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TWI864015B - 電路基板之製造方法 - Google Patents

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TWI864015B
TWI864015B TW109119339A TW109119339A TWI864015B TW I864015 B TWI864015 B TW I864015B TW 109119339 A TW109119339 A TW 109119339A TW 109119339 A TW109119339 A TW 109119339A TW I864015 B TWI864015 B TW I864015B
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insulating substrate
substrate
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平野伸
飯田憲司
中川隆
高野憲治
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日商Ｆｉｃｔ股份有限公司
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Abstract

提供一種不使用接著層即能製造多層結構之電路基板的電路基板之製造方法等。

一種電路基板之製造方法，包含以下步驟：針對具有已硬化之第1絕緣性基材及以圖案狀形成於第1絕緣性基材之第1表面之金屬層的第1積層體，在該第1積層體中之第1絕緣性基材之與第1表面為相反側的第2表面上，依序重疊未硬化之第2絕緣性基材與樹脂薄膜，並進行熱壓附來獲得第2積層體之步驟；從第2積層體之樹脂薄膜側起，在樹脂薄膜、第2絕緣性基材及第1絕緣性基材形成達至金屬層之孔後，在孔中充填導電性糊料，再將樹脂薄膜剝離來獲得第3積層體之步驟；及將一第3積層體與另一第3積層體以一第3積層體之金屬層與另一第3積層體之孔的開口部相對向之方式重疊，並進行熱壓附之步驟。

Description

電路基板之製造方法
本案有關電路基板、電路基板之製造方法、及電子機器。
自以往，為了將電子零件密實地組入電子機器，一般係廣泛使用印刷配線板等電路基板。印刷配線板係將經貼合於積層板之銅箔依照電子電路圖案進行蝕刻而得者，雖其難以高密度地安裝電子零件，但在成本面上較有利。
另一方面，伴隨著對於電子機器之小型化、高性能化及低價格化等要求，電路基板之電子電路之微細化、多層化及電子零件之高密度安裝化正急速發展，而對於電路基板，多層印刷配線板之研討逐漸變得踴躍。
在製造具有多層結構之電路基板、亦即多層印刷配線板時，係藉由接著層來貼合經形成配線圖案的複數個絕緣性基材。然而，接著層在所製造之多層印刷配線板中係不需要的材料。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2006-66738號公報
專利文獻2：日本特開2009-76699號公報
專利文獻3：美國US2011-0289774號公報
所揭示之技術之目的在於提供電路基板之製造方法、多層結構之電路基板及具有前述電路基板之電子機器，該電路基板之製造方法不使用接著層即能製 造多層結構之電路基板，該多層結構之電路基板不具有用以形成多層結構之接著層。
在一態樣中，本案之電路基板之製造方法包含以下步驟：針對具有已硬化之第1絕緣性基材及以圖案狀形成於前述第1絕緣性基材之第1表面之金屬層的第1積層體，在該第1積層體中之前述第1絕緣性基材之與前述第1表面為相反側的第2表面上，依序重疊未硬化之第2絕緣性基材與樹脂薄膜，並進行熱壓附來獲得第2積層體之步驟；從前述第2積層體之前述樹脂薄膜側起，在前述樹脂薄膜、前述第2絕緣性基材及前述第1絕緣性基材形成達至前述金屬層之孔後，在前述孔中充填導電性糊料，再將前述樹脂薄膜剝離來獲得第3積層體之步驟；及將一前述第3積層體與另一前述第3積層體以一前述第3積層體之前述金屬層與另一前述第3積層體之前述孔的開口部相對向之方式重疊，並進行熱壓附之步驟。
在另一態樣中，本案之電路基板具有複數個積層體，前述積層體具有：已硬化之第1絕緣性基材；金屬層，其以圖案狀形成於前述第1絕緣性基材之第1表面；已硬化之第2絕緣性基材，其配設於前述第1絕緣性基材之與前述第1表面為相反側之第2表面；及通孔，其形成為從前述第2絕緣性基材之與前述第1絕緣性基材側為相反側之表面達至前述金屬層；並且複數個前述積層體中，一前述積層體與另一前述積層體係以一前述積層體之前述金屬層與露出於另一前述積層體之前述第2絕緣性基材表面之通孔相對向之方式來置位。
在另一態樣中，本案之電子機器具有所揭示之電路基板及電子零件。
就一面向而言，可提供一種電路基板之製造方法，該製造方法不使用接著層即能製造多層結構之電路基板。
並且，就一面向而言，可提供一種多層結構之電路基板，其不具有用以形成多層結構之接著層。
另外，就一面向而言，可提供一種使用有多層結構之電路基板之電子機器，該多層結構之電路基板不具有用以形成多層結構之接著層。
1:第1絕緣性基材
1A:第1表面
1B:第2表面
2,3,12,22:金屬層
4,5:乾膜光阻劑
6:第2絕緣性基材
7:樹脂薄膜
8:孔
9:導電性糊料
100:第3積層體
101:積層體
500:母板
550:焊球
600:中介層
650:凸塊
700:半導體元件
圖1係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其1)。
圖2係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其2)。
圖3係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其3)。
圖4係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其4)。
圖5係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其5)。
圖6係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其6)。
圖7係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其7)。
圖8係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其8)。
圖9係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其9)。
圖10係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其10)。
圖11係用以說明電路基板之製造方法之一例的概略截面圖(其11)。
圖12係半導體封裝件的概略截面圖。
(電路基板之製造方法)
所揭示之電路基板之製造方法至少包含獲得第2積層體之步驟、獲得第3積層體之步驟及進行熱壓附之步驟，且可視需要而更包含其他步驟。
<獲得第2積層體之步驟>
第2積層體可藉由在第1積層體中之第1絕緣性基材之與第1表面為相反側的第2表面上依序重疊未硬化之第2絕緣性基材與樹脂薄膜，並進行熱壓附來獲得。
<<第1積層體>>
第1積層體具有已硬化之第1絕緣性基材及以圖案狀形成於第1絕緣性基材之第1表面之金屬層。
<<<第1絕緣性基材>>>
第1絕緣性基材已硬化。
第1絕緣性基材只要係可用於電路基板的絕緣性基材，則無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如以採用了玻璃布等的無機織布、無機不織布等無機基材或有機織布、有機不織布等有機基材來強化硬度後之基材等。
第1絕緣性基材更具體而言可列舉例如：玻璃環氧基材(浸潤過環氧樹脂之玻璃織布基材、浸潤過環氧樹脂之玻璃不織布基材)、浸潤過雙馬來醯亞胺三
Figure 109119339-A0305-02-0006-8
樹脂之玻璃織布基材、浸潤過環氧樹脂之芳醯胺不織布基材、浸潤過改質聚苯醚樹脂之玻璃織布基材等。
在此，所謂玻璃環氧基材係指經使環氧樹脂浸潤於玻璃纖維的布(織布或不織布)而獲得之基材。
第1絕緣性基材已硬化。所謂已硬化例如係呈結束總硬化發熱量之約100%的發熱後的狀態，且例如係呈在進行了示差掃描熱量測定時幾乎無法觀察到發熱的狀態。以下有時係將已硬化稱為C階段。並且有時係將尚未達到C階段之硬化度稱為B階段。
第1絕緣性基材通常為平板狀。
第1絕緣性基材的平均厚度並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，例如可在10μm以上且在200μm以下，亦可在30μm以上且在100μm以下。
<<<金屬層>>>
形成金屬層的金屬並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如鎳、銅等。
金屬層的結構可為單層結構，亦可為多層結構。作為金屬層，可舉例如銅的單層結構、銅與鎳的雙層結構等。
金屬層的圖案並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇。
形成圖案狀之金屬層的方法並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如減成(蝕刻)法、半加成法(鍍敷法)等。其等可利用光刻法來進行。
金屬層之與第1絕緣性基材側為相反側的表面係以粗面為佳。藉由金屬層之與第1絕緣性基材側為相反側的表面係粗面，則在將一第3積層體與另一第3積層體熱壓附時，該等積層體的密著性就會提升。並且，藉由金屬層之與第1絕緣性基材側為相反側的表面係粗面，在將一第3積層體與另一第3積層體以一第3積層體之金屬層與另一第3積層體之孔的開口部相對向之方式重疊並進行熱壓附時，可抑制從孔突出之導電性糊料過度擴展。其結果，金屬層與由導電性糊料構成之通孔的電連接變得良好。
將金屬層的表面製成粗面的方法並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如CZ處理(treatment of copper surface of zigzag)等。粗面的算術平均粗度(Ra)可舉例在1.0μm以上且在2.0μm以下等。
金屬層的平均厚度並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，例如可在5μm以上且在40μm以下，亦可在10μm以上且在30μm以下。
<<第2絕緣性基材>>
第2絕緣性基材未硬化。
第2絕緣性基材只要係可用於電路基板的絕緣性基材，則無特別限制，可視 目的之不同來適當選擇，可舉例如以採用了玻璃布等的無機織布、無機不織布等無機基材或有機織布、有機不織布等有機基材來強化硬度後之基材等。
第2絕緣性基材更具體而言可列舉例如：玻璃環氧基材(浸潤過環氧樹脂之玻璃織布基材、浸潤過環氧樹脂之玻璃不織布基材)、浸潤過雙馬來醯亞胺三
Figure 109119339-A0305-02-0008-7
樹脂之玻璃織布基材、浸潤過環氧樹脂之芳醯胺不織布基材、浸潤過改質聚苯醚樹脂之玻璃織布基材等。
在此，所謂玻璃環氧基材係指經使環氧樹脂浸潤於玻璃纖維的布(織布或不織布)而獲得之基材。
作為第1絕緣性基材之玻璃環氧基材與作為第2絕緣性基材之玻璃環氧基材，宜為相同玻璃環氧基材。透過設定為上述，特性值(體積收縮/膨脹、機械剛性等)會相同，因而可減低由應力差異導致發生電路基板的翹曲等。並且可排除因基材中所含之材料成分、水分移動到鄰接基材中而對硬化及鍵結狀態等帶來的影響。
在此，所謂為相同玻璃環氧基材，意指在已硬化(C階段)之狀態下顯示出相同特性。例如，將與第1絕緣性基材之C階段之玻璃環氧基材相同的玻璃環氧基材以B階段的狀態用來作為第2絕緣性基材時，其等為相同玻璃環氧基材。
又，第2絕緣性基材之材質亦可為熱硬化性樹脂。熱硬化性樹脂係以氟樹脂、聚苯醚樹脂(PPE/PPO樹脂)、聚醯亞胺樹脂(PI樹脂)、雙馬來醯亞胺三
Figure 109119339-A0305-02-0008-9
樹脂(BT樹脂)為佳。該等樹脂係低介電常數且低介電正切之樹脂，故藉由使用該等樹脂可減低電訊號的傳輸損失。
第2絕緣性基材通常為平板狀。
第2絕緣性基材的平均厚度並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，例如可在10μm以上且在150μm以下，亦可在20μm以上且在100μm以下。
第1絕緣性基材的平均厚度及第2絕緣性基材的平均厚度之比率 (第1絕緣性基材：第2絕緣性基材)並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，而從電路基板的製造性及控制厚度尺寸之觀點看來係以4.0：1.0~1.0：1.0為佳，2.0：1.0~1.5：1.0較佳。
<<樹脂薄膜>>
樹脂薄膜只要係在熱壓附時不會熔融的樹脂薄膜，則無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚伸苯硫醚薄膜、聚醯亞胺薄膜等。
樹脂薄膜之第2絕緣性基材側的表面宜為粗面。藉由如此設定，可更提高熱壓附後的第2絕緣性基材與樹脂薄膜之暫時接著力，而可避免在其他步驟中第2絕緣性基材與樹脂薄膜意外剝離。
將樹脂薄膜的表面製成粗面的方法並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如噴擊加工、壓印(emboss)加工、塗佈加工等。粗面的算術平均粗度(Ra)可舉例在1.0μm以上且在2.0μm以下等。
樹脂薄膜的平均厚度並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例在10μm以上且在100μm以下等。
在獲得第2積層體之步驟中，係在第1積層體中之第1絕緣性基材之與第1表面為相反側的第2表面上依序重疊未硬化之第2絕緣性基材與樹脂薄膜，並進行熱壓附。藉由如上述方式進行，可實現第1積層體與第2絕緣性基材之暫時接著、及第2絕緣性基材與樹脂薄膜之暫時接著。
第2絕緣性基材係與接著層不同，在常溫及常壓下不具有充分的接著性。因此，若不進行熱壓附，第1積層體與第2絕緣性基材之暫時接著就不充分，在其他步驟中第1積層體與第2絕緣性基材恐會剝離。並且，若不進行熱壓附，第2絕緣性基材與樹脂薄膜之暫時接著就不充分，在其他步驟中第2絕緣性基材與樹脂薄膜恐會剝離。
亦即，為了使第1積層體與第2絕緣性基材不剝離，且使第2絕緣性基材與樹脂薄膜不會意外剝離，宜進行熱壓附。
熱壓附時的溫度、壓力及時間並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇。
溫度可舉例50℃以上且在100℃以下。
壓力可舉例0.5MPa以上且在1.2MPa以下。
時間可舉例60秒以上且在120秒以下。
在熱壓附時，宜使第2絕緣性基材硬化但不使其完全硬化。亦即，在熱壓附時宜不使第2絕緣性基材硬化至C階段。若在使第2絕緣性基材硬化後於第2絕緣性基材形成孔，則孔的尺寸穩定性會提升。另外，若在不使第2絕緣性基材完全硬化下重疊複數個第3積層體後進行熱壓附來製造電路基板，則一第3積層體之第2絕緣性基材與另一第3積層體之第1絕緣性基材的接著性便佳。此外，若在不使第2絕緣性基材完全硬化下積層複數個第3積層體並進行熱壓附，則一第3積層體之金屬層會變得易於埋入另一第3積層體之第2絕緣性基材中，而可獲得均一厚度的電路基板。
<獲得第3積層體之步驟>
第3積層體係藉由下述方式獲得：從第2積層體之樹脂薄膜側起，在樹脂薄膜、第2絕緣性基材及第1絕緣性基材形成達至金屬層之孔後，在孔中充填導電性糊料，再將樹脂薄膜剝離。
<<孔(貫通孔)>>
形成孔(貫通孔)的方法並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如利用雷射來形成孔的方法等。
雷射並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如CO2雷射、YAG雷射等。
雷射之輸出並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇。
孔只要係露出金屬層之第1絕緣性基材側的表面的孔，則該孔的大小(開口直徑)便無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，例如可在50μm以上且在500μm以下，亦可在100μm以上且在300μm以下。
此處之孔的大小(開口直徑)例如係指第2絕緣性基材之樹脂薄膜側的表面的開口直徑。
孔的形狀並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如其直徑從樹脂薄膜側的開口部朝向金屬層逐漸縮小的形狀(錐狀)等。
在第2積層體形成的孔的數量並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇。
<<導電性糊料>>
導電性糊料並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如含有金屬粒子(導電性填料)與黏合樹脂之導電性糊料等。
構成金屬粒子的金屬可列舉例如：銅、金、銀、鈀、鎳、錫、鉛、鉍等。該等可單獨使用1種，亦可將2種以上併用。
黏合樹脂可舉例環氧樹脂等之熱硬化性樹脂等。惟，黏合樹脂不限於此，亦可為例如聚醯亞胺樹脂等其他樹脂。
黏合樹脂在常溫下可呈液狀，亦可為固體。黏合樹脂在常溫下為固體時，導電性糊料例如係加熱至黏合樹脂的熔融溫度以上的溫度來使用。
導電性糊料可藉由例如將黏合樹脂及金屬粒子捏合來獲得。且導電性糊料亦可含有熔劑等。
導電性糊料可為壓接類型，亦可為熔融類型。
所謂壓接類型，係一種低電阻金屬粉末(導電性填料)不會因積層時的熱而熔融，而僅以積層時的壓力使導電性填料彼此接觸，藉此使層間可導通連接之導 電性糊料。壓接類型會因導電性糊料中所含之樹脂熱硬化而喪失流動性。
所謂熔融類型，係一種以積層時的熱使低熔點金屬粉末(導電性填料)熔融，且以包圍著高熔點金屬粉末(導電性填料)的方式硬化而形成合金層，藉此使層間可導通連接之導電性糊料。
在孔中充填導電性糊料的方法並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如使用刮刀治具在大氣或真空下在孔中充填導電性糊料的方法等。
<<剝離>>
剝離樹脂薄膜的方法並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如利用治具抓持樹脂薄膜端部並從第2絕緣性基材拉離的方法等。
<進行熱壓附之步驟>
將一第3積層體與另一第3積層體以一第3積層體之金屬層與另一第3積層體之孔的開口部相對向之方式重疊，並進行熱壓附。
熱壓附時的溫度、壓力及時間並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇。
溫度可舉例200℃以上且在500℃以下。
壓力可舉例2MPa以上且在10MPa以下。
時間可舉例3h以上且在5h以下。
在進行熱壓附時，宜使第2絕緣性基材完全硬化。亦即，在進行熱壓附時宜使第2絕緣性基材硬化至C階段。藉由如上述方式進行，可獲得電路基板。
<其他步驟>
其他步驟可舉例使導電糊料的表面硬化之步驟等。
<<使導電糊料的表面硬化之步驟>>
在電路基板之製造方法中，宜進行使從第3積層體之孔突出之導電糊料的表面硬化之步驟。
藉由使從孔突出之導電糊料的表面硬化，可維持從孔突出之導電性糊料的形狀。並且，藉由使從孔突出之導電糊料的表面硬化，可避免在將一第3積層體與另一第3積層體重疊並進行熱壓附時，導電性糊料不必要地流散。
硬化程度並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，不一定要完全硬化。
加熱方法並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇。
(電路基板)
所揭示之電路基板具有複數個積層體。
電路基板之複數個積層體中，一積層體與另一積層體係以一積層體之金屬層與露出於另一積層體之第2絕緣性基材表面之通孔相對向之方式來置位。
所揭示之電路基板係例如藉由所揭示之電路基板之製造方法來製造。
<積層體>
積層體具有第1絕緣性基材、金屬層、第2絕緣性基材及通孔。
<<第1絕緣性基材>>
第1絕緣性基材已硬化。亦即，第1絕緣性基材處於C階段。
第1絕緣性基材只要係可用於電路基板的絕緣性基材，則無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如以採用了玻璃布等的無機織布、無機不織布等無機基材或有機織布、有機不織布等有機基材來強化硬度後之基材等。
第1絕緣性基材更具體而言可列舉例如：玻璃環氧基材(浸潤過環氧樹脂之玻璃織布基材、浸潤過環氧樹脂之玻璃不織布基材)、浸潤過雙馬來醯亞胺三
Figure 109119339-A0305-02-0013-6
樹脂之玻璃織布基材、浸潤過環氧樹脂之芳醯胺不織布基材、浸潤過改質聚苯醚 樹脂之玻璃織布基材等。
在此，所謂玻璃環氧基材係指經使環氧樹脂浸潤於玻璃纖維的布(織布或不織布)而獲得之基材。
第1絕緣性基材通常為平板狀。
第1絕緣性基材的平均厚度並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，例如可在10μm以上且在200μm以下，亦可在30μm以上且在100μm以下。
<<金屬層>>
金屬層係以圖案狀形成於第1絕緣性基材之第1表面。
形成金屬層的金屬並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如鎳、銅等。
金屬層的結構可為單層結構，亦可為多層結構。作為金屬層，可舉例如銅的單層結構、銅與鎳的雙層結構等。
金屬層的圖案並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇。
形成圖案狀之金屬層的方法並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如減成(蝕刻)法、半加成法(鍍敷法)等。其等可利用光刻法來進行。
金屬層的平均厚度並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，例如可在5μm以上且在40μm以下，亦可在10μm以上且在30μm以下。
<<第2絕緣性基材>>在電路基板中，第2絕緣性基材已硬化。亦即，在電路基板中，第2絕緣性基材處於例如C階段。
第2絕緣性基材只要係可用於電路基板的絕緣性基材，則無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如以採用了玻璃布等的無機織布、無機不織布等無機基材或有機織布、有機不織布等有機基材來強化硬度後之基材等。
第2絕緣性基材更具體而言可列舉例如：玻璃環氧基材(浸潤過環氧樹脂之玻璃織布基材、浸潤過環氧樹脂之玻璃不織布基材)、浸潤過雙馬來醯亞胺三
Figure 109119339-A0305-02-0015-4
樹脂之玻璃織布基材、浸潤過環氧樹脂之芳醯胺不織布基材、浸潤過改質聚苯醚樹脂之玻璃織布基材等。
在此，所謂玻璃環氧基材係指經使環氧樹脂浸潤於玻璃纖維的布(織布或不織布)而獲得之基材。
作為第1絕緣性基材之玻璃環氧基材與作為第2絕緣性基材之玻璃環氧基材，宜為相同玻璃環氧基材。透過設定為上述，特性值(體積收縮/膨脹、機械剛性等)會相同，因而可減低由應力差異導致發生電路基板的翹曲等。並且可排除因基材中所含之材料成分、水分移動到鄰接基材中而對硬化及鍵結狀態等帶來的影響。
在此，所謂為相同玻璃環氧基材，意指在已硬化(C階段)之狀態下顯示出相同特性。例如，將與第1絕緣性基材之C階段之玻璃環氧基材相同的玻璃環氧基材以B階段的狀態用來作為第2絕緣性基材時，其等為相同玻璃環氧基材。
又，第2絕緣性基材之材質亦可為熱硬化性樹脂之硬化物。熱硬化性樹脂係以氟樹脂、聚苯醚樹脂(PPE/PPO樹脂)、聚醯亞胺樹脂(PI樹脂)、雙馬來醯亞胺三
Figure 109119339-A0305-02-0015-5
樹脂(BT樹脂)為佳。該等樹脂係低介電常數且低介電正切之樹脂，故藉由使用該等樹脂可減低電訊號的傳輸損失。
第2絕緣性基材通常為平板狀。
第2絕緣性基材的平均厚度並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，例如可在10μm以上且在150μm以下，亦可在20μm以上且在100μm以下。
第1絕緣性基材的平均厚度及第2絕緣性基材的平均厚度之比率(第1絕緣性基材：第2絕緣性基材)並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，而從電路基板的製造性及控制厚度尺寸之觀點看來係以4.0：1.0~1.0：1.0為佳， 2.0：1.0~1.5：1.0較佳。
<<通孔>>
通孔係形成為從第2絕緣性基材之與第1絕緣性基材側為相反側之表面達至金屬層。
所謂通孔，係為了電路基板中之積層體間的電連接而在所形成的孔的內部形成有導體者。導體並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如導電性糊料的硬化物、鍍敷等。
導體為導電性糊料的硬化物時，通常係藉由在孔的內部整體充填導電性糊料後，使導電性糊料硬化來形成通孔。
導體為鍍敷時，通常係在孔的內壁施行電鍍或無電鍍敷(electroless plating)來形成通孔。
導電性糊料並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如先前所揭示之電路基板之製造方法中說明的導電性糊料。
(電子機器)
所揭示之電子機器至少具有所揭示之電路基板及電子零件，並且視需要而更具有其他構件。
電子機器並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇。其可列舉例如：電腦(筆記型電腦、桌上型電腦)、電話機、行動電話、輸入板型行動終端機、智慧型手機、影印機、傳真機、各種印表機、數位相機、電視機、錄放影機、CD裝置、DVD裝置、空調、遙控裝置等。
以下，利用圖式來說明所揭示之電路基板之製造方法之一例。
首先，準備雙面覆銅基板，該雙面覆銅基板係於第1絕緣性基材1的兩面貼合銅箔之金屬層2、3而成(圖1)。第1絕緣性基材1例如係已硬化之玻璃環氧基材，且其平均厚度譬如為60μm。金屬層2、3的平均厚度譬如為15μm。
接著，使用貼合機於雙面覆銅基板的兩面貼合乾膜光阻劑4、5(圖2)。
接下來，對乾膜光阻劑4進行選擇性曝光及顯影，藉此形成用以製成圖案狀金屬層之光阻劑圖案(圖3)。另，乾膜光阻劑5係透過顯影使其全面溶解。乾膜光阻劑4、5並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如正型乾膜光阻劑、負型乾膜光阻劑等。作為選擇性曝光之曝光波長，只要可使乾膜光阻劑感光則無特別限制，可視目的之不同來適當選擇。顯影方法無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如利用鹼性水溶液所行之顯影等。
接下來，以經圖案化之乾膜光阻劑4作為遮罩，進行金屬層2、3之蝕刻來獲得經圖案化之金屬層2(圖4)。蝕刻方法可舉濕式蝕刻等。
藉由以上，可獲得第1積層體。
接著，在第1積層體中之第1絕緣性基材1之與第1表面1A為相反側的第2表面1B上，依序重疊未硬化之第2絕緣性基材6與樹脂薄膜7，並進行熱壓附來獲得第2積層體(圖5)。進行熱壓附前的第2絕緣性基材6係例如B階段的玻璃環氧基材。在熱壓附中宜使第2絕緣性基材6熱硬化。惟，熱硬化並非至C階段之熱硬化，宜為在B階段中再適度推進硬化的程度之熱硬化。
接下來，從第2積層體之樹脂薄膜7側起，在樹脂薄膜7、第2絕緣性基材6及第1絕緣性基材1形成達至金屬層3之孔8(圖6)。孔8之形成可例如藉由照射雷射來進行。
然後，在孔8中充填導電性糊料9(圖7)。將導電性糊料9充填於孔8中的方法並無特別限制，可視目的之不同來適當選擇，可舉例如使用刮刀治具在大氣或真空下在孔中充填導電性糊料的方法等。
接著剝離樹脂薄膜7(圖8)。藉由如上述方式進行，可獲得導電性糊料9從第2絕緣性基材6的開口僅突出樹脂薄膜7的厚度份量之狀態。
藉由以上步驟，可獲得第3積層體100。
接下來，針對複數個第3積層體100，將一第3積層體100與另一第3積層體100以一第3積層體100之金屬層2與另一第3積層體100之孔8的開口部相對向之方式重疊(圖9)。此時，在由重疊之複數個積層體所形成的積層物的上下，宜設置非圖案狀之金屬層。例如，在位於最上方之第3積層體100的上方重疊非圖案狀之金屬層22。另外，位於最下方之積層體101係採用在第3積層體100中未配設有圖案狀金屬層2的積層體。並且在該積層體101的下方配設金屬層12。
接著，將重疊之複數個第3積層體100進行熱壓附(圖10)。藉由如上述方式進行，一第3積層體100之金屬層2便會埋入另一第3積層體100之第2絕緣性基材6中。除此之外，導電性糊料9會硬化。並且第2絕緣性基材6完全硬化。亦即，第2絕緣性基材6硬化至C階段。
接著將金屬層12及金屬層22加工成圖案狀(圖11)。
藉由如上述方式進行，便完成電路基板。
藉由所揭示之電路基板之製造方法形成之電路基板及所揭示之電路基板可用來作為母板(支持基板)，且亦可用來作為中介層(interposer)(中繼基板)，此外亦可用來作為構成半導體元件之電路基板。
圖12中顯示半導體封裝件的概略截面圖。圖12之半導體封裝件具有：具有焊球550之母板500、透過凸塊650連接於母板500上之中介層600、及配置於中介層600上之半導體元件700。半導體元件700可舉例FPGA(Field Programmable Gate Array)晶片等。
在此，藉由所揭示之電路基板之製造方法形成之電路基板及所揭示之電路基板可用來作為圖12中之母板500，亦可用來作為中介層600，此外亦可用來作為構成半導體元件700之電路基板。
有關以上實施形態，更揭示以下附記。
(附記1)
一種電路基板之製造方法，特徵在於包含以下步驟：針對具有已硬化之第1絕緣性基材及以圖案狀形成於前述第1絕緣性基材之第1表面之金屬層的第1積層體，在該第1積層體中之前述第1絕緣性基材之與前述第1表面為相反側的第2表面上，依序重疊未硬化之第2絕緣性基材與樹脂薄膜，並進行熱壓附來獲得第2積層體之步驟；從前述第2積層體之前述樹脂薄膜側起，在前述樹脂薄膜、前述第2絕緣性基材及前述第1絕緣性基材形成達至前述金屬層之孔後，在前述孔中充填導電性糊料，再將前述樹脂薄膜剝離來獲得第3積層體之步驟；及將一前述第3積層體與另一前述第3積層體以一前述第3積層體之前述金屬層與另一前述第3積層體之前述孔的開口部相對向之方式重疊，並進行熱壓附之步驟。
(附記2)
如附記1之電路基板之製造方法，其中前述第1絕緣性基材為玻璃環氧基材，且前述第2絕緣性基材為玻璃環氧基材。
(附記3)
如附記2之電路基板之製造方法，其中作為前述第1絕緣性基材之前述玻璃環氧基材與作為前述第2絕緣性基材之前述玻璃環氧基材係相同玻璃環氧基材。
(附記4)
如附記1之電路基板之製造方法，其中前述第2絕緣性基材之材質為熱硬化性樹脂，該熱硬化性樹脂選自於由氟樹脂、聚苯醚樹脂、聚醯亞胺樹脂及雙馬來醯亞胺三
Figure 109119339-A0305-02-0019-3
樹脂所構成之群組。
(附記5)
如附記1至4中任一項之電路基板之製造方法，其在將一前述第3積層體與另 一前述第3積層體熱壓附時，一前述第3積層體之前述金屬層係埋入另一前述第3積層體之前述第2絕緣性基材中。
(附記6)
如附記1至5中任一項之電路基板之製造方法，其更包含使從前述第3積層體之前述孔突出之前述導電糊料的表面硬化之步驟。
(附記7)
如附記1至6中任一項之電路基板之製造方法，其在將一前述第3積層體與另一前述第3積層體以一前述第3積層體之前述金屬層與另一前述第3積層體之前述孔的開口部相對向之方式重疊並進行熱壓附時，使前述第2絕緣性基材完全硬化。
(附記8)
一種電路基板，特徵在於具有複數個積層體，前述積層體具有：已硬化之第1絕緣性基材；金屬層，其以圖案狀形成於前述第1絕緣性基材之第1表面；已硬化之第2絕緣性基材，其配設於前述第1絕緣性基材之與前述第1表面為相反側之第2表面；及通孔，其形成為從前述第2絕緣性基材之與前述第1絕緣性基材側為相反側之表面達至前述金屬層；並且複數個前述積層體中，一前述積層體與另一前述積層體係以一前述積層體之前述金屬層與露出於另一前述積層體之前述第2絕緣性基材表面之通孔相對向之方式來置位。
(附記9)
如附記8之電路基板，其中前述第1絕緣性基材為玻璃環氧基材，且前述第2絕緣性基材為玻璃環氧基材。
(附記10)
如附記9之電路基板，其中作為前述第1絕緣性基材之前述玻璃環氧基材與 作為前述第2絕緣性基材之前述玻璃環氧基材係相同玻璃環氧基材。
(附記11)
如附記8之電路基板之製造方法，其中前述第2絕緣性基材之材質為熱硬化性樹脂的硬化物，該熱硬化性樹脂選自於由氟樹脂、聚苯醚樹脂、聚醯亞胺樹脂及雙馬來醯亞胺三
Figure 109119339-A0305-02-0021-2
樹脂所構成之群組。
(附記12)
如附記8至11中任一項之電路基板，其中一前述第3積層體之前述金屬層係埋入另一前述第3積層體之前述第2絕緣性基材中。
(附記13)
一種電子機器，特徵在於：具有如附記1至7中任一項之電路基板及電子零件。
1:第1絕緣性基材
2,12,22:金屬層
6:第2絕緣性基材
9:導電性糊料

Claims (7)

  1. 一種電路基板之製造方法，特徵在於包含以下步驟：針對具有已硬化之第1絕緣性基材及以圖案狀形成於前述第1絕緣性基材之第1表面之金屬層的第1積層體，在該第1積層體中前述第1絕緣性基材之與前述第1表面為相反側的第2表面上，依序重疊未硬化之第2絕緣性基材與樹脂薄膜，並進行熱壓附來獲得第2積層體之步驟；從前述第2積層體之前述樹脂薄膜側起，在前述樹脂薄膜、前述第2絕緣性基材及前述第1絕緣性基材形成達至前述金屬層之孔後，在前述孔中充填導電性糊料，再將前述樹脂薄膜剝離來獲得第3積層體之步驟；及將一前述第3積層體與另一前述第3積層體以一前述第3積層體之前述金屬層與另一前述第3積層體之前述孔的開口部相對向之方式重疊，並進行熱壓附之步驟。
  2. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中前述第1絕緣性基材為玻璃環氧基材，且前述第2絕緣性基材為玻璃環氧基材。
  3. 如請求項2之電路基板之製造方法，其中作為前述第1絕緣性基材之前述玻璃環氧基材與作為前述第2絕緣性基材之前述玻璃環氧基材係相同玻璃環氧基材。
  4. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中前述第2絕緣性基材之材質為熱硬化性樹脂，該熱硬化性樹脂選自於由氟樹脂、聚苯醚樹脂、聚醯亞胺樹脂及雙馬來醯亞胺三
    Figure 109119339-A0305-02-0023-1
    樹脂所構成之群組。
  5. 如請求項1至4中任一項之電路基板之製造方法，其在將一前述第3積層體與另一前述第3積層體熱壓附時，一前述第3積層體之前述金屬層係埋入另一前述第3積層體之前述第2絕緣性基材中。
  6. 如請求項1之電路基板之製造方法，其更包含使從前述第3積層體之前述孔突出之前述導電糊料的表面硬化之步驟。
  7. 如請求項1之電路基板之製造方法，其在將一前述第3積層體與另一前述第3積層體以一前述第3積層體之前述金屬層與另一前述第3積層體之前述孔的開口部相對向之方式重疊並進行熱壓附時，使前述第2絕緣性基材完全硬化。
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