TW202002329A - 發光元件及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種發光元件，包括基板、第一電極、極性發光層以及第二電極。第一電極配置於基板上。極性發光層疊置於第一電極上。極性發光層的材質包括可受物理場力吸引的場吸引材料。第二電極配置於基板上。極性發光層夾於第一電極與第二電極之間。此外，上述發光元件的製造方法也被提出。
Description
本發明是有關於一種發光元件及其製造方法，且特別是有關於一種具有極性發光層的發光元件及其製造方法。
有機發光二極體（ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE；OLED）顯示裝置的製程中，可使用噴墨印刷製程（Ink Jet Printing；IJP）形成發光層。噴墨印刷製程是將含有有機發光材料的液滴噴射或注入到由堤岸（bank）定義出的開口中，以形成發光層。然而，由於液滴注入開口後，會與堤岸間產生作用力（例如毛細現象），導致有機發光材料在開口中乾固後所形成的發光層的膜厚不均。舉例來說，發光層在開口邊緣處的膜厚經常明顯大於發光層在開口中心處的膜厚，進而影響顯示面板的顯示品質。
本發明提供一種發光元件，性能佳。
本發明提供一種發光元件的製造方法，能製造出性能佳的發光元件。
本發明的一種發光元件，包括基板、第一電極、極性發光層以及第二電極。第一電極配置於基板上。極性發光層疊置於第一電極上。極性發光層的材質包括可受物理場力吸引的場吸引材料。第二電極配置於基板上。極性發光層夾於第一電極與第二電極之間。
本發明的一種發光元件的製造方法，包括：將第一電極形成於基板上；使用滴注裝置將極性發光材料滴注於第一電極上，極性發光材料包括場吸引材料，且在滴注極性發光材料的期間，於滴注裝置與第一電極之間產生吸引極性發光材料朝向第一電極集中的物理場力；將滴注於第一電極上的極性發光材料固化，以形成疊置於第一電極上的極性發光層；以及形成第二電極於極性發光層上。
基於上述，本發明實施例的發光元件及其製造方法中，極性發光層疊置於第一電極上，且極性發光層的材質包括可受物理場力吸引的場吸引材料。此外，本發明一實施例的發光元件的製造方法中，藉由滴注極性發光材料的期間，於滴注裝置與第一電極之間產生吸引極性發光材料朝向第一電極集中的物理場力。藉此，改善發光元件之發光層的膜厚不均勻的問題。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
在下文中將參照附圖更全面地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例性實施例。如本領域技術人員將認識到的，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫離本發明的精神或範圍。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件的「下」側的元件將被定向在其它元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「上面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。
本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或（and/or）公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1A是依照本發明一實施例的發光元件的製造方法的示意圖。圖1B是依照本發明一實施例的發光元件的剖面示意圖。
請參考圖1A，首先，提供基板100。在本實施例中，基板100例如為硬質基板（rigid substrate）。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，基板100也可以是可撓式基板（flexible substrate）。舉例而言，上述之硬質基板的材質可為玻璃、石英或其它適當材料；上述之可撓式基板的材質可以是塑膠或其它適當材料。
在此，基板100上已形成有主動元件結構110、第一絕緣層120、第二絕緣層130、平坦層140、第一電極150及阻隔結構160。在本實施例中，主動元件結構110例如由第一導電層112、第二導電層114以及半導體圖案（未繪示）構成。舉例而言，在本實施例中，先在基板100上形成第一導電層112，其中第一導電層112可經圖案化而包括用以構成薄膜電晶體的閘極。接著，在基板100上形成第一絕緣層120，以覆蓋第一導電層112。然後，在第一絕緣層120上形成第二導電層114，其中第二導電層114可經圖案化而包括用以構成薄膜電晶體的源極以及汲極。在本實施例中，形成第二導電層114之前或之後，還可選擇性地於第一絕緣層120上形成半導體圖案（未繪示）；第二導電層114的源極以及汲極可分別與半導體圖案的不同兩區電性連接。第一導電層112、第二導電層114以及半導體圖案形成薄膜電晶體，例如但不限於此。需說明的是，上述形成主動元件結構110之至少一部分的方法是以形成底部閘極型薄膜電晶體為示例。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，主動元件結構110的至少一部分也可以是其它類型的薄膜電晶體，而以其它方法形成之。
在本實施例中，第二絕緣層130覆蓋部分的主動元件結構110與第一絕緣層120。平坦層140覆蓋主動元件結構110與第二絕緣層130。平坦層140的材料包含無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚酯類（PET）、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、其它合適的材料或上述之組合）、其它合適的材料或上述之組合。
第一電極150配置於基板100上。舉例而言，在本實施例中，第一電極150可形成於平坦層140上。第一電極150可與主動元件結構110的第二導電層114電性連接。舉例而言，本實施例的第一電極150例如為畫素電極，電性連接於主動元件結構110的薄膜電晶體的汲極。也就是說，在本實施例中，第二導電層114與第一電極150電性連接的部分可以為汲極。第一電極150的材質包括導電氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物或者是上述至少二者之堆疊層。第一電極150在部分的實施例中可採用多個導電層堆疊而成，例如導電氧化物層-銀-導電氧化物層的堆疊。然而，本發明不限於此。舉例而言，在其他實施例中，第一電極150的材質也可包括第二化學極性材料，其中第二化學極性材料具有帶正電官能基或帶負電官能基。帶正電官能基例如為胺基（-NH3 +
），帶負電官能基例如為羧基（-COOH-
），但不以此為限。在其他實施例中，第一電極150的材質也可包括可磁極化材料。可磁極化材料是指受到磁場作用下可被吸引的材料，例如為鐵、鈷、鎳或其合金中或其他合適的材料。
阻隔結構160可配置於基板100上。在本實施例中，阻隔結構160形成於第一電極150上。詳細而言，阻隔結構160環設於第一電極150的周邊，且覆蓋第一電極150的側壁。阻隔結構160圍繞第一電極150周邊且由第一電極150的表面遠離基板100凸出而定義出一空間160a，亦即，阻隔結構160具有露出第一電極150的表面的開口160o。在本實施例中，阻隔結構160的材質包括有機絕緣材料，但不以此為限。舉例而言，用以製作阻隔結構160的有機材質包括正型光阻材料、負型光阻材料或其他合適的材料。之後，使用滴注裝置200將極性發光材料170滴注於第一電極150上。舉例而言，在本實施例中，滴注裝置200可為噴墨裝置，其具有噴嘴210。在本實施例中，可藉由噴嘴210將極性發光材料170滴注於阻隔結構160圍繞的空間160a中，且使極性發光材料170攤覆在第一電極150上。
在本實施例中，極性發光材料170可以包含場吸引材料、發光材料與溶劑。場吸引材料是指可受物理場力而吸引，以朝特定方向移動的材料。發光材料可包括量子點材料、有機發光材料等。溶劑則是可使場吸引材料與發光材料均勻混合，且可被蒸發的材料。在滴注極性發光材料170的期間，可在滴注裝置200與第一電極150之間產生吸引極性發光材料170朝向第一電極150集中的物理場力。如此，極性發光材料170可在物理場力的作用下均勻的攤覆在第一電極150上，而不容易濺溢到空間160a之外也不容易因毛細現象而形成彎液面(meniscus)。此外，阻隔結構160以無機材質製作時，可能具有較低的高度，極性發光材料170的液滴可能高於阻隔結構160的高度。不過，由於極性發光材料170受到物理場力吸引，仍不會溢流到阻隔結構160的開口160o之外。因此，這樣的設計也有助於縮減最終裝置的厚度。舉例而言，場吸引材料包括可磁極化材料、第一化學極性材料或其他合適的材料。可磁極化材料是指受到磁場作用下可被吸引的材料，其可選自鐵、鈷、鎳或其合金中至少一者。化學極性材料是指具有帶電官能基的材料。
場吸引材料為可磁極化材料時，可對第一電極150通電而產生適於吸引極性發光材料170的物理場力(例如電磁場)，以使極性發光材料170均勻攤覆空間160a中。在其他實施例中，當極性發光材料170為化學極性材料且添加於極性發光材料170的化學極性材料是具有帶正電官能基（或帶負電官能基）的第一化學極性材料時，則可於製作第一電極150時添加具有帶負電官能基（或帶正電官能基）的第二化學極性材料於第一電極150中，藉此，第一電極150的第二化學極性材料可產生吸引極性發光材料170朝向第一電極150集中的物理場力。
請參考圖1A及圖1B，接著，將滴注於第一電極150上的極性發光材料170固化，以形成疊置於第一電極150上的極性發光層170’。在本實施例中，阻隔結構160圍繞極性發光層170’。亦即，極性發光層170’配置於阻隔結構160的開口160o中。在本實施例中，極性發光層170’的材質包括用以發出光線的發光材料以及混合於發光材料之中的場吸引材料。藉由第一電極150產生適於吸引極性發光材料170的物理場力，使固化極性發光材料170而形成的極性發光層170’具有均勻的厚度。
在本實施例中，極性發光層170’與第一電極150之間還可包括電洞注入層172、電洞傳輸層174或其他膜層。電洞注入層172、電洞傳輸層174以及極性發光層170’可依序形成於第一電極150上，但本發明不限於此。在本實施例中，電洞注入層172與電洞傳輸層174也可採用噴墨製程來製作。在部分的實施例中，電洞注入層172與電洞傳輸層174的至少一者形成於第一電極150上的方式可以與極性發光層170’形成於第一電極150上的方式相同，但不以此為限。換言之，電洞注入層172與電洞傳輸層174的至少一者中可也包含有場吸引材料。
接著，將第二電極180配置於基板100上。具體而言，將第二電極180形成於極性發光層170’上。極性發光層170’夾於第一電極150與第二電極180之間。在本實施例中，第二電極180可連續地覆蓋極性發光層170’與阻隔結構160。在本實施例中，第二電極180在極性發光層170’與阻隔結構160上的厚度實質上相等。舉例而言，在本實施例中，第二電極180的形成方式例如是利用蒸鍍製程，但本發明不限於此。
在本實施例中，第二電極180與極性發光層170’之間還可包括電子傳輸層（未繪示）以及電子注入層（未繪示）。電子傳輸層、電子注入層以及第二電極180可依序形成於極性發光層170’上，但本發明不限於此。在本實施例中，電子傳輸層與電子注入層形成於極性發光層170’上的方式可以與第二電極180形成於極性發光層170’上的方式相同，但不以此為限。在本實施例中，由電子傳輸層、電子注入層以及第二電極180構成的複合層結構具有大致上相同的厚度，但本發明不以此為限。
基於上述，在本發明一實施例的發光元件10的製造方法中，可對第一電極150通電或是添加化學極性材料於第一電極150中，使滴注裝置200與第一電極150之間產生吸引極性發光材料170朝向第一電極150集中的物理場力。在這樣的物理場力作用下，極性發光材料170可以均勻地攤覆於第一電極150上而減小彎液面現象。如此，滴注於第一電極150上的極性發光材料170固化後所形成疊置於第一電極150上的極性發光層170’可具有均勻的膜層厚度。藉此，可以改善因發光層的厚度不均勻所導致的發光效果不佳的問題，進而改善發光元件10的品質。
圖2是依照本發明另一實施例的發光元件的製造方法的示意圖。圖2省略圖1A之第一導電層112、第二導電層114及第一絕緣層120的繪示，且將所述元件簡單繪示為主動元件結構層110’。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2的實施例與圖1A的實施例的主要差異在於：產生適於吸引極性發光材料170的物理場力的方式不同。
請參考圖2，在本實施例中，將基板100置放於載台300上。舉例而言，可先將基板100上依序形成有主動元件結構層110’、第二絕緣層130、平坦層140、第一電極150以及阻隔結構160，再將基板100置放於載台300上。主動元件結構層110’的具體結構可如圖1A的主動元件結構110，在此不另詳述。
在本實施例中，極性發光材料170所包含的場吸引材料例如包括可磁極化材料。在滴注極性發光材料170於第一電極150上的期間，對載台300通電而產生適於吸引極性發光材料170的物理場力(例如電磁場)。在這樣的物理場力作用下，極性發光材料170的液滴可以均勻的攤覆在第一電極150上。藉此，極性發光材料170固化後而形成的極性發光層170’（繪示於圖1B）能夠具有均勻的厚度而改善導因於發光層的厚度不均勻而產生的發光效果不佳的問題。
圖3是依照本發明再一實施例的發光元件的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖3的實施例與圖1B的實施例的主要差異在於：極性發光層270與阻隔結構260為一體成型。
請參考圖3，發光元件20包括基板100、第一電極250、極性發光層270、第二電極280以及阻隔結構260。在此，基板100上還可包括主動元件結構110、第一絕緣層120、第二絕緣層130、平坦層140、電洞注入層272與電洞傳輸層274。基板100、主動元件結構110、第一絕緣層120、第二絕緣層130與平坦層140的配置關係及製作方式可如圖1B的發光元件10，在此不另贅述。本實施例的發光元件20的極性發光層270與阻隔結構260為一體成型，因此第二電極280可由極性發光層270與阻隔結構260上延伸至平坦層140上。另外，極性發光層270會覆蓋第一電極250的表面，阻隔結構260包覆第一電極250的側壁。如此，極性發光層270與阻隔結構260可夾於第一電極250與第二電極280之間，使第一電極250與第二電極280彼此隔開，不相接觸。
在本實施例中，可使用與極性發光層170’的製造方法相同的方式來製作一體成型的極性發光層270與阻隔結構260。舉例而言，製作一體成型的極性發光層270與阻隔結構260時，可將第一電極250通電而產生適於吸引極性發光材料的物理場力。如此，極性發光材料可以吸附於第一電極250上，而不會溢流到第一電極250以外。此外，極性發光材料乾固後所形成的一體成型的極性發光層270與阻隔結構260會覆蓋第一電極250的表面，並且包覆第一電極250的側壁。在本實施例中，可以產生吸引極性發光材料朝向第一電極250集中的物理場力，使極性發光材料不容易攤流到第一電極250以外的區域而使一體成型的極性發光層270與阻隔結構260可形成於需要的區域。藉此，可簡化製作流程、使發光面積擴增到整個第一電極250的面積；此外，也可改善發光層的厚度不均勻的現象。
在本實施例中，一體成型的極性發光層270及阻隔結構260與第一電極250之間還可包括電洞注入層272、電洞傳輸層274或其他膜層。電洞注入層272與電洞傳輸層274會覆蓋第一電極250的表面，並且包覆第一電極250的側壁。在本實施例中，電洞注入層272與電洞傳輸層274也可採用噴墨製程來製作。因此，電洞注入層272與電洞傳輸層274形成於第一電極150上的方式可以與一體成型的極性發光層270與阻隔結構260形成於第一電極150上的方式相同，但不以此為限。換言之，電洞注入層272與電洞傳輸層274中可也包含有場吸引材料，藉著在製作這些膜層時產生吸引場吸引材料朝向第一電極250集中的物理場力，使場吸引材料不容易攤流到第一電極250以外的區域而使電洞注入層272與電洞傳輸層274可形成於需要的區域。因此，本實施例的設計可省略前述以不同於發光層的材質製作的阻隔結構160。
圖4是依照本發明又一實施例的發光元件的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例相似於圖1B的實施例。因，圖4中沿用圖1B的實施例的元件標號，亦即兩實施例中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件。相關部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖4的實施例與圖1B的實施例的主要差異在於：阻隔結構380的厚度H較小。
請參考圖4，發光元件30包括基板100、第一電極150、極性發光層170’、第二電極380以及阻隔結構360。在此，基板100上還可包括主動元件結構110、第一絕緣層120、第二絕緣層130、平坦層140、電洞注入層172與電洞傳輸層174。除阻隔結構360，上述各構件的配置關係及製作方式可如圖1B的發光元件10，在此不另贅述。
阻隔結構360環設於第一電極150的周邊，且覆蓋第一電極150的側壁。阻隔結構360具有露出第一電極150的表面的開口360o。在垂直於基板100的方向上，阻隔結構360的頂面與第一電極150的表面之間具有高度H。在本實施例中，阻隔結構360的材質包括無機絕緣材料，但不以此為限。舉例而言，用以製作阻隔結構360的無機絕緣材料可選自氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合，但不以此為限。以無機絕緣材料製作的阻隔結構360的高度H為0.1微米至0.7微米。以無機材質製作的阻隔結構360的高度H小於以有機材質製作的阻隔結構160的高度（通常為1微米至5微米）。
在本實施例中，製作極性發光層170’的材料包括極性發光材料而可在物理場力的作用下均勻的攤覆在第一電極150上，而不容易濺溢到開口360o之外也不容易因毛細現象而形成彎液面。在本實施例中，以無機絕緣材料製作的阻隔結構360具有較低的高度，使得極性發光材料的液滴可能高於阻隔結構360的高度H。不過，由於極性發光材料受到通過第一電極150的物理場力吸引，而不容易溢流到阻隔結構360的開口360o之外。如此，由極性發光材料固化而形成的極性發光層170’可確實配置於阻隔結構360的開口360o中，且具有均勻的厚度。此外，以無機材質製作的阻隔結構360具有較低的高度，使得阻隔結構360所在區域與極性發光層170’所在區域的高度差異較不明顯，這有助於改善極性發光層170’所在區域的平坦性，及發光元件的整體均勻性，也有助於縮減最終裝置的厚度。
綜上所述，本發明實施例的發光元件及其製造方法，其中發光元件包括基板、第一電極、極性發光層以及第二電極。第一電極配置於基板上。極性發光層疊置於第一電極上。極性發光層的材質包括可受物理場力吸引的場吸引材料。第二電極配置於基板上。極性發光層夾於第一電極與第二電極之間。藉由在製造發光元件的方法中於滴注裝置與第一電極之間產生吸引極性發光材料朝向第一電極集中的物理場力，發光層的厚度可具有較佳的均勻性，而有助於改善或是確保發光元件的品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30‧‧‧發光元件
100‧‧‧基板
110‧‧‧主動元件結構
110’‧‧‧主動元件結構層
112‧‧‧第一導電層
114‧‧‧第二導電層
120‧‧‧第一絕緣層
130‧‧‧第二絕緣層
140‧‧‧平坦層
150、250‧‧‧第一電極
160、260、360‧‧‧阻隔結構
160a‧‧‧空間
160o、360o‧‧‧開口
170‧‧‧極性發光材料
170’、270‧‧‧極性發光層
172、272‧‧‧電洞注入層
174、274‧‧‧電洞傳輸層
180、280、380‧‧‧第二電極
200‧‧‧滴注裝置
210‧‧‧噴嘴
300‧‧‧載台
H‧‧‧厚度
圖1A是依照本發明一實施例的發光元件的製造方法的示意圖。
圖1B是依照本發明一實施例的發光元件的剖面示意圖。
圖2是依照本發明另一實施例的發光元件的製造方法的示意圖。
圖3是依照本發明再一實施例的發光元件的剖面示意圖。
圖4是依照本發明又一實施例的發光元件的剖面示意圖。
10‧‧‧發光元件
100‧‧‧基板
110‧‧‧主動元件結構
112‧‧‧第一導電層
114‧‧‧第二導電層
120‧‧‧第一絕緣層
130‧‧‧第二絕緣層
140‧‧‧平坦層
150‧‧‧第一電極
160‧‧‧阻隔結構
160o‧‧‧開口
170’‧‧‧極性發光層
172‧‧‧電洞注入層
174‧‧‧電洞傳輸層
180‧‧‧第二電極
Claims (18)
- 一種發光元件，包括： 基板； 第一電極，配置於該基板上； 極性發光層，疊置於該第一電極上，其中該極性發光層的材質包括可受物理場力吸引的場吸引材料； 第二電極，配置於該基板上，且該極性發光層夾於該第一電極與該第二電極之間；以及 阻隔結構，該阻隔結構配置於該基板上，環設於該第一電極的周邊，且覆蓋該第一電極的側壁，其中該第二電極連續地覆蓋該極性發光層與該阻隔結構。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該阻隔結構的材質包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光元件，其中該阻隔結構的材質為無機絕緣材料，該阻隔結構的頂面至該第一電極的表面在垂直於該基板的方向上具有一高度，該高度為0.1微米至0.7微米。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光元件，其中該阻隔結構的材質包括正型光阻材料或負型光阻材料。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光元件，其中該阻隔結構的材質選自氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該極性發光層與該阻隔結構為一體成型。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該場吸引材料包括可磁極化材料。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光元件，其中該可磁極化材料選自鐵、鈷、鎳或其合金中至少一者。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光元件，其中該第一電極的材質包括該可磁極化材料。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該場吸引材料包括第一化學極性材料。
- 如申請專利範圍第10項所述的發光元件，其中該第一電極的材質包括第二化學極性材料，且該第一化學極性材料與該第二化學極性材料其中一者具有帶正電官能基而另一者具有帶負電官能基。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該極性發光層的材質還包括發光材料，該發光材料包括量子點材料、有機發光材料或其組合，且該場吸引材料混合於該發光材料之中。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該發光元件更包括電洞注入層或電洞傳輸層的至少一者，且該電洞注入層或該電洞傳輸層的至少一者的材質包括該場吸引材料。
- 一種發光元件的製造方法，包括： 將第一電極形成於基板上； 使用滴注裝置將極性發光材料滴注於該第一電極上，該極性發光材料包括場吸引材料，且在滴注該極性發光材料的期間，於該滴注裝置與該第一電極之間產生吸引該極性發光材料朝向該第一電極集中的物理場力； 將滴注於該第一電極上的該極性發光材料固化，以形成疊置於該第一電極上的極性發光層；以及 形成第二電極於該極性發光層上。
- 如申請專利範圍第14項所述的發光元件的製造方法，其中在滴注該極性發光材料的期間，對該第一電極通電而產生適於吸引該極性發光材料的該物理場力。
- 如申請專利範圍第14項所述的發光元件的製造方法，更包括將該基板置放於載台上以滴注該極性發光材料，其中在滴注該極性發光材料的期間，對該載台通電而產生適於吸引該極性發光材料的該物理場力。
- 如申請專利範圍第14項所述的發光元件的製造方法，更包括在滴注該極性發光材料之前，形成覆蓋該第一電極的周邊的阻隔結構，其中該極性發光材料滴注於該阻隔結構圍繞的空間中。
- 如申請專利範圍第14項所述的發光元件的製造方法，其中滴注於該第一電極上的該極性發光材料包覆該第一電極的側壁。
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