TWI700133B - 基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體 - Google Patents

Abstract

不會對由與水反應而引起溶解或腐蝕之材料所構成的基板之表面帶來影響，而去除附著於基板的不要物。

實施形態之基板處理方法，係包含有成膜處理液供給工程、剝離處理液供給工程及溶解處理液供給工程。成膜處理液供給工程，係將包含有揮發成分而用以在基板上形成膜的成膜處理液供給至基板。剝離處理液供給工程，係對藉由揮發成分產生揮發而成膜處理液在基板上固化或硬化而成的處理膜，供給使處理膜從基板剝離的剝離處理液。溶解處理液供給工程，係在剝離處理液供給工程後，對處理膜供給使處理膜溶解的溶解處理液。在此，成膜處理液，係含有極性有機物，剝離處理液，係不含有水分的非極性溶媒，溶解處理液，係不含有水分的極性溶媒。

Description

基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體

所揭示之實施形態，係關於基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體。

以往，已知一種進行去除附著於矽晶圓或化合物半導體晶圓等之基板的微粒之基板洗淨裝置。在專利文獻1所揭示的基板洗淨方法中，係將包含有揮發成分而用以在基板上形成膜的成膜處理液供給至基板，並對藉由揮發成分產生揮發而成膜處理液在基板上固化或硬化而成的處理膜，供給使處理膜從基板剝離的剝離處理液，其後，對處理膜供給使處理膜溶解的溶解處理液，藉此，不會對基板之表面帶來影響，而去除附著於基板之粒徑小的不要物。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2015-119164號公報

然而，專利文獻1之基板洗淨方法，係使用包含有水分的剝離處理液與溶解處理液，無法應用於由有可能與水反應而溶解之Ge(鍺)或III-V族等之材料所構成的基板。又，亦無法應用於由有可能與水反應而腐蝕之磁性隨機存取記憶體之金屬材料所構成的基板。

實施形態之一態樣，係以提供一種不會對由與水反應而引起溶解或腐蝕之材料所構成的基板之表面帶來影響，而可去除附著於基板的不要物之基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體為目的。

實施形態之一態樣的基板洗淨方法，係包含有：成膜處理液供給工程，將包含有揮發成分而用以在基板上形成膜的成膜處理液供給至前述基板；剝離處理液供給工程，對藉由前述揮發成分產生揮發而前述成膜處理液在前述基板上固化或硬化而成的處理膜，供給使該處理膜從前述基板剝離的剝離處理液；及溶解處理液供給工程，在前述剝離處理液供給工程後，對前述處理膜供給使該處理膜溶解的溶解處理液，在前述剝離處理液供給工程中所使用的剝離處理液，係不含有水分的非極性溶媒，在前述溶解處理液供給工程中所使用的溶解處理液，係不含有水分的極性溶媒。

實施形態之一態樣，係不會對由與水反應而引起溶解或腐蝕之材料所構成的基板之表面帶來影響，而可去除附著於基板的不要物。

W‧‧‧晶圓

P‧‧‧微粒

1‧‧‧基板洗淨系統

4‧‧‧控制裝置

14‧‧‧基板洗淨裝置

30‧‧‧基板保持機構

40‧‧‧第1液供給部

50‧‧‧第2液供給部

[圖1A]圖1A，係第1實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖1B]圖1B，係第1實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖1C]圖1C，係第1實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖1D]圖1D，係第1實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖1E]圖1E，係第1實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖2]圖2，係表示第1實施形態之基板洗淨系統之構成的示意圖。

[圖3]圖3，係表示第1實施形態之基板洗淨裝置之構成的示意圖。

[圖4]圖4，係表示第1實施形態之基板洗淨裝置所執行之基板洗淨處理之處理步驟的流程圖。

[圖5A]圖5A，係第1基板洗淨裝置的動作說明圖。

[圖5B]圖5B，係第1基板洗淨裝置的動作說明圖。

[圖5C]圖5C，係第1基板洗淨裝置的動作說明圖。

[圖5D]圖5D，係第1基板洗淨裝置的動作說明圖。

[圖6]圖6，係表示第2實施形態之晶圓之構成的示意圖。

[圖7A]圖7A，係第2實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖7B]圖7B，係第2實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖7C]圖7C，係第2實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖7D]圖7D，係第2實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖7E]圖7E，係第2實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

[圖8]圖8，係表示第2實施形態之基板洗淨系統之概略構成的示意圖。

[圖9]圖9，係表示第2實施形態之第1處理裝置之概略構成的示意圖。

[圖10]圖10，係表示第2實施形態之乾蝕刻單元之構成之一例的示意圖。

[圖11]圖11，係表示第2實施形態之第1液處理單元之構成之一例的示意圖。

[圖12]圖12，係表示第2實施形態之基板洗淨之處理 步驟的流程圖。

以下，參閱添附圖面，詳細地說明本申請案所揭示之基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體的實施形態。另外，該發明並不受以下所示的實施形態所限定。

(第1實施形態) <基板洗淨方法的內容>

首先，使用圖1A~圖1E，說明關於第1實施形態之基板洗淨方法的內容。圖1A~圖1E，係第1實施形態之基板洗淨方法的說明圖。

如圖1A所示，在第1實施形態之基板洗淨方法中，係對矽晶圓或化合物半導體晶圓等之基板(以下，記載為「晶圓W」)的圖案形成面，供給包含有揮發成分而用以在晶圓W上形成膜的處理液(以下，記載為「成膜處理液」)。

供給至晶圓W的圖案形成面的成膜處理液，係一面引起揮發成分的揮發所致之體積收縮，一面固化或硬化而成為處理膜。藉此，形成於晶圓W上的圖案或附著於圖案的微粒P便成為被該處理膜所覆蓋的狀態(參照圖1B)。另外，在此所稱之「固化」係意味進行固體化，而「硬化」係意味分子彼此產生連結而進行高分子化者(例如交聯或聚合等)。

接著，如圖1B所示，對晶圓W上的處理膜供給剝離處理液。剝離處理液，係使前述的處理膜從晶圓W剝離的處理液。

具體而言，在供給至處理膜上後，浸透於處理膜中而到達至晶圓W的界面。到達至晶圓W之界面的剝離處理液，係浸透於晶圓W之界面即圖案形成面。

如此一來，藉由剝離處理液浸入於晶圓W與處理膜之間的方式，處理膜，係以「膜」的狀態，從晶圓W剝離，伴隨於此，附著於圖案形成面的微粒P則與處理膜一起從晶圓W剝離(參照圖1C)。

另外，成膜處理液，係可藉由因伴隨著揮發成分的揮發之體積收縮而產生的應變(拉引力)，從圖案等拉離附著於圖案等的微粒P。

接著，從晶圓W所剝離之處理膜供給使處理膜溶解的溶解處理液。藉此，處理膜便溶解，進入至處理膜的微粒P，係成為浮游於溶解處理液中的狀態(參照圖1D)。其後，以純水等沖洗溶解處理液或已溶解的處理膜，藉此，微粒P從晶圓W上被去除(參閱圖1E)。

如此一來，在第1實施形態之基板洗淨方法中，係以「膜」的狀態使形成於晶圓W上的處理膜從晶圓W剝離，藉此，將附著於圖案等的微粒P與處理膜一起從晶圓W去除。

因此，根據第1實施形態之基板洗淨方法，由於未利用化學性作用而進行微粒去除，因此，可抑制蝕刻 作用等所致之基底膜的侵蝕。

又，根據第1實施形態之基板洗淨方法，與利用了以往之物理力的基板洗淨方法相比，由於可藉由較弱的力來去除微粒P，因此，亦可抑制圖案倒毀。

而且，根據第1實施形態之基板洗淨方法，在利用了以往之物理力的基板洗淨方法中，係可輕易地去除難以去除之粒子徑小的微粒P。

另外，在第1實施形態之基板洗淨方法中，處理膜，係在成膜於晶圓W後，不進行圖案曝光而從晶圓W被全部去除。因此，洗淨後之晶圓W，係成為塗佈成膜處理液之前的狀態，亦即露出了圖案形成面的狀態。

在第1實施形態中，係使用面塗層液作為成膜處理液。面塗層液固化或硬化後的面塗層膜，係為了防止液浸液滲入光阻而塗佈於光阻上面的保護膜。

又，液浸液，係例如使用於在微影工程中之液浸曝光的液體。另外，面塗層液，係包含具有在固化或硬化之際體積收縮之性質的丙烯酸樹脂。

藉此，不僅揮發成分之揮發，由於藉由丙烯酸樹脂之硬化收縮，亦會引起體積收縮，因此，與僅包含有揮發成分的成膜處理液相比，體積收縮率大且可強力地拉離微粒P。

尤其，丙烯酸樹脂，係與環氧樹脂等的其他樹脂相比，由於體積收縮率大，因此，對於在微粒P賦予拉引力該點而言，面塗層液為有效。又，不一定要利用微 影工程中所使用的面塗層液其本身，而為了使體積收縮所致之拉引力或來自基板的剝離性能提升，亦可利用將其他藥液添加至微影工程中所使用之面塗層液的液體。

在專利文獻1中，係使用DIW作為剝離處理液，且使用鹼性水溶液作為溶解處理液。然而，根據形成晶圓W之表面的材料，係無法使用包含有水分的處理液。作為像這樣的材料，有例如GE或III-V族等，該種類的材料會與水反應而溶解。又，亦有MRAM、PCRAM、ReRAM等之磁性隨機存取記憶體的金屬材料，該種類的材料亦會與水反應而腐蝕。

在第1實施形態中，係使用不含有水分而不會對由上述材料所構成的晶圓W引起溶解或腐蝕這樣之反應的有機溶媒，來代替含有水分的溶媒。又，由於晶圓W上的面塗層膜，係由極性有機物即丙烯酸樹脂所構成，因此，剝離處理液，係使用不溶解面塗層膜的非極性溶媒，溶解處理液，係使用溶解面塗層膜的極性溶媒。

另外，一般而言，極性物質，係易溶解極性物質，非極性物質，係易溶解非極性物質，極性物質與非極性物質，係具有相互難以溶解的性質。又，由於非極性物質之處理液，係不受限於表面狀態而浸濕性良好，因此，即便晶圓W之表面為疏水性，亦能凝集於表面與膜的界面而將膜剝離。

具體而言，作為剝離處理液，可使用例如非極性溶媒即HFE(氫氟醚)、HFC(氫氟碳)、HFO(氫 氟烯烴)、PFC(全氟碳化物)等這樣的氟系之溶媒中的至少1個溶媒。

又，作為溶解處理液，可使用例如極性溶媒即醇類(例如IPA)、PGME(丙二醇甲醚丙酸酯)、PGMEA(醋酸丙二醇甲醚酯)、MIBC(4-甲基-2-戊醇)等中的至少1個溶媒。

雖然不限於以上，但可藉由使用由該些例示之溶媒所構成的剝離處理液及溶解處理液之方式，不會對晶圓W之表面帶來溶解或腐蝕這樣的影響而進行洗淨處理。

<基板洗淨系統之構成>

其次，使用圖2，說明關於第1實施形態之基板洗淨系統的構成。圖2，係表示第1實施形態之基板洗淨系統之構成的示意圖。另外，在以下中，為了明確位置關係而規定相互正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。

如圖2所示，基板洗淨系統1，係具備有搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。

搬入搬出站2，係具備有載體載置部11與搬送部12。在載體載置部11，係載置有能以水平狀態收容複數片晶圓W的複數個搬送容器(以下，記載為「載體C」)。

搬送部12，係鄰接設置於載體載置部11。在搬送部12的內部，係設置有基板搬送裝置121與收授部122。

基板搬送裝置121，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置121，係能朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在載體C與收授部122之間進行晶圓W的搬送。

處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有搬送部13與複數個基板洗淨裝置14。複數個基板洗淨裝置14，係並排設置於搬送部13的兩側。

搬送部13，係在內部具備有基板搬送裝置131。基板搬送裝置131，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置131，係能朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在收授部122與基板洗淨裝置14之間進行晶圓W的搬送。

基板洗淨裝置14，係依據上述之基板洗淨方法而執行基板洗淨處理的裝置。後述，係說明關於該基板洗淨裝置14的具體構成。

又，基板洗淨系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係控制基板洗淨系統1之動作的裝置。該控制裝置4，係例如為電腦，具備有控制部15與記憶部16。記憶部16，係儲存有控制基板洗淨處理等之各種處理的程式。控制部15，係藉由讀出並執行記憶於記憶部16之程式的方式，控制基板洗淨系統1的動作。

另外，該程式，係亦可為記錄於能藉由電腦而讀取的記憶媒體者，且亦可為從其記憶媒體安裝於控制裝置4的記憶部16者。作為能藉由電腦讀取的記憶媒體，係有例如硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

在如上述般所構成的基板洗淨系統1中，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置121從載體C取出晶圓W，將取出的晶圓W載置於收授部122。載置於收授部122的晶圓W，係從收授部122被處理站3的基板搬送裝置131取出而搬入至基板洗淨裝置14，藉由基板洗淨裝置14施加基板洗淨處理。洗淨後的晶圓W，係在從基板洗淨裝置14被基板搬送裝置131搬出而載置於收授部122後，藉由基板搬送裝置121返回至載體C。

<基板洗淨裝置之構成>

其次，參閱圖3，說明關於基板洗淨裝置14的構成。圖3，係表示第1實施形態之基板洗淨裝置14之構成的示意圖。

如圖3所示，基板洗淨裝置14，係具備有腔室20、基板保持機構30、第1液供給部40、第2液供給部50及回收罩杯60。

腔室20，係收容有基板保持機構30、第1液供給部40、第2液供給部50及回收罩杯60。在腔室20的頂部，係設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21，係在腔 室20內形成下降流。

FFU21，係經由閥22連接於下降流氣體供給源23。FFU21，係將從下降流氣體供給源23所供給的下降流氣體(例如，乾空氣)吐出至腔室20內。

基板保持機構30，係具備有旋轉保持部31、支柱部32及未圖示的驅動部。旋轉保持部31，係設置於腔室20的大致中央。在旋轉保持部31的上面，係設置有從側面保持晶圓W的保持構件311。晶圓W，係在些許離開旋轉保持部31之上面的狀態下，藉由該保持構件311而水平保持。

支柱部32，係往垂直方向延伸的構件，基端部藉由驅動部33而可旋轉地支持，在前端部中，水平地支撐旋轉保持部31。

該基板保持機構30，係藉由使支柱部32旋轉的方式，使支撐於支柱部32的旋轉保持部31旋轉，藉此，使保持於旋轉保持部31的晶圓W旋轉。

第1液供給部40，係對保持於基板保持機構30之晶圓W的上面供給各種處理液。該第1液供給部40，係具備有：噴嘴41；支臂42，水平地支撐噴嘴41；及旋轉升降機構43，使支臂42旋轉及升降。

噴嘴41，係經由閥44a~44c，分別連接於面塗層液供給源45a、剝離處理液供給源45c及溶解處理液供給源45c。在第1實施形態中，使用非極性溶媒的1個即HFE作為剝離處理液。又，使用極性溶媒的1個即IPA作為 溶解處理液。

第1液供給部40，係如上述般而構成，對晶圓W供給面塗層液、剝離處理液或溶解處理液。

第2液供給部50，係對保持於基板保持機構30之晶圓W的背面供給各種處理液。該第2液供給部50，係具備有噴嘴51、噴嘴52及軸部53。

噴嘴51，係經由閥55a連接於溶解處理液供給源45c。噴嘴52，係經由閥55b連接於剝離處理液供給源45b。軸部53，係位於旋轉保持部31的旋轉中心且被支柱部32而包圍。

又，在其內部，使用以從各閥55a，55b將處理流體供給至噴嘴51，52的供給管導通。噴嘴52，係朝垂直上方延伸，其吐出口的前端，係朝向晶圓W之背面的中心部。另一方面，噴嘴51，係朝設置有保持構件311之旋轉保持部31的外周方向延伸，其前端，係朝向晶圓W之背面的周緣部。

回收罩杯60，係以包圍旋轉保持部31的方式而配置，捕捉因旋轉保持部31之旋轉而從晶圓W飛散的處理液。在回收罩杯60的底部，係形成有排液口61，藉由回收罩杯60所捕捉到的處理液，係從該排液口61而排出至基板洗淨裝置14的外部。又，在回收罩杯60的底部，係形成有將從FFU21所供給之下降流氣體排出至基板洗淨裝置14之外部的排氣口62。

<基板洗淨系統的具體動作>

其次，參閱圖4及圖5A~圖5D，說明關於基板洗淨裝置14的具體動作。在第1實施形態中，係將在表面形成有以Ge(鍺)作為材料之膜的基板設成為對象。圖4，係表示第1實施形態之基板洗淨裝置14所執行之基板洗淨處理之處理步驟的流程圖。圖5A~圖5D，係基板洗淨裝置14的動作說明圖。

如圖4所示，在基板洗淨裝置14中，係首先進行基板搬入處理(步驟S101)。在該基板搬入處理中，被基板搬送裝置131(參閱圖2)搬入至腔室20內的晶圓W，係藉由基板保持機構30的保持構件311而保持。

此時，晶圓W，係於圖案形成面朝向了上方的狀態下，被保持於保持構件311。其後，旋轉保持部31藉由驅動部而旋轉。藉此，晶圓W，係在被水平保持於旋轉保持部31的狀態下，與旋轉保持部31一起旋轉。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行成膜處理液供給處理(步驟S102)。在該成膜處理液供給處理中，係如圖5A所示，對未形成有光阻之晶圓W的圖案形成面供給成膜處理液即面塗層液。如此一來，面塗層液，係不用經由光阻而被供給至晶圓W上。

供給至晶圓W的面塗層液，係如圖5B所示，藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力而擴散於晶圓W的表面。而且，藉由面塗層液一面引起伴隨著揮發成分之揮發的體積收縮，一面固化或硬化的方式，在晶圓W的圖案形 成面形成有面塗層液的液膜。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行乾燥處理(步驟S103)。在該乾燥處理中，係藉由使例如晶圓W之旋轉速度增加預定時間的方式，使面塗層液乾燥。藉此，促進面塗層液所含之揮發成分的揮發，面塗層液便固化或硬化，在晶圓W的圖案形成面形成面塗層膜。

然而，供給至晶圓W之主面的面塗層液，係如圖5B所示，從晶圓W之周緣部些許包覆至晶圓W的背面。因此，當執行乾燥處理時，則成為亦在晶圓W之斜角部或背面側之周緣部形成有面塗層膜的狀態。即便在執行乾燥處理之前且供給面塗層液之間，亦由於面塗層液之固化及硬化不斷進展，因此，有可能形成面塗層膜。

因此，在開始從噴嘴41對晶圓W的主面供給面塗層液後且供給結束之前，如圖5C所示，從第2液供給部50之噴嘴51對晶圓W之背面側的周緣部供給溶解處理液(在此，係IPA)。

該IPA，係在被供給至晶圓W之背面側的周緣部後，從晶圓W之斜角部包覆至主面側的周緣部。藉此，如圖5D所示，附著於晶圓W之背面側的周緣部、斜角部及主面側之周緣部的面塗層膜或面塗層液便被溶解而去除。其後，晶圓W的旋轉便停止。

在第1實施形態中，噴嘴51呈傾斜，其前端朝向形成有面塗層膜的周緣部，對周緣部直接供給溶解處理液。因此，與將溶解處理液供給至基板之背面中心位置而 利用離心力將溶解處理液供給至周緣部的情況相比，可以少量來使面塗層膜溶解。

藉由乾燥處理，在面塗層液固化或硬化而形成了面塗層膜後，基板洗淨裝置14，係進行剝離處理液供給處理(步驟S104)。在該剝離處理液供給處理中，係從噴嘴41與噴嘴51對形成於晶圓W上的面塗層膜，供給剝離處理液即HFE。供給至面塗層膜的HFE，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力而擴散於面塗層膜上。

HFE，係浸透於面塗層膜中而到達至晶圓W的界面，且浸透於晶圓W的界面(圖案形成面)，使面塗層膜從晶圓W剝離。藉此，附著於晶圓W之圖案形成面的微粒P便與面塗層膜一起從晶圓W被剝離。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行溶解處理液供給處理(步驟S105)。在該溶解處理液供給處理中，係從噴嘴41與噴嘴51對從晶圓W所剝離的面塗層膜，供給溶解處理液即IPA。藉此，面塗層膜便溶解。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行沖洗處理(步驟S106)。在該沖洗處理中，係從噴嘴41與噴嘴51對旋轉之晶圓W供給相對性較步驟S105更大流量的IPA，藉此，浮游於溶解之面塗層膜或IPA中的微粒P則與IPA一起從晶圓W被去除。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行乾燥處理(步驟S107)。在該乾燥處理中，係藉由使例如晶圓W之旋轉速度增加預定時間的方式，甩去殘存於晶圓W之表 面的IPA，使晶圓W乾燥。其後，晶圓W的旋轉便停止。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行基板搬出處理(步驟S108)。在該基板搬出處理中，係藉由基板搬送裝置131(參閱圖2)，從基板洗淨裝置14之腔室20取出晶圓W。

其後，晶圓W，係經由收授部122及基板搬送裝置121，被收容於載置在載體載置部11的載體C。當該基板搬出處理結束時，則針對1片晶圓W的基板洗淨處理便結束。

如上述，第1實施形態之基板洗淨系統1，係具備有成膜處理液供給部(第1液供給部40)、剝離處理液供給部(第1液供給部40，第2液供給部50)及溶解處理液供給部(第1液供給部40，第2液供給部50)。

成膜處理液供給部，係對表面為親水性之晶圓W，供給包含有揮發成分而用以在晶圓W上形成膜的成膜處理液(面塗層液)。剝離處理液供給部，係對藉由揮發成分產生揮發而在晶圓W上固化或硬化的成膜處理液(面塗層膜)，供給使該成膜處理液(面塗層膜)從晶圓W剝離的剝離處理液(HFE)。

而且，溶解處理液供給部，係對固化或硬化的成膜處理液(面塗層膜)，供給使該成膜處理液(面塗層膜)溶解的溶解處理液(IPA)。

因此，根據第1實施形態之基板洗淨系統1，不會對基板之表面帶來影響，而可去除附著於晶圓W之粒 徑小的微粒P。

又，在第1實施形態中，係使用非極性溶媒的1個即HFE作為剝離處理液，又，使用極性溶媒的1個即IPA作為溶解處理液。藉此，不會對晶圓W之表面帶來溶解或腐蝕這樣的影響而可進行洗淨處理。

不限定於上述的例子，亦可使用非極性溶媒即HFC、HFO、PFC之任一作為剝離處理液，且使用極性溶媒即醇類(IPA以外)、PGMEA、PGME、MIBC之任一作為溶解處理液。另外，亦可使少量之極性有機溶媒混合於剝離處理液。少量之極性有機溶媒會對膜進行微量溶解，藉此，非極性溶媒則變得易浸透於膜中及基板的界面，而膜的剝離性便提升。

又，即便使用了Ge或MRAM等之磁性隨機存取記憶體的金屬材料作為晶圓W，亦同樣地可適用。又，不限於在表面形成有以Ge(鍺)作為材料之膜的基板，對形成有使用了III-V族的材料或MRAM用的金屬材料之膜的基板，亦可進行同樣的洗淨。

又，成膜處理液，係不限於面塗層液，只要為藉由乾燥處理而硬化收縮，且含有以剝離處理液及溶解處理液的關係來適當地進行剝離及溶解之極性有機物即合成樹脂的液體即可，例如亦可使用包含有酚醛樹脂的光阻液等、其他的處理液。

又，洗淨處理之預處理並沒有限定，例如亦可在對附著有經乾蝕刻後之聚合物或微粒的晶圓W進行使 用了有機洗淨液的濕式清洗，其後，開始圖4所示的處理。

(第2實施形態) <基板洗淨方法的內容>

第2實施形態之基板處理方法，係可不受到Q-time的限制，對露出了形成於內部之金屬配線的至少一部分之晶圓W進行處理。

在此，Q-time，係指為了防止例如由乾蝕刻所露出的金屬配線氧化等，而對乾蝕刻後之放置時間予以設定的限制時間。

當設定Q-time時，由於必需實施用於遵守Q-time之時間管理，故有伴隨著工時增加而造成生產率下降之虞。又，在所設定之Q-time較短的情況下，管線管理會變得困難。故，亦讓人擔心因管線管理之複雜化而造成生產率下降。

圖6，係表示第2實施形態之晶圓W之構成的示意圖。如圖6所示，在第2實施形態中，晶圓W，係在底面具有配線層，在配線層形成有金屬配線的一例即Cu配線。在此，P為不要物，除了第1實施形態中之微粒以外，亦包含有藉由乾蝕刻或灰化而產生之聚合物等的反應生成物。

圖7A~圖7E，係第2實施形態之基板洗淨方法的說明圖。在第2實施形態之基板洗淨方法中，係如圖7A所示，將與第1實施形態同樣的成膜處理液供給至晶圓W 上。

當面塗層膜被形成於晶圓W上時，則藉由乾蝕刻而露出的Cu配線會成為被面塗層膜覆蓋的狀態。晶圓W，係在該狀態下被收容於搬送容器。

如此一來，根據第2實施形態之基板洗淨方法，藉由以面塗層膜來保護所露出之Cu配線的方式，由於所露出之Cu配線不會受到氧化等的不良影響，因此，不需要設定Q-time。由於不需要Q-time，因此，不需要用以遵守Q-time的時間管理，又，亦可防止伴隨著遵守Q-time之管線管理的複雜化。因此，根據第2實施形態之基板洗淨方法，可使生產率提升。

又，作為反應生成物之不要物P，係因乾蝕刻之殘留氣體與大氣中的水分或氧氣反應而生長。對此，根據第2實施形態之基板洗淨方法，藉由以面塗層膜來保護所露出之Cu配線的方式，可抑制作為反應生成物之不要物P的生長。因此，亦可防止作為反應生成物的不要物P所致之電氣特性的降低或良率下降等之不良影響。

另外，在第2實施形態之基板洗淨方法中，係亦進行如下述之處理：在取出收容於搬送容器的晶圓W後，去除形成於晶圓W上的面塗層膜，藉此，去除不要物P。

在圖7A~圖7E之第2實施形態之基板洗淨方法中，第1實施形態之說明圖即圖1A~圖1E的差異，係僅有無Cu配線，所使用的成膜處理液、剝離處理液及溶解處理 液，係與第1實施形態同樣者。因此，與第1實施形態同樣地，不會對基板之表面帶來影響，而可去除附著於晶圓W之粒徑小的不要物(微粒或反應生成物)P。除此以外，第2實施形態之基板洗淨方法，係為了不需要Q-time，而應用於以下的基板洗淨系統。

<基板洗淨系統之構成>

其次，參閱圖8，說明關於執行上述之基板洗淨方法之基板洗淨系統的構成。圖8，係表示第2實施形態之基板洗淨系統之概略構成的圖。

如圖8所示，第2實施形態之基板洗淨系統1001，係具備有作為預處理裝置的第1處理裝置1002與作為後處理裝置的第2處理裝置1。又，基板洗淨系統1001，係具備有控制裝置4A與控制裝置4。

第1處理裝置1002，係對晶圓W進行乾蝕刻或面塗層液的供給。又，第2處理裝置1，係對在第1處理裝置1002所處理的晶圓W，進行剝離處理液與溶解處理液之供給。第2處理裝置1，係具有與第1實施形態中之基板洗淨系統1相同的構成，在第2實施形態中，係系統的控制方法不同於第1實施形態。因此，在第2實施形態中，係省略構成的說明，關於控制方法的詳細內容，係如後述。

控制裝置4A，係例如為電腦，具備有控制部15A與記憶部16A。記憶部16A，係由例如RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、硬碟這 樣的記憶裝置所構成，記憶有控制在第1處理裝置1002中所執行之各種處理的程式。控制部15A，係例如為CPU(Central Processing Unit)，藉由讀出並執行記憶於記憶部16A之程式的方式，控制第1處理裝置1002的動作。

另外，該些程式，係記錄於藉由電腦而可讀取的記憶媒體者，亦可為從其記憶媒體安裝於控制裝置4A的記憶部16A或控制裝置4的記憶部16者。作為能藉由電腦讀取的記憶媒體，係有例如硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

<第1處理裝置之構成>

其次，參閱圖9，說明關於第1處理裝置1002的構成。圖9，係表示第2實施形態之第1處理裝置1002之概略構成的圖。另外，在以下中，為了明確位置關係而規定相互正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。

如圖9所示，第1處理裝置1002，係具備有搬入搬出站1005與處理站1006。搬入搬出站1005與處理站1006，係鄰接設置。

搬入搬出站1005，係具備有載置部1010與搬送部1011。在載置部1010，係載置有以水平狀態收容複數片晶圓W的複數個搬送容器(以下，記載為載體C)。

搬送部1011，係鄰接設置於載置部1010，且 在內部具備有基板搬送裝置1111。基板搬送裝置1111，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置1111，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用晶圓保持機構，在載體C與處理站1006之間進行晶圓W之搬送。

具體而言，基板搬送裝置1111，係進行從載置於載置部1010之載體C取出晶圓W，並將取出之晶圓W搬入至後述之處理站1006之乾蝕刻單元1012的處理。又，基板搬送裝置1111，係亦進行從後述之處理站1006的第1液處理單元1014取出晶圓W，並將取出之晶圓W收容於載置部1010之載體C的處理。

處理站1006，係鄰接設置於搬送部1011。處理站1006，係具備有乾蝕刻單元1012、裝載鎖定室1013及第1液處理單元1014。

乾蝕刻單元1012，係相當於預處理部之一例，對藉由基板搬送裝置1111所搬入的晶圓W進行乾蝕刻處理。藉此，晶圓W內部的Cu配線便露出。

另外，乾蝕刻處理，係在減壓狀態下進行。又，在乾蝕刻單元1012中，係有在乾蝕刻處理後，進行去除不需要之光阻之灰化處理的情形。

裝載鎖定室1013，係被構成為可在大氣壓狀態與減壓狀態切換內部之壓力。在裝載鎖定室1013的內部，係設置有未圖示的基板搬送裝置。結束了乾蝕刻單元1012之處理的晶圓W，係藉由裝載鎖定室1013之未圖示的 基板搬送裝置，從乾蝕刻單元1012被搬出而搬入至第1液處理單元1014。

具體而言，裝載鎖定室1013的內部，係被保持為減壓狀態直至從乾蝕刻單元1012搬出晶圓W，在搬出結束後，予以供給氮或氬等的惰性氣體而切換至大氣壓狀態。而且，在切換至大氣壓狀態後，裝載鎖定室1013之未圖示的基板搬送裝置便將晶圓W搬入至第1液處理單元1014。

如此一來，從乾蝕刻單元1012被搬出起至被搬入至第1液處理單元1014的期間，由於晶圓W與外氣隔絕，因此，防止所露出之Cu配線的氧化。

接著，第1液處理單元1014，係進行將面塗層液供給至晶圓W的成膜處理液供給處理。如上述，供給至晶圓W的面塗層液，係一面引起體積收縮一面固化或硬化，而成為面塗層膜。藉此，所露出的Cu配線便成為被面塗層膜覆蓋的狀態。

成膜處理液供給處理後的晶圓W，係藉由基板搬送裝置1111而收容於載體C，其後，被搬送至第2處理裝置1。

<乾蝕刻單元之構成>

其次，說明關於上述之第1處理裝置1002所具備之各單元的構成。首先，參閱圖10，說明關於乾蝕刻單元1012的構成。圖10，係表示第2實施形態之乾蝕刻單元1012之 構成之一例的示意圖。

如圖10所示，乾蝕刻單元1012，係具備有收容晶圓W之密閉構造的腔室1201，在腔室1201內，係設置有以水平狀態載置晶圓W的載置台1202。載置台1202，係具備有調溫機構1203，該調溫機構1203，係使晶圓W進行冷卻或加熱而調節成預定溫度。在腔室1201的側壁，係設置有用以在與裝載鎖定室1013之間搬入搬出晶圓W的搬入搬出口(未圖示)。

在腔室1201的頂部，係設置有噴頭1204。在噴頭1204，係連接有氣體供給管1205。在該氣體供給管1205，係經由閥1206連接有蝕刻氣體供給源1207，從蝕刻氣體供給源1207對噴頭1204供給預定的蝕刻氣體。噴頭1204，係將從蝕刻氣體供給源1207所供給的蝕刻氣體供給至腔室1201內。

另外，從蝕刻氣體供給源1207所供給的蝕刻氣體，係例如CH₃F氣體、CH₂F₂氣體、CF₄氣體、O₂氣體、Ar氣體源等。

在腔室1201之底部，係經由排氣管線1208連接有排氣裝置1209。腔室1201之內部的壓力，係藉由該排氣裝置1209而維持為減壓狀態。

乾蝕刻單元1012，係如上述般而構成，在使用排氣裝置1209來對腔室1201之內部進行減壓的狀態下，從噴頭1204將蝕刻氣體供給至腔室1201內，藉此，對載置於載置台1202的晶圓W進行乾蝕刻。藉此，成為露出了Cu 配線的狀態。

<第1液處理單元元之構成>

其次，參閱圖11，說明關於第1處理裝置1002所具備之第1液處理單元1014的構成。圖11，係表示第2實施形態之第1液處理單元1014之構成之一例的示意圖。

如圖11所示，第1液處理單元1014，係具備有腔室1020、基板保持機構1030、液供給部40_1及回收罩杯1050。

腔室1020，係收容有基板保持機構1030、液供給部40_1及回收罩杯1050。在腔室1020的頂部，係設置有FFU(Fan Filter Unit)1021。FFU1021，係在腔室1020內形成下降流。

在FFU1021，係經由閥1022連接有惰性氣體供給源1023。FFU1021，係將從惰性氣體供給源1023所供給之N₂氣體等的惰性氣體吐出至腔室1020內。如此一來，藉由使用惰性氣體作為下降流氣體的方式，可防止所露出之Cu配線氧化的情形。

基板保持機構1030，係具備有：旋轉保持部1031，可旋轉地保持晶圓W；及流體供給部1032，被插通於旋轉保持部1031之中空部1314，而將氣體供給至晶圓W的下面。

旋轉保持部1031，係設置於腔室1020的大致中央。在該旋轉保持部1031的上面，係設置有從側面保持 晶圓W的保持構件1311。晶圓W，係在些許離開旋轉保持部1031之上面的狀態下，藉由該保持構件1311而水平保持。

又，基板保持機構1030，係具備有由馬達或使馬達之旋轉傳達至旋轉保持部1031之傳送帶等所構成的驅動機構1312。旋轉保持部1031，係藉由該驅動機構1312而繞著垂直軸周圍旋轉。而且，藉由旋轉保持部1031旋轉的方式，保持於旋轉保持部1031的晶圓W便與旋轉保持部1031一體旋轉。另外，旋轉保持部1031，係經由軸承1313，可旋轉地支撐於腔室1020及回收罩杯1050。

流體供給部1032，係插通於被形成在旋轉保持部1031之中央的中空部1314。在流體供給部1032的內部，係形成有流路1321，在該流路1321，係經由閥1033連接有N₂供給源1034。流體供給部1032，係經由閥1033及流路1321，將從N₂供給源1034所供給的N₂氣體供給至晶圓W的下面。

經由閥1033而供給的N₂氣體，係高溫(例如，90℃左右)的N₂氣體，被使用於後述之揮發促進處理。

基板保持機構1030，係在從裝載鎖定室1013之未圖示的基板搬送裝置接收晶圓W的情況下，於使用未圖示之升降機構來使流體供給部1032上升的狀態下，使晶圓W載置於被設置在流體供給部1032的上面之未圖示的支撐銷上。其後，基板保持機構1030，係在使流體供給部 1032下降至預定位置後，將晶圓W傳遞至旋轉保持部1031的保持構件1311。又，基板保持機構1030，係在將處理完畢之晶圓W傳遞至基板搬送裝置1111的情況下，使用未圖示之升降機構來使流體供給部1032上升，使藉由保持構件1311所保持之晶圓W載置於未圖示的支撐銷上。而且，基板保持機構1030，係將載置於未圖示之支撐銷上的晶圓W傳遞至基板搬送裝置1111。

液供給部40_1，係具備有噴嘴1041a、支臂1042及旋轉升降機構1043。噴嘴1041a，係經由閥1044a連接有面塗層液供給源1045a。該液供給部40_1，係從噴嘴1041a供給面塗層液。

回收罩杯1050，係以包圍旋轉保持部1031的方式而配置，捕捉因旋轉保持部1031之旋轉而從晶圓W飛散的處理液。在回收杯體1050的底部，係形成有排液口1051，藉由回收罩杯1050所捕捉的處理液，係從該排液口1051排出至第1液處理單元1014的外部。又，在回收杯體1050之底部係形成有排氣口1052，該排氣口1052係將藉由流體供給部1032所供給的N₂氣體或從FFU1021所供給的惰性氣體排出到第1液體處理單元1014之外部。

<基板洗淨系統的具體動作>

其次，參閱圖12，說明關於基板洗淨系統1001的具體動作。圖12，係表示第2實施形態之基板洗淨之處理步驟的流程圖。另外，圖12所示的各處理步驟，係根據控制裝 置4A或控制裝置4的控制而進行。

在第2實施形態之基板洗淨系統1001中，係在第1處理裝置1002中，進行從圖12所示之乾蝕刻處理(步驟S201)至第1搬出處理(步驟S204)的處理，在第2處理裝置1中，進行從基板搬入處理(步驟S205)至第2搬出處理(步驟S210)的處理。

如圖12所示，首先，在乾蝕刻單元1012中進行乾蝕刻處理(步驟S201)。在該乾蝕刻處理中，乾蝕刻單元1012會對晶圓W進行乾蝕刻或灰化。藉此，設置於晶圓W之內部的Cu配線便露出(參閱圖6)。

接著，晶圓W被搬入至第1液處理單元1014。由於該搬入處理，係經由裝載鎖定室1013而進行，因此，可防止所露出的Cu配線氧化。

接下來，在第1液處理單元1014中，係進行成膜處理液供給處理(步驟S202)。在該成膜處理液供給處理中，液供給部40_1之噴嘴1041a位於晶圓W的中央上方。其後，將成膜處理液即面塗層液從噴嘴1041a供給至未形成光阻膜之電路形成面即晶圓W的主面。

供給至晶圓W的面塗層液，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力而擴散於晶圓W的主面。藉此，在晶圓W之主面整體形成有面塗層液的液膜(參閱圖7A)。

接著，在第1液處理單元1014中，係進行乾燥處理(步驟S203)。在該乾燥處理中，係藉由使例如晶圓W之旋轉速度增加預定時間的方式，使面塗層液乾燥。藉 此，促進面塗層液所含之揮發成分的揮發，面塗層液便固化或硬化，在晶圓W的主面整體形成面形成面塗層膜。

接著，在第1液處理單元1014中，係進行第1搬出處理(步驟S204)。在該第1搬出處理中，基板搬送裝置1111從第1液處理單元1014取出晶圓W而搬送至載置部1010，且收容於被載置在載置部1010的載體C。

此時，晶圓W之所露出的Cu配線，係在乾蝕刻後，於短時間內被面塗層膜覆蓋。亦即，由於Cu配線，係成為與外氣隔絕的狀態，因此，不會受到氧化等的不良影響。

因此，根據第2實施形態之基板洗淨系統1001，由於不需要用於遵守從乾蝕刻後起至洗淨之Q-time的時間管理，因此，可使生產率提升。

接著，進行基板搬入處理(步驟S205)。在該基板搬入處理中，收容於載體C的晶圓W，係從第1處理裝置1002被搬送至第2處理裝置1的載體載置部11。其後，晶圓W，係藉由第2處理裝置1的基板搬送裝置121(參閱圖2)從載體C被取出，經由收授部122、基板搬送裝置131而被搬入至基板洗淨裝置14。

而且，搬入至腔室20內的晶圓W，係藉由基板保持機構30的保持構件311而保持。此時，晶圓W，係於圖案形成面朝向了上方的狀態下，被保持於保持構件311。其後，旋轉保持部31藉由驅動部而旋轉。藉此，晶圓W，係在被水平保持於旋轉保持部31的狀態下，與旋轉 保持部31一起旋轉。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行剝離處理液供給處理(步驟S206)。在該剝離處理液供給處理中，係從噴嘴41與噴嘴52對形成於晶圓W上的面塗層膜，供給剝離處理液即HFE。供給至面塗層膜的HFE，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力而擴散於面塗層膜上(參閱圖7B)。

HFE，係浸透於面塗層膜中而到達至晶圓W的界面，且浸透於晶圓W的界面(圖案形成面)，使面塗層膜從晶圓W剝離。藉此，附著於晶圓W之圖案形成面的不要物P便與面塗層膜一起從晶圓W被剝離(參閱圖7C)。

在此，在第2實施形態中，作為不要物P，不僅微粒，另含有因乾蝕刻而產生的反應生成物。在乾蝕刻中使用了CF系氣體的情況下，該反應生成物，係含氟化合物，具有可溶於具有例如過氟化烷基之HFE的性質。在圖7C的狀態中，大部分的反應生成物雖因面塗層液之體積收縮而從晶圓W被拉離，但亦有略殘留於晶圓W的情況。即便在像這樣的情況下，在使用了上述的HFE時，浸透而到達至晶圓W之界面的HFE亦可使略殘留的反應生成物溶解。另外，該效果，係不限於HFE，即便為HFC等之其他氟系的溶媒，亦可獲得。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行溶解處理液供給處理(步驟S207)。在該溶解處理液供給處理中，係從噴嘴41與噴嘴51對從晶圓W所剝離的面塗層膜， 供給溶解處理液即IPA。藉此，面塗層膜便溶解。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行沖洗處理(步驟S208)。在該沖洗處理中，係從噴嘴41與噴嘴51對旋轉之晶圓W供給相對性較步驟S207更大流量的IPA，藉此，浮游於溶解之面塗層膜或IPA中的不要物P則與IPA一起從晶圓W被去除。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行乾燥處理(步驟S209)。在該乾燥處理中，係藉由使例如晶圓W之旋轉速度增加預定時間的方式，甩去殘存於晶圓W之表面的IPA，使晶圓W乾燥。其後，晶圓W的旋轉便停止。

接著，在基板洗淨裝置14中，係進行第2搬出處理(步驟S210)。在該第2搬出處理中，係藉由基板搬送裝置131(參閱圖2)，從基板洗淨裝置14之腔室20取出晶圓W。

其後，晶圓W，係經由收授部122及基板搬送裝置121，被收容於載置在載體載置部11的載體C。當該第2搬出處理結束時，則針對1片晶圓W的基板洗淨處理便結束。

如以上說明般，第2實施形態之基板洗淨系統1001，係具備有第1處理裝置1002與第2處理裝置1(基板洗淨系統1)。而且，在第1處理裝置1002的成膜處理液供給部(液供給部40_1)所致之成膜處理液的供給後，將面塗層液固化或硬化而形成有處理膜的晶圓W收容於載體C。而且，在第2處理裝置1中，取出被收容於載體C的晶 圓W，供給剝離處理液。藉此，除了第1實施形態的效果以外，另可獲得Q-time的緩和所致之生產率提升的效果。

在第2實施形態中，雖係將處理對象之基板設成為露出了形成於內部之Cu配線的至少一部分之乾蝕刻後或灰化後的晶圓W，但並不限於此，即便為露出了其他金屬配線的基板亦可應用。又，並不限於金屬配線，亦可應用於應防止Ge或III-V族的材料等接觸於氧之材質露出的材料。

另外，第1及第2實施形態所使用的成膜處理液，係不限定於具有可實際在微影工程中應用之性質的面塗層液，只要為使用圖1A~圖1E或圖7A~圖7E所說明，使其確實進行固化或硬化、剝離、溶解這樣的作用之最佳化的含有極性有機物之液體即可。

Claims (13)

1. 一種用於洗淨包含Ge或III-V族的材料之基板的基板洗淨方法，其特徵係，包含有：成膜處理液供給工程，將包含有揮發成分且含有用以在乾蝕刻或灰化後的基板上形成膜之極性有機物的成膜處理液供給至包含Ge或III-V族的材料之前述基板；剝離處理液供給工程，對藉由前述揮發成分產生揮發而前述成膜處理液在前述基板上固化或硬化而成的處理膜，供給使該處理膜從前述基板剝離並包含非極性溶媒的剝離處理液；溶解處理液供給工程，在前述剝離處理液供給工程後，對前述處理膜供給使該處理膜溶解並包含極性溶媒的溶解處理液；及沖洗處理液供給工程，在前述溶解處理液供給工程後，對前述基板供給包含極性溶媒的沖洗處理液，前述剝離處理液，係不含有水分，前述溶解處理液，係不含有水分，前述沖洗處理液，係不含有水分。
2. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中，前述成膜處理液，係含有極性有機物即合成樹脂的液體。
3. 如申請專利範圍第1或2項之基板洗淨方法，其中， 前述極性溶媒，係包含有醇類、PGMEA、PGME及MIBC中的至少1個溶媒。
4. 如申請專利範圍第1或2項之基板洗淨方法，其中，前述非極性溶媒，係包含有氟系的溶媒。
5. 如申請專利範圍第4項之基板洗淨方法，其中，前述非極性溶媒，係包含有HFE、HFC、HFO及PFC中的至少1個溶媒。
6. 如申請專利範圍第1或2項之基板洗淨方法，其中，前述基板，係具有藉由Ge或III-V族的材料所形成之膜。
7. 如申請專利範圍第1或2項之基板洗淨方法，其中，前述基板，係具有藉由金屬材料所形成之配線圖案。
8. 如申請專利範圍第1或2項之基板洗淨方法，其中，在前述成膜處理液供給工程中，在將前述成膜處理液供給至前述基板之表面的期間或將前述成膜處理液供給至前述基板後，對前述基板之背面的周緣部供給前述溶解處理液。
9. 如申請專利範圍第1或2項之基板洗淨方法，其中，更 包含有：收容工程，在前述成膜處理液供給工程後，將藉由前述揮發成分產生揮發而前述成膜處理液固化或硬化以形成有處理膜的基板收容至搬送容器；及取出工程，取出被收容於前述搬送容器之前述成膜處理液供給工程後的基板，前述剝離處理液供給工程，係對在前述取出工程中所取出的基板供給前述剝離處理液。
10. 如申請專利範圍第9項之基板洗淨方法，其中，前述基板，係具有被形成於內部之金屬配線，在乾蝕刻後或灰化後，至少一部分露出。
11. 如申請專利範圍第10項之基板洗淨方法，其中，在前述乾蝕刻中，係使用CF系氣體，前述剝離處理液，係氟系的溶媒。
12. 一種用於洗淨包含Ge或III-V族的材料之基板的基板洗淨系統，其特徵係，具備有：處理液供給部，被構成為將包含有揮發成分與極性有機物的成膜處理液、包含有不含水分之非極性溶媒的剝離處理液、包含有不含水分之極性溶媒的溶解處理液及包含有不含水分之極性溶媒的沖洗處理液供給至包含Ge或III-V族的材料之基板；及 控制裝置，包含有被構成為控制前述處理液供給部的電路，前述電路，係以「將用以在乾蝕刻或灰化後的前述基板上形成膜之前述成膜處理液供給至前述基板，並對藉由前述揮發成分產生揮發而前述成膜處理液在前述基板上固化或硬化而成的處理膜，供給使該處理膜從前述基板剝離的前述剝離處理液，在前述剝離處理液的供給後，對前述處理膜供給使該處理膜溶解的前述溶解處理液，在前述溶解處理液的供給後，對前述基板供給前述沖洗處理液」的方式，控制前述處理液供給部。
13. 一種記憶媒體，係記憶有在電腦上動作而控制基板洗淨系統之程式的電腦可讀取之記憶媒體，其特徵係，前述程式，係在執行時，以進行如申請專利範圍第1~11項中任一項之基板洗淨方法的方式，使電腦控制前述基板洗淨系統。

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