TWI584370B - A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a memory medium - Google Patents

Description

基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體

所揭示之實施形態，係關於基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體。

以往，已知一種乾蝕刻工程，其係藉由對半導體晶圓等之基板進行乾蝕刻的方式，使形成於基板內部之金屬配線的一部分露出(參閱專利文獻1)。

在藉由該乾蝕刻工程使基板內部的金屬配線露出之後，當長時間將基板置之不理時，會產生露出的金屬配線氧化等之不良影響。因此，對乾蝕刻工程後的放置時間，設有限制時間(Q-time)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2010-027786號公報

然而，在上述之習知技術中，由於必需實施用於遵守限制時間(Q-time)的時間管理，故伴隨著工時增加而造成生產率下降的問題。

另外，上述之課題，並不限於進行乾蝕刻的情形，在進行濕式清洗或成膜處理等的情況下，也可能相同地產生該課題。

實施形態之一態樣，係以提供一種能夠使生產率提高之基板處理方法、前處理裝置、後處理裝置、基板處理系統及記憶媒體為目的。

實施形態之一態樣的基板處理方法，係包含有：處理液供給工程，對進行了在處理後必需實施環境管理或時間管理之前處理的基板，供給用於包含揮發成分並在基板上形成膜的處理液；及收容工程，藉由前述揮發成分揮發的方式，將前述處理液已固化或硬化的基板收容到搬送容器。

根據實施形態之一態樣，能夠使生產率提高。

W‧‧‧晶圓

P‧‧‧反應生成物

1‧‧‧基板處理系統

2‧‧‧第1處理裝置

3‧‧‧第2處理裝置

4‧‧‧控制裝置

12‧‧‧乾蝕刻單元

12‧‧‧真空預備室

14‧‧‧第1液體處理單元

19‧‧‧第2液體處理單元

40_1，40_2，80‧‧‧液體供給部

101‧‧‧配線層

102‧‧‧Cu配線

103‧‧‧襯墊膜

104‧‧‧層間絕緣膜

106‧‧‧導孔

[圖1A]圖1A，係第1實施形態之基板處理方法的說明圖。

[圖1B]圖1B，係第1實施形態之基板處理方法的說明圖。

[圖1C]圖1C，係第1實施形態之基板處理方法的說明圖。

[圖2]圖2，係表示第1實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。

[圖3]圖3，係表示第1處理裝置之概略構成的圖。

[圖4]圖4，係表示第2處理裝置之概略構成的圖。

[圖5]圖5，係表示乾蝕刻單元之構成之一例的示意圖。

[圖6]圖6，係表示第1液體處理單元之構成之一例的示意圖。

[圖7]圖7，係表示第2液體處理單元之構成之一例的示意圖。

[圖8]圖8，係表示第1實施形態之基板處理之處理步驟的流程圖。

[圖9A]圖9A，係表示背面洗淨處理之一例的圖。

[圖9B]圖9B，係表示背面洗淨處理之一例的圖。

[圖10]圖10，係表示背面洗淨處理之其他一例的圖。

[圖11]圖11，係表示背面洗淨處理之其他一例的圖。

[圖12]圖12，係表示第3實施形態之第1處理裝置之概略構成的圖。

[圖13]圖13，係表示第3實施形態之第2處理裝置之概略構成的圖。

[圖14]圖14，係表示第4實施形態之第2處理裝置之概略構成的圖。

[圖15]圖15，係表示第4實施形態之去除單元之構成之一例的示意圖。

[圖16]圖16，係表示第5實施形態之第2處理裝置之概略構成的圖。

[圖17]圖17，係表示應用成膜用處理液供給處理及去除處理之程序之例子的圖。

以下，參閱添附圖面，詳細說明本申請案所揭示之基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體的實施形態。另外，該發明並不受以下所示之實施形態限定者。

(第1實施形態) <基板處理方法之內容>

首先，使用圖1A~圖1C，說明第1實施形態之基板處理方法。圖1A~圖1C，係第1實施形態之基板處理方法的說明圖。

第1實施形態之基板處理方法，係不受Q- time之限制，而可處理形成於內部之金屬配線的至少一部分露出之半導體晶圓等的基板(以下，記載為晶圓W)。

在此，Q-time，係指為了防止例如由乾蝕刻所露出的金屬配線氧化等，而對乾蝕刻後之放置時間予以設定的限制時間。

當設定Q-time時，由於必需實施用於遵守Q-time之時間管理，故有伴隨著工時增加而造成生產率下降之虞。又，在所設定之Q-time較短的情況下，管線管理會變得困難。故，亦讓人擔心因管線管理之複雜化而造成生產率下降。

如圖1A所示，晶圓W，係具有例如配線層101、襯墊膜103及層間絕緣膜104。該些，係以配線層101、襯墊膜103及層間絕緣膜104的順序進行層積。在配線層101，係形成有作為金屬配線之一例的Cu配線102。

又，晶圓W，係具有導孔106。導孔106，係藉由乾蝕刻予以形成。導孔106係到達至配線層101，而形成為Cu配線102之表面從導孔106之底部露出的狀態。

在第1實施形態之基板處理方法中，係如圖1B所示，將包含揮發成分且用於在晶圓W上形成膜的處理液(以下，記載為「成膜用處理液」)供給至晶圓W上。具體而言，在第1實施形態中，係將用於在晶圓W上形成面塗層膜的成膜用處理液(以下，記載為面塗層 液)供給至晶圓W上。

在此，面塗層膜，係指為了防止液浸液滲入至光阻膜，而塗佈至光阻膜上面的保護膜。又，液浸液，係例如在光微影製程中使用於浸液曝光的液體。

被供給至晶圓W上的面塗層液，係一邊藉由包含於其內部之揮發成分揮發而引起體積收縮，一邊固化或硬化，形成為面塗層膜(參閱圖1C)。另外，在面塗層液，係包含具有於固化或硬化時體積收縮之性質的丙烯酸樹脂，藉由該丙烯酸樹脂之硬化收縮，亦會引起面塗層液之體積收縮。在此，所指的「固化」係固體化之意，「硬化」係分子彼此連結而高分子化(例如，交聯或聚合等)之意。

當面塗層膜形成於晶圓W上時，藉由乾蝕刻所露出之Cu配線102，係形成為被面塗層膜覆蓋的狀態。晶圓W，係以該狀態被收容到搬送容器。

如此一來，根據第1實施形態之基板處理方法，藉由以面塗層膜保護露出之Cu配線102的方式，由於露出之Cu配線102不會受到氧化等的不良影響，故不需進行Q-time之設定。因不需Q-time，故用於遵守Q-time之時間管理也變得不需要，又，伴隨著遵守Q-time，亦可防止管線管理複雜化。因此，根據第1實施形態之基板處理方法，能夠使生產率提升。

又，反應生成物P會因乾蝕刻的殘留氣體與大氣中之水分或氧氣產生反應而生長。對此，根據第1實 施形態之基板處理方法，藉由以面塗層膜保護露出之Cu配線102的方式，可抑制反應生成物P之生長。因此，亦可防止反應生成物P所致之電氣特性下降或良率下降等的不良影響。

另外，第1實施形態之基板處理方法，係在取出收容於搬送容器的晶圓W之後，藉由去除形成於晶圓W上之面塗層膜的方式，亦進行去除由乾蝕刻或灰化所產生之聚合物等之反應生成物P的處理。

具體而言，將去除面塗層膜的去除液供給至面塗層膜上。在第1實施形態中，係使用鹼顯像液作為去除液。

藉由供給鹼顯像液的方式，面塗層膜會從晶圓W剝離。此時，殘存於晶圓W上之反應生成物P，亦與面塗層膜從晶圓W剝離。藉此，可從晶圓W去除反應生成物P。

如此一來，根據第1實施形態之基板處理方法，由於不利用化學性作用就能夠去除反應生成物，因此，可抑制因蝕刻作用等所致之對Cu配線102的損傷。

因此，根據第1實施形態之基板處理方法，在乾蝕刻之後或灰化之後，可一邊抑制對晶圓W之損傷，一邊去除殘存於晶圓W上的反應生成物P。另外，面塗層膜，係在成膜於晶圓W之後，不進行圖案曝光，全部從晶圓W被去除。

面塗層液，係一邊引起體積收縮，一邊固化 或硬化，而成為面塗層膜。即使藉由當時之因面塗層液之體積收縮所產生的變形(拉伸力)，亦可從晶圓W分離殘存於晶圓W的反應生成物P。

面塗層液，係因藉由揮發成分之揮發及丙烯酸樹脂之硬化收縮，引起體積收縮，因此，相較於僅包含揮發成分之成膜用處理液，體積收縮率大，從而可強力地分離反應生成物P。尤其，丙烯酸樹脂，係因相較於環氧樹脂等之其他樹脂，硬化收縮大，因此，在對反應生成物P賦予拉伸力之觀點上，面塗層液係有效的。

又，面塗層膜，係藉由鹼顯像液而被剝離時膨潤。因此，若根據第1實施形態之基板處理方法，除了面塗層液之揮發所致之體積收縮外，由面塗層膜之膨潤所致之體積膨脹，亦可從晶圓W強力地分離反應生成物P。

又，在第1實施形態中，係藉由使用具有鹼性者作為去除液的方式，以提高反應生成物P之去除效率。

藉由供給鹼顯像液之方式，在晶圓W之表面與反應生成物P之表面，係產生相同極性之仄他電位(Zeta potential)。因面塗層液之體積變化從晶圓W分離的反應生成物P，係藉由帶電與晶圓W相同極性之仄他電位，而與晶圓W相斥。藉此，防止反應生成物P再附著於晶圓W。

如此一來，利用面塗層液之體積收縮，從晶圓W等分離反應生成物P之後，藉由使相同極性之仄他 電位產生於晶圓W與反應生成物P的方式，由於可防止反應生成物P之再附著，故可提高反應生成物P之去除效率。

另外，作為鹼顯像液，係只要含有例如氨、氫氧化四甲銨(TMAH：Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)、膽鹼水溶液之至少一個即可。

又，根據第1實施形態之基板處理方法，亦容易去除在例如利用物理力之洗淨方法中難以去除之進入導孔106內的反應生成物P。

另外，形成於晶圓W上的面塗層膜，最終從晶圓W被全部去除。因此，去除了面塗層膜後的晶圓W，係成為供給面塗層液之前的狀態，亦即成為Cu配線102露出的狀態。

<基板處理系統之構成>

接下來，參閱圖2說明執行上述之基板處理方法之基板處理系統的構成。圖2，係表示第1實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。

如圖2所示，第1實施形態之基板處理系統1，係具備有作為前處理裝置的第1處理裝置2與作為後處理裝置的第2處理裝置3。又，基板處理系統1，係具備有第1控制裝置4A與第2控制裝置4B。

第1處理裝置2，係對晶圓W進行乾蝕刻或面塗層液的供給。又，第2處理裝置3，係對在第1處理 裝置2所處理的晶圓W，進行鹼顯像液之供給。

第1控制裝置4A，係例如為電腦，具備有控制部401與記憶部402。記憶部402，係由例如RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、硬碟這樣的記憶裝置所構成，且記憶用以控制在第1處理裝置2所執行之各種處理的程式。控制部401，係例如為CPU(Central Processing Unit)，藉由讀出並執行記憶於記憶部402的程式，加以控制第1處理裝置2的動作。

相同的，第2控制裝置4B，係例如為電腦，具備有控制部403與記憶部404。記憶部404，係由例如RAM、ROM、硬碟這樣的記憶裝置所構成，且記憶用以控制在第2處理裝置3所執行之各種處理的程式。控制部403，係例如為CPU，藉由讀出並執行記憶於記憶部404的程式，加以控制第2處理裝置3的動作。

另外，該些程式，係亦可為藉由電腦記錄於可讀取之記憶媒體者，亦可為由其記憶媒體安裝於第1控制裝置4A之記憶部402或第2控制裝置4B之記憶部404者。作為藉由電腦進行可讀取之記憶媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

<第1處理裝置之構成>

接下來，參閱圖3說明第1處理裝置2之構成。圖 3，係表示第1處理裝置2之概略構成的圖。另外，在下述中，為了使位置關係明確，而加以規定互相正交的X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設為垂直向上方向。

如圖3所示，第1處理裝置2，係具備搬入搬出站5與處理站6。搬入搬出站5與處理站6，係相鄰而設。

搬入搬出站5，係具備有載置部10與搬送部11。在載置部10，係載置有以水平狀態收容複數片晶圓W的複數個搬送容器(以下，記載為載體C)。

搬送部11，係相鄰於載置部10而設置，且在內部具備有基板搬送裝置111。基板搬送裝置111，係具備有保持晶圓W之晶圓保持機構。又，基板搬送裝置111，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用晶圓保持機構，在載體C與處理站6之間進行晶圓W之搬送。

具體而言，基板搬送裝置111，係進行從載置於載置部10之載體C取出晶圓W，並將取出之晶圓W搬入到後述之處理站6之乾蝕刻單元12的處理。又，基板搬送裝置111，係亦進行從後述之處理站6的第1液體處理單元14取出晶圓W，並將取出之晶圓W收容到載置部10之載體C的處理。

處理站6，係相鄰於搬送部11而設置。處理站6，係具備有乾蝕刻單元12、真空預備室13及第1液體處理單元14。

乾蝕刻單元12，係相當於前處理部之一例，對藉由基板搬送裝置111搬入的晶圓W進行乾蝕刻處理。藉此，形成導孔106，而晶圓W內部之Cu配線102(參閱圖1A)會露出。

另外，乾蝕刻處理，係於減壓狀態下進行。又，乾蝕刻單元12，係在乾蝕刻處理之後，存在有進行去除不要之光阻劑之灰化處理的情形。

真空預備室13，係構成為可在大氣壓狀態與減壓狀態切換內部之壓力。在真空預備室13之內部，係設有未圖示之基板搬送裝置。結束乾蝕刻單元12之處理的晶圓W，係藉由真空預備室13之未圖示的基板搬送裝置，從乾蝕刻單元12被搬出，而搬入到第1液體處理單元14。

具體而言，真空預備室13之內部，係直至從乾蝕刻單元12搬出晶圓W為止，被保持為減壓狀態，在結束搬出之後，供給氮或氬等之惰性氣體，而切換為大氣壓狀態。且，在切換成大氣壓狀態之後，真空預備室13之未圖示的基板搬送裝置會將晶圓W搬入到第1液體處理單元14。

如此一來，由於晶圓W，係從乾蝕刻單元12被搬出起至搬入到第1液體處理單元14的期間，被外氣遮斷，因此，可防止露出之Cu配線102氧化。

接著，第1液體處理單元14，係進行將面塗層液供給至晶圓W的成膜用處理液供給處理。如上述， 被供給至晶圓W的面塗層液，係一邊引起體積收縮一邊固化或硬化，形成為面塗層膜。藉此，露出之Cu配線102，係形成為被面塗層膜覆蓋的狀態。

成膜用處理液供給處理後的晶圓W，係藉由基板搬送裝置111被收容到載體C，然後，被搬送到第2處理裝置3。

<第2處理裝置之構成>

接下來，參閱圖4說明第2處理裝置3之構成。圖4，係表示第2處理裝置3之概略構成的圖。

如圖4所示，第2處理裝置3，係具備搬入搬出站7與處理站8。搬入搬出站7與處理站8，係相鄰而設。

搬入搬出站7，係具備有載置部16與搬送部17。在載置部16，係載置有複數個載體C。

搬送部17，係相鄰於載置部16而設置，在內部具備有基板搬送裝置171與收授部172。基板搬送裝置171，係具備有保持晶圓W之晶圓保持機構。又，基板搬送裝置171，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用晶圓保持機構，在載體C與收授部172之間進行晶圓W之搬送。

處理站8，係相鄰於搬送部17而設置。處理站8，係具備有搬送部18與複數個第2液體處理單元19。複數個第2液體處理單元19，係排列設置於搬送部 18之兩側。

搬送部18，係在內部具備有基板搬送裝置181。基板搬送裝置181，係具備有保持晶圓W之晶圓保持機構。又，基板搬送裝置181，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用晶圓保持機構，在收授部172與第2液體處理單元19之間進行晶圓W之搬送。

在第2處理裝置3中，搬入搬出站7之基板搬送裝置171，係從載體C取出在第1處理裝置2所處理的晶圓W，並將取出的晶圓W載置於收授部172。載置於收授部172的晶圓W，係藉由處理站8之基板搬送裝置181，從收授部172被取出，並被搬入到第2液體處理單元19。

在第2液體處理單元19中，對晶圓W進行供給鹼顯像液而去除面塗層膜的處理等。藉此，伴隨著面塗層膜之剝離，去除殘存於晶圓W上的反應生成物P。又，在第2液體處理單元19中，係亦對去除了面塗層膜之晶圓W，進行藥液之洗淨。在此，係使用DHF(稀氫氟酸)作為藥液。

然後，晶圓W，係藉由基板搬送裝置181，從第2液體處理單元19被搬出，並載置於收授部172。且，載置於收授部172之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置171返回到載置部16之載體C。

<乾蝕刻單元之構成>

接下來，說明上述之第1處理裝置2及第2處理裝置3所具備之各單元的構成。首先，參閱圖5，說明第1處理裝置2所具備之乾蝕刻單元12的構成。圖5，係表示乾蝕刻單元12之構成之一例的示意圖。

如圖5所示，乾蝕刻單元12，係具備有收容晶圓W之密閉構造的腔室201，在腔室201內，係設有以水平狀態載置晶圓W的載置台202。載置台202，係具備有用以冷卻或加熱晶圓W，從而調節成預定溫度的溫度調整機構203。在腔室201之側壁，係設有用於在與真空預備室13之間搬入搬出晶圓W的搬入搬出口(未圖示)。

在腔室201之頂部，係設有噴頭204。在噴頭204，係連接有氣體供給管205。在該氣體供給管205，係經由閥206連接有蝕刻氣體供給源207，且從蝕刻氣體供給源207對噴頭204供給預定的蝕刻氣體。噴頭204，係將從蝕刻氣體供給源207所供給之蝕刻氣體供給到腔室201內。

另外，從蝕刻氣體供給源207所供給之蝕刻氣體，係例如為CH₃F氣體、CH₂F₂氣體、CF₄氣體、O₂氣體、Ar氣體源等。

在腔室201之底部，係經由排氣管線208連接有排氣裝置209。腔室201之內部的壓力，係藉由該排氣裝置209被維持為減壓狀態。

乾蝕刻單元12，係構成為如上述，在使用排 氣裝置209對腔室201之內部進行減壓的狀態下，從噴頭204將蝕刻氣體供給至腔室201內，藉此，對載置於載置台202的晶圓W進行乾蝕刻。藉此，在晶圓W形成有導孔106(參閱圖1A)，形成為Cu配線102露出的狀態。

又，在乾蝕刻單元12中，係例如存在有以將光阻膜作為遮罩而對層間絕緣膜104(參閱圖1A)進行乾蝕刻之後，進行用於去除光阻膜之灰化處理的情形。

<第1液體處理單元之構成>

接下來，參閱圖6，說明第1處理裝置2所具備之第1液體處理單元14的構成。圖6，係表示第1液體處理單元14之構成之一例的示意圖。

如圖6所示，第1液體處理單元14，係具備有腔室20、基板保持機構30、液體供給部40_1、40_2及回收杯體50。

腔室20，係收容有基板保持機構30與液體供給部40_1、40_2與回收杯體50。在腔室20之頂部，係設有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21，係在腔室20內形成降流。

在FFU21，係經由閥22連接有惰性氣體供給源23。FFU21，係將從惰性氣體供給源23所供給之N₂氣體等的惰性氣體吐出至腔室20內。如此一來，藉由使用惰性氣體作為降流氣體的方式，可防止露出之Cu配線102(參閱圖1A)氧化的情形。

基板保持機構30，係具備有：旋轉保持部31，可旋轉地保持晶圓W；及流體供給部32，被插通於旋轉保持部31之中空部314，並將氣體供給至晶圓W之下面。

旋轉保持部31，係設於腔室20的大致中央。在該旋轉保持部31之上面，係設有從側面保持晶圓W的保持構件311。晶圓W，係藉由該保持構件311，在僅從旋轉保持部31之上面些許離開的狀態下，被水平保持。

又，旋轉保持部31係具備有驅動機構312，該驅動機構312係由馬達或將馬達之旋轉傳達至旋轉保持部31的皮帶等所構成。旋轉保持部31，係藉由該驅動機構312，繞著垂直軸旋轉。且，藉由旋轉保持部31旋轉的方式，被保持於旋轉保持部31之晶圓W係與旋轉保持部31一體旋轉。另外，旋轉保持部31，係經由軸承313而可旋轉地支撐於腔室20及回收杯體50。

流體供給部32係插通於中空部314，該中空部314係形成於旋轉保持部31的中央。在流體供給部32之內部係形成有流路321，在該流路321係經由閥33連接有N₂供給源34。流體供給部32，係經由閥33及流路321，將從N₂供給源34所供給的N₂氣體供給至晶圓W之下面。

經由閥33而供給之N₂氣體，係高溫(例如，90℃左右)的N₂氣體，使用於後述之揮發促進處理。

基板保持機構30，係於從真空預備室13之未圖示的基板搬送裝置接收晶圓W的情況，使用未圖示之升降機構而使流體供給部32上升的狀態下，使晶圓W載置於未圖示之支撐銷(該支撐銷係設於流體供給部32之上面)上。之後，基板保持機構30，係在使流體供給部32下降至預定位置之後，將晶圓W轉交至旋轉保持部31之保持構件311。又，基板保持機構30，係於將處理完畢之晶圓W轉交至基板搬送裝置111的情況下，使用未圖示之升降機構而使流體供給部32上升，使藉由保持構件311所保持的晶圓W載置於未圖示之支撐銷上。且，基板保持機構30，係將載置於未圖示之支撐銷上的晶圓W轉交至基板搬運裝置111。

液體供給部40_1，係具備有噴嘴41a~41c、支臂42及旋轉升降機構43。

在噴嘴41a係經由閥44a連接有DHF供給源45a，在噴嘴41a係經由閥44b連接有DIW供給源45b，在噴嘴41c係經由閥44c連接有IPA供給源45c。另外，從噴嘴41a所供給之DHF，係被稀釋為不使Cu配線102腐蝕之程度之濃度的稀氫氟酸。又，支臂42係水平地支撐噴嘴41a~41c，旋轉升降機構43係使支臂42旋轉及升降。

該液體供給部40_1，係對晶圓W從噴嘴41a供給預定藥液(在此，係DHF)，從噴嘴41b供給屬於沖洗液之一種的DIW(純水)，從噴嘴41c供給屬於乾燥溶 媒之一種的IPA(異丙醇)。

又，液體供給部40_2，係具備有：噴嘴41d、41e；支臂42，水平地支撐噴嘴41d、41e；及旋轉升降機構43，使臂部42旋轉及升降。在噴嘴41d係經由閥44d連接有MIBC供給源45d，在噴嘴41e係經由閥44e連接有面塗層液供給源45e。

該液體供給部40_2，係對晶圓W，從噴嘴41d供給MIBC(4-甲基-2-戊醇)以作為與面塗層液具有親和性之溶劑，並從噴嘴41e供給面塗層液。

MIBC在面塗層液中亦含有，與面塗層液具有親和性。另外，作為MIBC以外之與面塗層液具有親和性的溶劑，亦可使用例如PGME(丙二醇單甲醚)、PGMEA(丙二醇單甲基醚醋酸酯)等。

另外，在此，雖係按處理液設置專用之噴嘴41a~41e，但亦可以複數之處理液共用噴嘴。但是，當噴嘴共用化時，於例如不想使處理液彼此混合之情況等，必須有暫時排出殘存於噴嘴或配管之處理液的工程，因而造成處理液被浪費。對此，若設置專用之噴嘴41a~41e時，如上述因不需有排出處理液的工程，故不會浪費處理液。

回收杯體50，係配置成包圍旋轉保持部31，捕捉因旋轉保持部31之旋轉而從晶圓W飛散的處理液。在回收杯體50之底部係形成排液口51，被回收杯體50捕捉之處理液係從該排液口51排出到第1液體處理單元14之外部。又，在回收杯體50之底部係形成有排氣口 52，該排氣口52係將藉由流體供給部32所供給的N2氣體或從FFU21所供給的惰性氣體排出到第1液體處理單元14之外部。

<第2液體處理單元之構成>

接下來，參閱圖7，說明第2處理裝置3所具備之第2液體處理單元19的構成。圖7，係表示第2液體處理單元19之構成之一例的示意圖。

如圖7所示，第2液體處理單元19，係在腔室60內具備有基板保持機構70、液體供給部80及回收杯體90。

基板保持機構70，係具備有旋轉保持部71、支柱部72及驅動部73。旋轉保持部71，係設於腔室60的大致中央。在該旋轉保持部71之上面，係設有從側面保持晶圓W的保持構件711。晶圓W，係藉由該保持構件711，在僅從旋轉保持部71之上面些許離開的狀態下，被水平保持。支柱部72係延伸於垂直方向的構件，基端部係藉由驅動部73可旋轉地支撐，在前端部水平地支撐旋轉保持部71。驅動部73，係使支柱部72繞著垂直軸旋轉。

該基板保持機構70，係藉由使用驅動部73使支柱部72旋轉的方式，使支撐於支柱部72之旋轉保持部71旋轉，藉此，使保持於旋轉保持部71的晶圓W旋轉。

液體供給部80，係具備有噴嘴81a~81c、支 臂82及旋轉升降機構83。

在噴嘴81a，係經由閥84a連接有DHF供給源85a，在噴嘴81b係經由閥84b連接有鹼顯像液供給源85b，在噴嘴81c係經由閥84c連接有DIW供給源85c。支臂82，係水平地支撐噴嘴81a~81c。旋轉升降機構83，係使支臂82旋轉及升降。

該液體供給部80，係對晶圓W，從噴嘴81a供給屬於預定藥液之DHF，從噴嘴81b供給屬於去除面塗層膜之去除液的鹼顯像液，從噴嘴81c供給屬於沖洗液之DIW。

在噴嘴81b所供給之鹼顯像液中，係含有防止Cu配線102腐蝕的防腐蝕劑。藉此，在後述之去除液供給處理中，可一邊抑制對Cu配線102之損傷，一邊去除面塗層膜。又，從噴嘴81a所供給之DHF，係被稀釋為不使Cu配線102腐蝕之程度的濃度。

回收杯體90，係為了防止處理液飛散至周圍，而配置為包圍旋轉保持部71。在回收杯體90之底部係形成排液口91，被回收杯體90捕捉之處理液係從該排液口91排出至第2液體處理單元19之外部。

如此一來，第1實施形態之第2液體處理單元19，係相當於從晶圓W去除面塗層膜的去除部及對去除了面塗層膜之晶圓W進行預定之後處理之後處理部的一例。

<基板處理系統之具體動作>

接下來，參閱圖8，說明基板處理系統1的具體動作。圖8，係表示第1實施形態之基板處理之處理步驟的流程圖。另外，圖8所示之各處理步驟，係根據第1控制裝置4A或第2控制裝置4B之控制來予以進行。

第1實施形態之基板處理系統1，係在第1處理裝置2進行從圖8所示之乾蝕刻處理(步驟S101)至第1搬出處理(步驟S107)的處理，在第2處理裝置3進行從去除液供給處理(步驟S108)至第2搬出處理(步驟S110)的處理。

如圖8所示，首先，在乾蝕刻單元12進行乾蝕刻處理(步驟S101)。在該乾蝕刻處理中，係乾蝕刻單元12對晶圓W進行乾蝕刻或灰化。藉此，設於晶圓W之內部的Cu配線102會露出(參閱圖1A)。

接著，晶圓W，係被搬入到第1液體處理單元14。由於該搬入處理係經由真空預備室13來進行，故可防止露出之Cu配線102氧化。

接著，在第1液體處理單元14進行藥液處理(步驟S102)。在該藥液處理中，液體供給部40_1(參閱圖6)之噴嘴41a係位於晶圓W的中央上方。然後，從噴嘴41a對晶圓W供給DHF。被供給至晶圓W之DHF，係藉由隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴展至晶圓W之主面。

藉此，Cu配線102或反應生成物P之表面， 係藉由DHF稍微溶解，反應生成物P之附著力變弱。因此，可形成為容易去除反應生成物P之狀態。

在此，步驟S102之藥液處理，係以容易去除反應生成物P之目的來予以進行者，以不會完全去除反應生成物P之程度的低蝕刻條件來進行。低蝕刻條件，係指例如以比完全去除反應生成物P之所需之蝕刻時間更短的時間，或是，比完全去除反應生成物P之所需之DHF濃度更低的DHF濃度，進行蝕刻的條件。

因此，如以往，相較於僅以DHF去除反應生成物P之情況，可一邊抑制對Cu配線102之損傷，一邊更有效果地進行反應生成物P之去除。又，在第1實施形態中，由於從噴嘴41a所供給之DHF係被稀釋為不使Cu配線102腐蝕之程度的濃度，故可更確實地抑制對Cu配線102之損傷。

在藥液處理中，係容易去除粒徑比較小的反應生成物P，在使用了後述之面塗層液及鹼去除液之反應生成物P的去除中，係容易去除粒徑比較大的反應生成物P。因此，藉由組合該些處理的方式，可更有效果地去除反應生成物P。

另外，從噴嘴41a供給的藥液並不限於DHF，例如亦可為氟化氨、鹽酸、硫酸、過氧化氫水、磷酸、乙酸、硝酸、氫氧化銨、有機酸或包含氟化氨的水溶液等。

接下來，在第1液體處理單元14中，係進行 以DIW沖洗晶圓W之主面的沖洗處理(步驟S103)。在該沖洗處理中，噴嘴41b(參閱圖6)係位於晶圓W的中央上方。然後，藉由將閥44b開放一預定時間的方式，從噴嘴41b將DIW供給至旋轉之晶圓W的主面，沖洗殘存於晶圓W上的DHF。

接下來，在第1液體處理單元14中進行置換處理(步驟S104)。在該置換處理中，噴嘴41c(參閱圖6)係位於晶圓W的中央上方。然後，藉由將閥44c開放一預定時間的方式，從噴嘴41c將IPA供給至旋轉之晶圓W的主面，而晶圓W上的DIW被置換為IPA。然後，於IPA殘存於晶圓W上的狀態下，停止晶圓W之旋轉。當置換處理結束時，液體供給部40_1會朝向晶圓W之外方移動。另外，步驟S102~S104之處理，係不一定要實施。

接下來，在第1液體處理單元14中進行溶劑供給處理(步驟S105)。溶劑供給處理，係在將屬於成膜用處理液的面塗層液供給至晶圓W之前，將與該面塗層液具有親和性之MIBC供給至晶圓W的處理。

具體而言，液體供給部40_2之噴嘴41d係位於晶圓W之中央上方，然後，從噴嘴41d向晶圓W供給MIBC。被供給至晶圓W之MIBC，係藉由隨著晶圓W之旋轉的離心力，塗佈至晶圓W之主面。

如此一來，藉由在事前將與面塗層液具有親和性的MIBC塗佈至晶圓W的方式，在後述的成膜用處理液供給處理中，面塗層液會容易擴展至晶圓W，並且亦 容易進入導孔106。因此，可抑制面塗層液之消耗量，並且可更確實地去除進入至導孔106的反應生成物P。

MIBC，雖係與面塗層液具有親和性，但對DIW而言，幾乎沒有混合，親和性低。對此，第1液體處理單元14，係在供給MIBC之前，相較於DIW，以與MIBC具有親和性高的IPA來置換DIW。藉此，相較於在沖洗處理(步驟S103)之後，進行溶劑供給處理(步驟S105)的情況，MIBC會變得容易在晶圓W之主面擴展，故可抑制MIBC之消耗量。

另外，與成膜用處理液具有親和性之溶劑，係不僅成膜用處理液，在亦具有與DIW之親和性的情況下，亦可省略步驟S104之置換處理。

如此一來，在欲以短時間有效地將面塗層膜塗佈至晶圓W之上面的情況等，係進行上述之溶劑供給處理為較佳。另外，在成膜用處理液係具有與IPA之親和性的情況下，係亦可省略步驟S105之溶劑供給處理。

接下來，在第1液體處理單元14中進行成膜用處理液供給處理(步驟S106)。在該成膜用處理液供給處理中，液體供給部40_2之噴嘴41e係位於晶圓W的中央上方。然後，屬於成膜用處理液的面塗層液，係從噴嘴41e被供給至屬於未形成光阻膜之電路形成面之晶圓W的主面。

被供給至晶圓W之面塗層液，係藉由隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴展至晶圓W之主面。藉此，在 晶圓W之主面全體形成有面塗層液之液膜(參閱圖1B)。此時，晶圓W之主面，係在步驟S105中，形成為藉由供給至晶圓W上的MIBC使浸濕性提高的狀態。藉此，面塗層液容易擴展至晶圓W之主面，並且亦容易進入導孔106。因此，可刪減面塗層液之使用量，並且可實現處理時間的短縮化。

藉由晶圓W之旋轉，揮發成分會揮發，藉此，面塗層液會固化或硬化。藉此，在晶圓W之主面全體形成有面塗層膜。

又，在第1液體處理單元14係進行揮發促進處理。該揮發促進處理，係指促進使在晶圓W之主面全體形成膜之面塗層液所含之揮發成分更加揮發的處理。具體而言，藉由閥33(參閱圖6)開放一預定時間的方式，從流體供給部32供給高溫之N₂氣體至旋轉之晶圓W的背面。藉此，與晶圓W同時面塗層液被加熱而促進揮發成分之揮發。

另外，揮發促進處理，係亦可為藉由未圖示之減壓裝置使腔室20內成為減壓狀態的處理，亦可為藉由從FFU21所供給的氣體，使腔室20內之濕度下降的處理。藉由該些處理，亦可促進揮發成分之揮發。

又，在此，雖係表示第1液體處理單元14進行揮發促進處理之情形的例子，但揮發促進處理係可省略的。亦即，直至面塗層液自然地固化或硬化為止，亦可使晶圓W在第1液體處理單元14待機。又，亦可使晶圓W 之旋轉停止，或以甩掉面塗層液而晶圓W之主面不會露出之程度的旋轉數，使晶圓W旋轉，藉此，促進面塗層液之揮發。

接下來，在第1液體處理單元14中進行第1搬出處理(步驟S107)。在該第1搬出處理中，基板搬送裝置111係從第1液體處理單元14取出晶圓W，搬送至載置部10，收容到載置於載置部10的載體C。

此時，晶圓W之露出的Cu配線102，係在乾蝕刻之後，以短時間被面塗層膜覆蓋(參閱圖1C)。亦即，由於Cu配線102係形成為被外氣遮斷的狀態，因此，不會受到氧化等的不良影響。

因此，根據第1實施形態之基板處理系統1，由於不需要實施用於遵守從乾蝕刻後至洗淨之Q-time的時間管理，因此，可使生產率提高。

收容於載體C之晶圓W，係從第1處理裝置2被搬送到第2處理裝置3的載置部16。然後，晶圓W，係藉由第2處理裝置3之基板搬送裝置171(參閱圖4)從載體C被取出，經由收授部172、基板搬送裝置181，被搬入到第2液體處理單元19。

在第2液體處理單元19中進行去除液供給處理(步驟S108)。在該去除液供給處理中，噴嘴81b(參閱圖7)係位於晶圓W的中央上方。然後，藉由將閥84b開放一預定時間的方式，從閥81b供給屬於去除液之鹼顯像液至旋轉的晶圓W上。藉此，形成於晶圓W上的面塗 層膜會剝離及溶解，進而從晶圓W被去除。

此時，殘存於晶圓W之反應生成物P，係從晶圓W被剝離而去除。又，此時，由於在晶圓W及反應生成物P產生相同極性之仄他電位，故晶圓W及反應生成物P會相斥，防止反應生成物P再附著於晶圓W等。

又，在鹼顯像液中，係含有防止Cu配線102腐蝕的防腐蝕劑。因此，即使鹼顯像液附著於Cu配線102，亦可抑制Cu配線102腐蝕。因此，根據第1實施形態之基板處理系統1，可一邊抑制對Cu配線102之損傷，一邊去除面塗層膜。

接下來，在第2液體處理單元19中進行藥液處理(步驟S109)。在該藥液處理中，噴嘴81a(參閱圖7)係位於晶圓W的中央上方。然後，從噴嘴81a對晶圓W供給DHF。被供給至晶圓W之DHF，係藉由隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴展至晶圓W之主面。

如此一來，在去除液供給處理之後，亦即在去除了面塗層膜之後，藉由進行藥液處理的方式，於存在有藉由面塗層膜之剝離而未完全去除之反應生成物P(尤其，粒徑小的反應生成物P)的情況下，可去除該反應生成物P。在該情況下，亦相較於一般的藥液洗淨，可一邊抑制對晶圓W之侵蝕，一邊更有效果地進行反應生成物P之去除。另外，只要是藉由去除液供給處理充分地去除反應生成物P，則亦可省略步驟S109之藥液處理亦即濕式清洗。

當結束藥液處理時，第2液體處理單元19，係從噴嘴81c供給DIW到晶圓W，進行沖洗晶圓W之主面的沖洗處理。藉此，在溶解之面塗層膜或鹼顯像液中浮游的反應生成物P，係與DIW同時從晶圓W被去除。又，結束沖洗處理時，第2液體處理單元19，係藉由使晶圓W之旋轉速度增加一預定時間的方式，甩掉殘存於晶圓W之主面的DIW，進行使晶圓W乾燥的乾燥處理。然後，停止晶圓W之旋轉。

且，在第2液體處理單元19中進行第2搬出處理(步驟S110)。在該第2搬出處理中，晶圓W，係藉由基板搬送裝置181(參閱圖4)，從第2液體處理單元19被取出，經由收授部172及基板搬送裝置171，收容至載置於載置部16的載體C。當該第2搬出處理結束時，關於1片晶圓W之一連串的基板處理結束。

如上述，第1實施形態之基板處理系統1，係具備有載置部10、液體供給部40_2(相當於處理液供給部之一例)及基板搬送裝置111。載置部10，係載置可收容複數個晶圓W的載體C。液體供給部40_2，係對形成於內部之Cu配線102之至少一部分露出之乾蝕刻後或灰化後的晶圓W，供給屬於包含揮發成分且用於在晶圓W上形成膜之處理液的面塗層液。基板搬送裝置111，係藉由揮發成分揮發的方式，將面塗層液已固化或硬化的晶圓W搬送到載置部10，收容到載置於載置部10的載體C。

因此，根據第1實施形態之基板處理系統1， 從Cu配線102露出後至洗淨的Q-time管理會變得容易，因此，可使生產率提高。

(第2實施形態)

可是，在半導體之製造工程中，係存在有對晶圓W之背面進行洗淨等之背面處理的情況。但是，在該情況下，因使用於背面處理的洗淨液等會飛散或迴繞至晶圓W的主面，故有晶圓W之主面被污染之虞。

於是，在晶圓W之主面形成面塗層膜之後，亦即於晶圓W之主面被面塗層膜保護的狀態下，亦可藉由進行晶圓W之背面處理的方式，防止晶圓W之主面的污染。

參閱圖9A及圖9B，說明該觀點。圖9A及圖9B，係表示背面洗淨處理之一例的圖。

如圖9A所示，第1液體處理單元14A所具備的流體供給部32，係經由閥33連接於N₂供給源34，並且經由閥35亦連接於SC1供給源36。該流體供給部32，係將從N₂供給源34所供給的N₂氣體供給到晶圓W之背面，並且將從SC1供給源36所供給的SC1(氨過水)供給到晶圓W之背面。

第1液體處理單元14A，係在進行圖8所示之步驟S106的處理之後，亦即，在晶圓W之主面全體形成有面塗層膜之後，進行圖9B所示之背面洗淨處理。

在該背面洗淨處理中，係藉由將閥35開放一 預定時間的方式，從流體供給部32供給SC1到旋轉之晶圓W的背面。藉此，洗淨晶圓W之背面。

如此一來，於晶圓W之主面全體被面塗層膜覆蓋的狀態下，以洗淨晶圓W之背面的方式，假設，在背面洗淨處理中即使洗淨液飛散，亦可防止洗淨液附著於晶圓W之主面而使晶圓W之主面被污染的情形。又，可防止因洗淨液之迴繞所致之晶圓W之主面的污染。

在圖9A及圖9B中，雖係表示了以對晶圓W之背面供給SC1等之洗淨液的處理作為背面洗淨處理來進行時的例子，但背面洗淨處理並不限定於上述的處理。例如，亦可以使用了刷子等之洗淨體之擦洗洗淨作為背面洗淨處理來進行。

使用圖10，說明關於進行擦洗洗淨以作為背面洗淨處理時之例子。圖10，係表示背面洗淨處理之其他一例的圖。

在進行擦洗洗淨以作為背面洗淨處理的情況下，圖10所示之第1液體處理單元14B，係首先進行圖8所示之步驟S101~S106的處理。

接下來，晶圓W，係藉由基板搬送裝置111從第1液體處理單元14B被暫時取出之後，被搬送到未圖示之反轉機構。且，晶圓W，係在藉由該反轉機構反轉表背之後，藉由基板搬送裝置111，再次被搬入至第1液體處理單元14B。另外，反轉機構，係設於例如第1處理裝置2之處理站6。作為反轉機構之構成，係亦可使用任一 公知技術。

接下來，如圖10所示，第1液體處理單元14B，係在藉由基板保持機構30保持表背被反轉的晶圓W並使其旋轉之後，使用刷子500，對晶圓W之背面進行擦洗洗淨。具體而言，第1液體處理單元14B，係於使旋轉之刷子500接觸於晶圓W之背面的狀態下，使刷子500移動，藉此，去除附著於晶圓W之背面的異物。

此時，晶圓W之主面，係形成為被面塗層膜覆蓋全面的狀態。因此，不會有從晶圓W之背面去除的異物附著於晶圓W之主面之虞。另外，亦可從流體供給部32供給N₂氣體等的流體，防止異物附著於面塗層膜。

結束擦洗洗淨之晶圓W，係藉由基板搬送裝置111從第1液體處理單元14B被搬出，且在藉由未圖示之反轉機構再度反轉之後，收容到載體C。

另外，在此，雖係使用刷子500，但亦可使用海綿等其他洗淨體來進行擦洗洗淨。

又，藉由將氣體團簇吐出至晶圓W之背面的方式，亦可以去除晶圓W背面之顆粒的處理作為背面洗淨處理來進行。關於該觀點，參照圖11進行說明。圖11，係表示背面洗淨處理之其他一例的圖。

如圖11所示，第1液體處理單元14C，係具備有噴嘴600。噴嘴600，係藉由高壓噴射屬於洗淨用氣體之二氧化碳的方式，藉由絕熱膨脹生成作為洗淨用氣體之原子或分子之集合體的氣體團簇。

噴嘴600，係具備有下端部開口之形成為例如概略圓筒形狀的壓力室601。該壓力室601之下端部，係構成為形成孔口部602。在該孔口部602，係連接有越朝下方越擴徑之氣體擴散部603。孔口部602之開口徑，係例如為0.1mm左右。

在壓力室601之上端部係連接有氣體供給路徑604之一端側，在該氣體供給路徑604係經由壓力調整閥605連接有二氧化碳供給源606。

第1液體處理單元14C，係以與進行上述擦洗洗淨時相同的處理步驟，使形成有面塗層膜的晶圓W反轉，並且使保持於基板保持機構30而使其旋轉。且，第1液體處理單元14C，係以比第1液體處理單元14C之腔室20內的壓力高的壓力，將二氧化碳供給至噴嘴600。當二氧化碳從噴嘴部600被噴出至腔室20內時，會因急遽的絕熱膨脹而冷卻至凝聚溫度以下，相互之分子M1彼此會因凡得瓦爾力而結合，形成為作為集合體的氣體團簇M2。

氣體團簇M2，係朝向晶圓W之背面垂直地噴出，從而吹走並去除附著於晶圓W背面的異物。此時，晶圓W之主面，係形成為被面塗層膜覆蓋全面的狀態。因此，不會有從晶圓W之背面去除的異物附著於晶圓W之主面之虞。

結束藉由氣體團簇M2進行洗淨的晶圓W，係藉由基板搬送裝置111從第1液體處理單元14C被搬 出，且在藉由未圖示之反轉機構再度反轉之後，收容到載體C。

另外，背面洗淨處理，係除了上述的處理之外，亦可為2流體洗淨或超音波洗淨等，該2流體洗淨係使用藉由氣體使例如洗淨液噴霧化而噴吹至晶圓W之背面的2流體噴嘴，該超音波洗淨係使用超音波振動器等。

又，於晶圓W之主面被面塗層膜覆蓋的狀態下進行之處理，並不限定於背面洗淨處理，例如，亦可為使用藥液來蝕刻晶圓W之背面或斜面部的蝕刻處理等。蝕刻處理，係指使用例如氫氟酸(HF)等去除氧化膜的處理。於晶圓W之主面被面塗層膜覆蓋的狀態下，以進行蝕刻處理的方式，即使藥液從晶圓W之背面側迴繞到主面側，由於晶圓W之主面亦為被面塗層膜保護的狀態，故不會被蝕刻。如此一來，由於蝕刻區域係根據面塗層膜所決定，故可精度良好地進行蝕刻。

又，於晶圓W之主面被面塗層膜覆蓋的狀態下進行之處理，係亦可為使用研磨刷子來研磨晶圓W之背面或斜面部的研磨處理。

如此一來，在晶圓W之主面被面塗層膜覆蓋的狀態下，係藉由處理晶圓W之其他面的方式，可一邊防止晶圓W之主面的污染，一邊處理晶圓W之其他面。

在上述的例子中，係說明第1液體處理單元14A~14C相當於其他面處理部之一例時的例子。亦即，在上述的例子中，係說明第1液體處理單元14A~14C除了 成膜用處理液供給處理，亦進行背面洗淨處理時的例子。但是，第1處理裝置2，係亦可以有別於第1液體處理單元14的方式，具備進行背面洗淨處理的背面洗淨單元。

又，背面洗淨處理等之其他面處理，係亦可在第2處理裝置3予以進行。在該情況下，亦可將背面洗淨用噴嘴或刷子組入第2液體處理單元19，亦可在第2處理裝置3設置有別於第2液體處理單元19的背面處理單元。

(第3實施形態)

可是，用於進行成膜用處理液供給處理或去除液供給處理的構成，係亦可附加到不具有該些構成之原有的前處理裝置或後處理裝置。在第3實施形態中，係說明關於該點。圖12，係表示第3實施形態之第1處理裝置之概略構成的圖。

如圖12所示，第1處理裝置2A，係具備有第1區塊2A1、第2區塊2A2及連接部2A3。

第1區塊2A1，係具備搬入搬出站5與處理站6。搬入搬出站5，係由於與第1實施形態之第1處理裝置2所具備的搬入搬出站5相同，故省略在此的說明。

在第1區塊2A1之處理站6，係配置有複數個乾蝕刻單元12。另外，與第1實施形態之第1處理裝置2的處理站6不同，在第1區塊2A1之處理站6，係未配置有第1液體處理單元14。

第2區塊2A2，係具備有搬送部11’與複數個第1液體處理單元14。搬送部11’，係具備有與基板搬送裝置111相同的基板搬送裝置112，且使用該基板搬送裝置112對第1液體處理單元14進行晶圓W之搬入搬出。

連接部2A3，係連結第1區塊2A1之搬送部11與第2區塊2A2之搬送部11’。該連接部2A3，係具有被大氣遮斷的內部空間。內部空間，係藉由以例如N₂氣體等之惰性氣體填滿的方式，被大氣遮斷。又，在內部空間，係設有未圖示之載置台。

在該第1處理裝置2A中，結束了乾蝕刻單元12中之處理的晶圓W，係藉由基板搬送裝置111從乾蝕刻單元12被取出之後，被載置到連接部2A3之未圖示的載置台。

被載置到載置台的晶圓W，係在藉由第2區塊2A2之基板搬送裝置112從載置台取出之後，被搬送到第1液體處理單元14，且藉由第1液體處理單元14進行圖8所示之步驟S102~S106的處理。藉此，在晶圓W之主面形成有面塗層膜。

然後，晶圓W，係在藉由基板搬送裝置112從第1液體處理單元14取出之後，經由連結部2A3之未圖示的載置台，從基板搬送裝置112被收授到基板搬送裝置111，且藉由基板搬送裝置111被收容至載置於載置部10的載體C。

如此一來，進行成膜用處理液供給處理的第1 液體處理單元14，係有別於包含有載置部10、基板搬送裝置111及乾蝕刻單元12的第1區塊2A1，亦可配置於經由該第1區塊2A1與連接部2A3而連接的第2區塊2A2。亦即，第1液體處理單元14，係亦可附加到不具備有第1液體處理單元14之原有的前處理裝置。

在該情況下，藉由將連接部2A3之內部空間與大氣遮斷的方式，在將乾蝕刻之後的晶圓W從第1區塊2A1搬送到第2區塊2A2時，可藉由乾蝕刻抑制露出之Cu配線102氧化。

另外，與連結部2A3的內部空間相同，第1區塊2A1及第2區塊2A2的搬送部11、11’內亦被例如N₂氣體填滿等，且亦可被大氣遮斷。藉此，可更抑制露出之Cu配線102氧化。

又，在上述的例子中，係設成為以連接部2A3來連結第1區塊2A1之搬送部11與第2區塊2A2之搬送部11’。但是，第1處理裝置2A，係亦可具有以連接部2A3連接例如第1區塊2A1之乾蝕刻單元12與第2區塊2A2之第1液體處理單元14的構成。在該情況下，在連接部2A3之內部空間配置未圖示之基板搬送裝置，且只要藉由該基板搬送裝置進行乾蝕刻單元12及第1液體處理單元14間之晶圓W的搬送即可。另外，在該情況下，第2區塊2A2，係亦可具備搬送部11’。

接下來，參閱圖13說明第2處理裝置之變形例。圖13，係表示第3實施形態之第2處理裝置之概略 構成的圖。

如圖13所示，第2處理裝置3A，係具備有第1區塊3A1、第2區塊3A2及連接部3A3。

第1區塊3A1，係具備搬入搬出站7與處理站8。搬入搬出站7，係與第1實施形態之第2處理裝置3所具備的搬入搬出站7相同。

在第1區塊3A1之處理站8，係配置有複數個第2液體處理單元19A。第2液體處理單元19A，係具有從第1實施形態之第2液體處理單元19排除了與去除液供給處理有關的構成，具體而言，係具有排除了噴嘴81b、閥84b及鹼顯像液供給源85b的構成。

第2區塊3A2，係具備有搬送部18’與複數個去除單元700。搬送部18’，係具備有與基板搬送裝置181相同的基板搬送裝置182，且使用該基板搬送裝置182對去除單元700進行晶圓W之搬入搬出。

去除單元700，係具有從第1實施形態之第2液體處理單元19排除了噴嘴81a、閥84a、DHF供給源85a、噴嘴81c、閥84c及DIW供給源85c的構成。

連接部3A3，係連結第1區塊3A1之搬送部18與第2區塊3A2之搬送部18’。該連接部3A3，係具有被大氣遮斷的內部空間。內部空間，係藉由以例如N₂氣體等之惰性氣體填滿的方式，被大氣遮斷。又，在內部空間，係設有未圖示之載置台。

在該第2處理裝置3A中，晶圓W，係從搬入 搬出站7被搬送到處理站8的搬送部18之後，藉由基板搬送裝置181，被載置到連接部3A3之未圖示的載置台。

被載置到載置台的晶圓W，係藉由第2區塊3A2之基板搬送裝置182，從載置台被取出之後，被搬送到去除單元700，且藉由去除單元700進行去除液供給處理(圖8之步驟S108)。藉此，從晶圓W之主面去除面塗層膜。

然後，晶圓W，係在藉由基板搬送裝置182，從去除單元700被取出之後，經由連結部3A3之未圖示的載置台，從基板搬送裝置182被收授到基板搬送裝置181。且，晶圓W，係藉由基板搬送裝置181，被搬送到第2液體處理單元19A，並藉由第2液體處理單元19A進行藥液處理(圖8之步驟S109)之處理之後，藉由第2搬出處理(圖8之步驟S110)被收容至載體C。

如此一來，進行去除液供給處理的去除單元700，係有別於包含有載置部16、基板搬送裝置181及進行藥液處理之第2液體處理單元19A的第1區塊3A1，亦可配置於經由該第1區塊3A1與連接部3A3而連接的第2區塊3A2。亦即，去除單元700，係亦可附加到不具備有去除單元700之原有的後處理裝置。

在該情況下，藉由將連接部3A3之內部空間與大氣遮斷的方式，在將去除處理後的晶圓W從第2區塊3A2搬送到第1區塊3A1時，可抑制露出之Cu配線102氧化。另外，第2處理裝置3A，係亦可從大氣來遮斷 第1區塊3A1及第2區塊3A2的搬送部18、18’內。

另外，第2區塊3A2，係亦可具備有與搬入搬出站7相同的搬入搬出站。在該情況下，將形成有面塗層膜的晶圓W從第2區塊3A2之搬入搬出站搬入到第2區塊3A2內，且藉由去除單元700從該晶圓W去除面塗層膜之後，經由連接部3A3將該晶圓W搬送到第1區塊3A1。藉此，可提高晶圓W之搬送效率。

(第4實施形態)

在上述之實施形態中，係說明關於藉由將屬於去除液之鹼顯像液供給至面塗層膜的方式，從晶圓W去除面塗層膜時的例子。但是，從晶圓W去除面塗層膜的方法，並不限定於上述之例子。在下述中，係說明關於從晶圓W去除面塗層膜之去除處理的其他例。圖14，係表示第4實施形態之第2處理裝置之概略構成的圖。

如圖14所示，第4實施形態之第2處理裝置3B，係在處理站8具備有複數個第2液體處理單元19B與複數個去除單元710。

第2液體處理單元19B，係具有與第3實施形態之第2液體處理單元19A相同的構成。亦即，第2液體處理單元19B，係具有從第1實施形態之第2液體處理單元19，排除了作為與去除液供給處理有關之構成之噴嘴81b、閥84b及鹼顯像液供給源85b的構成。

去除單元710，係藉由昇華去除形成於晶圓W 的膜。在此，參閱圖15說明該去除單元710的構成。圖15，係表示第4實施形態之去除單元710之構成之一例的示意圖。

另外，在第4實施形態中，係使用昇華性物質之溶液作為成膜用處理液。作為昇華性物質，係可使用例如矽氟化銨、樟腦或萘等。成膜用處理液，係藉由使上述之昇華性物質溶解於IPA等之揮發性溶劑的方式而獲得。該成膜用處理液，係藉由屬於溶媒之IPA揮發的方式，固化或硬化，而形成為膜。另外，成膜用處理液，係除了昇華性物質及IPA以外，亦可包含純水。

如圖15所示，去除單元710，係具有：熱板701，內建有加熱器702；及複數個支撐銷703，從熱板701上面突出。支撐銷703，係支撐晶圓W之下面周緣部。藉此，在晶圓W的下面與熱板701的上面之間，形成有小空隙。

在熱板701之上方，係設有可升降移動之排氣罩704。排氣罩704，係在中央具有開口部。在該開口部係連接有排氣管705，該排氣管705係介設有昇華性物質回收裝置706及泵707。另外，作為昇華性物質回收裝置706，係可使用：在設於流通排氣之腔室內的冷卻板上使昇華性物質析出的形式者；或在流通排氣的腔室內使冷卻流體接觸於昇華性物質之氣體的形式者等；及各種眾所皆知之昇華性物質回收裝置。

該去除單元710，係當藉由基板搬送裝置181 將晶圓W載置於支撐銷703上時，使排氣罩704下降，在與熱板701之間形成處理空間。接下來，去除單元710，係一邊藉由介設於與排氣罩704連接之排氣管705的泵707，吸引晶圓W的上方空間，一邊藉由升溫的熱板701將晶圓W加熱至高於昇華性物質之昇華溫度的溫度。

藉此，晶圓W上之昇華性物質會昇華，從晶圓W被去除。此時，昇華而形成為氣體之昇華性物質，係藉由昇華性物質回收裝置706被回收，而進行再利用。然後，晶圓W，係藉由基板搬送裝置181，從去除單元710被取出，而搬送到第2液體處理單元19B。

如此一來，第2處理裝置3B，係亦可將晶圓W加熱至高於成膜用處理液所包含之昇華性物質之昇華溫度的溫度，藉此，以從晶圓W去除已固化或硬化之成膜用處理液的處理作為去除處理來進行。另外，在此的昇華方法係一例，亦可構成為藉由氣體等直接地使昇華性物質本身過熱而非基板。又，亦可根據昇華性物質之昇華溫度，省略加熱處理。

(第5實施形態)

在上述之實施形態中，係說明關於進行藥液處理以作為從晶圓W去除已固化或硬化之成膜用處理液之後的後處理之情形。但是，後處理，並不限定於藥液處理。在第5實施形態中，係參閱圖16說明關於進行乾蝕刻處理以作為後處理時的例子。圖16，係表示第5實施形態之第2 處理裝置之概略構成的圖。

如圖16所示，第5實施形態之第2處理裝置3C，係在處理站8具備有複數個去除單元720與複數個乾蝕刻單元800。

去除單元720，係具有與第4實施形態之去除單元710相同的構成，且藉由昇華從晶圓W去除已固化或硬化的成膜用處理液。另外，去除單元720，係亦可為具有與第3實施形態之去除單元700相同的構成，且藉由鹼顯像液等之去除液，從晶圓W去除已固化或硬化的成膜用處理液者。

乾蝕刻單元800，係具有與第1實施形態之乾蝕刻單元12相同的構成，且藉由去除單元720，對去除了已固化或硬化之成膜用處理液的晶圓W，進行乾蝕刻處理。乾蝕刻處理後的晶圓W，係藉由第2搬出處理(圖8步驟S110)被收容到載體C。

如此一來，第2處理裝置3C，係亦可進行乾蝕刻處理以作為後處理。亦即，在前處理中，進行乾蝕刻處理，然後，即使對於在後處理中進一步進行乾蝕刻處理的程序，亦可追加上述之成膜用處理液供給處理及去除處理。

另外，作為像這樣的程序，係例如可列舉出以硬遮罩蝕刻(對硬遮罩進行蝕刻)作為前處理來進行之後，以主蝕刻(對晶圓W上的被加工膜進行蝕刻)作為後處理來進行的程序。藉由對該程序應用上述之成膜用處 理液供給處理及去除處理的方式，可防止硬遮罩蝕刻之後的反應生成物P生長，或是使主蝕刻時之被加工膜的形狀穩定化。

作為去除處理，在進行由第4實施形態所說明之昇華所致之去除時，亦可在乾蝕刻單元800內進行去除處理。

(第6實施形態)

在上述之實施形態中，係說明以乾蝕刻處理作為前處理來進行，並且對於進行以藥液處理或乾蝕刻處理作為後處理的程序，應用成膜用處理液供給處理(將成膜用處理液供給至前處理後的晶圓W)及去除處理(從晶圓W去除已固化或硬化的成膜用處理液)的情形。但是，成膜用處理液供給處理及去除處理，並不限於上述程序，亦可應用於在FEOL(Front End Of Line)、MEOL(Middle End Of Line)及BEOL(Buck End Of Line)中所進行的各種程序。

於是，在第6實施形態中，係參閱圖17說明關於應用成膜用處理液供給處理及去除處理的程序。圖17，係表示應用成膜用處理液供給處理及去除處理之程序之例子的圖。

成膜用處理液供給處理及去除處理，係對前處理後的晶圓W，予以應用於必需實施環境管理或時間管理的程序。在此，環境管理，係例如使包圍前處理後之晶 圓W的環境維持為惰性環境。又，時間管理，係指Q-time管理，對自前處理後至後處理的時間設置限制並進行管理。

亦即，成膜用處理液供給處理及去除處理所應用的程序，係將在晶圓W之表面形成因曝露於大氣而變質之部分的處理作為前處理來進行，藉此，必需實施如上述般之環境管理或時間管理的程序。藉由對像這樣的程序應用成膜用處理液供給處理及去除處理的方式，能夠以已固化或硬化的成膜用處理液，覆蓋因曝露於大氣而變質之部分並從大氣遮斷，因此，可省略前處理後之環境管理及時間管理。

如圖17所示，作為成膜用處理液供給處理及去除處理所應用的程序，係存在有於乾蝕刻(前處理)後進行濕式清洗(後處理)的程序。作為像這樣的程序，係例如可列舉出在第1實施形態所說明的程序，亦即，在藉由乾蝕刻使晶圓W內部的金屬層(不限於Cu，亦包含Co(鈷)或W(鎢)等)露出之後，藉由藥液對晶圓W進行後洗淨的程序。又，此外，亦可列舉出：在藉由乾蝕刻使Si、SiO2或SiN等或多晶矽閘電極或HKMG(High-k/Metal Gate)進行圖案化之後，藉由藥液對晶圓W進行後洗淨的程序；及在藉由乾蝕刻形成接觸孔之後，藉由藥液對晶圓W進行後洗淨的程序等。藉由對像這樣的程序應用成膜用處理液供給處理及去除處理的方式，例如可抑制前處理後之反應生成物的生長。另外，前處理，係可以 說是不僅乾蝕刻，灰化亦與上述相同。

又，作為成膜用處理液供給處理及去除處理所應用的程序，係存在有於乾蝕刻(前處理)後進行乾蝕刻(後處理)的程序。作為像這樣的程序，係例如可列舉出在第5實施形態所說明的程序。在該情況下，亦藉由應用成膜用處理液供給處理及去除處理的方式，可抑制前處理後之反應生成物的生長。

又，作為成膜用處理液供給處理及去除處理所應用的程序，係存在有於成膜(前處理)後進行成膜(後處理)的程序。作為像這樣的程序，係例如可列舉出：在晶圓W形成TiN層之後，更在晶圓W形成W層的程序；或是在晶圓W形成TaN層之後，更在晶圓W形成Cu層的程序。

在此，進行成膜處理的成膜裝置中，使用於前處理的成膜處理，係被配置於第1處理裝置的處理站，使用於後處理的成膜裝置，係被配置於第2處理裝置的處理站。作為成膜裝置，雖係可使用例如電漿CVD裝置，但亦可使用其他任一之眾所皆知的技術。

另外，在使用電漿CVD裝置作為後處理之成膜裝置，且進行由第4實施形態所說明之昇華所致的去除作為去除處理時，係可在電漿CVD裝置內進行去除處理。又，以使用進行由濕式程序所致之成膜的成膜裝置作為前處理的成膜裝置時，係可在該成膜裝置內進行成膜用處理液供給處理。

又，作為成膜用處理液供給處理及去除處理所應用的程序，係存在有於濕式清洗(前處理)後進行成膜(後處理)的程序。作為像這樣的程序，係例如可列舉出在藉由藥液對晶圓W進行前洗淨，而從晶圓W去除氧化膜或顆粒等的異物之後，在晶圓W形成障礙金屬等之金屬膜的程序等。藉由對像這樣的程序應用成膜用處理液供給處理及去除處理的方式，例如可防止已成膜之金屬膜氧化，或防止顆粒附著於晶圓W。

對進行濕式清洗作為前處理的程序，應用成膜用處理液供給處理及去除處理時，進行以第4實施形態所說明之昇華所致的去除作為去除處理為較佳。

亦即，在濕式清洗後進行成膜用處理液供給處理，而在晶圓W形成成膜用處理液的膜，藉此，可防止乾燥時之圖案倒毀。且，在去除處理中，藉由昇華去除成膜用處理液的膜，藉此，不使圖案倒毀就可從晶圓W去除成膜用處理液的膜。

進行第2實施形態所說明之其他面處理之觀點、第3實施形態所說明之第1處理裝置及第2處理裝置的構成、由第4實施形態所說明之昇華所致的去除處理，係對於圖17所示的各程序而言，可適當地進行應用。

(其他的實施形態)

在上述之實施形態中，雖係說明了使用面塗層液或昇華性物質之溶液以作為成膜用處理液時的例子，但成膜用 處理液並不限定於該些。

例如，成膜用處理液，係亦可為包含酚醛樹脂的處理液。該酚醛樹脂亦因與上述之丙烯酸樹脂相同地引起硬化收縮，故與面塗層液相同地，在對反應生成物P賦予拉伸力該觀點為有效。

作為包含酚醛樹脂之成膜用處理液，係例如有光阻液。光阻液，係用於在晶圓W上形成光阻膜的成膜用處理液。具體而言，在光阻液係包含有酚醛樹脂型酚醛樹脂。

另外，在使用光阻液作為成膜用處理液時，係只要使用可使光阻液溶解的稀釋劑作為去除液即可。在使用稀釋劑作為去除液時，可省略去除液供給處理後之沖洗處理。又，在使用光阻液作為成膜用處理液時，係亦可在進行全面曝光等之曝光處理後，對形成於晶圓W上的光阻膜供給去除液。在該情況下，去除液，係亦可為顯像液或稀釋劑。

包含於成膜用處理液的合成樹脂只要是硬化收縮者即可，並不限定於上述之丙烯酸樹脂或酚醛樹脂。例如，包含於成膜用處理液之合成樹脂，係亦可為環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、不飽合聚酯樹脂、醇酸樹脂、聚氨酯、聚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚醋酸乙烯、聚四氟乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯樹脂、聚醯胺、尼龍樹脂、聚縮醛、聚碳酸酯、改質聚苯醚、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對 苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚樹脂、聚碸樹脂、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺等。

又，作為成膜用處理液，亦可使用反射防止膜液。反射防止膜液，係用於在晶圓W上形成反射防止膜的成膜用處理液。另外，反射防止膜，係減輕晶圓W之表面反射，並用於使透射率增加的保護膜。在使用反射防止膜液作為成膜用處理液時，係能夠使用可使反射防止膜液溶解的DIW作為去除液。

又，成膜用處理液，係除了揮發成分及合成樹脂之外，更亦可包含溶解晶圓W或被構成於晶圓W上之材料或附著於晶圓W上之異物的預定藥液。「構成於晶圓W上之材料」，係例如Cu配線102；「附著於晶圓W上之異物」，係例如反應生成物P。又，作為「預定藥液」，係例如有氟化氫、氟化氨、鹽酸、硫酸、過氧化氫水、磷酸、乙酸、硝酸、氫氧化銨、有機酸或包含有氟化氨的水溶液等。藉由利用該些藥液溶解反應生成物P之表面的方式，反應生成物P之附著力會變弱，故可成為容易除去反應生成物P之狀態。

「預定藥液」，係相較於僅使用藥液之化學性作用而進行洗淨之通常的藥液洗淨中之藥液，在蝕刻量少的條件下予以使用。因此，相較於一般的藥液洗淨，可一邊抑制對晶圓W之侵蝕，一邊更有效果地進行反應生成物P之去除。

又，在上述之實施形態中，雖說明了使用鹼 顯像液作為去除液時的例子，但，除去液係亦可為在鹼顯像液中加入過氧化氫水者。如此一來，藉由在鹼顯像液加入過氧化氫水的方式，可抑制因鹼顯像液所致之晶圓W的面粗糙。

又，去除液，係亦可為稀釋劑、甲苯、醋酸酯類、醇類、二醇類(丙二醇單甲醚)等的有機溶劑，亦可為醋酸、蟻酸、乙醇酸等的酸性顯像液。

且，去除液，係亦可更包含有界面活性劑。由於在界面活性劑有使表面張力變弱的動作，故可抑制反應生成物P再附著於晶圓W。

又，在上述之實施形態中，雖說明了設於晶圓W之內部的金屬配線為Cu配線102時的例子，但金屬配線並不限定於Cu配線102。在該情況下，在面塗層膜之去除液，係只要含有因應於金屬配線之種類的防腐蝕劑即可。

又，在上述之實施形態中，雖表示了乾蝕刻之被對象材料為金屬配線時之例子，但乾蝕刻之被對象材料或構造並不限定於金屬配線。又，第1實施形態之基板處理方法，亦能夠應用於以灰化去除光阻劑後之反應生成物的去除。例如，將光阻圖案設成為遮罩並進行離子注入，藉由灰化去除光阻劑後的晶圓之洗淨亦有效。

又，在上述之實施形態中，雖表示了在成膜用處理液供給處理之前及去除液供給處理之後進行藥液處理時的例子，但藥液處理係亦可僅在成膜用處理液供給處 理之前或去除液供給處理之後之任一方進行。又，不一定需要執行藥液處理。

另外，在去除液供給處理之後進行藥液處理時，係亦可在第2液體處理單元19設置第1液體處理單元14所具備的液體供給部40_1，或亦可個別地設置用於進行藥液洗淨的處理單元。

又，基板處理系統1之構成，並不限定於上述之實施形態所例示的構成。

例如，亦可對結束直至圖8之步驟S107之處理的晶圓W、對進行成膜處理之其他的成膜單元，設置第2液體處理單元19所具備之液體供給部80的構成。亦即，亦在上述其他的成膜單元進行面塗層膜之去除。或是，亦可在成膜單元設置第2處理裝置3之處理站8，亦可於第2液體處理單元19內進行成膜處理。藉此，由於可在去除面塗層膜之後立刻進行成膜處理，故可使Q-time管理更簡單化。

具有該發明技術領域之通常知識者，可容易導出附加的效果或變形例。因此，本發明之更廣泛的態樣，並不限定於如上述所表示且敍述之特定的詳細內容及代表性實施形態者。因此，在不脫離藉由附加之申請專利範圍及其均等物所界定的總括性之發明概念之精神或範圍下，可進行各種變更。

Claims (20)

1. 一種基板處理方法，其特徵係，包含有：處理液供給工程，於處理後，對進行了必需實施環境管理或時間管理之前處理的基板，供給用於包含揮發成分並在基板上形成膜的處理液，該環境管理，係包圍前處理後之晶圓之水分或氧氣的管理或使包圍前處理後之晶圓的環境維持為惰性環境，該時間管理，係自前處理後至後處理的時間；收容工程，藉由前述揮發成分揮發的方式，將前述處理液已固化或硬化的基板收容到搬送容器。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，前述前處理，係在前述基板之表面形成因曝露於大氣而變質之部分的處理。
3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，包含有：取出工程，取出收容於前述搬送容器之前述處理液供給工程後的基板；去除工程，在前述取出工程後，從前述基板去除已固化或硬化的前述處理液。
4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中，更包含有：後處理工程，對前述去除工程後的基板，進行預定之後處理。
5. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，前述前處理，係對前述處理液供給工程前之基板，進行乾蝕刻或灰化的處理，前述後處理，係對前述去除工程後之基板，進行濕式清洗的處理。
6. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，前述前處理，係對前述處理液供給工程前之基板，進行乾蝕刻或灰化的處理，前述後處理，係對前述去除工程後之基板，進行乾蝕刻的處理。
7. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，前述前處理，係在前述處理液供給工程前之基板，形成金屬膜的處理，前述後處理，係在前述去除工程後之基板，形成金屬膜的處理。
8. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，前述前處理，係對前述處理液供給工程前之基板，進行濕式清洗的處理，前述後處理，係在前述去除工程後之基板，形成金屬膜的處理。
9. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，前述前處理，係對前述處理液供給工程前之基板，進行濕式清洗的處理，前述處理液，係昇華性物質之溶液，前述去除工程，係使已固化或硬化的前述處理液昇華，而從前述基板去除。
10. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，包含有：其他面處理工程，在被已固化或硬化之前述處理液覆蓋前述基板之主面全面的狀態下，處理前述基板的其他面。
11. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，包含有：前處理工程，對基板進行前述前處理。
12. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中，前述去除工程，係藉由供給去除液的方式，從前述基板去除已固化或硬化的前述處理液。
13. 如申請專利範圍第12項之基板處理方法，其中，前述去除液，係包含有形成於前述基板之金屬配線的防腐蝕劑。
14. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： 載置部，載置可收容複數個基板的搬送容器；乾蝕刻單元，於處理後，進行必需實施環境管理或時間管理的乾蝕刻處理，該環境管理，係包圍前處理後之晶圓之水分或氧氣的管理或使包圍前處理後之晶圓的環境維持為惰性環境，該時間管理，係自前處理後至後處理的時間；處理液供給部，對進行了乾蝕刻處理的基板，供給用於包含揮發成分並在基板上形成膜的處理液；及基板搬送裝置，藉由前述揮發成分揮發的方式，將前述處理液已固化或硬化的基板搬送到前述載置部，並收容到載置於前述載置部的前述搬送容器。
15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，包含有：其他面處理部，在被已固化或硬化之前述處理液覆蓋前述基板之主面全面的狀態下，處理前述基板的其他面。
16. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，具備有：第1區塊，包含前述乾蝕刻單元；第2區塊，包含前述處理液供給部；及連接部，具有被大氣遮斷的內部空間，且連結前述第1區塊與前述第2區塊。
17. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：載置部，載置可收容複數個基板的搬送容器；去除部，供給用於包含揮發成分並在基板上形成膜的 處理液，且藉由前述揮發成分揮發的方式，前述處理液會固化或硬化，藉此，從實施環境管理的基板去除已固化或硬化的前述處理液，該環境管理，係包圍前處理後之晶圓之水分或氧氣的管理或使包圍前處理後之晶圓的環境維持為惰性環境；後處理部，對藉由前述去除部去除了已固化或硬化之前述處理液的基板，進行預定的後處理；及基板搬送裝置，將藉由前述後處理部予以後處理的基板搬送到前述載置部，並收容到載置於前述載置部的前述搬送容器。
18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，具備有：其他面處理部，在被已固化或硬化之前述處理液覆蓋前述基板之主面全面的狀態下，處理前述基板的其他面。
19. 如申請專利範圍第17或18項之基板處理裝置，其中，具備有：第1區塊，包含前述載置部、前述基板搬送裝置及前述後處理部；第2區塊，包含前述去除部；及連接部，具有被大氣遮斷的內部空間，且連結前述第1區塊與前述第2區塊。
20. 一種記憶媒體，係記憶了在電腦上動作並控制基板處理系統之程式的電腦可讀取之記憶媒體，其特徵係，前述程式，係在執行時，由電腦來控制前述基板處理 系統，以使申請專利範圍第1~10項中任一項之基板處理方法予以進行。