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TWI703301B - 散熱元件的製造方法 - Google Patents

散熱元件的製造方法 Download PDF

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TWI703301B
TWI703301B TW108123727A TW108123727A TWI703301B TW I703301 B TWI703301 B TW I703301B TW 108123727 A TW108123727 A TW 108123727A TW 108123727 A TW108123727 A TW 108123727A TW I703301 B TWI703301 B TW I703301B
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李紘屹
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Abstract

本發明提供一種散熱元件的製造方法。提供基底。基底具有外表面。形成圖案化乾膜於外表面上。圖案化乾膜由多個微孔圖案所構成。形成導熱層於外表面的多個微孔圖案以外的區域上。移除所述圖案化乾膜,以形成多個微孔。導熱層圍繞多個微孔。

Description

散熱元件的製造方法
本發明是有關於一種散熱元件的製造方法,且特別是有關於一種具有微孔(Micro mesh)的散熱元件的製造方法。
近年來,為因應電子產品日益輕、薄、短、小之趨勢,對電子產品中各元件的要求也日益增加。舉例而言,散熱元件中需具有較小孔徑(如小於25微米)的多個微孔,以利於提升散熱面積增加散熱效率。
然而,目前製造微孔的方法中通常無法達到上述較小孔徑的要求,且形成的微孔中常具有孔徑大小不一且上下孔徑尺寸不同的問題。因此如何製造出較小孔徑、上下孔徑尺寸相同且孔徑大小均一的多個微孔實為亟欲解決的重要課題。
本發明提供一種散熱元件的製造方法,其可以製造出較小孔徑且孔徑大小均一的多個微孔,其中每一微孔上孔徑的尺寸與下孔徑的尺寸基本上相同。
本發明提供一種散熱元件的製造方法,其至少包括以下步驟。提供基底。基底具有外表面。形成圖案化乾膜於外表面上。圖案化乾膜由多個微孔圖案所構成。形成導熱層於外表面的多個微孔圖案以外的區域上。移除所述圖案化乾膜,以形成多個微孔。導熱層圍繞多個微孔。
基於上述,本發明由於圖案化乾膜由多個微孔圖案構成,因此於多個微孔圖案以外的區域上形成導熱層時,可以製造出較小孔徑,且孔徑基本上相同的多個微孔,其中每一微孔上孔徑的尺寸與下孔徑的尺寸基本上相同。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
本文所使用之方向用語(例如,上、下、右、左、前、後、頂部、底部)僅作為參看所繪圖式使用且不意欲暗示絕對定向。
除非另有明確說明,否則本文所述任何方法絕不意欲被解釋為要求按特定順序執行其步驟。
參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而,本發明亦可以各種不同的形式體現,而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層或區域的厚度、尺寸或大小會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件,以下段落將不再一一贅述。
圖1A至圖7A與圖1B至圖7B分別是依照本發明的一實施例的散熱元件在不同階段的製造過程中的部分頂視圖與部分剖視圖。圖8至圖10是接續圖7B的部分剖視圖。
在本實施例中,散熱元件100的製造方法可以包括以下步驟。
請先參照圖1A及圖1B。提供基底110。基底110具有外表面110a,其中外表面110a可以包括上表面1101a與下表面1102a。
應說明的是,在本文中描述形成於外表面110a上的膜層代表形成於上表面1101a及下表面1102a上,但本發明不限於此。在未繪示的實施例中,描述形成於外表面110a上的膜層可以代表僅形成於上表面1101a或下表面1102a上。
在本實施例中,基底110可以包括核心層112以及導電層114,其中導電層114形成於核心層112上。核心層112可以是多層結構。舉例而言,核心層112可以由金屬層(材料例如是銅)、絕緣層(材料例如是如聚丙烯)以及金屬層(材料例如是銅)依序堆疊而成,但本發明不限於此,核心層112的層數與各層的排列方式都可以視實際需求而定。在一實施例中,上述金屬層的厚度可以是18微米(micrometer, μm),但本發明不限於此。
核心層112具有上表面112a及下表面112b,其中導電層114可以形成於上表面112a及下表面112b上。導電層114具有第一表面114a以及相對於第一表面114a的第二表面114b,且第一表面114a可以構成基底110的外表面110a。換句話說,導電層114的第一表面114a構成基底110的上表面1101a及下表面1102a。導電層114的材料例如是銅。
在一實施例中,導電層114的厚度114h範圍例如是2微米至5微米。在一實施例中,導電層114的厚度114h例如是3微米。在一實施例中,在進行後續製程前可以進一步移除部分導電層114,減薄導電層114的厚度,以利於後續製程的進行。舉例而言,後續製程中可以較容易的對導電層114進行蝕刻。
移除部分導電層114的方法例如是微蝕製程(Micro etching)。在一實施例中,導電層114的厚度114h例如是從3微米減薄至2微米。
請同時參照圖2A與圖2B,在提供基底110後,於外表面110a上形成乾膜1201。乾膜1201可以是覆蓋導電層114的部分第一表面114a。
請同時參照圖3A與圖3B,在形成乾膜1201後,對乾膜1201進行曝光製程,其中乾膜1201中具有曝光部分1202以及未曝光部分形成的多個微孔圖案1203。
請同時參照圖4A與圖4B,對乾膜1201進行曝光製程後,對乾膜1201進行顯影製程,以形成圖案化乾膜120。在本實施例中,乾膜1201的材料可以是正光阻,因此曝光部分1202可被顯影液溶解而移除,而未被移除的多個微孔圖案1203構成圖案化乾膜120。
在本實施例中,多個微孔圖案1203可以暴露出部分導電層114的區域B。多個微孔圖案1203可以是以陣列方式排列於基底110上。
請同時參照圖4A、圖4B、圖5A與圖5B,在形成圖案化乾膜120後,於外表面110a上的多個微孔圖案1203以外的區域B上形成導熱層130。在一實施例中,導熱層130的高度可以略低於微孔圖案1203的高度,但本發明不限於此。形成導熱層130的方法包括電鍍製程(Plating)。
在一實施例中,導熱層130的導熱率的範圍例如是大於237Wm -1K -1。在一實施例中,導熱層130的導熱率的範圍例如是237Wm -1K -1至401Wm -1K -1。導熱層130的材料可以包括銅、銀、金、鋁。導熱層130的厚度範圍例如是2微米至25微米。然而,本發明不限於此,導熱層130的材料與厚度可視實際需求而定。
請同時參照圖6A與圖6B,在形成導熱層130後,移除圖案化乾膜120,以形成多個微孔140。如圖6A所示,導熱層130圍繞多個微孔140,且導熱層130構成多個微孔140的側壁140s。在一實施例中,多個微孔140可以構成網狀結構。
在本實施例中,多個微孔140可以具有較小的孔徑R,且每一微孔140的孔徑R基本上相同。每一微孔140的孔徑R範圍例如是17微米至23微米。在一實施例中,每一微孔140的孔徑R例如是20微米。應說明的是,本發明不限制每一微孔140的孔徑R,可視實際需求而定。
在本實施例中,每一微孔140具有遠離導電層114的上孔徑以及接近導電層114的下孔徑,其中上孔徑的尺寸與下孔徑的尺寸基本上相同。
在本實施例中,由於圖案化乾膜120由多個微孔圖案1203構成,因此於多個微孔圖案1203以外的區域B上形成導熱層130時,可以製造出較小孔徑R,且孔徑R基本上相同的多個微孔140,其中每一微孔140上孔徑的尺寸與下孔徑的尺寸基本上相同。
請同時參照圖7A與圖7B,在形成多個微孔140後,可以移除被多個微孔140所暴露出的導電層114,以暴露出核心層112。移除被多個微孔140所暴露出的導電層114的方法例如是蝕刻製程。
請參照圖8,在移除被多個微孔140所暴露出的導電層114後,可以形成絕緣膜150於基底110上,其中絕緣膜150覆蓋導熱層130與多個微孔140。在一實施例中,絕緣膜150、導熱層130、導電層114可以使微孔140形成如空穴(cavity)的結構。絕緣膜150的材料例如是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
請同時參照圖8至圖10,在形成絕緣膜150後,可以移除核心層112,以暴露出導電層114的第二表面114b。在一實施例中,如圖10所示,可視實際需求剝除絕緣膜150,以利於後續進一步加工。經過上述製程後即可大致上完成本實施例之散熱元件100的製作。
綜上所述,本發明由於圖案化乾膜由多個微孔圖案構成,因此於多個微孔圖案以外的區域上形成導熱層時,可以製造出較小孔徑,且孔徑基本上相同的多個微孔,其中每一微孔上孔徑的尺寸與下孔徑的尺寸基本上相同。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:散熱元件 110:基底 110a、1101a、1102a、112a、112b、114a、114b:表面 112:核心層 114:導電層 114h:厚度 120:圖案化乾膜 1201:乾膜 1202:曝光部分 1203:微孔圖案 130:導熱層 140:微孔 140s:側壁 150:絕緣膜 B:區域 R:孔徑
圖1A至圖7A與圖1B至圖7B分別是依照本發明的一實施例的散熱元件在不同階段的製造過程中的部分頂視圖與部分剖視圖。在這些圖中,會先呈現一部分頂視圖,其後將呈現沿部分頂視圖中的線A-A’的部分剖視圖。舉例來說,圖1A是散熱元件在一個階段的製造過程中的部分頂視圖。圖1B是沿圖1A中的線A-A’的部分剖視圖。 圖8至圖10是接續圖7B的部分剖視圖。
110:基底
114b:表面
114:導電層
130:導熱層
140:微孔
150:絕緣膜

Claims (10)

  1. 一種散熱元件的製造方法,包括: 提供基底,所述基底具有外表面; 形成圖案化乾膜於所述外表面上,其中所述圖案化乾膜由多個微孔圖案所構成; 形成導熱層於所述外表面的所述多個微孔圖案以外的區域上;以及 移除所述圖案化乾膜,以形成多個微孔,其中所述導熱層圍繞所述多個微孔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的散熱元件的製造方法,其中形成所述導熱層的方法包括電鍍製程。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的散熱元件的製造方法,其中所述基底包括: 核心層; 導電層,形成於所述核心層上,其中所述導電層具有第一表面與相對於所述第一表面的第二表面,且所述第一表面構成所述外表面。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的散熱元件的製造方法,其中所述導電層的厚度範圍為2微米至5微米。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的散熱元件的製造方法,其中提供所述基底與形成所述圖案化乾膜之間更包括: 移除部分所述導電層。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的散熱元件的製造方法,其中移除被所述多個微孔所暴露出的所述導電層之後更包括: 形成絕緣膜於所述基底上,其中所述絕緣膜覆蓋所述導熱層與所述多個微孔;以及 移除所述核心層,以暴露出所述導電層的所述第二表面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的散熱元件的製造方法,其中所述多個微孔的孔徑基本上相同。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的散熱元件的製造方法,其中每一所述多個微孔具有上孔徑以及下孔徑,其中所述上孔徑的尺寸與所述下孔徑的尺寸基本上相同。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的散熱元件的製造方法,其中所述導熱層構成所述多個微孔的側壁。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的散熱元件的製造方法,其中所述多個微孔圖案以陣列方式排列於所述基底上。
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