TWI715811B - 鍍覆裝置、鍍覆方法、及電腦可讀取之記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明提供鍍覆裝置、鍍覆方法及電腦可讀取的記錄媒體。本發明使基板表面的親水性提高，並且抑制各基板的親水性的程度不均。鍍覆裝置對具有抗蝕劑圖案的基板進行鍍覆處理。該鍍覆裝置具有：使前處理液接觸基板的表面的前處理單元；及對被處理面與前處理液接觸的基板進行鍍覆處理的鍍覆槽。前處理單元具有：將基板的被處理面保持朝向上方的保持台；構成為使保持台旋轉的馬達；構成為對被處理面照射紫外線的親水化處理部；以及構成為對由親水化處理部親水化後的被處理面供給前處理液的前處理液供給部。

Description

鍍覆裝置、鍍覆方法、及電腦可讀取之記錄媒體

本發明有關鍍覆裝置、鍍覆方法及電腦可讀取的記錄媒體。

在以往，進行在設置於半導體晶圓等表面的細微的配線用槽、孔或抗蝕劑開口部形成配線，或在半導體晶圓等表面形成與封裝電極等電連接的凸起(突起狀電極)。作為形成該配線及凸起的方法，例如已知有電解鍍覆法、沉積法、印刷法、球凸起法等，但伴隨半導體芯圓的I/O數的增加、細間隙化，大多使用能夠細微化且性能比較穩定的電解鍍覆法。

在形成有配線的基板的規定位置通過電解鍍覆法形成凸起或配線時，廣泛進行使用抗蝕劑作為遮罩。具體而言，在基板的表面形成作為供電層的晶種層，在該晶種層的表面塗覆例如高度為20~120μm的抗蝕劑後，在該抗蝕劑層的規定的位置設置例如直徑5~200μm左右的開口部，形成抗蝕劑圖案。

在將凸起形成於抗蝕劑圖案的內部(抗蝕劑開口部)的電解鍍覆中，使陽極與基板浸漬於鍍覆液而在陽極與基板之間施加電壓。由於鍍覆液容易侵入基板表面的抗蝕劑開口部或貫通孔，因此進行預濕處理，以便用預濕液(前處理液)置換存在於這些抗蝕劑開口部或貫通孔內的空氣。作為這樣的 預濕處理，已知使基板浸漬於在預濕槽內保持的預濕液中的處理(參照專利文獻1)。

另外，對在絕緣膜的表面形成稱為導通孔(via hole)的凹部，在絕緣膜的平坦的表面及凹部的表面上形成晶種層等導電層的晶圓埋入金屬的電解鍍覆中，也在電解鍍覆前進行上述預濕處理。

另外，還已知如下鍍覆裝置(參照專利文獻2)：在這樣的預濕處理前，通過灰化裝置使抗蝕劑表面親水化。

專利文獻1：日本特開2007-138304號公報

專利文獻2：日本特開2005-240108號公報

如專利文獻1所述，以往的預濕處理使基板整體浸漬於預濕液中，因此需要大量的預濕液。進一步，每對一片基板進行預濕處理時，需要更換預濕槽內的預濕液。將預濕液從預濕槽排出，並將新的預濕液儲存到預濕槽需要較長時間。因此，在以往的預濕處理中，希望使用的預濕液的量的降低及預濕處理時間的縮短。

在以往的鍍覆方法中，在配線形成工序中對抗蝕劑進行灰化處理後，未必立刻進行鍍覆處理。即，在配線形成工序中進行灰化處理後經過多長時間進行鍍覆是根據其處理(process)條件而不同的。伴隨著在配線形成工序中進行灰化處理後的時間的經過，基板的抗蝕劑表面及晶種層至少其中之一附著有機物，抗蝕劑表面及晶種層至少其中之一從親水性變化為疏水性。

在對進行灰化處理後經過了較長時間的基板進行鍍覆的情況下，基板的表面變得疏水化，因此預濕液不進入基板的抗蝕劑開口部內，或者 在基板的被鍍覆面吸附氣泡而難以去除。因此，有時在被鍍覆的基板產生缺陷。

在專利文獻2所述的鍍覆裝置中，通過灰化裝置，在預濕處理前進行抗蝕劑表面的親水化。然而，在該鍍覆裝置中，灰化裝置與預濕槽分開配置，對保持於基板保持器之前的基板進行灰化處理，對已保持於基板保持器的基板進行預濕處理。因此，有時由於鍍覆處理的狀況而無法迅速地進行基板的搬運，無法在進行灰化後立刻進行預濕處理。因此，有各基板的從灰化處理到預濕處理的時間不同，而親水性的程度產生不均的擔憂。

本發明是鑒於上述問題而完成的。其目的在於，使基板的抗蝕劑表面及晶種層至少其中之一的親水性提高，並抑制各基板的親水性的程度不均。

根據本發明的一方式，提供一種對基板進行鍍覆處理的鍍覆裝置。該鍍覆裝置具有：前處理單元，該前處理單元使前處理液與所述基板的表面接觸；以及鍍覆槽，該鍍覆槽對使所述前處理液與所述表面接觸後的所述基板進行鍍覆處理，所述前處理單元具有：保持台，該保持台將所述基板的表面保持為朝向上方；馬達，該馬達構成為使所述保持台旋轉；親水化處理部，該親水化處理部構成為對所述表面照射紫外線；以及前處理液供給部，該前處理液供給部構成為對由所述親水化處理部進行了親水化的所述表面供給所述前處理液。

根據本發明的另一方式，提供一種鍍覆方法。該鍍覆方法具有如下工序：將基板配置於保持台的工序；對配置於所述保持台的所述基板的表面照射紫外線來進行親水化處理的工序；對進行了所述親水化處理的所述基板的表面供給前處理液的工序；使保持有向所述表面供給了所述前處理液的所述基板的所述保持台旋轉的工序；以及對向所述表面供給了所述前處理液的所述基板進行鍍覆處理的鍍覆工序。

1:鍍覆裝置

45:控制部

60:基板保持器

80:前處理單元

81:吸附板

84:紫外線照射裝置

85:前處理液供給噴嘴

86:乾燥氣體供給噴嘴

87:馬達

圖1是表示本實施方式的鍍覆裝置的整體配置圖。

圖2是鍍覆裝置所使用的基板保持器的立體圖。

圖3是表示基板保持器的電接點的剖視圖。

圖4是表示鍍覆裝置1中的基板的處理的流程圖。

圖5A是本實施方式的前處理單元的概略側剖視圖。

圖5B是本實施方式的前處理單元的概略俯視圖。

圖6是表示在前處理單元中進行基板的前處理的流程圖。

圖7A表示對基板進行紫外線照射的前處理單元。

圖7B表示對基板供給前處理液的前處理單元。

圖7C表示對基板吹送乾燥氣體的前處理單元。

圖8是其他實施方式的前處理單元的概略俯視圖。

以下，參照圖式對本發明的實施方式的鍍覆裝置進行說明。在以下所說明的圖式中，對相同或等同的結構要素標記相同的符號而省略重複的說明。另外，以下對作為鍍覆裝置的一例的電解鍍覆裝置進行說明，但不限於此，作為本發明的鍍覆裝置，也能夠採用無電解鍍覆裝置。

圖1表示本實施方式的鍍覆裝置的整體配置圖。如圖1所示，鍍覆裝置1整體由框架100包圍，由框架100包圍的空間被劃定為鍍覆裝置1。鍍覆裝置1具備：搭載收納有半導體晶圓等基板的晶圓盒10的兩台的晶圓盒台12；使基板的定向平面(orientation flat)、缺口等位置與規定的方向對齊的對準器14；相對於被載置的基板保持器60進行基板的裝卸的基板裝卸部20；以及一邊使鍍覆處理後的基板旋轉，一邊供給用於清洗基板表面的清洗液(純水)來清洗基板，之後使基板高速旋轉而使基板表面乾燥的清洗裝置(旋轉沖洗乾燥機)16。此外，鍍覆裝置1具備對基板進行前處理的前處理單元80。如後所述，前處理單元80構成為在對基板的被處理面進行改性後，對基板進行預濕處理。在這些單元的大致中央配置有基板搬運裝置22，基板搬運裝置22是在這些單元間搬運基板的例如搬運用自動裝置。另外，鍍覆裝置1也可以僅具備前處理單元80和清洗裝置16的任意一方。在該情況下，前處理單元80及清洗裝置16的任意一方構成為進行前處理與清洗及乾燥雙方。

基板裝卸部20具備能夠沿著導軌50在水平方向上滑動的平板狀的載置板。在兩個基板保持器60以水平狀態並列地載置於載置板的狀態下，基板搬運裝置22與一方的基板保持器60進行基板的交接。之後，基板搬運裝置22使載置板在水平方向上滑動，進行與另一方的基板保持器60的基板的交接。

另外，鍍覆裝置1具有儲料器24，預浸槽28，第一清洗槽30a，吹風槽32，第二清洗槽30b及鍍覆槽34。在儲料器24中，進行基板保持器60的 保管及暫時放置。在預浸槽28中，形成於基板的表面的晶種層等導電層的表面的氧化膜被蝕刻去除。在第一清洗槽30a中，預浸後的基板與基板保持器60一起通過清洗液(純水等)清洗。在吹風槽32中，進行清洗後的基板的瀝乾。在第二清洗槽30b中，鍍覆後的基板與基板保持器60一起通過清洗液清洗。儲料器24、預浸槽28、第一清洗槽30a、吹風槽32、第二清洗槽30b及鍍覆槽34以該順序配置。

鍍覆槽34具備溢流槽36及收納於鍍覆槽34的內部的複數個鍍覆單元38。各鍍覆單元38將保持有基板的基板保持器60收納到內部，並使基板浸漬於在內部保持的鍍覆液。在鍍覆單元38中，在基板與陽極之間施加電壓，從而進行對基板表面的銅鍍覆等鍍覆。另外，除銅以外，鎳、軟焊料，銀，金等鍍覆中，也能夠使用同樣的鍍覆裝置1。

進一步，鍍覆裝置1具備搬運基板保持器60的基板保持器搬運裝置40。基板保持器搬運裝置40是例如線性馬達式裝置，位於基板裝卸部20及上述各槽的側方。基板保持器搬運裝置40具有：在基板裝卸部20與儲料器24之間搬運基板的第一傳送裝置42；以及在儲料器24、預浸槽28、清洗槽30a、30b、吹風槽32及鍍覆槽34之間搬運基板的第二傳送裝置44。另外，基板保持器搬運裝置40也可以僅具有第一傳送裝置42和第二的傳送裝置44的任意一方。

鍍覆裝置1具有以控制上述鍍覆裝置1的各部的動作的方式構成的控制部45。控制部45例如具有：電腦可讀取的記錄媒體，其存儲有規定的程式，該程式使鍍覆裝置1執行後述的圖4及圖6所示的流程(process)等；及執行記錄媒體的程式的CPU(Central Processing Unit：中央處理器)(相當於電腦的一例)等。控制部45例如能夠進行基板搬運裝置22的搬運控制、基板保持器搬運裝置40的搬運控制、鍍覆槽34中的鍍覆電流及鍍覆時間的控制以及後述的前處理單元80中的前處理的控制等。另外，作為控制部45所具有的記錄媒體，能 夠採用軟碟、硬碟、記憶體儲存裝置等磁性媒體，CD、DVD等光學媒體，MO、MD等光磁性媒體等任意的記錄方式。

圖2是圖1所示的鍍覆裝置所使用的基板保持器60的立體圖。如圖2所示，基板保持器60例如具有：由氯乙烯製成的矩形平板狀的第一保持部件65；以及經由鉸鏈63而開閉自如地安裝於該第一保持部件65的第二保持部件66。在基板保持器60的第一保持部件65的大致中央部設置有用於保持基板的保持面68。另外，在第一保持部件65的保持面68的外側，沿著保持面68的周圍等間隔地設置有倒L字形的夾具67，夾具67具有向內方突出的突出部。

基板保持器60的第一保持部件65的端部與一對大致T字形的臂69連結，該臂69在搬運基板保持器60或懸掛支承基板保持器60時成為支承部。在圖1所示的儲料器24內，在儲料器24的周壁上表面鉤掛臂69，從而垂直地懸掛支承基板保持器60。另外，通過第一傳送裝置42或第二傳送裝置44握持該懸掛支承的基板保持器60的臂69來搬運基板保持器60。另外，在預浸槽28、清洗槽30a、30b、吹風槽32及鍍覆槽34內，基板保持器60也經由臂69懸掛支承於這些裝置的周壁。

另外，在臂69設置用於與外部的電力供給部連接的未圖示的外部接點。該外部接點經由複數個配線而與設置於保持面68的外周的複數個導電體73(參照圖3)電連接。

第二保持部件66具備：固定於鉸鏈63的基部61；以及固定於基部61的環狀的密封件保持器62。在第二保持部件66的密封件保持器62旋轉自如地安裝壓環64，該壓環64用於將密封件保持器62按壓並固定於第一保持部件65。壓環64在其外周部中具有向外方突出的複數個突條部64a。突條部64a的上表面與夾具67的內方突出部的下表面具有沿旋轉方向相互反向傾斜的錐面。

在保持基板時，首先，在打開第二保持部件66的狀態下，在第一保持部件65的保持面68載置基板，關閉第二保持部件66。接著，使壓環64順時針旋轉，使壓環64的突條部64a滑入夾具67的內方突出部的內部(下側)。由此，經由分別設置於壓環64與夾具67的錐面，使第一保持部件65與第二保持部件66相互緊固並鎖定，從而保持基板。被保持的基板的被鍍覆面露出在外部。在解除基板的保持時，在第一保持部件65與第二保持部件66被鎖定的狀態下，使壓環64逆時針旋轉。由此，壓環64的突條部64a從倒L字形的夾具67鬆開，從而基板的保持被解除。

圖3是表示圖2所示的基板保持器60的電接點的剖視圖。在圖3所示的例中，在第一保持部件65的保持面68載置基板W。在保持面68與第一保持部件65之間配置複數個(圖示中為一個)導電體73，該導電體73與從設置於圖2所示的臂69的外部接點延伸的複數個配線連接。導電體73以如下方式在基板W的圓周外側配置複數個：在第一保持部件65的保持面68上載置有基板W時，該導電體73的端部在基板W的側方，並在第一保持部件65的表面以具有彈簧特性的狀態露出。

在密封件保持器62的與第一保持部件65相對的面(圖中下表面)安裝有密封部件70，該密封部件70在由基板保持器60保持有基板W時壓接於基板W的表面外周部及第一保持部件65。密封部件70具有：對基板W的表面進行密封的唇部70a；對第一保持部件65的表面進行密封的唇部70b。即，密封部件70構成為對基板的周緣部與第一保持部件65的面之間進行封閉。

在由密封部件70的一對唇部70a、70b夾持的內部安裝有支承體71。在支承體71例如由螺絲等固定有電接點72，電接點72構成為能夠從導電體73供電，並沿基板W的圓周配置複數個。電接點72具有：向保持面68的內側延伸的電接點端部72a；以及構成為能夠從導電體73供電的腳部72b。

當圖2所示的第一保持部件65與第二保持部件66被鎖定時，如圖3所示，密封部件70的內周面側的較短的唇部70a被按壓於基板W的表面，外周面側的較長的唇部70b被按壓於第一保持部件65的表面。由此，唇部70a及唇部70b之間被可靠地密封，並且基板W被保持。

在由密封部件70密封的區域，即由密封部件70的一對唇部70a、70b夾持的區域中，導電體73與電接點72的腳部72b電連接，且電接點端部72a與基板W的周緣部的導電層，例如晶種層接觸。由此，在由密封部件70對基板W進行密封且由基板保持器60對基板W進行保持的狀態下，能夠經由電接點72對基板W供電。

接著，對鍍覆裝置1中的基板的處理進行說明。圖4是表示鍍覆裝置1中的基板的處理的流程圖。如圖4所示，首先，基板搬運裝置22從晶圓盒10取出基板，並搬運至前處理單元80(步驟S401)。前處理單元80在使基板的被鍍覆面親水化(改性)後，對基板進行預濕處理(步驟S402)。接著，基板搬運裝置22從前處理單元80取出基板並搬運至對準器14。對準器14使基板的缺口或定向平面的方向對齊(步驟S403)。方向被對齊後的基板通過基板搬運裝置22搬運至基板裝卸部20，並保持於基板保持器60(步驟S404)。保持於基板保持器60的基板被搬運至預浸槽28，去除基板表面的氧化膜(步驟S405)。氧化膜被去除後的基板收納於第一清洗槽30a，並與基板保持器60一起被清洗。另外，該預浸槽28中的處理及第一清洗槽30a中的清洗有時被省略。

接著，基板收納於鍍覆槽34內，並對基板表面進行鍍覆(步驟S406)。被鍍覆的基板收納於第二清洗槽30b，並且基板的被鍍覆面與基板保持器60一起被清洗。之後，基板及基板保持器60在吹風槽32中被乾燥(步驟S407)。乾燥後的基板由基板裝卸部20從基板保持器60取出(步驟S408)。被 取出的基板由清洗裝置16清洗及乾燥(步驟S409)，並收納於晶圓盒10(步驟S410)。

接著，對前處理單元80中的基板的前處理進行詳細地說明。如上所述，在形成有晶種層的基板通過配線形成工序預先形成抗蝕劑圖案。基板被搬運至圖1所示的鍍覆裝置1之前，在灰化裝置中進行UV的照射等而使基板的表面親水化。進行了灰化處理的基板W之後被搬運至鍍覆裝置1，並保持於基板保持器60。在此，由於自灰化處理起的時間經過，在基板W的表面附著有機物，基板的表面的被鍍覆面及抗蝕劑表面從親水性變化為疏水性。因此，在本實施方式的鍍覆裝置1中，對於搬運至鍍覆裝置1的基板W，在前處理(預濕處理)的前一工序或與之同時進行基板W的表面的改性處理(親水化處理)，從而使基板W表面的親水性提高，並且使各基板的親水性程度均勻化。

圖5A是本實施方式的前處理單元80的概略側剖視圖，圖5B是本實施方式的前處理單元80的概略俯視圖。如圖5A及圖5B所示，前處理單元80具有吸附板81(相當於保持台的一例)、轉杯82、紫外線照射裝置84(相當於親水化處理部的一例)、前處理液供給噴嘴85(相當於前處理液供給部的一例)、乾燥氣體供給噴嘴86(相當於氣體供給部的一例)以及馬達87。吸附板81構成為將基板W的被鍍覆面(相當於被處理面的一例)保持為朝向上方。具體而言，吸附板81具有例如真空夾盤裝置或靜電夾盤裝置，吸附基板W的背面而將基板W固定於吸附板81上。吸附板81具有未圖示的升降機構，在將基板W從吸附板81裝卸時向上方移動，以使吸附板81的吸附面位於轉杯82的上端部之上。馬達87構成為使吸附板81沿圓周方向旋轉。

紫外線照射裝置84設置於吸附板81的上方，構成為對基板W的表面(被鍍覆面側)整體照射紫外線。作為紫外線照射裝置84，例如能夠採用低壓水銀燈等能夠照射紫外線的裝置。在紫外線照射裝置84為低壓水銀燈的情 況下，照射的紫外線的主波長為184nm或254nm。該低壓水銀燈可以是直管型、U型、M型及矩形型等能夠照射基板表面的任意的形狀。如圖5A及圖5B所示，紫外線照射裝置84只要是如下尺寸即可：從配置於吸附板81的基板W的大致中央部遍及至周緣部，至少能夠對基板W的半徑部分照射紫外線。因此，本實施方式的紫外線照射裝置84設置為從配置於吸附板81的基板W的大致中央部向周緣部延伸。在本實施方式中，配置於吸附板81的基板W伴隨吸附板81的旋轉而沿圓周方向旋轉，因此能夠通過基板W旋轉從而對基板W的表面(被鍍覆面側)整體照射紫外線。由此，與對基板W的整個表面照射紫外線的情況相比，能夠使紫外線照射裝置84的尺寸變小，也能夠降低紫外線照射裝置84的成本。但是，紫外線照射裝置84也可以是能夠對基板W的表面(被鍍覆面側)整體照射紫外線的尺寸。另外，也能夠設置使紫外線照射裝置84沿著基板W的半徑向擺動的擺動裝置。在該情況下，即使紫外線照射裝置84的尺寸較小，通過基板W旋轉及紫外線照射裝置84擺動，也能夠對基板W的表面(被鍍覆面側)整體照射紫外線。

前處理液供給噴嘴85構成為對基板W的表面供給前處理液。作為前處理液，例如能夠採用DIW(De-Ionized Water：去離子水)、稀硫酸、鍍覆液所使用的包含促進劑、抑制劑、或者整平劑等添加劑在內的水溶液，或鍍覆液所使用的包含氯離子在內的水溶液等任一或將它們的組合的前處理液，且該前處理液不包含金屬離子。例如前處理液為稀硫酸的情況下，較佳為稀硫酸與保持於鍍覆槽34的鍍覆液中的稀硫酸為相同成分。前處理液供給噴嘴85對基板W的中心供給前處理液。基板W伴隨吸附板81的旋轉而旋轉，從而供給至基板W的中心的前處理液通過離心力而向基板W的周緣部均勻擴散。由此，能夠使基板W的表面整體與前處理液接觸。

乾燥氣體供給噴嘴86構成為對基板W的周緣部吹送氮或氬等不活潑氣體。一邊使基板W旋轉，一邊通過乾燥氣體供給噴嘴86對基板W的周緣部吹送不活潑氣體，從而能夠去除或乾燥附著於基板W的周緣部的前處理液。如與圖2及圖3相關而說明的，基板保持器60的電接點端部72a與基板W的周緣部接觸，從而對基板W表面的晶種層供電。此時，若基板的周緣部被前處理液沾濕，則電接點端部72a間可能短路。因此，通過前處理單元80具有乾燥氣體供給噴嘴86，從而能夠防止電接點端部72a間的短路。但是，當在基板保持器60採用濕接點的情況及鍍覆裝置1不需要基板保持器60的情況下等，前處理單元80也可以不具備乾燥氣體供給噴嘴86。另外，此處的濕接點是相對於乾接點的反義詞，是指允許與基板的周緣部接觸的供電部件與鍍覆液接觸的接點，所謂乾接點是指對設置有供電部件的空間進行密封而使鍍覆液與供電部件不直接接觸。

較佳為乾燥氣體供給噴嘴86從基板W的內側向外側對基板W的周緣部吹送不活潑氣體。例如，能夠使乾燥氣體供給噴嘴86的噴嘴86a的排出部從基板W的內側朝向外側。由此，能夠將附著於基板W的周緣部的前處理液吹向基板W的徑向外側，能夠使基板W的乾燥速度提高。

轉杯82是包圍吸附板81及基板W的周邊的框體。轉杯82的上部以能夠進行紫外線的照射、前處理液的供給及不活潑氣體的供給的方式開放。轉杯82構成為接受通過基板W的旋轉、及不活潑氣體的吹送而吹跑的前處理液。轉杯82構成為在其底部具有排水部83來排出接受的前處理液。

如圖5B所示，紫外線照射裝置84、前處理液供給噴嘴85及乾燥氣體供給噴嘴86分別構成為能夠在從吸附板81退避的退避位置(圖中由虛線所示的位置)與吸附板81的上方的處理位置(圖中由實線所示的位置)之間移動。將基板W配置於吸附板81時，使紫外線照射裝置84、前處理液供給噴嘴85 及乾燥氣體供給噴嘴86移動到退避位置。在該狀態下，使吸附板81的吸附面移動到比轉杯82的上端部高的位置，將基板W配置於吸附板81上。使保持有基板W的吸附板81下降後，根據所執行的處理，使紫外線照射裝置84、前處理液供給噴嘴85及乾燥氣體供給噴嘴86的任一移動到處理位置。

接著，對由前處理單元80進行的前處理進行具體說明。圖6是表示在前處理單元80中對基板W進行的前處理的流程圖。換言之，圖6是詳細地對圖4所示的步驟S402進行說明的流程圖。圖7A~圖7C是表示對基板W進行前處理的前處理單元80的概略側剖視圖。具體而言，圖7A表示對基板W進行紫外線照射的前處理單元80，圖7B表示對基板W供給前處理液的前處理單元80，圖7C表示對基板W吹送乾燥氣體的前處理單元80。另外，圖5A及圖5B所示的前處理單元80的吸附板81、紫外線照射裝置84、前處理液供給噴嘴85、乾燥氣體供給噴嘴86、馬達87的動作通過圖1所示的控制部45進行控制，執行圖6所示的前處理的流程。

在前處理單元80中對基板W進行前處理，首先，由吸附板81保持基板W(步驟S601)。此時，基板W的表面以與紫外線照射裝置84相對的方式朝向上方。接著，如圖7A所示，馬達87使吸附板81及基板W旋轉，並且紫外線照射裝置84對基板W的表面照射紫外線(步驟S602)。由此，對基板W的表面整體照射紫外線，使被鍍覆面改性。具體而言，此時，從大氣中存在的少量臭氧中，通過紫外線的作用而生成活性氧。該活性氧使基板W表面的有機物分解變化成揮發性的物質。另外，通過該活性氧及紫外線的作用將抗蝕劑表面的化學結合切斷，活性氧與抗蝕劑表面的分子結合。由此，賦予抗蝕劑表面親水性較高的官能團。即，通過將紫外線照射到基板W表面，從而去除並清洗基板W表面的疏水性的物質，表面被改性成親水性。該處理在本實施方式中稱為親水化處理。

在步驟S602中，對基板W表面照射紫外線的照射時間較佳為例如約10秒至約3分鐘。該照射時間可以根據從搬入鍍覆裝置1之前對基板W實施的灰化處理起經過的經過時間而適當地決定。當紫外線的照射時間小於10秒時，有無法充分去除附著於基板W表面的疏水性的有機物的擔憂。另外，當紫外線的照射時間超過3分鐘時，有基板W表面的抗蝕劑灰化的擔憂。另外，如圖3所示，基板W的表面被區分為：在基板保持器60保持有基板W時實施鍍覆的被鍍覆面W1；以及通過基板保持器60密封並與電接點72接觸的面(密封區域W2)。在該密封區域W2未形成抗蝕劑，因此沒有抗蝕劑灰化的擔憂。也可以使對該密封區域W2照射紫外線的照射時間比對被鍍覆面W1照射紫外線的照射時間長，從而使基板保持器60的電接點72所接觸的部位的表面進一步改性。另外，也可以對被鍍覆面W1與密封區域W2照射不同波長及不同光學強度至少其中之一的紫外線。

另外，在步驟S602中，較佳的是，控制部45(參照圖1)對馬達87及紫外線照射裝置84進行控制，以便在吸附板81的旋轉開始後，開始對基板W的被鍍覆面的紫外線的照射。當在基板W的旋轉停止狀態下開始紫外線的照射時，停止期間紫外線所照射的部分比其他的部分照射了更長時間的紫外線。因此，有可能基板W的面內的紫外線的照射量不均勻。另一方面，通過在基板W的旋轉開始後，開始紫外線的照射，從而能夠使基板W的面內的紫外線的照射量更均勻。

在步驟S602中的親水化處理結束後，如圖7B所示，前處理液供給噴嘴85對親水化後的基板W的被鍍覆面的中心附近進行前處理液(預濕水)之噴霧或滴下(步驟S603)。此時，控制部45(參照圖1)對紫外線照射裝置84、前處理液供給噴嘴85、及馬達87進行控制，以便在使紫外線的照射及吸附板81的旋轉停止的狀態下，將前處理液供給至基板W的被鍍覆面。另外，在紫 外線照射裝置84為能夠對基板W的表面整體照射紫外線的尺寸的情況下，也可以不停止紫外線的照射，同時進行前處理液的供給與紫外線的照射。

另外，控制部45也可以對前處理液供給噴嘴85及馬達87進行控制，以便繼親水化處理之後，在使吸附板81旋轉的狀態下將前處理液供給至基板W的表面。在該情況下，較佳為吸附板81的轉速相比步驟S602中的吸附板81的轉速增加。通過使吸附板81的轉速增加，從而能夠使前處理液的擴散速度提高。另外，在該情況下，紫外線照射裝置84也可以使紫外線的照射停止，也可以與前處理液的供給同時進行紫外線的照射。

在步驟S603中，通過使基板W以規定的轉速旋轉，從而克服供給至基板W上的前處理液的表面張力而產生離心力，使前處理液向基板W的周緣部均勻地擴散。基板W的被鍍覆面在步驟S602中被親水化，因此能夠容易地置換基板W表面的抗蝕劑開口部內的空氣與前處理液。根據本實施方式，例如基板W的尺寸為12英尺時，能夠將步驟S603中使用的前處理液的量抑制為幾百毫升左右，與以往的將基板W浸漬於預濕槽的情況相比，能夠大幅降低前處理液的使用量。為了在步驟S603中的基板W的被鍍覆面使前處理液均勻地擴散，能夠對供給的前處理液的量、基板W的轉速、使基板W旋轉的時間等的參數進行適當控制。另外，在步驟S603中，優選在對基板W的紫外線的照射(步驟S602)結束後，進行前處理液的供給。由此，能夠防止前處理液吸收紫外線，能夠效率良好地進行步驟S602的基板W的改性。

在對基板W的表面整體供給前處理液後，停止前處理液的供給。接著，如圖7C所示，在使基板W旋轉的狀態下，從乾燥氣體供給噴嘴86向基板W的周緣部吹送不活潑氣體(例如，氮氣)而使基板W的周緣部乾燥(步驟S604)。此時，如上所述，較佳為燥氣體供給噴嘴86從基板W的內側朝向外側對基板W的周緣部吹送不活潑氣體。由此，能夠將附著於基板W的周緣部的 前處理液吹向基板W的徑向外側而使基板W的乾燥速度提高。另外，例如，在基板保持器60採用濕接點的情況，或無需由基板保持器60保持基板W的情況下等，也可以不必執行步驟S604。另外，前處理單元80具有用於將加壓後的氣體向乾燥氣體供給噴嘴86供給的未圖示的乾燥氣體供給源。

對步驟S601~步驟S604中進行了前處理的基板W進行圖4中說明了的步驟S403~步驟S410的處理，從而在基板W形成鍍覆膜。

如以上所說明的，在本實施方式的鍍覆裝置中，能夠在前處理單元80中對基板W進行紫外線的照射(親水化處理)與前處理液的供給。因此，能夠在進行了利用紫外線照射而進行的基板W表面的清洗及改性後緊接著進行預濕處理。換言之，能夠使從對基板W的表面整體進行清洗及改性到進行預濕處理為止的時間非常短，並且能夠使每個基板的從利用紫外線照射進行清洗及改性起到預濕處理為止的時間恒定。因此，能夠使基板W表面的親水性提高，並且抑制各基板的親水性的程度的不均。另外，能夠在同一時間同一地點(同一裝置)進行基板W的清洗及改性與預濕處理，因此能夠使鍍覆裝置1的處理量提高，並且還能夠使鍍覆裝置1的占地變小。

另外，在本實施方式的鍍覆裝置中，在保持於基板保持器60之前，能夠在前處理單元80進行前處理。在以往那樣的將保持於基板保持器60的基板W浸漬於預濕槽的情況下，在不僅是基板W，還有基板保持器60也一起被前處理液沾濕的狀態下，浸漬於後段的預浸槽28內的預浸液或鍍覆槽34內的鍍覆液。在本實施方式中，沒有以往那樣的基板保持器60浸漬於前處理液的處理，因此在基板保持器60未沾濕的狀態下進行預浸槽28或鍍覆槽34中的處理，因此能夠抑制預浸液或鍍覆液被前處理液稀釋。

在以上說明的實施方式中，如圖5A及圖5B所示，紫外線照射裝置84與前處理液供給噴嘴85分開設置。然而不限於此，如圖8所示，也可以使 紫外線照射裝置84與前處理液供給噴嘴85形成為一體。在該情況下，能夠使紫外線照射裝置84與前處理液供給噴嘴85共享使紫外線照射裝置84與前處理液供給噴嘴85在退避位置與處理位置之間移動的驅動源。

以上，對本發明的實施方式進行了說明，但上述的發明的實施方式是為了容易理解本發明，而非限定本發明。本發明在不脫離其主旨的範圍內可以進行變更、改良，並且本發明理所當然包含其等價物。另外，在能夠解決上述問題的至少一部分的範圍或獲得效果的至少一部分的範圍內，能夠進行本發明所要求保護的範圍及說明書所述的各結構要素的任意組合或省略。

例如，還可以考慮，在圖6所示的一系列處理工序中，在步驟S602的改性處理之後，從基板W的上方使用未圖示的噴嘴對正在旋轉的基板W散佈表面活性劑，從而由表面活性劑覆蓋基板W的一部分。由此，在該基板W形成由表面活性劑覆蓋的晶種層的區域以及未由表面活性劑覆蓋的晶種層的區域。通過這樣的由表面活性劑覆蓋基板W的一部分，從而在對該基板W進行電解鍍覆處理時，能夠相對提高未由表面活性劑覆蓋的晶種層的區域的鍍覆速度，另一方面能夠相對降低由表面活性劑覆蓋的晶種層的區域的鍍覆速度。由此，能夠防止在基板W的凹部形成孔隙(void)，並且對於具有高的長寬比的溝槽(trench)結構或導通孔(via)結構的基板W，也能夠容易地進行自下而上的電解鍍覆。另外，通過將基板W浸漬於鍍覆液中一定程度的時間，從而覆蓋了基板W的表面活性劑溶解於鍍覆液中。

以下記載了本說明書所公開的幾個方式。

根據第一方式，提供一種對基板進行鍍覆處理的鍍覆裝置。該鍍覆裝置具有：前處理單元，該前處理單元使前處理液與所述基板的表面接觸；以及鍍覆槽，該鍍覆槽對所述前處理液與所述表面接觸後的所述基板進行鍍覆處理，所 述前處理單元具有：保持台，該保持台將所述基板的表面保持為朝向上方；馬達，該馬達構成為使所述保持台旋轉；親水化處理部，該親水化處理部構成為對所述表面照射紫外線；以及前處理液供給部，該前處理液供給部構成為對由所述親水化處理部進行了親水化的所述表面供給所述前處理液。

根據第一方式，能夠在前處理單元中對基板進行紫外線的照射(親水化處理)及前處理液的供給。因此，能夠在進行了通過紫外線照射的基板表面的清洗及改性後緊接著進行預濕處理。換言之，能夠使從對基板的表面整體進行清洗及改性起到進行預濕處理為止的時間非常短，並且能夠使從每個基板的通過紫外線照射的清洗及改性起到預濕處理為止的時間為恒定。因此，能夠使基板表面的親水性提高，並且抑制各基板的親水性的程度的不均。另外，能夠在同一時間同一地點(同一裝置)進行基板的清洗及改性與預濕處理，因此能夠使鍍覆裝置的處理量提高，並且使鍍覆裝置的占地(footprint)變小。

另外，根據第一方式，保持台對基板進行保持，從而能夠使基板旋轉。因此，能夠一邊使基板旋轉，一邊通過親水化處理部照射紫外線，因此例如對基板局部地照射紫外線，也能夠通過基板的旋轉而對整體照射紫外線。因此，與親水化處理部對基板整個面進行紫外線的照射的情況相比，能夠使親水化處理部的尺寸變小。另外，在前處理液供給部對親水化後的基板供給處理液時，能夠使保持有基板的保持台以規定的轉速旋轉。由此，克服供給至基板上的前處理液的表面張力而產生離心力，使前處理液向基板的周緣部均勻地擴散。由於基板的表面被親水化，因此能夠容易地置換基板表面的抗蝕劑開口部內的空氣與前處理液。在第一方式中，能夠通過基板的旋轉使前處理液從基板的中心向周緣部擴散，因此在基板的尺寸為12英尺時，能夠將使用的前處 理液的量抑制到幾百毫升左右，與以往那樣將基板浸漬於預濕槽的情況相比，能夠大幅地降低前處理液的使用量。

根據第二方式，在第一方式的鍍覆裝置中，具有氣體供給部，該氣體供給部構成為對所述基板的周緣部吹送氣體。

根據第二方式，一邊使基板旋轉，一邊通過氣體供給部對基板的周緣部吹送氣體，從而能夠去除或乾燥附著於基板的周緣部的前處理液。在對基板進行鍍覆時，基板保持器的電接點端部與基板的周緣部接觸，由此，對基板表面的晶種層供電。此時，若基板的周緣部被前處理液沾濕，則電接點端部間有可能短路。因此，前處理單元具有氣體供給部，從而能夠防止電接點端部間的短路。

根據第三方式，在第二方式的鍍覆裝置中，所述氣體供給部構成為從所述基板的內側朝向外側對所述基板吹送氣體。

根據第三方式，能夠將附著於基板的周緣部的前處理液吹向基板的徑向外側，使基板的乾燥速度提高。

根據第四方式，在第一至第三方式中任一方式的鍍覆裝置中，具有控制部，該控制部對所述前處理液供給部、所述親水化處理部及所述馬達進行控制。根據第四方式，控制部能夠適當地對前處理單元的各部進行控制。

根據第五方式，在第四方式的鍍覆裝置中，所述控制部對所述馬達及所述親水化處理部進行控制，以便在開始所述保持台的旋轉後，開始對所述表面的紫外線的照射。

在親水化處理部構成為對基板局部地照射紫外線的情況下，若在基板的旋轉停止的狀態下開始紫外線的照射，停止期間紫外線所照射的部分與其他部分相比，照射紫外線的時間更長。因此，基板的面內的紫外線的照射 量有可能不均勻。根據第五方式，通過在基板的旋轉開始後，開始紫外線的照射，從而能夠使基板的面內的紫外線的照射量更均勻。

根據第六方式，在第四或第五方式的鍍覆裝置中，所述控制部對所述前處理液供給部及所述馬達進行控制，以便在使所述保持台的旋轉停止的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面。

根據第七方式，在第四或第五方式的鍍覆裝置中，所述控制部對所述前處理液供給部及所述馬達進行控制，以便在使所述保持台旋轉的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面。

根據第八方式，在第七方式的鍍覆裝置中，所述控制部對所述前處理液供給部及所述馬達進行控制，以便在使所述保持台的轉速相比於照射所述紫外線時的轉速增加的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面。根據第八方式，通過使保持台的轉速相比於紫外線照射時增加，從而能夠使前處理液的擴散速度提高。

根據第九方式，在第一至第八方式中的任一方式的鍍覆裝置中，所述鍍覆槽構成為：在將向所述表面供給了所述前處理液的所述基板保持於基板保持器的狀態下，對所述基板進行鍍覆處理。

根據第九方式，能夠將由前處理單元進行了前處理的基板保持於基板保持器。在以往那樣將保持於基板保持器的基板浸漬於預濕槽的情況下，在不僅是基板，基板保持器也一起被前處理液沾濕的狀態下浸漬于後段的鍍覆槽內的鍍覆液。在第九方式中，沒有以往那樣的基板保持器浸漬於前處理液的情況，因此在基板保持器未沾濕的狀態下進行鍍覆槽中的處理，因此能夠抑制鍍覆液被前處理液稀釋。

根據第十方式，提供一種鍍覆方法。該鍍覆方法具有如下工序：將基板配置於保持台的工序；對配置於所述保持台的所述基板的表面照射 紫外線來進行親水化處理的工序；對進行了所述親水化處理的所述基板的表面供給前處理液的工序；使保持有向所述表面供給了所述前處理液的所述基板的所述保持台旋轉的工序；以及對向所述表面供給了所述前處理液的所述基板進行鍍覆處理的鍍覆工序。

根據第十方式，保持台對基板進行保持，由此能夠使基板旋轉。因此，能夠一邊使基板旋轉，一邊照射紫外線，因此例如即使對基板局部地照射紫外線，也能夠通過基板的旋轉而整體地照射紫外線。因此，與對基板整個面進行紫外線的照射的情況相比，能夠使紫外線照射裝置的尺寸變小。另外，在對親水化後的基板供給處理液時，能夠使保持有基板的保持台以規定的轉速旋轉。由此，克服供給至基板上的前處理液的表面張力而產生離心力，能夠使前處理液向基板的周緣部均勻地擴散。由於基板的表面被親水化，因此能夠容易地置換基板表面的抗蝕劑開口部內的空氣與前處理液。在第十方式中，能夠通過基板的旋轉使前處理液從基板的中心向周緣部擴散，因此在基板的尺寸為12英尺時，能夠將使用的前處理液的量抑制為幾百毫升左右，與以往那樣將基板浸漬於預濕槽的情況相比，能夠大幅地降低前處理液的使用量。

根據第十一方式，在第十方式的鍍覆方法中，具有對向所述表面供給了所述前處理液的所述基板的周緣部吹送氣體的工序。

根據第十一方式，一邊使基板旋轉，一邊對基板的周緣部吹送氣體，從而能夠去除或乾燥附著於基板的周緣部的前處理液。在對基板進行鍍覆時，基板保持器的電接點端部與基板的周緣部接觸，從而對基板表面的晶種層供電。此時，若基板的周緣部被前處理液沾濕，則電接點端部間有可能短路。因此，通過對基板的周緣部吹送氣體，從而能夠防止電接點端部間的短路。

根據第十二方式，在第十一方式的鍍覆方法中，吹送所述氣體的工序具有從所述基板的內側朝向外側對所述基板吹送氣體的工序。

根據第十二方式，能夠將附著於基板的周緣部的前處理液吹向基板的徑向外側，使基板的乾燥速度提高。

根據第十三方式，在第十至第十二方式中的任一方式的鍍覆方法中，進行所述親水化處理的工序包含：在開始所述保持台的旋轉後，開始對所述表面照射紫外線的工序。

在對基板局部地照射紫外線的情況下，若在基板的旋轉停止的狀態下開始紫外線的照射，則在停止期間照射紫外線的部分相比其他的部分，照射更長時間紫外線。因此，基板的面內的紫外線的照射量有可能不均勻。根據第十三方式，通過在基板的旋轉開始後，開始紫外線的照射，從而能夠使基板的面內的紫外線的照射量更均勻。

根據第十四方式，在第十至第十三方式中的任一方式的鍍覆方法中，供給所述前處理液的工序包含：在使所述保持台的旋轉停止的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面的工序。

根據第十五方式，在第十至第十三方式中的任一方式的鍍覆方法中，供給所述前處理液的工序包含：在使所述保持台旋轉的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面的工序。

根據第十六方式，在第十五方式的鍍覆方法中，供給所述前處理液的工序包含：在使所述保持台的轉速相比於照射所述紫外線時的轉速增加的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面的工序。根據第十六方式，通過使保持台的轉速相比紫外線照射時增加，從而能夠使前處理液的擴散速度提高。

根據第十七方式，在第十至第十六方式中的任一方式的鍍覆方法中，所述鍍覆工序包含：將向所述表面供給了所述前處理液的所述基板保持於基板保持器的工序；以及對保持於所述基板保持器的所述基板進行鍍覆處理的工序。

根據第十七方式，能夠將供給了前處理液的基板保持於基板保持器。在以往那樣將保持於基板保持器的基板浸漬於預濕槽的情況下，在不僅是基板，基板保持器也被前處理液沾濕的狀態下浸漬于後段的鍍覆槽內的鍍覆液。在第十七方式中，沒有以往那樣的基板保持器浸漬於前處理液的情況，因此在基板保持器未沾濕的狀態下進行鍍覆槽中的處理，因此能夠抑制鍍覆液被前處理液稀釋。

根據第十八方式，在第十至第十七方式中的任一方式的鍍覆方法中，進行所述親水化處理的工序包含：使對所述基板的被鍍覆面照射紫外線的照射時間與對所述基板的密封區域照射紫外線的照射時間不同的工序。

基板的表面被區分為：在將基板保持於基板保持器時實施鍍覆的被鍍覆面；以及通過基板保持器密封且電接點所接觸的面(密封區域)。由於在該密封區域未形成抗蝕劑，因此沒有抗蝕劑灰化的擔憂。根據第十八方式，例如，通過使對密封區域照射紫外線的照射時間比對被鍍覆面照射紫外線的照射時間長，從而能夠使基板保持器的電接點所接觸的部位的表面進一步改性。

根據第十九方式，在第十至第十八方式中的任一方式的鍍覆方法中，進行所述親水化處理的工序包含：對所述基板的被鍍覆面與密封區域照射不同波長及不同光學強度至少其中之一的紫外線的工序。

如上所述，在密封區域未形成抗蝕劑。因此，根據第十九方式，例如，通過在被鍍覆面W1與密封區域W2照射不同波長及不同光學強度至少其中之一的紫外線，從而能夠進行適合於對各區域進行改性的紫外線照射。

根據第二十方式，在第十至第十九方式中的任一方式的鍍覆方法中，所述前處理液是不包含金屬離子的前處理液，該前處理液係去離子水(DIW)、稀硫酸、鍍覆液所使用的包含添加劑在內的水溶液、以及鍍覆液所使用的包含氯離子在內的水溶液中的任一種或它們的組合。

根據第二十一方式，提供一種電腦可讀取的記錄媒體。該記錄媒體記錄有程式，該程式由對鍍覆裝置的動作進行控制的電腦執行時，所述電腦對所述鍍覆裝置進行控制而執行第十至第二十方式中任一方式所述的鍍覆方法。

80:前處理單元

81:吸附板

82:轉杯

83:排水部

84:紫外線照射裝置

85:前處理液供給噴嘴

86:乾燥氣體供給噴嘴

86a:噴嘴

87:馬達

W:基板

Claims (21)

1. 一種鍍覆裝置，係對基板進行鍍覆處理的裝置，所述鍍覆裝置具有：前處理單元，該前處理單元使前處理液與所述基板的表面接觸；以及鍍覆槽，該鍍覆槽對所述前處理液與所述表面接觸後的所述基板進行鍍覆處理，所述前處理單元具有：保持台，該保持台將所述基板的表面保持為朝向上方；馬達，該馬達構成為使所述保持台旋轉；親水化處理部，該親水化處理部構成為對配置於所述保持台的所述基板的所述表面照射紫外線；以及前處理液供給部，該前處理液供給部構成為對配置於所述保持台且由所述親水化處理部進行了親水化的所述基板的所述表面供給所述前處理液。
2. 根據申請專利範圍第1項所述的鍍覆裝置，其中，具有氣體供給部，該氣體供給部構成為對所述基板的周緣部吹送氣體。
3. 根據申請專利範圍第2項所述的鍍覆裝置，其中，所述氣體供給部構成為從所述基板的內側朝向外側對所述基板吹送氣體。
4. 根據申請專利範圍第1項所述的鍍覆裝置，其中，具有控制部，該控制部對所述前處理液供給部、所述親水化處理部及所述馬達進行控制。
5. 根據申請專利範圍第4項所述的鍍覆裝置，其中，所述控制部對所述馬達及所述親水化處理部進行控制，以便在開始所述保持台的旋轉後，開始對所述表面的紫外線的照射。
6. 根據申請專利範圍第4項所述的鍍覆裝置，其中，所述控制部對所述前處理液供給部及所述馬達進行控制，以便在使所述保持台的旋轉停止的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面。
7. 根據申請專利範圍第4項所述的鍍覆裝置，其中，所述控制部對所述前處理液供給部及所述馬達進行控制，以便在使所述保持台旋轉的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面。
8. 根據申請專利範圍第7項所述的鍍覆裝置，其中，所述控制部對所述前處理液供給部及所述馬達進行控制，以便在使所述保持台的轉速相比於照射所述紫外線時的轉速增加的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面。
9. 根據申請專利範圍第1至8項中任一項所述的鍍覆裝置，其中，所述鍍覆槽構成為：在將向所述表面供給了所述前處理液的所述基板保持於基板保持器的狀態下，對所述基板進行鍍覆處理。
10. 一種鍍覆方法，其具有如下工序：將基板配置於保持台的工序；對配置於所述保持台的所述基板的表面照射紫外線來進行親水化處理的工序；對進行了所述親水化處理的配置於所述保持台的所述基板的表面供給前處理液的工序；使保持有向所述表面供給了所述前處理液的所述基板的所述保持台旋轉的工序；以及對向所述表面供給了所述前處理液的所述基板進行鍍覆處理的鍍覆工序。
11. 根據申請專利範圍第10項所述的鍍覆方法，其中，具有對向所述表面供給了所述前處理液的所述基板的周緣部吹送氣體的工序。
12. 根據申請專利範圍第11項所述的鍍覆方法，其中，吹送所述氣體的工序具有從所述基板的內側朝向外側對所述基板吹送氣體的工序。
13. 根據申請專利範圍第10項所述的鍍覆方法，其中，進行所述親水化處理的工序包含：在開始所述保持台的旋轉後，開始對所述表面照射紫外線的工序。
14. 根據申請專利範圍第10項所述的鍍覆方法，其中，供給所述前處理液的工序包含：在使所述保持台的旋轉停止的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面的工序。
15. 根據申請專利範圍第10項所述的鍍覆方法，其中，供給所述前處理液的工序包含：在使所述保持台旋轉的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面的工序。
16. 根據申請專利範圍第15項所述的鍍覆方法，其中，供給所述前處理液的工序包含：在使所述保持台的轉速相比於照射所述紫外線時的轉速增加的狀態下，將所述前處理液供給至親水化後的所述表面的工序。
17. 根據申請專利範圍第10項所述的鍍覆方法，其中，所述鍍覆工序包含：將向所述表面供給了所述前處理液的所述基板保持於基板保持器的工序；以及對保持於所述基板保持器的所述基板進行鍍覆處理的工序。
18. 根據申請專利範圍第10項所述的鍍覆方法，其中，進行所述親水化處理的工序包含：使對所述基板的被鍍覆面照射紫外線的照射時間與對所述基板的密封區域照射紫外線的照射時間不同的工序。
19. 根據申請專利範圍第10項所述的鍍覆方法，其中，進行所述親水化處理的工序包含：對所述基板的被鍍覆面與密封區域照射不同波長及不同光學強度至少其中之一的紫外線的工序。
20. 根據申請專利範圍第10項所述的鍍覆方法，其中，所述前處理液是不包含金屬離子的前處理液，該前處理液係去離子水(DIW)、稀硫酸、鍍覆液所使用的包含添加劑在內的水溶液、以及鍍覆液所使用的包含氯離子在內的水溶液中的任一種或它們的組合。
21. 一種電腦可讀取的記錄媒體，其記錄有程式，該程式由對鍍覆裝置的動作進行控制的電腦執行時，所述電腦對所述鍍覆裝置進行控制而執行申請專利範圍第10至20項中任一項所述的鍍覆方法。

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