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TWI859121B - 光電裝置及其製造方法、以及其用途 - Google Patents

光電裝置及其製造方法、以及其用途 Download PDF

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TWI859121B
TWI859121B TW107123796A TW107123796A TWI859121B TW I859121 B TWI859121 B TW I859121B TW 107123796 A TW107123796 A TW 107123796A TW 107123796 A TW107123796 A TW 107123796A TW I859121 B TWI859121 B TW I859121B
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尼子雅章
馮雅靖
文人 西田
Original Assignee
美商杜邦電子材料國際有限責任公司
美商Ｄｄｐ特殊電子材料Ｕｓ ９有限責任公司
日商杜邦東麗特殊材料股份有限公司
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Abstract

揭示一種製備併入交聯樹脂-線性聚有機矽氧烷之光電裝置之方法。

Description

光電裝置及其製造方法、以及其用途
本發明大體上係關於一種製造光學裝置之改良方法。
在幾乎所有應用中，發白光LED(「白光LED」)正在逐漸替代習知螢光緊湊型螢光及白熾光源。LED通常包含一或多種光致發光材料(例如一或多種磷光體材料)，其吸收一部分由LED發射之輻射且再發射不同顏色之光(波長)。通常，LED產生藍光且磷光體吸收一定百分比之藍光且再發射黃色、綠色、紅色光或綠色、黃色及紅色光之組合。與由磷光體發射之光組合之由LED產生之不由磷光體材料吸收的藍光之部分提供眼睛視為為白色光之光。
通常，白光LED包括一或多個安裝於套件之腔室內之藍光LED晶片，所述腔室隨後填充含有一或多種磷光體材料之封裝劑；一種稱作分配之方法。藉由分配製得之此類白光LED之缺點為很難嚴格控制最終LED之色彩特徵。最近，關注集中於藉由直接將磷光體施加於未經封裝之LED晶片來製備能夠實現更好色彩控制之白光LED。
LED晶片有時由反射性材料包圍而非置於腔室中。反射性結構在所有4個側面包圍LED晶片，僅暴露頂部發射表面。此類結構通常由分配或壓縮模製液體白色材料產生。此等方法之缺點為難以移除過量包覆模製材料以乾淨地再暴露LED。分配亦面臨實現對厚度及表面均勻度及穿過窄開口之能力之良好控制之難題。
JP 2016174148係一個描述安裝於基板上之LED之陣列的實例，其試圖解決本領域之分配問題。然而，所引用之參考描述一種在移除覆蓋LED晶片之頂部表面之過量材料之前需要完全固化或中等b-階段固化步驟的方法。
藉由提供一種製造LED之方法，其中可固化熱熔體與塗覆於基板上之填充劑材料接觸以填充側向空間且圍繞LED晶片製造側壁，本發明係先前技術之替代改良。在本發明中，單獨的材料之b-階段固化步驟不係必需的，且實際上並非較佳的。生產方法方面之此改良將實現LED之更有效生產，且LED之側壁與頂部波長轉換層之間之黏著性得以改善。
本發明提供一種製造光電裝置之方法，包括提供基板，其中所述基板包括一或多個佈置於基板之至少一個表面上之電光組件；使平行於基板之電光組件之表面與包括填充劑及可固化聚矽氧熱熔體之側向填充劑膜接觸；使側向填充劑膜與釋放襯墊接觸；及施加壓力以建立光電裝置。
亦提供另外包括施加波長轉換層及共固化之此類方法。最後，亦提供藉由本發明之方法製得之裝置及使用此類裝置之方法。
本文中使用各種常用定則描述本發明之態樣。舉例而言，除非另外規定，否則所有物質狀態均在25℃及101.3 kPa下測定。除非另外說明或規定，否則所有%均按重量計。除非另外說明，否則所有%值均按用於合成或製備組合物之固體組分之總量計，其加和為100%。本文中使用各種化學術語描述本發明之態樣。除非另外定義，否則本文中所述術語之含義對應於由IUPAC公佈之其定義。術語「IUPAC」係指國際純粹與應用化學聯合會（International Union of Pure and Applied Chemistry）。為方便起見，定義某些化學術語。
術語「膜」意指在一個維度上受限制之材料。受限維度可表徵為「厚度」。
術語「移除（remove/removed/removing/removal）」意指引起物理上地移動分開且因此不再直接接觸。本文中物理移除之原因在實質上為機械的而非藉由化學手段。
術語「基板」意指具有至少一個其上可存在另一材料之表面的實體載體。
術語「LED」意指發光二極體。「LED」意指複數個發光二極體。
術語「陣列」意指LED之佈置；通常在基板上。
術語「PET」意指聚對苯二甲酸伸乙酯。
術語「固化（cure/cured）」意指在高溫下加熱以使材料之機械特性改變以賦予完全機械完整性（亦即目標材料之交聯及硬化或韌化）。若不經歷高溫下之交聯，則將材料視為未經固化。
本發明提供一種製造光電裝置之方法，包括提供基板。適用於本發明之本領域之習知基板包含，例如，聚合物（例如PET或聚醯亞胺基板）、隔絕金屬及陶瓷基板且可能具有或可能不具有金屬圖案。至少一個電光組件佈置於基板之至少一個表面上。本發明中可使用習知電光組件。適合電光組件之一個實例為LED。當LED為電光組件時其可以陣列方式佈置；此類陣列可能包含或可能不包含導線連接。設想本發明之LED陣列應不具有連接至自身之導線。亦即，LED晶片自身之間不導線連接但可存在經導線連接之其他組件（例如齊納（Zener）二極體），只要導線高度相等或低於LED晶片之高度即可。LED陣列之設計根據本領域之習知設計。
隨後使包括填充劑及可固化熱熔體之側向填充劑膜與平行於電光組件佈置及/或固定於基板之表面的表面接觸以建立側向填充劑層。此類側向填充劑膜藉由在LED陣列上人工地或自動地置放膜而處於與LED之平行表面之緊密接觸。
側向填充劑膜可用於賦予各種光學功能，諸如光吸收或反射。對於反射性側向填充劑膜，適合填充劑包含，例如，BN、TiOx 、SiO2 、Al2 O3 、Al(OH)3 、BaSO4 、ZnO及其摻合物。
用於側向填充劑膜中之可固化熱熔體為與催化劑及抑制劑交聯且反應的可交聯樹脂-線性聚有機矽氧烷之巨分子或一批巨分子。樹脂線性聚有機矽氧烷巨分子可為矽氫化固化樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物（R-LOB共聚物）。R-LOB共聚物具有不同於非嵌段共聚物，諸如統計共聚物、無規共聚物或交替共聚物之彼等的單體佈置。R-LOB共聚物可為二嵌段、三嵌段或更高嵌段共聚物。R-LOB共聚物由其特徵為相異線性嵌段及相異樹脂嵌段之巨分子構成。線性嵌段通常含有大多數、基本上全部或全部D-型有機矽氧烷單元(R2 SiO2 / 2 )-，其主要結合在一起形成二價直鏈聚合片段（例如各具有10至400單元），本文中二價直鏈聚合片段稱為「線性嵌段」。樹脂嵌段含有大部分、基本上全部或全部T-型有機矽氧烷單元或Q單元，儘管其通常為T-型有機矽氧烷單元(RSiO3 / 2 )-。通常，在R-LOB共聚物中若存在任何Q單元（SiO4/2 ），則其在數目上相對小（小於全部單元之5 mol%）。（此外，R-LOB共聚物可能含有相對小數目*之M-型有機矽氧烷單元(R3 SiO1 / 2 )-，其中R為烴基；*通常小於5mol% M-型單元） T-型有機矽氧烷單元主要彼此結合以形成多價分支鏈聚合片段，其在本文中稱為「非線性嵌段」。因此，R-LOB共聚物由其中線性嵌段與非線性嵌段結合之巨分子構成。在R-LOB共聚物之固體形式中，大量此等非線性嵌段可聚集在一起形成奈米區域。R-LOB共聚物之聚集的非線性嵌段可以被稱為硬區域，且線性嵌段稱為軟區域。R-LOB共聚物之特徵可為比非嵌段共聚物之彼等更高之玻璃轉化溫度（Tg）。此等R-LOB共聚物可經設計含有低莫耳量之不飽和脂族基團，其實現下游工業應用，諸如密封或包封(光學)電子裝置，中之共聚物之交聯。此等R-LOB共聚物之一些實施例另外含有其他類型之反應性基團，其使得如此官能化之R-LOB共聚物能夠用於雙固化機制。一些R-LOB共聚物屬於奈米相分離型，其包括主要由D單元組成之線性嵌段及主要由T單元組成之樹脂嵌段之奈米尺寸區域。
樹脂線性聚有機矽氧烷巨分子可包括矽氫化固化樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物，包括：40至90莫耳百分比化學式[R1 2 SiO2 / 2 ]之D-型單元、10至60莫耳百分比化學式[R2 SiO3 / 2 ]之T-型單元、0.5至35莫耳百分比矽烷醇基團[Si-OH]；其中各R1 及R2 獨立地為具有0個脂族不飽和鍵之(C1 -C30 )烴基或包括至少1個脂族不飽和鍵之(C1 -C30 )烴基，其中樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物包括0.5至5莫耳百分比之包括至少一個脂族不飽和鍵之(C1 -C30 )烴基；其中D-型單元[R1 2 SiO2 / 2 ]佈置在每個線性嵌段平均具有100至300D-型單元[R1 2 SiO2 / 2 ]之線性嵌段中，且T-型單元[R2 SiO3 / 2 ]佈置在分子量為至少500克每莫耳（g/mol）之非線性嵌段中，其中至少30莫耳百分比之非線性嵌段彼此交聯，且其中各線性嵌段經由包括D-型或T-型矽氧烷單元之二價連接基團連接於至少一個非線性嵌段。樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物之重量平均分子量（Mw）可為至少20,000 g/mol。
設想任何樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物，包含本領域中已知的R-LOB共聚物。例如參見US 2013/0165602 A1、US 2013/0168727 A1、US 2013/171354 A1、US 2013/0172496 A1及US 2013/0245187 A1。隨後將矽氫化固化樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物與交聯劑及適當催化劑摻合，且可亦含有其他期望添加劑，以建立矽氫化固化樹脂-線性調配物。磷光體膜黏合劑，可購自位於千葉之道康寧東麗（Dow Corning Toray，Chiba）且等效於道康寧（Dow Corning）LF-1113之道康寧LF-1201，係此類矽氫化固化樹脂-線性調配物之實例。
隨後藉由習知手段使側向填充劑膜之暴露表面與釋放襯墊接觸。釋放襯墊通常為居庸釋放（亦即非黏附）特徵之聚合物基板且包含矽化PET、ETFE及聚四氟乙烯（Teflon），較佳矽化PET。對釋放層施加壓力。可在真空下施加此壓力。可以使得測得其厚度為10至1000 µm、較佳25-500 µm且更佳50-200 µm來施加本發明之側向填充劑層。適合地，光學功能層之厚度應相當但不超過自基板表面量測之LED之高度。應調整組合物以得到期望的反射性以及黏彈性特性。對釋放襯墊施加壓力。在此施加壓力之前，側向填充劑膜有利地為未經固化的。LED與側向填充劑膜之側向連續層產生在基板表面上，其中釋放襯墊殘留在平行於且不連接於基板之暴露LED/側向填充劑膜之部分上。
隨後藉由剝離或另一習知手段移除釋放襯墊。在移除釋放襯墊之後，在LED晶片之表面上往往殘存有側向填充劑材料之殘餘物。有利地，本發明使得LED晶片上之過量側向填充劑材料殘餘物能夠藉由簡單擦拭方法移除。移除可簡單如使用經溶劑濕潤之拭布或經溶劑塗佈之工具輕緩擦拭幾次。可使用各種溶劑但異丙醇（「IPA」）、庚烷及己烷較佳。溶劑之混合物也可行（例如IPA中之少量丙酮或丙酸丙酯）。其他烴，諸如苯、甲苯及二甲苯亦起作用且用作混合物但不為較佳，因為其可膨脹及/或影響b-階段層之完整性且亦因為健康及/或環境風險。殘餘溶劑含量通常小於500 ppm且較佳小於100 ppm。
設想可向本發明之光電裝置中添加其他層/結構。實例可為包圍LED之光吸收基質，以提供高對比度顯示器佈置。此結構可以藉由重複本發明中所描述之方法向本發明之光電裝置施加光吸收側向填充劑膜來製造。打開光電裝置用於填充碳黑負載（光吸收）的側向填充劑膜之方法係根據習知手段，諸如藉由使用厚切割刀片取道或切割及在二級/替代基板上重新安裝。
可向本發明之光電裝置中添加之其他層/結構之另一實例為波長轉換層，如已在本領域中描述之彼等，諸如含磷光體色彩轉化層，且可藉由本領域已知的方法施加，諸如WO2016/065016A1中所描述之方法。
藉由本發明之方法製備之光電裝置在各種應用中具有適用性。舉例而言，其可用於照明、汽車照明、指示燈、閃光燈及個人電子產品之照明裝置。
本發明藉由以下其非限制性實例進一步說明，且本發明實施例可包含所述非限制性實例之特性及限制之任何組合。除非另外規定，否則環境溫度為約23℃。實例 所使用之樹脂 側向填充劑膜製備： 實例1：
向混合容器中添加53.4 g樹脂A、5.39 g昭和（Showa Denko）氮化硼粉末UHP-S1（0.5μmD）及2.86 g丙酸丙酯。手動混合此等組分2分鐘，接著使用Thinky ARV-310 LED以1200 rpm2分鐘非真空進行2次。將混合物進一步以1200 rpm 30秒10 kPa（亦即在真空下）混合，隨後以600 rpm30秒5 kPa混合。使用火焰施料器以491 μm間隙將漿料塗佈在矽化PET上，且使用烘箱以70℃溫度30分鐘將膜加熱至乾燥。所得膜197 μm厚。450nm下之反射性為81.6%，使用柯尼卡美能達（Konica Minolta）CM-5測得。 實例2：
向混合容器中添加34.7 g樹脂A、17.3 g Sakai Chem二氧化鈦粉末SX-3103（0.2 μmD）及2.0 g丙酸丙酯。使用Thinky ARV-310將此等組分以2000 rpm/2分鐘非真空混合2次。將混合物進一步以2000 rpm30秒10 kPa（亦即在真空下）混合，隨後以800 rpm30秒5 kPa混合。使用塗佈機（comma coater）以324 μm間隙將漿料塗佈在矽化PET上，且使用1.2 m烘箱以自60℃至100℃逐漸升高之溫度將膜加熱至乾燥。所得膜139 μm厚。450nm下之反射性為96.6%，使用柯尼卡美能達CM-5測得。 實例3：
向10 g樹脂A中添加3.175 g邁圖（Momentive）PT120P001氮化硼（D50=12 μm；D90=20 μm）。在FlackTek DAC 150 VAC-P速度混合機中將混合物以2000 rpm混合30秒進行三次，第一次混合與第二次混合之間使用手動混合。另外的混合以1500 rpm在真空下進行60秒（達到低於200 mm Hg）。使用台頂自動塗佈機將所得漿料塗佈在矽化PET（三菱聚酯（Mitsubishi Polyester）2SLKN）上，隨後在70℃下乾燥60分鐘產生152 µm厚膜。 側向填充劑膜層壓及殘餘物移除方法： 實例4：
將實例2中製造之膜材料置放在其晶片高度150 µm之LED之陣列上。將此堆疊置放在上板溫度及下板溫度皆設定為100℃之Imoto Vacuum壓機IMC-4C05中，隨後覆蓋一片氟矽化PET（Takara incorporation FL2-01#75）。將系統抽空1分鐘，在此期間真空達到0.04 kPa，隨後在100℃裝置溫度下在真空下施加1 kN壓縮60秒。自壓機中移除總厚152 µm之所得層合物且剝離釋放襯墊，顯示具有薄殘餘白色材料之LED陣列。藉由手動使用異丙醇（IPA）濕潤之清潔室布擦拭移除殘餘物，暴露填充有白色反射物之LED晶片之清潔表面。 實例5：
將實例1中製造之膜材料首先在50℃下壓縮以製備150 µm厚膜。將獲得之膜置放在其晶片高度150 µm之LED之陣列中。將此堆疊置放於上板加熱至100℃且下板使用水循環保持低於30℃之Imoto Vacuum壓機IMC-4C05中，隨後覆蓋一片氟矽化PET（Takara Incorporation，FL2-01#75）。將系統抽空1分鐘，在此期間真空達到0.04 kPa，隨後在72℃裝置溫度下在真空下施加1 kN壓縮60秒。自壓機中移除總厚151 µm之所得層合物且剝離釋放襯墊，顯示具有薄殘餘白色材料之LED陣列。藉由手動使用異丙醇（IPA）濕潤之清潔室布擦拭移除殘餘物，暴露填充有白色反射物之LED晶片之清潔表面。 比較實例1：
將實例1中製造之197 µm厚之膜材料置放在其晶片高度150 µm之LED之陣列中。將此堆疊置放於上板加熱至100℃且下板使用水循環保持低於30℃之Imoto Vacuum壓機IMC-4C05中，隨後覆蓋一片氟矽化PET（Takara Incorporation，FL2-01#75）。將系統抽空1分鐘，在此期間真空達到0.04 kPa，隨後在72℃裝置溫度下在真空下施加1 kN壓縮60秒。自壓機中移除總厚187 µm之所得層合物且剝離釋放襯墊，顯示具有薄殘餘白色材料之LED陣列。47 µm厚之殘餘物無法藉由手動使用異丙醇（IPA）濕潤之清潔室布擦拭移除以暴露LED晶片之清潔表面。
因此，在更高溫度或更高壓力下將材料壓縮至接近LED晶片之高度，或應使初始膜厚度接近LED高度。 實例6：
將實例3中製造之膜材料置放在LED之陣列中。將此堆疊置放在加熱板溫度設定為140℃之真空層壓機（內部定製工具）之樣品架上。將LED陣列/白色膜堆疊覆蓋一片矽化PET（三菱聚酯2SLKN），隨後在膜上置放總重量316 g之一小段鋁塊（約5 cm×5 cm×1 cm）及板（3''×5''×¼''）。將層壓機抽空60秒，在此期間真空達到約28.5'' Hg同時樣品保持高於加熱板約1 mm。使用氣囊按壓鋁塊/板，其繼而推動整個LED基板/膜/襯墊組合件至加熱板上加熱基板/白色膜堆疊30秒。腔室中高於及低於氣囊之壓力差為約10'' Hg。所得樣品顯示覆蓋LED晶片之表面之殘餘材料層極薄，其可使用庚烷濕潤之清潔室拭布擦拭若干下移除。 側向填充劑膜（BN膜）與波長轉換層（磷光體膜）之間之黏著性： 實例7：
向18 g樹脂B中添加30.407 g NYAG-4454S（Intematix）及0.751 g丙酸丙酯。在FlackTek DAC 150 VAC-P速度混合機中將混合物以2000 rpm混合30秒進行三次，第一次混合與第二次混合之間使用手動混合。另外的混合以1500 rpm在真空下進行60秒（達到低於200 mm Hg）。使用台頂自動塗佈機將所得漿料塗佈在矽化PET（三菱聚酯2SLKN）上，隨後在70℃下乾燥60分鐘產生50 µm厚磷光體膜。
向22 g樹脂A中添加6.984 g氮化硼（BN）（PCTP2；Saint Goban）及2.40 g丙酸丙酯。在FlackTek DAC 150 VAC-P速度混合機中將混合物以2000 rpm混合30秒進行三次，第一次混合與第二次混合之間使用手動混合。另外的混合以1500 rpm在真空下進行60秒（達到低於200 mm Hg）。使用台頂自動塗佈機將所得漿料塗佈在矽化PET（三菱聚酯2SLKN）上，隨後在90℃乾燥90分鐘產生150 µm厚BN膜。
將磷光體膜及BN膜各切割為1''×1''片材且層壓在單獨鋁板(1×25×75mm)上。將層壓之4個鋁酸鹽板與BN膜在160℃下固化1小時以獲得「經固化的BN膜」(5個不經固化)。將具有未經固化之磷光體膜之Al板與具有BN膜之Al板組合，使得磷光體膜與BN膜完全重疊且使用一對夾子將其固持在一起。此等組合件在160℃下固化16小時以製造搭接剪切測試樣本。在英斯特朗(Instron)5566型上以2吋/分鐘測試樣本以量測拉伸強度。亦記率黏著性失效模式且概述在表1中。測得預固化的BN膜樣本(亦即未經固化的磷光體膜+經固化的BN膜)拉伸強度降低且全部顯示兩個膜之間之黏著失效。當同時固化BN膜及磷光體膜(亦即未經固化的磷光體膜+未經固化的BN膜)時，拉伸強度較高且出現磷光體膜與基板之間之黏合失效或黏著失效(亦即兩個膜之間無黏著失效)，由此表明兩層之間之黏著性之改善。
Figure 107123796-A0305-02-0012-1
經由晶片剪切測試量測之側向填充劑膜(TiO2白色膜)與波長轉換層(磷光體膜)之黏著性
實例8：向10.91g樹脂B中添加5.487g TiO2(SX-3103；Sakai Chem)及1.01g丙酸丙酯。手動混合混合物2分鐘，接著使用Thinky ARV-310LED以1200rpm 2分鐘非真空進行2次。將混合物進一步以1200rpm 30秒10kPa(亦即在真空下)混合，隨後以600rpm 30秒5kPa混合。將所得漿料澆注在具有聚四氟乙烯PSA障壁(180μm厚度)之Al板(1×25×75mm)上。藉由在70℃下乾燥30分鐘獲得90μm厚未經固化的TiO2層(#4225未固化)。藉由在70℃下乾燥30分鐘接著在120℃下加熱1小時隨後160℃下加熱2小時獲得90μm厚經固化的TiO2 層（#4225固化）。
向10.78 g樹脂A中添加33.303 g TiO2 （SX-3103；Sakai Chem）及5.04 g丙酸丙酯。手動混合混合物2分鐘，接著使用Thinky ARV-310LED以1200 rpm 2分鐘非真空進行2次。將混合物進一步以1200 rpm 30秒10 kPa（亦即在真空下）混合，隨後以600 rpm 30秒5 kPa混合。將所得漿料澆注在具有聚四氟乙烯PSA障壁（180 µm厚度）之Al板（1×25×75mm）上。藉由在70℃下乾燥30分鐘獲得90 µm厚未經固化的TiO2 層（#4226未固化）。藉由在70℃下乾燥30分鐘接著在120℃下加熱1小時隨後160℃下加熱2小時獲得90 µm厚經固化的TiO2 層（#4226固化）。
向10.88 g樹脂B中添加5.323 g NYAG-4454L（Intematix，YAG磷光體，13 µm直徑）及1.01 g丙酸丙酯。手動混合混合物2分鐘，接著使用Thinky ARV-310LED以1200 rpm 2分鐘非真空進行2次。將混合物進一步以1200 rpm 30秒10 kPa（亦即在真空下）混合，隨後以600 rpm 30秒5 kPa混合。將漿料使用750 μm間隙塗佈在矽化PET上，接著處於70℃下2小時以製備290 µm厚膜（#4227）。
打出8 mm直徑290μmT #4227磷光體膜，且置放於相應TiO2 層上。隨後將1×10×10mm Al晶片置放在磷光體膜上，製備Al晶片/磷光體膜/TiO2 層/Al板結構。藉由將磷光體膜直接置放在鋁板上隨後置放Al晶片來製備另一組（亦即無TiO2 層：Al/磷光體膜/Al板）。所有樣品均以120℃/1小時+160℃/2小時固化。剪切Al晶片以量測晶片剪切強度，且結果顯示，當存在TiO2 層時黏著強度改善，且當TiO2 層與磷光體層一起固化時（亦即當在固化整個組合件之前TiO2 層未經固化時）更是如此。 表2

Claims (9)

  1. 一種製造光電裝置之方法，包括：i)提供基板，其中所述基板包括一或多個佈置在所述基板之至少一個表面上之電光組件；ii)使平行於所述基板之所述電光組件之表面與包括填充劑及可固化聚矽氧熱熔體之側向填充劑膜接觸；iii)使所述側向填充劑膜與釋放襯墊接觸；iv)施加壓力於所述側向填充劑膜；v)移除所述釋放襯墊以建立所述光電裝置；及vi)在LED晶片之頂部表面上形成殘餘物且將其進一步移除；其中所述側向填充劑膜在施加壓力之前未經固化。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中所述電光組件為發光二極體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中所述可固化聚矽氧熱熔體為可交聯樹脂-線性聚有機矽氧烷調配物。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中在接觸所述電光組件的表面之前，所述側向填充劑膜的厚度佈置成相同於或不超過自基板表面的所述電光組件的高度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中所述填充劑包括選自由以下組成之群之化合物：TiO2、BN、SiO2、Al2O3及ZnO、BaSO4及其混合物。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中在所述LED晶片之頂部表面上之所述殘餘物藉由使用溶劑擦拭移除。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的方法，其中所述溶劑包括異丙醇、 丙酮、庚烷、辛烷、丙酸丙酯、甲苯或其混合物。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的方法，另外包括：i)在藉由如申請專利範圍第1項所述的方法製造建立之光電裝置上施加波長轉換層；及隨後ii)同時固化所述側向填充膜及所述波長轉換層。
  9. 一種光電裝置的用途，所述光電裝置係藉由如申請專利範圍第1項所述的方法製造，所述用途係用於照明、汽車照明、指示燈、閃光燈或個人電子產品之照明裝置。
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