TWI849151B - 光器件之移設方法 - Google Patents

Abstract

[課題]提供一種可確實地將光器件從基板轉移至片材的光器件之移設方法。 [解決手段]一種光器件之移設方法，是從具備複數個光器件的光器件晶圓移設複數個光器件，其中前述光器件是隔著緩衝層形成在基板的正面側，前述光器件之移設方法包含以下步驟：片材貼附步驟，在基板的正面側將片材貼附成覆蓋複數個光器件，且順應於光器件間的間隙；緩衝層破壞步驟，在實施片材貼附步驟之後，從基板的背面側照射對基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之脈衝雷射光束，破壞緩衝層；及光器件轉移步驟，在實施緩衝層破壞步驟之後，將片材從基板剝離，而將複數個光器件轉移至片材。

Description

光器件之移設方法

本發明是有關於一種從光器件晶圓移設複數個光器件的光器件之移設方法。

以LED(發光二極體，Light Emitting Diode)為代表之光器件可應用於顯示器、照明、汽車、醫療等各種領域。例如LED是藉由在以藍寶石或SiC所構成之基板的正面上使構成pn接面(pn junction)之n型半導體膜及p型半導體膜進行磊晶成長而形成。

已形成在基板上之光器件在從基板分離後，是組裝到其他的組裝基板等。作為像這樣將光器件移設之手法的一種，已知有被稱為雷射剝離(Laser lift-off)之技術。在此雷射剝離中，首先是在基板的正面側隔著緩衝層形成光器件。然後，從基板的背面側照射雷射光束來使緩衝層變質，而將基板與光器件的接合減弱後，將光器件從基板分離並移送到移送目的地之基板(移送基板)(參照專利文獻1、2)。

又，近年來，被稱為微發光二極體之極為小尺寸的發光二極體的製造技術也已在開發中。例如微發光二極體是藉由以下作法而形成：已在基板上形成構成發光二極體之包含各種薄膜(半導體膜等)之層(光器件層)後，藉由蝕刻將此光器件層分割成複數個微細的晶片(參照專利文獻3)。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2004-72052號公報 專利文獻2：日本特開2016-21464號公報 專利文獻3：日本特開2018-107421號公報

發明欲解決之課題

在將如上述之微發光二極體的光器件組裝到移設基板時，是將已分離成一個個的狀態之光器件從基板分離，並移設到移設基板。具體而言，首先是在將形成於基板的正面側的光器件層分割成複數個微細的光器件之後，在基板的正面側貼附移設用(轉移用)的片材。此片材是貼附成與形成於基板上之所有的光器件的上表面相接觸。

並且，在實施將基板與光器件的結合減弱之處理(緩衝層的變質等)後，將片材從基板剝離。其結果，可將複數個光器件從基板分離而轉移到片材。然後，將轉移有光器件的片材貼附於移設基板，且將光器件與已形成於移設基板的連接電極接合。如此進行，而將光器件移設到移設基板。

然而，即使實施上述之光器件的轉移步驟，也會有一部分的光器件仍殘存於基板而未轉移到片材之情形。經考慮，此現象是在以下的情況下產生：對基板貼附了片材時，片材未適當地密合於複數個光器件，使片材與光器件的接著不充分。起因於例如在片材的貼附時保持基板之保持工作台的非預期的傾斜、或者基板或片材之厚度的偏差，而有一部分的光器件與片材未適當地接著之情形。在此情況下，即使將片材從基板剝離，仍有一部分的光器件不跟隨膠帶而是殘留在基板上。

若未將一部分的光器件適當地轉移到片材時，會變得必須進行轉移步驟的重新進行、或拾取殘存於基板之光器件的作業等。其結果，導致光器件之移設的作業效率降低。

本發明是有鑒於所述的問題而作成之發明，其目的在於提供一種可確實地將光器件從基板轉移至片材的光器件之移設方法。 用以解決課題之手段

根據本發明之一態樣，可提供一種光器件之移設方法，是從具備複數個光器件的光器件晶圓移設複數個該光器件，其中前述光器件是隔著緩衝層形成在基板的正面側，前述光器件之移設方法包含以下步驟： 片材貼附步驟，在該基板的正面側將片材貼附成覆蓋複數個該光器件，且順應於該光器件間的間隙； 緩衝層破壞步驟，在實施該片材貼附步驟之後，從該基板的背面側照射對該基板具有穿透性且對該緩衝層具有吸收性之脈衝雷射光束，破壞該緩衝層；及 光器件轉移步驟，在實施該緩衝層破壞步驟之後，將該片材從該基板剝離，而將複數個該光器件轉移至該片材。

再者，較佳的是，在該片材貼附步驟中，是藉由熱壓接來將該片材貼附於該基板。又，較佳的是，該片材具有樹脂層、及與該基板之未形成有該光器件的區域相對應的環狀的黏著層，在該片材貼附步驟中，是以該黏著層不接觸於該光器件，且該樹脂層順應於該光器件間的間隙的方式來將該片材貼附於該基板。 發明效果

在本發明之一態樣的光器件之移設方法中，是將膠帶貼附成順應於已形成在基板的光器件的間隙。藉此，可將複數個光器件牢固地固定於片材，而可在將片材從基板剝離時，確實地將複數個光器件從基板分離。藉此，可以確實地將光器件從基板轉移至片材。

用以實施發明之形態

以下，參照附加圖式來說明本實施形態。首先，針對具備有可藉由本實施形態的光器件之移設方法來移設之複數個光器件的光器件晶圓之構成例進行說明。圖1是顯示光器件晶圓11的立體圖。

光器件晶圓11具備圓盤狀的基板13，前述基板13具有正面13a及背面13b。基板13是藉由配置排列成格子狀之複數條切割道15而被區劃成複數個區域，且在此複數個區域的正面13a側各自形成有光器件17。在以下，作為一例而針對光器件17為LED(發光二極體，Light Emitting Diode))的情況作說明。但是，對於光器件17的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等並無限制。

圖2(A)是顯示光器件晶圓11的製造步驟的截面圖。在光器件晶圓11的製造步驟中，首先是在基板13的正面13a側隔著緩衝層21來形成光器件層23。

光器件層23是包含構成光器件17(參照圖1)的各種膜(半導體膜、導電膜、絕緣膜等)之層。例如光器件層23包含以電洞為多數載子(carrier)的p型半導體所構成的p型半導體膜25、及以電子為多數載子的n型半導體所構成的n型半導體膜27。但是，光器件層23的構成可因應於最終形成在基板13上的光器件17的構造或功能來適當選擇。

緩衝層21是抑制起因於基板13與光器件層23的晶格失配(lattice mismatch)之缺陷的產生之層。緩衝層21的材料，可因應於基板13的正面13a側與光器件層23的下表面側(p型半導體膜25的下表面側)的晶格常數來適當選擇。再者，緩衝層21可藉由單層之膜來構成，亦可藉由已積層的複數層膜來構成。

緩衝層21、p型半導體膜25、n型半導體膜27是例如藉由磊晶成長而形成於基板13上。在此情況下，是使用可讓所期望之薄膜在基板13上進行磊晶成長的磊晶基板來作為基板13。

例如，可使用以藍寶石、SiC等所構成之單結晶基板來作為基板13，並於基板13上藉由磊晶成長而依序形成以GaN構成的緩衝層21、以p型GaN構成的p型半導體膜25、以n型GaN構成的n型半導體膜27。再者，在各膜的形成上，可以使用MOCVD(金屬有機化學氣相沉積, Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法或MBE(分子束磊晶，Molecular Beam Epitaxy)法等。

接著，沿著切割道15分割緩衝層21及光器件層23。緩衝層21及光器件層23是藉由例如蝕刻而被分割。具體而言，首先是在光器件層23上形成蝕刻用的遮罩。此遮罩是圖案化成：使光器件層23沿著切割道15露出。

之後，隔著遮罩對緩衝層21及光器件層23供給蝕刻液，而對緩衝層21及光器件層23進行蝕刻。藉此，可沿著切割道15將光器件層23分割成複數個光器件17。

圖2(B)是顯示已將光器件層23分割成複數個光器件17之狀態的光器件晶圓11的截面圖。若將光器件層23沿著切割道15分割，即可形成複數個光器件17，前述光器件17各自具備p型半導體膜25所個體化成的p型半導體膜25a、及n型半導體膜27所個體化成的n型半導體膜27a。可藉由此p型半導體膜25a與n型半導體膜27a來構成pn接面，且光器件17會因電洞與電子的再結合而發光。

又，於基板13與光器件17之間配置有緩衝層21藉由蝕刻所個體化成的緩衝層21a。也就是說，光器件17是各自隔著緩衝層21a而配置於基板13上。此緩衝層21a是相當於在後述之緩衝層破壞步驟中被雷射光束的照射所破壞之層，且作為用於分離基板13與光器件17的分離層而發揮功能。

如上述，若在光器件層23的分割上使用蝕刻，即變得可進行光器件層23之微細的加工，而可以形成微發光二極體等之極為小尺寸的光器件17。並且，當完成緩衝層21及光器件層23的蝕刻時，即可將形成於光器件層23上的遮罩去除。

再者，在圖2(B)中雖然顯示有包含p型半導體膜25a與n型半導體膜27a之光器件17，但是光器件17的構成並不限定於此。例如光器件17亦可在p型半導體膜25a及n型半導體膜27a之間更具備有發光層。在這種情況下，會在發光層產生電洞與電子的再結合，而從發光層放出光。又，亦可在光器件17的上表面側或下表面側形成用於將光器件17連接至其他的電極或端子的電極(連接電極)。

形成在基板13上的複數個光器件17在從基板13分離後，是組裝到其他的組裝基板等。在此光器件17的移設中，可使用例如移設用(轉移用)之片材。以下，針對使用片材來進行光器件17的移設之方法的具體例進行說明。

在本實施形態的光器件之移設方法中，首先是將片材貼附成在形成有複數個光器件17之基板13的正面13a側覆蓋複數個光器件17(片材貼附步驟)。圖3(A)是顯示將移設用(轉移用)之片材(膠帶、薄膜)31貼附於基板13之情形的截面圖。在以下作為一例，針對將片材31藉由熱壓接來貼附於基板13的情況進行說明。

在片材貼附步驟中，首先是藉由保持工作台10保持光器件晶圓11。例如保持工作台10是對應於光器件晶圓11的形狀而形成為在平面視角下為圓形，且保持工作台10的上表面是構成保持光器件晶圓11的保持面10a。

具體而言，保持工作台10具備使用不鏽鋼(SUS)等的金屬來形成為圓柱形之框體12、及裝設於框體12的上表面側之圓盤狀的多孔構件14。多孔構件14是以多孔陶瓷等所構成，且嵌入已形成在框體12的上表面側的圓形的凹部。又，多孔構件14是透過形成於保持工作台10的內部之流路10b與閥16，而連接到噴射器(ejector)等之吸引源18。再者，多孔構件14的上表面相當於保持工作台10的保持面10a的一部分，且構成吸引光器件晶圓11的吸引面。

在藉由保持工作台10來保持光器件晶圓11之時，首先是將光器件晶圓11配置到保持工作台10上。此時，光器件晶圓11是配置成基板13的背面13b側覆蓋多孔構件14的上表面(吸引面)之整體。當在此狀態下透過閥16、流路10b及多孔構件14使吸引源18的負壓作用於保持面10a時，即可藉由保持工作台10吸引保持光器件晶圓11。

又，保持工作台10在其內部具備用於加熱光器件晶圓11的加熱單元(加熱組件)20。例如，加熱單元20是由加熱器等所構成，且具備藉由電力的供給而發熱之圓盤狀的發熱體22。此發熱體22是被圓盤狀的金屬板件24與圓盤狀的隔熱構件26所夾入，前述金屬板件24是設置於發熱體22的上側且以鋁等金屬所構成，前述隔熱構件26是設置於發熱體22的下側。

當在藉由保持工作台10保持有光器件晶圓11的狀態下將電力供給至發熱體22後，發熱體22便會發熱。然後，發熱體22所發出的熱透過金屬板件24、框體12及多孔構件14而傳達至光器件晶圓11，且將光器件晶圓11加熱。再者，從發熱體22往保持工作台10之下部側的熱的傳導會被隔熱構件26所阻斷。

可對被保持工作台10所保持之光器件晶圓11，貼附用於轉移複數個光器件17的片材31。例如，片材31是以聚烯烴、聚酯等的樹脂所構成，並藉由熱壓接而貼附於形成有複數個光器件17的基板13的正面13a側。

具體而言，首先是將片材31在基板13的正面13a的上方配置成讓複數個光器件17與片材31重疊，並將片材31朝基板13的正面13a側按壓。藉此，複數個光器件17與片材31接觸。當在此狀態下藉由加熱單元20加熱保持工作台10時，會將保持工作台10的熱透過基板13傳導至片材31，使片材31軟化。其結果，讓複數個光器件17埋沒於片材31，而將複數個光器件17與片材31以互相密合的狀態接合。

如此進行，可藉由熱壓接來將片材31貼附於基板13。再者，由加熱單元20所進行之加熱的溫度及時間是因應於片材31的熔點等而適當設定。例如，在使用以聚烯烴所構成的片材31的情況下，可以設定為加熱溫度為100℃左右，且加熱時間為1分鐘左右。

圖3(B)是顯示貼附有片材31之基板13的截面圖。當藉由熱壓接來將片材31貼附於基板13時，複數個光器件17會被片材31所覆蓋，且片材31變形成順應於(沿著)光器件17間的間隙。更具體來說，是複數個光器件17各自埋沒於片材31，且片材31不僅接觸於光器件17的上表面，也接觸於光器件17的側面、及在光器件17間露出之基板13的正面13a。

若像這樣將片材31貼附成順應於光器件17間之間隙，與片材31僅和光器件17的上表面接觸的情況相比較，片材31與光器件17的接觸面積會變大。其結果，可將複數個光器件17牢固地固定於片材31。

再者，片材31之貼附亦可在減壓腔室內實施。亦即，光器件晶圓11亦可藉由設置於減壓腔室內的保持工作台10來保持。在此情況下，可將片材31搬入減壓腔室內，並在減壓下將片材31貼附於基板13。

具體而言，首先是在已對減壓腔室內進行減壓的狀態下，將片材31朝基板13按壓。可以藉由此腔室內的減壓，而防止氣體(空氣)進入基板13與片材31之間。

之後，對減壓腔室進行大氣開放，並在減壓腔室內導入大氣(空氣)。藉此，使大氣壓力作用於片材31，而讓片材31一面沿著光器件17間的間隙之形狀而變形，一面密合於基板13的正面13a側。藉此，可以將片材31在基板13貼附成：在片材31與光器件17的側面之間、以及片材31與基板13的正面13a之間不形成間隙。

再者，在上述中，雖然說明了藉由設置於保持工作台10的內部的加熱單元20來進行熱壓接時的加熱處理之情況，但對加熱的方法並無限制。例如，亦可藉由另外設置於保持工作台10的上方的紅外線加熱器、暖風加熱器、燈具等來進行加熱處理。

又，在上述雖然針對藉由熱壓接來貼附片材31的例子進行了說明，但只要可將片材31貼附成順應於光器件17間的間隙即可，對片材31的材質或貼附方法並無限制。圖4(A)是顯示將與片材31不同的片材(膠帶、薄膜)33貼附於基板13之情形的截面圖。

片材33具備：形成為與基板13大致相同直徑之圓形的基材35、形成於基材35的下表面側之圓形的樹脂層37、及以接著於基板13的接著劑所構成且形成於樹脂層37的外周部的下表面側之環狀的黏著層(糊層)39。再者，基材35為剛性比樹脂層37更高，且樹脂層37是以比基材35更柔軟的樹脂所構成。例如，基材35是以聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等的樹脂所構成，樹脂層37是以聚烯烴(PO)、聚氯乙烯(PVC)等柔軟的樹脂所構成。

又，黏著層39是形成為與基板13當中未形成有複數個光器件17的外周區域(外周剩餘區域)相對應。具體而言，當將片材33配置成與基板13重疊時，會將黏著層39配置成僅與基板13之外周剩餘區域重疊。

將片材33貼附於光器件晶圓11時，首先是藉由保持工作台30保持光器件晶圓11。保持工作台30的上表面是構成保持光器件晶圓11的保持面30a。並且，光器件晶圓11是配置成讓基板13的背面13b側與保持工作台30的保持面30a相向。再者，保持工作台30的構成只要是可保持光器件晶圓11即可，並無限制。例如可將保持工作台30和圖3(A)及圖3(B)所示的保持工作台10同樣地構成。

接著，將片材33貼附於已被保持工作台30所保持的光器件晶圓11上。具體而言，首先是將片材33以黏著層39側與基板13的正面13a側(光器件17側)相向的方式配置在基板13的上方。然後，將片材33朝基板13的正面13a側按壓，而貼附於基板13。

此時，片材33之黏著層39是僅與基板13之中未形成有複數個光器件17的外周區域(外周剩餘區域)接觸，來接著於基板13。又，以柔軟的樹脂所構成的樹脂層37是與複數個光器件17的上表面接觸，並且進入光器件17間的間隙。

與前述之片材31之貼附(參照圖3(A)及圖3(B))的情況同樣，片材33之貼附宜在減壓腔室內實施。具體而言，光器件晶圓11是被已設置於減壓腔室內的保持工作台30所保持。然後，在已對減壓腔室內進行減壓的狀態下，將片材33一邊加熱一邊朝基板13按壓。藉此，以在樹脂層37與光器件17的側面之間、以及樹脂層37與基板13的正面13a之間不形成間隙的方式使片材33密合於基板13。

圖4(B)是顯示貼附有片材33之基板13的截面圖。當將片材33貼附於基板13的正面13a側時，複數個光器件17會被片材33所覆蓋，並且片材33變形成順應於(沿著)光器件17間的間隙。具體而言，是片材33的樹脂層37變形，而以順應於光器件17間的間隙的方式密合於光器件17。

藉此，複數個光器件17各自埋沒於樹脂層37，且片材33不僅接觸於光器件17的上表面，也接觸於光器件17的側面、及在光器件17間露出之基板13的正面13a。然後，樹脂層37與光器件17的上表面及側面密合，並藉由凡得瓦力(van der Waals force)來結合。

再者，片材33僅在對應於基板13的外周剩餘區域之區域具備黏著層39。因此，即便將片材33貼附於基板13，黏著層39與光器件17也不會接觸。藉此，在之後的步驟中最終將光器件17與片材33分離時，可以防止黏著層39的一部分殘留於光器件17之情形。

接著，從基板13的背面13b側照射對基板13具有穿透性且對緩衝層21a具有吸收性之脈衝雷射光束，而破壞緩衝層21a(緩衝層破壞步驟)。圖5是顯示緩衝層破壞步驟中的光器件晶圓11的截面圖。

緩衝層破壞步驟是利用例如雷射加工裝置40來實施。雷射加工裝置40具備保持光器件晶圓11的保持工作台42、及朝向被保持工作台42所保持的光器件晶圓11照射雷射光束的雷射照射單元44。

保持工作台42是例如對應於光器件晶圓11的形狀而形成為在平面視角下為圓形，且保持工作台42的上表面構成保持光器件晶圓11的保持面42a。又，保持面42a是透過形成於保持工作台42的內部的流路(未圖示)而與噴射器等的吸引源(未圖示)連接。

光器件晶圓11是以基板13的正面13a側(光器件17側，片材31側)與保持面42a相向，而使基板13的背面13b側朝上方露出的方式，配置於保持工作台42上。當在此狀態下使吸引源的負壓作用在保持面42a時，即可藉由保持工作台42吸引保持光器件晶圓11。

再者，於保持工作台42連接有使保持工作台42沿著水平方向移動之移動機構(未圖示)。藉由此移動機構可控制保持工作台42在水平方向上的位置。又，於保持工作台42連接有使保持工作台42以繞著與鉛直方向大致平行的旋轉軸的方式旋轉的旋轉機構(未圖示)。

在保持工作台42的上方，設置有雷射照射單元44。雷射照射單元44具備脈衝振盪產生預定之波長的雷射光束的雷射振盪器46。可使用例如YAG雷射、YVO₄ 雷射、YLF雷射等來作為雷射振盪器46。藉由雷射振盪器46所脈衝振盪產生的雷射光束，是在鏡子48上反射後入射到聚光透鏡50，並藉由聚光透鏡50而聚光於預定的位置。

可從上述之雷射照射單元44，朝向被保持工作台42所保持的光器件晶圓11照射雷射光束52。再者，雷射光束52的波長是設定成：雷射光束52為對基板13具有穿透性，且對緩衝層21a具有吸收性。因此，從雷射照射單元44對光器件晶圓11是照射穿透基板13且可被緩衝層21a吸收的雷射光束52。

在緩衝層破壞步驟中，首先是將保持有光器件晶圓11的保持工作台42定位到聚光透鏡50之下。然後，從雷射照射單元44朝向基板13的背面13b側照射雷射光束52。

雷射光束52會穿透基板13而照射於一緩衝層21a，且被緩衝層21a所吸收。藉此，緩衝層21a被破壞，且和已被破壞之緩衝層21a接觸的光器件17與基板13的接合會被減弱。雷射光束52的照射條件(功率、光斑直徑、重複頻率、聚光位置等)是在可做到緩衝層21a的破壞的範圍內適當設定。

再者，雷射光束52的聚光點是定位在例如緩衝層21a的內部或其附近。但是，雷射光束52的聚光位置只要可做到緩衝層21a的破壞即可，並無限制。

又，在緩衝層破壞步驟中，並不一定要將緩衝層21a完全地去除且將基板13與光器件17完全地分離。具體而言，只要可讓光器件17與基板13的接合減弱到以下程度即可：在後述之光器件轉移步驟中將片材31從基板13剝離時，光器件17可跟隨片材31而從基板13分離。

例如在緩衝層破壞步驟中，是藉由對緩衝層21a照射雷射光束52，在緩衝層21a形成已變質之層(變質層)，而將光器件17與基板13的接合減弱。此變質層相當於在光器件17從基板13分離時成為分離的契機之層(分離層)。但是，緩衝層21a的破壞的態樣並不限定於此，亦可調節雷射光束52的照射條件而將基板13與光器件17完全地分離。

之後，對於其他的緩衝層21a也是同樣地照射雷射光束52。藉此，破壞全部的緩衝層21a，而將基板13與複數個光器件17的結合減弱。

接著，將片材31從基板13剝離，而將複數個光器件17轉移到片材31(光器件轉移步驟)。圖6是顯示在光器件轉移步驟中的光器件晶圓11的立體圖。在光器件轉移步驟中，是在已固定基板13的狀態下，使片材31朝從基板13遠離的方向移動。藉此，可將片材31從基板13的正面13a側剝離。

在剝離片材31之前，片材31已被貼附成順應於光器件17間的間隙，且是密合於光器件17的上表面及側面(參照圖3(B)及圖4(B))。又，藉由前述之緩衝層破壞步驟，緩衝層21a(參照圖5等)已被破壞而脆化、或已被去除。因此，當將片材31從基板13剝離時，複數個光器件17會如圖6所示地跟隨片材31從基板13分離，而轉移至片材31。

再者，對片材31之剝離方法並無限制。亦可例如以握持具握持片材31的端部來剝離片材31。又，亦可在將剝離用的膠帶貼附於片材31而將片材31與剝離用膠帶一體化之後，將此剝離用膠帶和片材31一起從基板13剝離。

又，亦可在剝離片材31時實施助長剝離之處理。例如，亦可藉由對基板13賦與超音波振動來促進基板13與片材31的剝離。又，亦可在基板13與片材31的界面插入刀具或鑷子等銳利的工具，使基板13與片材31部分地剝離。又，亦可從基板13的側邊朝向基板13與片材31的界面噴射空氣等氣體，來促進基板13與片材31的分離。

如上述，在本實施形態的光器件之移設方法中，是將片材31(或片材33)貼附成順應於形成於基板13之光器件17間的間隙。藉此，可將複數個光器件17牢固地固定於片材31，而可在將片材31從基板13剝離時確實地讓複數個光器件17從基板13分離。藉此，可以確實地將光器件17從基板13轉移至片材31。

可將已轉移至片材31的複數個光器件17移設、接合到例如已預定進行光器件17的組裝之其他基板(移設基板)。在本實施形態中，是將已轉移有複數個光器件17之片材31貼附於移設基板，而將複數個光器件17接合到移設基板(接合步驟)。藉此，可以用成批方式進行複數個光器件17的接合。

具體來說，首先是準備組裝複數個光器件17的基板(組裝基板)。在此組裝基板的正面形成有分別與光器件17連接的複數個電極。在此，是針對組裝基板所具備之複數個電極的配置排列為對應於埋沒在片材31之複數個光器件17(參照圖6)的配置排列之情況進行說明。

在接合步驟中，首先是將用於接合光器件17與組裝基板的電極之接合劑塗布於埋沒在片材31之複數個光器件17的露出面、與形成在組裝基板之複數個電極的露出面。再者，對接合劑之材料並無限制，可以使用例如將光器件17與組裝基板的電極電連接之Sn-Cu系的焊料等。

接著，使組裝基板之形成有電極之面、與片材31之露出有光器件17之面相向，來將片材31貼附於組裝基板。藉此，將複數個光器件17各自透過接合劑與組裝基板的電極接合，而將複數個光器件17以成批方式接合。之後，當將片材31從組裝基板剝離時，複數個光器件17會以已接合於組裝基板的狀態從片材31分離。

再者，在埋沒於片材31之複數個光器件17的配置排列為與組裝基板所具備之複數個電極的配置排列不同的情況下，亦可藉由拉伸並擴張片材31，來調節光器件17間的間隔。具體來說，是使用可藉由外力的賦與而擴張(伸張)的膠帶來作為片材31。並且，使用此片材31來實施前述之片材貼附步驟、緩衝層破壞步驟、及光器件轉移步驟。

之後，藉由將片材31擴張，而將光器件17的間隔擴大。此時之片材31的擴張量是調節成：使複數個光器件17的配置排列對應於已形成於移設基板之複數個電極的配置排列。然後，藉由將擴張後的片材31貼附於組裝基板，而將複數個光器件17以成批方式組裝到組裝基板。

另外，上述實施形態之構造、方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內，均可適當變更而實施。

10,30,42:保持工作台 10a,30a,42a:保持面 10b:流路 11:光器件晶圓 12:框體 13:基板 13a:正面 13b:背面 14:多孔構件 15:切割道 16:閥 17:光器件 18:吸引源 20:加熱單元(加熱組件) 21,21a:緩衝層 22:發熱體 24:金屬板件 26:隔熱構件 23:光器件層 25,25a:p型半導體膜 27,27a:n型半導體膜 31,33:片材(膠帶、薄膜) 35:基材 37:樹脂層 39:黏著層(糊層) 40:雷射加工裝置 44:雷射照射單元 46:雷射振盪器 48:鏡子 50:聚光透鏡 52:雷射光束

圖1是顯示光器件晶圓的立體圖。 圖2(A)是顯示光器件晶圓的製造步驟的截面圖，圖2(B)是顯示已將光器件層分割成複數個光器件的狀態之光器件晶圓的截面圖。 圖3(A)是顯示將片材貼附於基板之情形的截面圖，圖3(B)是顯示貼附有片材之基板的截面圖。 圖4(A)是顯示將其他片材貼附於基板之情形的截面圖，圖4(B)是顯示貼附有其他片材之基板的截面圖。 圖5是顯示緩衝層破壞步驟中的光器件晶圓的截面圖。 圖6是顯示光器件轉移步驟中的光器件晶圓的立體圖。

10:保持工作台

10a:保持面

10b:流路

11:光器件晶圓

12:框體

13:基板

13a:正面

13b:背面

14:多孔構件

16:閥

17:光器件

18:吸引源

20:加熱單元(加熱組件)

21a:緩衝層

22:發熱體

24:金屬板件

26:隔熱構件

31:片材(膠帶、薄膜)

Claims (2)

1. 一種光器件之移設方法，是從具備複數個光器件的光器件晶圓移設複數個該光器件，其中前述光器件是隔著緩衝層形成在基板的正面側，前述光器件之移設方法的特徵在於包含以下步驟：片材貼附步驟，在該基板的正面側將片材貼附成覆蓋複數個該光器件，且順應於該光器件間的間隙；緩衝層破壞步驟，在實施該片材貼附步驟之後，從該基板的背面側照射對該基板具有穿透性且對該緩衝層具有吸收性之脈衝雷射光束，破壞該緩衝層；及光器件轉移步驟，在實施該緩衝層破壞步驟之後，將該片材從該基板剝離，而將複數個該光器件轉移至該片材，該片材貼附步驟是在減壓腔室內實施，在該片材貼附步驟中，是在已對該減壓腔室內進行減壓的狀態下，將該片材一邊加熱一邊朝該基板按壓。
2. 如請求項1之光器件之移設方法，其中該片材具有樹脂層、及與該基板之未形成有該光器件的區域相對應的環狀的黏著層，在該片材貼附步驟中，是以該黏著層不接觸於該光器件，且該樹脂層順應於該光器件間的間隙的方式來將該片材貼附於該基板。