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TWI843975B - 粗糙化處理銅箔、覆銅積層板及印刷線路板 - Google Patents

粗糙化處理銅箔、覆銅積層板及印刷線路板 Download PDF

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TWI843975B
TWI843975B TW110143949A TW110143949A TWI843975B TW I843975 B TWI843975 B TW I843975B TW 110143949 A TW110143949 A TW 110143949A TW 110143949 A TW110143949 A TW 110143949A TW I843975 B TWI843975 B TW I843975B
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篠崎淳
笠原正靖
佐野惇郎
高澤亮二
中崎龍介
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日商古河電氣工業股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種粗糙化處理銅箔，其能夠製造出與樹脂的密合性優異、傳輸損耗小且不易發生由於遷移所造成的短路的印刷線路板等。本發明的粗糙化處理銅箔在至少其中一面具有粗糙化處理面，該粗糙化處理面形成有複數個粗糙化顆粒(1)，在粗糙化顆粒(1)的表面形成有凹凸。並且，使用三維白光干涉型顯微鏡測定出的粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr為1000%以上且5000%以下，且粗糙化處理面的算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.6μm以下。

Description

粗糙化處理銅箔、覆銅積層板及印刷線路板
本發明關於一種能夠適合使用於製造印刷線路板等的粗糙化處理銅箔、以及使用該粗糙化處理銅箔之覆銅積層板及印刷線路板。
覆銅積層板可藉由將銅箔與樹脂製的基板進行壓接來製造，但是藉由施以粗糙化處理，並將樹脂製的基板壓接在經粗糙化的粗糙化處理面，可使銅箔與樹脂製的基板的密合性提升，該粗糙化處理是將粗糙化顆粒形成於銅箔的表面而使銅箔的表面粗糙化。
只要粗糙化顆粒的高度(亦即，為在施以粗糙化處理前的銅箔的表面與以從施以該粗糙化處理前的銅箔的表面突出的方式所形成的粗糙化顆粒的前端之間的距離，以下亦記載為「粗糙化高度」)越大，就能夠使得銅箔與樹脂製的基板的密合性更大幅地提升。然而，若使用粗糙化高度大的銅箔來製造印刷線路板，會有由於表皮效應造成傳輸損耗變大這樣的問題。亦即，銅箔與樹脂製的基板的密合性與傳輸損耗呈現出一抵換關係。
另一方面，隨著近年來的印刷線路板朝向高頻對應化發展，若為了降低傳輸損耗而降低粗糙化高度，也出現了下述新興的問題：在作成印刷線路板時會容易產生遷移(migration)，而印刷線路板的電路會變得容易發生短路。
專利文獻1中揭示了一種與樹脂製的基板的密合性高的銅箔，專利文獻2中揭示了一種能夠製造傳輸損耗小的印刷線路板的銅箔。然而，專利文獻1、2所揭示的銅箔仍有無法同時滿足密合性與傳輸損耗這兩者特性的情況。此外，也會有無法製造出不易發生遷移的印刷線路板的疑慮。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本專利公報第6632739號。 專利文獻2：日本專利公報第6462961號。
[發明所欲解決的問題] 本發明所欲解決的問題在於提供一種粗糙化處理銅箔及覆銅積層板，其能夠製造出與樹脂的密合性優異、傳輸損耗小且不易發生由於遷移所造成的短路的印刷線路板等。此外，本發明所欲一併地解決的問題在於提供一種印刷線路板，其與樹脂的密合性優異、傳輸損耗小且不易發生由於遷移所造成的短路。 [解決問題的技術手段]
本發明的一態樣的粗糙化處理銅箔是至少其中一面具有粗糙化處理面之粗糙化處理銅箔，該粗糙化處理面形成有複數個粗糙化顆粒，該粗糙化處理銅箔的特徵在於：在粗糙化顆粒的表面形成有凹凸，使用三維白光干涉型顯微鏡測定出的粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr為1000%以上且5000%以下，且粗糙化處理面的算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.6μm以下。
此外，本發明的其他態樣的覆銅積層板的特徵在於：具備上述一態樣的粗糙化處理銅箔。 進一步，本發明的其他態樣的印刷線路板的特徵在於：具備上述一態樣的粗糙化處理銅箔。
先前技術的國際公開第2019/188712號及日本專利公報第6430092號中揭示了一種銅箔，該銅箔是利用電解鍍覆將被稱為大致球狀突起的突起物形成於銅箔的粗糙化顆粒的表面，藉此在粗糙化顆粒的表面形成凹凸而成。該等先前技術中，揭示了藉由在粗糙化顆粒的表面的凹凸，即便粗糙化顆粒小仍可獲得高機械強度這樣的技術特徵。
然而，認為當利用電解鍍覆形成大致球狀突起時，電流會集中於在集中的粗糙化顆粒的頂點部來進行鍍覆。作為其結果，會有整體的粗糙化顆粒的高度會部分地變大，而傳輸特性變差這樣的疑慮。 此外，因為國際公開第2019/188712號及日本專利公報第6430092號中沒有記載有關傳輸特性和起因於銅箔與樹脂的密合面的界面長度所造成的遷移的記載，所以無法確認是否已解決本發明所欲解決的問題。
另一方面，在本發明的一態樣的粗糙化處理銅箔中，對於粗糙化顆粒的表面的凹凸的形成，能夠藉由如後述那般在溶液中的蝕刻處理來實行，因此能夠將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面而不會使粗糙化顆粒的高度變大。 亦即，比起上述2件先前技術所揭示的銅箔，本發明的一態樣的粗糙化處理銅箔，能夠在維持傳輸特性小的情況下使對樹脂的密合性提升。此外，藉由將凹凸形成在粗糙化顆粒的整個表面或部分的表面，粗糙化顆粒的表面積也會變大，因此能夠製造出不易發生由於遷移所造成的短路的印刷線路板等。 [發明的效果]
本發明的粗糙化銅箔及覆銅積層板，能夠製造出與樹脂的密合性優異、傳輸損耗小且不易發生由於遷移所造成的短路的印刷線路板等。本發明的印刷線路板與樹脂的密合性優異、傳輸損耗小且不易發生由於遷移所造成的短路。
說明本發明的一實施形態。再者，以下說明的實施形態是表示本發明的一例。此外，能夠針對本實施形態施加各種變化或改良，並且施加這樣的變化或改良而成的形態亦包含在本發明中。
本發明的一實施形態的粗糙化處理銅箔，是至少其中一面具有粗糙化處理面之粗糙化處理銅箔，該粗糙化處理面形成有複數個粗糙化顆粒，該粗糙化處理銅箔中，在粗糙化顆粒的表面形成有凹凸，使用三維白光干涉型顯微鏡測定出的粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr為1000%以上且5000%以下，且粗糙化處理面的算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.6μm以下。
藉由這樣的構成，本實施形態的粗糙化處理銅箔能夠製造出與樹脂的密合性優異、傳輸損耗小且不易發生由於遷移所造成的短路的印刷線路板等。因而，本實施形態的粗糙化處理銅箔能夠適合地用於製造覆銅積層板和印刷線路板。
亦即，本實施形態的覆銅積層板具備本實施形態的粗糙化處理銅箔。只要使用本實施形態的粗糙化處理銅箔，即能夠製造出與樹脂的密合性優異的覆銅積層板。此外，本實施形態的印刷線路板具備本實施形態的覆銅積層板。只要使用本實施形態的粗糙化處理銅箔、覆銅積層板，即能夠製造出與樹脂的密合性優異、傳輸損耗小且不易發生由於遷移所造成的短路的印刷線路板。
以下，針對本實施形態的粗糙化處理銅箔，一邊參照圖式一邊詳細地說明。 本實施形態的粗糙化處理銅箔至少在其中一面具有藉由粗糙化處理進行粗糙化而成的粗糙化處理面。該粗糙化處理，是將複數個粗糙化顆粒1形成於粗糙化處理銅箔的原料即銅箔(以下，有時亦記載為「原料銅箔」)的表面3的處理，並且是藉由粗糙化處理使粗糙化處理面形成於粗糙化處理銅箔的表面。
如第1圖所示，粗糙化顆粒1是以從原料銅箔的表面3突出的方式所形成。原料銅箔的表面3與粗糙化顆粒1的前端之間的距離H為粗糙化高度。並且，在粗糙化顆粒1的表面形成有凹凸。第1圖的粗糙化處理銅箔中，藉由蝕刻等去除粗糙化顆粒1的部分的表面，其結果，粗糙化顆粒1的表面形成有複數個凸部1a，而藉此形成有凹凸。
粗糙化顆粒1較佳是藉由金屬銅或銅合金來形成。此外，作為粗糙化顆粒1的形狀，可列舉例如前端尖銳的凸形狀，作為具體例可列舉：圓錐形、三角錐形、四角錐形、橢圓體形及半球形。或者可列舉下述形狀：前端部以外的部分為圓柱或角柱形狀而前端部為圓錐形、三角錐形、四角錐形、橢圓體形或半球形。
粗糙化高度能夠以ISO25178所規定的算術平均粗糙度Sa來表示。因為本實施形態的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.6μm以下，所以粗糙化高度小。若使用粗糙化高度大的銅箔來製造印刷線路板，會由於表皮效果造成傳輸損耗變大，但是本實施形態的粗糙化處理銅箔在粗糙化處理面的粗糙化高度小，所以只要使用本實施形態的粗糙化處理銅箔來製造印刷線路板，即便在傳輸高頻訊號的情況下，所獲得的印刷線路板的電路中的傳輸損耗仍小。因而，本實施形態的粗糙化處理銅箔能夠適用於製造具有高頻電路之印刷線路板。
為了使印刷線路板的傳輸損耗進一步減少，本實施形態的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的算術平均粗糙度Sa較佳是設為0.04μm以上且0.45μm以下，更佳是設為0.04μm以上且0.35μm以下，進一步較佳是設為0.04μm以上且0.3μm以下，特佳是設為0.1μm以上且0.3μm以下。
此外，因為粗糙化顆粒1的表面形成有凹凸，所以粗糙化處理面的表面積會變大。表面積的大小，能夠以ISO25178所規定的界面的展開面積比Sdr表示，並且界面的展開面積比Sdr能夠使用三維白光干涉型顯微鏡來測定。使用三維白光干涉型顯微鏡測定出的粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr必須為1000%以上且5000%以下。
只要界面的展開面積比Sdr在上述範圍內，粗糙化處理面的表面積仍大，因此當將樹脂積層於本實施形態的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面時，即便粗糙化高度小，仍會獲得充分大的錨定效果，而粗糙化處理銅箔與樹脂的密合性優異。
此外，發明人致力於研究的結果，查明在貼合粗糙化處理銅箔與樹脂時的界面中的粗糙化處理銅箔的表面積與遷移有關，發現只要粗糙化處理面的算術平均粗糙度Sa及界面的展開面積比Sdr在上述範圍內，就不易發生遷移。亦即，若粗糙化高度小，作成印刷線路板時就會變得容易發生遷移，而容易在印刷線路板的電路中發生短路，但是只要界面的展開面積比Sdr在上述範圍內，粗糙化處理面的表面積大，因此遷移會變得不易發生，而不易在印刷線路板的電路中發生短路。
若詳細地說明由於遷移所造成的印刷線路板的電路的短路，如同以下。 若在製造覆銅積層板時將樹脂製的基板積層在粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面上，則粗糙化處理面的粗糙化顆粒會被埋入樹脂中，因此當利用蝕刻等去除粗糙化處理銅箔後，與經去除的粗糙化處理銅箔相對向的樹脂製的基板的表面會具有複製(replica)形狀，其轉印有粗糙化處理面的凹凸形狀。
使用上述覆銅積層板所製成印刷線路板中，遷移會沿著具有粗糙化處理面的複製形狀之樹脂與樹脂的密合界面進行，但是若粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的粗糙高度小，也會使得會導致短路的遷移的進行路徑變短，因此由於遷移所造成的短路會變得容易發生。
此外，若粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的粗糙化高度小，錨定效果會變小，因此具有粗糙化處理面的複製形狀之樹脂與樹脂的密合性會變弱，而變得容易形成空隙。若在樹脂與樹脂之間有空隙，水分和離子會流入其中而電路線路的銅會容易變成離子溶出，從而使遷移變得容易進行。
只要使用本實施形態的粗糙化處理銅箔來製造覆銅積層板和印刷線路板，會在粗糙化處理銅箔的粗糙化顆粒的表面形成有凹凸，因此具有粗糙化處理面的複製形狀之樹脂的表面形狀也會成為與粗糙化處理銅箔的粗糙化處理表面相同的形狀。因而，即便粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的粗糙化高度小，會導致短路的遷移的進行路徑仍會飛躍性地變長。
進一步，粗糙化處理銅箔的粗糙化顆粒的表面形成有凹凸，而粗糙化處理面的表面積大，因此具有粗糙化處理面的複製形狀之樹脂的表面形狀的表面積也大。因而，即便粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的粗糙化高度小，具有粗糙化處理面的複製形狀之樹脂與樹脂的密合性仍會變強，並且不易形成空隙，所以遷移會變得不易進行。
如此，只要使用本實施形態的粗糙化處理銅箔來製造覆銅積層板和印刷線路板，會在粗糙化處理銅箔的粗糙化顆粒的表面形成有凹凸，因此即便粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的粗糙化高度小，會導致短路的遷移的進行路徑仍會飛躍性地變長，且具有粗糙化處理面的複製形狀之樹脂與樹脂的密合性會變強。其結果，由於遷移所造成的印刷線路板的電路的短路會變得不易發生。
為了使粗糙化處理銅箔與樹脂的密合性更強且使由於遷移所造成的印刷線路板的電路的短路更不易發生，本實施形態的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr較佳是設為2000%以上且5000%以下，更佳是設為3000%以上且5000%以下。
本實施形態的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr及算術平均粗糙度Sa能夠藉由下述方式求出：使用三維白光干涉型顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、電子射線三維粗糙度解析裝置等，測定並評價粗糙化處理面的凹凸差。
如同以上說明，本實施形態的粗糙化處理銅箔，其粗糙化處理面的粗糙化高度小且粗糙化處理面的表面積大，因此能夠製造同時滿足下述3種特性的印刷線路板等，其與樹脂的密合性優異、傳輸損耗小且不易發生由於遷移所造成的短路。
再者，粗糙化處理面的十點平均粗糙度Rz較佳是設為0.6μm以上且1.4μm以下。只要粗糙化處理面的十點平均粗糙度Rz設在上述範圍內，即能夠確實地減少傳輸損耗，並且能夠確實地增加粗糙化處理銅箔與樹脂的密合性。粗糙化處理面的十點平均粗糙度Rz，能夠根據日本工業規格JIS B0601:2001所規定的方法使用接觸式表面粗糙度測定機來測定。
此外，本實施形態的粗糙化處理銅箔中，可將防鏽處理層積層於粗糙化處理面上，並將化學密合劑層進一步積層在該防鏽處理層上。只要是這樣的構成，可藉由防鏽處理層提高粗糙化處理面的防鏽性，並且可藉由化學密合劑層進一步提高粗糙化處理面與樹脂的密合性。
繼而，說明本實施形態的粗糙化處理銅箔的製造方法的一例。 (1) 電解銅箔的製造方法 作為製造本實施形態的粗糙化處理銅箔時使用的原料銅箔，較佳是不存在粗大的凹凸而具有平滑且有光澤的表面之電解銅箔與壓延銅箔。該等銅箔之中，從生產性和成本的觀點來看更佳是電解銅箔，特佳是一般被稱為「雙面光澤箔」而雙面平滑的電解銅箔。
本實施形態的粗糙化處理銅箔，能夠使用電解銅箔作為原料銅箔來進行製造，所以首先會一邊參照第2圖一邊說明電解銅箔的製造方法。 電解銅箔例如能夠使用如第2圖所示的電解析出裝置來製造。第2圖的電解析出裝置具備：不溶性電極12，其由包覆有鉑族元素或其氧化物之鈦所構成；及，鈦製的旋轉電極11，其與不溶性電極12相對向地設置。
使用電解析出裝置實行銅鍍覆，使銅於圓柱狀的旋轉電極11的表面(圓柱面)析出而形成銅箔，藉由將銅箔從旋轉電極11的表面剝離，便能夠製造電解銅箔。若詳細敘述，當實行銅鍍覆時，以旋轉電極11為陰極，並以不溶性電極12為陽極來施加電流。作為不溶性電極12，能夠使用例如DSE(Dimensionally Stable Electrode，尺寸穩定電極)電極(註冊商標)。此外，作為電解液13，例如能夠使用含有硫酸及硫酸銅之水溶液。電解液13中，可添加有機添加劑、無機添加劑等添加劑。添加劑可單獨使用1種，也可以併用2種以上。
若從未圖示的電解液供給部對旋轉電極11與不溶性電極12之間供給電解液13(參照留白的箭頭)，且在虛線箭頭所示的方向上使旋轉電極11以固定的速度旋轉，並且若在旋轉電極11與不溶性電極12之間施加直流電流，銅會在旋轉電極11的表面析出。只要將經析出的銅從旋轉電極11的表面剝離，並且以第2圖中由實線箭頭表示的方式撕起並連續地捲取，便可獲得電解銅箔14。
(2)粗糙化處理 對原料銅箔的雙面中的至少其中一面施以粗糙化處理，來形成形成有複數個粗糙化顆粒之粗糙化處理面。如第3圖所示，原料銅箔的表面形成有複數個粗糙化顆粒。此時，凹凸仍未形成在粗糙化顆粒的表面，而呈現出較為平滑的表面。
一般的電解銅箔的電界析出開始面(亮面)較平滑且有光澤，相反側的面即電解析出結束面(毛面)一般而言具有凹凸。此外，雙面光澤箔中，電界析出開始面、電解析出結束面皆較平滑且有光澤，但是電解析出結束面又更為平滑且有光澤。即便對電解銅箔的雙面皆實行粗糙化處理也無礙，但是即便在使用一般的電解銅箔、雙面光澤箔中的任一種電解銅箔時，較佳仍是在更平滑且具有光澤的那側的面施以粗糙化處理。 粗糙化處理，例如能夠藉由下述所示的兩階段的鍍覆處理來實行。再者，可以不實行第二階段的固定鍍覆處理。
(第一階段：粗糙化鍍覆處理) 第一階段的粗糙化鍍覆處理，是將粗糙化顆粒形成於原料銅箔的至少其中一面上的處理。具體而言，是在硫酸銅浴中實行銅鍍覆處理。硫酸銅浴(粗糙化基本鍍覆浴)中，以抑制粗糙化顆粒從原料銅箔的表面脫落即「落粉」為目的，可添加鉬(Mo)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硒(Se)、碲(Te)、鎢(W)等之中的至少一種作為添加劑，特佳是添加鉬。
以下顯示粗糙化鍍覆處理的條件的一例。 硫酸銅浴中的硫酸銅五水合物濃度：銅以(原子)換算計為5～15g/L 硫酸銅浴中的硫酸濃度：120～250g/L 硫酸銅浴中的鉬酸銨濃度：鉬以(原子)換算計為500～1000mg/L 硫酸銅浴的溫度：15～20℃ 處理速度：80m/分鐘 電流密度：5～55A/dm 2處理時間：0.5～5.0秒
(第二階段：固定鍍覆處理) 第二階段的固定鍍覆處理，是在藉由上述的粗糙化鍍覆處理所形成的粗糙化處理面施以平滑的覆蓋鍍覆的處理。具體而言，是在硫酸銅浴中實行銅鍍覆的處理。一般而言，該固定鍍覆處理是用以抑制粗糙化顆粒的脫落，即為了將粗糙化顆粒進行固定化而實行。
本實施形態的粗糙化處理銅箔中，固定鍍覆處理不為必須，而能夠依據需要來實行。例如，當製造覆銅積層板，而在與使用聚醯亞胺樹脂等硬質的樹脂之可撓性樹脂製的基板進行組合時，藉由對粗糙化處理面施以固定鍍覆處理能夠抑制粗糙化顆粒的脫落，因此較佳是實行固定鍍覆處理。
以下顯示固定鍍覆處理的條件的一例。 硫酸銅浴中的硫酸銅五水合物濃度：銅以(原子)換算計為50～65g/L 硫酸銅浴中的硫酸濃度：80～170g/L 處理速度：5～20m/分鐘 電流密度：1～7A/dm 2
(3)前處理 在進行將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理之前，可對粗糙化處理面實行用以促進該凹凸的形成的前處理。作為該前處理，可列舉例如電鍍鋅鍍覆。
若對粗糙化處理面稍微地施以電鍍鋅鍍覆，會隨著粗糙化顆粒的形狀而形成不均勻的鋅鍍覆層，而不會在銅箔的表面形成均勻的鋅鍍覆層。進一步，銅與鋅容易進行合金化而成為黃銅，從而認為其合金組也會與不均勻的鋅鍍覆層同樣地呈現不均勻。亦即，若以微觀的觀點觀察銅箔的最表面，會呈現存在鋅露出之處、黃銅露出之處及組成比率不同的黃銅露出之處。該等各處藉由酸進行蝕刻的方式各自不同，因此作為結果，藉由之後的形成凹凸的處理會容易變得可有效地在粗糙化顆粒的表面形成凹凸。
電鍍鋅鍍覆例如能夠使用鹼性鋅鍍覆液來實行。鹼性鋅鍍覆液中的鋅濃度較佳是2～8g/L。只要鹼性鋅鍍覆液的鋅濃度在上述範圍內，鋅的電流效率就會適當，因此可容易地獲得有效的鋅鍍覆，並且在鹼性鋅鍍覆液中不易產生沉澱，而鹼性鋅鍍覆液的穩定性優異。
鹼性鋅鍍覆液較佳是含有氫氧化鈉(NaOH)，其濃度較佳是20～45g/L。只要鹼性鋅鍍覆液中的氫氧化鈉濃度在上述範圍內，鹼性鋅鍍覆液的導電率就會適當，因此會變得可容易地獲得有效的鋅鍍覆量，並且經鍍覆的鋅不易再次溶解於鹼性鋅鍍覆液。若經鍍覆的鋅再次溶解於鹼性鋅鍍覆液，在之後進行的形成凹凸的處理中，會有粗糙化顆粒的表面產生凹凸的形成不充分之處的疑慮。 進行電鍍鋅鍍覆時的電流密度較佳是0.1～1 A/dm 2，處理時間較佳是1～5秒。
作為其他的前處理，可列舉例如自然氧化等氧化處理。藉由使粗糙化處理面的粗糙化顆粒的表面稍微地氧化，藉由之後的形成凹凸的處理會容易變得可有效地在粗糙化顆粒的表面形成凹凸。
以下例示自然氧化的方法的一例。使銅箔乾燥後，在大氣下放置12～48小時，藉此能夠使銅箔的表面稍微地氧化。該方法中，容易被自然氧化之處在銅箔的粗糙化顆粒的表面也有差異，所以以微觀的觀點來看會形成氧化膜的厚度不同之處。該等各處藉由酸進行蝕刻的方法各自不同，因此認為，作為結果，藉由之後的形成凹凸的處理會容易變得可有效地在粗糙化顆粒的表面形成凹凸。
只要自然氧化的處理時間在上述範圍內，即可獲得平均厚度適當的氧化膜，因此，在後續的處理中不易發生不良。例如，若進行超過48小時的氧化，氧化會過度進行，因此在對粗糙化處理銅箔實行施以電解鍍覆的防鏽處理時，會有無法獲得充分的附著量的防鏽處理層的疑慮。
(4)將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理 作為將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理，可列舉藉由無機酸、有機酸等化學藥劑進行的蝕刻和藉由陽極氧化進行的蝕刻等。利用蝕刻來去除粗糙化顆粒的部分的表面，藉此可形成凹部，並且去除量較少的部分會成為凸部(第1圖中的粗糙化顆粒1的凸部1a)，因此會在粗糙化顆粒的表面形成凹凸。
作為藉由化學藥劑進行的蝕刻，可列舉例如浸漬於鹽酸、硫酸、磷酸等無機酸的銅箔的處理。藉由使銅箔浸漬在特定濃度的無機酸水溶液中數秒～數十秒左右，可在粗糙化顆粒的表面形成複數個微細的凹凸。 例如，當在使用鹽酸作為無機酸時，藉由使銅箔浸漬於濃度5～20體積%的鹽酸中2秒以上，能夠在粗糙化顆粒的表面形成微細的凹凸，而能夠使粗糙化處理面的表面積充分地增加。
作為浸漬於無機酸的處理以外的蝕刻，可列舉例如：浸漬於乙酸、甲酸等有機酸的處理、浸漬於含有氯化鐵和氯化銅之溶液中的處理、浸漬於市售的微蝕刻劑的處理、藉由陽極氧化進行的電解蝕刻處理。該等蝕刻可單獨實行1種，也可以組合複數種來實行。
第4圖表示藉由這樣的蝕刻在粗糙化顆粒的表面形成凹凸而成的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面之例。可知比起第3圖所示的粗糙化顆粒，第4圖所示的粗糙化顆粒的表面形成有多數的凹凸。並且可知，藉由該等凹凸，粗糙化顆粒的表面積變得較大。
(5)表面處理 對於藉由上述方式所製成的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面，可依據需要施以表面處理。作為表面處理，可列舉在粗糙化處理面上形成下述的表面處理層的處理。亦即，可列舉形成下述表面處理層的處理：基底層，其用以抑制粗糙化處理銅箔與樹脂製的基板的密合性降低的情況，該密合性的降低是在製造覆銅積層板時，粗糙化處理銅箔中的銅會擴散於被積層在粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面上的樹脂製的基板而發生銅害所造成；使粗糙化處理銅箔的耐熱性提升的耐熱處理層；使粗糙化處理銅箔的防鏽性提升的防鏽處理層；使粗糙化處理銅箔與樹脂製的基板的密合性提升的化學密合劑層等。該等表面處理層，可以在粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面上單獨積層1種，也可以組合2種以上來積層。
再者，包含耐熱處理層及防鏽處理層之中間層與化學密合劑層的厚度非常小，因此不會對形成在粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的粗糙化顆粒的顆粒形狀造成影響。粗糙化顆粒的顆粒形狀，實質上是由在藉由粗糙化處理形成的階段中的粗糙化顆粒的顆粒形狀所決定。
此外，可以將基底層、耐熱處理層及防鏽處理層這三層全部形成在粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面上，也可以依據需要僅形成該三層中的任一層或兩層，但是當形成該三層全部時，較佳是從粗糙化處理面側起依序積層基底層、耐熱處理層及防鏽處理層。
進一步，當將化學密合劑層積層於粗糙化處理銅箔時，在粗糙化處理銅箔與化學密合劑層之間，可插入基底層、耐熱處理層及防鏽處理層中的至少一層，也可以不插入(亦即，將化學密合劑層直接形成在粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面上)。
當在製造覆銅積層板時，粗糙化處理銅箔中的銅會擴散於被積層在粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面上的樹脂製的基板而發生銅害，而有粗糙化處理銅箔與樹脂製的基板的密合性降低的疑慮時，較佳是在粗糙化處理銅箔與化學密合劑層之間形成基底層。基底層較佳是含有鎳(Ni)，並且較佳是藉由鍍覆形成例如選自鎳、鎳-磷(P)、鎳-鋅(Zn)中的至少1種。
當需要使粗糙化處理銅箔的耐熱性提升時，較佳是形成耐熱處理層。耐熱處理層較佳是含有鋅，並且較佳是藉由鍍覆形成例如選自鋅、含鋅之合金中的至少1種。作為含有鋅之合金之例，可列舉：鋅-錫(Sn)合金、鋅-鎳合金、鋅-鈷(Co)合金、鋅-銅(Cu)合金、鋅-鉻(Cr)合金、鋅-釩(V)合金。
當需要使粗糙化處理銅箔的防鏽性提升時，較佳是形成防鏽處理層。防鏽處理層較佳是含有鉻，可列舉例如藉由鉻鍍覆形成鉻層、藉由鉻酸鹽處理形成鉻酸鹽層。
當需要使粗糙化處理銅箔與樹脂製的基板的密合性提升時，較佳是形成化學密合劑層。化學密合劑層能夠藉由使用矽烷耦合劑等化學密合劑的化學密合劑處理來形成。例如能夠藉由下述方式來形成：將化學密合劑溶液直接或隔著中間層地塗佈在粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面上後，進行風乾(自然乾燥)或加熱乾燥。
只要經塗佈的化學密合劑溶液中的水等溶劑蒸發，即可形成化學密合劑層，而發揮使粗糙化處理銅箔與樹脂製的基板的密合性提升這樣的效果。若以50～180℃的溫度進行加熱乾燥，可促進化學密合劑與粗糙化處理銅箔的反應，因而適當。
作為矽烷耦合劑，較佳是使用環氧系矽烷耦合劑、胺基系矽烷耦合劑、乙烯基系矽烷耦合劑、甲基丙烯酸系矽烷耦合劑、丙烯酸系矽烷耦合劑、唑系矽烷耦合劑、苯乙烯系矽烷耦合劑、尿素系矽烷耦合劑、巰基系矽烷耦合劑、硫化物系矽烷耦合劑、異氰酸酯系矽烷耦合劑之中的至少1種。
[實施例] 以下顯示實施例及比較例，並進一步具體地說明本發明。 (A-1)電解銅箔 製造電解銅箔來作為用以製造實施例1～17及比較例1～10的粗糙化處理銅箔的原料銅箔。使用與第2圖相同的裝置，利用與前述同樣的操作來實行銅鍍覆，使銅在旋轉電極的表面析出。並且，將經析出的銅從旋轉電極的表面撕起，並連續性地捲取而製成厚度18μm的電解銅箔(雙面光澤箔)。
作為陰極的旋轉電極，使用鈦製的旋轉筒，其已藉由#1000～#2000的拋光研磨調整表面(圓柱面)的粗糙度而成。作為陽極的不溶性電極，使用尺寸穩定性陽極DSA(註冊商標)。 作為電解液，使用硫酸銅水溶液，其含有濃度75g/L的銅、濃度65g/L的硫酸、濃度20mg/L的氯、濃度2mg/L的3-巰基-1-丙磺酸鈉、濃度10mg/L的羥乙基纖維素及濃度50mg/L的低分子量膠(分子量3000)。銅鍍覆時的電解液的溫度為50℃，電流密度為45A/dm 2。
(A-2)壓延銅箔 作為用以製造實施例18及比較例11的粗糙化處理銅箔的原料銅箔，使用竹內金屬箔粉工業股份有限公司製造的壓延銅箔C1020R-H。該壓延銅箔的厚度為20μm。
(B)粗糙化處理 繼而，對由上述方式所製成的電解銅箔的電解析出結束面(毛面)及壓延銅箔的其中一面施以粗糙化處理，而作成粗糙化處理面。該粗糙化處理是藉由以卷對卷製程實行兩階段的電鍍鍍覆處理來實施。
第一階段的電鍍鍍覆處理即粗糙化鍍覆處理，是使用具有下述組成且15℃的粗糙化基本鍍覆浴的電鍍鍍覆處理，以表1所示的電流密度及處理時間且利用15m/分鐘的處理速度實行電鍍鍍覆處理，藉此在電解銅箔的電解析出結束面形成粗糙化高度及形狀不同的粗糙化顆粒。 粗糙化基本鍍覆浴中的硫酸銅五水合物濃度：銅以(原子)換算計為10g/L 粗糙化基本鍍覆浴中的硫酸濃度：150g/L 粗糙化基本鍍覆浴中的鉬酸銨濃度：鉬以(原子)換算計為600mg/L
[表1]
  粗糙化處理 前處理 形成凹凸的處理
第一階段 第二階段   種類   種類 處理時間 (秒)
電流密度 (A/dm 2) 處理時間 (秒) 電流密度 (A/dm 2) 處理時間 (秒)
實施例1 20 4 1 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 14
實施例2 15 4 0 0 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 18
實施例3 8 4 0 0 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 19
實施例4 30 4 2 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 11
實施例5 40 4 2 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 10
實施例6 15 4 1 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 20
實施例7 25 4 2 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 24
實施例8 40 4 2 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 22
實施例9 15 4 1 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 8
實施例10 25 4 2 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 9
實施例11 40 4 2 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 6
實施例12 15 4 1 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 2
實施例13 25 4 2 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 5
實施例14 40 4 2 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 4
實施例15 15 4 1 4 自然氧化 鹽酸浸漬 11
實施例16 25 4 2 4 自然氧化 鹽酸浸漬 18
實施例17 40 4 2 4 自然氧化 鹽酸浸漬 14
實施例18 20 4 1 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 12
比較例1 15 4 1 4 - - -
比較例2 25 4 2 4 - - -
比較例3 40 4 2 4 - - -
比較例4 35 5 2 5 - - 0
比較例5 30 4 2 5 - - 0
比較例6 20 5 2 4 - - 0
比較例7 9.2 4.4 2.1 4.4 - 電解鍍覆 0
比較例8 50 10 20 5 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 10
比較例9 0 0 0 0 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 10
比較例10 20 4 1 4 鋅鍍覆 鹽酸浸漬 60
比較例11 20 4 1 4 - - 0
第二階段的電鍍鍍覆處理即固定鍍覆處理，是使用具有下述組成的固定基本鍍覆浴的電鍍鍍覆處理，以表1所示的電流密度及處理時間且利用15m/分鐘的處理速度實行電鍍鍍覆處理，藉此在經施加粗糙化鍍覆處理的電解析出結束面施以平滑的覆蓋鍍覆，將粗糙化顆粒固定化。 固定基本鍍覆浴中的硫酸銅五水合物濃度：銅以(原子)換算計為55g/L 固定基本鍍覆浴中的硫酸濃度：120g/L 再者，比較例9並未施加粗糙化處理。
(C)前處理 在對經施以粗糙化處理的電解銅箔的電解析出結束面施以將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理之前，實行用以促進形成凹凸的前處理。針對實施例1～14、18及比較例7～10，實行下述電鍍鋅鍍覆作為前處理。 鍍覆浴中的鋅濃度：2.5g/L 鍍覆浴中的氫氧化鈉濃度35g/L 鍍覆浴的溫度：20℃ 電流密度：0.5A/dm 2處理時間：1秒
此外，針對實施例15～17，實行下述條件的自然氧化作為前處理。 溫度：23℃ 濕度：50%RH 處理時間：12小時 再者，比較例1～7、11並未施以前處理。
(D)將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理 針對已實行前處理的實施例1～18及比較例8～10，藉由浸漬於濃度10體積%(僅實施例3為11體積%)且溫度30℃的鹽酸中，來實行將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理。浸漬的處理時間如同表1所示。藉由這樣的處理，來製造粗糙化處理面的表面積不同的粗糙化處理銅箔。
再者，詳情會進行後述，但是針對比較例1～6、11並未施以將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理。此外，針對比較例7，在含有9-苯基吖啶(C 19H 13N)之硫酸銅鍍覆浴中實行電解鍍覆，將突起物形成於粗糙化顆粒的表面，藉此將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面。
(E)基底層及中間層的形成 繼而，在經形成凹凸於粗糙化顆粒的表面之粗糙化處理面上，依序積層基底層、耐熱處理層及防鏽處理層。基底層藉由利用下述條件實行鎳鍍覆來形成，耐熱處理層藉由利用下述條件實行鋅鍍覆來形成，防鏽處理層藉由利用下述條件實行鉻鍍覆來形成。
〈鎳鍍覆的條件〉 鍍覆浴中的鎳濃度：45g/L 鍍覆浴中的硼酸(H 3BO 3)濃度：4g/L 鍍覆浴的溫度：20℃ 鍍覆浴的pH值：3.5 電流密度：0.2A/dm 2處理時間：8秒
〈鋅鍍覆的條件〉 鍍覆浴中的鋅濃度：2.5g/L 鍍覆浴中的氫氧化鈉濃度：35g/L 鍍覆浴的溫度：20℃ 電流密度：0.5A/dm 2處理時間：4秒
〈鉻鍍覆的條件〉 鍍覆浴中的鉻濃度：6g/L 鍍覆浴的溫度：30℃ 鍍覆浴的pH值：2.3 電流密度：5A/dm 2處理時間：3秒
(F)化學密合劑層的形成 最後將化學密合劑層積層在防鏽處理層上。若進行詳細敘述，是將濃度0.2質量%的3-胺丙基三甲氧基矽烷(C 6H 17NO 3Si)水溶液塗佈於防鏽處理層，並使其在100℃中乾燥來形成矽烷耦合劑層。
(G)比較例的說明 在此處，總括性地說明比較例1～11。 比較例1～3是在粗糙化顆粒的表面未形成有凹凸之例，其並未實行將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理。比較例4～6各自是在粗糙化顆粒的表面未形成有凹凸之例，其在依據日本專利公報第6632739號、日本專利公報第6462961號或國際公開第2020/031721號實施例所揭示的方法形成粗糙化顆粒後，並未實行將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理。
比較例7是將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的之例，其藉由實行電解鍍覆並將突起物形成於粗糙化顆粒的表面。比較例8是粗糙化處理面的粗糙化高度過大之例。比較例9是在銅箔的電解析出結束面未形成粗糙化顆粒之例，其並未實行粗糙化處理。比較例10是粗糙化處理面的表面積過大之例。比較例11是在粗糙化顆粒的表面未形成有凹凸之例，其在對壓延銅箔實行粗糙化處理後並未實行將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面的處理。
在此處，詳細地說明比較例7的粗糙化處理銅箔的製造方法。比較例7中，藉由兩階段的電解鍍覆在電解銅箔的電解析出結束面形成粗糙化顆粒。然後，進一步實行第三階段的電解鍍覆，將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面。繼而，與實施例同樣地操作，將基底層、耐熱處理層、防鏽處理層及化學密合劑層進行積層，來獲得粗糙化處理銅箔。
比較例7的粗糙化處理銅箔的製造方法，是依據國際公開第2019/188712號的實施例所揭示的方法，在第三階段的電解鍍覆中將大致球狀的突起物形成於粗糙化顆粒的表面，藉此將凹凸形成在粗糙化顆粒的表面。 三階段的電解鍍覆中，各自使用銅濃度、硫酸濃度、氯濃度、9-苯基吖啶(9PA)濃度如同下述的硫酸銅溶液作為鍍覆浴。三階段的電解鍍覆的條件各自如同下述。
〈第一階段的電解鍍覆的條件〉 鍍覆浴中的硫酸銅五水合物濃度：銅以(原子)換算計為8g/L 鍍覆浴中的硫酸濃度：100g/L 鍍覆浴中的氯濃度：50ppm 鍍覆浴中的9PA濃度：60ppm 鍍覆浴中的溫度：30℃ 處理速度：15m/分鐘 處理方向極間流速：15m/分鐘 電流密度：9.2A/dm 2處理時間：4.4秒
〈第二階段的電解鍍覆的條件〉 鍍覆浴中的硫酸銅五水合物濃度：銅以(原子)換算計為69g/L 鍍覆浴中的硫酸濃度：240g/L 鍍覆浴中的氯濃度：0ppm 鍍覆浴中的9PA濃度：0ppm 鍍覆浴中的溫度：52℃ 處理速度：15m/分鐘 處理方向極間流速：15m/分鐘 電流密度：2.1A/dm 2處理時間：4.4秒
〈第三階段的電解鍍覆的條件〉 鍍覆浴中的硫酸銅五水合物濃度：銅以(原子)換算計為13g/L 鍍覆浴中的硫酸濃度：75g/L 鍍覆浴中的氯濃度：35ppm 鍍覆浴中的9PA濃度：139ppm 鍍覆浴中的溫度：28℃ 處理速度：15m/分鐘 處理方向極間流速：15m/分鐘 電流密度：33.6A/dm 2處理時間：0.6秒
(H)評價 針對由上述方式製成的實施例1～18及比較例1～11的銅箔實行各種評價 [粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr及算術平均粗糙度Sa] 粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr及算術平均粗糙度Sa，能夠藉由依據ISO 25178所規定的方法，使用三維白光干涉型顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、電子射線三維粗糙度解析裝置等來測定。針對實施例1～18及比較例1～11的銅箔，使用BRUKER公司製造的三維白光干涉型顯微鏡Wyko ContourGT-K，測定粗糙化處理面的表面形狀，並實行形狀解析而求出粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr及算術平均粗糙度Sa。
表面形狀的測定是針對各銅箔實行任意5處，對該5處分別實行形狀解析，來求出5處各自的界面的展開面積比Sdr及算術平均粗糙度Sa。並且，將所獲得的5處的結果的平均值設為各銅箔的界面的展開面積比Sdr及算術平均粗糙度Sa。
形狀解析是使用高解析度CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)相機(解析度1280×980像素)並以VSI測定方式(垂直掃描型干涉法)來實行。條件為光源設為白光，測定倍率設為50倍，測定範圍設為96.1μm×72.1μm，閾值設為3%，進行圓筒及傾斜的項目去除(Terms Removal(Cylinder and Tilt))並利用數據恢復(Data Restore(方法：legacy、iterations 5))的過濾器處理後，實行傅立葉過濾(Fourier Filter)處理。
傅立葉過濾處理，是使用High Freq Pass作為傅立葉過濾器，在傅立葉過濾視窗(Fourier Filter Window)使用Gaussian(高斯軟體)，並在截止頻率(Frequency Cutoff)中將低截止(Low Cutoff)設為62.5mm -1。
界面的展開面積比Sdr，是利用混合模式S參數(S parameters-hybrid)解析以傾斜去除(Remove Tilt)為真的方式算出。算術平均粗糙度Sa，是利用高度模式S參數(S parameters-height)解析以傾斜去除(Remove Tilt)為真的方式算出。將結果表示於表2。
[粗糙化處理面的十點平均粗糙度Rz] 針對實施例1～18及比較例1～11的銅箔的粗糙化處理面，依據日本工業規格JIS B 0601:2001的規定，測定十點平均粗糙度Rzjis(μm)。作為測定裝置，使用小坂研究所股份有限公司製造的接觸式表面粗糙度測定機Surfcorder SE1700。此外，測定是沿著與銅箔的長度方向正交的方向實行。將結果表示於表2。再者，上述所謂「長度方向」，意指電解銅箔的MD(Machine Direction，機器方向)，例如當在製造電解銅箔時使用旋轉電極並藉由鍍覆將銅箔形成在旋轉電極的表面的情況下，意指旋轉電極的旋轉方向。
[密合強度] 依據日本工業規格JIS C6481：1996所規定的方法實行常態剝離試驗。將樹脂製的基板接合於銅箔的粗糙化處理面，來作成覆銅積層板。作為樹脂製的基板，使用將2片低介電聚苯醚系樹脂薄膜(Panasonic股份有限公司製造的多層基板材料MEGTRON 7，厚度60μm)貼合而成者。再者，針對實施例1～6及比較例1～3的銅箔，在接合樹脂製的基板前以不實行整面研磨和微蝕刻的方式來製作覆銅積層板。
對該覆銅積層板黏貼遮蔽膠帶，在實行氯化銅蝕刻後去除遮蔽膠帶，製成具有寬度10mm的電路線路之印刷線路板。 繼而，在室溫環境中使用東洋精機製作所股份有限公司製的萬能試驗機(Tensilon tester)，以50mm/分鐘的速度在90度方向上將印刷線路板的電路線路部分(銅箔部分)進行拉伸而從樹脂製的基板剝離，測定常態剝離強度並將其設為密合強度。將結果表示於表2。在表2中，當密合強度為0.7N/mm以上時表示為「A」，當為0.55N/mm以上且小於0.7N/mm時表示為「B」，當小於0.55N/mm時表示為「C」。
[傳輸損耗] 使用實施例1～18及比較例1～11的銅箔與樹脂製的基板即低介電聚苯醚系樹脂薄膜(Panasonic股份有限公司製造的多層基板材料MEGTRON 7，厚度60μm)，製作形成有帶線之印刷線路板，並評價傳輸特性。形成在印刷線路板的帶線的電路寬度為140μm，電路長為760mm。
使用Keysight Technologies公司製造的網路分析儀N5291A對形成在該印刷線路板的銅箔的電路傳輸高頻訊號來測定傳輸損耗。特性阻抗設為50Ω。傳輸損耗的測定值的絕對值越小，意指傳輸損耗越少，亦即高頻訊號能夠良好地傳輸。將結果表示於表2。表2中，當在30GHz中的傳輸損耗的絕對值小於28dB/760mm時表示為「A」，當為28dB/760mm以上且小於31dB/760mm時表示為「B」，當為31dB/760mm以上時表示為「C」。
[耐遷移性試驗] 將實施例1～18及比較例1～11的銅箔與樹脂製的基板即低介電聚苯醚系樹脂薄膜(Panasonic股份有限公司製造的多層基板材料MEGTRON 7，厚度60μm)進行貼合，來製成加壓樣品。繼而，在該加壓樣品上形成適於IPC-B-25A規格的梳形電路，來製成印刷線路板。該梳形電路的線寬為0.318mm，線距為0.318mm，電路長為22mm。
針對如此製成的印刷線路板，使用IMV公司製造的遷移測定機MIG-8600B並依據IPC-650-TM2.5.3所規定的方法來實行耐遷移性試驗，並評價線路圖案間的耐遷移性。亦即，在室溫環境下(23℃且50%RH)中測定印刷線路板的初期電阻值後，在50℃且90%RH的恆溫高濕槽內施加100V的直流電壓168小時(7天)。
之後，將印刷線路板從恆溫高濕槽取出，在1小時內測定電阻值。將結果表示於表2。表2中，將當從恆溫高濕槽取出後所測定出的電阻值小於初期電阻值的50%時表示為「A」，為50%以上且小於60%時表示為「B」，當60%以上時表示為「C」。
[表2]
  界面的展開面積比Sdr(%) 算術平均 粗糙度Sa (μm) 十點平均 粗糙度Rzjis (μm)   密合強度   傳輸損耗   耐遷移性
實施例1 3521 0.25 0.89 A A A
實施例2 3802 0.15 0.72 A A A
實施例3 3964 0.04 0.61 A A A
實施例4 3419 0.41 1.25 A B A
實施例5 3101 0.59 1.42 A B A
實施例6 4083 0.18 0.90 A A A
實施例7 4941 0.34 1.21 A B A
實施例8 4698 0.58 1.43 A B A
實施例9 2671 0.21 0.87 A A A
實施例10 2820 0.33 1.24 A B A
實施例11 2200 0.57 1.46 A B A
實施例12 1031 0.19 0.87 B A B
實施例13 1930 0.34 1.21 B B B
實施例14 1602 0.57 1.37 B B B
實施例15 3101 0.22 0.87 A A A
實施例16 3901 0.35 1.21 A B A
實施例17 3560 0.56 1.40 A B A
實施例18 3221 0.23 0.89 A A A
比較例1 198 0.19 0.93 C A C
比較例2 220 0.33 1.22 C A C
比較例3 241 0.54 1.31 C A C
比較例4 258 0.25 0.90 C A C
比較例5 281 0.31 0.97 C A C
比較例6 460 0.33 0.95 C B C
比較例7 750 0.63 1.45 B C C
比較例8 3561 0.96 1.80 A C B
比較例9 9 0.03 0.58 C A C
比較例10 5086 0.22 0.91 B A C
比較例11 228 0.24 0.89 C A C
從表2可知，實施例1～18的粗糙化處理銅箔，其粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr為1000%且5000%以下，且粗糙化處理面的算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.6μm以下，因此，使用該粗糙化處理銅箔製成的印刷線路板，樹脂與粗糙化處理銅箔的密合性優異、傳輸損耗小且不易發生由於遷移所造成的短路。
相對於此，比較例1～11的銅箔的粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr及算術平均粗糙度Sa至少其中一項並未滿足上述要件。因此，使用該銅箔所製成的印刷線路板在樹脂與銅箔的密合性、傳輸損耗及由於遷移所造成的短路的發生容易性中的至少一者，比實施例1～18的粗糙化處理銅箔差。
比較例7藉由實行電解鍍覆並將突起物形成於粗糙化顆粒的表面，來將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面，因此認為突起物會集中並被形成於粗糙化顆粒的前端附近部分。因此認為，會藉由電解鍍覆部分地產生高度變大的粗糙化顆粒，而傳輸損耗會變大。
實施例1～18的粗糙化處理銅箔藉由蝕刻將凹凸形成於粗糙化顆粒的表面，因此粗糙化高度不會變大，也會在粗糙化顆粒的整個表面均勻地形成凹凸。因此認為，可將傳輸損耗抑制得較低，提高樹脂與銅箔的密合性，並且也能夠抑制由於遷移所造成的短路。
1:粗糙化顆粒 1a:凸部 3:原料銅箔的表面 11:旋轉電極 12:不溶性電極 13:電解液 14:電解銅箔 H:原料銅箔的表面3與粗糙化顆粒1的前端之間的距離
第1圖是說明形成在本實施形態的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的粗糙化顆粒的形狀及粗糙化高度的示意性剖面圖。 第2圖是說明使用電解析出裝置製造電解銅箔的方法的圖。 第3圖是說明本實施形態的粗糙化處理銅箔的製造方法的圖，並且是顯示藉由粗糙化鍍覆處理所形成的粗糙化顆粒的形狀的掃描式電子顯微鏡影像。 第4圖是說明本實施形態的粗糙化處理銅箔的製造方法的圖，並且是顯示形成在粗糙化顆粒的表面的凹凸的掃描式電子顯微鏡影像。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
1:粗糙化顆粒
1a:凸部
3:原料銅箔的表面
H:原料銅箔的表面3與粗糙化顆粒1的前端之間的距離

Claims (9)

  1. 一種粗糙化處理銅箔，其至少其中一面具有粗糙化處理面，該粗糙化處理面形成有複數個粗糙化顆粒，在前述粗糙化顆粒的表面形成有凹凸，使用三維白光干涉型顯微鏡測定出的前述粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr為1000%以上且5000%以下，且前述粗糙化處理面的算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.6μm以下。
  2. 如請求項1所述之粗糙化處理銅箔，其中，前述粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr為2000%以上且5000%以下。
  3. 如請求項1所述之粗糙化處理銅箔，其中，前述粗糙化處理面的界面的展開面積比Sdr為3000%以上且5000%以下。
  4. 如請求項1~3中任一項所述之粗糙化處理銅箔，其中，前述粗糙化處理面的算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.35μm以下。
  5. 如請求項1~3中任一項所述之粗糙化處理銅箔，其中，使用接觸式表面粗糙度測定機所測定出的前述粗糙化處理面的十點平均粗糙度Rz為0.6μm以上且1.4μm以下。
  6. 如請求項4所述之粗糙化處理銅箔，其中，使用接觸式表面粗糙度測定機所測定出的前述粗糙化處理面的十點平均粗糙度Rz為0.6μm以上且1.4μm以下。
  7. 如請求項1~3中任一項所述之粗糙化處理 銅箔，其中，在前述粗糙化處理面上積層有防鏽處理層，在前述防鏽處理層上進一步積層有化學密合劑層。
  8. 一種覆銅積層板，其具備請求項1~7中任一項所述之粗糙化處理銅箔。
  9. 一種印刷線路板，其具備請求項1~7中任一項所述之粗糙化處理銅箔。
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