TWI712020B

TWI712020B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI712020B
Application number: TW108136126A
Authority: TW
Inventors: 呂宣毅; 周凱茹; 鍾佩芳; 陳致豪; 陳辰恩; 劉柏村; 鄭光廷; 廖育晨
Original assignee: 凌巨科技股份有限公司; 國立交通大學
Priority date: 2019-10-04
Filing date: 2019-10-04
Publication date: 2020-12-01
Also published as: TW202115702A

Abstract

本申請公開一種顯示裝置，用於指紋辨識，包括一畫素陣列、一閘極驅動電路以及一指紋辨識電路，閘極驅動電路連接畫素陣列及指紋辨識電路，閘極驅動電路包括多個閘極驅動單元，每一個閘極驅動單元更包括一拉起電路及一增升電路，增升電路係增強一驅動電壓準位，拉起電路用以接收該驅動電壓準位，藉其控制指紋辨識電路的輸出訊號。

Description

顯示裝置

本申請係有關於一種顯示裝置，尤指一種用於指紋辨識的顯示裝置。

近年來，指紋辨識電路應用於可攜式面板上的數量逐年增長，又尤其是手機，近乎有80%的手機被預測在2020年會具備指紋辨識的功能，對於手機來說，指紋辨識成為標準配備。因此，若能將指紋辨識整合於面板上，則有利於成本降低。

然而，利用CMOS元件所建構的指紋辨識電路，其利用原理為切換電容(switching capacitor)的原理，利用兩相切時序來使得手指指紋上的電容電荷送至積分器上，進行訊號的放大動作；此設計本身會受到寄生電容的影響，會使得在訊號放大上，參雜了不預期的訊號。再者，為達到良好的畫面品質，螢幕解析度以及具控制指紋辨識電路能力也必須相對提升，在此情況下控制電路的負載會增加，故加強閘極驅動電路的驅動能力是必須要克服的問題。

本申請提供一種顯示裝置，以解決目前指紋辨識電路所產生的雜訊問題以及閘極驅動電路的驅動能力不足而造成電路元件劣化而壽命短，且控制指紋辨識能力差的問題。

為了解決上述問題，本申請是這樣實現的：本申請提供一種顯示裝置，用於指紋辨識，顯示裝置包括一畫素陣列、一指紋辨識電路以及一閘極驅動電路，畫素陣列具有多個畫素單元；閘極驅動電路連接畫素陣列及指紋辨識電路，閘極驅動電路包括多個閘極驅動單元，每一閘極驅動單元包含一拉起電路及一增升電路，拉起電路連接增升電路，增升電路係增強一驅動電壓準位，拉起電路用以接收驅動電壓準位，藉其控制指紋辨識電路的輸出訊號。

在本申請的實施例中，係共用閘極驅動電路來達到面板顯示以及指紋辨識訊號輸出，也就是說，當畫面全部掃瞄過一次，指紋辨識電路也會全部掃瞄過一次，進行指紋的感測結果輸出。

為對本申請的特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，僅佐以實施例及配合詳細之說明，說明如後：

隨著超高載流子遷移率特性的低溫多晶矽半導體薄膜電晶體的發展，基於面板周邊的積體電路技術漸成為注目焦點，陣列基板行驅動技術(Gate Driver on Array，GOA)是利用液晶顯示器陣列製程將行(Gate)掃描驅動信號電路製作在陣列基板上來實現對像素單元的逐行驅動掃描。本申請為降低製作成本及達到更精簡的顯示裝置，因此提出一種GOA電路搭配指紋辨識電路系統，同時，指紋辨識電路整合於面板中，以達到降低成本的目的。在本申請的應用中，本申請提出的GOA電路適於小型尺寸面板。請參閱圖1，其為本申請的電路方塊圖。顯示裝置1包括一畫素陣列10、一閘極驅動電路12以及一指紋辨識電路14，畫素陣列10具有多個畫素單元16，閘極驅動電路12連接畫素陣列10，用以提供驅動電壓予畫素陣列10，閘極驅動電路12包括多個閘極驅動單元18，每一個閘極驅動單元18更包括一拉起電路20及一增升電路22，拉起電路20係電性連接增升電路22，增升電路22係增強一驅動電壓準位，拉起電路20用以接收驅動電壓準位，藉其控制指紋辨識電路14的輸出訊號，容後詳述。

為能進一步了解本申請案的電路運作，請參閱圖2，其為本申請的電路圖。首先，閘極驅動電路12包括多個閘極驅動單元，在此以N級(奇數級)的閘極驅動單元18、第N+1級(奇數級)的閘極驅動單元18’兩組閘極驅動單元為例說明，閘極驅動單元18、18’係連接至指紋辨識電路14及畫素陣列10。其中，指紋辨識電路14更包含一感測單元24、放大器26及一讀取單元28，放大器26係電性連接感測單元24及讀取單元28，感測單元24係用以感測手指觸控電壓，手指觸控使得電容Cf發生變化進而決定積分器前方所儲存的電荷量，感測單元24中的所有電晶體(M1、M2、M3、M4)與電容(Cf、Cp)可以使用最小尺寸，以使解析度能得到最佳化，放大器26係將感測手指觸控電壓累積放大後傳送至讀取單元28，透過放大器26使用積分器的放大能力，利用累積訊號並且放大的效果來補足a-Si 電晶體所建構的放大器增益不足問題；最後，由讀取單元28將放大後的感測手指觸控電壓讀出。

更進一步說明指紋辨識電路的運作方式，請同時參閱圖3，其為本申請的指紋辨識電路的電路時序圖。當手指觸控時，於感測期間，時脈訊號CLKC1為高電壓VH，會將電晶體M1、電晶體M4開啟，對手指上所產生的手指電容Cf進行充電，此時感測板兩端都充至相同電位，由於感測板是設計於寄生電容Cp的兩端，根據電容公式 Q=CV，平行感測板的寄生電容Cp此時並不會充電，故不參與指紋辨識的過程。在時脈訊號CLKC2時，電晶體M2、電晶體M3開啟，則會將手指電容Cf上的電荷放至累積的積分電容Cs上，透過放大器26使得訊號累積放大，當時脈訊號CLKC2結束後，會回至時脈訊號CLKC1的時序，並執行重複循環運作，直到設定的讀取訊號來臨時，由讀取單元28將訊號讀出。由於本申請的指紋辨識電路14設計中的寄生電容Cp是不參與指紋辨識的過程，因此在訊號放大過程中，可以解決習知技術中因參雜了不預期的訊號問題，使得指紋辨識能力更優化。

進一步詳述本申請的一組閘極驅動單元細部的電路設計，閘極驅動單元18包括拉起電路20、增升電路22、一設定電路30及一重設電路32、一第一抗雜訊電路34、一第二抗雜訊電路36、一第三抗雜訊電路38、一第一負偏壓補償電路40、一第二負偏壓補償電路42及一第三負偏壓補償電路44。其中，設定電路30包括第一電晶體M1，包含一第一端、一第二端及一第三端，第一端連接增升電路22及拉起電路20。重設電路32包括第二電晶體M2，包含一第一端、一第二端及一第三端，第二電晶體M2的第一端連接第一電晶體M1的第一端。拉起電路20包括一第三電晶體M3，包含一第一端、一第二端及一第三端，一第四電晶體M4，其包含一第一端、一第二端及一第三端，第四電晶體M4的第二端連接第三電晶體M3的第二端。增升電路22包括一第五電晶體M5、一第六電晶體M6、一第七電晶體M7及一第八電晶體M8，第五電晶體M5包括一第一端、一第二端及一第三端，第五電晶體M5的第一端連接增升電路22的第一電容C1的第二端。第六電晶體M6包括一第一端、一第二端及一第三端，第六電晶體M6的第一端連接增升電路22的第一電容C1的第二端，第六電晶體M6第二端與第六電晶體M6第三端相互連接。第七電晶體M7包括一第一端、一第二端及一第三端，第七電晶體M7的第一端連接增升電路22的第一電容C1的第二端，第七電晶體M7的第二端與第七電晶體M7的第三端相互連接。第八電晶體M8包括一第一端、一第二端及一第三端，第八電晶體M8的第一端連接增升電路22的第一電容C1的第二端，第八電晶體M8的第二端與第八電晶體M8的第三端相互連接。第一抗雜訊電路34包含一第十三電晶體M13及一第十六電晶體M16，第十三電晶體M13及第十六電晶體M16用以連接第三電晶體M3的第三端。第二抗雜訊電路36包含一第九電晶體M9及一第十二電晶體M12，第九電晶體M9及第十六電晶體M16用以連接第四電晶體M4的第三端。第一負偏壓補償電路40包含一第十四電晶體M14及一第十五電晶體M15，第十四電晶體M14及第十五電晶體M15用以連接第十三電晶體M13，第二負偏壓補償電路42包含一第十電晶體M10及一第十一電晶體M11，第十電晶體M10及第十一電晶體M11用以連接第九電晶體M9。第三抗雜訊電路38包括一第二十電晶體M20及一第十九電晶體M19。第二十電晶體M20包括一第一端、一第二端及一第三端，第二十電晶體M20的第一端連接增升電路22的第一電容C1。第十九電晶體M19包括一第一端、一第二端及一第三端，第一端連接第二十電晶體M20的第二端。第三負偏壓補償電路44包含一第十八電晶體M18及一第十七電晶體M17，第十七電晶體M17包括一第一端、一第二端及一第三端，第十七電晶體M17的第一端連接第十七電晶體M17的第二端，第十七電晶體M17的第三端連接第二十電晶體M20的第二端。第十八電晶體M18用以連接第十七電晶體M17的第三端及第二十電晶體M20的第二端。

由上述了解細部電路元件設計之後，續就驅動能力的提升，如何改善整體電路的驅動能力，請同時參閱圖2、圖3及圖4，圖4為本申請的閘極驅動單元的電路時序圖。由於N級(奇數級)的閘極驅動單元18與第N+1級(奇數級)的閘極驅動單元18’此兩組閘極驅動單元的電路設計與運作原理相同，故在此以一組閘極驅動單元18為例說明。整體電路於工作狀態下，首先，在第一時間T1區間，觸發訊號CN-3開啟第五電晶體M5，下拉節點AN到低電壓準位VSS2，此目的在於利用第一電容C1的電容耦合特性，使增升電路22中的節點QN和節點AN之間存在電位，其為高電壓VDD減電晶體電壓V _{TH_M1}減低電壓準位VSS2所產生的電位。在第二時間T2區間，控制設定電路30中的第一電晶體M1開啟，使節點QN開始充電，並且節點AN此時仍為下拉到低電壓準位VSS2的狀態，故此使得第一電容C1有電位，其為高電壓VDD減電晶體電壓V _{TH_M1}減低電壓準位VSS2所產生的電位，以利後續耦合動作產生，而節點QN的第一次電壓抬升至高電壓準位V _H-V _{TH_M1}；此時第九電晶體M9、第十電晶體M10、第十三電晶體M13、第十四電晶體M14會同時開啟，並下拉節點CN、節點GN的低電壓準位VSS，VSS的低電壓準位為-6V，以防止雜訊產生。其中，節點CN作為拉起電路20中第四電晶體M4的輸出端，也就是控制指紋辨識電路的輸出，而節點GN作為拉起電路20中第三電晶體M3的輸出端，目的在於輸出至畫素陣列10，因不需要回授給其他級而加大電路設計，故對電路設計是更精簡化且更有效率，容後詳述。

執行到第三時間T3區間時，增升電路22中的觸發訊號CN-1預充電為高電壓準位VH，高電壓準位VH為18V，此時開啟第六電晶體M6運作，並對節點AN進行充電，利用第一電容C1的電容耦合的特性，對節點QN做一次電壓的耦合動作，使節點QN的第二次電壓抬升到電壓準位V _H-V _{TH_M1}+ΔV1；此時驅動第一負偏壓補償電路40及第二負偏壓補償電路42運作，也就是說負偏壓補償的時脈訊號CLK2會開啟，會將第一抗雜訊電路34中的第十三電晶體M13及第二抗雜訊電路36中的第九電晶體M9的閘極端電位準位下拉至低電壓準位VSS2，此低電壓準位為-10V，與第十三電晶體M13及第九電晶體M9的源極電壓準位為-6V相比，使元件的偏壓VGS-4V，這動作即為此電路的負偏壓補償動作。

執行到第四時間T4區間時，時脈訊號CLK3轉變成高電壓準位VH，高電壓準位為18V，此時，第三抗雜訊電路38中的第十七電晶體M17會開啟運作，利用驅動第二十電晶體M20上的寄生電容，對節點QN進行耦合充電，使節點QN的第三次電壓抬升到電壓準位V _H-V _{TH_M1}+ΔV1+ΔV2。此外在這邊觸發訊號CN-1、節點CN分別開啟增升電路22中的第六電晶體M6、第七電晶體M7運作，對節點AN也再一次的充電；此時第九電晶體M9、第十三電晶體M13的負偏壓補償仍持續進行，也就是說，負偏壓補償的時脈訊號CLK2會持續開啟，將第一抗雜訊電路34中的第十三電晶體M13及第二抗雜訊電路36中的第九電晶體M9的閘極端電位準位下拉至低電壓準位VSS2，此閘極端電壓準位為-10V，與第十三電晶體M13及第九電晶體M9的源極電壓準位為-6V相比，使元件的偏壓VGS為-4V，這動作即為此電路的負偏壓補償動作。執行到第五時間T5區間時，此時，增升電路22中的節點CN、觸發訊號CN+1會打開第七電晶體M7、第八電晶體M8運作，再次對節點AN進行充電，並藉由第一電容C1電容耦合抬升節點QN電壓到第四高電壓準位V _H-V _{TH_M1}+ΔV1+ΔV2+ΔV3。對第一抗雜訊電路34中的第十二電晶體M12、第二抗雜訊電路36中的第十六電晶體M16及第三抗雜訊電路38中的第二十電晶體M20來說，因為第三負偏壓補償電路44中的時脈訊號CLK4開啟第十八電晶體M18運作，所以下拉第十二電晶體M12、第十六電晶體M16、第二十電晶體M20的閘極電壓準位至VSS2，閘極電壓準位為-10V，使得這三顆的電晶體偏壓VGS呈現是-4V的電位，也就是這三顆電晶體負偏壓補償的動作開始，如節點PN所耦接的第十二電晶體M12、第十六電晶體M16、第二十電晶體M20的閘極端，並且第九電晶體M9、第十三電晶體M13的負偏壓補償動作結束。值得注意的是，執行到第五時間T5區間時，節點QN的電壓準位是最高的，由電路時序圖可觀之，節點QN的電壓準位在第二時間T2區間至第五時間T5區間，增升電路22的第一電容C1在第二時間T2區間拉升開始第一次充電至一第一電壓V _H-V _{TH_M1}，在第三時間T3區間拉升第一電容C1的第一電壓V _H-V _{TH_M1}至一第二電壓V _H-V _{TH_M1}+ΔV1，在第四時間T4區間繼續拉升第一電容C1的第二電壓V _H-V _{TH_M1}+ΔV1至一第三電壓V _H-V _{TH_M1}+ΔV1+ΔV2，最後於第五時間T5區間拉升第一電容C1的第三電壓V _H-V _{TH_M1}+ΔV1+ΔV2至一第四電壓V _H-V _{TH_M1}+ΔV1+ΔV2+ΔV3，利用時序來使第一電容C1多段的耦合，使得閘極驅動單元18的驅動點節點QN能被抬升至較高電位，進而大幅提升驅動能力。

其中，閘極驅動單元18的拉起電路20中的節點CN是連接至指紋辨識電路14的讀取單元28中的第六電晶體M6，第N+1級(奇數級)的閘極驅動單元18’的拉起電路20’中的節點CN是連接至指紋辨識電路14的讀取單元28中的第七電晶體M7。如圖3所示，負偏壓補償的時脈訊號CLK2開啟，增升電路22所增強的驅動電壓準位，經由拉起電路20接收驅動電壓準位，藉其控制指紋辨識電路14的輸出訊號；詳細來說，驅動電壓準位輸出至第六電晶體M6、第七電晶體M7，使指紋辨識在設計的時間時脈訊號CLKH1、時脈訊號CLKH2才會輸出辨識結果Vout。閘極驅動單元18的拉起電路20中的節點GN及第N+1級(奇數級)的閘極驅動單元18’的拉起電路20’中的節點GN是連接至畫素陣列10。

再承接圖4的電路時序圖來看，執行到第六時間T6區間時，時脈訊號CLK1打開第一抗雜訊電路34中的第十三電晶體M13、第十四電晶體M14及第二抗雜訊電路36中的第九電晶體M9、第十電晶體M10，將節點CN、節點GN下拉至低電壓準位VSS，低電壓準位為-6V，並且驅動重設電路32中的觸發訊號CN+2開啟第二電晶體M2運作，對節點QN點進行下拉電壓準位至VSS的動作，電壓準位為-6V。執行到第七時間T7區間時，重設電路32中觸發訊號CN+2開啟第二電晶體M2，對節點QN點繼續下拉電壓準位至VSS的動作，電壓準位為-6V；此時，第一抗雜訊電路34中的第十三電晶體M13及第二抗雜訊電路36中的第九電晶體M9這兩顆電晶體因為時脈訊號CLK2再次預充電至高電壓準位VH，高電壓準位為18V，故此這兩顆的負偏壓補償又再次開始。執行到第八時間T8區間時，第三抗雜訊電路38因為時脈訊號CLK3變成高電壓準位VH，高電壓準位為18V，故此開啟第一抗雜訊電路34中的第十六電晶體(M16) 、第二抗雜訊電路36 中的第十二電晶體M12及第三抗雜訊電路38 中的第二十電晶體M20運作，再分別下拉節點QN、節點CN、節點GN的電壓準位至VSS，低電壓準位為-6V，以防範在非工作狀態下，有雜訊的產生。執行到第九時間T9區間時，時脈訊號CLK3、時脈訊號CLK4作動，開啟第十八電晶體M18運作，第十六電晶體M16 、第十二電晶體M12及第二十電晶體M20的負偏壓補償動作再次開始運作。當第九時間T9區間結束後，在非工作狀態下，會一直持續第六時間T6區間到第九時間T9區間的動作，直到下一個更新周期到來，才會再從第一時間T1區間的時序開始動作。由此可得知，針對長時間正偏壓操作使得電晶體元件有V _TH往右偏移問題，本申請利用負偏壓補償電路設計來解決長時間操作的元件進行V _TH往左偏移的補償，能夠改善元件劣化的問題，進而延長電路的壽命。此外，本申請針對驅動電晶體的閘極點與源極之間的電位差提升，使得驅動力上升，也就是使下降時間可以更短，以快速的閘極驅動單元18的電路設計而言，下降時間快，上升時間也快，驅動能力才是最理想的。

藉由上述的指紋辨識電路14運作，則可計算出解析度為411dpi，當然不限定於此範圍，利用本申請的指紋辨識電路14運作，解析度範圍能夠達到400～500 dpi，故確實能夠提升指紋辨識的能力。本申請將所設計的閘極驅動電路12掛載5.5吋高解析面板上，如圖5所示，為本申請的高解析負面板負載等效電路示意圖，其中量測出來的電容值皆為7.6pF，電阻值皆為1.92KΩ，量測數值呈現出來是一致的，可以看出閘極驅動輸出所有量測點GL都是很完善的。請同時參圖6、圖7及下列表(一)及表(二)，圖6為本申請的指紋辨識量測波形圖，圖7為本申請的閘極驅動輸出量測波形圖。表(一)為閘極驅動電路量測結果:

	雜訊(RMS)	上升時間(µs)	下降時間(µs)
GL[1]	1.53	1.32	0.06
GL[2]	1.51	1.33	0.07
GL[359]	1.54	1.32	0.08
GL[360]	1.49	1.31	0.09

其中，由表格中的上升時間、下降時間及雜訊的量測數值可得知，本申請的量測數值都很相近，故驅動電壓相當穩定，節點QN的電壓也如設計預期的呈現出來，達到了多段耦合的能力，提升了驅動電壓能力。

再如表(二)為指紋辨識電路的量測結果:

手指電容數值	感測電壓
100fF	3.564
60fF	2.726
40fF	2.628
1fF	1.623

其中，經由手指指紋的觸控位置的遠近所量測到電壓值，由於驅動能力的提升，可以使得指紋辨識能力更優化。本申請係將指紋辨識電路14與閘極驅動電路12進行合併整合至玻璃面板上，因為是由閘極驅動電路12的輸出去控制指紋辨識電路14的輸出開關，使指紋辨識電路14在設計的時間才會輸出辨識結果，所以控制方式即為當畫素陣列10(顯示畫面)更新一次，指紋辨識電路14也會跟著辨識動作一次，其中，又以拉起電路20的第四電晶體M4的輸出節點CN為carry級的設計用以控制指紋辨識電路14的輸出，而拉起電路20的第三電晶體M3的輸出節點GN為負載的輸出，故不會增加其他回授電路的複雜度，進而可降低製作成本。

綜上所述，本申請為達到良好的畫面品質，螢幕解析度提升，解決了寄生電容所產生的雜訊問題，讓解析度達到411dpi，且指紋辨識能力也相對提升。更進一步，本申請藉由新穎的閘極驅動電路設計，透過時序來使電容多段的耦合，搭配訊號回授，使得閘極驅動單元的驅動點節點QN能被多次抬升至較高電位，使其輸出訊號有好的上升、下降時間，進而大幅提升驅動能力。再者，更於電路中增加負偏壓補償電路設計，使元件劣化情況得以改善，進而延長電路運作壽命。

惟以上所述者，僅為本申請之實施例而已，並非用來限定本申請實施之範圍，舉凡依本申請之申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所爲之均等變化與修飾，均應包括於本申請之申請專利範圍內。

1:顯示裝置 10:畫素陣列 12:閘極驅動電路 14:指紋辨識電路 16:畫素單元 18、18’:閘極驅動單元 20:、20’:拉起電路 22:增升電路 24:感測單元 26:放大器 28:讀取單元 30:設定電路 32:重設電路 34:第一抗雜訊電路 36:第二抗雜訊電路 38:第三抗雜訊電路 40:第一負偏壓補償電路 42:第二負偏壓補償電路 44:第三負偏壓補償電路 Cf:手指電容 Cp:寄生電容 Cs:積分電容 CLKC1:、CLKC2、CLKH1、CLKH2、CLK1、CLK2:、CLK3:、CLK4:時脈訊號 VH:高電壓準位 C1:第一電容 M1:第一電晶體 M2:第二電晶體 M3:第三電晶體 M4:第四電晶體 M5:第五電晶體 M6:第六電晶體 M7:第七電晶體 M8:第八電晶體 M9:第九電晶體 M10:第十電晶體 M11:第十一電晶體 M12:第十二電晶體 M13:第十三電晶體 M14:第十四電晶體 M15:第十五電晶體 M16:第十六電晶體 M17:第十七電晶體 M18:第十八電晶體 M19:第十九電晶體 M20:第二十電晶體 VSS2、VSS:低電壓準位 CN-3、CN-1、CN+1、CN+2:觸發訊號 CN、GN、QN、AN、PN:節點 T1:第一時間 T2:第二時間 T3:第三時間 T4:第四時間 T5:第五時間 T6:第六時間 T7:第七時間 T8:第八時間 T9:第九時間 VDD:高電壓

圖1：其為本申請的電路方塊圖。圖2：其為本申請的電路圖。圖3：其為本申請的指紋辨識電路的電路時序圖。圖4：其為本申請的閘極驅動單元的電路時序圖。圖5：其為本申請的高解析面板負載等效電路示意圖。圖6：其為本申請的指紋辨識量測波形圖。圖7：其為本申請的閘極驅動輸出量測波形圖。

1:顯示裝置

10:畫素陣列

12:閘極驅動電路

14:指紋辨識電路

16:畫素單元

18:閘極驅動單元

20:拉起電路

22:增升電路

Claims

一種顯示裝置，用於指紋辨識，包括：一畫素陣列，具有多個畫素單元；一指紋辨識電路；以及一閘極驅動電路，其連接該畫素陣列及該指紋辨識電路，該閘極驅動電路包括多個閘極驅動單元，每一該閘極驅動單元包含一拉起電路及一增升電路，該拉起電路連接該增升電路，該增升電路係增強一驅動電壓準位，該拉起電路用以接收該驅動電壓準位，藉其控制該指紋辨識電路的輸出訊號。
如請求項第1項所述之顯示裝置，其中該閘極驅動單元還包括一設定電路，該設定電路包括：一第一電晶體，包含一第一端、一第二端及一第三端，該第一端連接該增升電路及該拉起電路。
如請求項第2項所述之顯示裝置，其中，該閘極驅動單元還包括一重設電路，該重設電路包括：一第二電晶體，包含一第一端、一第二端及一第三端，該第二電晶體的該第一端連接該第一電晶體的該第一端。
如請求項第2項所述之顯示裝置，其中，該增升電路包括一第一電容，該設定電路在一第二時間，拉升該第一電容的一第一電壓，在一第三時間拉升該第一電壓至一第二電壓，在一第四時間繼續拉升該第二電壓至一第三電壓，於一第五時間拉升該第三電壓至一第四電壓。
如請求項第4項之顯示裝置，其中，該拉起電路包括：一第三電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端；一第四電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第二端連接該第三電晶體的第二端，該第四電晶體的該第一端連接該第一電容的第一端。
如請求項第4項之顯示裝置，其中該增升電路包括：一第五電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第一端連接該第一電容的第二端；一第六電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第一端連接該第一電容的第二端，該第二端與該第三端相互連接；一第七電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第一端連接該第一電容的第二端，該第二端與該第三端相互連接；以及一第八電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第一端連接該第一電容的第二端，該第二端與該第三端相互連接；其中，該第一電容的第一端連接該第一電晶體的第一端。
如請求項第5項所述的顯示裝置，其中該閘極驅動單元更包括：一第一抗雜訊電路，包含一第十三電晶體及一第十六電晶體，該第十三電晶體及該第十六電晶體用以連接該第三電晶體的該第三端；以及一第二抗雜訊電路，包含一第九電晶體及一第十二電晶體，該第九電晶體及該第十二電晶體用以連接該第四電晶體的該第三端。
如請求項第7項所述的顯示裝置，其中該閘極驅動單元更包括：一第一負偏壓補償電路，包含一第十四電晶體及一第十五電晶體，該第十四電晶體及該第十五電晶體用以連接該第十三電晶體；以及一第二負偏壓補償電路，包含一第十電晶體及一第十一電晶體，該第十電晶體及該第十一電晶體用以連接該第九電晶體。
如請求項第4項所述的顯示裝置，其中，該閘極驅動單元更包括一第三抗雜訊電路，包括：一第二十電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第二十電晶體的該第一端連接該增升電路的該第一電容；以及一第十九電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第一端連接該第二十電晶體的第二端。
如請求項第9項所述的顯示裝置，其中該閘極驅動單元更包括一一第三負偏壓補償電路，包含一第十七電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第十七電晶體的該第一端連接該第十七電晶體的該第二端，該第十七電晶體的該第三端連接該第二十電晶體的該第二端；以及一第十八電晶體，用以連接該第十七電晶體的該第三端及該第二十電晶體的該第二端。