[go: up one dir, main page]

TWI798355B - 檢查裝置及檢查裝置之動作方法 - Google Patents

檢查裝置及檢查裝置之動作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI798355B
TWI798355B TW108104694A TW108104694A TWI798355B TW I798355 B TWI798355 B TW I798355B TW 108104694 A TW108104694 A TW 108104694A TW 108104694 A TW108104694 A TW 108104694A TW I798355 B TWI798355 B TW I798355B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
inspection
dry air
dew point
valve
room
Prior art date
Application number
TW108104694A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201946170A (zh
Inventor
大須賀康展
山本紅樹
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201946170A publication Critical patent/TW201946170A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI798355B publication Critical patent/TWI798355B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2862—Chambers or ovens; Tanks
    • H10P74/27—
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K37/00—Special means in or on valves or other cut-off apparatus for indicating or recording operation thereof, or for enabling an alarm to be given
    • F16K37/0025—Electrical or magnetic means
    • F16K37/005—Electrical or magnetic means for measuring fluid parameters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
    • G01N25/56—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content
    • G01N25/66—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content by investigating dew-point
    • G01N25/68—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content by investigating dew-point by varying the temperature of a condensing surface
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2875—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2877—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2881—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to environmental aspects other than temperature, e.g. humidity or vibrations
    • H10P74/207—
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
    • G01N25/56—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content
    • G01N25/66—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content by investigating dew-point

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Transplanting Machines (AREA)
  • Eye Examination Apparatus (AREA)
  • Automatic Analysis And Handling Materials Therefor (AREA)

Abstract

[課題]提供可以抑制乾空氣之消耗量的檢查裝置。 [解決手段]一實施型態之檢查裝置係可以對被檢查體實施高溫檢查及低溫檢查之檢查裝置，具有：進行上述被檢查體之檢查的檢查室；和經由第1閥被連接於上述檢查室，對上述檢查室內供給乾空氣之乾空氣供給部；和經由第2閥被連接於上述檢查室，測定上述檢查室之露點的露點計；和經由第3閥連接上述乾空氣供給部和上述露點計的旁通配管。

Description

檢查裝置及檢查裝置之動作方法
本發明係關於檢查裝置及檢查裝置之動作方法。
以往，具有將被載置於載置台上之被檢查體調整成低溫區域之特定溫度，而對被檢查體進行電性特性檢査之探針室的檢查裝置眾所皆知(參照例如專利文獻1)。在該檢查裝置中，為了使在探針室不產生結露，隨時對探針室供給乾空氣，並且，藉由被設置在探針室內之露點針，監視探針室內之露點，將探針室維持在適合低溫檢查的露點。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-87090號公報
[發明所欲解決之課題]
但是，在上述裝置中，因隨時對探針室內供給乾空氣，故乾空氣之消耗量多。
於是，在本發明之一態樣中，以提供可以抑制乾空氣之消耗量的檢查裝置為目的。 [用以解決課題之手段]
為了達成上述目的，與本發明之一態樣有關之檢查裝置，係可以對被檢查體實施高溫檢查及低溫檢查，該檢查裝置具有：檢查室，其係進行上述被檢查體之檢查；乾空氣供給部，其係經由第1閥被連接於上述檢查室，對上述檢查室內供給乾空氣；露點計，其係經由第2閥被連接於上述檢查室，測定上述檢查室內之露點；及旁通配管，其係經由第3閥連接上述乾空氣供給部和上述露點計。 [發明之效果]
若藉由揭示的檢查裝置時，可以抑制乾空氣之消耗量。
以下，針對用以實施本發明之型態，參照圖面予以說明。另外，本說明書及圖面中，針對實質上相同之構成，藉由賦予相同之符號，省略重複之說明。
[探針裝置] 針對與本發明之實施型態有關之檢查裝置，以探針裝置為例進行說明。圖1為表示與本發明之實施型態有關之探針裝置之一例的概略圖。
與本發明之實施型態有關之探針裝置1如圖1所示般，具有檢查室10、乾空氣供給部20、露點計30、旁通配管40和控制裝置100。
檢查室10係在內部收容屬於被檢查體之半導體晶圓，對半導體晶圓實施電特性檢查的腔室。檢查室10具有保持氣密的構造。電特性檢查包含低溫檢查、常溫檢查及高溫檢查。低溫檢查係指將檢查室10內之溫度調整至20℃未滿(例如，-60℃或-70℃般的低溫)而測定半導體晶圓之電特性的檢查。常溫檢查係指將檢查室10內之溫度調整至20℃以上50℃未滿之溫度而測定半導體晶圓之電特性的檢查。高溫檢查係指將檢查室10內之溫度調整至50℃以上而測定半導體晶圓之電特性的檢查。
在檢查室10內設置有載置半導體晶圓之載置台，和被配置在載置台之上方且具有複數探針之探針卡，和進行載置台之半導體晶圓之複數電極墊和複數探針之對準的對準機構。檢查室10被構成在控制裝置100之控制下，載置台和對準機構協同作用，而進行半導體晶圓之複數電極墊，和探針卡之複數探針的對準之後，進行半導體晶圓之各裝置之電特性檢查。
乾空氣供給部20經配管22而與檢查室10連接，對檢查室10內供給乾空氣。在配管22安插有作為第1閥的閥V1。閥V1係例如電磁閥，藉由控制裝置100控制開關動作。例如，當閥V1被控制成開啟狀態時，乾空氣供給部20和檢查室10內連通，乾空氣從乾空氣供給部20被供給至檢查室10內。另外，當閥V1被控制成關閉狀態時，乾空氣供給部20和檢查室10內之連通被阻斷，乾空氣從乾空氣供給部20朝檢查室10內的供給被停止。
露點計30經配管32而與檢查室10連接，測定檢查室10內之露點。在配管32安插有作為第2閥的閥V2。閥V2係例如電磁閥，藉由控制裝置100控制開關動作。例如，因當閥V2被控制成開啟狀態時，露點計30和檢查室10內連通，檢查室10內之氣體被供給至露點計30，故藉由露點計30，能夠測定檢查室10內之露點。另外，當閥V2被控制成關閉狀態時，露點計30和檢查室10內之連通被阻斷，氣體從檢查室10內朝露點計30內的供給被停止。露點計30即使係例如靜電電容式露點計、鏡面冷卻式露點計亦可。
旁通配管40係不經由檢查室10，而直接連接乾空氣供給部20和露點計30之旁通管線。旁通配管40具有較例如配管22及配管32小的直徑。在旁通配管40安插有作為第3閥的閥V3。閥V3係例如電磁閥，藉由控制裝置100控制開關動作。例如，當閥V3被控制成開啟狀態時，乾空氣供給部20和露點計30內連通，乾空氣不從乾空氣供給部20經由檢查室10而被供給至露點計30。另外，當閥V3被控制成關閉狀態時，乾空氣供給部20和露點計30之連通被阻斷，乾空氣從乾空氣供給部20朝露點計30的供給被停止。
控制裝置100係控制探針裝置1之各部之動作。例如，控制裝置100係因應在檢查室10內對半導體晶圓實施之檢查的種類(例如，低溫檢查、常溫檢查、高溫檢查)而控制閥V1、V2、V3之開關動作。具體而言，在例如檢查室10內，對半導體晶圓實施常溫檢查或高溫檢查之情況，有在檢查室10內產生結露之虞。依此，控制裝置100係以不從乾空氣供給部20對檢查室10內供給乾空氣，而從乾空氣供給部20經由旁通配管40對露點計30供給乾空氣之方式，控制閥V1、V2、V3之開關動作。再者，從在例如在檢查室10內可以對半導體晶圓實施常溫檢查或高溫檢查之狀態切換至可以實施低溫檢查之情況，直至穩定成在檢查室10內不產生結露的露點，對檢查室10內供給乾空氣，檢查室10內之露點穩定化之後，以將被供給至檢查室10內之乾空氣供給至被連接於檢查室10之露點計30之方式，控制閥V1、V2、V3之開關動作。再者，例如在檢查室10內，對半導體晶圓實施低溫檢查之情況，控制裝置100係以從乾空氣供給部20經由檢查室10內對露點計30供給乾空氣之方式，控制閥V1、V2、V3之開關動作。
另外，在圖1中，雖然以在配管22、配管32及旁通配管40分別安插閥V1、V2、V3之情況為例而進行說明，但是即使以一個閥構成例如閥V2、V3亦可。在以一個閥構成兩個閥之情況，可以使用例如三通閥。
[探針裝置之動作] 針對與本發明之實施型態有關之探針裝置1之動作之一例進行說明。以下說明之探針裝置1之動作係藉由控制裝置100被控制。
首先，參照圖2，針對在外氣露點為+8.0℃之環境下，在檢查室10內實施常溫檢查或高溫檢查之情況進行說明。另外，從乾空氣供給部20被供給之乾空氣的露點為例如-75℃。圖2為實施常溫、高溫檢查之時的探針裝置1之狀態的說明圖。
在檢查室10內對半導體晶圓實施常溫檢查或高溫檢查之情況，控制裝置100係以不從乾空氣供給部20對檢查室10內供給乾空氣，而從乾空氣供給部20經由旁通配管40對露點計30供給乾空氣之方式，控制閥V1、V2、V3之開關動作。在本實施型態中，控制裝置100係將閥V1控制成關閉狀態，將閥V2控制成關閉狀態，將閥V3控制成開啟狀態。依此，乾空氣供給部20和檢查室10內之連通被阻斷，檢查室10內和露點計30之連通被阻斷，乾空氣供給部20和露點計30連通。其結果，乾空氣不從乾空氣供給部20經由檢查室10內而經由旁通配管40被供給至露點計30 (參照圖2之箭號A3)。
此時，因旁通配管40之容量比檢查室10之容量小，故可以抑制乾空氣之消耗量。再者，因在露點計30從乾空氣供給部20持續被供給低的露點(例如，-75℃)之乾空氣，故露點計30維持乾燥狀態。另外，因在檢查室10內，不從乾空氣供給部20供給乾空氣，故有檢查室10內之露點隨著時間經過，藉由自然洩漏等，緩緩地變高，到達至外氣露點之情形。即使在該情況，因實施常溫檢查或高溫檢查之時的檢查室10內之溫度高於外氣露點，故不會使檢查室10內結露而可以實施檢查。
接著，參照圖3及圖4，針對在外氣露點為+8.0℃之環境下，可以在檢查室10內對半導體晶圓實施常溫檢查或高溫檢查之狀態，切換至可以實施低溫檢查之狀態之情況進行說明。另外，從乾空氣供給部20被供給之乾空氣的露點為例如-75℃。圖3為從常溫、高溫檢查切換至低溫檢查之時之探針裝置1之狀態的說明圖。
從可以在檢查室10內對半導體晶圓實施常溫檢查或高溫檢查之狀態切換至可以實施低溫檢查之狀態之情況，控制裝置100直至穩定化成檢查室10內不產生結露之露點，對檢查室10內供給乾空氣。於檢查室10內之露點穩定化之後，控制裝置100係對被連接於檢查室10之露點計30供給被供給至檢查室10內之乾空氣之方式，控制閥V1、V2、V3之開關動作。在本實施型態中，首先控制裝置100係在將閥V2設為關閉狀態，將閥V3維持在開啓狀態之狀態，將閥V1從關閉狀態切換至開啟狀態。依此，乾空氣從乾空氣供給部20經由旁通配管40被供給至露點計30之狀態(參照圖3之箭號A3)，乾空氣從乾空氣供給部20被供給至檢查室10內(參照圖3之箭號A1)。接著，檢查室10內之露點穩定化之後，控制裝置100係將閥V2切換成開啟狀態，將閥V3切換成關閉狀態。依此，從乾空氣供給部20被供給至檢查室10內之乾空氣被供給至露點計30(參照圖4之箭號A1、A2)。針對檢查室10內之露點是否穩定化，可以根據將例如閥V1從關閉狀態切換至開啟狀態後是否經過特定時間來判斷。特定時間可以藉由例如事先算出將閥V1從關閉狀態切換至開啟狀態之經過時間和檢查室10內之露點的關係來決定。再者，針對檢查室10內之露點是否穩定化，即使與露點計30不同另外設置能夠測定檢查室10內之露點的露點計，根據藉由該另外設置得露點計所測定的露點來判斷亦可。
如此一來，因在檢查室10內之露點穩定化之後，檢查室10內之乾空氣被供給至露點計30，故在可以抑制實施常溫狀態或高溫檢查之狀態切換至可以實施低溫檢查之時，露點計30結露之情形。
接著，參照圖4，針對在外氣露點為+8.0℃之環境下，在檢查室10內實施低溫檢查之情況進行說明。另外，從乾空氣供給部20被供給之乾空氣的露點為例如 -75℃。圖4為實施低溫檢查之時的探針裝置1之狀態的說明圖。
在檢查室10內，對半導體晶圓實施低溫檢查之情況，控制裝置100係以從乾空氣供給部20經由檢查室10內對露點計30供給乾空氣之方式，控制閥V1、V2、V3之開關動作。在本實施型態中，控制裝置100係將閥V1控制成開啟狀態，將閥V2控制成開啟狀態，將閥V3控制成關閉狀態。依此，乾空氣從乾空氣供給部20被供給至檢查室10內(參照圖4之箭號A1)，檢查室10內之乾空氣被供給至露點計30(參照圖4之箭號A2)。因此，可以藉由露點計30測定檢查室10內之露點。
然而，作為露點計30，從便宜，尺寸小的理由來看，以使用靜電電容式露點計之情況為多。但是，靜電電容式露點計因其測定原理容易引起水分附著，且難分離之特性，故在測定高露點(例如，+20℃)之氣體之後，測定低露點(例如-50℃)之氣體之情況，至可以測定正確的露點為止，需要長時間(例如數日)。
但是，在本發明之實施型態中，不僅實施低溫檢查之情況，即使在實施常溫檢查或高溫檢查之情況，也隨時對露點計30供給低露點的乾空氣。因此，即使在使用靜電電容式露點計之情況，從在檢查室10內可以半導體晶圓實施常溫檢查或高溫檢查之狀態切換至可以實施低溫檢查之後，可以在短時間實施低溫檢查。
如上述說明般，與本發明之實施型態有關之檢查裝置經由安插有閥V2之配管32被連接於檢查室10，並且，經由安插有閥V3之旁通配管40被連接於乾空氣供給部20。依此，在實施常溫檢查或高溫檢查之情況，藉由經由旁通配管40對露點計30供給乾空氣，將露點計30設為待機狀態，可以僅在實施低溫測定之情況，對檢查室10內供給乾空氣。在以往裝置中，因即使在實施常溫檢查或高溫檢查之情況，也對檢查室10供給乾空氣，且經由配管32對露點計30供給乾空氣，將露點計30設成待機狀態，故消耗大量的乾空氣，但是與本發明之實施型態有關之檢查裝置中，可以大幅度地抑制乾空氣之消耗量。
以上，雖然針對用以實施本發明之型態進行說明，但是上述內容，並不限定發明之內容，可以在本發明之範圍內進行各種變形及改良。
1‧‧‧探針裝置 10‧‧‧檢查室 20‧‧‧乾空氣供給部 22‧‧‧配管 30‧‧‧露點計 32‧‧‧配管 40‧‧‧旁通配管 100‧‧‧控制裝置 V1‧‧‧閥 V2‧‧‧閥 V3‧‧‧閥
圖1為表示與本發明之實施型態有關之探針裝置之一例的概略圖。 圖2為實施常溫、高溫檢查之時的探針裝置之狀態的說明圖。 圖3為從常溫、高溫檢查切換至低溫檢查之時之探針裝置之狀態的說明圖。 圖4為實施低溫檢查之時的探針裝置之狀態的說明圖。
1‧‧‧探針裝置
10‧‧‧檢查室
20‧‧‧乾空氣供給部
22‧‧‧配管
30‧‧‧露點計
32‧‧‧配管
40‧‧‧旁通配管
100‧‧‧控制裝置
V1‧‧‧閥
V2‧‧‧閥
V3‧‧‧閥

Claims (6)

  1. 一種檢查裝置，其係可以對被檢查體實施高溫檢查及低溫檢查，該檢查裝置之特徵在於，具有：檢查室，其係進行上述被檢查體之檢查；乾空氣供給部，其係經由第1閥被連接於上述檢查室，對上述檢查室內供給乾空氣；露點計，其係經由第2閥被連接於上述檢查室，測定上述檢查室內之露點；及旁通配管，其係經由第3閥連接上述乾空氣供給部和上述露點計。
  2. 如請求項1所載之檢查裝置，其中具有控制裝置，該控制裝置係因應在上述檢查室中對上述被檢查體實施之檢查的種類而控制上述第1閥、上述第2閥及上述第3閥之開關動作。
  3. 如請求項2所載之檢查裝置，其中上述控制裝置係以在上述檢查室中對上述被檢查體實施高溫檢查之情況，不從上述乾空氣供給部對上述檢查室內供給乾空氣，而係從上述乾空氣供給部經由上述旁通配管對上述露點計供給乾空氣之方式，控制上述第1閥、上述第2閥及上述第3閥之開關動作。
  4. 如請求項2或3所載之檢查裝置，其中上述控制裝置係以在上述檢查室中對上述被檢查體實施低溫檢查之情況，從上述乾空氣供給部經由上述檢查室內對上述露點計供給乾空氣之方式，控制上述第1閥、上述第2閥及上述第3閥之開關動作。
  5. 如請求項2或3所載之檢查裝置，其中上述控制裝置係以在上述檢查室中可以對上述被檢查體實施高溫檢查之狀態切換至實施低溫檢查之狀態之情況，直至穩定化成在上述檢查室內不產生結露為止，對上述檢查室內供給乾空氣，於上述檢查室之露點穩定化之後，對被連接於上述檢查室之露點計供給被供給至上述檢查室內之上述乾空氣之方式，控制上述第1閥、上述第2閥及上述第3閥之開關動作。
  6. 一種檢查裝置之動作方法，該檢查裝置具有進行被檢查體之檢查的檢查室，和被連接於上述檢查室，對上述檢查室內供給乾空氣之乾空氣供給部，和被連接於上述檢查室，測定上述檢查室內之露點的露點計，和連接上述乾空氣供給部和上述露點計之旁通配管，該檢查裝置之動作方法之特徵在於，對上述被檢查體實施高溫檢查之情況，不從上述乾空氣供給部對上述檢查室供給乾空氣，而係從上述乾空氣供給部經由上述旁通配管對上述露點計供給乾空氣， 在從對上述被檢查體實施上述高溫檢查之狀態切換至實施低溫檢查之狀態之情況，直至穩定化成在上述檢查室內不產生結露為止，對上述檢查室內供給乾空氣，於上述檢查室之露點穩定化之後，對被連接於上述檢查室之露點計供給被供給至上述檢查室內之上述乾空氣，在上述檢查室對上述被檢查體實施上述低溫檢查之情況，從上述乾空氣供給部經由上述檢查室內對上述露點計供給乾空氣。
TW108104694A 2018-02-26 2019-02-13 檢查裝置及檢查裝置之動作方法 TWI798355B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018032363A JP7012558B2 (ja) 2018-02-26 2018-02-26 検査装置及び検査装置の動作方法
JP2018-032363 2018-02-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201946170A TW201946170A (zh) 2019-12-01
TWI798355B true TWI798355B (zh) 2023-04-11

Family

ID=67687290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108104694A TWI798355B (zh) 2018-02-26 2019-02-13 檢查裝置及檢查裝置之動作方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11614477B2 (zh)
JP (1) JP7012558B2 (zh)
KR (1) KR102527533B1 (zh)
CN (1) CN111727496B (zh)
TW (1) TWI798355B (zh)
WO (1) WO2019163608A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018008636B4 (de) * 2018-11-02 2020-10-29 Bauer Kompressoren Gmbh Feuchtemessvorrichtung für Gase
KR102844590B1 (ko) 2020-12-07 2025-08-11 삼성전자주식회사 테스트 장치 및 방법
KR102886775B1 (ko) * 2020-12-07 2025-11-21 한국전기안전공사 인공지능 네트워크 시스템을 포함하는 배터리실

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200410305A (en) * 2002-11-29 2004-06-16 Samsung Electronics Co Ltd Substrate processing apparatus and method of processing substrate while controlling for contamination in substrate transfer module
JP2005528781A (ja) * 2002-04-15 2005-09-22 イーアールエス エレクトロニック ゲーエムベーハー 半導体ウェハー及び／又はハイブリッドを調整する方法及び装置
TW200707116A (en) * 2005-08-12 2007-02-16 Orc Mfg Co Ltd Exposure device and exposure method
JP2009105339A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Mitsumi Electric Co Ltd 検査装置及び検査方法
TW201030346A (en) * 2008-09-30 2010-08-16 Tokyo Electron Ltd Inspection device and method
US9389129B2 (en) * 2011-11-25 2016-07-12 Kamal Mahajan Device feedback sensor testing methodology for humidity and temperature probes
TW201637112A (zh) * 2015-02-27 2016-10-16 昕芙旎雅股份有限公司 搬送室
US9885650B2 (en) * 2013-11-21 2018-02-06 Medtronic Minimed, Inc. Accelerated life testing device and method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3435410B2 (ja) * 1996-05-09 2003-08-11 東京エレクトロン株式会社 低温試験装置及び低温試験方法
JP2000097890A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Sony Corp ガス中の水分量測定装置およびクライオポンプ再生終了時の検知方法
JP2000294606A (ja) * 1999-04-07 2000-10-20 Nec Corp 半導体ウエハの検査装置
JP2002231777A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Orion Mach Co Ltd 半導体ウェーハ用検査装置
JP3783075B2 (ja) * 2001-12-13 2006-06-07 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置及びローダ装置
JP2004273967A (ja) * 2003-03-12 2004-09-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd チャンバ温度制御方式
CN101132113A (zh) * 2004-05-26 2008-02-27 夏普株式会社 氮化物半导体激光器件
KR100789699B1 (ko) * 2006-10-10 2008-01-02 (주) 쎄믹스 고온 및 저온의 테스트 가능한 웨이퍼 프로버 장치
JP4867786B2 (ja) * 2007-05-18 2012-02-01 株式会社日立プラントテクノロジー 低露点圧縮空気製造装置
KR20130032647A (ko) * 2011-09-23 2013-04-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 테스트 장치
KR101357858B1 (ko) * 2013-12-04 2014-02-05 김한일 드라이룸의 노점온도 관리장치 및 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005528781A (ja) * 2002-04-15 2005-09-22 イーアールエス エレクトロニック ゲーエムベーハー 半導体ウェハー及び／又はハイブリッドを調整する方法及び装置
TW200410305A (en) * 2002-11-29 2004-06-16 Samsung Electronics Co Ltd Substrate processing apparatus and method of processing substrate while controlling for contamination in substrate transfer module
TW200707116A (en) * 2005-08-12 2007-02-16 Orc Mfg Co Ltd Exposure device and exposure method
JP2009105339A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Mitsumi Electric Co Ltd 検査装置及び検査方法
TW201030346A (en) * 2008-09-30 2010-08-16 Tokyo Electron Ltd Inspection device and method
US9389129B2 (en) * 2011-11-25 2016-07-12 Kamal Mahajan Device feedback sensor testing methodology for humidity and temperature probes
US9885650B2 (en) * 2013-11-21 2018-02-06 Medtronic Minimed, Inc. Accelerated life testing device and method
TW201637112A (zh) * 2015-02-27 2016-10-16 昕芙旎雅股份有限公司 搬送室

Also Published As

Publication number Publication date
TW201946170A (zh) 2019-12-01
JP2019149421A (ja) 2019-09-05
KR102527533B1 (ko) 2023-04-28
US20210132135A1 (en) 2021-05-06
JP7012558B2 (ja) 2022-01-28
CN111727496A (zh) 2020-09-29
KR20200113223A (ko) 2020-10-06
US11614477B2 (en) 2023-03-28
WO2019163608A1 (ja) 2019-08-29
CN111727496B (zh) 2024-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI798355B (zh) 檢查裝置及檢查裝置之動作方法
TW436634B (en) IC test apparatus
JP4070724B2 (ja) 温度調整方法及び検査測定装置
TWI812182B (zh) 晶圓檢查裝置、晶圓檢查方法以及探針台
US20160109508A1 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
JP2009063553A (ja) 移動なしに較正と試験とが可能な真空ゲージ装置及びその使用方法
JP5813798B2 (ja) 電子デバイスを検査するための装置及び方法
KR20130032647A (ko) 웨이퍼 테스트 장치
CN104568310A (zh) 高温压力传感器测试装置
JP2009105339A (ja) 検査装置及び検査方法
JP6655516B2 (ja) 基板検査装置
KR102592544B1 (ko) 검사 장치 및 검사 방법
JP2000294606A (ja) 半導体ウエハの検査装置
US20240402240A1 (en) Temperature adjusting system, controller, electronic device handling apparatus, tester, and electronic device testing apparatus
KR100789699B1 (ko) 고온 및 저온의 테스트 가능한 웨이퍼 프로버 장치
JP2010025920A (ja) 環境試験装置
TWI701436B (zh) 具防結露偵控單元之測試裝置及其應用之測試分類設備
JP7681227B2 (ja) プローバ及びその制御方法
CN100416252C (zh) 一种检测刻蚀机气路柜漏率的方法
CN220690878U (zh) 一种脱硫烟气湿度测量装置
TWI903956B (zh) 用於晶圓測試設備的冷卻系統
KR100553990B1 (ko) 실장 디바이스 테스트 핸들러
KR20020029697A (ko) 자동 제어 회로를 구비한 테스터용 온도 조절 장치
KR101403907B1 (ko) 반도체 소자의 고속주파수 번인검사 시스템
KR20250008824A (ko) 냉매 공급 장치, 이를 포함하는 온도 제어 장치 및 테스트 핸들러