TWI789671B - 具有溫度補償功能之參考電路 - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 252
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 16
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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Abstract
本發明係揭露一種具有溫度補償功能之參考電路,其特徵在於設計電流輸出電路接收偏壓產生電路的參考電壓,產生兩個溫度變異特性相反的參考電流,再合併成為具有補償溫度變異效應的精準電流。另外設計電壓輸出電路接收偏壓產生電路的參考電壓,其中包含複數個場效電晶體皆操作於飽和區,並且讓精準電壓隨著該些場效電晶體的閥值電壓上升,補償溫度變異效應,還可以加入電阻器或者調整相關場效電晶體的尺寸,以調整輸出電流和輸出電壓的電壓值與溫度變異特性。
Description
本發明關於一種參考電路,且特別是一種具有溫度補償功能之參考電路,在溫度產生變化時輸出穩定的電壓值與電流值。
參考電路廣泛應用在各種電子元件之中,用來提供精準的電壓或電流,例如比較器需要精準的參考電壓做為比較基準,或者在高速輸入輸出的電路的設計、USB介面、SATA介面,都需要利用精準的參考電壓與參考電流來做阻抗匹配。理想的參考電壓與參考電流是穩定、不會隨著製程、溫度、電源電壓改變,另外參考電路的功率消耗越小越好。
台灣專利第I367412號發明專利中,揭露了一種同時提供精準電壓與精準電流的參考電路,利用帶差電壓參考電路、正溫度係數校正電路、臨限電壓疊加電路以及精準電流產生電路補償溫度變異效應。然而該帶差電壓參考電路需要用到雙極性接面電晶體(BJT),比場效電晶體消耗更多功率,另外該正溫度係數校正電路包含一運算放大器,需要更大的電路面積才能實現。
台灣專利第I485546號發明專利中,揭露了一種提供精準電壓的參考電路,僅利用複數個場效電晶體與兩個電阻器組合而成。然而並未提供精準電流,另外有個電阻器直接連接於輸出電壓和地之間,
需要很大的電阻值或電流值才能輸出電壓值較高的精準電壓,這樣會增加電路面積或功率消耗,同時引入更多雜訊干擾。
台灣專利第I521325號發明專利中,揭露了一種提供精準電壓與精準電流的參考電路,僅利用複數個場效電晶體與三個電阻器組合而成。然而該精準電壓和該精準電流並不能分開調整。另外和台灣專利第I485546號發明專利相同的缺點是,有個電阻器直接連接於輸出電壓和地之間,需要很大的電阻值或電流值才能輸出電壓值較高的精準電壓,因此會增加電路面積或功率消耗,同時引入更多雜訊干擾。基於上述問題,本發明揭露一種同時產生精準電壓與精準電流的參考電路,又能分別調整該精準電壓與精準電流的數值與溫度變異特性,又能兼顧節省電路面積與低功率等優點。
本發明揭露一種具有溫度補償功能之精準電流參考電路,包含一偏壓產生電路以及一電流輸出電路。該偏壓產生電路用來產生一第一參考電壓以及一第二參考電壓,該電流輸出電路,利用一場效電晶體接收該第一參考電壓,產生溫度變異特性和該偏壓產生電路之電流一致的一第一參考電流,並且利用複數個場效電晶體與一電阻器接收該第二參考電壓,其中該些場效電晶體皆操作在飽和區,並且產生一第二參考電流,使得該第二參考電流的電流值和場效電晶體的閥值電壓呈正相關,並且溫度變異特性和該偏壓產生電路之電流相反。該第一參考電流和該第二參考電流合併成為該精準電流,並且具有補償溫度變異效應的效果。
上述之具有溫度補償功能之精準電流參考電路,其中該偏壓產生電路包含:一第一電阻器,其中一端接地;一第一N型場效電晶體,具有一源極連接至該第一電阻器之另一端;一第二N型場效電晶體,具有一源極接地,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第一N型場效電晶體之閘極;一第三N型場效電晶體,具有一源極連接至該第一N型場效電晶體之汲極;一第四N型場效電晶體,具有一源極連接至該第二N型場效電晶體之汲極,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第三N型場效電晶體之閘極;一第一P型場效電晶體,具有一源極連接至一電源,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第三N型場效電晶體之汲極;一第二P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一P型場效電晶體之閘極,以及具有一汲極連接至該第四N型場效電晶體之汲極;其中該第一P型場效電晶體之閘極之電壓即為該第一參考電壓,該第三N型場效電晶體之閘極之電壓即為該第二參考電壓。
上述之具有溫度補償功能之精準電流參考電路,其中該電流輸出電路包含:一第五P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一參考電壓,以及具有一汲極產生一第一參考電流;一第六N型場效電晶體,具有一閘極連接至該第二參考電壓;一第二電阻器,一端接地,另一端連接至該第六N型場效電晶體之源極;一第六P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極以及一汲極皆連接至該第六N型場效電晶體之汲極;一第七P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第六P型場效電晶體之閘極,以及具有一汲極產生一第二參考電流,並且連接至該第五P型場效電晶體之汲極。
上述之具有溫度補償功能之精準電流參考電路,其中可以改變該第五P型場效電晶體、該第六P型場效電晶體或者該第七P型場效電晶體的
尺寸,以調整第一參考電流或第二參考電流的大小,並且調整該精準電流的大小以及溫度變異特性。
上述之具有溫度補償功能之精準電流參考電路,更包含用來輸出精準電壓之一電壓輸出電路,包含複數個場效電晶體,接收該第一參考電壓或該第二參考電壓,產生該精準電壓;其中該些場效電晶體皆操作於飽和區,並且該精準電壓隨著該些場效電晶體的閥值電壓上升,以補償溫度變異效應。
上述之具有溫度補償功能之精準電流與精準電壓參考電路,該電壓輸出電路包含:一第八P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一參考電壓;一第八N型場效電晶體,具有一源極接地,具有一閘極以及一汲極皆連接至該第八P型場效電晶體之汲極,並且以該第八P型場效電晶體以及該第八N型場效電晶體之間的接點做為該精準電壓;其中該第八N型場效電晶體可以用一第九P型場效電晶體替代,具有一源極連接至該第八P型場效電晶體之汲極,具有一閘極以及一汲極皆接地。
上述之具有溫度補償功能之精準電流與精準電壓參考電路,其中該電壓輸出電路更包含一第三電阻器,連接於該第八P型場效電晶體與該第八N型場效電晶體之間,或者連接於該第八P型場效電晶體與該第九P型場效電晶體之間,或者連接於該第八N型場效電晶體之閘極與汲極之間,並且可以調整該第三電阻器的電阻值、該第八N型場效電晶體的尺寸或者該第九P型場效電晶體的尺寸,以改變該精準電壓之電壓值。
本發明揭露一種具有溫度補償功能之精準電壓參考電路,包含一偏壓產生電路,產生一第一參考電壓;一電壓輸出電路,包含複數個場效電晶體,接收該第一參考電壓,產生該精準電壓;其中該些場效
電晶體皆操作於飽和區,並且該精準電壓隨著該些場效電晶體的閥值電壓上升,以補償溫度變異效應。
上述具有溫度補償功能之精準電壓參考電路,其中該偏壓產生電路包含:一第一電阻器,其中一端接地;一第一N型場效電晶體,具有一源極連接至該第一電阻器之另一端,以及具有一閘極與一汲極;一第二N型場效電晶體,具有一源極接地,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第一N型場效電晶體之閘極;一第一P型場效電晶體,具有一源極連接至一電源,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第一N型場效電晶體之汲極;一第二P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一P型場效電晶體之閘極,以及具有一汲極連接至該第二N型場效電晶體之汲極,其中該些場效電晶體其中之一的閘極電壓,即為該第一參考電壓。
上述具有溫度補償功能之精準電壓參考電路,其中該偏壓產生電路更包含:一第三N型場效電晶體,具有一源極以及一汲極,連接於該第一N型場效電晶體以及該第一P型場效電晶體之間;一第四N型場效電晶體,具有一源極以及一汲極,連接於該第二N型場效電晶體以及該第二P型場效電晶體之間,以及具有一閘極連接至該第二P型場效電晶體之汲極以及該第三N型場效電晶體之閘極。
上述之具有溫度補償功能之精準電壓參考電路,該電壓輸出電路包含:一第八P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一參考電壓;一第八N型場效電晶體,具有一源極接地,具有一閘極以及一汲極皆連接至該第八P型場效電晶體之汲極,並且以該第八P型場效電晶體以及該第八N型場效電晶體之間的接點做為該精準電壓;其中該第八N型場效電晶體可以用一第九P型場效電晶體替代,具有一源極連接至該第八P型場效電晶體之汲極,具有一閘極以及一汲極皆接地。
上述之具有溫度補償功能之精準電壓參考電路,其中該電壓輸出電路更包含一第三電阻器,連接於該第八P型場效電晶體與該第八N型場效電晶體之間,或者連接於該第八P型場效電晶體與該第九P型場效電晶體之間,或者連接於該第八N型場效電晶體之閘極與汲極之間,並且可以調整該第三電阻器的電阻值、該第八N型場效電晶體的尺寸或者該第九P型場效電晶體的尺寸,改變該精準電壓之電壓值。
上述之具有溫度補償功能之參考電路,和前案相比的優勢在於具有良好的電源電壓抑制比(PSRR),意即當電源受到雜訊干擾時,輸出的參考電壓變異也比較小;另外具有廣泛的電源電壓操作範圍,在一般常用的1.8V至5.5V的範圍內都可以操作,並且輸出的參考電壓與參考電流都可做調整,例如一般常用的參考電壓為1.2V,也可以把輸出的參考電壓調整在場效電晶體的閥值電壓(Vth)附近。此外,本架構只需要場效電晶體即可實現,和需要雙極性接面電晶體(BJT)的前案相比,製程更簡單,又可以節省電路面積與功率消耗。
本段文字提取和編譯本發明的部分特色;其他特色將被描述於後續段落裏。它的目的是涵蓋包含於其後專利範圍的精神與範圍中,不同的潤飾與相似的安排方式。
10:偏壓產生電路
20:電流輸出電路
30:電壓輸出電路
Mn1:第一N型場效電晶體
Mn2:第二N型場效電晶體
Mn3:第三N型場效電晶體
Mn4:第四N型場效電晶體
Mn5:第五N型場效電晶體
Mn6:第六N型場效電晶體
Mn7:第七N型場效電晶體
Mn8:第八N型場效電晶體
Mp1:第一P型場效電晶體
Mp2:第二P型場效電晶體
Mp3:第三P型場效電晶體
Mp4:第四P型場效電晶體
Mp5:第五P型場效電晶體
Mp6:第六P型場效電晶體
Mp7:第七P型場效電晶體
Mp8:第八P型場效電晶體
Mp9:第九P型場效電晶體
R1:第一電阻器
R2:第二電阻器
R3:第三電阻器
第1圖依據本發明第一實施例,繪示一具有溫度補償功能之精準電流參考電路之架構。
第2圖繪示一具有溫度補償功能之精準電流與精準電壓參考電路之架構。
第3圖繪示一具有溫度補償功能之精準電壓參考電路之架構。
第4圖繪示第3圖之電壓輸出電路之另一樣態。
第5圖繪示第3圖之電壓輸出電路之另一樣態。
第6圖繪示第4圖之電壓輸出電路之另一樣態。
第7圖繪示第3圖之偏壓產生電路之另一樣態。
本發明將參照下述實施例而更明確地描述。請注意本發明的實施例的以下描述,僅止於描述用途;這不意味為本發明已詳盡的描述或限制於該揭露之形式。
本發明之第一實施例請參閱第1圖,其顯示一種具有溫度補償功能之精準電流參考電路,包含一偏壓產生電路10以及一電流輸出電路20。該偏壓產生電路10用來產生一第一參考電壓Vref1以及一第二參考電壓Vref2。該電流輸出電路20利用一場效電晶體(第五P型場效電晶體Mp5)接收該第一參考電壓Vref1,產生溫度變異特性和該偏壓產生電路10之電流一致的一第一參考電流Iref1,並且利用複數個場效電晶體(第六P型場效電晶體Mp6、第七P型場效電晶體Mp7、第六N型場效電晶體Mn6)與一第二電阻器R2接收該第二參考電壓Vref1。其中該些場效電晶體皆操作在飽和區,並且產生一第二參考電流Iref2,使得該第二參考電流Iref2的電流值和場效電晶體的閥值電壓(Vth)呈正相關,並且溫度變異特性和該偏壓產生電路10之電流相反。該第一參考電流Iref1和該第二參考電流Iref2合併成為該精準電流Icomp,並且具有補償溫度變異效應的效果。
上述之具有溫度補償功能之精準電流參考電路,其中該偏壓產生電路10包含:一第一電阻器R1,其中一端接地;一第一N型場效電晶體Mn1,具有一源極連接至該第一電阻器R1之另一端;一第二N型場效電晶體Mn2,具有一源極接地,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第一N型場效電晶體Mn1之閘極;一第三N型場效電晶體Mn3,具有一源極連接至該第一N型場效電晶體Mn1之汲極;一第四N型場效電晶體Mn4,具有一源極連接至該第二N型場效電晶體Mn2之汲極,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第三N型場效電晶體Mn3之閘極;一第一P型場效電晶體Mp1,具有一源極連接至一電源,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第三N型場效電晶體Mn3之汲極;一第二P型場效電晶體Mp2,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一P型場效電晶體Mp1之閘極,以及具有一汲極連接至該第四N型場效電晶體Mn4之汲極。其中該第一P型場效電晶體Mp1之閘極之電壓即為該第一參考電壓Vref1,該第三N型場效電晶體Mn3之閘極之電壓即為該第二參考電壓。
上述之具有溫度補償功能之精準電流參考電路,其中該電流輸出電路20包含:一第五P型場效電晶體Mp5,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一參考電壓Vref1,以及具有一汲極產生一第一參考電流Iref1;一第六N型場效電晶體Mn6,具有一閘極連接至該第二參考電壓Vref2;一第二電阻器R2,一端接地,另一端連接至該第六N型場效電晶體Mn6之源極;一第六P型場效電晶體Mp6,具有一源極連接至該電源,具有一閘極以及一汲極皆連接至該第六N型場效電晶體Mn6之汲極;一第七P型場效電晶體Mp7,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第六P型場效電晶體Mp6之閘極,以及具有一汲極產生一第二參考電流Iref2,並且連接至該第五P型場效電晶體Mp5之汲極。
上述之具有溫度補償功能之精準電流參考電路,其中該第五P型場效電晶體Mp5之電流即為該第一參考電流Iref1,和該偏壓產生電路10的電流都有隨溫度上升而增加電流值的溫度變異特性;該第六N型場效電晶體Mn6之電流和該第二電阻器R2的電流相同,標記為IR2,關係式為:「VGSN1+VGSN3=VGSN6+(IR2*R2)」,其中VGSN1為該第一N型場效電晶體Mn1中閘極與源極之間的電壓,其餘類推。上述之關係式可整理為:「IR2=(VGSN1+VGSN3-VGSN6)/R2」,在其他參數固定不變的狀況下,VGSN1、VGSN3以及VGSN6都會隨著場效電晶體的閥值電壓(Vth)呈正相關,然而閥值電壓(Vth)具有隨著溫度上升而降低的溫度變異特性,因此該第六N型場效電晶體Mn6和該第二電阻器R2的電流IR2也是具有隨著溫度上升而降低的溫度變異特性,使得該第六P型場效電晶體Mp6和該第七P型場效電晶體Mp7之電流(即為第二參考電流Iref2)也是具有隨著溫度上升而降低的溫度變異特性。綜上所述,該第一參考電流Iref1和該第二參考電流Iref2具有相反的溫度變異特性,使得加總產生的該精準電流Icomp具有補償溫度變異的效果。
上述之具有溫度補償功能之精準電流參考電路,其中可以改變該第五P型場效電晶體Mp5、該第六P型場效電晶體Mp6或者該第七P型場效電晶體Mp7的尺寸,調整第一參考電流Iref1或第二參考電流Iref2的大小,並且調整該精準電流Icomp的大小以及溫度變異特性。
上述之具有溫度補償功能之精準電流參考電路,更包含用來輸出精準電壓Vcomp之一電壓輸出電路30,請參閱第2圖。該電壓輸出電路30包含複數個場效電晶體(第八P型場效電晶體Mp8以及第八N型場效電晶體Mn8),接收該第一參考電壓Vref1產生該精準電壓Vcomp;其中
該些場效電晶體皆操作於飽和區,並且該精準電壓Vcomp隨著該些場效電晶體的閥值電壓(Vth)上升,補償溫度變異效應。
上述之電壓輸出電路30,先不考慮加上第三電阻器R3的狀況(R3=0),該精準電壓Vcomp即為該第八N型場效電晶體Mn8之閘極與源極之間的電壓差VGSN8,其電壓值和該偏壓產生電路10的電流以及場效電晶體的閥值電壓(Vth)呈正相關。由於該偏壓產生電路10的電流具有隨著溫度上升而增加的溫度變異特性,而場效電晶體的閥值電壓(Vth)具有隨著溫度上升而減少的溫度變異特性,兩個溫度變異特性相反的物理量相加後,就能補償溫度變異特性。加上該第三電阻器R3可以用來調整該精準電壓Vcomp的電壓值。
本發明之第三實施例請參閱第3圖,其顯示一種具有溫度補償功能之精準電壓參考電路,包含一偏壓產生電路10以及一電壓輸出電路30。該偏壓產生電路10以及該電壓輸出電路30的架構和第2圖相同,本圖用來說明該精準電壓Vcomp和該精準電流Icomp可以分別設計調整,並且以本圖之架構為基礎,說明該電壓輸出電路30之多種變化樣態。
第4圖繪示第3圖之電壓輸出電路30之另一樣態,本圖和第3圖的差別在於該第八N型場效電晶體Mn8和該第三電阻器R3的位置互相交換,該精準電壓Vcomp也具有補償溫度變異特性的效果。
第5圖繪示第3圖之電壓輸出電路30之另一樣態,本圖和第3圖的差別在於該第八N型場效電晶體Mn8和該第三電阻器R3的調整連接方法,該第八N型場效電晶體Mn8之源極接地,閘極連接至該第八P型場效電晶體Mp8之汲極,以及汲極連接至該第三電阻器R3之一端,該第三電阻器R3之另一端連接至該第八N型場效電晶體Mn8之閘極,該精準電壓Vcomp從該第
八N型場效電晶體Mn8之汲極接出來,此連接方法也具有補償溫度變異特性的效果。
第6圖繪示第4圖之電壓輸出電路30之另一樣態,本圖和第4圖的差別在於該第八N型場效電晶體Mn8替換為一第九P型場效電晶體Mp9,該第九P型場效電晶體Mp9之源極連接至該第八P型場效電晶體Mp8之汲極,閘極與汲極連接至該第三電阻器R3之一端,另外該第九P型場效電晶體Mp9也可以和該第三電阻器R3互相交換位置,以上連接方法都能讓該精準電壓Vcomp具有補償溫度變異特性的效果。
第7圖繪示第3圖之偏壓產生電路10之另一樣態。其中該偏壓產生電路10包含:一第一電阻器R1,其中一端接地;一第一N型場效電晶體Mn1,具有一源極連接至該第一電阻器R1之另一端,以及具有一閘極與一汲極;一第二N型場效電晶體Mn2,具有一源極接地,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第一N型場效電晶體Mn1之閘極;一第一P型場效電晶體Mp1,具有一源極連接至一電源,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第一N型場效電晶體Mn1之汲極;一第二P型場效電晶體Mp2,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一P型場效電晶體Mp1之閘極,以及具有一汲極連接至該第二N型場效電晶體Mn2之汲極,其中該第一P型場效電晶體Mp1的閘極電壓,即為該第一參考電壓Vref1。
上述之電壓輸出電路30,可以調整該第三電阻器R3的電阻值、該第八N型場效電晶體Mn8的尺寸或者該第九P型場效電晶體Mp9的尺寸,以改變該精準電壓Vcomp之電壓值。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍
內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:偏壓產生電路
20:電流輸出電路
30:電壓輸出電路
Mn1:第一N型場效電晶體
Mn2:第二N型場效電晶體
Mn3:第三N型場效電晶體
Mn4:第四N型場效電晶體
Mn5:第五N型場效電晶體
Mn6:第六N型場效電晶體
Mp1:第一P型場效電晶體
Mp2:第二P型場效電晶體
Mp3:第三P型場效電晶體
Mp4:第四P型場效電晶體
Mp5:第五P型場效電晶體
Mp6:第六P型場效電晶體
Mp7:第七P型場效電晶體
R1:第一電阻器
R2:第二電阻器
R3:第三電阻器
Claims (8)
- 一種具有溫度補償功能之參考電路,包含:一偏壓產生電路,包含複數個N型場效電晶體、複數個P型場效電晶體、一第一電阻器,其中該些P型場效電晶體其中之一的閘極之電壓設定為一第一參考電壓,而該些N型場效電晶體其中之一的閘極之電壓設定為一第二參考電壓;一電流輸出電路,利用一場效電晶體接收該第一參考電壓,產生溫度變異特性和該偏壓產生電路之電流一致的一第一參考電流,並且利用複數個場效電晶體與一電阻器接收該第二參考電壓,其中該些場效電晶體皆操作在飽和區,並且產生一第二參考電流,使得該第二參考電流的電流值和場效電晶體的閥值電壓呈正相關,並且溫度變異特性和該偏壓產生電路之電流相反;該第一參考電流和該第二參考電流合併成為該精準電流,並且具有補償溫度變異效應的效果,其中該電流輸出電路包含:一第五P型場效電晶體,具有一源極連接至一電源,具有一閘極連接至該第一參考電壓,以及具有一汲極產生一第一參考電流;一第六N型場效電晶體,具有一閘極連接至該第二參考電壓;一第二電阻器,一端接地,另一端連接至該第六N型場效電晶體之源極;一第六P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極以及一汲極皆連接至該第六N型場效電晶體之汲極;以及 一第七P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第六P型場效電晶體之閘極,以及具有一汲極產生一第二參考電流,並且連接至該第五P型場效電晶體之汲極。
- 如申請專利範圍第1項所述之參考電路,其中該第一電阻器的一端接地;該些N型場效電晶體包含:一第一N型場效電晶體,具有一源極連接至該第一電阻器之另一端;一第二N型場效電晶體,具有一源極接地,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第一N型場效電晶體之閘極;一第三N型場效電晶體,具有一源極連接至該第一N型場效電晶體之汲極;以及一第四N型場效電晶體,具有一源極連接至該第二N型場效電晶體之汲極,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第三N型場效電晶體之閘極;該些P型場效電晶體包含:一第一P型場效電晶體,具有一源極連接至一電源,以及具有一閘極與一汲極皆連接至該第三N型場效電晶體之汲極;以及一第二P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一P型場效電晶體之閘極,以及具有一汲極連接至該第四N型場效電晶體之汲極;其中該第一P型場效電晶體之閘極之電壓即為該第一參考電壓,該第三N型場效電晶體之閘極之電壓即為該第二參考電壓。
- 如申請專利範圍第1項所述之參考電路,可以改變該第五P型場效電晶體、該第六P型場效電晶體或者該第七P型場效電晶體的尺寸,調整第一參考電流或第二參考電流的大小,並且調整該精準電流的大小以及溫度變異特性。
- 如申請專利範圍第1項、第2項或第3項所述之參考電路,其中更包含一電壓輸出電路,包含複數個場效電晶體,接收該第一參考電壓或該第二參考電壓,產生一精準電壓;其中該些場效電晶體皆操作於飽和區,並且該精準電壓隨著該些場效電晶體的閥值電壓上升,補償溫度變異效應。
- 如申請專利範圍第4項所述之參考電路,其中該電壓輸出電路包含:一第八P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一參考電壓;以及一第八N型場效電晶體,具有一源極接地,具有一閘極以及一汲極皆連接至該第八P型場效電晶體之汲極,並且以該第八P型場效電晶體以及該第八N型場效電晶體之間的接點做為該精準電壓。
- 如申請專利範圍第5項所述之參考電路,其中該電壓輸出電路更包含一第三電阻器,連接於該第八P型場效電晶體與該第八N型場效電晶體之間,或者連接於該第八N型場效電晶體之閘極與汲極之間,並且可以調整該第三電阻器的電阻值、該第八N型場效電晶體的尺寸,以改變該精準電壓之電壓值。
- 如申請專利範圍第4項所述之參考電路,其中該電壓輸出電路包含: 一第八P型場效電晶體,具有一源極連接至該電源,具有一閘極連接至該第一參考電壓;以及一第九P型場效電晶體,具有一源極連接至該第八P型場效電晶體之汲極,具有一閘極以及一汲極皆接地。
- 如申請專利範圍第7項所述之參考電路,其中該電壓輸出電路更包含一第三電阻器,連接於該第八P型場效電晶體與該第九P型場效電晶體之間,並且可以調整該第三電阻器的電阻值、該第九P型場效電晶體的尺寸,以改變該精準電壓之電壓值。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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|---|---|
| TW202227921A TW202227921A (zh) | 2022-07-16 |
| TWI789671B true TWI789671B (zh) | 2023-01-11 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110100077A TWI789671B (zh) | 2021-01-04 | 2021-01-04 | 具有溫度補償功能之參考電路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI789671B (zh) |
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