二基板200，該具第二波長的第二光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，使該第二基板200被熱解或光解失去黏性，並使第1行的該等電子元件1211~12N1全部或部分被剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A。

接著，如圖3G所示，使該第二基板200相對於該第三基板300沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，然後使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第2行的該等電子元件1212~12N2所在的該第二基板200，使該第二基板200被熱解或光解而失去黏性，並使第2行的該等電子元件1212~12N2全部或部分被剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A。

然後，如圖3H所示，使該第二基板200相對於該第三基板300沿該第一軸方向再度位移(X2-X1)的距離，然後使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第3行的該等電子元件1213~12N3所在的該第二基板200，使該第二基板200被熱解或光解而失去黏性，並使第3行的該等電子元件1213~12N3全部或部分被剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A。同理，第4行~第M行的其它電子元件1214~12NM也可利用前述的相同方法，選擇性地被剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A。

如圖3I所示，當位在該第二基板200的該等電子元件1211~12NM全部被選擇性剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A後，便可在該第三基板300形成一第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2。其中，當X2>X1時，即第三電子元件陣列的行距大於第二電子元件陣列的行距；當X2<X1時，即第三電子元件陣列的行距小於第二電子元件陣列的行距。

本實施例三是以位在第二基板200的第二電子陣列的該等電子元件1211~12NM全部被選擇性地剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使位在第二基板200的第二電子陣列的該等電子元件1211~12NM部分被選擇性地剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A上。

實施例四

以下將參照圖3A’~3H’俯視圖詳細說明本實施例四所揭示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

首先，，請參閱圖3A’。如圖3A’所示，提供一第一基板100，該第一基板100具有相對的第一上表面100A與第一下表面100B，其中該第一基板100 的該第一上表面100A具有複數個電子元件1211~12NM，且該等電子元件1211~12NM分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列(未標示)，其中，該第一基板100為一熱解膠膜或一光解膠膜，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0。本實施例一是以第一軸方向為X軸方向，第二軸方向為Y軸方向作為例示說明，惟在根據本發明的其它實施例中，也可視需要選擇第一軸方向為Y軸方向，第二軸方向為X軸方向。

本實施例四的該等電子元件1211~12NM為例如但不限於選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。其中，該等發光二極體為例如但不限於所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光；該等雷射二極體的波長為例如但不限於介於390奈米至1700奈米；該等半導體元件為為例如但不限於選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

其次，請參照圖3B’。提供一第二基板200，並將該第二基板200設置於該第一基板100下方，該第二基板200具有相對的第二上表面200A與第二下表面200B，且該第一基板100的該第一上表面100A面向該第二基板200的該第二上表面200A。其中，該第二基板200為一熱解膠膜或一光解膠膜。

其次，請參照圖3B’~3D’。提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，該具第一波長的第一光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，並使並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行的該等電子元件121J~12NJ所在的該第一基板100，使其熱解或光解而失去黏性，並使第J行的該等電子元件121J~12NJ全部被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。本實施例四是以第J行的該等電子元件121J~12NJ全部被選擇性 地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第J行的該等電子元件121J~12NJ部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。接著，使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，X2>0且X1≠X2。然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行的該等電子元件121(J+1)~12N(J+1)所在的該第一基板200，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行的該等電子元件121(J+1)~12N(J+1)全部被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A，J為自然數，且1

J

(M-1)。本實施例四是以第(J+1)行的該等電子元件121(J+1)~12N(J+1)全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第(J+1)行的該等電子元件121(J+1)~12N(J+1)部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。

如圖3B’所示，當J=1時，提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，該具第一波長的第一光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，並使並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第1行的該等電子元件1211~12N1所在的該第一基板100，使其熱解或光解而失去黏性，並使第1行的該等電子元件1211~12N1全部被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。本實施例四是以第1行的該等電子元件1211~12N1全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第1行的該等電子元件1211~12N1部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。其次，如圖3C’所示，先使該第一基板100相對於該第二基板200沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，X2>0且X1≠X2。然後，再使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣 列的第2行的該等電子元件1212~12N2所在的該第一基板200，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第2行的該等電子元件1212~12N2全部被剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。本實施例四是以第2行的該等電子元件1212~12N2全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第2行的該等電子元件1212~12N2部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。同理，如圖3D’所示，第3~M行的其它電子元件1213~12NM也可利用前述的相同方法，選擇性地被全部剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A。

如圖3E’所示，當位在該第一基板100的該等電子元件1211~12NM利用上述方法全部被選擇性剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A後，便可在該第二基板200的該第二上表面200A形成該第二電子元件陣列(未標示)，且該第二電子元件陣列之間的行距、列距分別為X2、Y1。其中，當X2>X1時，即第二電子元件陣列的行距X2大於第一電子元件陣列的行距X1；當X2<X1時，即第二電子元件陣列的行距X2小於第一電子元件陣列的行距X1。

如圖3F’~3H’所示，本實施例四更可將位在該第二基板200的該等電子元件1211~12NM進一步地全部或部分轉移至該第三基板300，並在該第三基板300形成一個第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列(未標示)之行距與列距分別為X2、Y2。

如圖3F’~3H’所示，提供一第三基板300，並將該第三基板300設置於該第二基板200下方，該第三基板300具有相對的第三上表面300A與第三下表 面300B，且該第二基板200的該第二上表面200A面向該第三基板300的該第三上表面300A。然後，提供一具第二波長的第二光於該第二基板200上方，該具第二波長的第二光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，並使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第K列的該等電子元件12K1~12KM所在的該第二基板200，K為自然數，且1

K

(N-1)，使該第二基板200被熱解或光解失去黏性，並使第K列的該等電子元件12K1~12KM全部或部分被剝離並接合於該第三基板的該第三上表面。本實施例四是以第K列的該等電子元件12K1~12KM全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第K列的該等電子元件12K1~12KM部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。然後，使該第二基板200相對於該第三基板300沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，其中Y2>0且Y1≠Y2，然後使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第(K+1)列的該等電子元件12(K+1)1~12(K+1)M所在的該第二基板200，使該第二基板200被熱解或光解而失去黏性，並使第(K+1)列的該等電子元件12(K+1)1~12(K+1)M全部或部分被剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A。當位在該第二基板200的該等電子元件1211~12NM全部或部分被選擇性剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A後，便可在該第三基板300形成一第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列(未標示)之行距與列距分別為X2、Y2。

如圖3F’所示，當K=1時，提供一具第二波長的第二光於該第二基板200上方，該具第二波長的第二光為例如但不限於一波長介於100奈米至12000奈米的光，並使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第1列的該等電子元件1211~121M所在的該第二基板200，使該第二基板200被熱解或光解失去黏性，並使第1列的該等電子元件1211~121M全部被剝離並接合於該第三基板 的該第三上表面。本實施例四是以第1列的該等電子元件1211~121M全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第1列的該等電子元件1211~121M部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。

然後，如圖3G’所示，使該第二基板200相對於該第三基板300沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，其中Y2>0且Y1≠Y2，然後使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第2列的該等電子元件1221~122M所在的該第二基板200，使該第二基板200被熱解或光解而失去黏性，並使第2列的該等電子元件1221~122M全部被剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A。本實施例四是以第2列的該等電子元件1221~122M全部被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使第2列的該等電子元件1221~122M部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板200的該第二上表面200A上。同理，第3~N列的其它電子元件1231~12NM也可利用前述的相同方法，選擇性地被全部或部分剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A。

如圖3H’所示，當位在該第二基板200的該等電子元件1211~12NM全部被選擇性剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A後，便可在該第三基板300形成一第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列(未標示)之行距與列距分別為X2、Y2。其中，當Y2>Y1時，即第三電子元件陣列的列距大於第二電子元件陣列的列距；當Y2<Y1時，即第三電子元件陣列的列距小於第二電子元件陣列的列距。

本實施例四是以位在第二基板200的第二電子陣列的該等電子元件1211~12NM全部被選擇性地剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A作為例示說明，惟根據本發明的其它實施例中，也可視需要使位在第二基 板200的第二電子陣列的該等電子元件1211~12NM部分被選擇性地剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A上。

實施例五

以下將參照圖4A~4E詳細說明本實施例五所揭示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

首先，，請參閱圖4A。如圖4A所示，提供一第一基板100，該第一基板100具有相對的第一上表面100A與第一下表面100B，其中該第一基板100的該第一上表面100A具有複數個電子元件1211~12NM，且該等電子元件1211~12NM分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列(未標示)，其中，該第一基板100為一熱解膠膜或一光解膠膜，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0。本實施例一是以第一軸方向為X軸方向，第二軸方向為Y軸方向作為例示說明，惟在根據本發明的其它實施例中，也可視需要選擇第一軸方向為Y軸方向，第二軸方向為X軸方向。

本實施例五的該等電子元件1211~12NM為例如但不限於選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。其中，該等發光二極體為例如但不限於所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光；該等雷射二極體的波長為例如但不限於介於390奈米至1700奈米；該等半導體元件為為例如但不限於選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

其次，請參照圖4B~4C。如圖4B~4C所示，提供一第二基板200，並將該第二基板200設置於該第一基板100下方，該第二基板200具有相對的 第二上表面200A與第二下表面200B，且該第一基板100的該第一上表面100A面向該第二基板200的該第二上表面200A，其中，該第二基板200為一熱解膠膜或一光解膠膜。

其次，將位在該第一基板的第R1列的該等電子元件作為該第一基板100沿該第一軸方向的一第一基準線110，將位在該第二基板200的第R2列的該等電子元件作為該第二基板200沿該第一軸方向的一第二基準線210，並使該第一基準線110對準該第二基準線210。然後，提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，該具第一波長的第一光為一波長例如但不限於介於100奈米至12000奈米的光，使該具第一波長的第一光照射位在該第一電子元件陣列的第N1列的該電子元件12(N1)J或該等電子元件12(N1)1~12(N1)M所在的該第一基板100，使其被熱解或光解而失去黏性，並使位在該第一基板的第N1列的該電子元件12(N1)J或該等電子元件12(N1)1~12(N1)M被選擇性剝離，並接合至該第二基板200的該第二上表面200A，使其成為位在該第二基板200的該第二上表面200A的第二電子元件陣列的第N2列的該電子元件22(N2)(j)或該等電子元件22(N2)1~22(N2)P，其中R1、R2、N1、N2、J、j為自然數，N1

N，N2

Q，1

R1

N1，1

R2

N2，1

J

M，1

j

P，且P為大於1的自然數，P≠M。如圖4C所示，當位在該第一基板100的該等電子元件1211~12NM全部或部分被轉移至該第二基板200後，便可在該第二基板200的該第二上表面200形成一個由P行電子元件乘以Q列電子元件排列所形成的第二電子元件陣列(未標示)，其中P、Q為大於1的自然數，P≠M及/或Q≠N，且其中該第二電子元件陣列之列距為Y2，Y2>0且Y1≠Y2。

其中，位在該第一基板100的第N1列的該電子元件12(N1)J或該等電子元件12(N1)1~12(N1)M與第一基板100的第一基準線110的間距△Y1=(N1-R1)*Y1；位在該第二基板200的第N2列的該電子元件22(N2)J或該等電子元件22(N2)1~12(N2)P與第二基板200的第二基準線210的間距△Y2=(N1-R2)*Y2。因此，當位在該第一基板100的該第一電子元件陣列的第N1列的該電子元件12(N1)J或該等電子元件12(N1)1~12(N1)M被轉移至該第二基板200並成為該第二電子元件陣列的第N2列的該電子元件22(N2)J或該等電子元件22(N2)1~12(N2)P時，其沿該第二軸方向(Y軸方向)的相對移動距離△Y為[(N2-R2)*Y2-(N1-R1)*Y1]。

如圖4B~4C所示，當R1=1、R2=2時，即該第一基板的第1列的該等電子元件作為該第一基板100沿該第一軸方向的一第一基準線110，將位在該第二基板200的第2列的該等電子元件作為該第二基板200沿該第一軸方向的一第二基準線210，並使該第一基準線110對準該第二基準線210。然後，提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，該具第一波長的第一光為一波長例如但不限於介於100奈米至12000奈米的光，使該具第一波長的第一光照射位在該第一電子元件陣列的第N1列的該電子元件12(N1)J或該等電子元件12(N1)1~12(N1)M所在的該第一基板100，使其被熱解或光解而失去黏性，並使位在該第一基板的第N1列的該電子元件12(N1)J或該等電子元件12(N1)1~12(N1)M被選擇性剝離，並接合至該第二基板200的該第二上表面200A，並成為該第二電子元件陣列的第N2列的該電子元件22(N2)J或該等電子元件22(N2)1~12(N2)P，其中N1、N2為自然數，N1

N，N2

Q。

如圖4C所示，位在該第一基板100的第N1列的該電子元件12(N1)J或該等電子元件12(N1)1~12(N1)M與第一基板100的第一基準線110的間距△Y1=(N1-1)*Y1；位在該第二基板200的第N2列的該電子元件22(N2)J或該等電子元件22(N2)1~22(N2)P與第二基板200的第二基準線110的間距△Y2=(N2-2)*Y2。因此，當位在該第一基板100的該第一電子元件陣列的第N1列的該電子元件12(N1)J或該等電子元件12(N1)1~12(N1)M被轉移至該第二基板200並成為該第二電子元件陣列的第N2列的該電子元件22(N2)J或該等電子元件22(N2)1~12(N2)P時，其沿該第二軸方向的相對移動距離△Y=△Y2-△Y1，即△Y為[(N2-2)*Y2-(N1-1)*Y1]。

本實施例五更可進一步將位在該第二基板200的該第二陣列轉移至一第三基板300，並在該第三基板300形成一個由U行電子元件乘以V列電子元件排列所形成的第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2，其中U、V為大於1的自然數，X2、Y2>0，且X1≠X2，Y1≠Y2。

如圖4D~4F所示，本實施例五更可提供一第三基板300，並將該第三基板300設置於該第二基板200下方，該第三基板300具有相對的第三上表面300A與第三下表面300B，且該第二基板200的該第二上表面200A面向該第三基板300的該第三上表面300A將位在該第二基板200的該第二電子元件陣列轉移至該第三基板300，並在該第三基板300的該第三上表面300A形成一個由U行電子元件乘以V列電子元件排列所形成的第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2，其中U、V為大於1的自然數。

將位在該第二基板200的第S1行的該等電子元件221(S1)~22Q(S1)作為該第二基板200沿該第二軸方向的一第三基準線250，將位在該第三基板300的第S2行的該等電子元件221(S2)~22V(S2)作為該第三基板300沿該第二軸方向的一第四基準線350，並使該第三基準線250對準該第四基準線350。然後，提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光，並使該具第二波長的第二光照射位在該第二電子元件陣列的第M1行的該電子元件22K(M1)或該等電子元件221(M1)~22Q(M1)所在的該第二基板200，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第二基板的第M1行的該電子元件22K(M1)或該等電子元件221(M1)~22Q(M1)被選擇性剝離，並接合至該第三基板300的該第三上表面300A，並成為該第三電子元件陣列的第M2行的該電子元件32k(M2)或該等電子元件321(M2)~32V(M2)，其中S1、S2、M1、M2、K、k為自然數，M1

M，M2

U，1

S1

M1，1

S2

M2，且1

K

Q，1

k

V。

位在該第二基板200的第M1行的該電子元件22K(M1)或該等電子元件221(M1)~22Q(M1)與第二基板200的第三基準線250的間距△X1=(M1-S1)*X1；位在該第三基板300的第M2行的該電子元件32k(M2)或該等電子元件321(M2)~32V(M2)與第三基板300的第四基準線350的間距△X2=(M1-S2)*X2。因此，當位在該第二基板200的第M1行的該電子元件22K(M1)或該等電子元件221(M1)~22Q(M1)被轉移至該第三基板300並成為該第三電子元件陣列的第M2列的該電子元件32k(M2)或該等電子元件321(M2)~32V(M2)時，其沿該第一軸方向(X軸方向)的相對移動距離△X為[(M2-S2)*X2-(M1-S1)*X1]

如圖4D所示，當S1=1、S2=2時，即將位在該第二基板200的第1行的該等電子元件2211~22Q1作為該第二基板200沿該第二軸方向的一第三基準線250，將位在該第三基板300的第2行的該等電子元件2212~22V2作為該第三基板300沿該第二軸方向的一第四基準線350，並使該第三基準線250對準該第四基準線350。然後，提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光，並使該具第二波長的第二光照射位在該第二電子元件陣列的第M1行的該電子元件22K(M1)或該等電子元件221(M1)~22Q(M1)所在的該第二基板200，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第二基板的第M1行的該電子元件22K(M1)或該等電子元件221(M1)~22Q(M1)被選擇性剝離，並接合至該第三基板300的該第三上表面300A，並成為該第三電子元件陣列的第M2行的該電子元件32k(M2)或該等電子元件321(M2)~32V(M2)。其中M1、M2、K、k為自然數，M1

M，M2

U，且1

K

Q，1

k

V。

如圖4E所示，位在該第二基板200的第M1行的該電子元件22K(M1)或該等電子元件221(M1)~22Q(M1)與第二基板200的第三基準線250的間距△X1=(M1-1)*X1；位在該第三基板300的第M2行的該電子元件32k(M2)或該等電子元件321(M2)~32V(M2)與第三基板300的第四基準線350的間距△X2=(M1-2)*X2。因此，當位在該第二基板200的第M1行的該電子元件22K(M1)或該等電子元件221(M1)~22Q(M1)被轉移至該第三基板300並成為該第三電子元件陣列的第M2列的該電子元件32k(M2)或該等電子元件321(M2)~32V(M2)時，其沿該第一軸方向(X軸方向)的相對移動距離△X等於△X2-△X1，即△X=[(M2-2)*X2-(M1-1)*X1]。

如圖4E所示，當位在該第二基板200的該等電子元件2211~12QP被選擇性剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A後，便可在該第三基板300形成一第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列(未標示)之行距與列距分別為X2、Y2。

實施例六

以下將參照圖4A’~4E’詳細說明本實施例六所揭示的一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法。

首先，，請參閱圖4A’。如圖4A’所示，提供一第一基板100，該第一基板100具有相對的第一上表面100A與第一下表面100B，其中該第一基板100的該第一上表面100A具有複數個電子元件1211~12NM，且該等電子元件1211~12NM分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列(未標示)，其中，該第一基板100為一熱解膠膜或一光解膠膜，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0。本實施例一是以第一軸方向為X軸方向，第二軸方向為Y軸方向作為例示說明，惟在根據本發明的其它實施例中，也可視需要選擇第一軸方向為Y軸方向，第二軸方向為X軸方向。

本實施例六的該等電子元件1211~12NM為例如但不限於選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。其中，該等發光二極體為例如但不限於所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光；該等雷射二極體的波長為例如但不限於介於390奈米至1700奈米；該 等半導體元件為為例如但不限於選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

其次，請參照圖4B’~4C’。如圖4B’~4C’所示，提供一第二基板200，並將該第二基板200設置於該第一基板100下方，該第二基板200具有相對的第二上表面200A與第二下表面200B，且該第一基板100的該第一上表面100A面向該第二基板200的該第二上表面200A，其中，該第二基板200為一熱解膠膜或一光解膠膜。

其次，將位在該第一基板100的第S1行的該等電子元件作為該第一基板100沿該第二軸(Y軸)方向的一第一基準線110’，將位在該第二基板200的第S2行的該等電子元件作為該第二基板200沿該第二軸(Y軸)方向的一第二基準線210’，並使該第一基準線110’對準該第二基準線210’。然後，提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，該具第一波長的第一光為一波長例如但不限於介於100奈米至12000奈米的光，使該具第一波長的第一光照射位在該第一電子元件陣列的第M1行的該電子元件12K(M1)或該等電子元件121(M1)~12N(M1)所在的該第一基板100，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第一基板100的第M1行的該電子元件12K(M1)或該等電子元件121(M1)~12N(M1)被選擇性剝離，並接合至該第二基板200的該第二上表面200A，使其成為位在該第二基板200的第二電子元件陣列的第M2列的該電子元件22k(M2)或該等電子元件221(M2)~22Q(M2)，其中S1、S2、M1、M2為自然數，M1

M，M2

P，且1

S1

M1，1

S2

M2。如圖4C’所示，當位在該第一基板100的該等電子元件1211~12NM全部或部分被轉移至該第二基板200後，便可在該第二基板200的該第二上表面200形成一個由P行電子元件乘以Q列 電子元件排列所形成的第二電子元件陣列(未標示)，其中P、Q為大於1的自然數，P≠M及/或Q≠N，且其中該第二電子元件陣列之行距為X2，X2>0且X1≠X2。

其中，位在該第一基板100的第M1行的該電子元件12K(M1)或該等電子元件121(M1)~12N(M1)與第一基板100的第一基準線110’的間距△X1=(M1-S1)*X1；位在該第二基板200的第M2行的該電子元件22k(M2)或該等電子元件221(M2)~22Q(M2)與第二基板200的第二基準線210’的間距△X2=(M2-S2)*X2。因此，當位在該第一基板100的該第一電子元件陣列的第M1行的該電子元件12K(M1)或該等電子元件121(M1)~12N(M1)被轉移至該第二基板200並成為成為位在該第二基板200的第二電子元件陣列的第M2列的該電子元件22k(M2)或該等電子元件221(M2)~22Q(M2)時，其沿該第一軸(X軸)方向的相對移動距離△X為△X2-△X1，即△X2=[(M2-S2)*X2-(M1-S1)*X1]。

如圖4B’所示，當S1=1、S2=2時，即將位在該第一基板100的第1行的該等電子元件1211~12N1作為該第一基板100沿該第二軸(Y軸)方向的一第一基準線110’，將位在該第二基板200的第2行的該等電子元件2212~22V2作為該第二基板200沿該第二軸(Y軸)方向的一第二基準線210’，並使該第一基準線110對準該第二基準線210。然後，提供一具第一波長的第一光於該第一基板100上方，該具第一波長的第一光為一波長例如但不限於介於100奈米至12000奈米的光，使該具第一波長的第一光照射位在該第一電子元件陣列的第M1行的該電子元件12K(M1)或該等電子元件121(M1)~12N(M1)所在的該第一基板100，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第一基板100的第M1行的該電子元件12K(M1)或該等電子元件121(M1)~12N(M1)被選擇性剝離，並接合 至該第二基板200的該第二上表面200A，使其成為位在該第二基板200的第二電子元件陣列的第M2列的該電子元件22k(M2)或該等電子元件221(M2)~22Q(M2)，其中M1、M2為自然數，M1

M，M2

P。

如圖4C’所示，當位在該第一基板100的該等電子元件1211~12NM全部或部分被轉移至該第二基板200後，便可在該第二基板200的該第二上表面200形成一個由P行電子元件乘以Q列電子元件排列所形成的第二電子元件陣列(未標示)，其中P、Q為大於1的自然數，P≠M及/或Q≠N，且其中該第二電子元件陣列之行距為X2，X2>0且X1≠X2。

其中，位在該第一基板100的第M1行的該電子元件12K(M1)或該等電子元件121(M1)~12N(M1)與第一基板100的第一基準線110’的間距△X1=(M1-1)*X1；位在該第二基板200的第M2行的該電子元件22k(M2)或該等電子元件221(M2)~22Q(M2)與第二基板200的第二基準線210’的間距△X2=(M2-2)*X2。因此，當位在該第一基板100的該第一電子元件陣列的第M1行的該電子元件12K(M1)或該等電子元件121(M1)~12N(M1)被轉移至該第二基板200並成為成為位在該第二基板200的第二電子元件陣列的第M2列的該電子元件22k(M2)或該等電子元件221(M2)~22Q(M2)時，其沿該第一軸(X軸)方向的相對移動距離△X等於△X2-△X1，即△X=[(M2-2)*X2-(M1-1)*X1]。

本實施例六更可進一步將位在該第二基板200的該第二陣列轉移至一第三基板300，並在該第三基板300形成一個由U行電子元件乘以V列電子元件排列所形成的第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2，其中U、V為大於1的自然數，X2、Y2>0，且X1≠X2，Y1≠Y2。

如圖4D’~4E’所示，本實施例五更可提供一第三基板300，並將該第三基板300設置於該第二基板200下方，該第三基板300具有相對的第三上表面300A與第三下表面300B，且該第二基板200的該第二上表面200A面向該第三基板300的該第三上表面300A將位在該第二基板200的該第二電子元件陣列轉移至該第三基板300，並在該第三基板300的該第三上表面300A形成一個由U行電子元件乘以V列電子元件排列所形成的第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2，其中U、V為大於1的自然數。

如圖4D’~4E’所示，將位在該第二基板的第R1列行的該等電子元件作為該第二基板200沿該第一軸(X軸)方向的一第三基準線250’，將位在該第三基板300的第R2列的該等電子元件作為該第三基板300沿該第一軸(X軸)方向的一第四基準線350’，並使該第三基準線250’對準該第四基準線350’。然後，提供一具第二波長的第二光於該第二基板200上方，該具第二波長的第二光為一波長例如但不限於介於100奈米至12000奈米的光，使該具第二波長的第二光照射位在該第二電子元件陣列的第M1行的該電子元件22(N1)J或該等電子元件22(N1)1~22(N1)P所在的該第二基板200，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第二基板的第N1行的該電子元件22(N1)J或該等電子元件22(N1)1~22(N1)P被選擇性剝離，並接合至該第三基板300的該第三上表面300A，使其位在第三基板300的第三電子元件陣列的第N2列的該電子元件32(N2)j或該等電子元件32(N2)1~32(N2)U，其中R1、R2、N1、N2為自然數，N1

P，N2

U，且1

R1

N1，1

R2

N2。

其中，位在該第二基板200的第N1行的該電子元件22(N1)J或該等電子元件22(N1)1~22(N1)P與該第三基準線250’的間距△Y1為(N1-R1)*Y1；位在該第三基板300的第N2行的該電子元件32(N2)j或該等電子元件32(N2)1~32(N2)U與該第四基準線350’的間距△Y2為(N2-R2)*Y2。因此，當位在該第二基板的該第二電子元件陣列的第N1行的該電子元件22(N1)J或該等電子元件22(N1)1~22(N1)P被轉移至位在該第三基板300的該第三電子元件陣列的第N2行的該電子元件32(N2)j或該等電子元件32(N2)1~32(N2)U時，其沿該第二軸(Y軸)方向的相對移動距離△Y等於△Y2-△Y1，即△Y=[(N2-R2)*Y2-(N1-R1)*Y1]。

如圖4D’所示，當R1=1、R2=2時，即將位在該第二基板的第1列的該等電子元件2211~221P作為該第二基板200沿該第一軸(X軸)方向的一第三基準線250’，將位在該第三基板300的第2行的該等電子元件3221~322U作為該第三基板300沿該第一軸(X軸)方向的一第四基準線350’，並使該第三基準線250’對準該第四基準線350’。然後，提供一具第二波長的第二光於該第二基板200上方，該具第二波長的第二光為一波長例如但不限於介於100奈米至12000奈米的光，使該具第二波長的第二光照射位在該第二電子元件陣列的第M1行的該電子元件22(N1)J或該等電子元件22(N1)1~22(N1)P所在的該第二基板200，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第二基板的第N1行的該電子元件22(N1)J或該等電子元件22(N1)1~22(N1)P被選擇性剝離，並接合至該第三基板300的該第三上表面300A，使其位在第三基板300的第三電子元件陣列的第N2列的該電子元件32(N2)j或該等電子元件32(N2)1~32(N2)U，其中R1、R2、N1、N2為自然數，N1

P，N2

U。

其中，位在該第二基板200的第N1行的該電子元件22(N1)J或該等電子元件22(N1)1~22(N1)P與該第三基準線250’的間距△Y1為(N1-1)*Y1；位在該第三基板300的第N2行的該電子元件32(N2)j或該等電子元件32(N2)1~32(N2)U與該第四基準線350’的間距△Y2為(N2-2)*Y2。因此，當位在該第二基板200的該第二電子元件陣列的第N1行的該電子元件22(N1)J或該等電子元件22(N1)1~22(N1)P被轉移至位在該第三基板300的該第三電子元件陣列的第N2行的該電子元件32(N2)j或該等電子元件32(N2)1~32(N2)U時，其沿該第二軸(Y軸)方向的相對移動距離△Y等於△Y2-△Y1，即△Y=[(N2-2)*Y2-(N1-1)*Y1]。

如圖4E’所示，當位在該第二基板200的該等電子元件2211~12QP被選擇性剝離並接合於該第三基板300的該第三上表面300A後，便可在該第三基板300形成一第三電子元件陣列(未標示)，且該第三電子元件陣列(未標示)之行距與列距分別為X2、Y2。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100:第一基板

100A:第一上表面

100B:第一下表面

1211~121J、121M、1221~122J、122M、12K1~12KJ、12KM、12N1~12NJ、12NM:電子元件

200:第二基板

200A:第二上表面

200B:第二下表面

Claims (39)

1. 一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其步驟包括：提供一第一基板，該第一基板具有相對的第一上表面與第一下表面，其中該第一基板的該第一上表面具有複數個電子元件，且該等電子元件分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列，其中，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0；提供一第二基板，並將該第二基板設置於該第一基板下方，該第二基板具有相對的第二上表面與第二下表面，且該第一基板的該第一上表面面向該第二基板的該第二上表面；以及提供一具第一波長的第一光於該第一基板上方，且藉由該第一基板與該第二基板先、後沿該第一軸方向與該第二軸方向的相對移動(X2-X1)、(Y2-Y1)，使該第一電子元件陣列中的該等電子元件所在的該第一基板被該第一光沿該第一軸方向依序且不間隔地逐個照射而被熱解或光解而失去黏性，或先、後沿該第二軸方向與該第一軸方向的相對移動(Y2-Y1)、(X2-X1)，使該第一電子元件陣列中的該等電子元件所在的該第一基板被該第一光沿該沿該第二軸方向依序且不間隔地逐個照射而被熱解或光解而失去黏性，且將位在該第一基板的該等電子元件全部或部分剝離並接合至該第二基板後，在該第二基板的該第二上表面形成一第二電子元件陣列，且該第二電子元件陣列之行距、列距分別為X2、Y2，X2、Y2>0，且X1≠X2，Y1≠Y2。
2. 如請求項1所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列的形成步驟，包括：使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第K列的該電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第K列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，然後使該第一基板相對於該第二基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第K列的該電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第K列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，其中J、K、X2均為自然數，且1

   

   J

   

   (M-1)，1

   

   K

   

   (N-1)；以及當該第一電子元件陣列的第K列的該等電子元件全部或部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，先使該第一基板重新對準該第二基板，再使該第一基板相對於該第二基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第(K+1)列的該電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第(K+1)列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，然後再使該第一基板相對於該第二基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，其中Y2為自然數； 其中，當位在該第一基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，便可在該第二基板的該第二上表面形成該第二電子元件陣列。
3. 如請求項1所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列的形成步驟，包括：使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第K列的該電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第K列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，然後使該第一基板相對於該第二基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行、第(K+1)列的該電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第J行、第(K+1)列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，其中J、K、Y2均為自然數，且1

   

   J

   

   (M-1)，1

   

   K

   

   (N-1)；以及當該第一電子元件陣列的第J行的該等電子元件全部或部分被選擇性地剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，先使該第一基板重新對準該第二基板，再使該第一基板相對於該第二基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第K列的該電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第K列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，然後再使該第一基板相對於該第二基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，並使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或 光解而失去黏性，並使第(J+1)行、第(K+1)列的該電子元件選擇性地被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，其中X2為自然數；其中，當位在該第一基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，便可在該第二基板的該第二上表面形成該第二電子元件陣列。
4. 如請求項1所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一熱解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
5. 如請求項1所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一光解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
6. 如請求項1所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等電子元件為選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。
7. 如請求項6所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等發光二極體所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光。
8. 如請求項6所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等雷射二極體的波長介於390奈米至1700奈米。
9. 如請求項6所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等半導體元件為選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。
10. 一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其步驟包括： 提供一第一基板，該第一基板具有相對的第一上表面與第一下表面，其中該第一基板的該第一上表面具有複數個電子元件，且該等電子元件分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列，其中，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0；提供一第二基板，並將該第二基板設置於該第一基板下方，該第二基板具有相對的第二上表面與第二下表面，且該第一基板的該第一上表面面向該第二基板的該第二上表面；以及提供一具第一波長的第一光於該第一基板上方，且藉由該第一基板與該第二基板沿該第一軸方向相對移動(X2-X1)，使該第一電子元件陣列中的該等電子元件所在的該第一基板被該第一光沿該第一軸方向依序且不間隔地逐行照射而被熱解或光解而失去黏性，或沿該第二軸方向相對移動(Y2-Y1)，使該第一電子元件陣列中的該等電子元件所在的該第一基板被該第一光沿該第二軸方向依序且不間隔地逐列照射而被熱解或光解而失去黏性，且將位在該第一基板的該等電子元件全部或部分剝離並接合至至該第二基板，並在該第二基板形成一第二電子元件陣列，且該第二電子元件陣列之行距與列距分別為X1、Y2或X2、Y1，其中X2、Y2>0，且X1≠X2，Y1≠Y2。
11. 如請求項10所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之行距與列距分別為X1、Y2，且該第二電子元件陣列的形成步驟，包括： 使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第K列的該等電子元件所在的該第一基板，使其熱解或光解而失去黏性，並使第K列的該等電子元件全部被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面；以及使該第一基板相對於該第二基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(K+1)列的該等電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使第(K+1)列的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，K為自然數，且1

    

    K

    

    (N-1)；其中，當位在該第一基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，便可在該第二基板形成該第二電子元件陣列。
12. 如請求項11所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，且更包括下列步驟：提供一第三基板，並將該第三基板設置於該第二基板下方，該第三基板具有相對的第三上表面與第三下表面，且該第二基板的該第二上表面面向該第三基板的該第三上表面；以及將位在該第二基板的該等電子元件全部或部分轉移至該第三基板，並在該第三基板形成一個第三電子元件陣列，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2。
13. 如請求項12所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第三電子元件陣列的形成步驟，包括： 提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，並使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第J行的該等電子元件所在的該第二基板，使該第二基板被熱解或光解失去黏性，並使第J行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第三基板的該第三上表面；以及使該第二基板相對於該第三基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，然後使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第(J+1)行的該等電子元件所在的該第二基板，使該第二基板被熱解或光解而失去黏性，並使第(J+1)行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第三基板的該第三上表面，J為自然數，且1

    

    J

    

    (M-1)；其中，當位在該第二基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第三基板的該第三上表面後，便可在該第三基板形成該第三電子元件陣列。
14. 如請求項10所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y1，且該第二電子元件陣列的形成步驟，包括：使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第J行的該等電子元件所在的該第一基板，使其熱解或光解而失去黏性，並使第J行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面；以及使該第一基板相對於該第二基板沿該第一軸方向位移(X2-X1)的距離，然後使該具第一波長的第一光照射該第一電子元件陣列的第(J+1)行的該等電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使 第(J+1)行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第二基板的該第二上表面，J為自然數，且1

    

    J

    

    (M-1)；其中，當位在該第一基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第二基板的該第二上表面後，便可在該第二基板形成該第二電子元件陣列。
15. 如請求項14所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，且更包括下列步驟：提供一第三基板，並將該第三基板設置於該第二基板下方，該第三基板具有相對的第三上表面與第三下表面，且該第二基板的該第二上表面面向該第三基板的該第三上表面；以及將位在該第二基板的該等電子元件全部或部分轉移至該第三基板，並在該第三基板形成一第三電子元件陣列，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2。
16. 如請求項15所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第三電子元件陣列的形成步驟，包括：提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，並使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第K列的該等電子元件所在的該第二基板，使該第二基板被熱解或光解失去黏性，並使第J行的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第三基板的該第三上表面；以及使該第二基板相對於該第三基板沿該第二軸方向位移(Y2-Y1)的距離，然後使該具第二波長的第二光照射該第二電子元件陣列的第(K+1)列的該等電子元件所在的該第二基板，使該第二基板被熱解或光解而 失去黏性，並使第(K+1)列的該等電子元件全部或部分被剝離並接合於該第三基板的該第三上表面，K為自然數，且1

    

    K

    

    (N-1)；其中，當位在該第二基板的該等電子元件全部或部分被選擇性剝離並接合於該第三基板的該第三上表面後，便可在該第三基板形成該第三電子元件陣列。
17. 如請求項10所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一熱解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
18. 如請求項10所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一光解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
19. 如請求項13或16所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二基板為一熱解膠膜，且該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
20. 如請求項13或16所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二基板為一光解膠膜，且該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
21. 如請求項10所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等電子元件為選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。
22. 如請求項21所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等發光二極體所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光。
23. 如請求項21所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等雷射二極體的波長介於390奈米至1700奈米。
24. 如請求項21所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等半導體元件為選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。
25. 一種可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其步驟包括：提供一第一基板，該第一基板具有相對的第一上表面與第一下表面，其中該第一基板的該第一上表面具有複數個電子元件，且該等電子元件分別沿第一軸方向與第二軸方向排列，形成一個由M行電子元件乘以N列電子元件排列所形成的第一電子元件陣列，其中，該第一軸方向與該第二軸方向實質互相垂直，M、N為大於1的自然數，且該第一電子元件陣列之行距、列距分別為X1、Y1，且X1、Y1>0；提供一第二基板，並將該第二基板設置於該第一基板下方，該第二基板具有相對的第二上表面與第二下表面，且該第一基板的該第一上表面面向該第二基板的該第二上表面；以及提供一具第一波長的第一光於該第一基板上方，且藉由該第一基板與該第二基板沿該第一軸方向的相對移動，使該第一電子元件陣列中的該等電子元件所在的該第一基板被該第一光沿該第一軸方向依序且不間隔地逐行照射而被熱解或光解而失去黏性，或沿該第二軸方向的相對移動，使該第一電子元件陣列中的該等電子元件所在的該第一基板被該第一光沿該第二軸方向依序且不間隔地逐列照射而被熱解或光解而失去黏性，且將位在該第一基板的該等電子元件全部剝離且接合至該第二基板，並在該第二基板的該第二上表面形成一個由P行電子元件乘以Q列電子元件排列所形成的第 二電子元件陣列，其中P、Q為大於1的自然數，P≠M及/或Q≠N，且該第二電子元件陣列之行距為X2或列距為Y2，其中X2、Y2>0，且X1≠X2，Y1≠Y2。
26. 如請求項25所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之列距為Y2，且該第二電子元件陣列之形成步驟，包括：將位在該第一基板的第R1列的該等電子元件作為該第一基板沿該第一軸方向的一第一基準線，將位在該第二基板的第R2列的該等電子元件作為該第二基板沿該第一軸方向的一第二基準線，並使該第一基準線對準該第二基準線；以及使該具第一波長的第一光照射位在該第一電子元件陣列的第N1列的該或該等電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使位在該第一基板的第N1列的該或該等電子元件被選擇性剝離，並接合至該第二基板的該第二上表面，使其位在第二電子元件陣列的第N2列，其中R1、R2、N1、N2為自然數，N1

    

    N，N2

    

    Q，且1

    

    R1

    

    N1，1

    

    R2

    

    N2；其中，當位在該第一基板的該第一電子元件陣列的第N1列的該或該等電子元件被轉移至該第二基板的該第二電子元件陣列的第N2列時，其沿該第二軸方向的相對移動距離為[(N2-R2)*Y2-(N1-R1)*Y1]。
27. 如請求項26所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，且更包括下列步驟： 提供一第三基板，並將該第三基板設置於該第二基板下方，該第三基板具有相對的第三上表面與第三下表面，且該第二基板的該第二上表面面向該第三基板的該第三上表面；以及將位在該第二基板的該第二電子元件陣列轉移至該第三基板，並在該第三基板形成一個由U行電子元件乘以V列電子元件排列所形成的第三電子元件陣列，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2，其中U、V為大於1的自然數。
28. 如請求項27所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第三電子元件陣列之形成步驟，包括：將位在該第二基板的第S1行的該等電子元件作為該第二基板沿該第二軸方向的一第三基準線，將位在該第三基板的第S2行的該等電子元件作為該第三基板沿該第二軸方向的一第四基準線，並使該第三基準線對準該第四基準線；以及提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，使該具第二波長的第二光照射位在該第二電子元件陣列的第M1行的該或該等電子元件所在的該第二基板，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第二基板的第M1行的該或該等電子元件被選擇性剝離，並接合至該第三基板的該第三上表面，使其位在第三電子元件陣列的第M2列，其中S1、S2、M1、M2為自然數，M1

    

    M，M2

    

    U，且1

    

    S1

    

    M1，1

    

    S2

    

    M2；其中，當位在該第二基板的該第二電子元件陣列的第M1行的該或該等電子元件被轉移至該第三基板的該第三電子元件陣列的第M2行時，其沿該第一軸方向的相對移動距離為[(M2-S2)*X2-(M1-S1)*X1]。
29. 如請求項25所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二電子元件陣列之行距為X2，且該第二電子元件陣列之形成步驟，包括：將位在該第一基板的第S1行的該等電子元件作為該第一基板沿該第二軸方向的一第一基準線，將位在該第二基板的第S2行的該等電子元件作為該第二基板沿該第二軸方向的一第二基準線，並使該第一基準線對準該第二基準線；以及使該具第一波長的第一光照射位在該第一電子元件陣列的第M1行的該或該等電子元件所在的該第一基板，使其被熱解或光解而失去黏性且將位在該第一基板的第M1行的該或該等電子元件被選擇性剝離，並接合至該第二基板的該第二上表面，使其位在第二電子元件陣列的第M2列，其中S1、S2、M1、M2為自然數，M1

    

    M，M2

    

    P，且1

    

    S1

    

    M1，1

    

    S2

    

    M2；其中，當位在該第一基板的該第一電子元件陣列的第M1行的該或該等電子元件被轉移至該第二基板的該第二電子元件陣列的第M2行時，其沿該第一軸方向的相對移動距離為[(M2-S2)*X2-(M1-S1)*X1]。
30. 如請求項29所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，且更包括下列步驟：提供一第三基板，並將該第三基板設置於該第二基板下方，該第三基板具有相對的第三上表面與第三下表面，且該第二基板的該第二上表面面向該第三基板的該第三上表面；以及將位在該第二基板的該第二電子元件陣列轉移至該第三基板，並在該第三基板形成一個由U行電子元件乘以V列電子元件排列所形成的第 三電子元件陣列，且該第三電子元件陣列之行距與列距分別為X2、Y2，其中U、V為大於1的自然數。
31. 如請求項30所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第三電子元件陣列之形成步驟，包括：將位在該第二基板的第R1列的該等電子元件作為該第二基板沿該第一軸方向的一第三基準線，將位在該第三基板的第R2列的該等電子元件作為該第三基板沿該第一軸方向的一第四基準線，並使該第三基準線對準該第四基準線；以及提供一具第二波長的第二光於該第二基板上方，使該具第二波長的第二光照射位在該第二電子元件陣列的第N1列的該或該等電子元件所在的該第二基板，使其被熱解或光解而失去黏性，並使位在該第二基板的第N1列的該或該等電子元件被選擇性剝離，並接合至該第三基板的該第三上表面，使其位在第三電子元件陣列的第N2列，其中R1、R2、N1、N2為自然數，N1

    

    N，N2

    

    V，且1

    

    R1

    

    N1，1

    

    R2

    

    N2；其中，當位在該第二基板的該第二電子元件陣列的第N1列的該或該等電子元件被轉移至該第三基板的該第三電子元件陣列的第N2列時，其沿該第二軸方向的相對移動距離為[(N2-R2)*Y2-(N1-R1)*Y1]。
32. 如請求項25所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一熱解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
33. 如請求項25所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第一基板為一光解膠膜，且該具第一波長的第一光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
34. 如請求項28或31所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二基板為一熱解膠膜，且該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
35. 如請求項28或31所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該第二基板為一光解膠膜，且該具第二波長的第二光為一波長介於100奈米至12000奈米的光。
36. 如請求項25所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等電子元件為選自一個以上由發光二極體、雷射二極體及半導體元件所構成之群組。
37. 如請求項36所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等發光二極體所發出的光為紅光、綠光、藍光、黃光、白光、紅外光或紫外光。
38. 如請求項36所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等雷射二極體的波長介於390奈米至1700奈米。
39. 如請求項36所述的可調整間距的巨量轉移電子元件的方法，其中該等半導體元件為選自一個以上由處理器、記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC所構成的群組。

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