TWI728981B

TWI728981B - 半導體製造裝置及基板運送方法

Info

Publication number: TWI728981B
Application number: TW105120106A
Authority: TW
Inventors: 長池宏史; 高山貴光
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2015-06-30
Filing date: 2016-06-27
Publication date: 2021-06-01
Also published as: US20170004984A1; KR20170003447A; JP6837274B2; TW201714244A; JP2017017154A; KR102471280B1

Abstract

本發明之課題，係以使基板運送裝置之環境良好為目的。其解決手段係提供一種基板運送裝置，具有：運送室，用以運送基板；以及處理室，對基板施行處理；該運送室具有檢測該運送室之污染狀態的污染監控器。

Description

半導體製造裝置及基板運送方法

本發明係有關於基板運送裝置及基板運送方法。

於半導體製造裝置，會藉由氣體之作用而對基板施行指定處理。在基板的處理當中，會產生反應生成物，而附著、沈積於處理室的壁面等。一旦該反應生成物由壁面等剝落，飛降至基板上，就會構成微粒，而成為產品不良之主因。

有鑑於此，已提出在處理室內設置使用晶體振盪器以感測微量附著物之感測器，藉以測定反應生成物的沈積量(例如參照專利文獻1~3)。藉此可以根據測定結果，而即時掌握到處理室內部之環境(atmosphere)變化。再者，可以在處理室內部之狀態惡化而引起產品不良前，就對處理室內部的條件進行最佳化，以使處理室內部環境良好。

[習知技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-57658號公報

[專利文獻2]日本特開平9-171992號公報

[專利文獻3]日本特開2006-5118號公報

在運送完成處理的基板之際，處理室內部的氣體會朝相鄰之運送室擴散。因而，反應生成物會逐漸沈積於運送室內部。再者，就連運送中之基板所釋放之氣體也會導致反應生成物之產生，而該反應生成物就會沈積在運送室內部。然而，於上述專利文獻，由於感測器係設置於處理室內部，因此難以測定運送室內部之反應生成物的沈積量。

針對此點，可思及以目測判定運送室內部之反應生成物的沈積量。然而由於在運送室中，微量之反應生成物係相較於處理室更為費時地緩慢沈積於運送室，因此難以目測短時間內之反應生成物的沈積量；至可目測判定為止至少需要1~2週左右。因此，以目測進行短時間內之判定有可能導致誤判；又若費時進行判定，則到判定出以前，運送室內部之狀態會惡化，而有可能在基板運送中引起產品不良。

針對上述課題，本發明之一個層面，係以使基板運送裝置之環境良好為目的。

為解決上述課題，根據本發明之一態樣，提供一種基板運送裝置，具有：運送室，用以運送基板；以及處理室，對基板施行處理；該運送室具有檢測該運送室之污染狀態的污染監控器。

依據本發明之一個層面，可以使基板運送裝置之環境良好。

10:半導體製造裝置

20:載置台

30:排氣口

40:排氣埠

50:QCM

51:水晶板

52:電極

53:支持體

60:滑動罩

70:靜電電容式的感測器

71:導體

72:非導體

73:導體

100:控制部

101:CPU

102:ROM

103:RAM

104:HDD

GV:閘閥

ARM:運送裝置

LLM1、2:加載互鎖室

LM:載入模組

LP1~3:載入埠

PM1~4:處理室

VTM:運送室

W:半導體晶圓

S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22、S30、S32、S34、S36:步驟

【圖1】(1)、(2)、(3)繪示一實施形態之半導體製造裝置概略結構之一例的圖。

【圖2】繪示一實施形態之基板運送裝置之內部結構之一例的圖。

【圖3】繪示一實施形態之基板運送處理之一例的流程圖。

【圖4】(a)、(b)繪示一實施形態之QCM測定結果之一例的圖。

【圖5】(a)、(b)、(c)、(d)繪示因應一實施形態之QCM測定結果而變更運送條件之一例的圖。

【圖6】(a)、(b)、(c)繪示因應一實施形態之QCM測定結果而變更運送條件之一例的圖。

【圖7】繪示一實施形態之清洗終點檢測處理之一例的流程圖。

【圖8】繪示一實施形態之污染監控器之另一例的圖。

以下針對用以實施本發明之形態，參照圖式進行說明。又，在本說明書及圖式中，對於實質相同之結構，會標記相同符號以省略重複說明。

[半導體製造裝置之全體結構]

首先，針對本發明一實施形態之半導體製造裝置10之全體結構的一例，參照圖1進行說明。圖1所示之半導體製造裝置10，係群集結構(多反應室型；multi chamber type)之系統。

圖1之半導體製造裝置10具有：處理室PM(Process Module，處理模組)1~4、運送室VTM(Vacuum Transfer Module，真空運送模組)、加載互鎖室LLM(Load Lock Module)1及2、載入模組LM(Loader Module)、載入埠LP(Load Port)1~3及控制部100。於處理室PM，對半導體晶圓W(下文中亦會稱作「晶圓W」。)施行所要的處理。

處理室PM1~4係相鄰運送室VTM而配置。處理室PM1~4與運送室VTM，係藉由閘閥GV之開閉而連通。處理室PM1~4減壓至指定真空環境，並在其內部對晶圓W施行蝕刻處理、成膜處理、清洗處理、灰化處理等處理。

於運送室VTM內部，如圖2所示，配置有運送晶圓W之運送裝置ARM。運送裝置ARM具有屈伸自如且旋轉自如之2個機械手臂。各機械手臂的前端部之夾爪，可保持晶圓W。運送裝置ARM因應閘閥GV之開閉，而進行在處理室PM1~4與運送室VTM間之晶圓W搬入及搬出。再者，運送裝置ARM會對加載互鎖室LLM1、2進行晶圓W之搬入及搬出。

回到圖1，加載互鎖室LLM1、2，係設於運送室VTM與載入模組LM之間。加載互鎖室LLM1、2，會切換大氣環境與真空環境，而使晶圓W由大氣側之載入模組LM運送至真空側之運送室VTM、或是由真空側之運送室VTM運送至大氣側之載入模組LM。

於載入模組LM之長邊的側壁，設有載入埠LP1~3。於載入埠LP1~3，安裝有容納例如25枚晶圓W的FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓傳送盒)、或空的FOUP。載入模組LM將從載入埠LP1~3內的FOUP所搬出之晶圓W，搬入加載互鎖室LLM1、2中的任一個。另，載入模組LM將從加載互鎖室LLM1、2中的任一個所搬出之晶圓W，搬入FOUP。

控制部100具有：CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)101、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)102、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)103及HDD(Hard Disk Drive，硬碟機)104。控制部100亦可不限於HDD104、而具有SSD(Solid State Drive，固體狀態驅動機)等其他記憶區域。於HDD104、RAM103等的記憶區域，儲存著設定有製程之程序、製程之條件、運送條件的製程配方。

CPU101按照製程配方而控制在各處理室PM之晶圓W的處理、控制晶圓W之運送。於HDD104或RAM103，亦可儲存用以執行後述之基板運送處理或清洗處理的程式。用以執行基板運送處理或清洗處理之程式，可儲存在記憶媒體而提供，亦可由外部裝置透過網路而提供。

處理室PM、運送室VTM、加載互鎖室LLM、載入模組LM及載入埠LP之數量，並不限定於本實施形態所示個數，有多少個皆可。運送室VTM、加載互鎖室LLM及載入模組LM，係基板運送裝置之一例。特別是運送室VTM，係與處理室PM1~4相鄰的第1運送室之一例。加載互鎖室LLM、載入模組LM，係不與處理室PM1~4相鄰的第2運送室之一例。如後文所述般，於運送室VTM設置有污染監控器。污染監控器係在運送室VTM設置一個以上。

[晶圓W之運送]

接著，針對晶圓W之運送與氣體之擴散，進行說明。首先，晶圓W係由載入埠LP1~3中的任一個搬出，並搬入處理室PM1~4中的任一個。具體而言，晶圓W係由載入埠LP1~3中的任一個搬出，並透過載入模組LM而運送至加載互鎖室LLM1、2中的任一個。在搬入了晶圓W之加載互鎖室LLM1、2中的任一個，會進行排氣處理(抽真空)，使室內由大氣環境切換成真空環境。在此狀態下，晶圓W會以運送裝置ARM而從加載互鎖室LLM1、2中的任一個搬出，並搬入處理室PM1~4中的任一個，而在處理室PM1~4中的任一個開始晶圓W之處理。已搬出晶圓W之加載互鎖室LLM1、2中的任一個之內部，會由真空環境切換成大氣環境。

例如，針對將晶圓W供給至處理室PM1，而執行電漿蝕刻處理之情形的一例，進行說明。此時之製程條件的一例，係如下所示。

<製程條件>

‧氣體CF₄(四氟化碳)、C₄F₈(八氟環丁烷)、Ar(氬)、N₂(氮)、H₂(氫)、O₂(氧)、CO₂(二氧化碳)

‧壓力10mT(1.333Pa)~50mT(6.666Pa)

‧處理時間每處理一枚晶圓約需5分

在處理室PM1，由氣體產生電漿，並藉由該電漿之作用，而使載置於處理室PM1之載置台20的晶圓W，進行電漿處理。處理後，如圖1之(1)所示，處理室PM1內部會以N₂氣體進行氣洗。N₂氣體會由排氣口30排出。

其後，如圖1之(2)所示，開啟閘閥GV，將完成處理的晶圓W搬出，並搬入運送室VTM。另，將未處理晶圓W搬入處理室PM1。在晶圓W運送當中，處理室PM1內部之氣體，會朝與處理室PM1相鄰之運送室VTM側擴散。又，運送至運送室VTM的晶圓W，也會釋放出氣體。

如圖1之(3)所示，在閘閥GV關閉後，運送室VTM內部會以N₂氣體進行氣洗。N₂氣體會由排氣埠40排出。對應於此，由處理室PM1擴散之氣體與晶圓W所釋放的釋氣(outgas)，會由排氣埠40排出。然而，在運送室VTM之內部，會有部分氣體殘留。因此，在運送室VTM內部，會慢慢地有反應生成物沈積。

此時，在運送室VTM，微量之反應生成物係比起在處理室PM1更為費時地緩緩沈積於運送室VTM。因此，在運送室VTM，難以在短時間內目測反應生成物之沈積量。

針對此點，藉由本實施形態之基板運送方法，可以在短時間內判定在運送室VTM之反應生成物的沈積狀態。例如，藉由本實施形態之基板運送方法，在處理室PM處理5枚左右之晶圓W的期間中所產生之運送室VTM的反應生成物沈積狀態，可以藉由設於運送室VTM的QCM50測定，並因應測定結果而謀求運送條件之最佳化。藉此，可以防止在晶圓W運送當中，於運送室VTM內有反應生成物附著在晶圓W上而形成微粒，所造成之產品不良。

處理後之晶圓W，係由運送裝置ARM所保持，並運送至加載互鎖室LLM1、2中的任一個。在加載互鎖室LLM1、2中的任一個，會進行供氣處理，使室內由真空環境切換成大氣環境。在此狀態下，再由加載互鎖室LLM中的任一個取出晶圓W，而運送至載入埠LP。

[運送室VTM之內部]

接著，針對配置於運送室VTM內部的污染監控器，參照圖2，進行說明。於運送室VTM內部，設有QCM(Quartz Crystal Microbalance，石英晶體微天秤)50。QCM50係檢測運送室VTM之污染狀態的污染監控器之一例。

QCM50亦可設於設置在運送室VTM的閘閥GV(參照圖2之A)。QCM50亦可設於運送室VTM的天花板部(參照圖2之B)。QCM50亦可設於設置在運送室VTM的運送裝置ARM之可動部(例如，運送裝置ARM滑行之滑動罩60之附近：參照圖2之C)。QCM50亦可設於設置在運送室VTM的排氣埠(參照圖2之D)之附近。QCM50亦可設於運送室VTM的角落部位(參照圖2之E)。

QCM50只要配置在設於運送室內之上述部分中至少任一處以上即可。不過，QCM50較佳係在上述部分設置複數處。藉由配置複數之QCM50，可以輕易掌握運送室VTM內部之何處受到污染、因何種原因而累積反應生成物。

下文將針對QCM50之原理，進行簡單說明。QCM50具有如下結構：以2片電極52包夾水晶板51而構成晶體振盪器，並以支持體53支持該晶體振盪器。一旦在QCM50的晶體振盪器之表面附著有反應生成物，會因應其質量，而QCM50之共振頻率f就如下式所示般變動。

f=1/2t(

C/ρ)t：水晶板之厚度C：彈性常數ρ：密度

利用此現象，則可以藉由共振頻率f之變化量，而定量測定微量之附著物。共振頻率f之變化，係取決於附著於晶體振盪器之物質所造成之彈性常數的變化、與物質之附著厚度，換算成水晶密度時之厚度尺寸。藉此，可以將共振頻率f之變化換算成附著物之重量。

利用此種原理，QCM50就輸出顯示共振頻率f之檢測值。控制部100藉由輸入QCM50所輸出之檢測值，並將頻率之變化換算成附著物之重量，而算出膜厚或成膜速度。控制部100因應所算出之膜厚或成膜速度，而控制在運送室VTM之晶圓W的運送條件，並根據該運送條件而運送晶圓W。再者，控制部100因應所算出之膜厚或成膜速度，而酌情控制清洗處理。又，控制部100所算出之膜厚或成膜速度，係顯示運送室VTM之污染狀態的資訊之一例。

QCM50亦可不僅配置於運送室VTM，亦設置於加載互鎖室LLM1、2及載入模組LM中之至少任一。這是由於，來自晶圓W之釋氣會在加載互鎖室LLM1、2及載入模組LM內，沈積作為反應生成物。此時，控制部100亦可因應加載互鎖室LLM1、2或載入模組LM的QCM所檢測到的膜厚或成膜速度等等顯示污染狀態的資訊，而控制在加載互鎖室LLM1、2或載入模組LM之晶圓W的運送條件等。

在加載互鎖室LLM1、2的情形，較佳係在設於加載互鎖室LLM1、2之排氣埠的附近，配置QCM50。又，較佳係將QCM50配置在載入模組LM、加載互鎖室LLM1、2及運送室VTM內部之晶圓W的滯留時間較長的位置。

[基板運送處理]

接著，針對一實施形態之基板運送處理之一例，使用圖3之流程圖進行說明。本處理係由控制部100所控制。當本處理一開始，控制部100就開始以配置於運送室VTM的QCM50(晶體振盪器)進行監控(步驟S10)。若是在運送室VTM內配置有複數之QCM50的情形，則由複數QCM50之各個，開始進行監控。

接著，控制部100算出相對於指定枚數之晶圓處理時間的晶體振盪器頻率變化量(步驟S12)。作為指定枚數之晶圓處理時間，可以係每處理5枚~10枚晶圓W。

接著，控制部100判定晶體振盪器之頻率變化量，是否大於預先訂定之第1臨界值(步驟S14)。當控制部100判定晶體振盪器之頻率變化量係第1臨界值以下時，就回到步驟S10，重覆步驟S10~S14之處理。

當控制部100判定晶體振盪器之頻率變化量係大於預先訂定之第1臨界值時，就判定晶體振盪器之頻率變化量是否大於預先訂定之第2臨界值(步驟S16)。第2臨界值係設定為大於第1臨界值的數值。

當控制部100判定晶體振盪器之頻率變化量係第2臨界值以下時，就變更晶圓W的運送條件(步驟S18)。控制部100控制例如運送室VTM的壓力、運送室VTM之惰性氣體(N₂、Ar等)的流量、處理室PM1~4之壓力及處理室PM1~4之惰性氣體(N₂、Ar等)的流量中之至少任一條件，作為晶圓W的運送條件。

然後控制部100進行反饋控制，即根據變更後之運送條件調整運送室VTM內的狀態、再運送下一批晶圓(步驟S20)，結束本處理。

另一方面，當在步驟S16，控制部100判定晶體振盪器之頻率變化量大於第2臨界值時，則執行運送室VTM之清洗處理(步驟S22)，結束本處理。

如上述說明般，若依據本實施形態之基板運送處理，當晶體振盪器之頻率變化量大於第1臨界值、且係第2臨界值以下，則變更晶圓W的運送條件。晶體振盪器之頻率的一例，示於圖4。各曲線之縱軸代表QCM50的頻率，橫軸代表時間。

圖4(a)係將安裝在處理室PM之排氣埠40的自動壓力調整閥APC之開度，固定在20°之情況下的運送室VTM之QCM50頻率之一例。圖4(b)係將安裝在處理室PM之排氣埠40的自動壓力調整閥APC之開度，固定在90°之情況下的運送室VTM之QCM50頻率之一例。

圖4(a)之曲線的斜率「-0.47Hz/hour」及圖4(b)之曲線的斜率「-0.37Hz/hour」，係頻率變化量之一例，代表反應生成物的累積速度。頻率變化量越大，代表每一單位時間，附著在晶體振盪器之反應生成物的量越多。如圖4(b)所示之自動壓力調整閥APC的開度較大的情形，曲線的斜率小於圖4(a)所示之自動壓力調整閥APC的開度較小的情形，可知已有效地從運送室內去除了反應生成物。

因此，藉由以曲線的斜率所示之頻率變化量，可以判定運送條件良好與否。也就是說，當頻率變化量係在第1臨界值以下時，控制部100就判定運送室VTM的運送條件良好。相對於此，當頻率變化量大於第1臨界值、且係在第2臨界值以下時，控制部100就判定必需改善運送室VTM的運送條件。在此情況下，控制部100可以藉由變更運送條件，而降低反應生成物的累積速度。另一方面，當頻率變化量大於第2臨界值時，控制部100就判定運送室VTM內部的環境惡化，光是變更運送條件仍難以改善運送室VTM內部，必需清洗運送室VTM。關於清洗處理，留待後文敍述。

(運送條件)

控制部100變更運送室VTM的壓力、運送室VTM的惰性氣體流量、處理室PM1~4的壓力及處理室PM1~4的惰性氣體流量中的至少任一運送條件的製程配方設定值。

例如，圖5(a)繪示控制以下條件時測定運送室內的反應生成物之量的結果之一例：以惰性氣體(N₂)對運送室進行氣洗。據此可知，對運送室供給惰性氣體(N₂)時，相較於改善前之不對運送室供給惰性氣體(N₂)的情形，運送室內的反應生成物之量有所減少，運送室內的環境有所改善。

圖5(b)繪示控制以下條件時測定運送室內的反應生成物之量的結果之一例：運送室的壓力。據此可知，將運送室的壓力控制在200mT(26.66Pa)時，相較於改善前之70mT(9.33Pa)及100mT(13.33Pa)的情形，運送室內的反應生成物之量有所減少，運送室內的環境有所改善。

圖5(c)繪示控制以下條件時測定運送室內的反應生成物之量的結果之一例：以惰性氣體(Ar)對處理室進行氣洗。據此可知，對處理室供給100sccm之惰性氣體(Ar)時，相較於改善前之對運送室供給1200sccm之惰性氣體(Ar)的情形，運送室內的反應生成物之量有所減少，運送室內的環境有所改善。

圖5(d)繪示控制以下條件時測定運送室內的反應生成物之量的結果之一例：處理室的壓力。據此可知，在將處理室的壓力控制在60mT(8.00Pa)時，相較於改善前將處理室的壓力控制在90mT(12.00Pa)的情形，運送室內的反應生成物之量有所減少，運送室內的環境有所改善。

控制部100變更上述運送條件的至少任一項。於圖6(a)繪示變更前之運送條件(1)~(4)與運送室內的反應生成物之量。

變更前的運送條件如下。

(1)運送室VTM的壓力 100mT(13.33Pa)

(2)自動壓力調整閥APC的開度 20°(固定)

(3)對處理室PM進行之惰性氣體(Ar)供給 1200sccm

(4)對運送室VTM進行之惰性氣體(N₂)供給無

於圖6(b)繪示控制了運送條件之一：(4)對運送室VTM進行之惰性氣體(N₂)供給時，也就是說，開始運送室VTM之N₂氣洗時的反應生成物之量。

亦即，此時的運送條件如下。

(1)運送室VTM的壓力 100mT(13.33Pa)

(2)自動壓力調整閥APC的開度 20°(固定)

(3)對處理室PM進行之惰性氣體(Ar)供給 1200sccm

(4)對運送室VTM進行之惰性氣體(N₂)供給有

藉由將運送條件變更成開始對運送室VTM進行之惰性氣體(N₂)供給，相較於不對運送室VTM供給惰性氣體(N₂)之運送條件，可以將運送室VTM內之反應生成物的蓄積量，由圖6(a)的狀態減少成-25.5%。

於圖6(c)繪示變更運送條件(1)~(4)之全部時的反應生成物之量。

亦即，此時的運送條件如下。

(1)運送室VTM的壓力 200mT(26.66Pa)

(2)自動壓力調整閥APC的開度全開(固定為40°)

(3)對處理室PM進行之惰性氣體(Ar)供給 500sccm

(4)對運送室VTM進行之惰性氣體(N₂)供給有

如此這般，藉由變更運送條件(1)~(4)之全部，可以將運送室VTM內之反應生成物的蓄積量，由圖6(a)的狀態減少成-68.6%。

(清洗)

於圖3的步驟S16，當QCM50的頻率變化量大於第2臨界值時，控制部100就執行步驟S22的清洗處理。

針對運送室內之清洗處理的一例，參照圖7的流程圖進行說明。當圖7旳清洗處理一開始，控制部100就對運送室VTM內導入清洗氣體(步驟S30)。

接著，控制部100就開始以配置在運送室VTM的QCM50之晶體振盪器進行監控(步驟S32)。若在運送室VTM配置有複數之QCM50，就由複數之QCM50之各自的晶體振盪器進行監控。

接著，控制部100判定晶體振盪器之頻率，是否達到預先訂定之第3臨界值(步驟S34)。當控制部100判定晶體振盪器之頻率並未達到第3臨界值時，就回到步驟S30，重覆步驟S30~步驟S34之處理。

另一方面，於步驟S34，當控制部100判定晶體振盪器之頻率有達到第3臨界值時，就結束清洗(步驟S36)，結束本處理。在此可以將第3臨界值，設定為例如反應生成物未沈積於運送室內之潔淨狀態下的晶體振盪器之頻率。

如此這般於清洗時，可以使用晶體振盪器的頻率，來進行清洗之結束檢測EPD(End Point Detection，終點檢測)。藉此，可以使清洗所花費的時間最佳化，謀求產能之提升。

又，於本實施形態，係舉運送室VTM之基板運送處理為例，進行說明；但加載互鎖室LLM1、2或載入模組LM的基板運送處理，也可以同樣地進行。

如上述說明般，若依據本實施形態之基板運送處理，可以藉由控制部100所進行之2階段的自動控制，而使運送室VTM的環境良好。例如，當晶體振盪器之頻率變化量變得大於第2臨界值(第2臨界值>第1臨界值)時，則判定僅變化運送條件難以使運送室VTM內的環境變為正常狀態，而執行清洗處理。藉此，可以去除運送室VTM內部的反應生成物。

當清洗處理之結果，頻率變化量係第2臨界值以下、且大於第1臨界值時，則控制部100會變更運送條件，以減輕運送室VTM內部的反應生成物之量。當頻率變化量變為第1臨界值以下時，則控制部100會維持現行運送條件，運送晶圓W。

依據本實施形態之基板運送方法，控制部100不僅可減少反應生成物之量，甚至亦可對運送條件進行自動控制，以期盡可能地不降低產能，並在可能的範圍內提升產能。例如，可思及例如被稱為灰化之以O₂電漿等進行之電漿處理、或用以去除晶圓殘留電荷之以Ar氣體等進行之電漿處理等等處理後之晶圓W的後處理，或拉長處理室PM及運送室內部之氣洗氣體的供給時間。在此情況下，雖然使運送室之環境良好的效果會提升，但產能會降低。有鑑於此，亦可係在頻率變化速度慢(圖4之曲線的斜率小)的條件下，變更成產能不易降低或產能會提升的運送條件。又，亦可係在頻率變化速度快(圖4之曲線的斜率大)的條件下，變更成即使產能降低也要使氣體置換進行之運送條件。藉此，可以在考量產能的最佳運送條件下運送晶圓W。

以上，藉由上述實施形態說明了基板運送裝置及基板運送方法，但本發明之基板運送裝置及基板運送方法並不限定於上述實施形態，可以在本發明之範圍內進行各種變形及改良。上述複數之實施形態所記載之事項，可以在不產生矛盾的範圍內進行組合。

例如，設置於運送室的污染監控器，並不限於QCM，亦可使用QCM以外的感測器。就污染監控器的另一例而言，亦可使用如圖8所示之靜電電容式的感測器70。靜電電容式的感測器70係藉由量測靜電電容，而得以測定反應生成物的沈積量。靜電電容式的感測器70，係在發揮作為下部電極之功能的導體73之正上方配置高分子薄膜或氧化鋁等非導體72，並在其上形成有圖案化之導體71。導體71發揮作為上部電極之功能。藉此，藉由監控物質附著及吸附在非導體72部分所造成之靜電電容的變化，而可以測定反應生成物的沈積量。

再者，本發明之半導體製造裝置的處理室，不僅可套用在電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)裝置，亦可套用在其他裝置。就其他裝置而言，亦可係使用電感耦合式電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)或放射狀線槽孔天線之電漿處理裝置、螺旋波激發型電漿(HWP：Helicon Wave Plasma) 裝置、電子迴旋共電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)裝置等。再者，亦可係藉由反應性氣體與熱而進行蝕刻或成膜處理的無電漿之裝置。

又，於本說明書係針對半導體晶圓W進行說明，但亦可係用於LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、EPD(Flat Panel Display，平板顯示器)等的各種基板，或是光罩、CD基板、印刷基板等。