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TWI734175B - 電子封裝件及其製法與電子封裝模組 - Google Patents

電子封裝件及其製法與電子封裝模組 Download PDF

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TWI734175B
TWI734175B TW108129818A TW108129818A TWI734175B TW I734175 B TWI734175 B TW I734175B TW 108129818 A TW108129818 A TW 108129818A TW 108129818 A TW108129818 A TW 108129818A TW I734175 B TWI734175 B TW I734175B
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游進暐
張正楷
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矽品精密工業股份有限公司
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Abstract

一種電子封裝件係於封裝單元上係分開配置光電元件及雷射元件，以藉由分開配置該雷射元件與該光電元件，以降低製作難度，提高製程良率。本發明復提供該電子封裝件之製法。

Description

電子封裝件及其製法與電子封裝模組
本發明係有關一種半導體封裝技術，尤指一種電子封裝件及其製法。
隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。為了滿足電子封裝件微型化(miniaturization)的封裝需求，係發展出晶圓級封裝(Wafer Level Packaging，簡稱WLP)技術。
第1A至1E圖係為習知採用晶圓級封裝技術之半導體封裝件1之製法之剖面示意圖。
如第1A圖所示，形成一熱化離形膠層(thermal release tape)100於一承載件10上。
接著，置放複數通訊晶片11於該熱化離形膠層100上，該些通訊晶片11具有相對之作用面11a與非作用面11b，各該作用面11a上具有複數電極墊110，且各該作用面11a黏著於該熱化離形膠層100上。
如第1B圖所示，形成一封裝膠體14於該熱化離形膠層100上，以包覆該些通訊晶片11。
如第1C圖所示，烘烤該封裝膠體14以硬化該熱化離形膠層100，進而移除該熱化離形膠層100與該承載件10，以外露出該些通訊晶片11之作用面11a。
如第1D圖所示，形成一線路結構16於該封裝膠體14與該些通訊晶片11之作用面11a上，令該線路結構16電性連接該電極墊110。接著，形成一絕緣保護層18於該線路結構16上，且該絕緣保護層18外露該線路結構16之部分表面，以供結合如銲球之導電元件17。
如第1E圖所示，沿如第1D圖所示之切割路徑L進行切單製程，以獲取複數個半導體封裝件1。
然而，隨著資料網路按比例縮放以滿足不斷增加的頻寬要求，銅資料通道(如該線路結構16之線路)之缺點越來越明顯，且因輻射電磁能量而引起之訊號衰減及串擾已為此系統之設計者所遇到的主要障礙，例如，因該些通訊晶片11之間的輻射電磁能量而引起之訊號衰減及串擾。
再者，業界雖可藉由均衡、編碼及屏蔽等設計減輕訊號衰減及串擾之狀況，但該些設計需相當大的功率、複雜度及電纜容積損失，且僅僅改善局部區域的適用度及有限的可縮放性。
又，隨著科技之演變，光通訊之需求增加，使光纖通訊所應用之通訊設備，其速度(100Gbps)已逐漸不敷使用。
另外，該些通訊晶片11係配置於同一封裝結構中，故當其中一通訊晶片11不良時，需將整個半導體封裝件1及良好之通訊晶片11報廢，致使浪費材料，造成使用端之更換成本提高。
因此，如何克服習知技術之種種缺點，實為目前各界亟欲解 決之技術問題。
鑒於上述習知技術之缺失，本發明提供一種電子封裝件，係包括：包覆層，係具有相對之第一表面與第二表面及鄰接該第一與第二表面之側面；第一電子元件，係嵌埋於該包覆層中；複數導電柱，係嵌埋於該包覆層中；線路結構，係形成於該包覆層之第一表面上且電性連接該導電柱與該第一電子元件；雷射元件，係設於該線路結構上且電性連接該線路結構；以及光電元件，係設於該線路結構上且電性連接該線路結構，其中，該雷射元件與該光電元件係相互分離間隔設於該線路結構上。
本發明復提供一種電子封裝件之製法，係包括：設置複數導電柱與至少一第一電子元件於一承載板上；形成包覆層於該承載板上，以令該包覆層包覆該第一電子元件與該導電柱，其中，該包覆層係具有相對之第一表面與第二表面，該導電柱之端面外露於該包覆層之第一表面，且該包覆層以其第二表面結合至該承載板上；形成線路結構於該包覆層之第一表面上，且令該線路結構電性連接該導電柱與該第一電子元件，並使該包覆層形成有鄰接該第一與第二表面之側面；設置雷射元件與光電元件於該線路結構上，且令該雷射元件與光電元件電性連接該線路結構，其中，該雷射元件與該光電元件係相互分離間隔設於該線路結構上；以及移除該承載板。
前述之電子封裝件及其製法中，該第一電子元件係結合及電性連接複數導電體。例如，該導電體係嵌埋於該包覆層中並電性連接該線 路結構。
前述之電子封裝件及其製法中，該複數導電柱係環繞該第一電子元件。
前述之電子封裝件及其製法中，該雷射元件係凸出該包覆層之側面。
前述之電子封裝件及其製法中，該光電元件係凸出該包覆層之側面。
前述之電子封裝件及其製法中，復包括形成線路部於該包覆層之第二表面上且電性連接該導電柱。例如，復包括形成複數導電元件於該線路部上。
前述之電子封裝件及其製法中，復包括設置承載結構於該包覆層之第二表面上。例如，復包括設置第二電子元件於該承載結構上。
由上可知，本發明之電子封裝件及其製法，主要藉由該第一電子元件作為轉阻放大器及/或驅動器，使內埋晶片橋接具同質晶片，以縮短訊號傳輸的電性損失，且藉由該些導電柱之佈設，以提供高電流與屏蔽功效。
再者，分開製作該雷射元件與該光電元件，以降低製作難度，使製作良率提高。
又，當該雷射元件損壞後，可針對該雷射元件進行更換，而無需將整個電子封裝件及良好之光電元件報廢，故相較於習知技術，本發明能避免浪費材料之問題，因而能降低使用端之更換成本。
1‧‧‧半導體封裝件
10‧‧‧承載件
100‧‧‧熱化離形膠層
11‧‧‧通訊晶片
11a,21a‧‧‧作用面
11b,21b‧‧‧非作用面
110,210‧‧‧電極墊
14‧‧‧封裝膠體
16,20‧‧‧線路結構
17,24,41,42‧‧‧導電元件
18‧‧‧絕緣保護層
2,3‧‧‧電子封裝件
2a‧‧‧封裝單元
20‧‧‧線路結構
200‧‧‧絕緣層
201‧‧‧線路重佈層
202‧‧‧電性接觸墊
21,21’‧‧‧第一電子元件
211‧‧‧保護膜
212‧‧‧結合層
22‧‧‧導電體
22a‧‧‧端面
23‧‧‧導電柱
23a,23b‧‧‧端面
240‧‧‧線路部
25‧‧‧包覆層
25a‧‧‧第一表面
25b‧‧‧第二表面
25c‧‧‧側面
26‧‧‧光電元件
260,280‧‧‧連接段
27‧‧‧導電凸塊
270‧‧‧凸塊底下金屬層
28‧‧‧雷射元件
29,31,43‧‧‧底膠
30‧‧‧承載結構
30a‧‧‧上表面
30b‧‧‧下表面
300‧‧‧外接墊
32‧‧‧第二電子元件
320,330,440‧‧‧導電凸塊
33‧‧‧第三電子元件
34‧‧‧散熱件
340‧‧‧散熱體
341‧‧‧支撐腳
35‧‧‧散熱層
36‧‧‧黏著層
4‧‧‧電子封裝模組
40‧‧‧主板
40a‧‧‧第一側
40b‧‧‧第二側
44‧‧‧第四電子元件
9‧‧‧承載板
9b‧‧‧金屬層
90‧‧‧離型層
91‧‧‧絕緣層
L,S‧‧‧切割路徑
第1A至1E圖係為習知半導體封裝件之製法的剖面示意圖；第2A至2E圖係為本發明之電子封裝件之製法的剖面示意圖；第2A’圖係為第2A圖的局部上視示意圖；第2D’圖係為第2D圖的局部上視示意圖；第3A圖係為本發明之電子封裝件之另一實施例的剖面示意圖；第3B圖係為第3A圖的局部上視示意圖；以及第4圖係為第3A圖之應用的剖面示意圖。
以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如「上」、「下」、「第一」、「第二」及「一」等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可 實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。
第2A至2E圖係為本發明之電子封裝件2之製法的剖面示意圖。
如第2A圖所示，於一承載板9上形成複數導電柱23，且設置至少一第一電子元件21,21’於該承載板9上(本實施例係顯示有二個第一電子元件)，其中，該第一電子元件21,21’上係結合並電性連接複數導電體22。
於本實施例中，該承載板9例如為半導體材質(如矽或玻璃)之板體，其上以例如塗佈方式依序形成有一離型層90、如鈦/銅之金屬層9b與一如介電材或防銲材之絕緣層91，以供該導電柱23設於該絕緣層91上。
再者，形成該導電柱23之材質係為如銅之金屬材或銲錫材，且該導電體22係為如導電線路、銲球之圓球狀、或如銅柱、銲錫凸塊等金屬材之柱狀、或銲線機製作之釘狀(stud)導電件，但不限於此。
又，該第一電子元件21,21’係為主動元件、被動元件或其二者組合，且該主動元件係例如半導體晶片，而該被動元件係例如電阻、電容及電感。於本實施例中，該第一電子元件21,21’係為半導體晶片，其具有相對之作用面21a與非作用面21b，該第一電子元件21,21’係以其非作用面21b藉由一結合層212黏固於該絕緣層91上，而該作用面21a具有複數電極墊210與一如鈍化材之保護膜211，且該導電體22形成於該保護膜211中。
另外，該第一電子元件21,21’係如驅動器(Driver)或轉阻放 大器(trans impedance amplifier，簡稱TIA)，以提供所需之功能，如驅動雷射二極管或將類比訊號轉成數位訊號以提高訊號雜訊比(Signal-to-noise ratio，簡稱S/N)。例如，可採用如二氧化矽(SiO2)之半導體材製成所需之晶圓基材，且以130奈米(nm)之規格需求進行8吋晶圓製程，以製成該驅動器或轉阻放大器。具體地，其中一第一電子元件21係作為轉阻放大器(TIA)，另一第一電子元件21’作為驅動器，以藉由該轉阻放大器(該第一電子元件21)及限幅放大器(limiting amplifier)處理由光偵測器轉換出的光電流，該轉阻放大器與該限幅放大器可將光電流轉換成振幅較小的電壓訊號，再透過後端的比較器(comparator)電路轉換成數位訊號。
如第2B圖所示，形成一包覆層25於該承載板9之絕緣層91上，以令該包覆層25包覆該些第一電子元件21,21’、該些導電體22與該些導電柱23，其中，該包覆層25係具有相對之第一表面25a與第二表面25b，且令該保護膜211、該導電體22之端面22a與該導電柱23之端面23a外露於該包覆層25之第一表面25a，以及令該包覆層25以其第二表面25b結合至該承載板9之絕緣層91上。
於本實施例中，該包覆層25係為絕緣材，如聚醯亞胺(polyimide，簡稱PI)、乾膜(dry film)、如環氧樹脂(epoxy)之封裝膠體或封裝材(molding compound)。例如，該包覆層25之製程可選擇液態封膠(liquid compound)、噴塗(injection)、壓合(lamination)或模壓(compression molding)等方式形成於該絕緣層91上。
再者，可藉由整平製程，使該包覆層25之第一表面25a齊平該保護膜211、該導電柱23之端面23a與該導電體22之端面22a，以 令該導電柱23之端面23a與該導電體22之端面22a外露於該包覆層25之第一表面25a。例如，該整平製程係藉由研磨方式，移除該保護膜211之部分材質、該導電柱23之部分材質、該導電體22之部分材質與該包覆層25之部分材質。
又，該些導電柱23之另一端面23b亦齊平該包覆層25之第二表面25b。
如第2C圖所示，形成一線路結構20於該包覆層25之第一表面25a上，且令該線路結構20電性連接該導電柱23與該導電體22。
於本實施例中，該線路結構20係包括複數絕緣層200及設於該絕緣層200上之複數線路重佈層(redistribution layer，簡稱RDL)201，且最外層之絕緣層200可作為防銲層，且令最外層之線路重佈層201外露於該防銲層，俾供作為電性接觸墊202。或者，該線路結構20亦可僅包括單一絕緣層200及單一線路重佈層201。
再者，形成該線路重佈層201之材質係為銅，且形成該絕緣層200之材質係為如聚對二唑苯(Polybenzoxazole，簡稱PBO)、聚醯亞胺(PI)、預浸材(Prepreg，簡稱PP)等之介電材、或如綠漆、油墨等之防銲材。
如第2D及2D’圖所示，沿如第2C圖所示之切割路徑S進行切單製程，以獲取複數封裝單元2a，使該包覆層25形成有鄰接該第一與第二表面之側面25c，再設置至少一雷射元件28及至少一光電元件26於該封裝單元2a之線路結構20上，以令該雷射元件28及/或該光電元件26凸出該包覆層25之側面25c，俾作為連接段280,260。
於本實施例中，該雷射元件28係用於將電訊號轉換為光訊號的器件，如雷射二極管(Laser Diode)，以發射如雷射訊號之光訊號，其雷射光發光效率原理：發光源→分光→集光→聯外光纖，且其架構特性是最關鍵資料傳輸率(Data rate)與瓦特(watt)的部署。例如，該雷射元件28可提供垂直腔面發射型雷射光(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡稱VCSEL)或邊射型雷射(Edge Emitting Laser)。具體地，可採用磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)、矽鍺(SiGe)、鰭式場效電晶體(Fin Field-effect transistor，簡稱FinFET)或其組配等半導體材製成所需之晶圓基材，且以130奈米(nm)或65奈米(nm)之規格需求進行4、6或12吋晶圓製程，以製成該雷射二極管。
再者，該光電元件26係用於將光訊號轉換為電訊號的器件，如光電二極體(Photo Diode)，以探測光信號。例如，該光電元件26可採用磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)、矽鍺(Silicon-germanium，簡稱SiGe)或其組配等半導體材製成所需之晶圓基材，且以130奈米之規格需求進行4或6吋晶圓製程，以製成該光電二極管。
又，該雷射元件28及/或該光電元件26係藉由複數如銲錫凸塊、銅凸塊或其它等之導電凸塊27電性連接該電性接觸墊202。於本實施例中，可形成一凸塊底下金屬層(Under Bump Metallurgy，簡稱UBM)270於該電性接觸墊202上，以利於結合該導電凸塊27。
另外，可形成底膠29於該線路結構20與該雷射元件28及/或該光電元件26之間，以包覆該些導電凸塊27。
如第2E圖所示，移除該承載板9及其上之離型層90與金 屬層9b，並保留該絕緣層91，再形成一線路部240於該絕緣層91上以電性連接該導電柱23，俾製成該電子封裝件2。
於本實施例中，該絕緣層91係藉由雷射方式形成有複數開孔，以令該些導電柱23之端面23b及該包覆層25之部分第二表面25b外露於該些開孔，俾供結合該線路部240。例如，該線路部240係為凸塊底下金屬層(UBM)，以結合如複數銲錫凸塊或銲球之導電元件24；或者，可藉由RDL製程形成線路部於該絕緣層91上，以結合該導電元件24或UBM。應可理解地，有關線路層240之態樣種類繁多，並無特別限制。
再者，藉由提供具有絕緣層91之承載板9，以於移除該承載板9後，可利用該絕緣層91形成該線路部240，因而無需再佈設介電層，故能節省製程時間與製程步驟，以達到降低製程成本之目的。
因此，於運作時，該驅動器(該第一電子元件21’)驅動該光電元件26，以令該光電元件26之連接段260接收一光纖電纜(圖未示)之光訊號，以將該光訊號轉換成電訊號。接著，藉由該線路結構20與該TIA(該第一電子元件21)，以將類比訊號轉成數位訊號。之後，藉由該線路結構20與該雷射元件28將數位訊號轉換為光訊號，以令該雷射元件28之連接段280發射如雷射訊號之光訊號至另一光纖電纜(圖未示)。
進一步，如第3A圖所示，可將該些導電元件24接置一承載結構30上，以形成另一電子封裝件3。
於本實施例中，該承載結構30係為基板形式，其具有相對之上表面30a與下表面30b，以令該電子封裝件2設於該承載結構30之上表面30a上。例如，該承載結構30為具有核心層與線路結構之封裝基板或 無核心層(coreless)之線路結構，且該線路結構係包含至少一絕緣層及至少一結合該絕緣層之線路層，如至少一扇出(fan out)型重佈線路層(redistribution layer，簡稱RDL)。應可理解地，該承載結構30亦可為其它板材，如導線架(lead frame)、晶圓(wafer)、或其它具有金屬佈線(routing)之載板等，並不限於上述。
再者，該些導電元件24係電性連接該承載結構30，並以底膠31包覆該些導電元件24。
又，基於功能需求，該承載結構30之上表面30a上可配置複數個該雷射元件28及/或該光電元件26，如第3B圖所示，且該承載結構30之下表面30b可具有複數外接墊300。
另外，該承載結構30上可依功能需求配置有至少一第二電子元件32、第三電子元件33及/或散熱件34。
所述之第二電子元件32係設於該承載結構30之上表面30a上，且該第二電子元件32係例如為主動元件、被動元件、封裝結構或其組合者，其中，該主動元件係例如半導體晶片，而該被動元件係例如電阻、電容及電感。於本實施例中，該第二電子元件32係為半導體晶片，其可藉由複數如銲錫材料、金屬柱(pillar)或其它等之導電凸塊320以覆晶方式設於該承載結構30之線路層上並電性連接該線路層，並以底膠31包覆該些導電凸塊320；或者，該第二電子元件32可藉由複數銲線以打線方式電性連接該承載結構30之線路層；亦或，該第二電子元件32可直接接觸該承載結構30之線路層。應可理解地，有關該第二電子元件32電性連接該承載結構30之方式繁多，並不限於上述。
另一方面，基於功能需求，該第二電子元件32可對應該雷射元件28及該光電元件26配置有至少一組時脈及資料回復電路(Clock and Data Recovery Circuit，簡稱CDR)，如第3B圖所示之兩組，以提供如串列器/解串器(SERializer/DESerializer，簡稱SERDES)之串列通信技術作同時脈的訊號復原或拆除，俾作為高頻寬傳輸接點(I/O)。具體地，可採用如二氧化矽(SiO2)之半導體材製成所需之晶圓基材，且以130奈米(nm)之規格需求進行8吋晶圓製程，以製成該第二電子元件32及其CDR。
具體地，對於高速光纖通訊系統而言，往往訊號相對衰減較嚴重，而為了避免接收器電路輸出的數位訊號變形超出規格，通常在接收器電路的後級也會加上時脈及資料回復電路(CDR)以及鎖相迴路(phase-locked loop，簡稱PLL)將訊號進行適度處理，再輸出。
所述之第三電子元件33係設於該承載結構30之下表面30b上，且該第三電子元件33係例如為主動元件、被動元件、封裝結構或其組合者，其中，該主動元件係例如半導體晶片，而該被動元件係例如電阻、電容及電感。於本實施例中，該第三電子元件33係為半導體晶片，其可藉由複數如銲錫材料、金屬柱或其它等之導電凸塊330以覆晶方式設於該承載結構30之線路層上並電性連接該線路層，並以底膠31包覆該些導電凸塊330；或者，該第三電子元件33可藉由複數銲線以打線方式電性連接該承載結構30之線路層；亦或，該第三電子元件33可直接接觸該承載結構30之線路層。應可理解地，有關該第三電子元件33電性連接該承載結構30之方式繁多，並不限於上述。
另一方面，基於功能需求，該第三電子元件33可配置有電 源管理集成電路(Power Management IC)，以針對主系統進行管理電源等作業。
所述之散熱件34係藉由該散熱層35結合至該雷射元件28、光電元件26與該第二電子元件32上，其中，該散熱層35係為導熱介面材(Thermal Interface Material，簡稱TIM)，如高導熱金屬膠材。例如，該散熱件34係具有一散熱體340與至少一設於該散熱體340下側之支撐腳341，該散熱體340係為散熱片型式，並以下側接觸該散熱層35，且該支撐腳341係藉由黏著層36結合於該承載結構30之上表面30a上。
因此，本發明之製法中，主要藉由該矽橋(Si Bridge)之設計(即該些第一電子元件21,21’作為TIA與驅動器)，使內埋晶片橋接具同質晶片，以縮短訊號傳輸的電性損失，且藉由圍繞該些第一電子元件21,21’之導電柱23，以提供高電流與屏蔽功效。
再者，分開製作該雷射元件28與該光電元件26，以降低製作難度，使製作良率提高。
又，發射雷射訊號的雷射元件28於長時間作用下，會因高熱而受損，以當該雷射元件28損壞後，可針對該雷射元件28進行更換，而無需將整個電子封裝件2,3及良好之光電元件26報廢，故相較於習知技術，本發明能避免浪費材料之問題，因而能降低使用端之更換成本。
進一步，如第4圖所示，可將至少一第3A圖所示之電子封裝件3設於一主板40上，以形成一電子封裝模組4。
於本實施例中，該主板40係為線路板，其具有相對之第一側40a與第二側40b。例如，該主板40係配置有扇出(fan out)型線路，以 令該些電子封裝件3以其外接墊300藉由複數導電元件41設於該主板40之第一側40a上並電性連接該主板40之線路，並以底膠43包覆該些導電元件41與第三電子元件33，且該主板40之第二側40b可結合有複數如複數銲錫凸塊或銲球之導電元件42，俾供接置一電路板(圖略)。
另外，該主板40上可依功能需求配置有至少一第四電子元件44。
所述之第四電子元件44係設於該主板40之第一側40a上，且該第四電子元件44係例如為主動元件、被動元件、封裝結構或其組合者，其中，該主動元件係例如半導體晶片，而該被動元件係例如電阻、電容及電感。於本實施例中，該第四電子元件44係為封裝結構，其可藉由複數如銲錫材料、金屬柱或其它等之導電凸塊440以覆晶方式設於該主板40之線路上並電性連接該線路，並以底膠43包覆該些導電凸塊440；或者，該第四電子元件44可藉由複數銲線以打線方式電性連接該主板40之線路；亦或，該第四電子元件44可直接接觸該主板40之線路。應可理解地，有關該第四電子元件44電性連接該主板40之方式繁多，並不限於上述。
本發明亦提供一種電子封裝件2,3，其包括：一包覆層25、複數第一電子元件21,21’、複數導電柱23、一線路結構20、至少一雷射元件28以及至少一光電元件26。
所述之包覆層25係具有相對之第一表面25a與第二表面25b及鄰接該第一與第二表面25a,25b之側面25c。
所述之第一電子元件21,21’係嵌埋於該包覆層25中，且該第一電子元件21,21’上係結合並電性連接複數導電體22，其中，該導電體 22係嵌埋於該包覆層25中，並令該導電體22之端面22a外露於該包覆層25之第一表面25a。
所述之導電柱23係嵌埋於該包覆層25中，且令該導電柱23之端面22a外露於該包覆層25之第一表面25a。
所述之線路結構20係設於該包覆層25之第一表面25a上且電性連接該導電柱23與該導電體22。
所述之雷射元件28係設於該線路結構20上且電性連接該線路結構20。
所述之光電元件26係設於該線路結構20上且電性連接該線路結構20，其中，該雷射元件28與該光電元件26係相互分離間隔設於該線路結構20上。
於一實施例中，該複數導電柱23係環繞該第一電子元件21,21’。
於一實施例中，該雷射元件28係凸出該包覆層25之側面25c。
於一實施例中，該光電元件26係凸出該包覆層25之側面25c。
於一實施例中，所述之電子封裝件2,3復包括一線路部240，係形成於該包覆層25之第二表面25b上且電性連接該導電柱23。進一步，可包括形成於該線路部240上之複數導電元件24。
於一實施例中，所述之電子封裝件3復包括一設置於該包覆層25之第二表面25b上之承載結構30。進一步，可包括至少一設置於該承載結構30上之第二電子元件32。
綜上所述，本發明之電子封裝件及其製法，係藉由該些第一 電子元件作為TIA與驅動器，使內埋晶片橋接具同質晶片，以縮短訊號傳輸的電性損失，且藉由該些導電柱之佈設，以提供高電流與屏蔽功效。
再者，分開製作該雷射元件與該光電元件，以降低製作難度，使製作良率提高。
又，當該雷射元件損壞後，可針對該雷射元件進行更換，而無需將整個電子封裝件及良好之光電元件報廢，故能避免浪費材料之問題，因而能降低使用端之更換成本。
上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
2:電子封裝件
20:線路結構
21,21’‧‧‧第一電子元件
22‧‧‧導電體
23‧‧‧導電柱
23b‧‧‧端面
24‧‧‧導電元件
240‧‧‧線路部
25‧‧‧包覆層
25a‧‧‧第一表面
25b‧‧‧第二表面
26‧‧‧光電元件
27‧‧‧導電凸塊
28‧‧‧雷射元件
29‧‧‧底膠
91‧‧‧絕緣層

Claims (25)

  1. 一種電子封裝件，係包括：包覆層，係具有相對之第一表面與第二表面及鄰接該第一與第二表面之側面；第一電子元件，係嵌埋於該包覆層中；複數導電柱，係嵌埋於該包覆層中；線路結構，係形成於該包覆層之第一表面上且電性連接該導電柱與該第一電子元件；雷射元件，係設於該線路結構上且電性連接該線路結構；以及光電元件，係設於該線路結構上且電性連接該線路結構，其中，該雷射元件與該光電元件係為獨立器件，且該雷射元件與該光電元件未相互遮蓋，以分別相互分離間隔設於該線路結構上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子封裝件，其中，該第一電子元件係結合及電性連接複數導電體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電子封裝件，其中，該導電體係嵌埋於該包覆層中並電性連接該線路結構。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電子封裝件，其中，該複數導電柱係環繞該第一電子元件。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電子封裝件，其中，該雷射元件係凸出該包覆層之側面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電子封裝件，其中，該光電元件係凸出該包覆層之側面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電子封裝件，復包括線路部，係形成於該包覆層之第二表面上且電性連接該導電柱。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電子封裝件，復包括形成於該線路部上之複數導電元件。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電子封裝件，復包括設置於該包覆層之第二表面上之承載結構。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電子封裝件，復包括設置於該承載結構上之第二電子元件。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電子封裝件，復包括設置於該承載結構上之第三電子元件。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之電子封裝件，復包括設置於該承載結構上之散熱件。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之電子封裝件，其中，該散熱件係藉由散熱層結合至該雷射元件及/或該光電元件上。
  14. 一種電子封裝模組，係包括：主板；如申請專利範圍第1至13項之其中一者所述之電子封裝件，係設於該主板上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之電子封裝模組，復包括設置於該主板上之至少一第四電子元件。
  16. 一種電子封裝件之製法，係包括；設置複數導電柱與至少一第一電子元件於一承載板上； 形成包覆層於該承載板上，且令該包覆層包覆該第一電子元件與該導電柱，其中，該包覆層係具有相對之第一表面與第二表面，該導電柱之端面外露於該包覆層之第一表面，且該包覆層以其第二表面結合至該承載板上；形成線路結構於該包覆層之第一表面上，且令該線路結構電性連接該導電柱與該第一電子元件，並使該包覆層形成有鄰接該第一與第二表面之側面；分別設置雷射元件與光電元件於該線路結構上，且令該雷射元件與光電元件電性連接該線路結構，其中，該雷射元件與該光電元件係為獨立器件，以分別相互分離間隔設於該線路結構上；以及移除該承載板。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之電子封裝件之製法，其中，該第一電子元件係結合及電性連接複數導電體。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之電子封裝件之製法，其中，該導電體係嵌埋於該包覆層中並電性連接該線路結構。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之電子封裝件之製法，其中，該複數導電柱係環繞該第一電子元件。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之電子封裝件之製法，其中，該雷射元件係凸出該包覆層之側面。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之電子封裝件之製法，其中，該光電元件係凸出該包覆層之側面。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之電子封裝件之製法，復包 括形成線路部於該包覆層之第二表面上且電性連接該導電柱。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之電子封裝件之製法，復包括形成複數導電元件於該線路部上。
  24. 如申請專利範圍第16項所述之電子封裝件之製法，復包括設置承載結構於該包覆層之第二表面上。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之電子封裝件之製法，復包括設置第二電子元件於該承載結構上。
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