TWI717595B - 電子元件測試裝置用之載具 - Google Patents

Abstract

[ 課題] 提供一種可應付被測試電子元件的薄型化之電子元件測試裝置用的載具。[ 解決手段] 係在電子元件測試裝置所設置的IC插座50之上固持複數個端子HB從底面突出的IC元件之元件載具710，其包括：薄膜750，係載置IC元件之薄片狀的構件，以對應於複數個端子HB之位置的方式形成複數個小孔753，並構成元件載具710的底部；及芯本體740，係被設置於在電子元件測試裝置內所搬運之測試托盤TST，並藉複數片填隙片749固定薄膜750的外周部750A；填隙片749之最低點被設定於比薄膜750之最低點更高的位置。

Description

電子元件測試裝置用之載具

本發明係有關於一種電子元件測試裝置用之載具。

作為為了進行品質檢查等而將BGA(Ball Grid Array)型IC封裝等之被測試電子元件搬運至電子元件用插座上之電子元件測試裝置用的載具，已知在被測試電子元件所就座的就座部，形成用以使被測試電子元件之接觸部(端子)向電子元件用插座之接觸端子的方向露出的貫穿孔，並藉具有頭部與軀幹部的鉚釘將此就座部之外周部固定於載具本體(例如，參照專利文獻1)。[ 先行專利文獻] [ 專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2010－156546號公報

[ 發明所欲解決之課題]

在專利文獻1所記載之電子元件測試裝置用的載具，因為鉚釘設置在載具本體的底部，所以在伴隨被測試電子元件之薄型化的要求，使被測試電子元件之端子矮化的情況，具有鉚釘與電子元件用插座發生干涉的可能性，

本發明欲解決之課題係提供一種可應付被測試電子元件的薄型化之電子元件測試裝置用的載具。[ 解決課題之手段]

[1]本發明之電子元件測試裝置用的載具係在電子元件測試裝置所設置的插座之上固持複數個端子從底面突出的被測試電子元件，其包括：薄片，係載置該被測試電子元件，以對應於該複數個端子之位置的方式形成複數個貫穿孔，並構成該載具的底部；及本體部，係被設置於在電子元件測試裝置內所搬運之托盤，並藉複數片填隙片固定該薄片的外周部；該填隙片之最低點被設定於比該薄片之最低點更高的位置。

[2]亦可在該發明，在該本體部之底面以從該底面之內周側至外周側向高處側傾斜的方式形成斜面；該複數片填隙片被形成於該斜面。

[3]亦可在該發明，該複數片填隙片被形成於該本體部的側面。

[4]亦可在該發明，在該本體部之底面以該底面之比該段差部更外周側的高度變成比該底面之比該段差部更內周側之高度更高的方式形成段差部；該複數片填隙片被形成於該底面之比該段差部更外周側。

[5]亦可在該發明，該薄片係薄膜，並在被賦與張力之狀態藉該複數片填隙片將該外周部固定於該本體部。[ 發明效果]

若依據本發明，因為將薄片之外周部固定於本體部之填隙片的最低點被設定於比薄片之最低點更高的位置，所以不論被測試電子元件之端子之自底面的突出高度，都可防止填隙片與插座的干涉。藉此，可應付被測試電子元件之薄型化。

以下，根據圖面，說明本發明之實施形態。第1圖係表示本發明的實施形態之使用元件載具之電子元件測試裝置的示意剖面圖。第2圖係表示第1圖之電子元件測試裝置的立體圖。第3圖係用以說明在第1圖及第2圖的電子元件測試裝置之托盤的移送的示意圖。

第1圖及第2圖所示的電子元件測試裝置係對IC元件施加高溫或低溫的熱應力，並使用測試頭5及測試器6來測試(檢查)在此狀態IC元件是否適當地動作。而且，此電子元件測試裝置係根據測試結果將IC元件進行分類。

在電子元件測試裝置，將成為測試對象之多個IC元件搭載於訂製托盤KST(參照第5圖)。又，在電子元件測試裝置之處理器1內，訂製托盤KST循環(參照第6圖)。IC元件係從訂製托盤KST被移載至測試托盤TST後測試。此外，IC元件係在圖中以符號IC表示。

如第1圖所示，在處理器1的下部設置空間8，在此空間8配置測試頭5。在測試頭5上設置IC插座50，此IC插座50係經由電纜7與測試器6連接。

在本電子元件測試裝置，在測試托盤TST所裝載之IC元件與測試頭5上的IC插座50接觸而以電性連接，對該狀態之IC元件供給電信號，再根據從測試器6所輸出之信號，測試(檢查)IC元件。此外，在更換IC元件之種類時，IC插座50及後述的芯730被更換成適合IC元件的形狀或接腳數等者。

如第2圖及第3圖所示，處理器1包括儲存部200、裝載部300、測試部100以及卸載部400。儲存部200係儲存測試前或測試完之IC元件。裝載部300係將從儲存部200所移送的IC元件移送至測試部100。測試部100係構成為測試頭5的IC插座50面臨內部。卸載部400係將在測試部100已測試之測試完的IC元件進行分類。

第4圖係表示在上述之電子元件測試裝置所使用之IC貯藏庫的分解立體圖。第5圖係表示在上述之電子元件測試裝置所使用之訂製托盤的立體圖。如第4圖所示，儲存部200包括測試前貯藏庫201與測試完貯藏庫202。測試前貯藏庫201係儲存收容測試前之IC元件的訂製托盤KST。測試完貯藏庫202係儲存收容因應於測試結果所分類之IC元件的訂製托盤KST。測試前貯藏庫201及測試完貯藏庫202係包括框狀的托盤支撐框203、與從該托盤支撐框203之下部進入並往上部升降的升降機204。在托盤支撐框203，堆疊複數個訂製托盤KST。此推疊之訂製托盤KST係藉升降機204上下地移動。此外，如第5圖所示，訂製托盤KST係包括收容IC元件之凹狀的複數個收容部。此複數個收容部係排列成複數列複數行(例如14列13行)。此外，測試前貯藏庫201與測試完貯藏庫202係相同之構造。

如第2圖及第3圖所示，在測試前貯藏庫201，設置2個貯藏庫STK－B與2個空托盤貯藏庫STK－E。2個貯藏庫STK－B係彼此相鄰，在這2個貯藏庫STK－B的旁邊，2個空托盤貯藏庫STK－E彼此相鄰。空托盤貯藏庫STK－E係被堆疊移送至卸載部400之空的訂製托盤KST。

在測試前貯藏庫201的旁邊，被設置測試完貯藏庫202。在此測試完貯藏庫202，被設置8個貯藏庫STK－1、STK－2、…、STK－8。測試完貯藏庫202係構成為可因應於測試結果，將測試完之IC元件最多分類成8種並儲存。例如，測試完之IC元件係在測試完貯藏庫202，除了可分類成良品與不良品以外，還可分類成動作速度為高速的良品、動作速度為中速的良品、以及動作速度為低速的良品，或可分類成需要再測試之不良品與不需要再測試的不良品。

如第2圖所示，將托盤移送臂205設置於儲存部200與裝置基座101之間。此托盤移送臂205係將訂製托盤KST從裝置基座101之下側移送至裝載部300。此處，在裝置基座101，形成一對窗部370。此一對窗部370係將藉托盤移送臂205從裝置基座101之下側移送至裝載部300的訂製托盤KST配置成面臨裝置基座101的上面。

裝載部300係包括元件搬運裝置310。此元件搬運裝置310係包括2支軌道311、可動臂312以及可動頭320。2支軌道311係被架設於裝置基座101上。可動臂312係沿著2支軌道311在測試托盤TST與訂製托盤KST之間往復移動。此外，將可動臂312之移動方向稱為Y方向。可動頭320係藉可動臂312支撐，並在X方向移動。在可動頭320，向下地安裝未圖示之複數個吸附墊。

元件搬運裝置310係使以複數個吸附墊吸附了複數個IC元件的可動頭320從訂製托盤KST移至位置修正器(preciser)360。藉此，將IC元件從訂製托盤KST移送至位置修正器360。接著，元件搬運裝置310係在位置修正器360，藉可動臂312及可動頭320，修正IC元件之彼此的位置關係。然後，元件搬運裝置310係將IC元件移送至停在裝載部300的測試托盤TST。藉此，將IC元件從訂製托盤KST移載至測試托盤TST。

如第2圖及第3圖所示，測試部100係包括溫度環境室110、測試室120以及常溫恢復室130。溫度環境室110係對在測試托盤TST所搭載之IC元件施加作為目的之高溫或低溫的熱應力。測試室120係將在溫度環境室110被施加熱應力的IC元件壓在測試頭5。常溫恢復室130係從在測試室120已測試的IC元件除去熱應力。

在溫度環境室110對IC元件施加高溫的情況，在常溫恢復室130藉送風將IC元件冷卻至室溫。另一方面，在溫度環境室110對IC元件施加低溫的情況，在常溫恢復室130藉暖風或加熱器等將IC元件加熱至不會發生結露之程度的溫度。

如第2圖所示，溫度環境室110及常溫恢復室130係比測試室120更向上方突出。又，如第3圖示意地表示，在溫度環境室110，被設置垂直搬運裝置，在先行之測試托盤TST存在於測試室120內之間，後行之複數個測試托盤TST在被垂直搬運裝置支撐之狀態下待命。在後行之複數個測試托盤TST所搭載之IC元件係在待命中被施加高溫或低溫的熱應力。

在測試室120的中央，被配置測試頭5。測試托盤TST被移送至該測試頭5之上。在測試室120的中央，在測試托盤TST所搭載之IC元件的端子HB(參照第16圖及第17圖)、與測試頭5上之IC插座50的端子51(參照第16圖及第17圖)接觸，並測試IC元件。測試完之IC元件所搭載之測試托盤TST係被移送至常溫恢復室130。在常溫恢復室130，測試完之IC元件被除熱至室溫。已被除熱之IC元件所搭載之測試托盤TST係被搬出至卸載部400。

在溫度環境室110的上部，形成用以將測試托盤TST從裝置基座101搬入溫度環境室110的入口。另一方面，在常溫恢復室130的上部，形成用以將測試托盤TST從常溫恢復室130搬出至裝置基座101的出口。

如第2圖所示，托盤搬運裝置102被設置於裝置基座101。此托盤搬運裝置102係將測試托盤TST從裝置基座101搬入溫度環境室110，並將測試托盤TST從常溫恢復室130搬出至裝置基座101。此托盤搬運裝置102係例如由轉動輥等所構成。

藉托盤搬運裝置102將測試托盤TST從常溫恢復室130搬出至裝置基座101後，藉元件搬運裝置410(後述)將在該測試托盤TST所搭載之全部的IC元件移載至因應於測試結果之訂製托盤KST。然後，測試托盤TST係經由卸載部400及裝載部300被移送至溫度環境室110。

如第2圖所示，2台元件搬運裝置410被設置於卸載部400。此元件搬運裝置410係構造與在裝載部300所設置之元件搬運裝置310相同。2台元件搬運裝置410係將測試完之IC元件從存在於裝置基座101的測試托盤TST移載至因應於測試結果之訂製托盤KST。

兩對窗部470被形成於裝置基座101。此兩對窗部470係被配置成被移送至卸載部400的訂製托盤KST面臨裝置基座101的上面。未圖示之升降工作台被設置於此兩對窗部470與上述之窗部370的下側。此升降工作台係使測試完之IC元件所搭載之訂製托盤KST下降，並交接給托盤移送臂205。

第6圖係表示測試托盤TST的立體圖。如第6圖所示，測試托盤TST係包括機架700與複數個元件載具710。機架700係包括矩形之外框701、與在外框701內被設置成格子狀的內框702。此機架700係包括藉外框701與內框702劃分成複數列複數行之矩形的開口703。

複數個元件載具710係排列成複數列複數行。各個元件載具710係被設置成對應於機架700之各個開口703。元件載具710係包括本體720、與複數個(例如如第6圖所示，4個)芯730。本體720係矩形板狀的樹脂成形體，並以複數列複數行(在本實施形態係2列2行)形成個數(在本實施形態係4個)與芯730相同之矩形的開口721。

複數個本體720係以複數列複數行排列於機架700的下側。位於最外圈之本體720係被配置成其外周部與外框701或內框702重疊，複數個開口721與機架700的開口703重疊。另一方面，其他的本體720係被配置成其外周部與內框702重疊，複數個開口721與機架700的開口703重疊。這些複數個本體720係被固定於在機架700之外框701與內框702的交叉部及內框702彼此的交叉部。

第7圖係放大地表示測試托盤TST之一部分的分解立體圖。如第7圖所示，芯730係可拆裝地被安裝於本體720。芯730係被配置成對應於各個開口721，並對本體720被安裝成可在平面內(第7圖中X-Y平面內)微動(游動)。芯730係包括芯本體(本體部)740與薄膜(薄片)750。芯本體740係形成矩形之開口(貫穿孔)741的樹脂成形體。複數個爪部742與複數個導引部743被形成於此芯本體740的外周部。在本體720，形成爪部742所卡合之未圖示的卡合部、與導引部743所插入之導槽722。藉由爪部742與卡合部卡合，而由本體720支撐芯本體740。在將芯本體740安裝於本體720時，將導引部743插入導槽722，並將芯本體740壓入開口721，藉此，可使爪部742與卡合部卡合。另一方面，藉由解除爪部742與卡合部之卡合，可從本體720拆下芯本體740。

此處，爪部742與卡合部之卡合、及導引部743與導槽722之嵌合係不會固定芯本體740與本體720，而容許芯本體740與本體720之相對性之在平面內的微動(游動)。藉此，如後述所示，可進行芯730與IC插座50之相對性的定位。

薄膜750係形成矩形之薄膜狀的樹脂成形體。藉由將此薄膜750的外周部固定於芯本體740的底部，而薄膜750構成芯730的底部。IC元件被載置於此薄膜750。

第8圖係從底側表示芯730的立體圖。第9圖係表示芯730的底視圖。第10圖係表示芯730的平面圖。第11圖係表示芯730的正視圖。第12圖係表示芯730的側視圖。第13圖係第9圖之13－13剖面圖。第14圖係放大地表示第13圖之一部分的剖面圖。如這些圖所示，芯本體740係包括形成上述之開口741之矩形環狀的框部744、一對定位板745、746、以及一對桿收容部747、748。

複數片填隙片749被設置於框部744的底面(下端面)。填隙片749係被設置於框部744之底面的4個角、與框部744之底面的各邊。複數片(例如，如圖所示，2片)填隙片749被設置於框部744之底面的各邊。相對地，在薄膜750的外周部750A，以對應於填隙片749之位置的方式形成複數個開口751。各個填隙片749係包括截面形狀為圓形的軀幹部7491(參照第14圖)、與截面形狀為圓形的頭部7492。軀幹部7491係從框部744的底面向下方突出，並被插穿薄膜750的開口751。頭部7492係直徑比軀幹部7491及開口751更大，並從軀幹部7491的前端(下端)在徑向變寬。藉此頭部7492與框部744的底面，夾持薄膜750的外周部750A。此外，關於薄膜750之外周部750A、框部744的底面以及填隙片749之構造的細節係後述。

定位板745係被設置於框部744之第1側壁7441的上端。另一方之定位板746係被設置於框部744之第2側壁7442的上端。第1側壁7441與第2側壁7442係彼此相對向。定位板745係從第1側壁7441之上端向開口741之相反側突出，另一方之定位板746係從第2側壁7442之上端向開口741之相反側突出。在定位板745、746的上面，分別被設置一對導引部743。

在定位板745、746之長度方向的一端與另一端分別設置爪部742。即，4個爪部742被配置於開口741的對角線上。在對角所配置之一對爪部742係被配置成彼此反向。另一方面，彼此相鄰之爪部742係被配置成方向僅相差90°。

定位板745、746係矩形的板體，將沿著第1側壁7441及第2側壁7442的方向作為長度方向，並將與第1側壁7441及第2側壁7442正交的方向作為寬度方向。在此定位板745之長度方向的中央部，形成定位孔7451，並在定位板746之長度方向的中央部，形成定位孔7461。定位孔7451係圓形的貫穿孔。另一方面，定位孔7461係橢圓形的貫穿孔。此定位孔7461之長度方向係與定位板746之寬度方向一致。藉由將後述之定位銷55插入定位孔7451，並將後述之定位銷56插入定位孔7461，而將芯730定位於IC插座50。

桿收容部747係設置於框部744的第3側壁7443。另一方之桿收容部748係設置於框部744的第4側壁7444。第3側壁7443與第4側壁7444係彼此相對向。桿收容部747之下部係被設置成從第3側壁7443向開口741的相反側突出，桿收容部747之上部係被設置成從第3側壁7443向上方突出。桿收容部747係構成矩形箱狀，並在內部收容桿760。另一方之桿收容部748的下部係被設置成從第4側壁7444向開口741的相反側突出，桿收容部748的上部係被設置成從第4側壁7444的上端向上方突出。桿收容部748係構成矩形箱狀，並在內部收容桿761。桿760與桿761係構造相同，並被配置成左右對稱。

在第3側壁之寬度方向的中央部，形成開口7443A。又，在桿收容部747之下部之橫向的中央部，形成開口747A。另一方面，在第4側壁之寬度方向的中央部，形成開口7444A。又，在桿收容部748之下部之橫向的中央部，形成開口748A。桿收容部747所收容之桿760係構成為經由開口7443A向開口741可進退。此桿760係經由開口747A承受外力，藉此，從開口741後退至桿收容部747內，而藉由除去此外力，經由開口7443A前進至開口741內。另一方面，桿收容部748所收容之桿761係構成為經由開口7444A向開口741可進退。此桿761係經由開口748A承受外力，藉此，從開口741後退至桿收容部748內，而藉由除去此外力，經由開口7444A前進至開口741內。前進至開口741內之一對桿760、761係藉彈簧之偏壓力被壓接於薄膜750上之IC元件的外周部。藉此，藉一對桿760、761壓住薄膜750上之IC元件。

在薄膜750的中央部，形成矩形的開口752。此處，未圖示之光感測器被設置於電子元件測試裝置的既定位置，芯730停在此光感測器之光線的位置，或通過此光感測器之光線的位置。此光感測器係包括在上下相對向的發光部及受光部，並在開口752位於發光部與受光部之間的時序射出光線。在IC元件存在於薄膜750上的情況，因為光線被IC元件遮住，所以檢測出IC元件。另一方面，在IC元件不存在於薄膜750上的情況，因為從發光部所射出之光線通過開口752後，由受光元件受光，所以未檢測出IC元件。

在薄膜750的開口752與外周部750A之間，形成多個小孔753。這些多個小孔753係被設置成對應於在IC元件的底面所設置之多個球狀的端子HB。小孔753的直徑係被設定成比端子HB之直徑更大。藉此，端子HB係經由小孔753從薄膜750突出至IC插座50側。此外，在本實施形態，因為將IC元件之多個端子HB以複數行排列成矩形環狀，所以將多個小孔753以複數行排列成矩形環狀。可是，IC元件之端子HB及小孔753的配置係不是被限定為本實施形態的配置，而可適當地變更。

如第14圖所示，在框部744的底面，形成內周側的平面部7445與外周側的斜面部7446。薄膜750之開口751與小孔753之間的部分和平面部7445抵接。斜面部7446係從平面部7445至框部744的外周側向上側傾斜。在此斜面部7446形成填隙片749。具體而言，以不僅填隙片749之軀幹部7491從斜面部7446向下方突出，而且填隙片749之頭部7492不進入平面部7445而位於斜面部7446內的方式所形成。

此處，在填隙片749的頭部7492，形成水平面7492A。此水平面7492A的高度位置係被設定於比平面部7445更高的位置。又，薄膜750係包括藉由與斜面部7446抵接而傾斜的外周部750A、及此外周部750A之內側的平面部750B。此平面部750B之上面的外周部與平面部7445抵接。因此，平面部750B之下面的高度係被設定於對平面部7445僅加上薄膜750的厚度之低的位置。因此，填隙片749之最低之部位(最低點)的高度被設定於比薄膜750之最低的部位(最低點)之高度更高的位置。

此處，在開口751之比中心更靠近薄膜750之外周側的位置，開口751之緣部懸吊於軀幹部7491，藉此，對薄膜750賦與張力。將軀幹部7491與開口751之相對位置或軀幹部7491與開口751之直徑設定成形成該狀態。作為軀幹部7491與開口751之相對位置的設定方法，可舉例表示在開口751之比中心更靠近薄膜750之外周側的位置，設定成開口751之緣部與軀幹部7491之間形成間隙的方法。此外，亦可在開口751之比中心更靠近薄膜750之外周側的位置，開口751之緣部與軀幹部7491接觸。在此情況，需要使薄膜750之在靠中央之開口751的緣部與軀幹部7491的接觸壓力比薄膜750之在靠外周側之開口751的緣部與軀幹部7491的接觸壓力更小。

第15圖係放大地表示元件載具710之底部之四個角的平面圖。如第15圖所示，在薄膜750之四個角，分別形成狹縫754。在薄膜750之外周部的四個角，薄膜750的外周部750A與平面部750B之邊界線的延長線分別存在一對，薄膜750之外周部的四個角係分別藉一對該延長線劃分成矩形時，一方之延長線係與開口751重疊，而另一方之延長線係與開口751不重疊。在與此開口751係不重疊的延長線上，形成狹縫754。

此處，在使賦與了張力之薄膜750的外周部750A傾斜時，在薄膜750之外周部750A的四個角未形成狹縫754的情況，在薄膜750之外周部750A的四個角產生皺紋。相對地，在本實施形態，藉由在薄膜750之外周部750A的四個角分別形成狹縫754，可防止在薄膜750之外周部750A的四個角產生皺紋。

第16圖及第17圖係表示測試(檢查)IC元件之狀態的剖面圖。如第16圖所示，一對定位銷55、56以夾住矩形之IC插座50的一組對邊的方式被設置於測試頭5上。一方之定位銷55與芯本體740之定位孔7451嵌合，另一方之定位銷56與另一方之定位孔7461嵌合。藉此，將芯本體740與IC插座50的相對位置決定成IC元件之端子HB與IC插座50之端子51接觸。

如第17圖所示，前進至開口741內的一對桿760、761係藉未圖示之彈簧的偏壓力被壓接於薄膜750上之IC元件的外周部。藉此，IC插座50上之IC元件被一對桿760、761壓住。

如第16圖及第17圖所示，推桿121係被設置成在IC插座50的上方可升降。此推桿121係被安裝於未圖示之Z軸驅動裝置(例如流體缸)。在測試IC元件時，Z軸驅動裝置藉推桿121將IC元件壓在IC插座50。

IC插座50係將複數個端子51埋設於絕緣性之片狀之母材的構成。端子51係由導電性之彈性構件所構成。構成端子51之導電性的彈性構件係可舉例表示對合成橡膠添加了導電性之填充劑者，或對聚酯等之合成樹脂添加了導電性之填充劑者等。複數個端子51之個數及配置係被設定成對應於IC元件之複數個端子HB的個數及配置。

IC元件之測試係在使IC元件之端子HB與IC插座50之端子51以電性接觸的狀態藉測試器6所執行。該IC元件之測試結果係被記憶於例如根據對測試托盤TST所附加之識別編號、與在測試托盤TST內所分配之IC元件的編號所決定的位址。

此處，藉由將填隙片749之最低的部位(最低點)設定於比薄膜750之最低之部位(最低點)更高的位置，而填隙片749之最低的部位位於比IC元件之端子HB的前端(下端)更高的位置。藉此，不論端子HB之自IC元件之底面的突出高度，都可確保填隙片749與IC插座50之上面的間隙。

第18圖係用以說明將薄膜750安裝於芯本體740之方法的立體圖。第19圖係用以說明將薄膜750安裝於芯本體740之方法的剖面圖。如這些圖所示，藉熱填隙，將薄膜750之外周部750A固定於芯本體740的斜面部7446。首先，如第18圖所示，準備薄膜750與芯本體740。在薄膜750的外周部形成複數個開口751。在芯本體740的斜面部7446，形成複數個突起749B。複數個突起749B之位置係對應於複數個開口751的位置。又，在突起749B之軸心，形成開口749H。

接著，將薄膜750配置於芯本體740的底部。在此時，將複數個突起749B與複數個開口751之位置對準後，將全部之突起749B插入開口751。

然後，如第19圖所示，形成具有軀幹部7491與直徑比軀幹部7491更大之頭部7492的填隙片749，藉此填隙片749與芯本體740之斜面部7446夾入薄膜750的外周部750A，藉此，將薄膜750的外周部750A固定於芯本體740的斜面部7446。在本步驟，使用未圖示之樹脂熱填隙裝置，對突起749B從前端側加壓至基端側，產生熱變形，藉此，形成填隙片749。在此時，藉由在突起749B之軸心形成開口749H，與實心的突起相比，促進突起749B之往外徑方向擴大的熱變形。

此處，將突起749B的尺寸或熱填隙的條件等設定成在使芯730變成薄膜750成為朝上之姿勢的狀態，填隙片749之水平面7492A的高度成為比薄膜750之平面部750B之上面的高度更高。又，將開口751與軀幹部7491之相對位置或開口751與軀幹部7491之直徑或熱填隙的條件等，設定成在開口751之比中心更靠近薄膜750之外周側的位置，藉由開口751的緣部懸吊於軀幹部7491，對薄膜750賦與張力。

如以上之說明所示，在本實施形態之元件載具710，藉由將填隙片749之最低點設定於比薄膜750之最低點更高的位置，而填隙片749之最低點位於比IC元件之端子HB的前端(下端)更高的位置。藉此，不論端子HB之自IC元件之底面的突出高度，都可確保填隙片749與IC插座50之上面的間隙。因此，可應付IC元件之薄型化，尤其端子HB之矮化。

此處，亦想到藉由將薄膜750的外周部黏著於框部744的底面，而不需要填隙片，以應付IC元件的薄型化。可是，在該情況，具有因黏著劑之收縮而在薄膜750產生皺紋的可能性。相對地，在本實施形態之元件載具710，藉由藉填隙片749將薄膜750的外周部750A固定於框部744的底面，可防止如使用黏著劑的情況般在薄膜750產生皺紋。

又，在本實施形態之元件載具710，藉由將構成芯730之底部的薄片作成薄膜750，與將薄片作成薄型之金屬材料的情況相比，薄片之薄型化係容易，而可易於彎曲薄片之外周部750A。因此，可應付IC元件之端子HB的矮化，且降低薄片之製造費用。

進而，在本實施形態之元件載具710，在對薄膜750賦與張力之狀態，藉填隙片749將薄膜750的外周部750A固定於框部744的底面。藉此，可確保薄膜750之小孔753之在平面內及高度方向的定位精度。尤其，在本實施形態之元件載具710，在框部744的底面，以從該底面之內周側至外周側向高處側傾斜的方式形成斜面部7446，並在此斜面部7446形成複數片填隙片749。因此，藉由使薄膜750之外周部750A以未滿90∘之角度對平面部750B傾斜，並將外周部750A之開口751懸吊於填隙片749的軀幹部7491，可實現在對薄膜750賦與了張力之狀態藉填隙片749將薄膜750的外周部750A固定於框部744的底面。因此，使薄膜750之外周部750A對平面部750B的傾斜角度在90∘以上，與將段差部形成於薄膜750之外周部750A和平面部750B之間的情況相比，可易於實現對薄膜750賦與張力、及確保薄膜750之位置精度。

第20圖係表示芯730之第1變形例的剖面。如第20圖所示，在第1變形例之芯730，薄膜750之外周部750A彎曲成直角，並藉填隙片749固定於框部744的側面。在第1變形例之芯730，亦將軀幹部7491與開口751之相對位置或軀幹部7491與開口751之直徑設定成在比開口751(參照第19圖)之中心更靠近薄膜750之外周側的位置，藉由開口751之緣部懸吊於軀幹部7491(參照第19圖)，對薄膜750賦與張力。

此處，雖省略圖示，在薄膜750之外周部750A的四個角，形成矩形的缺口部。藉此，防止在被賦與張力之薄膜750彎曲成直角的外周部750A產生皺紋。

在第1變形例之芯730，藉由將填隙片749之最低點設定於比薄膜750之最低點更高的位置，而將填隙片749之最低點配置於比IC元件之端子HB的下端更高的位置。藉此，不論端子HB之自IC元件之底面的突出高度，都可確保填隙片749與IC插座50之上面的間隙。

第21圖係表示芯730之第2變形例的剖面圖。如第21圖所示，在第2變形例之芯730，在框部744的底面，形成段差部7448，並形成比此段差部7448更內周側的平面部7445、與比此段差部7448更外周側的平面部7447。段差部7448係從內周側至外周側向上側傾斜的傾斜面。即，外周側之平面部7447的高度係被設定於比內周側之平面部7445更高的位置。填隙片749係形成於外周側之平面部7447。

薄膜750之外周部750A係沿著框部744的底面彎曲，並藉填隙片749固定於外周側之平面部7447。在第2變形例之芯730，亦將軀幹部7491與開口751之相對位置或軀幹部7491與開口751之直徑設定成在比開口751(參照第19圖)之中心更靠近薄膜750之外周側的位置，藉由開口751之緣部懸吊於軀幹部7491(參照第19圖)，而對薄膜750賦與張力。

此處，雖省略圖示，在薄膜750之外周部750A的四個角，與上述之實施形態一樣地形成狹縫754。藉此，防止在被賦與張力之薄膜750之彎曲的外周部750A產生皺紋。

填隙片749之頭部7492之水平面7492A的高度係被設定於比平面部7445更高的位置。薄膜750之平面部750B之上面的外周部與平面部7445抵接。因此，薄膜750之平面部750B之下面的高度係被設定於對平面部7445僅加上薄膜750的厚度之低的位置。因此，填隙片749之最低點被設定於比薄膜750之最低點更高的位置。藉此，不論端子HB之自IC元件之底面的突出高度，都可確保填隙片749與IC插座50之上面的間隙。

此外，以上所說明之實施形態係為了易於理解本發明所記載者，不是為了限定本發明所記載者。因此，在上述之實施形態所揭示的各元件係亦包含屬於本發明的技術性範圍之全部的設計變更或對等物之主旨。

例如，在上述之實施形態，藉薄膜750構成構成芯730之底部的薄片，但是亦可以薄的金屬構成此薄片。又，經由本體720將芯730安裝於測試托盤TST，但是亦可將芯730直接安裝於測試托盤TST。在此情況，只要將芯730對測試托盤TST安裝成可在平面內微動(游動)即可。

1‧‧‧處理器5‧‧‧測試頭6‧‧‧測試器7‧‧‧電纜50‧‧‧IC插座51‧‧‧端子55‧‧‧定位銷100‧‧‧測試部101‧‧‧裝置基座102‧‧‧托盤搬運裝置110‧‧‧溫度環境室120‧‧‧測試室121‧‧‧推桿130‧‧‧常溫恢復室200‧‧‧儲存部201‧‧‧測試前貯藏庫202‧‧‧測試完貯藏庫203‧‧‧托盤支撐框204‧‧‧升降機205‧‧‧托盤移送臂300‧‧‧裝載部310‧‧‧元件搬運裝置311‧‧‧軌道312‧‧‧可動臂320‧‧‧可動頭360‧‧‧位置修正器370‧‧‧窗部400‧‧‧卸載部410‧‧‧元件搬運裝置470‧‧‧窗部TST‧‧‧測試托盤700‧‧‧機架

701:外框

702:內框

703:開口

710:元件載具

720:本體

721:開口

722:導槽

730:芯

740:芯本體(本體部)

741:開口

742:爪部

743:導引部

744:框部

7441:第1側壁

7442:第2側壁

7443:第3側壁

7443A:開口

7444:第4側壁

7444A:開口

7445:平面部

7446:斜面部

7447:平面部

7448:段差部

745、746:定位板

7451、7461:定位孔

747、748:桿收容部

747A、748A:開口

749:填隙片

7491:軀幹部

7492:頭部

7492A:水平面

750:薄膜(薄片)

751、752:開口

753:小孔

754:狹縫

760、761:桿

第1圖係表示本發明的實施形態之使用元件載具之電子元件測試裝置的示意剖面圖。 第2圖係表示第1圖之電子元件測試裝置的立體圖。 第3圖係用以說明在第1圖及第2圖的電子元件測試裝置之托盤的移送的示意圖。 第4圖係表示在上述之電子元件測試裝置所使用之IC貯藏庫的分解立體圖。 第5圖係表示在上述之電子元件測試裝置所使用之訂製托盤的立體圖。 第6圖係表示測試托盤的立體圖。 第7圖係放大地表示測試托盤之一部分的分解立體圖。 第8圖係從底側表示芯的立體圖。 第9圖係表示芯的底視圖。 第10圖係表示芯的平面圖。 第11圖係表示芯的正視圖。 第12圖係表示芯的側視圖。 第13圖係第9圖之13－13剖面圖。 第14圖係放大地表示第13圖之一部分的剖面圖。 第15圖係放大地表示元件載具之底部之四個角的平面圖。 第16圖係表示測試(檢查)IC元件之狀態的剖面圖。 第17圖係表示測試(檢查)IC元件之狀態的剖面圖。 第18圖係用以說明將薄膜安裝於芯本體之方法的立體圖。 第19圖係用以說明將薄膜安裝於芯本體之方法的剖面圖。

第20圖係表示芯之第1變形例的剖面。

第21圖係表示芯之第2變形例的剖面圖。

50‧‧‧IC插座

51‧‧‧端子

121‧‧‧推桿

730‧‧‧芯

742‧‧‧爪部

7441‧‧‧第1側壁

7443A‧‧‧開口

7444A‧‧‧開口

7446‧‧‧斜面部

747、748‧‧‧桿收容部

749‧‧‧填隙片

7492‧‧‧頭部

750A‧‧‧外周部

760、761‧‧‧桿

IC‧‧‧元件

HB‧‧‧端子

Claims (5)

1. 一種電子元件測試裝置用之載具，被安裝於在電子元件測試裝置所搬運之托盤的機架，在該電子元件測試裝置的插座之上固持複數個端子從底面突出的被測試電子元件，其包括：薄片，係載置該被測試電子元件，以對應於該複數個端子之位置的方式形成複數個貫穿孔，並構成該載具的底部；及本體部，藉複數片填隙片固定該薄片的外周部；該填隙片之最低點被設定於比該薄片之最低點更高的位置。
2. 如申請專利範圍第1項之電子元件測試裝置用的載具，其中在該本體部之底面以從該底面之內周側至外周側向高處側傾斜的方式形成斜面；該複數片填隙片被形成於該斜面。
3. 如申請專利範圍第1項之電子元件測試裝置用的載具，其中該複數片填隙片被形成於該本體部的側面。
4. 如申請專利範圍第1項之電子元件測試裝置用的載具，其中在該本體部之底面以該底面之比該段差部更外周側的高度變成比該底面之比該段差部更內周側之高度更高的方式形成段差部；該複數片填隙片被形成於該底面之比該段差部更外周側。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電子元件測試裝置用的載具，其中該薄片係薄膜，並在被賦與張力之狀態藉該複數片填隙片將該外周部固定於該本體部。

Images