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TWI722209B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI722209B
TWI722209B TW106120917A TW106120917A TWI722209B TW I722209 B TWI722209 B TW I722209B TW 106120917 A TW106120917 A TW 106120917A TW 106120917 A TW106120917 A TW 106120917A TW I722209 B TWI722209 B TW I722209B
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森重之
北村嘉朗
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日商松下知識產權經營股份有限公司
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Abstract

[課題]提供一種能夠抑制起因於亮點缺陷之顯示品質的降低的顯示裝置及其製造方法以及製造裝置。 [解決手段]在顯示裝置中,在第1玻璃基板及第2玻璃基板之至少一者的內部中,從顯示面側來看會覆蓋亮點缺陷部的減光部包含:可見光之穿透率在中心部比外周部高的第1著色層、及可見光之穿透率在外周部比中心部高的第2著色層,第1著色層與第2著色層配置在厚度方向上相異的位置,且,配置成從顯示面側來看彼此的中心部會重疊。

Description

顯示裝置及其製造方法
發明領域 本發明是有關於一種顯示裝置及其製造方法。
發明背景 各種顯示裝置之中,例如液晶顯示裝置是將產生於像素電極與共通電極之間的電場施加在被一對基板夾持的液晶層來使液晶驅動,藉此調整穿透像素電極與共通電極之間的區域的光量,而進行圖像顯示。
以往,在例如液晶顯示裝置中,已知存在有像素的顯示亮度變得比所期望的亮度更高,即所謂亮點缺陷(又稱像素缺陷)的問題。亮點缺陷是因為例如在液晶顯示裝置的製造工序中,異物混入於一對基板間,因為該異物而攪亂液晶的配向,或像素電極與共通電極短路的情形而產生。
修正前述亮點缺陷的方法已揭示於例如專利文獻1中。在專利文獻1的方法中,是對玻璃基板內部照射雷射光,形成一種以平面來看會覆蓋亮度缺陷產生區域的著色層,且以著色層來使光的穿透量減少。 先前技術文獻
專利文獻 專利文獻1:日本專利特開2015-175857號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而,在以往的技術中,存在有在藉由雷射之面掃描形成著色部時的最終掃描部變薄,會產生漏光而沒有充分修正亮點缺陷之不良的情形。
本發明是有鑑於前述實情而作成的發明,其目的在於提供一種能夠抑制起因於亮點缺陷之顯示品質的降低的顯示裝置及其製造方法。 用以解決課題之手段
為了達成前述目的,本發明之1種態樣的顯示裝置,是具備第1玻璃基板、及與前述第1玻璃基板相對向且位於顯示面側之第2玻璃基板的顯示裝置, 在前述第1玻璃基板及前述第2玻璃基板之至少一者的内部中,具有從前述顯示面側來看會覆蓋亮點缺陷部的減光部, 前述減光部包含:可見光之穿透率在中心部比外周部高的第1著色層、及可見光之穿透率在外周部比中心部高的第2著色層, 前述第1著色層與前述第2著色層配置在厚度方向上相異的位置,且,配置成從前述顯示面側來看彼此的中心部會重疊。
為了達成前述目的,本發明之1種態樣的顯示裝置之製造方法,是具備第1玻璃基板、及與前述第1玻璃基板相對向且位於顯示面側之第2玻璃基板的顯示裝置之製造方法,具有: 檢查檢測工序,進行前述顯示裝置的亮燈檢查來檢測像素的亮點缺陷部;及 照射工序,為了覆蓋前述亮點缺陷部,對前述第1或第2玻璃基板照射雷射光,在前述第1玻璃基板及前述第2玻璃基板之至少一者的内部中,構成從前述顯示面側來看會覆蓋前述亮點缺陷部的減光部,且,形成可見光之穿透率在中心部比外周部高的第1著色層、及可見光之穿透率在外周部比中心部高的第2著色層,該等著色層是配置成各最終掃描部之漏光成為相異的位置且從前述顯示面側來看彼此的中心部會重疊,並且配置在厚度方向上彼此相異的位置, 在前述照射工序所照射的前述雷射光是波長為100nm以上且10000nm以下,脈衝寬度為1飛秒(femtosecond)以上、100皮秒(picosecond)以下,脈衝能量為1μJ以上、20μJ以下,且,是由NA為0. 3以上、0.9以下之透鏡所聚光。 發明效果
如以上所述,依據本發明之前述態樣的顯示裝置及其製造方法,由於前述減光部具備:可見光之穿透率在中心部比外周部高的第1著色層、及可見光之穿透率在外周部比中心部高的第2著色層,前述第1著色層與前述第2著色層配置在厚度方向上相異的位置,且,配置成從前述顯示面側來看彼此的中心部會重疊,所以能夠提供一種抑制了起因於亮點缺陷之顯示品質的降低的顯示裝置。
用以實施發明之形態 以下,針對本發明的實施形態,一邊參照圖式一邊進行說明。
在以下的實施形態中,雖然舉液晶顯示裝置為例,但本發明之顯示裝置並非是限定為液晶顯示裝置,也可以是例如有機EL顯示裝置或電漿顯示器面板等。 (第1實施形態)
圖1是顯示作為本發明之第1實施形態的顯示裝置之一例的液晶顯示裝置LCD之整體構成的平面圖。
液晶顯示裝置LCD包含有:顯示圖像的顯示面板DP、驅動顯示面板DP的顯示面板用驅動電路(資料線驅動電路30、閘極線驅動電路31)、控制顯示面板用驅動電路的控制電路(圖未示)、及將從背面側照射光線的背光光線照射到顯示面板DP的背光照明134。
圖2是顯示顯示面板DP的一部分之構成的平面圖。圖3是以圖2之A1-A2線切斷而成的切斷部之端視圖。再者,在圖2及圖3中,顯示著顯示面板DP中之1個像素P。
如圖3所示,顯示面板DP包含有:配置於背面側的薄膜電晶體基板SUB1(以下稱TFT基板SUB1。)、配置於顯示面側且與TFT基板SUB1相對向的濾色片基板SUB2(以下稱CF基板SUB2。)、及被夾持於TFT基板SUB1及CF基板SUB2之間的液晶層LC。薄膜電晶體基板SUB1是作為第1基板之一例發揮機能。濾色片基板SUB2是作為第2基板之一例發揮機能。
在TFT基板SUB1上形成有在列方向上延伸的複數條資料線DL、及在行方向上延伸的複數條閘極線GL,且在複數條資料線DL與複數條閘極線GL之各自的交叉部附近形成有薄膜電晶體TFT。又,將相鄰的2條資料線DL與相鄰的2條閘極線GL所圍成的矩形區域規定為1個像素P。像素P在TFT基板SUB1中,是複數配置成矩陣狀。
在像素P上形成有由例如銦錫氧化物(ITO)等之透明(或透光性)導電膜構成的像素電極(顯示用電極)PIT。如圖2所示,像素電極PIT具有開口部32(例如狹縫),並形成為條紋狀。薄膜電晶體TFT在閘極絕緣膜GSN(參照圖3)上,形成有由非晶質矽(aSi)構成的半導體層SEM,且於半導體層SEM上形成有汲極電極DM及源極電極SM(參照圖2)。汲極電極DM是電連接到資料線DL。源極電極SM與像素電極PIT是透過接觸孔CONT而互相電連接。
構成像素P的各部之積層構造並非限定為圖3之構成的構造,能夠適用周知之構成。例如在圖3所示之構成中,在TFT基板SUB1中,在第1玻璃基板GB1上形成有閘極線GL(參照圖2),且形成有閘極絕緣膜GSN以覆蓋閘極線GL。又,在閘極絕緣膜GSN上形成有資料線DL,且形成有絕緣膜PAS以覆蓋資料線DL。又,在絕緣膜PAS上形成有共通電極CIT(顯示用電極),且形成有上層絕緣膜UPAS以覆蓋共通電極CIT。此外,在上層絕緣膜UPAS上形成有像素電極PIT,且形成有配向膜AF以覆蓋像素電極PIT。在第1玻璃基板GB1的背面側形成有偏光板POL1(第1偏光板)。
又,在CF基板SUB2中,在第2玻璃基板GB2(圖3之第2玻璃基板GB2的下表面側)上形成有黑色矩陣BM(遮光部之一例)及濾色片CF(例如,紅色部、綠色部、藍色部)(透光部之一例),且形成有塗覆層OC以覆蓋該等構件。在第2玻璃基板GB2的顯示面側形成有偏光板POL2(第2偏光板)。據此,第2玻璃基板GB2是與第1玻璃基板GB1相對向且位於顯示面側,且液晶層LC配置於第1玻璃基板GB1與第2玻璃基板GB2之間。
依據圖3所示之構成,液晶顯示裝置LCD雖然具有所謂的橫向電場效應顯示技術(IPS(In Plane Switching))之構成,但第1實施形態之液晶顯示裝置LCD並不限定於此。
接著,簡單說明液晶顯示裝置LCD的驅動方法。將由閘極線驅動電路31輸出的掃瞄用之閘極電壓供給到閘極線GL,並將由資料線驅動電路30輸出的映像用之資料電壓供給到資料線DL。當將閘極導通電壓供給到閘極線GL時,會使薄膜電晶體TFT的半導體層SEM成為低電阻,而使供給到資料線DL的資料電壓透過源級電極SM供給到像素電極PIT。又,將從共通電極驅動電路(圖未示)輸出的共通電壓供給到共通電極CIT。藉此,在像素電極PIT與共通電極CIT之間產生電場(驅動用電場),並藉由該電場驅動液晶層LC而顯示出圖像。
在此,液晶顯示裝置LCD在其製造工序中,有時會產生像素的顯示亮度比所期望的亮度變得更高之亮點缺陷(像素缺陷)。在圖4中顯示著像素P成為亮點缺陷部133時之一例。在圖4中例示著在液晶顯示裝置LCD的製造工序中,有機物或金屬等異物33混入 TFT基板SUB1與CF基板SUB2之間的情形。在圖4所示的像素P中,液晶的配向因異物(混入物)33而被擾亂,因而產生背光光線34的漏光,而成為有亮點缺陷的亮點缺陷部133。
在第1實施形態的液晶顯示裝置LCD中,具有用於抑制前述亮點缺陷的構成。具體而言,如圖5所示,在CF基板SUB2之第2玻璃基板GB2的內部形成有使背光光線34之穿透量減少的減光部1。減光部1是平面地排列著,且形成為從第2玻璃基板GB2的顯示面側觀看時,會遮蓋由異物33所造成的亮點缺陷部133。亦即,在第1玻璃基板GB1及第2玻璃基板GB2之至少一者的內部中,配置有從顯示面側來看會覆蓋亮點缺陷部133的減光部1。減光部1是由顏色與第1玻璃基板GB1及第2玻璃基板GB2各不相同的著色層2、及在著色層2之下方形成有複數個亦即多數個空隙的空隙層3所形成的。再者,在如後述般將著色層2以複數層構成時,意味著會在空隙層3之上配置複數層著色層2-1、2-2。
圖6是玻璃内部加工時的焦點(聚光點)F之附近的示意圖。圖7是顯示將在玻璃内部進行了直線加工者以平面來看的圖像之圖。圖8是顯示觀看圖7之直線加工的截面之圖像的圖。
如圖6所示,使超短脈衝雷射光4藉由高聚光透鏡8而聚光於玻璃基板GB的内部後,能量密度在焦點F的附近將變得非常高,而造成直徑1nm以上、50μm以下之微小的空孔(空隙)形成(參照圖6之區域70)。此時,在玻璃基板GB之比焦點F更接近表面處 (參照圖6之區域71),玻璃會熔融,且其周圍會在熱的影響下而著色成茶色(參照圖6之區域72)。此著色92是由非橋接氧空穴中心(Non-bridging oxygen hole center)所引起的。藉由使超短脈衝雷射光4與玻璃基板GB的位置直線狀相對地移動,如圖7所示,會殘留一種以平面來看,焦點的掃描處著色較淡,且其兩側著色較濃的加工痕。觀看此時的加工截面,如圖8所示,在遠離玻璃基板GB之表面處(圖8之橢圓形的底部附近)會形成空隙,在比空隙更接近表面處著色較淡,且其邊緣(圖8之橢圓形的上部之邊緣部附近)著色較濃。
藉由使超短脈衝雷射光4與玻璃基板GB的位置在面方向上相對地移動,形成此空隙的區域與形成著色的區域就會在玻璃基板GB的内部在面方向上擴展,而形成空隙層3與著色層2。對於以此著色層2與空隙層3所構成的減光部1,由於從玻璃基板GB之背面所照射的背光光線34會被著色層2吸收而減光,令減光後的光線射出玻璃基板GB的表面,所以能夠抑制起因於亮點缺陷之顯示品質的降低。超短脈衝雷射光4必須要是能夠在玻璃基板GB之内部形成著色區域及空隙形成區域般的脈衝寬度、波長、及脈衝能量,以波長為100以上、10000nm以下,脈衝寬度為1fs以上~100ps以下,脈衝能量為1μJ以上、20μJ以下是較理想的。又,高聚光透鏡以NA(數值孔徑)為0.3以上、0.9以下是較理想的,若是擁有像差修正機能的透鏡則是更加理想的。藉由將此條件的雷射光4照射到玻璃基板GB,就會在焦點F的位置上形成如圖8之含有多數個空孔的空隙層3,且會在比焦點F的位置更接近玻璃基板GB之表面的位置上形成著色層2。
圖9之(a)及(b)分別是顯示排列直線加工而進行正方形的面加工時之掃描方向的圖、及在加工後將加工痕以平面來看的圖像之圖。
如圖9所示,使超短脈衝雷射光4與玻璃基板GB的位置在面方向上相對地移動,且藉由面加工形成著色層2後,在最終的掃描處會殘留著色較淡的區域,會從該處產生漏光 (參照圖9之(b)的以橢圓所圍成之最終掃描部漏光的區域。)。這是因為在進行超短脈衝雷射掃描時,一度會形成非橋接氧空穴中心並從著色較濃的區域上方照射超短脈衝雷射,然後在著色較濃的區域熔融時,非橋接氧空穴中心的構造會崩解而造成褪色。藉由反覆進行掃描,也能夠將褪色處再次著色,但只有最終的掃描處仍會殘留著保持褪色之著色較淡的區域,而從該處造成漏光。此時,著色較濃處會成為可見光穿透率為0%以上、50%以下,但漏光處的可見光穿透率則是高達60%以上。又,即便在面加工的隅角部中,也會因為在加工區域與未加工區域之間產生應力而產生漏光(參照圖9之(b)的隅角部漏光之區域)。
對於此問題,圖10之(a)~(c)分別是顯示本發明第1實施形態之減光部1的複數層著色層2-1、2-2、2-3之概略分解立體圖、及將該等著色層以平面來看的圖像之圖。
形成複數個減光部1的著色層2-1、2-2時,會從遠離玻璃基板GB的表面者依序加工。藉此,構成為在加工時便已形成之減光部1不會有遮蔽光線的情形。
在以下的例子中,作為一例,說明形成3個著色層2的情形。再者,作為其他的例子,在形成2個著色層2的情形中,只要形成下述的第1著色層2-1與第2著色層2-2即可。
首先,第1層的第1著色層2-1是從外周到中心呈漩渦狀地形成著色層。此第1著色層2-1雖然是取決於像素尺寸或從玻璃基板GB之背面起算的距離,但第1著色層2-1之外徑亦即直徑為10μm以上、500μm以下的尺寸。再者,第 1層的第1著色層2-1配置於離玻璃基板GB之底面5μm以上、250μm以下的位置。離底面未達5μm時,由於會變成並非是玻璃内部加工而是背面加工,所以會有對於濾色片CF或黑色矩陣BM等確實地造成損傷的可能性。又,離底面超過250μm時,由於從斜向觀看面板時也必須要以著色層覆蓋亮點不良,因此變得要將著色層的直徑構成為大於500μm,使得有3像素以上確實失去作用而變得無法稱之為良品。又,第1著色層2-1的直徑比10μm更小時,在從斜向觀看面板時會變得無法以著色層覆蓋亮點不良。另一方面,著色層2-1的直徑超過500μm時,形成著色層之處將會毀損LCD面板的像素,使得有3像素以上確實失去作用而變得無法稱之為良品。
此時,在第1著色層2-1上的漏光會發生在中心部分。亦即,第1層之第1著色層2-1的可見光之穿透率在中心部比外周部高。具體而言,以平面來看第1著色層2-1時,漏光部9-1位於其中心部,且遮光部10-1以圍繞漏光部9-1之形式配置於外周部。漏光部9-1的可見光穿透率為60%以上,遮光部10-1的可見光穿透率為0%以上、50%以下。
接著,第2層的第2著色層2-2是形成於在玻璃基板GB之厚度方向上,比第1層的第1著色層2-1更朝玻璃基板GB之表面接近相當於10μm以上、200μm以下的位置上。第2層的第2著色層2-2是從中心到外周呈漩渦狀地形成著色層。第2層之第2著色層2-2的直徑設定為第1層之第1著色層2-1的直徑之10%以上、90%以下。第2著色層2-2的直徑未達第1著色層2-1的直徑之10%時,作為遮光部10-2無法充分地將第1層之第1著色層2-1及第3層之第3著色層2-3的中心部漏光進行減光。又,第2著色層2-2的直徑超過第1著色層2-1的直徑之90%時,即便在第2層之第2著色層2-2的外周部之漏光部9-2所外露的光朝向外側造成散射時,也能夠藉由第1層之第1著色層2-1的遮光部10-1及第3層之第3著色層2-3的遮光部10-3來進行減光。藉此,第2層的著色層2-2在中心部會著色較濃,漏光會發生在外周部。亦即,第2層之第2著色層2-2的可見光之穿透率在外周部比中心部高。具體而言,以平面來看第2著色層2-2時,遮光部10-2位於其中心部,且漏光部9-2以圍繞遮光部10-2之形式配置於外周部。漏光部9-2的可見光穿透率為60%以上,遮光部10-2的可見光穿透率為0%以上、50%以下。再者,在第1層的第1著色層2-1與第2層的第2著色層2-2中,漏光部9-1、9-2與遮光部10-1、10-2的配置是相反的關係。又,第1層的第1著色層2-1與第2層的第2著色層2-2是配置成彼此的中心部在與玻璃基板GB之厚度方向正交的面内會重疊。亦即,第1層之第1著色層2-1的漏光部9-1與第2層之第2著色層2-2的遮光部10-2以平面來看(亦即,從顯示面側來看)為重疊的。
接著,第3層的第3著色層2-3是形成於在玻璃基板GB之厚度方向上,比第2層的第2著色層2-2更朝玻璃基板GB之表面接近相當於10μm以上、200μm以下的位置上。第3層的第3著色層2-3與第1層的第1著色層2-1為同樣尺寸,是從外周到中心呈漩渦狀地形成著色層。第3層之第3著色層2-3的漏光部9-3與遮光部10-3在與玻璃基板GB之厚度方向正交的面內,是配置成跟第1層之第1著色層2-1的漏光部9-1與遮光部10-1相同的位置關係。
藉由如以上所述地形成3層第1、第2、第3著色層2-1、2-2、2-3,中心部之漏光會被第2著色層2-2的遮光部10-2抑制,外周部之漏光會被第1著色層2-1的遮光部10-1與第3著色層2-3的遮光部10-3抑制。
在此,第1層之第1著色層2-1的遮光部10-1之所在處配置於外周部是較理想的。這是因為從斜向觀看顯示面板DP時,能夠將亮點缺陷進行減光的只有第1層之第1著色層2-1的外周部的緣故。在第1層之第1著色層2-1的外周部產生漏光時,為了將斜視時的漏光以第2層的第2著色層2-2來進行減光,有必要將第2層之第2著色層2-2以比第1層之第1著色層2-1更大之尺寸來加工。如此一來,由於從正面觀看時的加工尺寸會變大,所以變得會將亮點缺陷之周邊廣範圍地減光而較不理想。因此,將第1層之第1著色層2-1加工成漏光處(亦即,漏光部9-1)會形成於中心部,且在第2層之第2著色層2-2上將中心部作為遮光部10-2而著色得較濃,來將第1層之第1著色層2-1上的漏光進行減光之形式是較為期望的。
又,藉由將著色層2之平面形狀作成為圓形,即會緩和原先在隅角部所產生的應力,而抑制圖9所示的隅角部漏光。此時之著色層2的加工痕之形狀只要是能夠緩和隅角部之應力的形狀即可,亦可以是八角形以上的多角形或圓角的多角形等。例如,造成亮點缺陷產生之異物為線屑般之細長形狀時,藉由配合其形狀而加工成橢圓或卵形狀,就能夠形成具有符合亮點缺陷之形狀的著色層2之減光部1。
將第2層之第2著色層2-2的尺寸作成為比第1層之第1著色層2-1的尺寸及第3層之第3著色層2-3的尺寸更小,是為了即使在第2層之第2著色層2-2的外周部所外漏的光朝向外側造成散射時,也能夠藉由第1層之第1著色層2-1及第3層之第3著色層2-3來進行減光。但是,若第2著色層2-2的尺寸太小的話,就無法充分將第1層之第1著色層2-1及第3層之第3著色層2-3的中心部漏光進行減光,因此第2層之第2著色層2-2的尺寸為第1層之第1著色層2-1的尺寸或第3層之第3著色層2-3的尺寸之10%以上、90%以下是較為期望的。
依據第1實施形態,在第1玻璃基板GB1及第2玻璃基板GB2之至少一者的內部中,具有複數層重疊之從顯示面側來看會覆蓋亮點缺陷部133的減光部1之著色層2-1、2-2、2-3,且,形成為著色層2-1、2-2、2-3之雷射光4的最終掃描部會相異,且以平面來看形成為圓形。藉由如此構成,能夠抑制起因於亮點缺陷之顯示品質的降低。 (第2實施形態)
接著,作為本發明的第2實施形態,說明第1實施形態之液晶顯示裝置LCD之製造方法。該方法是針對具備第1玻璃基板GB1、及與前述第1玻璃基板GB1相對向且位於顯示面側的第2玻璃基板GB2的顯示裝置之製造方法來進行說明。
此顯示裝置之製造方法具有:檢測工序,進行前述顯示裝置的亮燈檢查以檢測前述像素的亮點缺陷部133;及照射工序,為了覆蓋前述亮點缺陷部133,對前述第1或第2玻璃基板GB1或GB2照射雷射光4來形成複數層著色層2及空隙層3。在前述照射工序所照射的雷射光4是波長為100nm以上且10000nm以下,脈衝寬度為1飛秒以上、100皮秒以下,脈衝能量為1μJ以上、20μJ以下,且是由NA為0.3以上、0.9以下的透鏡所聚光。若透鏡具備像差修正機能的話會是更加理想的。
更詳細而言,本製造方法包含有TFT基板SUB1的製造工序、CF基板SUB2的製造工序、TFT基板SUB1及CF基板SUB2的貼合工序、液晶注入工序、顯示面板DP的亮燈檢查工序、及亮點缺陷修正工序。
前述各工序之中,TFT基板SUB1的製造工序、CF基板SUB2的製造工序、TFT基板SUB1及CF基板SUB2的貼合工序、液晶注入工序、及亮燈檢查工序都能夠適用周知的方法。
例如,TFT基板SUB1的製造工序包含在第1玻璃基板GB1上形成閘極線GL、資料線DL、像素電極PIT、共通電極CIT、各種絕緣膜、及偏光板POL1的工序。在TFT基板SUB1上所規定的像素P亦可包含對應於紅色的紅色像素Pr、對應於綠色的綠色像素Pg、及對應於藍色的藍色像素Pb。又,CF基板SUB2的製造工序包含在第2玻璃基板GB2上形成黑色矩陣BM、濾色片CF、及偏光板POL2的工序。
以下,說明本製造方法之中的亮燈檢查工序及亮點缺陷修正工序。
圖11A是顯示亮點缺陷之修正方法的流程圖。圖11B是顯示能夠實施亮點缺陷之修正方法的顯示裝置之製造裝置95的方塊圖。
顯示裝置之製造裝置95至少具備有進行顯示裝置的亮燈檢查來檢測像素之亮點缺陷的檢查裝置90、與亮點缺陷修正裝置6。製造裝置95還可以具備有控制裝置93與運算部91。控制裝置93會分別對檢查裝置90、運算部91與亮點缺陷修正裝置6進行動作控制。運算部91是如後述地進行預定的運算。
首先,在亮燈檢查工序中,藉由檢查裝置90檢測亮點缺陷。例如,檢查裝置90可使顯示面板DP全部亮燈或使其1排排地亮燈,來測定各像素的亮度(步驟S001)。
接著,檢查裝置90會檢測被測定出亮度超出閾值的像素作為亮點缺陷部133(像素缺陷部)(步驟S002)。檢查裝置90會將作為亮點缺陷部133所檢測出的像素之位置資訊輸出到後述的亮點缺陷修正裝置6。亮點缺陷部133的檢測亦可藉由作業者的目視來進行。當檢測出亮點缺陷部133後,即轉移至亮點缺陷修正工序(步驟S030)。未檢測出亮點缺陷部133時,即結束此流程。
於圖13中,顯示著用於進行亮點缺陷修正工序(步驟S030)的亮點缺陷修正裝置6之概要構成。亮點缺陷修正裝置6包含有超短脈衝雷射振盪機構7、與高聚光透鏡8等光學系統。
在第2實施形態中,作為一例,作為超短脈衝雷射振盪機構7,使用的是1552nm的雷射光波長及脈衝寬度800fs的雷射光。
亮點缺陷修正工序(步驟S030)包含步驟S003~步驟S006的工序。
在亮點缺陷修正工序(步驟S030)中,首先,亮點缺陷修正裝置6會從檢查裝置90取得亮點缺陷的像素之位置資訊及形狀資訊(例如,位置、大小、形狀)(步驟S003)。
接著,依據所取得的形狀資訊,在運算部91運算照射超短脈衝雷射光4而形成的減光部1之形狀及位置資訊(例如,位置、大小、形狀)(步驟S004)。
接著,在控制裝置93的控制下,依據在運算部91運算而取得的減光部1之位置資訊,將亮點缺陷修正裝置6的高聚光透鏡8等光學系統進行對位。
接著,在控制裝置93的控制下,亮點缺陷修正裝置6會將超短脈衝雷射光4之焦點F的位置調整成對準於第2玻璃基板GB2之內部的所期望之位置。焦點F的位置是依據例如成為亮點缺陷之原因的異物之大小或所測定的亮度值而調整。例如,如圖13所示,在第2玻璃基板GB2的內部中,調整成超短脈衝雷射光4的焦點F會對準於異物33的附近側。
接著,在控制裝置93的控制下,亮點缺陷修正裝置6會從超短脈衝雷射振盪機構7射出超短脈衝雷射光4。藉此,從超短脈衝雷射振盪機構7射出的超短脈衝雷射光4會藉由高聚光透鏡8而聚光於第2玻璃基板GB2之內部的焦點F來照射。
接著,在控制裝置93的控制下,將超短脈衝雷射光4的照射位置藉由移動裝置92移動,且連續地照射超短脈衝雷射光4,藉此形成最終掃描處各不相同之減光部1的複數層著色層2-1、2-2、2-3 (步驟S005),完成亮點缺陷修整工序(步驟S030)(步驟S006)。在步驟S005中,形成為著色層2-1、2-2、2-3之雷射光4的最終掃描部之位置各不相同。
依據本發明之第2實施形態的液晶顯示裝置LCD之製造方法,使用既存之檢查裝置的檢查是可行的,由於僅會將在檢查工序中發現缺陷的裝置送往修正工序,所以具有不會對整體之工序產距造成影響的優點。 (變形例)
圖12是作為第2實施形態之變形例,顯示亮點缺陷之其他修正方法的流程圖。
首先,在檢查裝置90中,使顯示裝置亮燈(步驟S007),檢測亮點缺陷(步驟S008)。檢查裝置90與步驟S002同樣地,會檢測被測定出亮度超出閾值的像素作為亮點缺陷部133(像素缺陷部)。檢查裝置會將作為亮點缺陷部133所檢測出的像素之位置資訊輸出到亮點缺陷修正裝置6。亮點缺陷部133的檢測亦可藉由作業者的目視來進行。當檢測出亮點缺陷部133後,即轉移至亮點缺陷修正工序(步驟S040)。未檢測出亮點缺陷部133時,即結束此流程。
亮點缺陷修正工序(步驟S040)包含步驟S009~步驟S013。
在亮點缺陷修正工序(步驟S040)中,首先,亮點缺陷修正裝置6會從檢查裝置取得亮點缺陷的像素之位置資訊及形狀資訊(例如,位置、大小、形狀)(步驟S009)。
接著,依據所取得的形狀資訊,在運算部91運算照射超短脈衝雷射光4而形成的減光部1之形狀及位置資訊(例如,位置、大小、形狀)(步驟S010)。
接著,在控制裝置93的控制下,依據在運算部91運算而取得的減光部1之位置資訊,將亮點缺陷修正裝置6的高聚光透鏡8等光學系統進行對位。
接著,在控制裝置93的控制下,亮點缺陷修正裝置6會將超短脈衝雷射光4的焦點F的位置調整成對準於第2玻璃基板GB2之內部的所期望之位置。焦點F的位置是依據例如,成為亮點缺陷之原因的異物之大小或所測定的亮度值而調整。例如,如圖13所示,在第2玻璃基板GB2的內部中,調整成高能量光束之超短脈衝雷射光4的焦點F會對準於異物33的附近側。
接著,在控制裝置93的控制下,亮點缺陷修正裝置6會從超短脈衝雷射振盪機構7射出超短脈衝雷射光4。藉此,從超短脈衝雷射振盪機構7射出的超短脈衝雷射光4會藉由高聚光透鏡8而聚光於第2玻璃基板GB2之內部的焦點F來照射。
接著,在控制裝置93的控制下,將超短脈衝雷射光4的照射位置藉由移動裝置92移動,且連續地照射超短脈衝雷射光4,藉此形成最終掃描位置彼此各不相同之複數層著色層2-1、2-2、2-3 (步驟S011)。
在形成複數層著色層2-1、2-2、2-3後,在控制裝置93的控制下,再度進行亮燈檢查(步驟S012),確認亮點缺陷已消失,進而完成亮點缺陷修正工序(步驟S040)(步驟S013)。
在控制裝置93的控制下,在第2次以後的亮燈檢查工序中檢測出亮點缺陷的情形下,返回到步驟S009,再度進行亮點缺陷修正(從步驟S009至S011)。在第2次以後的亮點缺陷修正中,形狀、大小、或層數亦可與第1次所形成之減光部1-1不同。
依據此變形例,藉由在修正後進行再度檢查,能夠確認修正是否已充分進行、是否因著色而形成黑點不良化。
如此,在第2實施形態或其變形例之亮點缺陷修正工序(步驟S030或S040)中,由於是藉由將焦點對焦於玻璃基板GB來照射高能量光束,而使玻璃材料著色,因此不會造成玻璃基板本身的形狀變化。不會有例如,玻璃基板GB的內部或表面被破壞而使外形變化之情形。因此,可以在例如TFT基板SUB1及CF基板SUB2上已形成有偏光板POL1、POL2的狀態下,亦即在顯示面板DP完成後,執行前述亮點缺陷修正工序(步驟S030或S040)。又,由於減光部1與玻璃基板GB是由相同材料構成,所以也不會有折射率變化之情形。
以上,雖然說明了本發明之複數個實施形態,但本發明並非限定於前述各實施形態,在不脫離本發明的宗旨之範圍內,本發明所屬技術區域中具有通常知識者從前述各實施形態中進行了適宜變更的形態也包含於本發明的技術範圍中。
又,藉由將前述各種實施形態或變形例之中的任意之實施形態或變形例適宜組合,能夠發揮各自所具有之效果。又,實施形態彼此之組合或實施例彼此之組合或實施形態與實施例之組合皆是可能的,並且不同之實施形態或實施例中的特徵彼此之組合也是可能的。 産業上之可利用性
本發明之前述態樣的顯示裝置及其製造方法能夠抑制起因於亮點缺陷之顯示品質的降低,尤其是對內建顯示裝置的液晶顯示器或有機EL平板顯示器是有用的,且能夠廣泛地利用在有要求高亮度及高精細及畫質均一性的顯示器之顯示裝置及其製造方法以及製造裝置等、及具有顯示裝置之電氣機器或裝置上。
AF‧‧‧配向膜BM‧‧‧黑色矩陣CF‧‧‧濾色片CIT‧‧‧共通電極CONT‧‧‧接觸孔DL‧‧‧資料線DM‧‧‧汲極電極DP‧‧‧顯示面板GB、GB1、GB2‧‧‧玻璃基板GSN‧‧‧閘極絕緣膜GL‧‧‧閘極線LC‧‧‧液晶層LCD‧‧‧液晶顯示裝置OC‧‧‧塗覆層PAS‧‧‧絕緣膜PIT‧‧‧像素電極POL1、POL2‧‧‧偏光板SEM‧‧‧半導體層SM‧‧‧源極電極SUB1‧‧‧TFT基板SUB2‧‧‧CF基板TFT‧‧‧薄膜電晶體UPAS‧‧‧上層絕緣膜1‧‧‧減光部2‧‧‧著色層2-1、2-2、2-3‧‧‧第1、第2、第3著色層3‧‧‧空隙層4‧‧‧超短脈衝雷射光5‧‧‧折射率變化層6‧‧‧亮點缺陷修正裝置7‧‧‧超短脈衝雷射振盪機構8‧‧‧高聚光透鏡9、9-1、9-2、9-3‧‧‧漏光部10、10-1、10-2、10-3‧‧‧遮光部30‧‧‧資料線驅動電路31‧‧‧閘極線驅動電路32‧‧‧開口部33‧‧‧異物(混入物)34‧‧‧背光光線70‧‧‧(空隙)形成區域71‧‧‧溶融區域72‧‧‧著色區域90‧‧‧檢查裝置91‧‧‧運算部92‧‧‧移動裝置93‧‧‧控制裝置95‧‧‧顯示裝置之製造裝置133‧‧‧亮點缺陷部134‧‧‧背光照明F‧‧‧焦點P‧‧‧像素S001~S013、S030、S040‧‧‧步驟
圖1是顯示本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置之整體構成的圖。 圖2是顯示圖1的液晶顯示裝置之顯示面板的一部分之構成的平面圖。 圖3是以圖2之A1-A2線切斷而成的切斷部之端視圖。 圖4是示意地顯示在圖1的液晶顯示裝置中的亮點缺陷之一例的截面圖。 圖5是顯示在第1實施形態的液晶顯示裝置中,具有減光部的像素之構成的截面圖。 圖6是玻璃内部加工時的焦點之附近的示意圖。 圖7是顯示將在玻璃内部進行了直線加工者以平面來看的圖像之圖。 圖8是顯示觀看圖7之直線加工的截面之圖像的圖。 圖9(a)及(b)分別是顯示排列直線加工而進行正方形的面加工時之掃描方向的圖及將加工痕以平面來看的圖像之圖。 圖10是顯示本發明之第1實施形態的減光部之形成模式之一例、以及將在相異的掃描方向上進行了漩渦加工時之加工痕以平面來看的圖像之圖。 圖11A是顯示在第2實施形態的液晶顯示裝置中,亮點缺陷之修正方法的流程圖。 圖11B是能夠實施亮點缺陷之修正方法的顯示裝置之製造裝置的方塊圖。 圖12是顯示在第2實施形態的變形例之液晶顯示裝置中,亮點缺陷之修正方法的流程圖。 圖13是顯示第2實施形態之液晶顯示裝置的製造裝置之構成的示意圖。
2-1、2-2、2-3‧‧‧第1、第2、第3著色層
9-1、9-2、9-3‧‧‧漏光部
10-1、10-2、10-3‧‧‧遮光部

Claims (6)

  1. 一種顯示裝置,是具備第1玻璃基板、及與前述第1玻璃基板相對向且位於顯示面側之第2玻璃基板的顯示裝置,僅在前述第1玻璃基板及前述第2玻璃基板之至少一者的內部中,具有從前述顯示面側來看會覆蓋亮點缺陷部的減光部,前述減光部包含:可見光之穿透率在中心部比外周部高的第1著色層、及可見光之穿透率在外周部比中心部高的第2著色層,前述第1著色層與前述第2著色層配置在厚度方向上相異的位置,且,配置成從前述顯示面側來看彼此的中心部會重疊。
  2. 如請求項1之顯示裝置,其中前述第1著色層與前述第2著色層以平面來看,各自為圓形、或橢圓形、圓角的多角形、卵形狀、或八角形以上的多角形狀。
  3. 如請求項1之顯示裝置,其中前述第2著色層位於比前述第1著色層更靠近前述顯示面側的位置。
  4. 如請求項1之顯示裝置,其中前述第2著色層的外形與前述第1著色層的外形相比,尺寸較小。
  5. 如請求項1至4中任一項之顯示裝置,其中前述第1著色層之前述中心部的可見光穿透率為60%以上,前述外周部的可見光穿透率為0%以上、50%以下。
  6. 一種顯示裝置之製造方法,是具備第1玻 璃基板、及與前述第1玻璃基板相對向且位於顯示面側之第2玻璃基板的顯示裝置之製造方法,具有:檢查檢測工序,進行前述顯示裝置的亮燈檢查來檢測像素的亮點缺陷部;及照射工序,照射雷射光,使其聚光於前述第1或第2玻璃基板的內部,覆蓋前述亮點缺陷部,從而僅在前述第1玻璃基板及前述第2玻璃基板之至少一者的內部中,形成可見光之穿透率在中心部比外周部高的第1著色層、及可見光之穿透率在外周部比中心部高的第2著色層,而構成從前述顯示面側來看會覆蓋前述亮點缺陷部的減光部,且,該等著色層是配置成各最終掃描部之漏光成為相異的位置且從前述顯示面側來看彼此的中心部會重疊,並且配置在厚度方向上彼此相異的位置,在前述照射工序所照射之前述雷射光是波長為100nm以上且10000nm以下,脈衝寬度為1飛秒以上、100皮秒以下,脈衝能量為1μJ以上、20μJ以下,且,是由NA為0.3以上、0.9以下之透鏡所聚光。
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