TWI714115B

TWI714115B - 顯示面板

Info

Publication number: TWI714115B
Application number: TW108119483A
Authority: TW
Inventors: 謝宗錞
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-06-22
Filing date: 2019-06-05
Publication date: 2020-12-21
Also published as: TW202002096A; TWI678802B; TW202001853A; TW202002277A; TWI678009B; TWI695527B; TW202018386A; TWI733078B; TW202002276A; TWI683375B; TW202002356A; TW202001363A; TW202002352A; TWI690753B; TW202001386A; TW202002354A; TW202002353A; TWI683168B; TW202001374A; TWI710832B

Abstract

一種顯示面板，包括基板以及多個畫素單元設置於基板上。每一畫素單元包括第一電極、擋牆結構以及畫素結構。擋牆結構具有開口、背向基板的頂面及擋牆側壁。擋牆結構的擋牆側壁位於第一電極與頂面之間。畫素結構設置於第一電極上並部分重疊導牆結構與開口。畫素結構包括第一表面、第二表面以及連接第一表面與第二表面之間的截面。這些畫素單元包括至少一第一畫素單元以及至少一第二畫素單元。第一畫素單元的畫素結構具有第一截面，且第一截面的長為L1。第二畫素單元的畫素結構具有第二截面，且第二截面的長為L2。L1＞L2。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有不同截線段長的擋牆結構的顯示面板。

隨著科技的進步，平面顯示器是近年來最受矚目的顯示技術，其中有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)因其自發光、無視角依存、省電、製程簡易、低成本、低溫度操作範圍以及高應答速度等優點而具有極大的應用潛力，可望成為下一代的平面顯示器之主流。

噴墨塗佈技術(ink jet printing,IJP)在OLED的製程上能夠提升材料利用率以降低成本，但在進行噴墨塗佈之前需形成對應畫素設置的擋牆(bank)，以定義每一畫素的區域。然而，於乾燥製程中，液滴噴塗於顯示器邊緣與噴塗於顯示器中央的揮發率不同。因此，形成於顯示器上的薄膜厚度均勻度不佳，導致斑紋的產生，致使顯示器邊緣的亮度及色度與中心有明顯差異。

本發明提供一種顯示面板，其可減少斑紋產生，具有均勻的亮度及色度。

本發明的顯示面板，包括基板以及多個畫素單元設置於基板上。每一畫素單元包括第一電極、擋牆結構以及畫素結構。擋牆結構具有開口、背向基板的頂面及擋牆側壁。擋牆結構的擋牆側壁位於第一電極與頂面之間。畫素結構設置於第一電極上，其中於垂直基板的方向上，畫素結構的部分重疊擋牆結構與開口。畫素結構包括第一表面位於開口內、第二表面位於頂面上以及截面連接於第一表面與第二表面之間。這些畫素單元包括至少一第一畫素單元以及至少一第二畫素單元。第一畫素單元的畫素結構具有第一截面，且第一截面的長為L1。第二畫素單元的畫素結構具有第二截面，且第二截面的長為L2，其中L1>L2。

基於上述，本發明一實施例的顯示面板，由於顯示面板可以透過調整擋牆結構的容積，使開口可以依需求容置不同膜厚的畫素結構，因此可以對畫素結構於擋牆結構上的截面的長進行調整，來控制畫素結構整體的體積。在上述的設置下，位於周邊區的第一畫素單元的畫素結構的第一截面的長度可以大於位於中央區的第二畫素單元的畫素結構的第二截面的長度。如此一來，相較於第二畫素單元，第一畫素單元的擋牆結構上可以附著較多的畫素結構，或容納較多的畫素結構的體積。因此，於進行乾燥製程後，顯示面板上分別位於不同區域中的畫素單元的膜厚均勻度可以一致，以減少斑紋產生，更具有均勻的亮度及色度。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10、10A、10B、10C、10D、10E、10F:顯示面板

12:中央區

14:周邊區

100:基板

110、210:絕緣層

120、220、320:第一電極

122、222:第一導電層

124、224:第二導電層

126、226:第三導電層

140、140A、140C、140D、240、240A、240C、240D、340:擋牆結構

127、141、141A、141D、227、241、241A、241D、327:頂面

142、142A、142B、142C、142D、242、242A、242B、242C、242D、342:開口

143、143A、143C、143D、243、243A、243C、243D、343:擋牆側壁

144C、244C:容置空間

160:畫素結構

162、162’、162”、162A、162B、162B’:電洞注入層

1621、1621A、1623、1623B、1623B’、1625、191、192、193:第一表面

1622、1622A、1622B、1622B’、194:第二表面

1624、1624A、1624B、1624B’:第一截面

1624’:第二截面

1624”:第三截面

164:電洞傳輸層

166:發光層

167:電子傳輸層

168:電子注入層

180:第一介電圖案

181、281:交界處

183、286:內表面

190:第二電極

280:第二介電圖案

A-A’、B-B’:剖面線

D1:第一寬度

D2:第二寬度

H1:第一高度

H2:第二高度

K1、K1A:第一截線段

K2、K2A:第二截線段

K3:第三截線段

L1、L1A、L1B、L1C、L1D、L2、L2A、L2B、L2B’、L2C、L2D、L3:長

N:方向

PX:畫素單元

PX1、PX1A、PX1B、PX1C、PX1D:第一畫素單元

PX2、PX2A、PX2B、PX2B’、PX2C、PX2D:第二畫素單元

PX3:第三畫素單元

T1、T2、T1’、T2’、T3’:厚度

V1、V2:容量

Y1、Y2、Y2’、Y3、YA、YB、YC:高度

θ1:第一角度

θ2:第二角度

圖1繪示為本發明一實施例中顯示面板的上視示意圖。

圖2A繪示為圖1中沿剖面線A-A’的第一畫素單元的剖面示意圖。

圖2B繪示為圖1中沿剖面線B-B’的第二畫素單元的剖面示意圖。

圖3A繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第一畫素單元的剖面示意圖。

圖3B繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。

圖4A繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第一畫素單元的剖面示意圖。

圖4B繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。

圖4C繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。

圖5A繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第一畫素單元的剖面示意圖。

圖5B繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。

圖6A繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第一畫素單元的剖面示意圖。

圖6B繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。

圖7繪示為本發明又一實施例中顯示面板的剖面示意圖。

圖8繪示為本發明再一實施例中顯示面板的剖面示意圖。

圖9繪示為本發明再一實施例中顯示面板的剖面示意圖。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件”上”或”連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為”直接在另一元件上”或”直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，”連接”可以指物理及/或電性連接。再者，”電性連接”或”耦合”係可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的”第一元件”、”部件”、”區域”、”層”或”部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1繪示為本發明一實施例中顯示面板的上視示意圖，圖1為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。圖2A繪示為圖1中沿剖面線A-A’的第一畫素單元的剖面示意圖。圖2B繪示為圖1中沿剖面線B-B’的第二畫素單元的剖面示意圖。請參考圖1、圖2A及圖2B，本實施例的顯示面板10例如是自發光顯示面板。在本實施例中，顯示面板10是以有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)顯示面板為例來說明。顯示面板10包括基板100以及多個畫素單元PX設置於基板100上。

基板100具有中央區12以及中央區12以外的周邊區14，以分別承載這些畫素單元PX於中央區12以及周邊區14中。在本實施例中，基板100的材質可以是玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料，本發明不以此為限。

在一些實施例中，基板100還可包括主動元件陣列(未繪示)，其中上述的主動元件陣列包括多個薄膜電晶體(未繪示)，其例如為低溫多晶矽薄膜電晶體(low temperature poly-Si，LTPS)或非晶矽薄膜電晶體(amorphous Si，a-Si)，但本發明不以此為限。薄膜電晶體分別電性連接至相對應的畫素單元PX。

設置於基板100上的畫素單元PX例如為有機電致發光的元件。每一畫素單元PX包括第一電極120、220、擋牆結構140、240以及畫素結構160。舉例而言，第一電極120、220例如可以電性連接至薄膜電晶體，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一電極120、220的材料為導體材料，例如鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎂(Mg)、鉑(Pt)、金(Au)或其組合。在一些實施例中，第一電極120、220的材料也可以包括透明或半透明導電材料，例如：氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅鎵(ZGO)、或其它合適的材料，但本發明不以此為限。第一電極120、220可以是單層、雙層或多層結構。舉例來說，第一電極120、220可以包括第一導電層122、222及第二導電層124、224。在本實施例中，第一電極120、220更包括第三導電層126、226。以下將以第一電極120、220為三層結構進行說明。

在本實施例中，於垂直基板100的方向上，第一電極 120、220包括設置於基板100上的第一導電層122、222、垂直堆疊於第一導電層122、222上的第二導電層124、224以及垂直堆疊於第二導電層124、224上的第三導電層126、226。在本實施例中，第一電極120、220是由ITO/Ag/ITO(indium tin oxide)所構成的三層結構。在一些實施例中，第一電極120、220也可以是由Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo所構成的三層結構。在其他實施例中，第一電極120、220還可以包括反射電極，其材料可以是對可見光具有良好反射率的金屬，例如鋁、鉬、金或其組合。在一些實施例中，第一電極120、220的形成方法可以是化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、蒸鍍(VTE)、濺鍍(SPT)或其組合。在一些實施例中，第一電極120、220可為畫素單元PX的陽極(anode)。

畫素單元PX的擋牆結構140、240例如為定義出畫素單元PX的區域的畫素定義層。在一些實施例中，擋牆結構140、240可為疏水性材料，例如以含氟的負型光阻為材料，但本發明不以此為限。

擋牆結構140、240具有開口142、242。在本實施例中，擋牆結構140、240可以透過形成開口142、242以定義出擋牆結構140、240的側壁。開口142、242的形成方法包括黃光微影蝕刻方式或其他合適的方式。在本實施例中，擋牆結構140、240具有遠離且背向基板100的頂面141、241及擋牆側壁143、243。擋牆側壁143、243位於第一電極120、220與頂面141、241之間。在本實施例中，擋牆側壁143、243可以直接連接於第一電極120、220與頂面141、241之間，但本發明不以此為限。從另一角度來看，可以透過形成開口142、242及擋牆側壁143、243以形成定義畫素單元PX的區域的擋牆結構140、240。在本實施例中，開口142、242中的空間可以用於容置噴墨塗佈的有機發光二極體的材料，並將其良好的固定於其中。

在本實施例中，畫素單元PX還包括畫素結構160設置於第一電極120上。畫素結構160例如為構成有機發光二極體的多個膜層的複合層，但本發明不以此為限。在本實施例中，畫素結構160例如包括電洞注入層162、電洞傳輸層164(繪示於圖8)及發光層166(繪示於圖8)。畫素結構160還包括電子傳輸層167及電子注入層168(繪示於圖8)。電洞注入層162的材料例如是苯二甲藍銅、星狀芳胺類、聚苯胺、聚乙烯二氧噻吩或其他適合的材料。電洞傳輸層164的材料例如是三芳香胺類、交叉結構二胺聯苯、二胺聯苯衍生物或其他適合的材料。發光層166可以是紅色有機發光圖案、綠色有機發光圖案、藍色有機發光圖案或是混合各頻譜的光產生的不同顏色(例如白、橘、黃等)發光圖案。換句話說，不同的畫素單元PX可以分別發出不同顏色的色光。在一些實施例中，不同的畫素單元PX也可以發出相同顏色的色光，本發明不以此為限。電子傳輸層167的材料可以是噁唑衍生物及其樹狀物、金屬螯合物(例如Alq3)、唑類化合物、二氮蒽衍生物、含矽雜環化合物或其他適合的材料。

在本實施例中，為了提升材料的利用率以降低畫素單元PX的製造成本，可藉由噴墨塗佈製程(ink jet printing，IJP)來形成畫素結構160。舉例而言，可將電洞注入層162、電洞傳輸層164和發光層166藉由噴墨塗佈製程形成於第一電極120的頂面127上；而電子傳輸層167及電子注入層168藉由熱蒸鍍製程形成於發光層166上。基於液體的表面張力與擋牆側壁143、243吸附力的不同會導致液滴乾燥過程有膜厚不均的狀況，故以上述製程所形成的電洞注入層162的厚度隨著遠離開口142、242的中心往擋牆側壁143、243漸增。在一些實施例中，電洞注入層162、電洞傳輸層164、發光層166、電子傳輸層167及電子注入層168的其中一層或是至少一層也可藉由噴墨塗佈製程形成，本發明不以此為限。

如圖2A及圖2B所示，於垂直基板100的方向N上，畫素結構160的部分重疊擋牆結構140、240與開口142、242。舉例來說，當畫素結構160透過噴墨塗佈製程來形成時，部分的畫素結構160可被容置於開口142、242中而具有高度Y1、Y2，而部分的畫素結構160可形成於擋牆結構140、240的頂面141、241上。此外，還有部分的畫素結構160可基於液體的表面張力而附著於擋牆結構140、240的擋牆側壁143、243上。在本實施例中，畫素結構160於開口142、242內分別具有第一表面1621、1623，而於擋牆結構140、240的頂面141、241上具有第二表面1622。如圖2A所示，高度Y1可例如被定義為，在垂直基板100的方向 N上，由開口142中央的第一表面1621(例如圖2A所示開口142中畫素結構160平坦的表面)至第一電極120的頂面127的垂直距離。如圖2B所示，高度Y2可例如被定義為，在垂直基板100的方向N上，由開口242中央的第一表面1623(例如圖2B所示開口242中畫素結構160平坦的表面)至第一電極220的頂面227的垂直距離。畫素結構160還具有附著於擋牆側壁143、243上的截面(例如：第一截面1624與第二截面1624’，將後續於說明書中進行說明)，且截面可以沿著擋牆側壁143、243沿伸，以連接於第一表面1621、1623與第二表面1622之間。

請繼續參考圖1、圖2A及圖2B，在本實施例中，這些畫素單元PX包括至少一第一畫素單元PX1以及至少一第二畫素單元PX2。如圖1、圖2A及圖2B所示，第一畫素單元PX1例如對應設置於周邊區14，而第二畫素單元PX2例如對應設置於自中央區12，周邊區14環繞中央區12，但本發明不以此為限。在此需說明的是，圖1僅示意性地繪示一個第一畫素單元PX1及一個第二畫素單元PX2，然而實際上第一畫素單元PX1以及第二畫素單元PX2是以數十萬、數百萬或數千萬個進行陣列排列。換句話說，第一畫素單元PX1以及第二畫素單元PX2的實際數量及排列方式不以圖1所示的數量及圖形為限，而是依使用者的需求而定。

值得注意的是，請先參考圖1及圖2A，位於周邊區14中的第一畫素單元PX1的畫素結構160具有第一截面1624。第一截面1624連接於第一表面1621與第二表面1622之間。第一截面 1624的長為L1，且第一截面1624的長L1可定義為由第二表面1622沿著擋牆側壁143沿伸至第一表面1621的距離。請參考圖1及圖2B，位於中央區12中的第二畫素單元PX2的畫素結構160具有第二截面1624’。第二截面1624’連接於第一表面1623與第二表面1622之間。第二截面1624’的長為L2，且第二截面1624’的長L2可定義為由第二表面1622沿著擋牆側壁243沿伸至第一表面1623的距離。在本實施例中，L1>L2。

這是因為，如圖2A所示，周邊區14中的擋牆側壁143可具有第一截線段K1。第一截線段K1可定義為擋牆側壁143自頂面141沿伸至第一電極120的頂面127的長度。如圖2B所示，中央區12中的擋牆側壁243可具有第二截線段K2。第二截線段K2可定義為擋牆側壁243自頂面241沿伸至第一電極220的頂面227的長度。在上述的設置下，當第一畫素單元PX1的第一電極120的厚度小於第二畫素單元PX2的第一電極220的厚度時，擋牆側壁143的第一截線段K1的長度可以大於擋牆側壁243的第二截線段K2的長度。舉例而言，如圖2A所示，第一電極120的第一導電層122的厚度為T1，第一電極220的第一導電層222的厚度為T2，且T2>T1。如此一來，使用者可以透過調整第一導電層122的厚度T1而改變第一電極120的厚度，且可以透過調整第一導電層222的厚度T2而改變第一電極220的厚度，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一電極120、220的厚度也可以透過調整第二導電層124、224或第三導電層126、226而達成。藉此，第一導電層122的厚度T1可以小於第一導電層222的厚度T2，而使第一電極120的整體厚度小於第一電極220的整體厚度。因此，擋牆側壁143的第一截線段K1的長度大於擋牆側壁243的第二截線段K2的長度。換句話說，當顯示面板10的整體高度為一致時，第一畫素單元PX1的擋牆結構140的頂面141至第一電極120的頂面127的距離會大於第二畫素單元PX2的擋牆結構240的頂面241至第一電極220的頂面227的距離。也就是說，擋牆側壁143上所附著的第一截面1624的長L1可以大於擋牆側壁243上所附著的第二截面1624’的長L2。從另一角度而言，第一畫素單元PX1的擋牆結構140所吸附的畫素結構160的體積可大於第二畫素單元PX2的擋牆結構240所吸附的畫素結構160的體積。如此一來，可以透過調整畫素結構160於擋牆結構140、240上的截面的長度來控制畫素結構160整體的體積。

另外，在上述的設置下，第一畫素單元PX1的開口142中的空間還可以大於第二畫素單元PX2的開口242中的空間。也就是說，第一畫素單元PX1的容積大於第二畫素單元PX2的容積。如此一來，當形成第一畫素單元PX1與形成第二畫素單元PX2使用體積相同的畫素結構160(例如：相同液滴數量的電洞注入層162)時，容積較大的第一畫素單元PX1中的畫素結構160的高度Y1會小於容積較小的第二畫素單元PX2中的畫素結構160的高度Y2。因此，具有較低的高度Y1的第一畫素單元PX1，可確保第一截面1624的長L1可以大於第二截面1624的長L2。從另一角度而言，較長的截面可代表畫素單元尚具有較多的容積以容置畫素結構160。因此，相較於第二畫素單元PX2，位於周邊區14中的第一畫素單元PX1的開口142可以容置更多噴墨塗佈的液狀電洞注入層162，或容置更多同樣透過噴墨塗佈的電洞傳輸層164(繪示於圖8)或發光層166(繪示於圖8)。基於上述，位於周邊區14的第一畫素單元PX1的各膜層的整體厚度，可進一步設置為大於位於中央區12的第二畫素單元PX2的各膜層的整體厚度。換句話說，於乾燥製程中，具有較小膜厚的第一畫素單元PX1(但可於擋牆側壁143上吸附較多畫素結構160)可以位於具有高揮發率的周邊區14，而具有較大膜厚的第二畫素單元PX2(但於擋牆側壁243上吸附較少畫素結構160)可以位於具有低揮發率的中央區12。因此，於乾燥製程進行揮發後，顯示面板10上分別位於不同區域中的畫素單元PX(包括第一畫素單元PX1及第二畫素單元PX2)的膜厚均勻度可以一致，以減少斑紋產生，更具有均勻的亮度及色度。

此外，由於顯示面板10在中央區12或周邊區14的擋牆結構140、240的截線段K1、K2可被調整，進而控制第一畫素單元PX1、第二畫素單元PX2的畫素結構160之第一截面1624及第二截面1624’的長L1、L2。因此，於進行噴墨塗佈時，可以不需如習知製程，透過分別調配各膜層的液滴濃度以控制膜厚，而可以簡單地透過調整在第一畫素單元PX1及第二畫素單元PX2中的液滴數量以控制膜厚，進一步地簡化製程、縮短製程時間並節省成本。另外，透過調整擋牆結構140、240，使開口142、242中的空間匹配所需液滴數量，因此於噴墨塗佈時，還可以減少液滴溢出的機率，提升製程的公差需求並提升顯示面板10的製造良率。

下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，關於省略了相同技術內容的部分說明可參考前述實施例，下述實施例中不再重複贅述。

圖3A繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第一畫素單元的剖面示意圖。圖3B繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10A與圖2A及圖2B所示的顯示面板10類似，主要的差異在於：第一畫素單元PX1A的擋牆側壁143A與第一電極120之間具有第一角度θ1，第二畫素單元PX2A的擋牆側壁243A與第一電極220之間具有第二角度θ2，且θ1>θ2。在上述的設置下，第一畫素單元PX1A之擋牆結構140A的擋牆側壁143A的斜率絕對值會小於第二畫素單元PX2A之擋牆結構240A的擋牆側壁243A的斜率絕對值。換句話說，擋牆側壁243A會較擋牆側壁143A更趨近垂直於該基板100。從另一角度而言，斜率絕對值較低的擋牆側壁143A的第一截線段K1A的長度(定義為頂面141A至頂面127的距離)可以大於斜率絕對值較高擋牆側壁243A的第二截線段K2A(定義為頂面241A至頂面227的距離)。在上述的設置下，第一畫素單元PX1A中的容積可大於第二畫素單元PX2A中的容積。第一畫素單元 PX1A的畫素結構160(例如：電洞注入層162A)之連接第一表面1621A與第二表面1622A之間的第一截面1624A的長L1A可以大於第二畫素單元PX2A的畫素結構160(例如：電洞注入層162B)之連接第一表面1623B與第二表面1622B之間的第二截面1624B的長L2A。如此一來，可以透過調整畫素結構160於擋牆結構140A、240A上的截面的長度來控制畫素結構160整體的體積。

在本實施例中，除了第一畫素單元PX1A的擋牆結構140A的開口142A中的空間可以大於第二畫素單元PX2A的擋牆結構240A的開口242A中的空間，擋牆側壁143A對於液體的吸附力也可以大於擋牆側壁243A對於液體的吸附力。因此，第一畫素單元PX1A的電洞注入層162A(或其它膜層)可以較大體積附著於擋牆側壁143A上，而第二畫素單元PX2A的電洞注入層162B(或其它膜層)則以相對較小體積附著於擋牆側壁243A上。如此一來，相較於第二截面1624B，較長的第一截面1624A可表示更多畫素結構160的體積附著於擋牆側壁143A上或容置於開口142A中，而使包括第一畫素單元PX1A及第二畫素單元PX2A的顯示面板10A可獲致與上述實施例類似的技術功效。

圖4A繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第一畫素單元的剖面示意圖。圖4B繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。圖4C繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板 10B與圖2A及圖2B所示的顯示面板10類似，主要的差異在於：第一畫素單元PX1B更包括第一介電圖案180設置於第一電極120與擋牆側壁143之間以及第二畫素單元PX2B更包括第二介電圖案280設置於第一電極220與擋牆側壁243之間。如圖4A及圖4B所示，擋牆結構140部分覆蓋第一介電圖案180，而擋牆結構240部分覆蓋第二介電圖案280。從另一角度而言，於垂直基板100的方向N上，第一畫素單元PX1B的開口142B可以重疊第一介電圖案180的部分以暴露出部分的第一介電圖案180，而第二畫素單元PX2B的開口242B可以重疊第二介電圖案280的部分以暴露出部分的第二介電圖案280。在本實施例中，擋牆側壁143、243位於第一電極120、220與頂面141A、241之間，且擋牆側壁143、243分別直接接觸由開口142B、242B所暴露出(也可視為與開口142B、242B重疊)的第一介電圖案180及第二介電圖案280。

在上述的設置下，第一畫素單元PX1B的開口142B重疊第一介電圖案180的部分可以定義出第一寬度D1。具體而言，第一寬度D1可定義為：在垂直基板100的方向N上，自擋牆側壁143接觸第一介電圖案180的交界處181至第一介電圖案180位於開口142B中的內表面183的距離。此外，第二畫素單元PX2B的開口242B重疊第二介電圖案280的部分可以定義出第二寬度D2。具體而言，第二寬度D2可定義為：在垂直基板100的方向N上，自擋牆側壁243接觸第二介電圖案280的交界處281至第二介電圖案280位於開口242B中的內表面283的距離。在本實施例中，第一寬度D1>第二寬度D2。從另一角度而言，第一介電圖案180的第一寬度D1泛指在平行於基板100的方向上超出於擋牆擋牆結構140的擋牆側壁143的寬度距離，而第二介電圖案280的第二寬度D2泛指在平行於基板100的方向上超出於擋牆擋牆結構240的擋牆側壁243的寬度距離。

在上述的設置下，相較於第二畫素單元PX2B，於垂直基板100的方向N上，第一畫素單元PX1B的開口142B重疊較多第一介電圖案180的第一寬度D1(例如：暴露出較多第一介電圖案180的第一寬度D1)，而開口242B則重疊較第一畫素單元PX1B少的第二介電圖案280的第二寬度D2(例如：暴露出較少第二介電圖案280的第二寬度D2)。如此，第一畫素單元PX1B的第一介電圖案180對於液體的吸附力可以大於第二畫素單元PX2B的第二介電圖案280對於液體的吸附力。因此，第一畫素單元PX1B的電洞注入層162A(或其它膜層)除了可以具有較大體積於擋牆側壁143上，而第二畫素單元PX2B的電洞注入層162B(或其它膜層)則具有相對較小體積於擋牆側壁243上。第一介電圖案180還可以提升對畫素結構160(例如：電洞注入層162A)的第一表面1621的吸附力，因此可進一步將第一畫素單元PX1B的電洞注入層162A的高度Y1設置為小於第二畫素單元PX2B的電洞注入層162B的高度Y2。如此，可確保第一截面1624A的長L1B大於第二截面1624B的長L2B，而能使第一畫素單元PX1B容置或吸附更多畫素結構160的體積。此外，包括第一畫素單元PX1B及第二畫素單元PX2B的顯示面板10B還可獲致與上述實施例類似的技術功效。

在一些實施例中，如圖4C所示，開口242B中也可以不存在介電圖案(例如：圖4B所繪示的第二介電圖案280)。在上述的設置下，相較於圖4A所示的第一畫素單元PX1B或圖4B所示的第二畫素單元PX2B，第二畫素單元PX2B’的擋牆側壁243對於液體的吸附力係小於第一畫素單元PX1B的擋牆側壁143。如此一來，連接於第一表面1623B’與第二表面1622B’之間的第二截面1624B’的長L2B’可以小於第一截面1624A的長L1B。此外，在本實施例中，相較於圖4B所示的電洞注入層162B，電洞注入層162B’的高度Y2’可大於或等於電洞注入層162B的高度Y2，但本發明不以此為限。因此，包括第一畫素單元PX1B及第二畫素單元PX2B’的顯示面板10B可獲致與上述實施例類似的技術功效。此外，在其它實施例中，也可以同時於顯示面板10B的中央區12(繪示於圖1)中設置第二畫素單元PX2B、PX2B’，以進一步調整顯示面板10B上的畫素單元PX1B、PX2B、PX2B’的整體膜厚均勻度，但本發明不以此為限。

圖5A繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第一畫素單元的剖面示意圖。圖5B繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10C與圖2A及圖2B所示的顯示面板10類似，主要的差異在於：第一畫素單元PX1C更包括容置空間144C設置於第一電極120與擋牆側壁 143C之間。第二畫素單元PX2C更包括容置空間244C設置於第一電極220與擋牆側壁243C之間。第一畫素單元PX1C的容置空間144C的容量為V1，第二畫素單元PX2C的容置空間244C的容量為V2，且V1>V2。在上述的設置下，第一畫素單元PX1C的開口142C中的空間可以大於第二畫素單元PX2C的開口242C中的空間。換句話說，相較於第二畫素單元PX2C的開口242C，第一畫素單元PX1C的開口142C可以容置更多的電洞注入層162(或其它膜層)。因此，相較於圖5B所示的第二畫素單元PX2C，第一畫素單元PX1C的開口142C中，較多體積的電洞注入層162A可以填入容置空間144C。在一些實施例中，由於容置空間144C的容置空間還可以大於電洞注入層162A的體積，因此電洞注入層162A可以僅部分地填入容置空間144C，而第二畫素單元PX2C的開口242C中電洞注入層162B則可以填滿容置空間244C，藉此，電洞注入層162A的高度Y1小於電洞注入層162B的高度Y2。如此，第一畫素單元PX1C的第一截面1624A的長L1C可以大於第二畫素單元PX2C的第二截面1624B的長L2C，而能使第一畫素單元PX1C容置或吸附更多畫素結構160的體積。此外，包括第一畫素單元PX1C及第二畫素單元PX2C的顯示面板10C還可獲致與上述實施例類似的技術功效。

圖6A繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第一畫素單元的剖面示意圖。圖6B繪示為本發明另一實施例中顯示面板的第二畫素單元的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10D與圖 2A及圖2B所示的顯示面板10類似，主要的差異在於：顯示面板10D更包絕緣層110、210分別設置於基板100與對應的畫素單元PX1D、PX2D之間。具體而言，絕緣層110例如可設置於基板100與第一電極120之間，而絕緣層210例如可設置於基板100與第一電極220之間。絕緣層110、210的材質例如絕緣材料，包括聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚亞醯胺(polyimide，PI)或三乙醯基纖維(triacetylcellulose，TAC)，但本發明不以此為限。在本實施例中，絕緣層110與絕緣層210例如是一體成形的絕緣層，且於對應第一畫素單元PX1D之處的絕緣層110具有第一高度H1，而於對應第二畫素單元PX2D之處的絕緣層210具有第二高度H1。從另一角度而言，絕緣層(包括絕緣層110、210)同時具有第一高度H1與第二高度H2，但本發明不以此為限。在本實施例中，第二高度H2>第一高度H1。

在上述的設置下，當顯示面板10D的整體高度為一致時，也就是說第一畫素單元PX1D的擋牆結構140D的頂面141D與第二畫素單元PX2D的擋牆結構240D的頂面241D位於同一平面且切齊時，擋牆側壁143D的第一截線段K1的長可以大於擋牆側壁243D的第二截線段K2的長。如此一來，開口142D中的空間可以大於開口242D中的空間。從另一角度而言，第一畫素單元PX1D的電洞注入層162A的高度Y1小於第二畫素單元PX2D的電洞注入層162B的高度Y2。如此，第一截面1624A的長L1D大於第二截面1624B的長L2D，而能使第一畫素單元PX1D容置或吸附更多畫素結構160的體積。此外，包括第一畫素單元PX1D及第二畫素單元PX2D的顯示面板10D可獲致與上述實施例類似的技術功效。

圖7繪示為本發明又一實施例中顯示面板的剖面示意圖。相較於圖2A及圖2B所示的顯示面板10，圖7繪示的顯示面板10E的這些畫素單元PX更包括第三畫素單元PX3。在本實施例中，第一畫素單元PX1、第二畫素單元PX2及第三畫素單元PX3分別用以發出第一色光、第二色光及第三色光。舉例而言，第一色光可例如為藍光、第二色光可例如為綠光而第三色光可例如為紅光，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一色光、第二色光及第三色光中任二者或任三者也可以為相同顏色的色光。

值得注意的是，第三畫素單元PX3的擋牆結構340具有開口342及擋牆側壁343。擋牆側壁343例如具有第三截線段K3。在本實施例中，當顯示面板10E的整體高度為一致時，由於第一畫素單元PX1的第一電極120的厚度T1’小於第二畫素單元PX2的第一電極220的厚度T2’小於第三畫素單元PX3的第一電極320的厚度T3’，因此第一截線段K1的長大於第二截線段K2的長大於第三截線段K3的長。藉此，第一畫素單元PX1的開口142中的空間大於第二畫素單元PX2的開口242中的空間大於第三畫素單元PX3的開口342中的空間。從另一角度而言，第一截面1624的長L1(定義為第一表面1621至第二表面1622的距離)大於第二截面1624’的長L2(定義為第一表面1623至第二表面 1622的距離)大於第三截面1624”的長L3(定義為第一表面1625至第二表面1622的距離)。如此，第一畫素單元PX1的電洞注入層162的高度Y1(定義為第一表面1621至頂面127的距離)小於第二畫素單元PX2的電洞注入層162’的高度Y2(定義為第一表面1623至頂面227的距離)小於第三畫素單元PX3的電洞注入層162”的高度Y3(定義為第一表面1625至頂面327的距離)。然而，本發明不以此為限。本技術領域具有通常知識者應當能理解，只要截面的長L1、L2、L3中的任一者與其餘二者不同，畫素單元PX1、PX2、PX3中的任一者的畫素結構160的膜厚即可被調整而與其餘二者的膜厚不同。如此，可以透過擋牆結構140、240、340調整第一畫素單元PX1、第二畫素單元PX2及第三畫素單元PX3中電洞注入層162、162’、162”(或其它膜層)的膜厚。因此，於噴墨塗佈時，可以不需如習知製程，透過分別調配各膜層的液滴濃度以控制不同畫素單元PX1、PX2、PX3的整體膜厚，而可以簡單地透過調整在第一畫素單元PX1、第二畫素單元PX2及/或第三畫素單元PX3中的液滴數量以控制膜厚，進一步地簡化製程、縮短製程時間並節省成本。

在一些實施例中，也可以如上述實施例透過調整側壁結構的角度、於側壁結構上形成容置空間或透過調整平坦層的厚度來調整畫素結構的截面的長，於此不再贅述。

簡言之，由於顯示面板10E可以透過調整擋牆結構140、240、340的容積，使開口142、242、342可以依需求容置不同膜厚的畫素結構160。可以透過調整畫素結構160於擋牆結構140、240、340上的截面(例如第一截面1624、第二截面1624’、第三截面1624”)的長L1、L2、L3來控制畫素結構160整體的體積。藉此，可以選用相同濃度的膜層液滴進行噴墨塗佈，達成不同厚度的需求。如此，可以簡化顯示面板10E的製程並節省成本，更可以依需求而調整不同顏色的畫素單元(例如：畫素單元PX1、PX2、PX3)的膜厚，以減少斑紋產生，更具有均勻的亮度及色度。

圖8繪示為本發明再一實施例中顯示面板的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10F與圖7所示的顯示面板10E類似，主要的差異在於：每一畫素單元PX1、PX2、PX3還包括電洞傳輸層164設置於電洞注入層162上、發光層166設置於電洞傳輸層164上以及第二電極190設置於發光層166上。在一些實施例中，第二電極190與發光層166之間更可以包括電子傳輸層167以及電子注入層168。舉例而言，電子傳輸層167設置於發光層166上，而電子注入層168設置於電子傳輸層167上，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一畫素電極PX1電洞傳輸層164可以依附於電洞注入層162上，而附著在擋牆結構140、240的擋牆側壁(未標示)及頂面(未標示)上。以此類推，發光層166可以依附於電洞傳輸層164上、電子傳輸層167可以依附於發光層166上且電子注入層168可以依附於電子傳輸層167上。如此，上述的多個薄膜層可以如電洞注入層162及電洞傳輸層164般地附著在擋牆結構140、240的擋牆側壁上。

在本實施例中，第二電極190可經過圖案化而為多個。多個第二電極190位於電子注入層168上，且可分別地對應畫素單元PX1、PX2、PX3設置。這些第二電極190分別可以接觸擋牆結構140、240、340的頂面，但本發明不以此為限。第二電極190的材料可為透明的導體材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鍺鋅氧化物等金屬氧化物。在一些實施例中，第二電極190的形成方法可以是化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、蒸鍍(VTE)、濺鍍(SPT)或其組合。在一些實施例中，第二電極190可為畫素單元PX1、PX2、PX3的陰極(cathode)。

在上述的設置下，由於可以透過調整不同畫素單元PX1、PX2、PX3的畫素結構160的截面的長(例如：連結第一表面191與第二表面194的截面的長L1、連結第一表面192與第二表面194的截面的長L2、連結第一表面193與第二表面194的截面的長L3)，且L1大於L2大於L3，因此能簡單地達成不同色光所要求不同膜厚的需求，還可以縮短顯示面板10F的製程時間及節省成本。此外，包括第一畫素單元PX1、第二畫素單元PX2及第三畫素單元PX3的顯示面板10F可獲致與上述實施例類似的技術功效。

圖9繪示為本發明再一實施例中顯示面板的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10G與圖8所示的顯示面板10F類似，主要的差異在於：第一畫素單元PX1的電子傳輸層167除了可依附於發光層166而附著在擋牆結構140、240的擋牆側壁(未標示)上以外，更可以接觸擋牆結構140、240、340的頂面(未標示)。舉例而言，多個畫素單元PX1、PX2、PX3可以共用同一層的電子傳輸層167以及電子注入層168。從另一角度而言，電子傳輸層167可以整面地設置於基板100上，覆蓋多個畫素單元PX1、PX2、PX3的發光層166以及覆蓋擋牆結構140、240、340。相同地，電子注入層168也可以整面地設置於基板100上，覆蓋電子傳輸層167。

此外，第二電極190也可以整面地設置於基板100上，覆蓋電子注入層168以及覆蓋擋牆結構140、240、340。換句話說，多個畫素單元PX1、PX2、PX3可以共用同一層的第二電極190。如此，顯示面板10G可獲致與上述實施例類似的技術功效。

綜上所述，本發明一實施例的顯示面板，由於顯示面板可以透過調整擋牆結構的容積，使開口可以依需求容置不同膜厚的畫素結構，因此可以對畫素結構於擋牆結構上的截面的長進行調整，來控制畫素結構整體的體積。在上述的設置下，周邊區中的第一畫素單元的畫素結構的第一截面的長度可以大於位於中央區的第二畫素單元的畫素結構的第二截面的長度。如此一來，第一畫素單元的開口可以比中央區中的第二畫素單元的開口容置更多噴墨塗佈的膜層液滴。藉此，可將位於周邊區的第一畫素單元中畫素結構的整體體積或厚度調整為大於位於中央區的第二畫素單元中畫素結構的整體體積或厚度。也就是說，相較於第二畫素單元，第一畫素單元的擋牆結構上可以附著較多的畫素結構，或容納較多的畫素結構的體積。因此，於進行乾燥製程後，顯示面板上分別位於不同區域中的畫素單元的膜厚均勻度可以一致，以減少斑紋產生，更具有均勻的亮度及色度。

此外，由於可以透過調整及控制相同區域中或不同區域中畫素單元的截面的長。因此，可以選用相同濃度的膜層液滴進行噴墨塗佈，簡單地透過控制液滴數量以達成不同膜厚的需求。如此，可以進一步地簡化製程、縮短製程時間並節省成本。還可以減少液滴溢出的機率，提升製程的公差需求並提升顯示面板的製造良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10E‧‧‧顯示面板

100‧‧‧基板

120、220、320‧‧‧第一電極

127、227、327‧‧‧頂面

140、240、340‧‧‧擋牆結構

142、242、342‧‧‧開口

143、243、343‧‧‧擋牆側壁

160‧‧‧畫素結構

162、162’、162”‧‧‧電洞注入層

1621、1623、1625‧‧‧第一表面

1622‧‧‧第二表面

1624‧‧‧第一截面

1624’‧‧‧第二截面

1624”‧‧‧第三截面

K1‧‧‧第一截線段

K2‧‧‧第二截線段

K3‧‧‧第三截線段

L1、L2、L3‧‧‧長

N‧‧‧方向

PX1‧‧‧第一畫素單元

PX2‧‧‧第二畫素單元

PX3‧‧‧第三畫素單元

T1’、T2’、T3’‧‧‧厚度

Y1、Y2、Y3‧‧‧高度

Claims

一種顯示面板，包括：一基板；以及多個畫素單元設置於該基板上，每一該畫素單元包括：一第一電極；一擋牆結構，具有一開口，該擋牆結構具有背向該基板的一頂面及一擋牆側壁，其中該擋牆結構的該擋牆側壁位於該第一電極與該頂面之間；以及一畫素結構，設置於該第一電極上，其中於垂直該基板的方向上，該畫素結構的部分重疊該擋牆結構與該開口，且該畫素結構包括一第一表面位於該開口內、一第二表面位於該頂面上以及一截面連接於該第一表面與該第二表面之間，且該第一表面至該第一電極的頂面之間具有一高度，其中該些畫素單元包括：至少一第一畫素單元，該第一畫素單元的該畫素結構具有一第一截面以及一第一高度，該第一截面的長為L1，且該第一高度為Y1；以及至少一第二畫素單元，該第二畫素單元的該畫素結構具有一第二截面以及一第二高度，該第二截面的長為L2，且該第二高度為Y2，其中L1>L2，且Y1<Y2。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中於垂直該基板的方向上，該第一電極包括一第一導電層以及垂直堆疊於該第一導電層上的一第二導電層，該第一畫素單元的該第一導電層的厚度為T1，該第二畫素單元的該第一導電層的厚度為T2，T2>T1。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一畫素單元的該擋牆側壁與該第一電極之間具有一第一角度θ1，該第二畫素單元的該擋牆側壁與該第一電極之間具有一第二角度θ2，θ1>θ2。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一畫素單元更包括一第一介電圖案設置於該第一電極與該擋牆側壁之間，且該擋牆結構部分覆蓋該第一介電圖案，該第二畫素單元更包括一第二介電圖案設置於該第一電極與該擋牆側壁之間，且該擋牆結構部分覆蓋該第二介電圖案。
如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，其中於垂直該基板的方向上，該第一畫素單元的該開口重疊該第一介電圖案的部分定義出一第一寬度D1，且該第二畫素單元的該開口重疊該第二介電圖案的部分定義出一第二寬度D2，其中該第一寬度D1>該第二寬度D2。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中每一該畫素單元更包括一容置空間設置於該第一電極與該擋牆側壁之間，且該第一畫素單元的該容置空間的容量為V1，該第二畫素單元的該容置空間的容量為V2，V1>V2。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括一絕緣層設置於該基板與該第一電極之間，該絕緣層具有一第一高度H1與一第二高度H2，該第一高度H1對應該第一畫素單元，該第二高度對應該第二畫素單元，且H2>H1。
如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的顯示面板，其中該基板具有一中央區以及該中央區以外的一周邊區，且該第二畫素單元對應設置於該中央區，該第一畫素單元對應設置於該周邊區。
如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的顯示面板，其中該些畫素單元更包括一第三畫素單元，該第一畫素單元、該第二畫素單元及該第三畫素單元分別用以發出一第一色光、一第二色光及一第三色光。
如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中該第三畫素單元的該畫素結構具有一第三截面，該第三截面的長為L3，且L1>L2>L3。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中每一該畫素單元的該畫素結構更包括：一電洞注入層設置於該第一電極上；一電洞傳輸層設置於該電洞注入層上；一發光層設置於該電洞傳輸層上；以及一第二電極設置於該發光層上。
如申請專利範圍第11項所述的顯示面板，更包括：一電子傳輸層設置於該發光層上；以及一電子注入層設置於該電子傳輸層上，其中該第二電極位於該電子注入層上，且該電子傳輸層及該電子注入層位於該發光層與該第二電極之間。