TW201826045A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係一種基板處理方法及基板處理裝置，有關實施形態的基板處理方法係包含：處理液體供給工程，和紫外線照射工程。處理液體供給工程係對於基板而言，供給處理液體。紫外線照射工程係經由對於處理液體供給工程後的基板而言，照射200nm以下的波長之紫外線之時，將處理液體供給工程後的基板進行除電。

Description

基板處理方法及基板處理裝置

[0001] 揭示之實施形態係有關基板處理方法及基板處理裝置。

[0002] 以往，在半導體裝置之製造工程中，加以進行經由對於半導體晶圓等之基板而言供給處理液之時而處理基板之液體處理(參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0003] 　　[專利文獻1] 日本特開2002-124502號公報

[發明欲解決之課題] 　　[0004] 但液體處理前後的基板係經由流動處理液體在基板表面時而產生之摩擦帶電等而有產生帶電之虞，基板的帶電係有對於製品的產率帶來不良影響之虞。 　　[0005] 實施形態之一形態係其目的為提供：可將液體處理前後的基板進行除電之基板處理方法及基板處理裝置者。 [為了解決課題之手段] 　　[0006] 有關實施形態之一形態的基板處理方法係包含：處理液體供給工程，和紫外線照射工程。處理液體供給工程係對於基板而言，供給處理液體。紫外線照射工程係在處理液體供給工程前及處理液體供給工程後之至少一方中，經由對於基板而言照射200nm以下的波長之紫外線之時而將基板進行除電。 發明效果 　　[0007] 如根據實施形態之一形態，可將液體處理前後的基板進行除電者。

[0009] 以下，參照添加圖面，詳細說明本申請所揭示之基板處理方法及基板處理裝置的實施形態。然而，並非經由以下所示之實施形態而加以限定此發明者。 　　[0010] 圖1係顯示有關本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。在以下中，為了將位置關係作為明確，規定相互正交之X軸，Y軸及Z軸，將Z軸正方向作為垂直向上方向。 　　[0011] 如圖1所示，基板處理系統1係具備：搬出入台2，和處理台3。搬出入台2和處理台3係鄰接而加以設置。 　　[0012] 搬出入台2係具備：載體載置部11，和搬送部12。對於載體載置部11，係加以載置有複數片的基板，在本實施形態中，以水平狀態而收容半導體晶圓(以下，晶圓W)的複數之載體C。 　　[0013] 搬送部12係加以鄰接設置於載體載置部11，於內部具備基板搬送裝置13，和收授部14。基板搬送裝置13係具備保持晶圓W之晶圓保持機構。另外，基板搬送裝置13係可對於水平方向及垂直方向的移動，以及將垂直軸作為中心之旋轉，使用晶圓保持機構而在載體C與收授部14之間，進行晶圓W的搬送。 　　[0014] 處理台3係加以鄰接設置於搬送部12。處理台3係具備：搬送部15，和複數的處理單元16，和前紫外線照射單元61，和後紫外線照射單元62。複數之處理單元16，前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62係沿著搬送部15而排列加以配置。 　　[0015] 前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62之配置及個數係未限定於圖示之構成。例如，前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62係亦可臨接地加以配置，而亦可對於處理台3而言加以複數設置。 　　[0016] 搬送部15係於內部具備基板搬送裝置17。基板搬送裝置17係具備保持晶圓W之晶圓保持機構。另外，基板搬送裝置17係可對於水平方向及垂直方向的移動，以及將垂直軸作為中心之旋轉，使用晶圓保持機構而在收授部14，處理單元16，前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62之間，進行晶圓W的搬送。 　　[0017] 處理單元16係對於經由基板搬送裝置17所搬送之晶圓Ｗ而言，進行特定之基板處理。具體而言，在有關本實施形態之基板處理系統1中，經由對於乾蝕刻後之晶圓W而言供給處理液之時，進行除去附著於乾蝕刻後之晶圓W表面的有機物(以下，記載為「聚合物」)之聚合物除去處理(液體處理的一例)。 　　[0018] 前紫外線照射單元61係進行加以進行經由處理單元16之聚合物除去處理前之晶圓W的除電。另外，後紫外線照射單元62係進行加以進行經由處理單元16之聚合物除去處理後之晶圓W的除電。前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62係相當於紫外線照射部的一例。 　　[0019] 另外，基板處理系統1係具備控制裝置4。控制裝置4係例如為電腦，具備控制部18與記憶部19。對於記憶部19係收納有控制在基板處理系統1所執行之各種處理之程式。控制部18係經由讀出記憶於記憶部19之程式而執行之時，控制基板處理系統1之動作。 　　[0020] 然而，控制部18係經由CPU(Central Processing Unit)或MPU(Micro Processing Unit)等，根據將RAM作為作業範圍而執行記憶於記憶部19之程式而加以實現。然而，有關之程式係記錄於經由電腦而可讀取之記憶媒體者，而從其記憶媒體加以建立於控制裝置4之記憶部19者亦可。作為經由電腦而可讀取之記憶媒體，係例如有著硬碟(HD)、可撓性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。另外，控制部18係例如，亦可經由ASIC(Application Specific Integrated Circuit)或FPGA (Field Programmable Gate Array)等之積體電路而加以實現。 　　[0021] 在如上述所構成之基板處理系統1中，首先，搬出入台2之基板搬送裝置13則從載置於載體載置部11之載體C，取出晶圓W，將取出之晶圓W，載置於收授部14。載置於收授部14之晶圓W係經由處理台3的基板搬送裝置17，而從收授部14加以取出，搬入至前紫外線照射單元61。 　　[0022] 加以搬入至前紫外線照射單元61之晶圓W係經由前紫外線照射單元61而加以除電。除電後之晶圓W係經由基板搬送裝置17而自前紫外線照射單元61加以搬出，而加以搬入至處理單元16。搬入至處理單元16之晶圓W係經由處理單元16加以實施液體處理過後，經由基板搬送裝置17，從處理單元16加以搬出，搬入至後紫外線照射單元62。 　　[0023] 加以搬入至後紫外線照射單元62之晶圓W係經由後紫外線照射單元62而加以除電。除電後之晶圓W係經由基板搬送裝置17而自後紫外線照射單元62加以搬出，而加以載置於收授部14。並且，載置於收授部14之處理完成之晶圓W係經由基板搬送裝置13而返回至載體載置部11之載體C。 　　[0024] 如此，在有關本實施形態之基板處理系統1中，在將液體處理後之晶圓W進行除電之後，返回至載體C。經由此，可抑制經由液體處理後之晶圓W的帶電之產率下降。 　　[0025] 另外，在基板處理系統1中，對於液體處理前之晶圓W而言亦進行除電。經由此，可抑制在液體處理時，處理液體接觸於晶圓W時，晶圓W所受到之損傷(靜電破壞)。 　　[0026] 接著，對於處理單元16之構成，參照圖2加以說明。圖2係顯示處理單元16之概略構成的圖。 　　[0027] 如圖2所示，處理單元16係具備：處理室20，和基板保持機構30，和處理流體供給部40，和回收杯狀物50。 　　[0028] 處理室20係收容基板保持機構30和處理流體供給部40和回收杯狀物50。對於處理室20之頂部係加以設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21係於處理室20內形成下向流。 　　[0029] 基板保持機構30係具備：保持部31，和支柱部32，和驅動部33。保持部31係水平地保持晶圓W。支柱部32係延伸存在於垂直方向之構件，基端部則經由驅動部33而可旋轉地加以支持，在前端部，水平地支持保持部31。驅動部33係使支柱部32旋轉於垂直軸周圍。有關之基板保持機構30係經由使用驅動部33而使支柱部32旋轉之時，使支持於支柱部32之保持部31旋轉，經由此，使保持於保持部31之晶圓W旋轉。 　　[0030] 處理流體供給部40係對於晶圓W而言供給處理流體。處理流體供給部40係加以連接於處理流體供給源70。 　　[0031] 回收杯狀物50係呈圍繞保持部31地加以配置，經由保持部31之旋轉而捕捉從晶圓W飛散的處理液。對於回收杯狀物50底部，係加以形成有排液口51，經由回收杯狀物50所捕集之處理液體係從有關的排液口51，加以排出至處理單元16之外部。另外，對於回收杯狀物50之底部，係加以形成有將從FFU21所供給之氣體，排出至處理單元16之外部的排氣口52。 　　[0032] 有關本實施形態之處理單元16係進行除去附著於乾蝕刻後之晶圓W表面之聚合物的聚合物除去處理。具體而言，處理單元16之處理流體供給部40係加以連接於處理流體供給源70之DHF(稀氟酸)供給源。並且，處理單元16係對於加以保持於保持部31，而經由驅動部33進行旋轉的晶圓W而言，經由自處理流體供給部40供給DHF之時，除去附著於晶圓W表面的聚合物。 　　[0033] 另外，處理單元16之處理流體供給部40係加以連接於作為處理流體供給源70之DIW(常溫的純水)供給源。並且，處理單元16係對於供給DHF之後的晶圓W而言，經由自處理流體供給部40供給DIW之時，亦進行將晶圓W上的DHF置換為DIW之洗滌處理。 　　[0034] 然而，處理流體供給部40係例如，具備：噴嘴，和水平地支持噴嘴之支持臂，和使支持臂迴旋及升降之迴旋升降機構。處理流體供給部40係亦可具備：供給DHF之噴嘴，和供給DIW之噴嘴，而具備供給DHF及DIW之單一的噴嘴亦可。自處理流體供給部40所供給之處理液體係不限於DHF，而例如，氟化銨，鹽酸，硫酸，過氧化氫水，磷酸，醋酸，硝酸，氫氧化銨，有機酸，有機鹼或含有一個以上此等之水溶液等亦可。 　　[0035] 接著，對於前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62之構成加以說明。在本實施形態中，前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62係為同一之構成之故，在此係作為對於後紫外線照射單元62之構成，參照圖3而加以說明者，而對於前紫外線照射單元61之構成係省略說明。圖3係顯示後紫外線照射單元62之概略構成的圖。 　　[0036] 如圖3所示，後紫外線照射單元62係例如，具備：處理室621，和移動台622，和紫外線照射部623，和非活性氣體供給部624。 　　[0037] 處理室621係例如，於搬送部15側具有開口部621a的開放型的容器。對於處理室621係加以形成有排氣口621b，對於排氣口621b係藉由排氣管621c而加以連接排氣裝置621d。 　　[0038] 移動台622係沿著處理室621的深度方向(Y軸方向)而可移動地加以構成。對於移動台622之移動路徑的上方係加以配置紫外線照射部623及非活性氣體供給部624。紫外線照射部623係例如為UV燈，對於加以載置於移動台622上之晶圓W而言，照射紫外線。 　　[0039] 非活性氣體供給部624係於紫外線照射部623的周圍，供給非活性氣體。具體而言，對於非活性氣體供給部624係加以連接供給管624a，而對於供給管624a係加以連接流量調整機構624b及非活性氣體供給源624c。非活性氣體供給源624c係對於供給管624a而言供給非活性氣體。在本實施形態中，非活性氣體供給源624c係作為非活性氣體而供給氮。流量調整機構624b係例如包含閥或流量調整閥等而加以構成，調整流動在供給管624a之氮的流量。 　　[0040] 在有關之後紫外線照射單元62中，首先，使用移動台622而使晶圓W，自處理室621之前方側(開口部621a側)通過紫外線照射部623而移動置深側。其間，使用排氣裝置621d，將處理室621之內部進行排氣同時，經由自非活性氣體供給部624供給氮於處理室621內部之時，將後紫外線照射單元62之內部的至少紫外線照射部623之紫外線的照射範圍之環境，自大氣環境置換為氮環境。 　　[0041] 接著，當對於氮環境之置換結束時，開始經由紫外線照射部623之紫外線的照射。並且，經由使用移動台622而將晶圓W，自處理室621之深側移動至前方側之時，對於移動台622上之晶圓W而言照射紫外線。當照射紫外線於晶圓W時，經由紫外線的光子吸收之電子釋放作用而將晶圓W加以除電。 　　[0042] 在此，對於晶圓W而言照射超過200nm之波長的紫外線情況，可將帶電為正之晶圓部分進行除電，但作為對於帶電為負的晶圓部分係無法除電，或即使可以除電，對於適當地加以除電為止需要長時間。如此，使用超過200nm之波長的紫外線情況，適當地將晶圓W進行除電之情況則為困難。 　　[0043] 因此，在有關本實施形態之後紫外線照射單元62中，成為將200nm以下的波長之紫外線，對晶圓W進行照射。經由此，可適當地將帶電為正的晶圓部分及帶電為負的晶圓部分雙方進行除電。 　　[0044] 對於此點，參照圖4及圖5而加以說明。圖4係顯示對於帶電為正之晶圓部分的除電效果的圖表。另外，圖5係顯示對於帶電為負之晶圓部分的除電效果的圖表。對於圖4及圖5係顯示在氮環境下，對於晶圓W而言，照射172nm之波長的紫外線情況之晶圓W的帶電量的變化。然而，圖4及圖5所示之圖表的縱軸係顯示晶圓W的帶電量(V)，而橫軸係顯示紫外線的照射時間(sec)。 　　[0045] 如圖4及圖5所示，了解到由在氮環境下，照射172nm的波長之紫外線者，帶電為正之晶圓部分及帶電為負之晶圓部分之任一的帶電量亦減少。具體而言，帶電為正之晶圓部分之帶電量係由將172nm之波長的紫外線，照射4.3sec(換算為照射量時，0.08J/cm² )者，略減少100%。另外，帶電為負之晶圓部分的帶電量係對於照射4.3sec172nm之波長的紫外線的情況係減少約50%，而對於照射22sec(0.4J/cm² )之情況係減少約85%，對於照射65sec(1.2J/cm² )情況係減少約95%。 　　[0046] 在圖4及圖5中，顯示對於晶圓W而言照射172nm以下之波長的紫外線情況的除電效果，但對於照射超過172nm，200nm以下之波長的紫外線情況，亦可得到同樣的除電效果者。 　　[0047] 另一方面，200nm以下的短波長之紫外線係使氧分子(O₂ )解離，而解離之氧分子係與其他的氧分子結合而使臭氧(O₃ )產生。臭氧(O₃ )係對於晶圓W的low-k膜(有機膜)等而言有帶來損傷之虞。 　　[0048] 因此，在有關本實施形態之後紫外線照射單元62中，作為將200nm以下的波長之紫外線，在氮環境下進行照射者。 　　[0049] 圖6係顯示在各大氣環境下及氮環境下而對於晶圓W上之low-k膜而言，照射172nm之波長的紫外線情況，對於low-k膜之損傷的比較結果之圖表。圖6所示之圖表的縱軸係顯示low-k膜之介電率(ｋ値)之變化量(上昇量)，顯示k值的變化量越多，對於low-k膜之損傷則越大者。 　　[0050] 如圖6所示，k值的變化量，即對於low-k膜之損傷係了解到在氮環境下照射172nm之波長的紫外線情況者，則較在大氣環境下而照射同紫外線之情況為小者。 　　[0051] 如此，經由將200nm以下的波長之紫外線，在氮環境下，即，與大氣環境作比較，氧濃度為低之環境下進行照射之時，可抑制對於經由臭氧之晶圓W的損傷同時，可將晶圓W進行除電。 　　[0052] 前紫外線照射單元61亦具有與如圖3所示之後紫外線照射單元62同樣的構成，對於液體處理前的晶圓W而言，在氮環境下，照射200nm以下的波長之紫外線。經由此，抑制對於經由臭氧的晶圓W的損傷同時，可將液體處理前的晶圓W進行除電。 　　[0053] 另外，經由紫外線的照射而產生的臭氧係使晶圓W上之聚合物改質(氧化)。經由此，前紫外線照射單元61係可使在之後的處理單元16所進行之液體處理(聚合物除去處理)之聚合物除去效率提升者。換言之，可縮短對於聚合物除去處理所需之時間者。另外，亦可削減在聚合物除去處理之處理液體的消耗量者。 　　[0054] 在有關本實施形態之基板處理系統1中，在前紫外線照射單元61之氮環境的濃度則加以設定為較在後紫外線照射單元62之氮環境的濃度為低。具體而言，控制裝置4係經由控制前紫外線照射單元61或後紫外線照射單元62之流量調整機構624b之時，在前紫外線照射單元61之處理室621內之氧濃度則呈成為較在後紫外線照射單元62之處理室621內的氧濃度為高地，調整經由非活性氣體供給部624之氮的供給流量。詳細而言，控制裝置4係將經由前紫外線照射單元61之非活性氣體供給部624之氮的供給流量，作為較經由後紫外線照射單元62之非活性氣體供給部624之氮的供給量為少。 　　[0055] 對於此點，參照圖7而加以說明。圖7係顯示經由200nm以下的波長的紫外線之除電效果，晶圓W的損傷抑制效果及聚合物除去促進效果與氧濃度的關係圖。 　　[0056] 如圖7所示，抑制對於除電效果及臭氧的晶圓W之損傷的效果(損傷抑制效果)係氧濃度變越高，換言之，氮濃度則越低而變越低。此係對於除電效果，氧濃度則越高，由氧所吸收的紫外線的量則變多之故，而對於損傷抑制效果係氧濃度越高，越產生多的臭氧之故。 　　[0057] 另一方面，使聚合物除去效率提升之效果(聚合物除去促進效果)係氧濃度變越低，換言之，氮濃度越高而變越低。此係氧濃度變越低，所產生的臭氧量則變少，使晶圓W上之聚合物改質之效果則變薄之故。 　　[0058] 後紫外線照射單元62係為了進行聚合物除去處理後的晶圓W的除電，聚合物除去促進效果係亦可為低。對此，前紫外線照射單元61係為了進行聚合物除去處理前的晶圓W之除電，聚合物除去促進效果係為高者為佳。 　　[0059] 從如此的理由，在有關本實施形態之基板處理系統1中，在以前紫外線照射單元61所進行之前紫外線照射處理中，在以後紫外線照射單元62所進行之後紫外線照射處理的氮環境之濃度為低濃度之氮環境下，對於聚合物除去處理前之晶圓W而言，照射200nm以下的波長之紫外線。 　　[0060] 接著，對於有關本實施形態之基板處理系統1的具體的動作，參照圖8而加以說明。圖8係顯示有關本實施形態之基板處理之處理步驟之流程圖。圖8所示之各處理步驟係依據控制裝置4之控制而加以進行。 　　[0061] 如圖8所示，在基板處理系統1中，進行基板W的搬入處理(步驟S101)。具體而言，搬出入台2之基板搬送裝置13則從載置於載體載置部11之載體C，取出晶圓W，將取出之晶圓W，載置於收授部14。之後，處理台3之基板搬送裝置17則自收授部14取出晶圓W，載置於前紫外線照射單元61之移動台622(參照圖3)。 　　[0062] 然而，經由上述搬入處理而加以搬入至前紫外線照射單元61之晶圓W係經由未圖示之蝕刻裝置而實施乾蝕刻處理後之晶圓W。 　　[0063] 接著，在基板處理系統1中，進行前紫外線照射處理(步驟S102)。加以乾蝕刻處理的晶圓W係為帶電。在前紫外線照射處理中，對於乾蝕刻處理後且液體處理前之晶圓W而言，在氮環境下照射200nm以下的波長之紫外線。經由此，將乾蝕刻處理後且液體處理前之晶圓W加以除電。隨之，可抑制在後段之處理液體供給處理時，處理液體接觸於晶圓W時，晶圓W所受到之損傷(靜電破壞)者。另外，由經由紫外線而晶圓W上之聚合物進行改質者，可使在後段之處理液體供給處理的聚合物除去效率提升。 　　[0064] 前紫外線照射處理後之晶圓W係經由基板搬送裝置17而自前紫外線照射單元61加以取出後，加以載置於處理單元16之保持部31而保持於保持部31。之後，處理單元16係以特定的旋轉速度(例如，50rpm)而使保持部31旋轉。 　　[0065] 接著，在處理單元16中，進行處理液體供給處理(步驟S103)。在處理液體供給處理中，自處理流體供給部40加以供給DHF於晶圓W表面。供給至晶圓W之DHF係經由伴隨晶圓W之旋轉的離心力而擴散塗層於晶圓W的表面。經由此，加以除去晶圓W上的聚合物。 　　[0066] 在基板處理系統1中，經由前紫外線照射處理而加以改質聚合物，而成為容易除去聚合物的狀態之故，可縮短對於聚合物除去所需之時間者。即，可縮短處理液體供給處理之處理時間者。另外，可經由處理時間的縮短而削減DHF之消耗量者。 　　[0067] 當結束步驟S103之處理液體供給處理時，在處理單元16中，加以進行洗滌處理(步驟S104)。在有關的洗滌處理中，自處理流體供給部40加以供給洗滌液之DIW於晶圓W表面。供給至晶圓W之DIW係經由伴隨晶圓W之旋轉的離心力而擴散塗層於晶圓W的表面。經由此，殘存於晶圓W的DHF則經由DIW而加以洗滌。 　　[0068] 接著，在處理單元16中，進行乾燥處理(步驟S105)。在有關之乾燥處理中，以特定的旋轉速度(例如，1000rpm)而使晶圓W特定時間旋轉。經由此，加以擺脫殘存於晶圓W之DIW，而晶圓W則進行乾燥。之後，晶圓W的旋轉則停止。 　　[0069] 乾燥處理後之晶圓W係在經由基板搬送裝置17而自處理單元16加以取出之後，加以載置於後紫外線照射單元62的移動台622。之後，在基板處理系統1中，進行後紫外線照射處理(步驟S106)。乾燥處理時，經由擺脫殘存於晶圓W之DIW而晶圓W係為帶電。此情況，對於晶圓W係存在有帶電為正的晶圓部分及帶電為負之晶圓部分的雙方。在後紫外線照射處理中，在液體處理(處理液體供給處理及洗滌處理)後，更具體而言，對於乾燥處理後之晶圓W而言，在氮環境下照射200nm以下的波長之紫外線。 　　[0070] 經由此，加以除電液體處理後之晶圓W。隨之，可抑制經由液體處理後之晶圓W的帶電之產率下降者。另外，在經由本實施形態之後紫外線照射單元62中，作為照射200nm以下之波長的紫外線之故，而可適當地將帶電為正的晶圓部分及帶電為負之晶圓部分的雙方進行除電者。更且，在有關本實施形態之後紫外線照射單元62中，作為在氮環境下照射200nm以下的波長之紫外線之故，而抑制對於經由臭氧之晶圓W的損傷同時，可將晶圓W進行除電。 　　[0071] 接著，在基板處理系統1中，進行搬出處理(步驟S107)。在搬出處理中，基板搬送裝置17則自後紫外線照射單元62之移動台622，取出晶圓W而載置於收授部14。之後，基板搬送裝置13則自收授部14取出晶圓W，收容於載體載置部11的載體C。有關之搬出處理結束時，對於1片之晶圓W的基板處理則結束。 　　[0072] 接著，對於基板處理系統1之變形例，參照圖9及圖10而加以說明。圖9係顯示有關第1變形例之基板處理系統之概略構成的圖。另外，圖10係顯示有關第2變形例之基板處理系統之概略構成的圖。 　　[0073] 在上述之實施形態中，基板處理系統1則對於具備：進行前紫外線照射處理的前紫外線照射單元61與進行後紫外線照射處理之後紫外線照射單元62情況的例加以說明。但並不限定於此，而基板處理系統係作為呈使用單一之紫外線照射單元而進行前紫外線照射處理及後紫外線照射處理之雙方亦可。 　　[0074] 例如，如圖9所示，有關第1變形例之基板處理系統1A係取代前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62，而具備具有與前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62同樣構成之紫外線照射單元63(紫外線照射部的一例)。 　　[0075] 紫外線照射單元63係對於經由蝕刻裝置5之蝕刻單元501而加以實施乾蝕刻處理之後的晶圓W而言，經由在氮環境下而照射200nm以下之波長的紫外線之時，將液體處理前之晶圓W進行除電。另外，紫外線照射單元63係對於經由處理單元16而加以進行液體處理之後的晶圓W而言，經由在氮環境而照射200nm以下之波長的紫外線之時，將液體處理後之晶圓W進行除電。 　　[0076] 另外，紫外線照射單元63係在前紫外線照射處理的氮環境之濃度則呈成為較在後紫外線照射處理的氮環境之濃度為低地，加以控制氮的供給流量。即，紫外線照射單元63係在前紫外線照射處理的紫外線照射單元63內之氧濃度則作為呈成為較在後紫外線照射處理的紫外線照射單元63內之氧濃度為高。 　　[0077] 另外，如圖10所示，前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62之中，前紫外線照射單元61係加以設於蝕刻裝置5B亦可。此情況，經由前紫外線照射單元61而加以除電之晶圓W則加以搬入至基板處理系統1B，成為在基板處理系統1B進行經由處理單元16之液體處理及經由後紫外線照射單元62之後紫外線照射處理者。 　　[0078] 然而，在上述之實施形態及變形例中，對於乾蝕刻後之晶圓W而言，進行前紫外線照射處理或後紫外線照射處理情況的例，已做過說明，但進行前紫外線照射處理或後紫外線照射處理之晶圓W係未加以限定於乾蝕刻後之晶圓W。 　　[0079] 另外，在上述之實施形態及變形例中，在前紫外線照射處理及後紫外線照射處理中，作成作為非活性氣體而使用氮者，但非活性氣體係未加以限定於氮，而例如亦可為氬或氦等。 　　[0080] 另外，在上述之實施形態及變形例中，在前紫外線照射處理及後紫外線照射處理中，作為經由將大氣環境置換為非活性氣體環境之時，而使氧濃度下降，但亦可為使氧量降低之方法。例如，對於前紫外線照射單元61及後紫外線照射單元62則具備密閉式的處理室的情況，係經由使用真空泵等之減壓裝置而減壓處理室內而使處理室內的氧量降低亦可。 　　[0081] 如上述，有關實施形態之基板處理系統1(基板處理裝置之一例)係具備：處理單元16(處理液體供給部的一例)，和後紫外線照射單元62(紫外線照射部之一例)。處理單元16係對於晶圓W(基板的一例)而言，供給DHF(處理液的一例)。後紫外線照射單元62係對於經由處理單元16而加以供給DHF之後的晶圓W而言，經由照射200nm以下之波長的紫外線之時，將供給DHF之後的晶圓W進行除電。 　　[0082] 隨之，如根據有關實施形態之基板處理系統1，可將液體處理前後之基板進行除電。 　　[0083] 進一步的效果或變形例係經由該業者可容易引導出。因此，本發明之更廣泛之形態係並不限定於如以上表述且記述之特定的詳細及代表性之實施形態者。隨之，在未自經由添加之申請專利範圍及其均等物所定義之總括的發明概念之精神或範圍脫離，而可做種種變更。

[0084]

W‧‧‧晶圓

1‧‧‧基板處理系統

16‧‧‧處理單元

61‧‧‧前紫外線照射單元

62‧‧‧後紫外線照射單元

621‧‧‧處理室

622‧‧‧移動台

623‧‧‧紫外線照射部

624‧‧‧非活性氣體供給部

[0008] 　　圖1係顯示有關本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。 　　圖2係顯示處理單元之概略構成的圖。 　　圖3係顯示後紫外線照射單元之概略構成的圖。 　　圖4係顯示對於帶電為正之晶圓的除電效果的圖表。 　　圖5係顯示對於帶電為負之晶圓的除電效果的圖表。 　　圖6係顯示在各大氣環境下及氮環境下而對於晶圓上之low-k膜而言，照射172nm之波長的紫外線情況，對於low-k膜之損傷的比較結果之圖表。 　　圖7係顯示經由200nm以下的波長的紫外線之除電效果，晶圓的損傷抑制效果及聚合物除去促進效果與氧濃度的關係圖。 　　圖8係顯示有關本實施形態之基板處理之處理步驟之流程圖。 　　圖9係顯示有關第1變形例之基板處理系統之概略構成的圖。 　　圖10係顯示有關第2變形例之基板處理系統之概略構成的圖。

Claims (6)

1. 一種基板處理方法，其特徵為具備：對於基板而言，供給處理液體之處理液體供給工程， 　　和在前述處理液體供給工程前及前述處理液體供給工程後之至少一方中，經由對於前述基板而言照射200nm以下的波長之紫外線之時而將前述基板進行除電之紫外線照射工程。
2. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理方法，其中，前述紫外線照射工程係 　　在非活性氣體環境下，對於前述基板而言照射200nm以下的波長之紫外線。
3. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理方法，其中，前述紫外線照射工程係 　　在較大氣為低之氧濃度的環境下，對於前述基板而言照射200nm以下的波長之紫外線。
4. 如申請專利範圍第2項記載之基板處理方法，其中，前述紫外線照射工程係 　　在對於前述處理液體供給工程後之基板而言照射紫外線時，較前述非活性氣體的濃度為低之濃度的前述非活性氣體環境下，對於前述處理液體供給工程前之基板而言照射紫外線。
5. 如申請專利範圍第3項記載之基板處理方法，其中，前述紫外線照射工程係 　　在對於前述處理液體供給工程後之基板而言照射紫外線時，在較前述氧濃度為高之濃度的前述環境下，對於前述處理液體供給工程前之基板而言照射紫外線。
6. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：對於基板而言，供給處理液體之處理液體供給部， 　　經由對於經由前述處理液體供給部而加以供給前述處理液體之前的基板及經由前述處理液體供給部而加以供給前述處理液體之後的基板之至少一方而言，照射200nm以下之波長的紫外線之時，將前述基板進行除電之紫外線照射部。