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TWI720080B - 封裝晶圓之加工方法 - Google Patents

封裝晶圓之加工方法 Download PDF

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TWI720080B
TWI720080B TW105140461A TW105140461A TWI720080B TW I720080 B TWI720080 B TW I720080B TW 105140461 A TW105140461 A TW 105140461A TW 105140461 A TW105140461 A TW 105140461A TW I720080 B TWI720080 B TW I720080B
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wafer
planned dividing
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TW105140461A
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Inventor
田中誠
陸昕
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
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Abstract

本發明係一種封裝晶圓的加工方法，其課題為提供：對於在加工所露出之鍵圖案少之封裝晶圓時，亦可適當地補正對於分割預定線而言之雷射光線照射單元的位置之封裝晶圓的加工方法。

解決手段為封裝晶圓(11)的加工方法，包含：反覆經由該雷射光線照射單元(38)之分割預定線(15)之加工，與以對應於分割預定線之間隔之指標輸送量a之指標輸送，將沿著分割預定線之加工溝(25)，形成於封裝晶圓之加工步驟，和在該加工步驟之途中，攝影形成在外周部所露出之加工溝之前的分割預定線與加工溝而求取分割預定線與加工溝距離b，使用相當於指標輸送量a與距離b的差a-b之偏移量而算出補正用之指標輸送量c的補正步驟。

Description

封裝晶圓之加工方法
本發明係有關以樹脂而封閉表面側的封裝晶圓之加工方法。
以樹脂而封閉半導體晶圓或陶瓷基板等之表面側的封裝晶圓係例如，由以具備為了照射雷射光線的雷射光線照射單元之加工裝置(雷射加工裝置)所加工，加以分割成複數之封裝裝置。對於以如此之加工裝置而加工封裝晶圓之前，對於加工裝置而言，必須實施辨識封裝晶圓之位置或方向的調整。
在調整中，首先，以攝影單元而攝影未由封裝晶圓的樹脂所被覆之範圍，找出吻合於記憶於加工裝置之特徵的鍵圖案(目標圖案)之圖案。接著，將所找出之圖案為基準，調整封裝晶圓之方向，依據記憶於加工裝置之分割預定線(切割道)與鍵圖案之距離而特定實際之分割預定線的位置。
之後，由將所特定之位置為基準而照射雷射光線者，可沿著對象的分割預定線而加工封裝晶圓。對於 加工裝置，係同時加以記憶鄰接之2條的分割預定線之間隔(距離)，對於在沿著對象之分割預定線而加工封裝晶圓之後，因應此間隔而相對性地使雷射光線照射單元與封裝晶圓移動(指標輸送)。
經由此，對於鄰接之分割預定線配合雷射光線照射單元，可沿著此分割預定線而加工封裝晶圓。與雷射光線的照射相對性移動(指標輸送)係封裝晶圓則至沿著所有的分割預定線而進行加工為止，加以反覆持續。
但在進行如上述封裝晶圓的加工過程中，由存在於加工裝置內的誤差或在加工中所產生的熱等之影響，有自分割預定線的寬度方向之中央，雷射光線照射單元之位置產生偏移情況。因此，加以提案有依據經由加工所形成之加工溝(刻口)與上述之鍵圖案的距離而補正雷射光線照射單元的位置之方法(例如，參照專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2012-28635號公報
但對於在加工所露出之鍵圖案少之封裝晶圓時，未必無法以上述的方法，適當地補正對於分割預定線而言之雷射光線照射單元的位置。本發明係有鑑於有關的 問題點所作為之構成，作為其目的係提供：對於在加工所露出之鍵圖案少之封裝晶圓時，亦可適當地補正對於分割預定線而言之雷射光線照射單元的位置之封裝晶圓的加工方法。
如根據本發明之一形態，加以提供：使用具備於經由形成於表面進行交叉之複數的分割預定線所區劃之範圍，形成有具有鍵圖案之裝置，保持以樹脂加以封閉除了表面外周部之範圍的封裝晶圓之可旋轉的保持平台，和對於保持於該保持平台之封裝晶圓而言，照射具有吸收性之波長的脈衝雷射光線的雷射光線單元，和相對性地加工輸送該保持平台與該雷射光線照射單元於X軸方向之加工輸送機構，和相對性地將該保持平台與該脈衝雷射光線照射單元指標輸送於垂直於X軸方向之Y軸方向的指標輸送機購，和攝影封裝晶圓之欲加工範圍而檢出之攝影單元，和控制各構成要素的控制單元之使用加工裝置，加工封裝晶圓之封裝晶圓之加工方法，其特徵為具備：經由該攝影單元而攝影保持於該保持平台之封裝晶圓之欲加工範圍，將該分割預定線之方向，平行地調整於該加工輸送方向之校準步驟，和在該校準步驟之後，反覆經由該雷射光線照射單元之該分割預定線之加工，與以對應於該分割預定線之間隔之指標輸送量a之指標輸送，將沿著該分割預定線之加工溝，形成於封裝晶圓之加工步驟，和在該加工 途中，攝影形成在該外周部所露出之該加工溝之前的該分割預定線與該加工溝而求取該分割預定線與該加工溝距離b，使用相當於該指標輸送量a與該距離b的差a-b之偏移量而算出補正用之指標輸送量c的補正步驟之封裝晶圓的加工方法。
在本發明之一形態中，在該補正步驟中，攝影形成於該樹脂之該加工溝亦可。
在有關本發明之一形態之封裝晶圓之加工方法中，因攝影形成在外周部所露出之加工溝之前的分割預定線與加工溝而求取其距離b，使用相當於該指標輸送量a與該距離b的差a-b之偏移量而算出補正用之指標輸送量c之故，無須在此補正步驟使用鍵圖案。
因而，對於在加工所露出之鍵圖案少之封裝晶圓時，亦可適當地補正對於分割預定線而言之雷射光線照射單元的位置。另外，因將實際之指標輸送量之距離b，以未藉由鍵圖案而攝影分割預定線之附近等之方法直接進行測定之故，可以高精確度更確實地補正對於分割預定線而言之雷射光線照射單元的位置。
如此，如根據有關本發明之一形態的封裝晶圓的加工方法，對於在加工所露出之鍵圖案少之封裝晶圓時，亦可適當地補正對於分割預定線而言之雷射光線照射單元的位置。
11‧‧‧封裝晶圓
13‧‧‧晶圓
13a‧‧‧表面
13b‧‧‧背面
15‧‧‧分割預定線(切割道)
15a‧‧‧第1分割預定線
15b‧‧‧第2分割預定線
17‧‧‧裝置
19‧‧‧鍵圖案(目標圖案)
21‧‧‧樹脂
23‧‧‧電極
25‧‧‧加工溝
31‧‧‧切割膠帶(黏著膠帶)
33‧‧‧框體
2‧‧‧加工裝置(雷射加工裝置)
4‧‧‧基台
4a‧‧‧突出部
6‧‧‧支持構造
6a‧‧‧支持臂
8‧‧‧卡匣升降機
10‧‧‧卡匣
12‧‧‧暫時放置機構
12a，12b‧‧‧導軌
14‧‧‧搬送機構(搬送手段)
16‧‧‧移動機構(加工輸送機構，指標輸送機構)
18‧‧‧Y軸導軌
20‧‧‧Y軸移動平台
22‧‧‧Y軸滾珠螺桿
24‧‧‧Y軸脈衝馬達
26‧‧‧X軸導軌
28‧‧‧X軸移動平台
30‧‧‧X軸滾珠螺桿
32‧‧‧平台基座
34‧‧‧保持平台(夾盤)
34a‧‧‧保持面
36‧‧‧夾鉗
38‧‧‧雷射光線照射單元
40‧‧‧攝影機(攝影單元)
42‧‧‧洗淨單元
44‧‧‧旋轉平台
46‧‧‧噴射噴嘴
48‧‧‧控制單元
圖1係模式性地顯示加以實施有關本實施形態之封裝晶圓之加工方法的加工裝置之構成例的斜視圖。
圖2(A)係模式性地顯示封裝晶圓的構成例的斜視圖，而圖2(B)係模式性地顯示使封裝晶圓支持於環狀之框體樣子之斜視圖。
圖3(A)係模式性地顯示校準步驟之後的封裝晶圓的狀態之平面圖，而圖3(B)係模式性地顯示在加工步驟，加以照射雷射光線於封裝晶圓之樣子的一部份剖面側面圖。
圖4係為了說明補正步驟之平面圖。
圖5(A)係顯示攝影包含形成在外周部所露出之加工溝之前的第1分割預定線之範圍而加以形成之攝影畫像的圖，而圖5(B)係顯示攝影包含加工溝之範圍所形成之攝影畫像的圖。
參照附加圖面，對於有關本發明之一形態之實施形態加以說明。有關本實施形態之封裝晶圓的加工方法係包含校準步驟(參照圖3(A))，加工步驟(參照圖3(B))，及補正步驟(參照圖4)。
在校準步驟中，攝影封裝晶圓之欲加工範 圍，將分割預定線(切割道)之方向，平行地調整為X軸方向(加工傳送方向)。在加工步驟中，由雷射光線照射單元而加工封裝晶圓，形成沿著分割預定線之加工溝。
在補正步驟中，依據形成在外周部所露出之加工溝之前的分割預定線與加工溝之距離，算出為了補正對於分割預定線而言之雷射光線照射單元的位置之補正用的指標輸送量。然而，此補正步驟係在加工步驟中之任意的時間加以實施。以下，對於有關本實施形態之封裝晶圓之加工方法加以說明。
首先，對於加以實施有關本實施形態之封裝晶圓的加工方法之加工裝置加以說明。圖1係模式性地顯示加工裝置之構成例的斜視圖。如圖1所示，加工裝置(雷射加工裝置)2係具備支持各構造之基台4。對於基台4之後端部，係加以設置延伸存在於Z軸方向(垂直方向，高度方向)之支持構造6。
對於自支持構造6遠離之基台4的前方之角部，係加以設置有突出於上方之突出部4a。對於突出部4a之內部係形成有空間，而對於此空間係加以設置有升降可能之卡匣升降機8對於卡匣升降機8之上面係加以載置有可收容複數之封裝晶圓11之卡匣10。
圖2(A)係模式性地顯示封裝晶圓11的構成例的斜視圖，而圖2(B)係模式性地顯示使封裝晶圓11支持於環狀之框體樣子之斜視圖。
如圖2(A)及圖2(B)所示，封裝晶圓11係含有矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰(LiTaO3)、鈮酸鋰(LiNbO3)、碳化矽(SiC)、藍寶石(Al2O3)等之材料所成之圓盤狀的晶圓13。
晶圓13之表面13a係以相互交叉之複數的分割預定線(切割道)15區劃成複數之範圍，而對於各範圍係加以形成有IC、SAW濾光片，LED等之裝置17。另外，對於各裝置17係含有特徵形狀之鍵圖案(目標圖案)19。即，對於晶圓13之表面13a係加以配列複數之鍵圖案19。
分割預定線15係包含延伸於第1方向之複數的第1分割預定線15a，和延伸於垂直在第1方向的第2方向之複數的第2分割預定線15b。鄰接之2條的第1分割預定線15a之間隔，及鄰接之2條的第2分割預定線15b之間隔係各大致為一定。
除了晶圓13之表面13a的周緣附近(外周部)之範圍(中央部)係由樹脂21而加以封閉，而對於此範圍(中央部)係未露出有分割預定線15，裝置17，及鍵圖案19。對此，表面13a的周緣附近(外周部)係未由樹脂21而加以被覆，而露出有分割預定線15，裝置17，及鍵圖案19之一部分。然而，對於對應於樹脂21上面的各裝置17之位置，係加以配置有由焊錫等之材料所形成之複數的電極23。
如圖2(B)所示，對於封裝晶圓11之下面側(晶圓13之背面13b側)，係加以貼上較封裝晶圓11 (晶圓13)口徑大之切割膠帶(黏著膠帶)31。另外，對於切割膠帶31之外周部係加以固定有環狀的框體33。經由此，封裝晶圓11係藉由切割膠帶31而加以支持於環狀的框體33。
在加工裝置2中，對於鄰接於突出部4a之位置，係加以設置有為了暫時放置封裝晶圓11之暫時放置機構12。暫時放置機構12係包含維持平行於Y軸方向(加工裝置2之指標輸送方向)之狀態的同時，加以接近，隔離之一對的導軌12a，12b。
各導軌12a，12b係具備支持封裝晶圓11(框體33)之支持面，和大致垂直於支持面的側面，將經由搬送機構(搬送手段)14而自卡匣10加以導出之封裝晶圓11(框體33)，在X軸方向(加工輸送方向)中而夾入而配合特定的位置。
對於基台4之中央，係加以設置有移動機構(加工輸送機構，指標輸送機構)16。移動機構16係具備加以配置於基台4之上面而平行於Y軸方向之一對的Y軸導軌18。對於Y軸導軌18係可滑動地加以安裝Y軸移動平台20。
對於Y軸移動平台20之背面側(下面側)，係加以設置有螺母部(未圖示)，而對於此螺母部係加以栓合平行於Y軸導軌18之Y軸滾珠螺桿22。對於Y軸滾珠螺桿22之一端部，係加以連結有Y軸脈衝馬達24。如由Y軸脈衝馬達24而使Y軸滾珠螺桿22旋轉，Y軸移動平台20係沿著Y軸導軌18而移動於Y軸方向。
對於Y軸移動平台20之表面(上面)，係加以設置平行於X軸方向之一對的X軸導軌26。對於X軸導軌26係可滑動地加以安裝X軸移動平台28。
對於X軸移動平台28之背面側(下面側)，係加以設置有螺母部(未圖示)，而對於此螺母部係加以栓合平行於X軸導軌26之X軸滾珠螺桿30。對於X軸滾珠螺桿30之一端部，係加以連結有X軸脈衝馬達(未圖示)。如由X軸脈衝馬達而使X軸滾珠螺桿30旋轉，X軸移動平台28係沿著X軸導軌26而移動於X軸方向。
對於X軸移動平台28之表面側(上面側)係加以設置有平台基座32。對於平台基座32之上部，係加以配置有吸引，保持封裝晶圓11之保持平台(夾盤)34。對於保持平台34之周圍，係加以設置自四方固定支持封裝晶圓11之環狀的框體33之4個之夾鉗36。
保持平台34係加以連結於馬達等之旋轉驅動源(未圖示)，而旋轉於大概平行於Z軸方向(垂直方向，高度方向)之旋轉軸周圍。如以上述之移動機構16而使X軸移動平台28移動於X軸方向時，保持平台34係加以加工輸送至X軸方向。另外，如以移動機構16而使Y軸移動平台20移動於Y軸方向時，保持平台34係加以指標輸送至Y軸方向。
保持平台34之上面係成為保持封裝晶圓11 之保持面34a。此保持面34a係對於X軸方向及Y軸方向而言大致形成為平行，通過加以形成於保持平台34或平台基座32內部之流路(未圖示)等而加以連接於吸引源(未圖示)。
對於支持構造6係加以設置有自表面(前面)突出之支持臂6a，而對於此支持臂6a之前端部，係加以配置有朝向下方而照射雷射光線的雷射光線照射單元38。另外，對於鄰接於雷射光線照射單元38之位置，係加以設置攝影封裝晶圓11之上面側(表面13a側)的相機(攝影單元)40。
雷射光線照射單元38係具備對於封裝晶圓11而言，脈衝振盪顯示吸收性波長之雷射光線的雷射振盪器(未圖示)。例如，對於封裝晶圓11則包含由矽等之半導體材料所成之晶圓13之情況，可利用使用Nd：YAG等之雷射媒介而脈衝振盪波長為355nm雷射光線的雷射振盪器等。
另外，雷射光線照射單元38係具備：將自雷射振盪器加以振盪之雷射光線(脈衝雷射光線)進行集光之集光器(未圖示)，而對於保持於保持平台34之封裝晶圓11而言，將此雷射光線，進行照射，集光。由雷射光線照射單元38而照射雷射光線同時，由使保持平台34加工輸送至X軸方向者，可將封裝晶圓11沿著X軸方向進行雷射加工(燒蝕加工)而形成加工溝。
加工後之封裝晶圓11係例如，經由搬送機構 14而自保持平台34，加以搬送至洗淨單元42。洗淨單元42係具備：在筒狀的洗淨空間內，吸引，保持封裝晶圓11之旋轉平台44。對於旋轉平台44之下部，係加以連結以特定的速度而使旋轉平台44旋轉之旋轉驅動源(未圖示)。
對於旋轉平台44之上方，係加以配置朝向於封裝晶圓11而噴射洗淨用的流體(代表而言，混合水與空氣之雙流體)之噴射噴嘴46。使保持封裝晶圓11之旋轉平台44旋轉，由自噴射噴嘴46噴射洗淨用的流體者，可洗淨封裝晶圓11。有洗淨單元42所洗淨之封裝晶圓11係例如，由搬送機構14而加以載置於暫時放置機構12，再加以收容於卡匣10。
搬送機構14，移動機構16，保持平台34，雷射光線照射單元38，攝影機40等之構成要素係各加以連接於控制單元48。此控制單元48係配合對於封裝晶圓11之加工必要之一連串的工程，而控制上述之各構成要素。
接著，說明在上述之加工裝置2所實施之封裝晶圓的加工方法。再有關本實施形態之封裝晶圓的加工方法中，首先，實施分割預定線15之方向則對於X軸方向而言呈成為平行地，調整封裝晶圓11之方向的校準步驟。
具體而言，首先，由搬送機構14而搬送加工對象的封裝晶圓11，樹脂21側(表面13a側)則呈露出於上方地，加以載置於保持平台34。接著，使吸引源之 負壓作用，使封裝晶圓11吸引，保持於保持平台34。
使封裝晶圓11吸引，保持於保持平台14之後，由攝影機40而攝影封裝晶圓11之上面側(表面13a側)。接著，依據欲先登錄之鍵圖案19的座標資訊，和經由攝影而加以形成之封裝晶圓11的畫像(攝影畫像)，例如，對應於特定之分割預定線15，檢出在封裝晶圓11之外周部(周緣附近)露出之任意的鍵圖案19。
鍵圖案19之檢出係以對於所登錄之鍵圖案19之形狀而言，找出相關高之形狀的圖形匹配等方法而加以進行。然而，封裝晶圓11係經由搬送機構14，在特定容許誤差範圍內之位置及方向而加以載置於保持平台34。因而，由攝影所登錄之鍵圖案19之座標的附近而調查者，可短時間檢出對象之鍵圖案19。
接著，自攝影畫像而求取所檢出之鍵圖案19的實際座標，再依據此座標資訊，將分割預定線15之方向，對於X軸方向(加工輸送方向)而言，平行地進行調整。具體而言，依據所檢出之鍵圖案19之實際座標而設定適當的旋轉角度，使保持平台34旋轉。
圖3(A)係模式性地顯示校準步驟之後之封裝晶圓11的狀態之平面圖。然而，在圖3(A)中，省略封裝晶圓11等之構成要素的一部分。另外，在此第1分割預定線15a之方向則對於X軸方向而言，呈成為平行地調整封裝晶圓11之方向。
對於校準步驟之後，係沿著分割預定線15而 照射雷射光線(脈衝雷射光線)，實施加工封裝晶圓11之加工步驟。圖3(B)係模式性地顯示在加工步驟，加以照射雷射光線於封裝晶圓11之樣子的一部分剖面側面圖。
具體而言，首先，將雷射光線照射單元38則呈配置於對象之分割預定線15的延長線上地，使保持平台34，移動，旋轉。接著，自雷射光線照射單元38照射雷射光線L同時，將保持平台34加工輸送於X軸方向(將保持平台34與雷射光線照射單元38，相對性地加工輸送於X軸方向)。經由此，以雷射光線L加工(燒蝕加工)封裝晶圓11，而可形成沿著對象之分割預定線15之加工溝25。
對於形成加工溝25於對象之分割預定線15之後，將保持平台34指標輸送於Y軸方向(將保持平台34與雷射光線照射單元38，相對性地指標輸送於Y軸方向)，於鄰接之分割預定線15的延長線上，配置雷射光線照射單元38。
並且，照射雷射光線L同時，加工輸送保持平台34於X軸方向(將保持平台34與雷射光線照射單元38，相對性地加工輸送於X軸方向)，形成沿著此分割預定線15之加工溝25。在此加工步驟中，由反覆如此的動作者，加以形成沿著各分割預定線15之加工溝25。
在此，保持平台34之指標輸送量(移動機構(指標輸送機構)16之指標輸送量)a係使其對性於鄰接 之2條的分割預定線15之間隔。即，對於沿著上述之第1分割預定線15a而加工封裝晶圓11之情況，係加以設定對應於第1分割預定線15a之間隔的指標輸送量a。另外，對於沿著上述之第2分割預定線15b而加工封裝晶圓11之情況，係加以設定對應於第2分割預定線15b之間隔的指標輸送量a。
在此加工步驟之任意的時間，加以實施為了補正對於分割預定線15而言之雷射光線照射單元38的位置之補正步驟。圖4係為了說明補正步驟之平面圖。然而，在此，對於沿著第1分割預定線15a而形成加工溝25情況之補正步驟加以說明，但沿著第2分割預定線15b而形成加工溝25情況之補正步驟，亦可同樣地實施。
在補正步驟中，首先，以攝影機40而攝影封裝晶圓11之上面側(表面13a側)。具體而言，如圖4所示，攝影含有形成在外周部所露出之加工溝25之前的第1分割預定線15a之範圍A，和含有鄰接於此第1分割預定線15a之加工溝25的範圍B。圖5(A)係顯示攝影包含形成在外周部所露出之加工溝25之前的第1分割預定線15a之範圍A而加以形成之攝影畫像的圖，而圖5(B)係顯示攝影包含加工溝25之範圍B所形成之攝影畫像的圖。
對於攝影範圍A之後，依據圖5(A)所示之範圍A的攝影畫像，求取將第1分割預定線15a，2等分於寬度方向(Y軸方向)之中心座標y1。另外，對於攝影 範圍B之後，依據圖5(B)所示之範圍B的攝影畫像，求取將加工溝25，2等分於寬度方向(Y軸方向)之中心座標y2。然而，如上述，攝影含有第1分割預定線15a之範圍A而可直接求取中心座標y1之情況，係經由在近年的攝影機40之感度提升或控制軟體的進步結果為大。
之後，自第1分割預定線15a之中心座標y1與加工溝25之中心座標y2，求取第1分割預定線15a與加工溝25之距離b(=y1-y2)，而算出相當於與適當之指標輸送量a的差(a-b)之偏移量。並且，使用此偏移量而算出補正用之指標輸送量c。具體而言，例如，將對應於偏移量的差(a-b)加上於指標輸送量a，算出補正用之指標輸送量c(=a+(a-b)=2a-b)。
在此補正步驟之接下所進行之指標輸送中，加以使用所算出之補正用的指標輸送量c。經由此，將雷射光線照射單元38之位置，配合第1分割預定線15a之寬度方向的中心，而可維持高的封裝晶圓11之加工精確度。
然而，對於進行1次使用補正用的指標輸送量c之指標輸送之後，係返回至原本的指標輸送量a而持續封裝晶圓11之加工。即，使用補正用的指標輸送量c之指標輸送係對於1次的補正步驟而言，如進行1次即可。
如以上，在有關本實施形態之封裝晶圓之加工方法中，因攝影形成在外周部所露出之加工溝25之前 的分割預定線(切割道)15與加工溝25而求取其距離b，使用相當於指標輸送量a與距離b的差a-b之偏移量而算出補正用之指標輸送量c之故，無須在此補正步驟使用鍵圖案19。
因而，對於在加工所露出之鍵圖案19少之封裝晶圓11時，亦可適當地補正對於分割預定線15而言之雷射光線照射單元38的位置。另外，因將實際之指標輸送量之距離b，以未藉由鍵圖案19而攝影分割預定線15之附近等之方法直接進行測定之故，可以高精確度更確實地補正對於分割預定線15而言之雷射光線照射單元38的位置。
如此，如根據有關本實施形態的封裝晶圓的加工方法，對於在加工所露出之鍵圖案19少之封裝晶圓11時，亦可適當地補正對於分割預定線15而言之雷射光線照射單元38的位置。
然而，本發明係未加以限定於上述實施形態之記載，而可作種種變更而實施者。例如，在上述實施形態之校準步驟中，將延伸於第1方向之第1分割預定線15a，平行地調整於X軸方向，但亦可將此第1分割預定線15a，平行地調整於Y軸方向者。當然，亦可將延伸於第2方向之第2分割預定線15b，平行地調整於X軸方向，而將此第2分割預定線15b，平行地調整於Y軸方向亦可。
其他，有關上述實施形態之構造，方法等係 在不脫離本發明之目的範圍中，可作適宜變更而實施。
11‧‧‧封裝晶圓
13‧‧‧晶圓
13a‧‧‧表面
15‧‧‧分割預定線(切割道)
15a‧‧‧第1分割預定線
15b‧‧‧第2分割預定線
17‧‧‧裝置
19‧‧‧鍵圖案(目標圖案)
21‧‧‧樹脂
25‧‧‧加工溝

Claims (2)

  1. 一種封裝晶圓之加工方法，係使用具備：保持於經由形成於表面之進行交叉之複數的分割預定線所區劃之範圍，形成有具有鍵圖案之裝置，且以樹脂加以封閉除了表面外周部之範圍的封裝晶圓之可旋轉的保持平台，和對於保持於該保持平台之封裝晶圓而言，照射具有吸收性之波長的脈衝雷射光線的雷射光線照射單元，和相對性地加工輸送該保持平台與該雷射光線照射單元於X軸方向之加工輸送機構，和相對性地指標輸送該保持平台與該雷射光線照射單元於垂直於X軸方向之Y軸方向的指標輸送機構，和攝影封裝晶圓之欲加工範圍而檢出之攝影單元，和控制各構成要素的控制單元之加工裝置，加工封裝晶圓之封裝晶圓之加工方法，其特徵為具備：經由該攝影單元而攝影保持於該保持平台之封裝晶圓之欲加工範圍，將該分割預定線之方向，調整為和該加工輸送方向平行之校準步驟，和在該校準步驟之後，反覆經由該雷射光線照射單元所致之該分割預定線之加工，與以對應於該分割預定線之間隔之指標輸送量a之指標輸送，將沿著該分割預定線之加工溝，形成於封裝晶圓之加工步驟，和在該加工步驟之途中，攝影在該外周部所露出之形成該加工溝之前的該分割預定線與該加工溝而求取該分割預定線與該加工溝之距離b，使用相當於該指標輸送量a與該距離b的差a-b之偏移量而算出補正用之指標輸送量 c的補正步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之封裝晶圓的加工方法，其中，在該補正步驟中，攝影形成於該樹脂之該加工溝者。
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