TWI842871B - 處理裝置及處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於適當地實行處理對象體的薄化處理。為了達成上述目的，本發明之處理裝置，對處理對象體進行處理，包含：改質部，對該處理對象體的內部照射雷射光，並沿著面方向形成複數之改質層；以及控制部，至少控制該改質部的動作；該控制部，控制該改質部，以形成：在形成該改質層時，從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第1改質層形成區域；以及在形成該改質層時，從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結的第2改質層形成區域。

Description

處理裝置及處理方法

本發明係關於一種處理裝置以及處理方法。

於專利文獻1，揭示了於單結晶基板形成內部改質層，並以該內部改質層為基點將基板割斷的方法。若根據專利文獻1，該內部改質層，係藉由對基板的內部照射雷射光以令單結晶構造變化成多結晶構造所形成。另外，在內部改質層中，相鄰的加工痕會互相連結。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平2013-161820號公報

[發明所欲解決的問題]

本發明之技術，適當地實行處理對象體的薄化處理。 [解決問題的手段]

本發明一實施態樣，係對處理對象體進行處理的處理裝置，包含：改質部，對該處理對象體的內部照射雷射光，並沿著面方向形成複數之改質層；以及控制部，至少控制該改質部的動作；該控制部，控制該改質部，以形成：在形成該改質層時，從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第1改質層形成區域；以及在形成該改質層時，從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結的第2改質層形成區域。 [發明的功效]

若根據本發明，便可適當地實行處理對象體的薄化處理。

在半導體裝置的製造步驟中，會實行步驟，令表面形成了複數之電子電路等裝置而作為處理對象體的處理晶圓變薄。

圖1，係表示將處理晶圓W與支持晶圓S貼合所形成的疊合晶圓T的概略構造的側視圖。以下，在處理晶圓W中，將與支持晶圓S接合的面稱為表面Wa，將表面Wa的相反側的面稱為背面Wb。同樣地，在支持晶圓S中，將與處理晶圓W接合的面稱為表面Sa，將表面Sa的相反側的面稱為背面Sb。

處理晶圓W，例如係具有圓板形狀的矽晶圓等的半導體晶圓，於表面Wa形成了包含複數之電子電路等裝置在內的裝置層（圖中未顯示）。另外，於裝置層更形成了氧化膜（圖中未顯示），例如SiO₂ 膜（TEOS膜）。

支持晶圓S，係支持處理晶圓W的晶圓。於支持晶圓S的表面Sa，形成了氧化膜（圖中未顯示），例如SiO₂ 膜（TEOS膜）。另外，當於支持晶圓S的表面Sa形成了複數之裝置時，與處理晶圓W同樣，係於表面Sa形成了裝置層（圖中未顯示）。

上述專利文獻1所記載的基板內部加工裝置，係實行晶圓的薄化的裝置。在該基板內部加工裝置中，如圖2所示的，會對處理晶圓W的內部照射雷射光，以形成內部面改質層M1。然後，以所形成的內部面改質層M1以及從該內部面改質層M1進展的龜裂（以下稱為「裂縫C1」）為界線，將處理晶圓W分離，令其變薄。在分離時，係在保持著處理晶圓W的表面Wa側與背面Wb側的狀態下，賦與往剝離方向的拉力。

然而，當像這樣對形成了內部面改質層M1的處理晶圓W賦與拉力以進行分離時，即使在內部面改質層M1形成之後，作為分離對象的處理晶圓W的表面Wa側與背面Wb側，仍處於透過內部面改質層M1互相連結的狀態。因此，為了將處理晶圓W分離，需要過度的拉力，從此觀點來看，仍有改善的餘地。

本發明之技術，會適當地實行處理對象體的薄化處理。以下，針對具備適當地實行薄化處理的本實施態樣的作為處理裝置的改質裝置的晶圓處理系統，以及作為處理方法的晶圓處理方法，一邊參照圖式一邊進行說明。另外，在本說明書以及圖式中，實質上具有相同功能構造的要件，會附上相同的符號，並省略重複說明。

首先，針對晶圓處理系統的構造進行說明。圖3，係將晶圓處理系統1的概略構造以示意方式表示的俯視圖。

晶圓處理系統1，對如上所述的由處理晶圓W與支持晶圓S所接合的疊合晶圓T實行處理。然後，晶圓處理系統1，令處理晶圓W薄化。另外，在本實施態樣中，處理晶圓W相當於本發明的處理對象體。

另外，對處理晶圓W，除了上述的薄化處理之外，更實行用以防止因為該薄化處理而處理晶圓W的周緣部形成尖銳形狀（所謂的刀刃邊緣形狀）的邊緣修整處理。邊緣修整處理，例如，如圖4所示的，係藉由對作為除去對象的周緣部We與中央部Wc的界線照射雷射光以形成周緣改質層M2，並以該周緣改質層M2為基點將周緣部We剝離而實行之。另外，邊緣修整所除去的周緣部We，例如為從處理晶圓W的外端部算起徑向上1mm~5mm的範圍。關於邊緣修整處理的方法後述之。

另外，於處理晶圓W，形成了為了適當地實行邊緣修整處理的接合區域Aa與未接合區域Ab。具體而言，如後述的圖9所示的，在接合區域Aa，處理晶圓W與支持晶圓S接合，在未接合區域Ab，處理晶圓W與支持晶圓S的接合強度降低。

未接合區域Ab，例如亦可在接合前形成之。具體而言，藉由對接合前的處理晶圓W的接合界面，實行研磨或濕蝕刻等所致的除去、雷射光的照射所致的改質、疏水材料的塗布所致的疏水化等，令接合強度降低，便可形成未接合區域Ab。另外，可形成未接合區域Ab的該「接合界面」，係指形成了處理晶圓W的實際與支持晶圓S接合的界面的部分。

未接合區域Ab，例如亦可在接合後形成之。具體而言，係藉由對相當於接合後的處理晶圓W的周緣部We的部分的界面照射雷射光，以令其相對於支持晶圓S的表面Sa的接合強度降低而形成之。另外，未接合區域Ab，只要可令處理晶圓W的周緣部的處理晶圓W與支持晶圓S之間的接合力適當地降低，未接合區域便可形成於處理晶圓W與支持晶圓S的接合界面附近的任意位置。亦即，於本實施態樣之「接合界面附近」，係包含處理晶圓W的內部、裝置層D的內部、氧化膜Fw的內部等。

如圖3所示的晶圓處理系統1，具有將搬入搬出站2與處理站3連接成一體的構造。例如可收納複數枚疊合晶圓T的匣盒Ct在搬入搬出站2與外部之間搬入搬出。處理站3，具備對疊合晶圓T實施處理的各種處理裝置。

於搬入搬出站2，設置了匣盒載置台10。在圖式之例中，於匣盒載置台10，係將複數之（例如3個）匣盒Ct在Y軸方向上隨意載置成一列。另外，匣盒載置台10所載置的匣盒Ct的個數，不限於本實施態樣，可任意決定之。

於搬入搬出站2，在匣盒載置台10的X軸負方向側，與該匣盒載置台10鄰接設置了晶圓搬運裝置20。晶圓搬運裝置20，以在沿著Y軸方向延伸的搬運路徑21上隨意移動的方式構成。另外，晶圓搬運裝置20，具有保持並搬運疊合晶圓T的例如2支搬運臂22、22。各搬運臂22，以朝水平方向、朝垂直方向、繞水平軸以及繞垂直軸隨意移動的方式構成。另外，搬運臂22的構造不限於本實施態樣，可採用任意的構造。然後，晶圓搬運裝置20，以可對匣盒載置台10的匣盒Ct以及後述的傳遞裝置30搬運疊合晶圓T的方式構成。

於搬入搬出站2，在晶圓搬運裝置20的X軸負方向側，與該晶圓搬運裝置20鄰接，設置了傳遞疊合晶圓T用的傳遞裝置30。

於處理站3，例如設置了3個處理區塊G1~G3。第1處理區塊G1、第2處理區塊G2以及第3處理區塊G3，從X軸正方向側（搬入搬出站2側）往負方向側依照該順序並排配置。

於第1處理區塊G1，設置了蝕刻裝置40、洗淨裝置41以及晶圓搬運裝置50。蝕刻裝置40與洗淨裝置41，堆疊配置。另外，蝕刻裝置40與洗淨裝置41的數量或配置不限於此。例如，蝕刻裝置40與洗淨裝置41亦可各自在X軸方向上並排載置。再者，該等蝕刻裝置40與洗淨裝置41亦可各自堆疊。

蝕刻裝置40，對後述的加工裝置80所研削的處理晶圓W的分離面進行蝕刻處理。例如，對分離面供給藥劑（蝕刻液），以對該分離面進行濕蝕刻。藥劑，例如可使用HF、HNO₃ 、H₃ PO₄ 、TMAH、Choline、KOH等。

洗淨裝置41，對後述的加工裝置80所研削的處理晶圓W的分離面進行洗淨。例如將刷子抵接於分離面，以將該分離面刷洗乾淨。另外，分離面的洗淨，亦可使用經過加壓的洗淨液。另外，洗淨裝置41，亦可具有與處理晶圓W的分離面一起，將支持晶圓S的背面Sb洗淨的構造。

晶圓搬運裝置50，例如配置在蝕刻裝置40與洗淨裝置41的Y軸負方向側。晶圓搬運裝置50，具有保持並搬運疊合晶圓T的例如2支搬運臂51、51。各搬運臂51，以朝水平方向、朝垂直方向、繞水平軸以及繞垂直軸隨意移動的方式構成。另外，搬運臂51的構造不限於本實施態樣，可採用任意的構造。然後，晶圓搬運裝置50，以可對傳遞裝置30、蝕刻裝置40、洗淨裝置41以及後述的改質裝置60搬運疊合晶圓T的方式構成。

於第2處理區塊G2，設置了改質裝置60以及晶圓搬運裝置70。另外，改質裝置60的數量或配置不限於本實施態樣，亦可複數之改質裝置60堆疊配置。

改質裝置60，會對處理晶圓W的內部照射雷射光，以形成內部面改質層M1以及周緣改質層M2。改質裝置60的詳細構造後述之。

晶圓搬運裝置70，例如配置在改質裝置60的Y軸正方向側。晶圓搬運裝置70，具有保持並搬運疊合晶圓T的例如2支搬運臂71、71。各搬運臂71，被多關節的臂部構件72所支持，以朝水平方向、朝垂直方向、繞水平軸以及繞垂直軸隨意移動的方式構成。另外，搬運臂71的構造不限於本實施態樣，可採用任意的構造。然後，晶圓搬運裝置70，以可對洗淨裝置41、改質裝置60以及後述的加工裝置80搬運疊合晶圓T的方式構成。

於第3處理區塊G3，設置了加工裝置80。另外，加工裝置80的數量或配置不限於本實施態樣，亦可複數之加工裝置80任意配置。

加工裝置80，具有旋轉台81。旋轉台81，以「藉由旋轉機構（圖中未顯示），以垂直的旋轉中心線82為中心隨意旋轉」的方式構成。在旋轉台81上，設置了2個吸附、保持疊合晶圓T的夾頭83。夾頭83，均等地配置在與旋轉台81的圓周相同的圓周上。2個夾頭83，可藉由旋轉台81的旋轉，而移動到傳遞位置A0以及加工位置A1。另外，2個夾頭83各自以可藉由旋轉機構（圖中未顯示）繞垂直軸旋轉的方式構成。

在傳遞位置A0，傳遞疊合晶圓T。於加工位置A1，配置了研削單元84，對處理晶圓W進行研削。研削單元84，具有研削部85，該研削部85具備為環狀且隨意旋轉的研削磨石（圖中未顯示）。另外，研削部85，以可沿著支柱86在垂直方向上移動的方式構成。然後，在夾頭83所保持的處理晶圓W與研削磨石抵接的狀態下，令夾頭83與研削磨石各自旋轉。

於以上的晶圓處理系統1，設置了作為控制部的控制裝置90。控制裝置90，例如為電腦，其具有程式儲存部（圖中未顯示）。於程式儲存部，儲存了控制晶圓處理系統1中的疊合晶圓T的處理的程式。另外，於程式儲存部，亦儲存了控制上述的各種處理裝置或搬運裝置等的驅動系統的動作，以令晶圓處理系統1中的後述的晶圓處理實現的程式。另外，於程式儲存部，亦儲存了控制上述的薄化處理的動作，以令改質裝置60中的後述的改質處理實現的程式。另外，上述程式，記錄於電腦可讀取的記憶媒體H，亦可從該記憶媒體H安裝到控制裝置90。

接著，針對上述的改質裝置60進行說明。圖5、圖6，係各自顯示出改質裝置60的概略構造的俯視圖以及側視圖。

改質裝置60，具有以頂面保持疊合晶圓T的夾頭100。夾頭100，在處理晶圓W配置於上側且支持晶圓S配置於下側的狀態下，吸附、保持支持晶圓S的背面Sb。夾頭100，透過空氣軸承101，被滑動平台102所支持。於滑動平台102的底面側，設置了旋轉機構103。旋轉機構103，例如內建了馬達作為驅動源。夾頭100，以「藉由旋轉機構103，透過空氣軸承101，繞垂直軸隨意旋轉」的方式構成。滑動平台102，以「可透過設置於其底面側的移動機構104，沿著設置於基台106且在Y軸方向上延伸的軌道105移動」的方式構成。另外，移動機構104的驅動源並無特別限定，例如可使用線性馬達。

在夾頭100的上方，設置了作為改質部的雷射頭110。雷射頭110，具有透鏡111。透鏡111，係設置於雷射頭110的底面的筒狀構件，對夾頭100所保持的處理晶圓W照射雷射光。

雷射頭110，將雷射光振盪器（圖中未顯示）所振盪發出的高頻脈衝狀的雷射光，亦即其波長相對於處理晶圓W具有透光性的雷射光，集中照射到處理晶圓W的內部的預先決定的位置。藉此，在處理晶圓W的內部由雷射光所集中照射的部分被改質，進而形成內部面改質層M1以及周緣改質層M2。

雷射頭110，被支持構件112所支持。雷射頭110，以「藉由升降機構114，沿著在垂直方向上延伸的軌道113隨意升降」的方式構成。另外，雷射頭110，以「藉由移動機構115，在Y軸方向上隨意移動」的方式構成。另外，升降機構114以及移動機構115，各自被支持柱116所支持。

在夾頭100的上方，且在雷射頭110的Y軸正方向側，設置了巨觀相機120與微觀相機121。例如，巨觀相機120與微觀相機121構成一體，巨觀相機120配置在微觀相機121的Y軸正方向側。巨觀相機120與微觀相機121，以藉由升降機構122隨意升降的方式構成，更以藉由移動機構123在Y軸方向上隨意移動的方式構成。

巨觀相機120，拍攝處理晶圓W（疊合晶圓T）的外側端部。巨觀相機120，例如具備同軸透鏡，並照射可見光（例如紅色光），然後接收來自對象物的反射光。另外，例如，巨觀相機120的拍攝倍率為2倍。

微觀相機121，拍攝處理晶圓W的周緣部，並拍攝接合區域Aa與未接合區域Ab的界線。微觀相機121，例如具備同軸透鏡，並照射紅外光（IR光），然後接收來自對象物的反射光。另外，例如，微觀相機121的拍攝倍率為10倍，視野相對於巨觀相機120約為1／5，畫素尺寸相對於巨觀相機120約為1／5。

接著，針對用以上述方式構成的晶圓處理系統1所實行的晶圓處理進行說明。圖7，係表示晶圓處理的主要步驟的流程圖。圖8，係晶圓處理的主要步驟的說明圖。另外，本實施態樣，係在晶圓處理系統1的外部的接合裝置（圖中未顯示），將處理晶圓W與支持晶圓S接合，預先形成疊合晶圓T。另外，在以下的說明中係以預先形成了前述的未接合區域Ab的疊合晶圓T搬入晶圓處理系統1的態樣為例進行說明，惟未接合區域Ab亦可在改質裝置60中形成。

首先，收納了複數枚圖8（a）所示的疊合晶圓T的匣盒Ct，載置於搬入搬出站2的匣盒載置台10。

接著，藉由晶圓搬運裝置20將匣盒Ct內的疊合晶圓T取出，搬運到傳遞裝置30。接著，藉由晶圓搬運裝置50，將傳遞裝置30的疊合晶圓T取出，搬運到改質裝置60。在改質裝置60中，如圖8（b）所示的，於處理晶圓W的內部形成周緣改質層M2（圖7的步驟A1），然後如圖8（c）所示的，形成內部面改質層M1（圖7的步驟A2）。周緣改質層M2，係在邊緣修整中成為將周緣部We除去時的基點者。內部面改質層M1，係成為將處理晶圓W分離時的基點者。

在改質裝置60中，首先，藉由晶圓搬運裝置50，疊合晶圓T被搬入改質裝置60，而被夾頭100所保持。接著，將夾頭100移動到巨觀對準位置。巨觀對準位置，係巨觀相機120可拍攝到處理晶圓W的外側端部的位置。

接著，藉由巨觀相機120，拍攝處理晶圓W的周圍方向360度的外側端部的影像。所拍攝到的影像，從巨觀相機120輸出到控制裝置90。

在控制裝置90中，從巨觀相機120的影像，算出夾頭100的中心與處理晶圓W的中心的第1偏心量。然後，在控制裝置90中，根據第1偏心量，以修正該第1偏心量的Y軸分量的方式，算出夾頭100的移動量。夾頭100，根據所算出的移動量往Y軸方向移動，令夾頭100移動到微觀對準位置。微觀對準位置，係微觀相機121可拍攝到處理晶圓W的周緣部的位置。在此，由於如上所述的微觀相機121的視野相對於巨觀相機120約為1／5，很小，故若不修正第1偏心量的Y軸分量，則處理晶圓W的周緣部可能會並未進入微觀相機121的視角，而無法用微觀相機121拍攝到。因此，基於第1偏心量的Y軸分量的修正，亦可謂係為了令夾頭100移動到微觀對準位置。

接著，藉由微觀相機121，拍攝處理晶圓W的周圍方向360度的接合區域Aa與未接合區域Ab的界線。所拍攝到的影像，從微觀相機121輸出到控制裝置90。

在控制裝置90中，從微觀相機121的影像，算出夾頭100的中心與接合區域Aa的中心的第2偏心量。然後，在控制裝置90中，根據第2偏心量，以接合區域Aa的中心與夾頭100的中心對齊一致的方式，決定夾頭100相對於周緣改質層M2的位置。

接著，如圖4、圖9所示的，從雷射頭110照射雷射光L1（周緣用雷射光，例如YAG雷射），於處理晶圓W的周緣部We與中央部Wc的界線形成周緣改質層M2（圖7的步驟A1）。另外，在處理晶圓W的內部，裂縫C2從周緣改質層M2朝處理晶圓W的厚度方向進展。裂縫C2進展到表面Wa，並未到達背面Wb。

另外，上述雷射光L1所形成的周緣改質層M2的下端，比分離後的處理晶圓W的最後完工處理後的表面位於更上方。亦即，以於分離後的處理晶圓W並未殘留周緣改質層M2的方式調整其形成位置。

在步驟A1中，配合控制裝置90所決定的夾頭100的位置，以接合區域Aa的中心與夾頭100的中心對齊一致的方式，藉由旋轉機構103令夾頭100旋轉，同時藉由移動機構104令夾頭100在Y軸方向上移動。此時，令夾頭100的旋轉與Y軸方向的移動同步。

然後，一邊像這樣令夾頭100（處理晶圓W）旋轉以及移動，一邊從雷射頭110對處理晶圓W的內部照射雷射光L1。亦即，一邊修正第2偏心量，一邊形成周緣改質層M2。如是，周緣改質層M2，以與接合區域Aa呈同心圓狀的方式形成環狀。因此，之後便可以周緣改質層M2（裂縫C2）為基點將周緣部We適當地除去。

另外，在本例中，當第2偏心量具備X軸分量時，令夾頭100往Y軸方向移動，同時令夾頭100旋轉，以修正該X軸分量。另一方面，當第2偏心量並未具備X軸分量時，便可不令夾頭100旋轉，而僅令其往Y軸方向移動。

接著，如圖10以及圖11所示的，從雷射頭110照射雷射光L2（內部面用雷射光L，例如YAG雷射），沿著面方向形成內部面改質層M1（圖7的步驟A2）。另外，圖11所示的黑色箭號顯示出夾頭100的旋轉方向。另外，在處理晶圓W的內部，裂縫C1從內部面改質層M1朝面方向進展。裂縫C1，僅朝周緣改質層M2的徑向內側進展。

另外，當內部面改質層M1比周緣改質層M2形成在徑向更外側時，如圖12所示的，周緣部We除去後的邊緣修整的品質會降低。亦即，可能會有周緣部We並未以周緣改質層M2（裂縫C2）為基點適當地被除去，而周緣部We的一部分殘留在支持晶圓S上之虞。從此觀點來看，吾人以內部面改質層M1比周緣改質層M2形成在徑向更內側的方式調整其形成位置。

另外，上述雷射光L2所形成的內部面改質層M1的下端，比分離後的處理晶圓W的最後完工處理後的表面位於更上方。亦即，以於分離後的處理晶圓W並未殘留內部面改質層M1的方式調整其形成位置。

在步驟A2中，在夾頭100的旋轉開始之後，在旋轉速度為定速（為等速）之後，一邊至少令夾頭100（處理晶圓W）旋轉1周（360度），一邊從雷射頭110對處理晶圓W的內部周期性地照射雷射光L2，以形成環狀的內部面改質層M1。之後，令雷射頭110往處理晶圓W的徑向內側（Y軸方向）相對地移動。重複實行該等環狀的內部面改質層M1的形成與雷射頭110的朝徑向內側的移動，以在面方向上形成內部面改質層M1。另外，內部面改質層M1的形成方法的詳細內容後述之。

另外，在本實施態樣中，在形成內部面改質層M1時，係令雷射頭110往Y軸方向移動，惟亦可令夾頭100往Y軸方向移動。另外，在形成內部面改質層M1時，係令夾頭100旋轉，惟亦可令雷射頭110移動，亦即令雷射頭110相對於夾頭100作相對性旋轉。

在對處理晶圓W形成了內部面改質層M1之後，接著，藉由晶圓搬運裝置70將疊合晶圓T從改質裝置60搬出。

接著，疊合晶圓T被晶圓搬運裝置70搬運到加工裝置80。在加工裝置80中，首先，在從搬運臂71將疊合晶圓T傳遞到夾頭83時，如圖8（d）所示的，以周緣改質層M2與內部面改質層M1為基點，將處理晶圓W的表面Wa側（以下稱為裝置晶圓Wa1）與背面Wb側（以下稱為背面晶圓Wb1）分離（圖7的步驟A3）。此時，周緣部We亦從處理晶圓W被除去。

在步驟A3中，如圖15（a）所示的，以搬運臂71所具備的吸附面71a吸附、保持處理晶圓W，同時以夾頭83吸附、保持支持晶圓S。之後，如圖15（b）所示的，在吸附面71a吸附、保持著背面晶圓Wb1的狀態下，令搬運臂71上升，將裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1分離。另外，所分離的背面晶圓Wb1，被回收到晶圓處理系統1的外部。以上述的方式，在步驟A3中，背面晶圓Wb1與周緣部We一起被分離，亦即周緣部We的除去與處理晶圓W的分離同時實行。

另外，所分離的背面晶圓Wb1，例如被回收到晶圓處理系統1的外部。另外，例如，亦可在搬運臂71的可動範圍內設置回收部（圖中未顯示），並在該回收部中解除對背面晶圓Wb1的吸附，以回收所分離的背面晶圓Wb1。

另外，在實行處理晶圓W的分離時，亦可將例如楔子形狀的刀刃，插入形成疊合晶圓T的處理晶圓W以及支持晶圓S的界面，以從處理晶圓W將背面晶圓Wb1剝離，然後如上所述的吸附、保持背面晶圓Wb1。

另外，在本實施態樣中，係藉由搬運臂71的上升而將處理晶圓W分離，惟亦可令搬運臂71的吸附面71a旋轉，而以內部面改質層M1與周緣改質層M2為界線，將背面晶圓Wb1剝離，然後令搬運臂71上升。另外，例如，亦可於搬運臂71設置壓力感測器（圖中未顯示），並測定對背面晶圓Wb1的吸引壓力，以檢測背面晶圓Wb1的有無，進而確認背面晶圓Wb1是否已從處理晶圓W分離。

另外，在本實施態樣中，係在加工裝置80中藉由晶圓搬運裝置70將處理晶圓W分離，惟亦可於晶圓處理系統1設置用來實行處理晶圓W的分離的分離裝置（圖中未顯示）。分離裝置，例如可與改質裝置60堆疊配置。

接著，將夾頭83移動到加工位置A1。然後，藉由研削單元84，對如圖8（e）所示的夾頭83所保持的處理晶圓W的分離面進行研削，將殘留於該分離面的內部面改質層M1與周緣改質層M2除去（圖7的步驟A4）。在步驟A4中，係在分離面與研削磨石抵接的狀態下，令處理晶圓W與研削磨石各自旋轉，以對分離面進行研削。另外，之後，亦可用洗淨液噴嘴（圖中未顯示），將處理晶圓W的分離面以洗淨液洗淨之。

接著，疊合晶圓T被晶圓搬運裝置70搬運到洗淨裝置41。在洗淨裝置41中，處理晶圓W的研削面（亦即分離面）被刷洗乾淨（圖7的步驟A5）。另外，在洗淨裝置41中，亦可與處理晶圓W的分離面一起，將支持晶圓S的背面Sb洗淨。

接著，疊合晶圓T被晶圓搬運裝置50搬運到蝕刻裝置40。在蝕刻裝置40中，藉由藥劑對處理晶圓W的分離面進行濕蝕刻（圖7的步驟A6）。於上述加工裝置80所研削的分離面，有時會形成研削痕。在本步驟A6中，可藉由濕蝕刻將研削痕除去，進而令分離面變平滑。

之後，實施過全部的處理的疊合晶圓T，被晶圓搬運裝置50搬運到傳遞裝置30，然後被晶圓搬運裝置20搬運到匣盒載置台10的匣盒Ct。如是，晶圓處理系統1中的一連串的晶圓處理便結束。

另外，在上述實施態樣中，在步驟A3中將處理晶圓W分離之後，內部面改質層M1與周緣改質層M2的除去，係藉由步驟A4中的處理晶圓W的分離面的研削而實行之，惟亦可藉由步驟A6中的濕蝕刻實行之。此時，便可省略步驟A4。

另外，若在步驟A4中對處理晶圓W的分離面進行研削而將內部面改質層M1與周緣改質層M2除去，亦可省略步驟A6中的濕蝕刻。

另外，步驟A1以及步驟A2中的周緣改質層M2以及內部面改質層M1的形成順序不限於此，亦可內部面改質層M1比周緣改質層M2先形成。

另外，當在改質裝置60形成未接合區域Ab時，未接合區域Ab可在任意時序形成之。例如，未接合區域Ab，亦可在搬入改質裝置60之後，且前述的巨觀對準之前形成之。此時，便可適當地實行上述的微觀對準（藉由拍攝未接合區域Ab的界線以算出夾頭100的中心與接合區域Aa的第2偏心量）。例如，未接合區域Ab，亦可在步驟A1的周緣改質層M2的形成之後，或者，在步驟A2的內部面改質層M1的形成之後，形成之。此時，上述的微觀對準可省略，步驟A1的周緣改質層M2的形成，根據巨觀對準的結果實行之。

另外，為了令上述的步驟A3中的處理晶圓W的分離在面內均一地實行，內部面改質層M1的形成間隔宜平均。然後，為了將該形成間隔控制成固定，在步驟A2的內部面改質層M1的形成中，會對夾頭100的旋轉速度以及雷射光L的頻率進行控制。

然而，當該夾頭100的旋轉速度到達上限值，雷射光L的頻率到達下限值時，內部面改質層M1的周圍方向間隔P，便到達無法進一步將間隔擴大的臨界值。然後，若在該等狀態下雷射光L的照射位置更進一步朝徑向內側移動，則周圍方向間隔P會變小，有時在處理晶圓W的中心部，內部面改質層M1會在同一加工線上重疊。因此，有時會無法將處理晶圓W的中心部適當地分離。

針對無法將處理晶圓W的中心部分離的原因，更進一步詳細說明。當藉由雷射光L的照射形成內部面改質層M1時，該內部面改質層M1會膨脹。藉由該膨脹時所發生的應力，形成裂縫C1。然而，例如，當內部面改質層M1重疊時，由於下一道（第2次的）雷射光L係照射到第1個內部面改質層M1，故裂縫C1難以朝徑向進展。另外，例如，即使在內部面改質層M1並未重疊的情況下，當周圍方向間隔P比某閾值更小時，下一道（第2次的）雷射光L會照射到從第1個內部面改質層M1進展的裂縫C1。此時，由於雷射光L係照射到已經釋放應力的裂縫C1，故裂縫C1還是難以朝徑向進展。由於像這樣無法在處理晶圓W的中心部令裂縫C1適當地進展，故有時會無法將該中心部分離。

再者，當如上所述的內部面改質層M1重疊形成時，會發生下一道（第2次的）雷射光L的穿漏光，亦即，會有並未被內部面改質層M1的形成所消耗的雷射光的一部分穿透到下方，進而對裝置層D造成影響之虞。

於是，宜在內部面改質層M1的周圍方向間隔P到達臨界值的處理晶圓W的中心部附近，如圖13所示的，結束內部面改質層M1的形成。該內部面改質層M1的非形成區域（後述的中心改質層M3的形成區域R3）的範圍，例如，可從雷射光L的頻率的最低值以及夾頭100的旋轉速度的最高值求出（例如距離處理晶圓W的中心1~2mm左右的範圍）。

像這樣，藉由在從夾頭100的旋轉速度以及雷射光的頻率所求出的吾人所期望的位置結束內部面改質層M1的形成，以留下內部面改質層M1的非形成區域，便可避免內部面改質層M1的重複形成，進而抑制雷射光L的穿漏光的發生。

另外，當如圖13所示的，改質層並未形成在處理晶圓W的中心部時，有時在該中心部處理晶圓W的分離會無法適當地實行。亦即，在中心部裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1仍處於互相連結的狀態而無法適當地分離，另外，處理晶圓W的分離面的中心部的表面粗度會有惡化之虞。

因此，本發明人，思及形成中心改質層M3的方法，作為用以將處理晶圓W的中心部適當地分離的方法。亦即，在周圍方向間隔P到達臨界值的處理晶圓W的中心部附近結束內部面改質層M1的形成，如圖14所示的，在內部面改質層M1的徑向內側形成中心改質層M3。中心改質層M3的形成區域R3，如上所述的，可從雷射光L的頻率的最低值以及夾頭100的旋轉速度的最高值求出（例如距離處理晶圓W的中心1~2mm左右的範圍）。

另外，中心改質層M3，可在內部面改質層M1的徑向內側形成任意的形狀。例如，在圖14中，中心改質層M3係由複數條（若根據圖式之例為7條）直線所形成，惟中心改質層M3的形狀不限於此。例如，只要能夠適當地實行處理晶圓W的中心部的分離，中心改質層M3，亦可由小於7條（例如1條）的直線所形成。藉由像這樣減少中心改質層M3的形成條數，便可減少中心改質層M3的形成所需要的作業流程。另外，中心改質層M3亦不限於直線形狀，例如，亦可形成曲線形狀，或是組合曲線形狀與直線形狀。

在此，當各中心改質層M3交叉形成時，在該交叉部可能會發生雷射光的穿漏光。另外，當各中心改質層M3之間形成得很接近時，從中心改質層M3進展的裂縫（圖中未顯示）會互相連結，因此，於處理晶圓W的中心部會形成凸部，處理晶圓W的分離面的平面度可能會惡化。

因此，宜如圖14所示的，以彼此不交叉、接近的方式獨立形成中心改質層M3，且從相鄰的中心改質層M3朝面方向進展的裂縫（圖中未顯示）不會互相連結。中心改質層M3的形成間隔，例如宜在10μm以上。

另外，亦可將圖15（b）所示的背面晶圓Wb1再利用，作為具備於表面形成了複數之裝置的裝置區域與圍繞該裝置區域的外周剩餘區域的產品晶圓。此時，只要對晶圓處理系統1所處理過的背面晶圓Wb1，不研削形成了內部面改質層M1的分離面並留下周緣部We即可。

另外，在上述實施態樣的步驟A3中，背面晶圓Wb1與周緣部We係一起分離，亦即周緣部We的除去與處理晶圓W的分離係同時實行，惟背面晶圓Wb1與周緣部We亦可不同時分離。例如，亦可在藉由邊緣修整處理將周緣部We剝離之後，再將背面晶圓Wb1分離。此時，藉由令從在步驟A1中所形成的周緣改質層M2進展的裂縫C2，如圖16（a）所示的，到達表面Wa以及背面Wb，便可如圖16（b）所示的適當地實行邊緣修整處理、薄化處理。另外，亦考慮並未將周緣部We剝離的情況，此時，處理晶圓W的對準，亦可取代接合區域Aa與未接合區域Ab的界線，而根據該處理晶圓W的外端部實行之。

另外，於用以形成內部面改質層M1或周緣改質層M2的雷射光的入射面，亦即處理晶圓W的背面Wb，有時會形成背面膜（例如氧化膜或氮化膜）。關於該背面膜，例如係處理晶圓W曝露在空氣中所形成的自然氧化膜、為了保護處理晶圓W的背面Wb所形成的保護膜、為了調節處理晶圓W的翹曲量所形成的調整膜等。然後，當像這樣於處理晶圓W形成了背面膜時，內部面改質層M1或周緣改質層M2，有時會無法適當地形成。根據情況的不同，雷射光可能會被該背面膜所反射、吸收，或者照射雷射光時的自動對焦用的光可能會受到背面膜的影響，而無法適當地控制加工高度。

因此，亦可在照射雷射光以形成該改質層之前，將處理晶圓W的背面膜除去。該背面膜的除去，例如係藉由濕蝕刻、乾蝕刻、電漿蝕刻等任意的方法實行之。

像這樣，在雷射光的照射之前，亦即在改質層的形成之前，將背面膜除去，便可避免形成改質層用的雷射光被吸收、反射，並在吾人所期望的位置、高度適當地形成內部面改質層M1或周緣改質層M2。另外，藉此，便可適當地實行背面晶圓Wb1的分離以及周緣部We的除去。另外，當如上所述的在處理晶圓W接合後形成未接合區域Ab時，亦可避免形成該未接合區域Ab用的雷射光被吸收、反射。

另外，該背面膜的除去，亦可在蝕刻裝置40中實行，亦可於晶圓處理系統1更設置作為背面膜除去部的背面膜除去裝置（圖中未顯示）而實行之。

接著，針對在步驟A2中所形成的內部面改質層M1進行說明。在步驟A2中，如上所述的係在徑向上形成複數之環狀的內部面改質層M1，惟在以下的說明中，為了方便，有時會將各環狀層稱為加工線。另外，如圖11所示的，將在加工線上相鄰的內部面改質層M1的周圍方向的間隔稱為周圍方向間隔P（脈衝間距），並將在徑向上相鄰的加工線之間的間隔稱為徑向間隔Q（指針螺距）。

以往，在本發明人的檢討中，在將處理晶圓W的裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1分離（剝離）時，係令分別從在周圍方向上相鄰的內部面改質層M1以及在徑向上相鄰的內部面改質層M1進展的各裂縫C1之間互相連結。然後，藉此，以裂縫C1為界線，將裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1分離。然而，如上所述的，即使在裂縫C1進展之後，在內部面改質層M1的形成位置，裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1仍處於互相連結狀態，背面晶圓Wb1的分離仍需要過度的力量（例如300N以上）。

於是，經過本發明人專注檢討，結果發現，藉由在處理晶圓W的面內形成徑向間隔Q不同的區域，可降低背面晶圓Wb1的剝離所需要的力量（例如16N）。

圖17，係表示藉由實施態樣之改質方法形成於處理晶圓W的內部面改質層M1的態樣，（a）係俯視剖面圖，（b）係將（a）的主要部位放大表示的主要部位放大圖。

如圖17所示的，於處理晶圓W，形成了內部面改質層M1的徑向間隔Q不同的區域。具體而言，在處理晶圓W的徑向外側形成了內部面改質層M1的徑向間隔Q形成得較寬且作為第1改質層形成區域的寬間隔區域R1，在寬間隔區域R1的徑向內側形成了內部面改質層M1的徑向間隔Q形成得較窄且作為第2改質層形成區域的窄間隔區域R2。另外，內部面改質層M1的周圍方向間隔P，無論在寬間隔區域R1或是在窄間隔區域R2，遍及整個周圍均為固定。

另外，在以下的說明中，有時會將形成於寬間隔區域R1的內部面改質層M1稱為作為第1改質層的外周側改質層M1e，並將形成於窄間隔區域R2的內部面改質層M1稱為作為第2改質層的內周側改質層M1c。

在此，在寬間隔區域R1中，如圖17（b）所示的，係以「在形成相鄰的外周側改質層M1e時，朝面方向進展的各裂縫C1之間並未互相連結」的方式，設定外周側改質層M1e的形成間隔Q1。另外，在窄間隔區域R2中，如圖17（b）所示的，係以「在形成相鄰的內周側改質層M1c時，朝面方向進展的各裂縫C1之間互相連結」的方式，設定內周側改質層M1c的形成間隔Q2。另外，作為一例，外周側改質層M1e的形成間隔Q1可為60μm，內周側改質層M1c的形成間隔Q2可為10μm。

另外，內部面改質層M1，係藉由對處理晶圓W的內部照射雷射光，以令該雷射光的照射部分非晶質（amorphous）化所形成。此時，在內部面改質層M1中，如圖18（a）所示的會發生壓縮應力。在此，由於在寬間隔區域R1中相鄰的外周側改質層M1e的裂縫C1並未互相連結，故所發生的壓縮應力會累積於外周側改質層M1e。另外，因為如此，在徑向上相鄰的各外周側改質層M1e之間，如圖18（a）所示的，會累積因為壓縮應力所導致的拉伸應力。該拉伸應力所作用的區域（以下稱為「拉伸區域U」），如圖18（b）所示的遍及處理晶圓W的整個周圍，形成環狀。

接著，針對如以上所述的寬間隔區域R1以及窄間隔區域R2的形成方法以及處理晶圓W的分離方法進行說明。圖19，係表示步驟A2中的內部面改質層M1的形成方法以及處理晶圓W的分離方法的主要步驟的流程圖。圖20，係將步驟A2中的內部面改質層M1的形成方法以及處理晶圓W的分離方法的主要步驟以示意方式表示的說明圖。另外，在圖20中係顯示出處理晶圓W的徑向一半的厚度方向的剖面圖。另外，在圖20中為了避免圖式變繁雜，將支持晶圓S的圖式省略。

另外，於處理晶圓W，在形成內部面改質層M1之前，先形成了周緣改質層M2以及裂縫C2（圖7以及圖19的步驟A1）。

如圖20（a）所示的，在形成內部面改質層M1時，首先形成寬間隔區域R1（圖19的步驟A2-1）。寬間隔區域R1，係藉由重複如上所述的以環狀的方式形成外周側改質層M1e的步驟以及令雷射頭110移動的步驟，而從處理晶圓W的徑向外側朝徑向內側依序形成。外周側改質層M1e的形成間隔Q1，例如為60μm。在此，在寬間隔區域R1中，從相鄰的外周側改質層M1e進展的各裂縫C1之間並未互相連結。

在此，由於各裂縫C1之間並未互相連結，故如上所述的會於內部面改質層M1累積壓縮應力，同時會在相鄰的內部面改質層M1之間形成拉伸區域U。

在寬間隔區域R1形成之後，接著，如圖20（b）所示的，形成窄間隔區域R2（圖19的步驟A2-2）。窄間隔區域R2，係藉由重複如上所述的以環狀的方式形成內周側改質層M1c的步驟以及令雷射頭110移動的步驟，而從處理晶圓W的中心朝徑向外側依序形成。內周側改質層M1c的形成間隔Q2，例如為10μm。在此，在窄間隔區域R2中，從相鄰的內周側改質層M1c進展的裂縫C1依序互相連結。

另外，如圖20（b）所示的，在步驟A2-2的窄間隔區域R2的形成中，位於該窄間隔區域R2的最外周側的內周側改質層M1c的裂縫C1，與位於寬間隔區域R1的最內周圍側的外周側改質層M1e的裂縫C1，並未互相連結。

在窄間隔區域R2形成之後，如圖20（c）所示的，形成起點改質層M1s，作為處理晶圓W的分離開始的起點。具體而言，係在寬間隔區域R1與窄間隔區域R2之間形成作為起點改質層M1s的內部面改質層M1。藉此，位於窄間隔區域R2的最外周側的內周側改質層M1c的裂縫C1，與位於寬間隔區域R1的最內周圍側的一外周側改質層M1e的裂縫C1，互相連結。

在起點改質層M1s形成之後，寬間隔區域R1的裂縫C1與窄間隔區域R2的裂縫C1互相連結，藉此，寬間隔區域R1的一外周側改質層M1e所累積的壓縮應力被釋放。然後，因為該應力的釋放，一外周側改質層M1e，如圖20（d）所示的形成往裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1剝離的方向膨脹的狀態。亦即，在該一外周側改質層M1e的形成位置，形成以裂縫C1為界線，裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1剝離的狀態（圖19的步驟A2-4）。

像這樣，當在一外周側改質層M1e的形成位置，裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1剝離時，因為該剝離作用於處理晶圓W的厚度方向的力量的影響，如圖20（d）所示的，裂縫C1朝徑向外側進展。然後，藉此，與從相鄰的另一外周側改質層M1e進展的裂縫C1互相連結（圖19的步驟A2-5）。

當一外周側改質層M1e與另一外周側改質層M1e的裂縫C1互相連結時，另一外周側改質層M1e所累積的壓縮應力便被釋放。然後，因為該應力的釋放，在另一外周側改質層M1e的形成位置，形成「以裂縫C1為界線，裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1剝離」的狀態（圖19的步驟A2-5）。

然後，當像這樣在另一外周側改質層M1e的形成位置，裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1剝離時，因為該剝離作用於處理晶圓W的厚度方向的力量的影響，裂縫C1朝徑向外側更進一步進展。

然後，藉由像這樣裂縫C1的進展、壓縮應力的釋放、背面晶圓Wb1的剝離連鎖地重複，如圖20（e）所示的，裂縫C1便到達周緣改質層M2（圖19的步驟A2-6）。

然後，在像這樣於處理晶圓W的全面形成內部面改質層M1且裂縫C1進展之後，步驟A2中的內部面改質層M1的形成處理便結束，之後，將周緣部We以及背面晶圓Wb1除去（圖7以及圖19的步驟A3）。

若根據上述實施態樣，則於處理晶圓W形成了內部面改質層M1，該內部面改質層M1，具有寬間隔區域R1以及窄間隔區域R2。然後，在寬間隔區域R1中，如上所述的，裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1的剝離連鎖地進行。

像這樣，若根據上述實施態樣，則會因為裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1的剝離，而處理晶圓W的內部在厚度方向上產生間隙。亦即，由於像這樣在處理晶圓W的面內形成了裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1並未互相連結的區域，故在之後的背面晶圓Wb1的剝離處理中所需要的力量降低。具體而言，以往，背面晶圓Wb1的剝離需要300N以上的力量，相對於此，當像上述實施態樣那樣形成了內部面改質層M1時，可將該所需要的力量降低到16N。

另外，藉由像這樣令剝離所需要的力量降低，便可令供剝離處理的裝置簡單化、小型化。更具體而言，可令在背面晶圓Wb1的剝離中所需要的輔助構件簡單化或者將其省略。

再者，令剝離所需要的力量降低，吾人便可輕易地實行剝離，故可提高剝離處理的產能。另外，由於可令剝離所需要的動力降低，故可降低剝離裝置所需要的能量。

另外，若根據上述實施態樣，由於可減少在寬間隔區域R1中所形成的內部面改質層M1的數量，故可減少內部面改質層M1的形成所需要的時間，並可更進一步提高產能。

再者，若根據上述實施態樣，寬間隔區域R1中的裝置晶圓Wa1與背面晶圓Wb1，會以因為累積應力之釋放所自發地進展的裂縫C1為基點而分離。藉此，尤其在寬間隔區域R1中，便可獲得具有周期性結構的平滑分離面。

圖21係拍攝：（a）在處理晶圓W的整個表面以將指針螺距固定為60μm的方式形成內部面改質層M1的態樣（以往的方法），以及（b）以形成寬間隔區域R1以及窄間隔區域R2的方式形成內部面改質層M1的態樣（本實施態樣之方法），各自的處理晶圓W的分離面的照片。如圖21所示的，藉由以形成寬間隔區域R1以及窄間隔區域R2的方式形成內部面改質層M1，並藉由所累積的應力的釋放令裂縫C1自發地進展，便可改善分離後的表面粗度，進而獲得平滑的分離面。然後，藉由像這樣獲得平滑的分離面，便可適當地實行之後的加工裝置80中的研削處理。

另一方面，在處理晶圓W的分離面中，例如，有時會因為處理晶圓W的雷射光的被照射位置的改質層化或前述的裂縫的連結所導致的凸部的形成，而表面變粗糙。然後，當因此而分離面的表面變得太粗糙時，加工裝置80中的研削處理可能會變得無法適當地實行，或者可能會加快作為消耗品的研削磨石的磨耗。

因此，亦可對處理晶圓W的分離面，在改質裝置60中再度照射雷射光。具體而言，對處理晶圓W的分離面再度照射雷射光，並令該分離面退火，或者，將分離面的表面層除去。然後，藉由像這樣令分離面的表面狀態變化（改善），便可改善加工裝置80中的研削效率，並可減輕對研削磨石所造成的磨損。另外，該分離面的「表面狀態的改善」，係指該分離面的表面狀態，相較於處理晶圓W的剛分離之後的狀態，至少變得更平坦，亦即表面的凹凸形狀變小。

另外，該對處理晶圓W的分離面的雷射光的照射，可如上所述的在改質裝置60中實行，亦可於晶圓處理系統1更設置分離面改質裝置（圖中未顯示）而實行之。另外，對分離面所照射的光不限於雷射光，例如亦可為電子射線（EB，Electron Beam）。

另外，在上述實施態樣中係將外周側改質層M1e的形成間隔Q1設為60μm，並將內周側改質層M1c的形成間隔Q2設為10μm，惟內部面改質層M1的形成間隔不限於此。

例如，寬間隔區域R1中的外周側改質層M1e的形成間隔Q1，只要是「從在徑向上相鄰的外周側改質層M1e各自進展的裂縫C1並未互相連結，而可累積壓縮應力」的距離即可。

針對該內部面改質層M1的徑向間隔Q，本發明人專注檢討，結果發現，以徑向間隔Q在40μm時為界線，決定從內部面改質層M1朝徑向進展的裂縫C1是否互相連結。亦即，寬間隔區域R1中的外周側改質層M1e的形成間隔Q1，宜至少比40μm更大。另一方面，當外周側改質層M1e的形成間隔Q1太大時，在背面晶圓Wb1的剝離時裂縫C1便無法適當地互相連結。有鑑於此，寬間隔區域R1中的徑向間隔Q宜比70μm更小。亦即，外周側改質層M1e的形成間隔Q1，至少在處理晶圓W為φ300mm的矽晶圓的情況下，宜比40μm更大，且比70μm更小。

例如，窄間隔區域R2中的內周側改質層M1c的形成間隔Q2，只要是「從在徑向上相鄰的內周側改質層M1c各自進展的裂縫C1會互相連結的距離」即可。亦即，窄間隔區域R2中的內周側改質層M1c的形成間隔Q2，宜在40μm以下。另一方面，當內周側改質層M1c的形成間隔Q2太小時，尤其當各內周側改質層M1c之間重疊形成時，可能會無法適當地實行背面晶圓Wb1的剝離。有鑑於此，窄間隔區域R2中的徑向間隔Q宜至少比10μm更大。亦即，內周側改質層M1c的形成間隔Q2，至少在處理晶圓W為φ300mm的矽晶圓的情況下，宜在40μm以下，且比10μm更大。

另外，在上述實施態樣中，係從處理晶圓W的徑向外側逐步形成寬間隔區域R1，並從處理晶圓W的中心側逐步形成窄間隔區域R2，惟內部面改質層M1的形成方向亦不限於此。

另外，寬間隔區域R1與窄間隔區域R2的形成順序亦不限於上述實施態樣，亦可在窄間隔區域R2形成之後形成寬間隔區域R1。此時，亦可藉由在寬間隔區域R1與窄間隔區域R2之間形成起點改質層M1s，而令背面晶圓Wb1的剝離開始。

另外，在上述實施態樣中，係藉由在寬間隔區域R1與窄間隔區域R2之間形成起點改質層M1s，以令裂縫C1互相連結，進而令背面晶圓Wb1的剝離開始，惟並不一定要形成起點改質層M1s。亦即，例如，亦可在形成寬間隔區域R1之後，藉由窄間隔區域R2的形成，令裂縫C1互相連結，進而令背面晶圓Wb1的剝離開始。

另外，在上述實施態樣中，係如圖17所示的，在俯視下的處理晶圓W的徑向外側形成寬間隔區域R1，並在該寬間隔區域R1的內側形成窄間隔區域R2，惟寬間隔區域R1以及窄間隔區域R2的形成位置亦不限於上述實施態樣。

例如，亦可如圖22（a）所示的，在俯視下的處理晶圓W的徑向外側形成窄間隔區域R2，並在該窄間隔區域R2的內側形成寬間隔區域R1。另外，例如，亦可如圖22（b）所示的，在處理晶圓W的徑向外側交替地形成寬間隔區域R1與窄間隔區域R2。

另外，在上述實施態樣中係相對於處理晶圓W的徑向形成寬間隔區域R1以及窄間隔區域R2，亦即，係變更內部面改質層M1的徑向間隔Q，惟亦可取代於此，變更周圍方向間隔P（脈衝間距）。另外，亦可變更徑向間隔Q以及周圍方向間隔P雙方。此時，由於形成在處理晶圓W的面內的內部面改質層M1的數量更進一步減少，故可更進一步提高產能。

另外，上述實施態樣在步驟A2中係形成複數之環狀的內部面改質層M1，惟例如亦可如圖23所示的，將內部面改質層M1從徑向外側往內側形成螺旋狀。具體而言，係一邊令夾頭100（處理晶圓W）旋轉，同時令雷射頭110從處理晶圓W的徑向外側往內側在Y軸方向上移動，一邊從雷射頭110對處理晶圓W的內部照射雷射光L2。藉由像這樣將內部面改質層M1形成螺旋狀，便可在處理晶圓W的面內以一筆劃的方式形成內部面改質層M1，故可精進形成改質層的作業流程。

另外，在將內部面改質層M1形成螺旋狀的情況下，該內部面改質層M1亦比周緣改質層M2形成在徑向更內側。

另外，內部面改質層M1，亦可從徑向內側往外側形成螺旋狀。亦即，亦可一邊令雷射頭110從處理晶圓W的徑向內側往外側相對地在Y軸方向上移動，一邊從雷射頭110對處理晶圓W的內部周期性地照射雷射光L2。

在像這樣將內部面改質層M1形成螺旋狀的情況下，亦與上述實施態樣同樣，形成寬間隔區域R1與窄間隔區域R2。如是，便可享有與上述實施態樣同樣的功效。另外，寬間隔區域R1與窄間隔區域R2的形成方法可任意選擇之。例如，亦可從處理晶圓W的徑向外側往內側，連續地形成到處理晶圓W的中心。另外，例如，亦可如圖24（a）所示的，在從處理晶圓W的徑向外側往內側將寬間隔區域R1形成到預先設定的任意位置之後，如圖24（b）所示的，從處理晶圓W的中心朝徑向外側形成窄間隔區域R2，並與寬間隔區域R1的內部面改質層M1合流。

另外，當如圖24所示的，分別從處理晶圓W的外側以及內側形成內部面改質層M1並在面內合流時，為了令該內部面改質層M1適當地合流而形成螺旋形狀，內部面改質層M1的合流位置的位置對準是很重要的。亦即，若根據本實施態樣，寬間隔區域R1的雷射光的照射結束位置與窄間隔區域R2的雷射光的照射結束位置必須一致。

在此，於雷射光的照射開始與結束時，存在從控制裝置90發出系統信號到實際從雷射頭110射出雷射光的延遲時間。然後，在形成內部面改質層M1時，由於係如上所述的一邊令處理晶圓W旋轉一邊照射雷射光，故雷射光的照射結束位置的控制，必須考慮到前述的延遲時間中的處理晶圓W的旋轉。亦即，必須在雷射頭110到達吾人所期望的雷射光的照射結束位置的上方之前，發出雷射光的照射結束的系統信號。

另外，在此，當將內部面改質層M1形成螺旋狀時，為了令所形成的內部面改質層M1的周圍方向間隔P（脈衝間距）為固定，會依照雷射頭110相對於處理晶圓W的位置，控制夾頭100的旋轉速度或雷射光的頻率。換言之，由於依照雷射光的照射結束位置等的各條件而旋轉速度有所不同，故伴隨延遲時間中的處理晶圓W的旋轉的移動量有時也會不同。

因此，當如上所述的令內部面改質層M1在處理晶圓W的面內合流時，宜依照雷射光照射位置的處理晶圓W的旋轉速度以及延遲時間，控制雷射頭110的雷射光的照射結束的時序。另外，當如上所述的分別從處理晶圓W的外側以及內側形成內部面改質層M1時，由於在該雷射光的照射開始時處理晶圓W的旋轉速度也不相同，故同樣地宜控制雷射光的照射開始的時序。

另外，考慮到該延遲時間的雷射光照射的時序的控制，不限於如上所述的令內部面改質層M1在面內合流的態樣，例如亦可適用於在處理晶圓W的面內的任意位置變更雷射光的照射條件（例如頻率）的態樣。另外，亦不限於如上所述的形成螺旋狀的內部面改質層M1的態樣，而可良好地適用於處理對象體相對於雷射頭的移動速度改變的態樣。

另外，如上所述的內部面改質層M1，為了避免邊緣修整的品質降低，必須比周緣改質層M2形成在徑向更內側。然而，當夾頭100與處理晶圓W的旋轉軸並未對齊一致時，亦即，當夾頭100與處理晶圓W的中心並未對齊一致時，改質層會相對於處理晶圓W以偏心的方式形成。然後，當並未考慮到該偏心而形成改質層時，內部面改質層M1可能會比周緣改質層M2形成在徑向更外側。

因此，在改質裝置60中，為了防止內部面改質層M1形成在周緣改質層M2的徑向外側，宜在形成改質層時實行偏心修正。該偏心修正，例如係藉由令夾頭100或雷射頭110在水平方向（X軸方向、Y軸方向）上移動而實行之。

圖25，係表示藉由第1偏心修正方法形成於處理晶圓W的內部的改質層的態樣的說明圖。

當未接合區域Ab相對於處理晶圓W以偏心的方式形成時，在步驟A1中周緣改質層M2以與接合區域Aa（未接合區域Ab）呈同心圓狀的方式形成環狀。因此，在第1偏心修正方法的步驟A1中，令內部面改質層M1沿著周緣改質層M2，亦即，追隨接合區域Aa以及周緣改質層M2的偏心，形成同心的螺旋狀。換言之，在第1偏心修正方法中，周緣改質層M2以及內部面改質層M1，均一邊實行偏心修正一邊形成。

像這樣，若根據第1偏心修正方法，藉由以與追隨接合區域Aa的偏心所形成的周緣改質層M2呈同心狀的方式形成內部面改質層M1，便可避免內部面改質層M1形成在周緣改質層M2的徑向內側。

如第1偏心修正方法所示的，內部面改質層M1宜以追隨偏心的方式形成。然而，當在處理晶圓W的中心部追隨該偏心形成內部面改質層M1時，必須令夾頭100或雷射頭110以高速在水平方向上作往返動作，會有偏心修正動作無法追隨內部面改質層M1的形成動作，或者，發生共振或引導部使用壽命降低之虞。因此，在以下的第2偏心修正方法中，至少在處理晶圓W的中心部不實行偏心修正動作。

圖26，係表示藉由第2偏心修正方法形成在處理晶圓W的內部的改質層的態樣的說明圖。

當未接合區域Ab相對於處理晶圓W以偏心的方式形成時，在步驟A1中，周緣改質層M2係形成與接合區域Aa（未接合區域Ab）呈同心圓狀的環狀。

接著，在第2偏心修正方法中，沿著周緣改質層M2在徑向內側，一邊實行夾頭100（處理晶圓W）的偏心修正，一邊形成用以吸收接合區域Aa的偏心的緩衝層B。具體而言，在夾頭100的旋轉開始之後，且在旋轉速度為定速（為等速）之後，至少一邊令夾頭100（處理晶圓W）旋轉1周（360度），一邊從雷射頭110對處理晶圓W的內部周期性地照射雷射光L，以形成環狀的內部面改質層M1。之後，令雷射頭110往處理晶圓W的徑向內側（Y軸方向）相對地移動。藉由重複實行該等環狀的內部面改質層M1的形成與雷射頭110的朝徑向內側的移動，以在面方向上形成內部面改質層M1，進而形成與接合區域Aa以及周緣改質層M2呈同心圓狀且作為緩衝層B的內部面改質層M1。另外，緩衝層B，例如以接合區域Aa的偏心量以上的加工寬度（例如500μm）形成之。

另外，緩衝層B中的內部面改質層M1的徑向間隔Q可任意設定之。

然後，在形成了緩衝層B之後，例如從緩衝層B的加工寬度之間，將內部面改質層M1形成螺旋狀。另外，在形成該螺旋狀的內部面改質層M1時，不實行前述的偏心修正。換言之，在第2偏心修正方法中，周緣改質層M2以及構成緩衝層B的同心圓狀的內部面改質層M1，係一邊實行偏心修正一邊形成，而在形成於緩衝層B的徑向內側的螺旋狀的內部面改質層M1的形成步驟中，則不實行偏心修正。

像這樣，若根據第2偏心修正方法，藉由將以接合區域Aa的偏心量以上的加工寬度所形成的緩衝層B形成在周緣改質層M2的徑向內側，在螺旋狀的內部面改質層M1的形成步驟中便無實行偏心修正之必要。亦即，即使內部面改質層M1以偏心的方式形成，由於在緩衝層B的加工寬度中吸收偏心量，故內部面改質層M1不會到達周緣改質層M2的徑向外側。另外，由於在形成內部面改質層M1時，並無實行偏心修正之必要，故可更容易地形成內部面改質層M1。

另外，由於並無在處理晶圓W的中心部實行偏心修正之必要，故可避免如前所述的無法適當地實行偏心修正的問題。另外，可減輕共振發生或引導部使用壽命降低的疑慮。再者，由於像這樣在中心部並未實行偏心修正，故可維持夾頭100的高速的旋轉速度，其結果，便可將內部面改質層M1的周圍方向間隔P控制為固定。

圖27，係表示藉由第3偏心修正方法形成在處理晶圓W的內部的改質層的態樣的說明圖。

當未接合區域Ab相對於處理晶圓W以偏心的方式形成時，在步驟A1中，周緣改質層M2係形成與接合區域Aa（未接合區域Ab）呈同心圓狀的環狀。

接著，在第3偏心修正方法中，在步驟A1中，在形成與接合區域Aa（未接合區域Ab）呈同心圓狀的環狀的周緣改質層M2的徑向內側，在雷射頭110位於處理晶圓W的外周部位的範圍內，實行偏心修正。亦即，令雷射頭110從徑向外側往內側移動，同時以夾頭100的中心與接合區域Aa的中心對齊一致的方式，藉由旋轉機構103令夾頭100旋轉，同時藉由移動機構104令夾頭100往Y軸方向移動。

具體而言，將處理晶圓W中的內部面改質層M1的形成範圍沿著徑向分割成複數之區域，依照該區域逐漸地縮小偏心行程。另外，在圖27中，係例示出將內部面改質層M1的形成範圍分割成中心區域R11以及4個環狀區域R12~R15，並將100μm的偏心量，在各環狀區域R12~R15中，逐區修正20μm的態樣，亦即偏心行程逐區減少20μm的態樣。

像這樣，若根據第3偏心修正方法，藉由在位於處理晶圓W的外周部位的範圍（圖27的環狀區域R12~R15）實行偏心修正，便無須在中心部附近實行偏心修正。亦即，在處理晶圓W的外周部位，前述的偏心修正（偏心行程的減少）完成，偏心量為0μm，在中心部（圖27的中心區域R11）夾頭100的中心與接合區域Aa的中心對齊一致。像這樣，在形成內部面改質層M1時，在雷射頭110位於外周部位時，夾頭100的旋轉速度較慢，故可適當地實行偏心修正。然後，其結果，便可吸收偏心量，並在周緣改質層M2的內側形成內部面改質層M1。

另外，在處理晶圓W的中心區域R11無須實行偏心修正，可避免如前所述的無法適當地實行偏心修正的問題。另外，可減少共振發生或引導部使用壽命降低的疑慮。再者，由於像這樣在中心區域R11並未實行偏心修正，故可維持夾頭100的高速的旋轉速度，其結果，便可將內部面改質層M1的周圍方向間隔P控制成固定。

另外，用以實行偏心修正的環狀區域的數量不限於本例，可任意設定之。另外，並無必須像本例這樣在每個環狀區域階段性地修正偏心之必要，亦可從處理晶圓W的外周向中心連續地實行偏心修正。另外，例如，亦可在雷射頭110從外側照射數周分量的雷射光的期間實行偏心修正。

另外，當藉由第3偏心修正方法在處理晶圓W的外周部位修正偏心量時，該偏心修正，宜完成到處理晶圓W的半徑的一半（r／2）。換言之，圖27所示的中心區域R11的半徑，宜在r／2以上。

步驟A2中的內部面改質層M1以上述的方式形成。像這樣，藉由在形成內部面改質層M1時實行偏心修正，便可更容易地實行邊緣修整處理、薄化處理。另外，藉此，便更容易維持邊緣修整處理、薄化處理的品質，同時可簡化該等處理中的控制。

另外，即使是像這樣將內部面改質層M1形成螺旋狀的態樣，仍宜殘留如上所述的內部面改質層M1的未形成區域，並在處理晶圓W的中心部形成中心改質層M3。

另外，在以上的實施態樣中，係以處理對象體為圓板形狀的處理晶圓W的態樣為例進行說明，惟處理對象體的形狀不限於此。例如，亦可選擇如圖28所示的角型（四角形狀）的處理晶圓W，作為處理對象體。

此時，可如圖28（a）所示的，於處理晶圓W的長邊方向的一端部形成窄間隔區域R2，亦可如圖28（b）所示的，在處理晶圓W的長邊方向的中心部形成窄間隔區域R2。另外，當然亦可交替地形成寬間隔區域R1與窄間隔區域R2，或是在處理晶圓W的短邊方向上也分別形成寬間隔區域R1與窄間隔區域R2。

另外，在上述的實施態樣中，處理晶圓W係與支持晶圓S接合以形成疊合晶圓T，惟亦可以並未與支持晶圓S接合的處理晶圓W的單體作為處理對象體。

另外，在上述的實施態樣中，係以作為處理對象體的處理晶圓W為矽晶圓的態樣為例進行說明，惟處理對象體的種類不限於此。例如，作為處理對象體，亦可取代矽晶圓，而選擇玻璃基板、SiC基板、藍寶石基板、單結晶基板、多結晶基板或者非晶質基板等。另外，例如，作為處理對象體，亦可取代基板，而選擇錠塊、基台或者薄板等。

另外，在上述的實施態樣中，係以處理晶圓W的形狀為圓板形狀、角型（四角形狀）的態樣為例進行說明，惟處理晶圓W的形狀亦不限於此，可採用任意的形狀。

再者，本案所揭示之技術內容，於製作具備於表面形成了複數之裝置的裝置區域以及圍繞該裝置區域的外周剩餘區域的處理晶圓W時可適用之。

另外，於處理晶圓W，在裝置層D與用以形成內部面改質層M1的雷射光L2的集光位置之間亦可具有雜質層。作為雜質層，例如，可於處理晶圓W的表面濺鍍作為雜質的金屬（例如Ti）以形成雜質膜（例如Ti膜），亦可於處理晶圓W的內部形成雜質層。

圖29，係比較於內部在裝置層D與雷射光L2的集光位置之間（a）不具有雜質層F的態樣（圖中左側）與（b）具有的態樣（圖中右側）的說明圖。

在形成內部面改質層M1時的雷射光L2的集光高度，亦可設定成不會因為該雷射光L2的穿漏光等而對裝置層D造成影響的高度。該高度，由預先實驗等決定之。

在此，當處理晶圓W在內部具有雜質層F時，由於該雜質層F可令雷射光L2衰減，故如圖29（b）所示的，可令雷射光L2的集光高度更靠近裝置層D。亦即，可令背面晶圓Wb1的厚度增大，進而預先令裝置晶圓Wa1的厚度接近最終厚度。

藉此，便可減少對背面晶圓Wb1剝離後的裝置晶圓Wa1的研削量或蝕刻量，進而令產能提高。另外，由於可令作為回收晶圓的背面晶圓Wb1的厚度增大，故可擴大該回收晶圓的可利用範圍。

本案所揭示之實施態樣其全部的特徵點應被視為僅為例示而並非限制要件。上述的實施態樣，在不超出所附錄的請求範圍以及其發明精神的情況下，亦可省略、置換、變更成各種態樣。

1:晶圓處理系統 2:搬入搬出站 3:處理站 10:匣盒載置台 20:晶圓搬運裝置 21:搬運路徑 22:搬運臂 30:傳遞裝置 40:蝕刻裝置 41:洗淨裝置 50:晶圓搬運裝置 51:搬運臂 60:改質裝置 70:晶圓搬運裝置 71:搬運臂 71a:吸附面 72:臂部構件 80:加工裝置 81:旋轉台 82:旋轉中心線 83:夾頭 84:研削單元 85:研削部 86:支柱 90:控制裝置 100:夾頭 101:空氣軸承 102:滑動平台 103:旋轉機構 104:移動機構 105:軌道 106:基台 110:雷射頭 111:透鏡 112:支持構件 113:軌道 114:升降機構 115:移動機構 116:支持柱 120:巨觀相機 121:微觀相機 122:升降機構 123:移動機構 A0:傳遞位置 A1:加工位置 A1~A6,A2-1~A2-6:步驟 Aa:接合區域 Ab:未接合區域 Ac:中央區域 Ae:邊緣區域 B:緩衝層 C1:裂縫 C2:裂縫 Ct:匣盒 D:裝置層 F:雜質層 G1:第1處理區塊 G2:第2處理區塊 G3:第3處理區塊 H:主機 L1,L2:雷射光 M1c:內周側改質層 M1e:外周側改質層 M1s:起點改質層 M1:內部面改質層 M2:周緣改質層 M3:中心改質層 P:周圍方向間隔 Q:徑向間隔 Q1,Q2:間隔 R11:中心區域 R12~R15:環狀區域 R1:寬間隔區域 R2:窄間隔區域 R3:形成區域 S:支持晶圓 Sa:表面 Sb:背面 T:疊合晶圓 U:拉伸區域 Wa:表面 Wa1:裝置晶圓 Wb:背面 Wb1:背面晶圓 Wc:中央部 We:周緣部 W:處理晶圓 X,Y,Z:方向

[圖1]係表示疊合晶圓的概略構造的側視圖。 [圖2]係表示於處理晶圓形成了內部面改質層的態樣的剖面圖。 [圖3]係將晶圓處理系統的概略構造以示意方式表示的俯視圖。 [圖4]係表示於處理晶圓形成了周緣改質層的態樣的剖面圖。 [圖5]係表示改質裝置的概略構造的俯視圖。 [圖6]係表示改質裝置的概略構造的側視圖。 [圖7]係表示晶圓處理的主要步驟的流程圖。 [圖8]（a）~（e）係晶圓處理的主要步驟的說明圖。 [圖9]係表示於處理晶圓形成周緣改質層的態樣的說明圖。 [圖10]係表示於處理晶圓形成內部面改質層的態樣的說明圖。 [圖11]係表示於處理晶圓形成內部面改質層的態樣的說明圖。 [圖12]係表示處理晶圓的周緣除去態樣的說明圖。 [圖13]係表示形成於處理晶圓的中心改質層的說明圖。 [圖14]係表示形成於處理晶圓的中心改質層的說明圖。 [圖15]（a）、（b）係表示從處理晶圓將背面晶圓分離的態樣的說明圖。 [圖16]（a）、（b）係表示從處理晶圓將背面晶圓分離的另一方法的說明圖。 [圖17]（a）、（b）係表示形成於處理晶圓的內部面改質層的說明圖。 [圖18]（a）、（b）係表示形成於處理晶圓的內部面改質層的說明圖。 [圖19]係表示形成內部面改質層的主要步驟的流程圖。 [圖20]（a）~（e）係表示形成內部面改質層的主要步驟的說明圖。 [圖21]（a）、（b）係表示處理晶圓的表面粗度的改善情況的說明圖。 [圖22]（a）、（b）係對處理晶圓形成內部面改質層的另一形成方法的說明圖。 [圖23]係表示形成於處理晶圓的內部面改質層的說明圖。 [圖24]（a）、（b）係表示於處理晶圓形成內部面改質層的態樣的說明圖。 [圖25]係對處理晶圓形成內部面改質層的另一形成方法的說明圖。 [圖26]係對處理晶圓形成內部面改質層的另一形成方法的說明圖。 [圖27]係對處理晶圓形成內部面改質層的另一形成方法的說明圖。 [圖28]（a）、（b）係表示形成於另一處理晶圓的內部面改質層的說明圖。 [圖29]（a）、（b）係表示處理晶圓的另一概略構造的說明圖。

C1:裂縫

M1c:內周側改質層

M1e:外周側改質層

P:周圍方向間隔

Q1,Q2:間隔

R1:寬間隔區域

R2:窄間隔區域

W:處理晶圓

Claims (29)

1. 一種處理裝置，對於處理對象體進行處理，包含：改質部，對該處理對象體的內部照射雷射光，而沿著面方向形成複數之改質層；以及控制部，至少控制該改質部的動作；該控制部，控制該改質部以形成：第1改質層形成區域，在形成該改質層時，該第1改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結；以及第2改質層形成區域，在形成該改質層時，該第2改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結；該控制部控制該改質部，以在形成該改質層時，於俯視下的該處理對象體的中心部，形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第3改質層形成區域，且該第1改質層形成區域與該第2改質層形成區域比該第3改質層形成區域形成在徑向更外側。
2. 如請求項1之處理裝置，其中，該控制部控制該改質部，以使該第1改質層形成區域比該第2改質層形成區域更先形成。
3. 如請求項1之處理裝置，其中，更包含：保持部，保持該處理對象體；旋轉機構，令該保持部與該改質部相對地旋轉；以及移動機構，令該保持部與該改質部相對地在水平方向上移動； 該控制部，控制該保持部、該改質部、該旋轉機構以及該移動機構，以在形成該第1改質層形成區域以及該第2改質層形成區域時，一邊藉由該旋轉機構，相對於該改質部，令該保持部所保持的處理對象體相對地旋轉1周，一邊從該改質部對處理對象體的內部周期性地照射該雷射光，以形成環狀的該改質層，之後，相對於該保持部，令該改質部相對地在徑向上移動，並重複實行該環狀的改質層的形成與該改質部之朝徑向的移動，以在面方向上形成該改質層。
4. 如請求項1之處理裝置，其中，於該處理對象體，形成了令該雷射光衰減的雜質層。
5. 如請求項1之處理裝置，其中，更包含：背面膜除去部，在該改質部形成改質層之前，將形成於該處理對象體的該雷射光入射面的背面膜除去。
6. 如請求項1之處理裝置，其中，該控制部控制該改質部，對於以該改質層為基點實行過剝離之後的該處理對象體的剝離面實行退火處理，或將剝離面的表面層除去。
7. 一種處理裝置，對於處理對象體進行處理，包含：改質部，對該處理對象體的內部照射雷射光，而沿著面方向形成複數之改質層；以及控制部，至少控制該改質部的動作；該控制部，控制該改質部以形成： 第1改質層形成區域，在形成該改質層時，該第1改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結；以及第2改質層形成區域，在形成該改質層時，該第2改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結；該控制部控制該改質部，以使該第2改質層形成區域比該第1改質層形成區域更先形成。
8. 一種處理裝置，對於處理對象體進行處理，包含：改質部，對該處理對象體的內部照射雷射光，而沿著面方向形成複數之改質層；以及控制部，至少控制該改質部的動作；該控制部，控制該改質部以形成：第1改質層形成區域，在形成該改質層時，該第1改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結；以及第2改質層形成區域，在形成該改質層時，該第2改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結；該控制部控制該改質部，以在俯視下的該處理對象體的該第1改質層形成區域與該第2改質層形成區域之間，形成作為該處理對象體的剝離起點的起點改質層。
9. 如請求項8之處理裝置，其中，該控制部控制該改質部，以較該第1改質層形成區域及該第2改質層形成區域更晚形成該起點改質層。
10. 一種處理裝置，對於處理對象體進行處理，包含： 改質部，對該處理對象體的內部照射雷射光，而沿著面方向形成複數之改質層；以及控制部，至少控制該改質部的動作；該控制部，控制該改質部以形成：第1改質層形成區域，在形成該改質層時，該第1改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結；以及第2改質層形成區域，在形成該改質層時，該第2改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結；該第1改質層形成區域中的該改質層的形成間隔，比40μm更大，且比70μm更小。
11. 一種處理裝置，對於處理對象體進行處理，包含：改質部，對該處理對象體的內部照射雷射光，而沿著面方向形成複數之改質層；以及控制部，至少控制該改質部的動作；該控制部，控制該改質部以形成：第1改質層形成區域，在形成該改質層時，該第1改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結；以及第2改質層形成區域，在形成該改質層時，該第2改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結；該第2改質層形成區域中的該改質層的形成間隔，比10μm更大，且在40μm以下。
12. 一種處理裝置，對於處理對象體進行處理，包含：改質部，對該處理對象體的內部照射雷射光，而沿著面方向形成複數之改質層；以及 控制部，至少控制該改質部的動作；該控制部，控制該改質部以形成：第1改質層形成區域，在形成該改質層時，該第1改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結；以及第2改質層形成區域，在形成該改質層時，該第2改質層形成區域之從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結；該處理裝置更包含：保持部，保持該處理對象體；旋轉機構，令該保持部與該改質部相對地旋轉；以及移動機構，令該保持部與該改質部相對地在水平方向上移動；該控制部，控制該保持部、該改質部、該旋轉機構以及該移動機構，以在形成該第1改質層形成區域以及該第2改質層形成區域時，一邊藉由該旋轉機構，相對於該改質部，令該保持部所保持的處理對象體相對地旋轉，一邊從該改質部對處理對象體的內部周期性地照射該雷射光，然後，藉由該移動機構，相對於該保持部，令該改質部相對地在徑向上移動，以在面方向上形成該改質層；該控制部控制該保持部、該改質部、該旋轉機構以及該移動機構，以將該第1改質層形成區域以及該第2改質層形成區域，從該處理對象體的徑向外側開始，形成螺旋狀，並依照該改質部相對於該保持部在徑向上的相對位置，階段性地修正該處理對象體的旋轉軸與該保持部的旋轉軸的偏心。
13. 如請求項12之處理裝置，其中，該控制部控制該改質部，以在該處理對象體的外周部位形成環狀的緩衝層，且該第1改質層形成區域與該第2改質層形成區域比該緩衝層形成在徑向更內側。
14. 如請求項12之處理裝置，其中，於該控制部，記憶了從該改質部對該處理對象體的雷射光照射開始以及結束的延遲時間；該控制部，依照該改質部的雷射光照射位置的該處理對象體的旋轉速度以及該延遲時間，控制該改質部的雷射光照射開始以及結束的時序。
15. 一種處理方法，對於處理對象體進行處理，包含：對該處理對象體的內部照射來自改質部的雷射光，以沿著面方向形成複數之改質層的步驟；形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第1改質層形成區域的步驟；形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結的第2改質層形成區域的步驟；以及於俯視下的該處理對象體的中心部，形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第3改質層形成區域的步驟；該第1改質層形成區域與該第2改質層形成區域，比該第3改質層形成區域形成在徑向更外側。
16. 如請求項15之處理方法，其中，令該第1改質層形成區域，比該第2改質層形成區域更先形成。
17. 如請求項15之處理方法，其中，在形成該第1改質層形成區域以及該第2改質層形成區域時，一邊相對於該改質部，令保持部所保持的該處理對象體相對地旋轉1周，一邊從該改質部對處理對 象體的內部周期性地照射該雷射光，以形成環狀的該改質層，之後，相對於該保持部，令該改質部相對地在徑向上移動，並重複實行該環狀的改質層的形成與該改質部之朝徑向的移動，以在面方向上形成該改質層。
18. 如請求項15之處理方法，其中，該第1改質層形成區域以及該第2改質層形成區域，形成於設置了雜質層的該處理對象體。
19. 如請求項15之處理方法，其中，更包含：在該改質部形成改質層之前，將形成於該處理對象體的該雷射光入射面的背面膜除去的步驟。
20. 如請求項15之處理方法，其中，更包含：以該改質層為基點，對該處理對象體實行剝離的步驟；以及對實行過剝離之後的該處理對象體的剝離面實行退火處理，或者，將剝離面的表面層除去的步驟。
21. 如請求項15之處理方法，其中，藉由該第1改質層形成區域的形成，在處理對象體的內部累積應力；令該應力在該第1改質層形成區域釋放；藉由該應力的釋放，對該處理對象體實行剝離；藉由該剝離，在該第1改質層形成區域中，令從相鄰的第1改質層朝面方向進展的龜裂互相連結。
22. 一種處理方法，對於處理對象體進行處理，包含：對該處理對象體的內部照射來自改質部的雷射光，以沿著面方向形成複數之改質層的步驟；形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第1改質層形成區域的步驟；以及形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結的第2改質層形成區域的步驟；令該第2改質層形成區域，比該第1改質層形成區域更先形成。
23. 一種處理方法，對於處理對象體進行處理，包含：對該處理對象體的內部照射來自改質部的雷射光，以沿著面方向形成複數之改質層的步驟；形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第1改質層形成區域的步驟；形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結的第2改質層形成區域的步驟；以及將成為該處理對象體的剝離起點的起點改質層，形成在俯視下的該第1改質層形成區域與該第2改質層形成區域之間的步驟。
24. 如請求項23之處理方法，其中，令該起點改質層，比該第1改質層形成區域及該第2改質層形成區域更晚形成。
25. 一種處理方法，對於處理對象體進行處理，包含： 對該處理對象體的內部照射來自改質部的雷射光，以沿著面方向形成複數之改質層的步驟；形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第1改質層形成區域的步驟；以及形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結的第2改質層形成區域的步驟；該第1改質層形成區域中的該改質層的形成間隔，比40μm更大，且比70μm更小。
26. 一種處理方法，對於處理對象體進行處理，包含：對該處理對象體的內部照射來自改質部的雷射光，以沿著面方向形成複數之改質層的步驟；形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第1改質層形成區域的步驟；以及形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結的第2改質層形成區域的步驟；該第2改質層形成區域中的該改質層的形成間隔，比10μm更大，且在40μm以下。
27. 一種處理方法，對於處理對象體進行處理，包含：對該處理對象體的內部照射來自改質部的雷射光，以沿著面方向形成複數之改質層的步驟；形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂並未互相連結的第1改質層形成區域的步驟；以及形成從相鄰的該改質層朝面方向進展的龜裂互相連結的第2改質層形成區域的步驟； 在形成該第1改質層形成區域以及該第2改質層形成區域時，一邊相對於該改質部，令保持部所保持的處理對象體相對地旋轉，一邊從該改質部對處理對象體的內部周期性地照射該雷射光，然後，相對於該保持部，令該改質部相對地在徑向上移動，以在面方向上形成該改質層；將該第1改質層形成區域以及該第2改質層形成區域，從該處理對象體的徑向外側開始，形成螺旋狀；依照該改質部相對於該保持部在徑向上的相對位置，階段性地修正該處理對象體的旋轉軸與螺旋狀的該改質層的中心軸的偏心。
28. 如請求項27之處理方法，其中，更包含：在該處理對象體的外周部位形成環狀的緩衝層的步驟；該第1改質層形成區域與該第2改質層形成區域，比該緩衝層形成在徑向更內側。
29. 如請求項27之處理方法，其中，依照該改質部的雷射光照射位置的該處理對象體的旋轉速度以及從該改質部對該處理對象體的雷射光照射開始以及結束的延遲時間，而控制該改質部的雷射光照射開始以及結束的時序。

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