TWI697060B - 封裝晶圓之加工方法 - Google Patents

Abstract

本發明係一種封裝晶圓之加工方法，其課題為提供提高保持加工的精確度之同時，可縮短對於加工所需之時間的封裝晶圓之加工方法。

解決手段為加工步驟係作成包含：以特定的時間而攝影檢出該加工溝(25)，和對應於加工溝之分割預定線(15)之最靠近之露出鍵圖案，將自加工溝至露出鍵圖案為止之距離，和自對應於在登錄步驟所登錄之加工溝的分割預定線至最靠近之鍵圖案(19)為止之距離的差，做為偏移量而測定之偏移量測定步驟，和因應偏移量而補正指標輸送機構之輸送量的補正步驟，和以在補正步驟所補正之輸送量而相對性地指標輸送保持平台(34)與雷射光線照射單元(38)之指標輸送步驟的構成。

Description

封裝晶圓之加工方法

本發明係有關以樹脂而封閉表面側的封裝晶圓之加工方法。

近年，加以注目以晶圓的狀態進行至封裝之WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)。在WL-CSP中，於形成於晶圓的裝置之表面側，設置再配線層及電極，以樹脂等加以封閉，再以雷射加工等之方法而分割封閉後之晶圓(WL-CSP基板)。此WL-CSP係所分割之晶片的尺寸則因直接成為封裝的尺寸之故，有助於封裝的小型化。

但，對於在雷射加工晶圓時，係通常，將裝置內之特徵的鍵圖案為基準，加以實施調整晶圓的位置，方向等之校準。另一方面，在上述之WL-CSP基板中，許多裝置則由樹脂等而加以被覆，而露出之鍵圖案係為少。因此，在以往的方法中，作業者則必須選定所使用之鍵圖案，而有對於校準需要長的時間之問題。

對於此問題，加以提案有：將露出於樹脂之 上面而作為電極發揮機能之焊錫球等，使用於目標圖案之方法(例如，參照專利文獻1)，或將在封裝晶圓之外周部露出之分割預定線與外周緣之交點做為基準之方法(例如，參照專利文獻2)等。如根據此等之方法，在如所露出之鍵圖案少之WL-CSP基板的封裝晶圓，亦可在短時間進行校準。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-171990號公報

[專利文獻2]日本特開2013-74021號公報

但對於在上述方法所使用之焊錫球的形狀，尺寸等係有個體差，另外，分割預定線與外周緣之交點係未必明確。因此，在上述的方法中，無法實現精確度高之校準，而有封裝晶圓之加工精確度變低之問題。

本發明係有鑑於有關之問題點而作為之構成，其目的係提供：保持高加工的精確度同時，可縮短對於加工所需之時間的封裝晶圓之加工方法。

如根據本發明之一形態，係加以提供：使用具備加以形成有於經由形成於表面之交叉的複數之分割預定線所劃分之範圍，具有鍵圖案之裝置，保持以樹脂而加以封閉除了表面之外周部的範圍之封裝晶圓之可旋轉之保持平台，和對於保持於該保持平台之封裝晶圓而言，照射具有吸收性之波長的脈衝雷射光線之雷射光線照射單元，和將該保持平台與該雷射光線照射單元，相對性地加工輸送至X軸方向之加工輸送機構，和將該保持平台與該雷射光線照射單元，相對性地指標輸送至垂直於X軸方向之Y軸方向之指標輸送機構，和攝影封裝晶圓之欲加工之範圍而檢出之攝影單元，和控制各構成要素之控制單元的加工裝置，將封裝晶圓進行加工之封裝晶圓之加工方法，其特徵為具備：將顯示該鍵圖案之位置的鍵圖案位置資訊，和顯示自該鍵圖案至最靠近之該分割預定線為止之距離資訊，和顯示鄰接之2條的分割預定線之間隔的間隔資訊，和顯示以該樹脂所封閉之樹脂封閉範圍之位置的樹脂封閉範圍位置資訊，登錄於該控制單元之同時，自該鍵圖案位置資訊，該距離資訊，該間隔資訊，及該樹脂封閉範圍位置資訊，算出露出在較該樹脂封閉範圍為外側的鍵圖案之露出鍵圖案的位置，而登錄於該控制單元之登錄步驟，和該登錄步驟之後，以該攝影單元而攝影保持於該保持平台之封裝晶圓之複數的露出鍵圖案而檢出，使用所檢出之該露出鍵圖案，將該分割預定線之方向，平行地調整於該X軸方向之校準步驟，和該校準步驟之後，將保持於該保持 平台之封裝晶圓，沿著該分割預定線而在該雷射光線照射單元進行加工，於封裝晶圓形成加工溝之加工步驟；該加工步驟係包含：以特定的時間而攝影檢出該加工溝，和對應於該加工溝之該分割預定線之最靠近之該露出鍵圖案，將自該加工溝至該露出鍵圖案為止之距離，和自對應於在該登錄步驟所登錄之該加工溝的該分割預定線至最靠近之該鍵圖案為止之距離的差，做為偏移量而測定之偏移量測定步驟，和因應該偏移量而補正該指標輸送機構之輸送量的補正步驟，和以在該補正步驟所補正之輸送量而相對性地指標輸送該保持平台與該雷射光線照射單元之指標輸送步驟的封裝晶圓之加工方法。

在本發明之一形態中，在該偏移量測定步驟中，攝影形成於該樹脂之該加工溝而檢出亦可。

在有關本發明之一形態之封裝晶圓之加工方法中，因利用露出在較封裝晶圓之樹脂封閉範圍為外側之範圍的露出鍵圖案，將分割預定線的方向，平行地調整於X軸方向之故，可以高精確度而校準封裝晶圓。

另外，因自顯示至少1個之鍵圖案的位置之鍵圖案位置資訊，和顯示自鍵圖案至最靠近之分割預定線為止之距離的距離資訊，和顯示鄰接之2條的分割預定線之間隔的間隔資訊，和顯示樹脂封閉範圍之位置的樹脂封閉範圍位置資訊，算出露出在較樹脂封閉範圍為外側的範 圍之露出鍵圖案的位置而使用於校準之故，與作業者則選定，找出所使用之鍵圖案之情況等做比較，可短時間地校準封裝晶圓。

更且，因利用露出鍵圖案而在加工步驟中補正指標輸送的輸送量(指標輸送機構的輸送量)之故，提高保持封裝晶圓之加工精確度。另外，因可適當地使用數量少之露出鍵圖案而補正指標輸送的輸送量之故，亦未有未看到鍵圖案等之錯誤而加工停止之情況。如此，如根據本發明之一形態，可提供提高保持加工的精確度之同時，可縮短對於加工所需之時間的封裝晶圓之加工方法。

11、11a、11b‧‧‧封裝晶圓

13‧‧‧晶圓

13a‧‧‧表面

13b‧‧‧背面

15、15c‧‧‧分割預定線(切割道)

15a、15a-1、15a-2‧‧‧第1分割預定線

15b‧‧‧第2分割預定線

17‧‧‧裝置

19、19a‧‧‧鍵圖案

19b、19d‧‧‧第1鍵圖案

19c、19e‧‧‧第2鍵圖案

21‧‧‧樹脂

23‧‧‧電極

25、25a‧‧‧加工溝

31‧‧‧切割膠帶(黏著膠帶)

33‧‧‧框體

2‧‧‧加工裝置

4‧‧‧基台

4a‧‧‧突出部

6‧‧‧支持構造

6a‧‧‧支持臂

8‧‧‧卡匣升降機

10‧‧‧卡匣

12‧‧‧暫時放置機構

12a、12b‧‧‧導軌

14‧‧‧搬送單元

16‧‧‧移動機構(加工輸送機構、指標輸送機構)

18‧‧‧Y軸導軌

20‧‧‧Y軸移動平台

22‧‧‧Y軸滾珠螺桿

24‧‧‧Y軸脈衝馬達

26‧‧‧X軸導軌

28‧‧‧X軸移動平台

30‧‧‧X軸滾珠螺桿

32‧‧‧平台基座

34‧‧‧保持平台(夾盤)

34a‧‧‧保持面

36‧‧‧夾鉗

38‧‧‧雷射光線照射單元

40‧‧‧攝影機(攝影單元)

42‧‧‧洗淨單元

44‧‧‧旋轉平台

46‧‧‧噴射噴嘴

48‧‧‧控制單元

圖1係模式性地顯示加以實施有關本實施形態之封裝晶圓之加工方法的加工裝置之構成例的斜視圖。

圖2(A)係模式性地顯示封裝晶圓的構成例的斜視圖，而圖2(B)係模式性地顯示使封裝晶圓支持於環狀之框體樣子之斜視圖。

圖3(A)係模式性地顯示校準步驟之後的封裝晶圓的狀態之平面圖，而圖3(B)係模式性地顯示在加工步驟，加以照射雷射光線於封裝晶圓之樣子的一部分剖面側面圖。

圖4係模式性地顯示偏移量測定步驟及補正步驟之平面圖。

圖5(A)，圖5(B)及圖5(C)係模式性地顯示使用各對應於不同之2條的分割預定線之2個鍵圖案的校準步驟之平面圖。

參照附加圖面，對於本發明之實施形態加以說明。有關本實施形態之封裝晶圓的加工方法係包含登錄步驟，校準步驟(參照圖3(A))，及加工步驟(參照圖3(B))。加工步驟係更包含偏移量測定步驟(參照圖4)，補正步驟(參照圖4)，及指標輸送步驟(補正指標輸送步驟)。

在登錄步驟中，依據成為加工對象之封裝晶圓的設計資訊等，將對於封裝晶圓的加工必要之各種資訊，登錄於加工裝置之控制單元。具體而言，登錄顯示鍵圖案的位置之鍵圖案位置資訊，和顯示自鍵圖案至最靠近之分割預定線(切割道)為止之距離的距離資訊，顯示鄰接之2條的分割預定線之間隔的間隔資訊，顯示以樹脂所封閉之樹脂封閉範圍的位置之樹脂封閉範圍位置資訊。更且，自此等資訊，算出露出在較樹脂封閉範圍為外側的範圍之鍵圖案(露出鍵圖案)的位置，而登錄於控制單元。

在校準步驟中，首先，在加工裝置之保持平台保持封裝晶圓，再依據攝影，檢出之露出鍵圖案，分割預定線的方向則呈對於X軸方向(加工輸送方向)而言成為平行地，調整封裝晶圓之方向。在加工步驟中，沿著分 割預定線而照射雷射光線，形成加工溝於封裝晶圓。

在偏移量測定步驟中，在任意的時間，攝影，檢出所形成之加工溝，和對應於此加工溝之分割預定線之最靠近的露出鍵圖案。並且，將自所檢出之加工溝至最靠近之露出鍵圖案為止之距離，和自對應於此加工溝之分割預定線至最靠近之鍵圖案為止之距離的差，作為指標輸送的偏移量而算出。然而，自分割預定線至最靠近之鍵圖案的距離係依據在登錄步驟所登錄之距離資訊而加以算出。

在補正步驟中，將相對性地移動照射雷射光線的雷射光線照射單元與保持平台於Y軸方向(指標輸送方向)之指標輸送的輸送量，因應所算出之偏移量而進行補正。在指標輸送步驟(補正指標輸送步驟)中，以在補正步驟所補正之輸送量而使雷射光線照射單元與保持平台進行相對性地移動(指標輸送)。然而，對於指標輸送步驟之後，以原本的輸送量(補正前的輸送量)而持續封裝晶圓的加工。以下，對於有關本實施形態之封裝晶圓之加工方法加以詳述。

首先，對於加以實施有關本實施形態之封裝晶圓的加工方法之加工裝置加以說明。圖1係模式性地顯示加以實施有關本實施形態之封裝晶圓之加工方法的加工裝置之構成例的斜視圖。如圖1所示，加工裝置(雷射加工裝置)2係具備支持各構造之基台4。對於基台4之後端部，係加以設置延伸存在於Z軸方向(垂直方向，高度 方向)之支持構造6。

對於自支持構造6遠離之基台4的前方之角部，係加以設置有突出於上方之突出部4a。對於突出部4a之內部係形成有空間，而對於此空間係加以設置有升降可能之卡匣升降機8。對於卡匣升降機8之上面係加以載置有可收容複數之封裝晶圓11之卡匣10。

圖2(A)係模式性地顯示封裝晶圓11的構成例的斜視圖，而圖2(B)係模式性地顯示使封裝晶圓11支持於環狀之框體樣子之斜視圖。

如圖2(A)及圖2(B)所示，封裝晶圓11係含有矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰(LiTaO₃)、鈮酸鋰(LiNbO₃)、碳化矽(SiC)、藍寶石(Al₂O₃)等之材料所成之圓盤狀的晶圓13。

晶圓13之表面13a係以相互交叉之複數的分割預定線(切割道)15區劃成複數之範圍，而對於各範圍係加以形成有IC、SAW濾光片，LED等之裝置17。另外，對於各裝置17係含有特徵形狀之鍵圖案19。即，對於晶圓13之表面13a係加以配列複數之鍵圖案19。

分割預定線15係包含延伸於第1方向之複數的第1分割預定線15a，和延伸於垂直在第1方向的第2方向之複數的第2分割預定線15b。鄰接之2條的第1分割預定線15a之間隔d1(參照圖3(A))，及鄰接之2條的第2分割預定線15b之間隔d2(參照圖3(A))係各大致為一定。然而，鄰接之2個鍵圖案19之間隔，亦 相等於鄰接之2條的分割預定線15之間隔，而成為間隔d1或間隔d2。

除了晶圓13之表面13a的周緣附近(外周部)之範圍(中央部)係由樹脂21而加以封閉，而對於此範圍係未露出有分割預定線15，裝置17，及鍵圖案19。對此，表面13a的周緣附近係未由樹脂21而加以被覆，而露出有分割預定線15，裝置17，及鍵圖案19之一部分。然而，對於對應於樹脂21上面的各裝置17之位置，係加以配置有由焊錫等之材料所形成之複數的電極23。

如圖2(B)所示，對於封裝晶圓11之背面側(晶圓13之背面13b側)，係加以貼上較封裝晶圓11(晶圓13)口徑大之切割膠帶(黏著膠帶)31。另外，對於切割膠帶31之外周部係加以固定有環狀的框體33。經由此，封裝晶圓11係藉由切割膠帶31而加以支持於環狀的框體33。

在加工裝置2中，對於鄰接於突出部4a之位置，係加以設置有為了暫時放置上述之封裝晶圓11之暫時放置機構12。暫時放置機構12係包含維持平行於Y軸方向(加工裝置2之指標輸送方向)之狀態的同時，加以接近，隔離之一對的導軌12a，12b。

各導軌12a，12b係具備支持封裝晶圓11(框體33)之支持面，和垂直於支持面的側面，將經由搬送機構14而自卡匣10加以導出之封裝晶圓11(框體 33)，在X軸方向(加工裝置2之加工輸送方向)中而夾入而配合特定的位置。

對於基台4之中央，係加以設置有移動機構(加工輸送機構，指標輸送機構)16。移動機構16係具備加以配置於基台4之上面而平行於Y軸方向之一對的Y軸導軌18。對於Y軸導軌18係可滑動地加以安裝Y軸移動平台20。

對於Y軸移動平台20之背面側(下面側)，係加以設置有螺母部(未圖示)，而對於此螺母部係加以栓合平行於Y軸導軌20之Y軸滾珠螺桿22。對於Y軸滾珠螺桿22之一端部，係加以連結有Y軸脈衝馬達24。如由Y軸脈衝馬達24而使Y軸滾珠螺桿22旋轉，Y軸移動平台20係沿著Y軸導軌18而移動於Y軸方向。

對於Y軸移動平台20之表面(上面)，係加以設置平行於X軸方向之一對的X軸導軌26。對於X軸導軌26係可滑動地加以安裝X軸移動平台28。

對於X軸移動平台28之背面側(下面側)，係加以設置有螺母部(未圖示)，而對於此螺母部係加以栓合平行於X軸導軌26之X軸滾珠螺桿30。對於X軸滾珠螺桿30之一端部，係加以連結有X軸脈衝馬達(未圖示)。如由X軸脈衝馬達而使X軸滾珠螺桿30旋轉，X軸移動平台28係沿著X軸導軌26而移動於X軸方向。

對於X軸移動平台28之表面側(上面側)係 加以設置有平台基座32。對於平台基座32之上部，係加以配置有吸引，保持封裝晶圓11之保持平台(夾盤)34。對於保持平台34之周圍，係加以設置自四方固定支持封裝晶圓11之環狀的框體33之4個之夾鉗36。

保持平台34係加以連結於馬達等之旋轉驅動源(未圖示)，而旋轉於大概平行於Z軸方向(垂直方向，高度方向)之旋轉軸周圍。如以上述之移動機構16而使X軸移動平台28移動於X軸方向時，保持平台34係加以加工輸送至X軸方向。另外，如以移動機構16而使Y軸移動平台20移動於Y軸方向時，保持平台34係加以指標輸送至Y軸方向。

保持平台34之上面係成為保持封裝晶圓11之保持面34a。此保持面34a係對於X軸方向及Y軸方向而言大致形成為平行，通過加以形成於保持平台34或平台基座32內部之流路(未圖示)等而加以連接於吸引源(未圖示)。

對於支持構造6係加以設置有自表面(前面)突出之支持臂6a，而對於此支持臂6a之前端部，係加以配置有朝向下方而照射雷射光線的雷射光線照射單元38。另外，對於鄰接於雷射光線照射單元38之位置，係加以設置攝影封裝晶圓11之上面側(表面13a側)的相機(攝影單元)40。

雷射光線照射單元38係具備對於封裝晶圓11而言，脈衝振盪顯示吸收性波長之雷射光線的雷射振盪器 (未圖示)。例如，對於封裝晶圓11則包含由矽等之半導體材料所成之晶圓13之情況，可利用使用Nd：YAG等之雷射媒介而脈衝振盪波長為355nm雷射光線的雷射振盪器等。

另外，雷射光線照射單元38係具備：將自雷射振盪器加以脈衝振盪之雷射光線(脈衝雷射光線)進行集光之集光器，而對於保持於保持平台34之封裝晶圓11而言，將此雷射光線，進行照射，集光。由雷射光線照射單元38而照射雷射光線同時，由使保持平台34加工輸送至X軸方向者，可將封裝晶圓11沿著X軸方向進行雷射加工(燒蝕加工)而形成加工溝。

加工後之封裝晶圓11係例如，經由搬送單元14而自保持平台34，加以搬送至洗淨單元42。洗淨單元42係具備：在筒狀的洗淨空間內，吸引，保持封裝晶圓11之旋轉平台44。對於旋轉平台44之下部，係加以連結以特定的速度而使旋轉平台44旋轉之旋轉驅動源(未圖示)。

對於旋轉平台44之上方，係加以配置朝向於封裝晶圓11而噴射洗淨用的流體(代表而言，混合水與空氣之雙流體)之噴射噴嘴46。使保持封裝晶圓11之旋轉平台44旋轉，由自噴射噴嘴46噴射洗淨用的流體者，可洗淨封裝晶圓11。由洗淨單元42所洗淨之封裝晶圓11係例如，由搬送單元14而加以載置於暫時放置機構12，再加以收容於卡匣10。

搬送單元14，移動機構16，保持平台34，雷射光線照射單元38，攝影機40等之構成要素係各加以連接於控制單元48。此控制單元48係配合對於封裝晶圓11之加工必要之一連串的工程，而控制上述之各構成要素。

接著，說明在上述之加工裝置2所實施之封裝晶圓的加工方法。在有關本實施形態之封裝晶圓的加工方法中，首先，實施將封裝晶圓11之加工必要之資訊登錄於控制單元48之登錄步驟。

具體而言，使顯示封裝晶圓11之鍵圖案19的位置之鍵圖案位置資訊，顯示自鍵圖案19至最靠近之分割預定線15(最靠近之第1分割預定線15a，及最靠近之第2分割預定線15b)之距離的距離資訊，顯示鄰接之2條分割預定線15之間隔的間隔資訊，及顯示由樹脂21所封閉之樹脂封閉範圍之位置的樹脂封閉範圍位置資訊，記憶於控制單元48之記憶體(未圖示)。

鍵圖案位置資訊係顯示鍵圖案19之位置的座標資訊。對於此鍵圖案位置資訊，係如包含有關於至少1個鍵圖案19之座標資訊即可。間隔資訊係相當於鄰接之2條的第1分割預定線15a之間隔d1，及鄰接之2條的第2分割預定線15b之間隔d2。

樹脂封閉範圍位置資訊係例如，顯示由樹脂21所被覆之樹脂封閉範圍的外緣之座標資訊。樹脂21係因使用金屬模具等而大致形成為全圓狀之故，亦可將關於樹脂21之直徑(或半徑)之資訊，作為樹脂封閉範圍位 置資訊而使用。鍵圖案位置資訊，距離資訊，間隔資訊，及樹脂封閉範圍位置資訊係由封裝晶圓11之設計資訊等而加以導出。

鍵圖案位置資訊，距離資訊，間隔資訊，及樹脂封閉範圍位置資訊則被記憶於記憶體時，控制單元48係依據此等資訊，算出露出在較樹脂封閉範圍為外側的範圍之鍵圖案19(露出鍵圖案)的位置。

具體而言，首先，自鍵圖案位置資訊，距離資訊，間隔資訊等，求取包含由樹脂21所被覆而未露出之鍵圖案19之所有的鍵圖案19之位置(座標資訊)。鍵圖案19係如上述，以間隔d1或間隔d2而規則性地加以配列。因而，控制單元48係可自鍵圖案位置資訊，距離資訊，間隔資訊等，求取所有的鍵圖案19之位置者。

對於在求取所有的鍵圖案19之位置之後，係判定各鍵圖案19之位置，則是否位於較顯示樹脂封閉範圍位置資訊之樹脂封閉範圍的外緣為外側。判定為位於較樹脂封閉範圍的外緣為外側之鍵圖案19的座標資訊係作為顯示未由樹脂21所被覆之鍵圖案19(露出鍵圖案)之位置的露出鍵圖案位置資訊，而加以記憶於控制單元48之記憶體。

對於在登錄步驟之後，係加以開始為了加工封裝晶圓11之一連串的工程。首先，使封裝晶圓11保持於保持平台34，分割預定線15之方向則呈對於X軸方向而言成為平行地，實施調整封裝晶圓11之方向的校準步 驟。

具體而言，首先，由搬送單元14而搬送加工對象的封裝晶圓11，樹脂21側(表面13a側)則呈露出於上方地，加以載置於保持平台34。接著，使吸引源之負壓作用，使封裝晶圓11吸引，保持於保持平台34。

使封裝晶圓11吸引，保持於保持平台34之後，由攝影機40而攝影封裝晶圓11之上面側(表面13a側)。接著，依據所形成之攝影畫像及露出鍵圖案位置資訊，例如，對應於特定之分割預定線15，檢出露出在封裝晶圓11之外周部的2個之鍵圖案19(露出鍵圖案)。

然而，封裝晶圓11係經由搬送單元14，在特定容許誤差範圍內之位置及方向而加以載置於保持平台34。因而，由攝影顯示有露出鍵圖案位置資訊的之座標的附近而調查者，可短時間檢出對象之鍵圖案19(露出鍵圖案)。

接著，自攝影畫像而算出所檢出之鍵圖案19的實際座標，再依據所算出之座標資訊，將分割預定線15之方向，對於X軸方向(加工輸送方向)而言，平行地進行調整。具體而言，依據所算出之鍵圖案19之實際座標而設定適當的旋轉角度，使保持平台34旋轉。圖3(A)係模式性地顯示校準步驟之後之封裝晶圓11的狀態之平面圖。然而，在圖3(A)中，省略封裝晶圓11等之構成要素的一部分。

對於校準步驟之後，係沿著分割預定線15而 照射雷射光線(脈衝雷射光線)，實施加工封裝晶圓11之加工步驟。圖3(B)係模式性地顯示在加工步驟，加以照射雷射光線於封裝晶圓11之樣子的一部分剖面側面圖。

具體而言，首先，將雷射光線照射單元38則呈配置於對象之分割預定線15的延長線上地，使保持平台34，移動，旋轉。接著，自雷射光線照射單元38照射雷射光線L之同時，將保持平台34加工輸送至X軸方向。經由此，以雷射光線L加工封裝晶圓11，而可形成沿著對象之分割預定線15之加工溝25。

對於形成加工溝25於對象之分割預定線15之後，將保持平台34指標輸送於Y軸方向，於鄰接之分割預定線15之延長線上，配置雷射光線照射單元38。並且，照射雷射光線L之同時，將保持平台34加工輸送至X軸方向，形成沿著此分割預定線15之加工溝25。在此加工步驟中，由反覆如此的動作者，加以形成沿著各分割預定線15之加工溝25。

在此，保持平台34之輸送量(指標輸送的輸送量，移動機構(指標輸送機構)16之輸送量)係使其對應於鄰接之2條的分割預定線15之間隔。即，對於沿著上述之第1分割預定線15a而加工封裝晶圓11之情況，係加以設定對應於間隔d1之輸送量。另外，對於沿著上述之第2分割預定線15b而加工封裝晶圓11之情況，係加以設定對應於間隔d2之輸送量。

但在上述之加工步驟中，由所產生的熱等之要因而實際的輸送量產生變動，以及封裝晶圓的樹脂產生伸縮，而有指標輸送後之雷射光線照射單元38之位置則自分割預定線15之延長線上偏移之情況。如此，雷射光線照射單元38之位置產生偏移時，成為無法維持封裝晶圓11之加工精確度。

因此，在有關本實施形態之封裝晶圓的加工方法中，在加工步驟之任意的時間，實施偏移量測定步驟及補正步驟，而補正指標輸送之輸送量(移動機構(指標輸送機構)16的輸送量)。經由此，在之後的指標輸送步驟中，以在補正步驟所補正之輸送量而指標輸送保持平台34，可維持封裝晶圓11之加工精確度。

圖4係模式性地顯示偏移量測定步驟及補正步驟之平面圖。在偏移量測定步驟中，首先，以攝影機40而攝影封裝晶圓11之上面側(表面13a側)。

接著，依據攝影畫像或露出鍵圖案位置資訊等，例如，檢出沿著任意的分割預定線15c所形成之加工溝25a，和對應於加工溝25a之分割預定線15c的最靠近之鍵圖案19a(露出鍵圖案)。

然而，在本實施形態中，係攝影檢出形成於樹脂21之加工溝25a(即，露出於樹脂21上之加工溝25a)，但亦可攝影檢出形成於晶圓13之周緣附近(外周部)的加工溝25a者。

更且，將自分割預定線15c至最靠近之鍵圖 案19a為止之距離d3，依據上述之距離資訊而加以算出。此距離d3係例如，自分割預定線15a之寬度方向的中心至最靠近之鍵圖案19a為止之距離。

另外，依據攝影畫像等，算出自加工溝25a至最靠近之鍵圖案19a(露出鍵圖案)為止之距離d4。此距離d4係例如，自加工溝25a之寬度方向的中心至最靠近之鍵圖案19a為止之距離。接著，算出距離d3與距離d4的差d3-d4(或d4-d3)，作為指標輸送的偏移量而使其記憶於記憶體。

在補正步驟中，將指標輸送的輸送量，因應上述之偏移量而加以補正。具體而言，對於既已加以設定的輸送量而言，減去(或加上)相當於上述之偏移量的補正量。補正後之輸送量係加以記憶於記憶體。

對於偏移量測定步驟及補正步驟之後，係實施指標輸送保持平台34之指標輸送步驟(補正指標輸送步驟)。在此指標輸送步驟中，以在補正步驟所補正之輸送量，指標輸送保持平台34。經由此，將雷射光線照射單元38，配合分割預定線15之寬度方向的中心，而可維持高的封裝晶圓11之加工精確度。

然而，對於指標輸送步驟之後，返回至原本的輸送量(補正前的輸送量)而持續封裝晶圓11的加工。即，使用補正後之輸送量的指標輸送(指標輸送步驟)係對於1次的偏移量測定步驟及補正步驟而言，如進行1次即可。

如以上，在有關本實施形態之封裝晶圓之加工方法中，因利用露出在較封裝晶圓11之樹脂封閉範圍為外側之範圍的鍵圖案19(露出鍵圖案)，將分割預定線15的方向，平行地調整於X軸方向之故，可以高精確度而校準封裝晶圓11。

另外，因自顯示至少1個之鍵圖案19的位置之鍵圖案位置資訊，和顯示自鍵圖案19至最靠近之分割預定線15為止之距離的距離資訊，和顯示鄰接之2條的分割預定線15之間隔的間隔資訊，和顯示樹脂封閉範圍之位置的樹脂封閉範圍位置資訊，算出露出在較樹脂封閉範圍為外側的範圍之鍵圖案19(露出鍵圖案)的位置而使用於校準之故，與作業者則選定，找出所使用之鍵圖案19之情況等做比較，可短時間地校準封裝晶圓11。

更且，因利用所露出之鍵圖案19(露出鍵圖案)而在加工步驟中補正指標輸送的輸送量(移動機構(指標輸送機構)16的輸送量)之故，提高保持封裝晶圓11之加工精確度。另外，因可適當地使用數量少之所露出之鍵圖案19(露出鍵圖案)而補正指標輸送的輸送量之故，亦未有未看到鍵圖案19等之錯誤而加工停止之情況。如此，如根據本實施形態，可提供提高保持加工的精確度之同時，可縮短對於加工所需之時間的封裝晶圓之加工方法。

然而，本發明係未加以限定於上述實施形態之記載，而可作種種變更而實施者。例如，在上述實施形 態之校準步驟中，使用對應於特定之分割預定線15之2個的鍵圖案19(露出鍵圖案)，但本發明係未加以限定於此形態。例如，亦可使用各對應於不同之2條的分割預定線15之2個的鍵圖案19(露出鍵圖案)。

圖5(A)，圖5(B)及圖5(C)係模式性地顯示使用各對應於不同之2條的分割預定線15之2個鍵圖案19的校準步驟之平面圖。在有關此變形例的校準步驟中，首先，由搬送單元14而搬送登錄用的封裝晶圓11a，樹脂21側(表面13a側)則呈露出於上方地，加以載置於保持平台34。接著，使吸引源之負壓作用，使封裝晶圓11a吸引，保持於保持平台34。

使封裝晶圓11a吸引，保持於保持平台34之後，由攝影機40而攝影封裝晶圓11a之上面側(表面13a側)。接著，依據所形成之攝影畫像，例如，延伸於第1方向之第1分割預定線15a則呈成為平行於X軸方向地，使保持平台34旋轉，調整封裝晶圓11a之方向。在此，保持平台34之旋轉角度(旋轉量)係經由運算子而加以調節。

對於調整封裝晶圓11a之方向之後，係在封裝晶圓11a之外周部中，選出對應於不同之2條的分割預定線15之露出的2個之鍵圖案19。如圖5(A)所示，選出對應於第1分割預定線15a-1之第1鍵圖案19b，和對應於第1分割預定線15a-2之第2鍵圖案19c。

並且，將第1鍵圖案19b之座標(X1， Y1)，和第2鍵圖案19c之座標(X2，Y2)，作為座標資訊而登錄於控制單元48。另外，算出第1鍵圖案19b之座標(X1，Y1)，和第2鍵圖案19c之座標(X2，Y2)之位置關係(△X(=X2-X1)，△Y(=Y2-Y1))，作為位置關係資訊而登錄於控制單元48。

然而，第1分割預定線15a-1至第1鍵圖案19b為止的距離，和第1分割預定線15a-2至第2鍵圖案19c為止之距離係同時為d5。經由以上，可將對於校準(封裝晶圓11之方向的調整)必要之座標資訊及位置關係資訊，登錄於加工裝置2。

作為第1鍵圖案19b及第2鍵圖案19c，係選出在第1分割預定線15a之延伸存在的X軸方向中充分遠離之2個的鍵圖案19者為佳。如此，由選擇充分遠離之2個的鍵圖案19者，因在保持平台34之旋轉方向的封裝晶圓11之偏移則成為明確之故，成為從容易提高調整之精確度。

對於登錄座標資訊及位置關係資訊之後，係由搬送單元14而搬送加工對象的封裝晶圓11b，樹脂21側(表面13a側)則呈露出於上方地，加以載置於保持平台34。接著，使吸引源之負壓作用，使封裝晶圓11b吸引，保持於保持平台34。

對於使封裝晶圓11b吸引，保持於保持平台34之後，由攝影機40而攝影封裝晶圓11b之上面側(表面13a側)。接著，依據所形成之攝影畫像及登錄於控制 單元48之座標資訊，如圖5(B)所示，檢出在封裝晶圓11b之外周部所露出之第1鍵圖案19d及第2鍵圖案19e。

封裝晶圓11b係因經由搬送單元14而在特定之容許誤差範圍內之位置及方向，加以載置於保持平台34之故，依據預先登錄於控制單元48之座標資訊，可檢出封裝晶圓11b之第1鍵圖案19d及第2鍵圖案19e。

另外，算出所檢出之第1鍵圖案19d之座標(X1’，Y1’)，和第2鍵圖案19e之座標(X2’，Y2’)之位置關係(△X’(=X2’-X1’)，△Y’(=Y2’-Y1’))，與所登錄之位置關係資訊做比較。之後，控制單元48係設定對應於位置關係(△X’，△Y’)與位置關係(△X，△Y)的差之旋轉角度θ，如圖5(C)所示，使保持平台34旋轉。

經由此，第1鍵圖案19d係自座標(X1’，Y1’)移動於座標(X1，Y1)，而第2鍵圖案19e係自座標(X2’，Y2’)移動於座標(X2，Y2)。也就是，封裝晶圓11b之方向係延伸於第1方向之第1分割預定線15a則呈成為平行於X軸方向地加以調整。然而，此調整係依據控制單元48之控制而由自動加以進行。

在此校準步驟中，因使用各對應於不同之2條的第1分割預定線15a而相互分離之第1鍵圖案19b，19d與第2鍵圖案19c，19e之故，至少2個之鍵圖案則如露出於封裝晶圓11之上面側(表面13a側)，可以高精 確度而進行校準。

然而，在此中，係將延伸於第1方向之第1分割預定線15a平行地調整於X軸方向，但亦可以同樣的方法，將延伸於第1方向之第1分割預定線15a平行地調整於Y軸方向者。當然，亦可將延伸於第2方向之第2分割預定線15b，平行地調整於X軸方向，而將延伸於第2方向之第2分割預定線15b，平行地調整於Y軸方向亦可。

另外，在此校準步驟中，對於各封裝晶圓11使用基準點不同之座標軸而表現鍵圖案19的座標亦可。即，在登錄用之封裝晶圓，和加工對象之封裝晶圓，表示鍵圖案19之座標軸的基準點則無需為一致。

如此，可使用基準點不同之座標軸的情況係各封裝晶圓11中之2個的鍵圖案之位置關係(△X，△Y)，(△X’，△Y’)，則因未經由座標軸之基準點，而僅經由2個之鍵圖案的相對性之位置加以決定之故。

此情況，例如，登錄用之封裝晶圓的座標(A，B)，和加工對象之封裝晶圓的座標(A，B)係在將保持平台34之旋轉軸作為基準點(0，0)之座標軸中，有顯示不同之位置者。無論如何作為，各封裝晶圓11之鍵圖案19之座標係如為了算出位置關係(△X，△Y)，(△X’，△Y’)而可使用即可。

其他，有關上述實施形態之構造，方法等係在不脫離本發明之目的範圍中，可作適宜變更而實施。

11‧‧‧封裝晶圓

15c‧‧‧分割預定線(切割道)

17‧‧‧裝置

19a‧‧‧鍵圖案

21‧‧‧樹脂

25a‧‧‧加工溝

d3、d4‧‧‧距離

Claims (2)

1. 一種封裝晶圓之加工方法，係使用具備：保持於經由形成於表面之進行交叉之複數的分割預定線所區劃之範圍，形成有具有鍵圖案之裝置，且以樹脂加以封閉除了表面外周部之範圍的封裝晶圓之可旋轉的保持平台，和對於保持於該保持平台之封裝晶圓而言，照射具有吸收性之波長的脈衝雷射光線的雷射光線照射單元，和相對性地加工輸送該保持平台與該雷射光線照射單元於X軸方向之加工輸送機構，和相對性地指標輸送該保持平台與該雷射光線照射單元於垂直於X軸方向之Y軸方向的指標輸送機構，和攝影封裝晶圓之欲加工範圍而檢出之攝影單元，和控制各構成要素的控制單元之加工裝置，加工封裝晶圓之封裝晶圓之加工方法，其特徵為具備：將顯示該鍵圖案之位置的鍵圖案位置資訊，和顯示自該鍵圖案至最靠近之該分割預定線為止之距離之距離資訊，和顯示鄰接之2條的分割預定線之間隔的間隔資訊，和顯示以該樹脂所封閉之樹脂封閉範圍之位置的樹脂封閉範圍位置資訊，登錄於該控制單元之同時，自該鍵圖案位置資訊，該距離資訊，該間隔資訊，及該樹脂封閉範圍位置資訊，指標露出在較該樹脂封閉範圍為外側的鍵圖案之露出鍵圖案的位置，而登錄於該控制單元之登錄步驟，和該登錄步驟之後，以該攝影單元攝影保持於該保持平台之封裝晶圓之複數的露出鍵圖案而檢出，使用所檢出之該露出鍵圖案，將該分割預定線之方向，調整為和該X 軸方向平行之校準步驟，和該校準步驟之後，將保持於該保持平台之封裝晶圓，沿著該分割預定線以該雷射光線照射單元進行加工，於封裝晶圓形成加工溝之加工步驟；該加工步驟係包含：以特定的時點攝影檢出該加工溝，和對應於該加工溝之該分割預定線之最靠近之該露出鍵圖案，將自該加工溝至該露出鍵圖案為止之距離，和在該登錄步驟所登錄之自對應於該加工溝的該分割預定線至最靠近之該鍵圖案為止之距離的差，做為偏移量而測定之偏移量測定步驟，和因應該偏移量而補正該指標輸送機構之輸送量的補正步驟，和以在該補正步驟所補正之輸送量而相對性地指標輸送該保持平台與該雷射光線照射單元之指標輸送步驟者。
2. 如申請專利範圍第1項記載之封裝晶圓的加工方法，其中，在該偏移量測定步驟中，攝影形成於該樹脂之該加工溝而檢出者。

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