WO2013016884A1

WO2013016884A1 - 基于温度补偿的电压基准电路

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Publication number: WO2013016884A1
Application number: PCT/CN2011/078830
Authority: WO
Inventors: 李婷; 张正璠; 徐鸣远; 王育新; 刘涛
Original assignee: CETC 24 Research Institute
Current assignee: CETC 24 Research Institute
Priority date: 2011-07-29
Filing date: 2011-08-24
Publication date: 2013-02-07
Anticipated expiration: 2014-01-29
Also published as: US9128497B2; US20130328620A1; CN102323847A; CN102323847B

Abstract

一种基于温度补偿的电压基准电路，包括正温度系数生成单元（1）、负温度系数生成单元（2）、温度补偿电路（3）、镜像电路（4）和分压电路（5），负温度系数生成单元（2）和温度补偿电路（3）共同产生零温度系数的基准电压，利用T项来补偿T项，利用Tln（T）项来补偿Tln（T）项，使得输出基准电压与T项和Tln（T）项无关，同时可以通过调节分压电路（5）中电阻的比例关系来确定输出电压值，并确定正负温度系数生成单元（2，3）中的工作电压。

Description

基于温度补偿的电压基准电路技术领域

本发明涉及一种电压基准电路，适用于需要低温度系数基准电压的模拟 IC 和数模混合 IC领域，特别涉及一种基于温度补偿的电压基准电路。

背景技术

低温度系数的电压基准电路是许多模拟电路中必不可少的重要部分，其工作原理是：采用正负温度系数电压加权叠加的方式，来产生低温度系数电压，达到降低基准电压随温度变化的目的。传统的电压基准由负温度系数的三极管 PN结电压和正温度系数的三极管 PN结电压差加权叠加得到，如图 1所示（不考虑电阻的温度系数），运算放大器 AO使 g0点和 f0点电压相等，可得 1 = 1 则：

V =V + AV ^20. ( i ) DⁿQ10 ^DnQ10,Q20 ϋ 其中， V_BE 为三极管 Q10的 PN结电压， ΔΥ_ΒΕ 为三极管 Q10和 Q20 的 PN结电压差。由于：

其中， k为波尔兹曼常数， T为绝对温度， q为电子的电量， I_e为三极管的集电极电流， b为比例系数， E_g为硅的带隙能量。再由（2) 式可得：

AV_BE = V_T ( 3 )

^BEQio,Q2o ^T

其中， k为波尔兹曼常数， T为绝对温度， q为电子的电量， n_Q为由三极管 Q20与 Q10的个数之比。

由（2) 式、（3 ) 式可得：

V_BEQ10 ^ ₊ ^ln(_IcQio ) -¾ ln(T) -^ _T

^Q q q ^Q1° q q (4) 其中，

I_c · 。 AV_BE 。^)

(5)

^Cqi。。 Ri。。 qR^o

得到：

由（1 ) 式、（3) 式、（6) 式得到：

对比（3) 式和（6) 式可知， Δν_ΒΕ 与 Τ相关，而 V_BE 不但与 T相关，还与 Tln(T)相关，因此，二者相加后，只能用与 T相关的项来补偿与 T ln(T)相关的项，如（7 ) 式所示。因此，传统的电压基准电路，其基准电压始终与

T和 T ln(T)相关，不能完全消除基准电压的温度系数，普通标准工艺制作的传统基准电压温度系数约为 40ppmTC (百万分之一每摄氏度），即在 -40°C到 85°C的温度范围内，基准电压变化率为：

40 ppm/ °C x [85°C - (- 40°C)] χ 100% = 0.5%。因此急需一种能够消除 Τ和 Tln(T)影响的具有零温度系数的基于温度补偿的电压基准电路。来克服传统基准电压产生电路输出基准电压与 T和 Tln(T)相关导致的温度系数不能完全消除的问题。

发明内容

有鉴于此，为了解决上述问题，本发明提出一种能够消除 T和 Tln(T)影响的具有零温度系数的基于温度补偿的电压基准电路。来克服传统基准电压产生电路输出基准电压与 T和 Tln(T)相关导致的温度系数不能完全消除的问题。

本发明的目的是这样实现的：

本发明提供的基于温度补偿的电压基准电路，包括正温度系数生成单元、负温度系数生成单元、温度补偿电路、镜像电路和分压电路；

所述正温度系数生成单元，用于产生包含 Tln(T)项的正温度系数电压，并输出包含 T项和 Tln(T)项的正温度系数的电流；

所述负温度系数生成单元，用于产生包含 T项和 Tln(T)项的负温度系数电压，并输出包含 T项的正温度系数的电流；所述温度补偿电路，用于将包含 T项和 Tln(T)项的正温度系数电流转换为包含 T项和 Tln(T)项的正温度系数电压，补偿负温度系数生成单元产生的包含 T 项和 Tln(T)项的负温度系数电压，负温度系数生成单元和温度补偿电路共同产生零温度系数的基准电压；

其中， T为绝对温度；

所述镜像电路，用于将负温度系数生成单元的输出电流镜像 m倍后输入到正温度系数生成单元；

所述分压电路，用于调节输出电压，并确定正温度系数生成单元、负温度系数生成单元中的工作电压。

进一步，所述温度补偿电路包括电阻 R₅，所述正温度系数生成单元包括运算放大器 Al、三极管 Q3、三极管 Q4、电阻 R₆、电阻 R4，所述运算放大器 A1 的正输入端接三极管 Q4的基极，运算放大器 A1的负输入端接三极管 Q4的集电极，运算放大器 A1的输出接三极管 Q4的发射极，所述 R₆的一端与运算放大器 A1的负输入端及三极管 Q4的集电极连接，所述 R₆的另一端接地，所述三极管 Q4的发射极和三极管 Q3的发射极之间接电阻 R₄，三极管 Q3的集电极与镜像电路的一端连接，所述三极管 Q3的基极和三极管 Q4的基极连接；

进一步，所述负温度系数生成单元包括运算放大器 A2、三极管 Ql、三极管 Q2、电阻、电阻 R₂，电阻 R_{3 ;} 所述三极管 Q1的发射极与运算放大器 A2的正输入端连接，所述运算放大器 A2的正输入端和电阻 R₃的一端相接，三极管 Q2的发射极通过电阻与运算放大器 A2的负输入端连接，所述运算放大器 A2 的负输入端与电阻 R₂的一端连接，所述运算放大器 A2的输出端与电阻 R₅的一端连接，所述电阻 R₅的另一端与电阻 R₂、电阻 R₃的另一端连接，所述电阻 R₂ 的另一端与三极管 Q3的发射极连接，所述三极管 Ql、三极管 Q2的集电极与镜像电路的另一端连接，所述运算放大器 A2的输出端与分压电路连接；进一步，所述镜像电路包括第一 NMOS管 Ml , 第二 NMOS管 M2，所述第一 NMOS管 Ml、第二 NMOS管 M2的源极均接地，第一 NMOS管 Ml、第二 NMOS管 M2的栅极连接，所述第二 NMOS管 M2的栅极与第二 NMOS管 M2 的漏极连接，所述第一 NMOS管 Ml的漏极与三极管 Q3的集电极连接，所述第二 NMOS管 M2的栅极与三极管 Ql、三极管 Q2的集电极连接；进一步，所述分压电路包括电阻 R₇和电阻 R₈，所述电阻 R₈与运算放大器 A2的输出端连接，所述电阻 R₈的另一端与电阻 R₇的一端以及三极管 Ql、三极管 Q2、三极管 Q3、三极管 Q4的基极连接，所述电阻 R₇的另一端与第一 NMOS 管 Ml的源极和第二 NMOS管 M2的源极连接，运算放大器 A2与电阻 R₅、电阻 R₈的连接点为基准电路的输出端 Vo;

进一步，所述输出基准电压 Vo 的值由电阻 R₇和电阻 R₈的比值决定， Vo

, 其中，（E_g /q)为硅的带隙电压，通过调节电阻 R₇和电阻的比值，得到不同幅度的输出基准电压；进一步，所述电阻 R4和电阻满足以下关系：

R₄ = 2 ; 进一步，所述负温度系数生成单元包括至少一个三极管 Q1和至少一个三极管 Q2，所述所有的三极管 Q2和所有的三极管 Q1的个数之比为 n，所述正温度系数生成单元包括至少一个三极管 Q3和至少一个三极管 Q4，所述所有的三极管 Q4与所有的三极管 Q3个数之比为 p，所述镜像电路包括至少一个第一 NMOS 管 Ml和至少一个第二 NMOS管 M2，其中， η>1， ρ>1。本发明的优点在于：本发明的基于温度补偿的电压基准电路，与传统的电压基准电路相比，它具有以下特点：

1. 传统的电压基准电路用 T项来补偿 T ln(T) 项，而本发明的基于温度补偿的电压基准电路，利用 Τ项来补偿 Τ项，利用 T ln(T) 项来补偿 T ln(T)项，因此本发明的电压基准电路的补偿的针对性更强。

2. 传统电压基准电路用 T项来补偿 T ln(T)项，因此，输出基准电压与 T和 T ln(T)同时相关，导致其温度系数不能完全消除，约为 40ppmTC，而本发明的电压基准电路，其输出基准电压与 T和 T ln(T)无关，因此本发明电路能够得到零温度系数的基准电压。 3. 传统的电压基准电路输出电压幅度为硅的带隙电压，因此其输出电压为固定值，而本发明电路的电压基准\^ = (5₈ / (1 + 1 ₇ / 1¾₈)，可以通过调节电阻 R₇和电阻 R₈的比例关系，灵活地确定输出电压值，因此本发明电路可得到一定范围的任意输出电压值。

综上所述，本发明的基于温度补偿的电压基准电路同时具有补偿针对性强、零温度系数、输出电压值可调的优点，有效克服了传统电压基准电路补偿针对性弱、温度系数不能完全消除、输出电压值固定的缺点。

本发明的其它优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其它优点可以通过下面的说明书，权利要求书，以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述，其中：

图 1是传统的电压基准电路的电路图；

图 2是本发明的基于温度补偿的电压基准电路的实施例 1电路图；图 3是本发明的基于温度补偿的电压基准电路的实施例 2电路图；图 4是本发明的基于温度补偿的电压基准电路的实施例 3电路图；图 5是本发明的基于温度补偿的电压基准电路的实施例 4电路图。

具体实施方式

以下将结合附图，对本发明的优选实施例进行详细的描述；应当理解，优选实施例仅为了说明本发明，而不是为了限制本发明的保护范围。

实施例 1

图 2是本发明的基于温度补偿的电压基准电路的实施例 1电路图，如图所示: 本发明提供的基于温度补偿的电压基准电路，包括正温度系数生成单元 1、负温度系数生成单元 2、温度补偿电路 3、镜像电路 4和分压电路 5;

所述正温度系数生成单元 1，用于产生包含 Tln(T)项的正温度系数电压，并输出包含 T项和 Tln(T)项的正温度系数的电流；

所述负温度系数生成单元 2，用于产生包含 T项和 Tln(T)项的负温度系数电压，并输出包含 T项的正温度系数的电流；所述温度补偿电路 3，用于将包含 T项和 Tln(T)项的正温度系数电流转换为包含 T项和 Tln(T)项的正温度系数电压，补偿负温度系数生成单元产生的包含 T 项和 Tln(T)项的负温度系数电压，负温度系数生成单元和温度补偿电路共同产生零温度系数的基准电压；

其中， T为绝对温度；

所述镜像电路 4，用于将负温度系数生成单元的输出电流镜像 m倍后输入到正温度系数生成单元；

所述分压电路 5，用于调节输出电压，并确定正温度系数生成单元、负温度系数生成单元中的工作电压。

作为上述实施例的进一步改进，所述温度补偿电路包括电阻 R₅，所述正温度系数生成单元包括运算放大器 Al、三极管 Q3、三极管 Q4、电阻 R₆、电阻 R4，所述运算放大器 A1的正输入端接三极管 Q4的基极，运算放大器 A1的负输入端接三极管 Q4的集电极，运算放大器 A1的输出接三极管 Q4的发射极，所述 R₆的一端与运算放大器 A1的负输入端及三极管 Q4的集电极连接，所述 R₆的另一端接地，所述三极管 Q4的发射极和三极管 Q3的发射极之间接电阻 R4，三极管 Q3的集电极与镜像电路的一端连接，所述三极管 Q3的基极和三极管 Q4的基极连接。

作为上述实施例的进一步改进，所述负温度系数生成单元包括运算放大器 A2、三极管 Ql、三极管 Q2、电阻、电阻 R₂，电阻 R_{3 ;} 所述三极管 Q1的发射极与运算放大器 A2的正输入端连接，所述运算放大器 A2的正输入端和电阻 R₃的一端相接，三极管 Q2的发射极通过电阻与运算放大器 A2的负输入端连接，所述运算放大器 A2的负输入端与电阻 R₂的一端连接，所述运算放大器 A2 的输出端与电阻的一端连接，所述电阻的另一端与电阻 R₂、电阻 R₃的另一端连接，所述电阻 R₂的另一端与三极管 Q3的发射极连接，所述三极管 Ql、三极管 Q2的集电极与镜像电路的另一端连接，所述运算放大器 A2的输出端与分压电路连接。

作为上述实施例的进一步改进，所述镜像电路包括第一 NMOS管 Ml ,第二 NMOS管 M2，所述第一 NMOS管 Ml、第二 NMOS管 M2的源极均接地，第一 NMOS管 Ml、第二 NMOS管 M2的栅极连接，所述第二 NMOS管 M2的栅极与第二 NMOS管 M2的漏极连接，所述第一 NM0S管 Ml的漏极与三极管 Q3 的集电极连接，所述第二 NMOS管 M2的栅极与三极管 Ql、三极管 Q2的集电极连接。

作为上述实施例的进一步改进，所述分压电路包括电阻 R₇和电阻 R₈，所述电阻 R₈与 A2的输出端连接，所述电阻 R₈的另一端与电阻 R₇的一端以及三极管 Ql、三极管 Q2、三极管 Q3、三极管 Q4的基极连接，所述电阻 R₇的另一端与第一 NMOS管 Ml的源极和第二 NMOS管 M2的源极连接，运算放大器 A2与电阻 R₅、电阻 R₈的连接点为基准电路的输出端 Vo。

作为上述实施例的进一步改进，所述输出基准电压 Vo的值由电阻 R₇和电阻 R₈的比值决定， Vc

，其中，（E_g /q)为硅的带隙电压，通过调节电阻 R₇和电阻 R₈的比值，得到不同幅度的输出基准电压。

作为上述实施例的进一步改进，所述电阻 R₄和电阻满足以下关系： ^ 3 作为上述实施例的进一步改进，所述负温度系数生成单元包括至少一个三极管 Q1和至少一个三极管 Q2，所述三极管 Q1和三极管 Q2由相同的基本单元三极管构成，所有的三极管 Q2和所有的三极管 Q1的个数之比为 n，正温度系数生成单元包括至少一个三极管 Q3和至少一个三极管 Q4，所述三极管 Q3和三极管 Q4由相同的基本单元三极管构成，所述所有的三极管 Q4与所有的三极管 Q3 个数之比为 p，镜像电路包括至少一个第一 NMOS管 Ml和至少一个第二 NMOS 管 M2，所述第一 NMOS管 Ml和第二 NMOS管 M2由相同的基本单元 NMOS 管构成，所有的第一 NMOS管 Ml和第二 NMOS管 M2个数之比为 m，其中， η>1 , ρ>1。

下面详细描述本发明提供的基于温度补偿的电压基准电路的原理和具体实施方式：

本发明具体实施的一种总体结构如图 2所示，包括两个运算放大器 A1~A2、四个三极管 Q1~Q4、两个 M0S管 M1~M2和八个电阻

结点 a、结点 b、结点 c、结点 d分别为三极管 Q4、三极管 Q3、三极管 Q2、三极管 Q1的基极连接点；结点 e为电阻 R₇和电阻 R₈的公共接点且与三极管 Q4、三极管 Q3、三极管 Q2、三极管 Ql的基极连接；结点 f为运算放大器 A2正输入端与三极管 Q1 发射极连接点，结点 g为运算放大器 A2负输入端与电阻和电阻 R₂公共接点的汇合点，结点 h为三极管 Q4与运算放大器 A1负输入端的连接点，结点 i为运算放大器 A2输出端；图 2中的具体连接关系与本说明书的发明内容部分相同，此处不考虑电阻和 MOS管的温度系数，它的工作原理如下：

三极管 Q1和三极管 Q2的 PN结电压差产生包含 T项的正温度系数电压，运算放大器 A2使结点 f和结点 g的电压相等，因此，电阻上的电压为：

I I R ^k.l_n(n )

V_¾ = AV_BE12 = V_T In (-^ ) -V_T ln(^) = V_T ln(n ·¾ = ^ T (8)

' I_s nl_s q 其中， n为三极管 Q2与三极管 Ql的个数之比。

三极管 Q3和三极管 Q4的 PN结电压差产生包含 T项和 T ln(T)项的正温度系数的电压，即 R4上的电压：

运算放大器 Al使结点 a和结点 h的电压相等，忽略所有三极管的基极电流，因此，电阻 R₆上的电压为：

可得：

I =1 =—— ¾ V₀ (11)

^{Q4 ¾} (Rs + R^ 。

第一 NMOS管 Ml和第二 NMOS管 M2构成的电流镜将三极管 Q1 Q2的集电极电流之和镜像 m倍后，作为三极管 Q3的集电极电流，得：

I_Q3 = m. (I_Q1 + I_Q2) = m-(l + ¾I_Q2 ( 12 )

K3 由式（8) 可得：

V k.ln_(n )

i₀₂=^= (13) 由（12) 式、（13) 式，得： m-k-ln(n-— )

I_m= ^ (1 + ^)·Τ=α, ·Τ (14) 其中，

由（9) 式、（11) 式、（14) 式，得：

1 ·Τ1η(Τ) ( 16 )

其中， α_Ί = ln( ) ( 17 ) qR₄ a,=- (18) qR₄

由（12) 式、（14) 式、（16) 式，得电阻 R₅上的电流为：

I_R = I + 1 + 1 + I_r =(-^-·α₁+α₂)·Τ+α₃ ·Τ1η(Τ) (19)

^{5 4} m

三极管 Ql产生包含 T项和 Τ 1η(Τ)项的负温度系数的 ΡΝ结电压，由（4) 式，可得三极管 Q1的 ΡΝ结电压为：

其中，

电阻 R₈上的电压为：

=V_BEQI +V_¾ +V_R5 =V_B¾I +I_Q2.R₂ + I (22) 其中 V 为电阻 R₃产生的正温度系数电压， V 为包含 T项和 Τ 1η(Τ)项的正温度系数电压。由式（13) 式、（19) - (22) 式可得

(23)

若要 V 与温度无关，则 T和 Tln(T)前的系数均为 0，可得

(25 ) q

由（18) 式、（25) 式，得：

(26) R₄ 2 由（23) 式、（24) 式、（25) 式可知，此时 V .~ ?^ =V = (27 )

° i^ + Rs ^¾ q

其中， Vo为补偿后的输出基准电压，（E_g /q)为硅的带隙电压。由（15) 式、（17) 式、（24) 式、（26) 式、（27) 式，可得：

+r₂₁ -ln(n -r_{2 3}) + r_{5 1} · (m + 1) · (1 + r_{2 3} ) · ln(n · r₂₃ )

(29)

选定（29) 式中的电阻比例系数后（理论上来讲，（29) 式中的比值可为任意值，选取时可根据具体工艺选择便于版图设计的比值），就可通过（28 ) 式计算出电阻的大小，再代入（26) 式和（29) 式，可得电阻 R₂、电阻 R₃、电阻 R₄、电阻 R₅、电阻 R₆的阻值。

由（27) 式可得补偿后的输出基准电压：

由（30) 式可知， ^表达式中不包含与温度 T相关的项，因此补偿后的输出基准电压，温度系数为零；补偿后的输出基准电压\^由电阻 R₇和电阻 R₈的比值决定，因此，通过调节电阻 R₇和电阻 R₈的比值，可以得到不同幅度的输出基准电压。其中电阻 R₇的取值要使 Ml和 M2工作在饱和区，三极管 Q1~Q4工作在放大区。本发明的基于温度补偿的电压基准电路采用通用硅栅 BiCMOS工艺制造。

实施例 2

图 3是本发明的基于温度补偿的电压基准电路的实施例 2电路图，如图所示，本实施例与实施例 1的区别在于：电阻接在三极管 Q2的发射极上，电阻 R₂ 接在三极管 Q2的集电极与第二 NMOS管 M2漏极之间，电阻 R₃接在三极管 Q1 的集电极与第二 NMOS管 M2漏极之间，运算放大器 A2的正输入端接在三极管 Q1的集电极与电阻 R₃之间，运算放大器 A2的负输入端接在三极管 Q2的集电极与电阻 R₂之间。

实施例 3

图 4是本发明的基于温度补偿的电压基准电路的实施例 3电路图，如图所示，本实施例与实施例 2的区别在于：三极管 Ql、 Q2、 Q3、 Q4为 NPN型；第一 MOS管 Ml和第二 MOS管 M2为 N沟道增强型 MOS场效应管，电阻 R₅和电阻 R₇的公共连接端接地。

实施例 4

图 5是本发明的基于温度补偿的电压基准电路的实施例 4电路图，如图所示，本实施例与实施例 1的区别仅在于：三极管 Ql、 Q2、 Q3、 Q4为 NPN型；第一 MOS管 Ml和第二 MOS管 M2为 N沟道增强型 MOS场效应管，电阻 R₅和电阻 R₇的公共连接端接地。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

权利要求书

1. 基于温度补偿的电压基准电路，其特征在于：包括正温度系数生成单元、负温度系数生成单元、温度补偿电路、镜像电路和分压电路；所述正温度系数生成单元，用于产生包含 Tln(T)项的正温度系数电压，并输出包含 T项和 Tln(T)项的正温度系数的电流；所述负温度系数生成单元，用于产生包含 T项和 Tln(T)项的负温度系数电压，并输出包含 T项的正温度系数的电流；所述温度补偿电路，用于将包含 T项和 Tln(T)项的正温度系数电流转换为包含 T项和 Tln(T)项的正温度系数电压，补偿负温度系数生成单元产生的包含 T项和 Tln(T)项的负温度系数电压，负温度系数生成单元和温度补偿电路共同产生零温度系数的基准电压；其中， T为绝对温度；所述镜像电路，用于将负温度系数生成单元的输出电流镜像 m倍后输入到正温度系数生成单元；所述分压电路，用于调节输出电压，并确定正温度系数生成单元、负温度系数生成单元中的工作电压。

2. 根据权利要求 1所述的基于温度补偿的电压基准电路，其特征在于：所述温度补偿电路包括电阻 R₅，所述正温度系数生成单元包括运算放大器 Al、三极管 Q3、三极管 Q4、电阻 R₆、电阻 R4，所述运算放大器 A1的正输入端接三极管 Q4的基极，运算放大器 A1的负输入端接三极管 Q4的集电极，运算放大器 A1的输出接三极管 Q4的发射极，所述电阻 R₆的一端与运算放大器 A1的负输入端及三极管 Q4的集电极连接，所述电阻 R₆的另一端接地，所述三极管 Q4的发射极和三极管 Q3的发射极之间接电阻 R4，三极管 Q3 的集电极与镜像电路的一端连接，所述三极管 Q3的基极和三极管 Q4的基极连接。

3. 根据权利要求 2所述的基于温度补偿的电压基准电路，其特征在于：所述负温度系数生成单元包括运算放大器 A2、三极管 Ql、三极管 Q2、电阻 Ri 电阻 R₂，电阻 R_{3 ;} 所述三极管 Q1的发射极与运算放大器 A2的正输入端连接，所述运算放大器 A2的正输入端和电阻 R₃的一端相接，三极管 Q2 的发射极通过电阻与运算放大器 A2的负输入端连接，所述运算放大器 A2的负输入端与电阻 R₂的一端连接，所述运算放大器 A2的输出端与电阻 R₅的一端连接，所述电阻 R₅的另一端与电阻 R₂、电阻 R₃的另一端连接，所述电阻 R₂的另一端与三极管 Q3的发射极连接，所述三极管 Ql、三极管 Q2的集电极与镜像电路的另一端连接，所述运算放大器 A2的输出端与分压电路连接。

4. 根据权利要求 3所述的基于温度补偿的电压基准电路，其特征在于：所述镜像电路包括第一 NMOS管 Ml , 第二 NMOS管 M2，所述第一 NMOS 管 Ml、第二 NMOS管 M2的源极均接地，第一 NMOS管 Ml、第二 NMOS 管 M2的栅极连接，所述第二 NMOS管 M2的栅极与第二 NMOS管 M2的漏极连接，所述第一 NMOS管 Ml的漏极与三极管 Q3的集电极连接，所述第二 NMOS管 M2的栅极与三极管 Ql、三极管 Q2的集电极连接。

5. 根据权利要求 4所述的基于温度补偿的电压基准电路，其特征在于：所述分压电路包括电阻 R₇和电阻 R₈，所述电阻 R₈与运算放大器 A2的输出端连接，所述电阻 R₈的另一端与电阻 R₇的一端以及三极管 Ql、三极管 Q2、三极管 Q3、三极管 Q4的基极连接，所述电阻 R₇的另一端与第一 NMOS管 Ml的源极和第二 NMOS管 M2的源极连接，运算放大器 A2与电阻 R₅、电阻 R₈的连接点为基准电路的输出端 Vo。

6. 根据权利要求 5所述的基于温度补偿的电压基准电路，其特征在于：所述输出基准电压 Vo 的值由电阻 R₇ 和电阻 R₈ 的比值决定， Vo

, 其中，（E_g /q)为硅的带隙电压，通过调节电阻 R₇ 和电阻的比值，得到不同幅度的输出基准电压。

7. 根据权利要求 6所述的基于温度补偿的电压基准电路，其特征在于：所述电阻 R4和电阻 R₅满足以下关系： = 。

8. 根据权利要求 7所述的基于温度补偿的电压基准电路，其特征在于：所述负温度系数生成单元包括至少一个三极管 Q1和至少一个三极管 Q2，所述所有的三极管 Q2和所有的三极管 Q1的个数之比为 n，所述正温度系数生成单元包括至少一个三极管 Q3和至少一个三极管 Q4，所述所有的三极管 Q4 与所有的三极管 Q3个数之比为 p，其中， η>1， ρ>1。