TWI732109B - 鍍覆方法 - Google Patents

Abstract

本發明可簡易且低成本地將銦離子供給至鍍覆液，本發明提供一種方法，供給銦離子至使用不溶性陽極之電鍍的鍍覆液，其步驟具有：準備酸性的鍍覆液；以及將銦金屬浸漬於前述鍍覆液，不施加電壓於前述銦金屬，來將銦金屬溶解於前述鍍覆液。

Description

鍍覆方法

本發明是關於一種鍍覆方法。

以往，在半導體晶圓等基板表面所設有的細微配線用溝、孔或抗蝕層開口部形成配線，在基板表面形成與封裝電極等電連接的凸塊(突起狀電極)。雖然做為形成此配線及凸塊的方法，已知例如電解鍍覆法、蒸鍍法、印刷法、球凸塊法等，但隨著半導體晶片的I/O數増加、細間距化，而逐漸大量地使用可微細化且性能比較穩定的電鍍法。

進行電鍍的裝置，通常，在收容鍍覆液的鍍覆槽內具備相對配置的陽極與基板，電壓被施加至陽極與基板。藉此，在基板表面形成鍍覆膜。

以往，已知以電鍍法鍍覆銦。以電鍍法鍍覆銦時，隨著經過鍍覆處理，鍍覆液中的銦離子被消耗。因此，隨著經過鍍覆處理，需要供給銦離子至鍍覆液中。

做為供給銦離子至鍍覆液的方法，已知例如供給市售的銦濃縮溶液至鍍覆液的方法，以及以電解溶解銦金屬的方法等。又，已知在使用包含銦金屬的可溶性陽極時，對陽極施加電壓來溶解陽極，藉此，供給銦離子至鍍覆液。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開第2009-287118號公報

但是，因為銦濃縮溶液通常高價，所以會有鍍覆處理所需的運轉費用 高的問題。又，藉由供給銦濃縮溶液至鍍覆液，鍍覆液中的陰離子物種的濃度上升，依情況有可能對鍍覆液及鍍覆膜有壞影響。

又，在以電解溶解銦金屬時，需要將用來對陽極與銦金屬施加負電壓，對陽極施加正電壓的電源設於鍍覆裝置。因此，需要用來電解溶解的設備，有鍍覆裝置的結構變複雜的問題。在使用包含銦金屬的可溶性陽極時，因為對可溶性陽極施加電壓間，銦濃度上升，所以控制鍍覆液中的銦濃度有困難。

又，也考慮到使氧化銦溶解於鍍覆液的方法。但是，金屬氧化物通常對水為難溶性，即使對酸性溶液溶解速度也慢。因此，考慮到氧化銦在鍍覆液中的溶解速度也慢，對鍍覆速度供給充分的銦離子也可能有困難。又，因為將氧化銦溶解於鍍覆液時，銦化合物的陰離子物種在鍍覆液中增加，所以有可能對鍍覆液及鍍覆膜也有壞影響。

本發明是有鑑於上述問題者。其目的之一為簡單且便宜地供給銦離子至鍍覆液。

根據本發明的一形態，提供一種供給銦離子至用不溶性陽極的電鍍的鍍覆液的方法。此方法的步驟具有：準備酸性的鍍覆液；以及將銦金屬浸漬於前述鍍覆液，不施加電壓於前述銦金屬，來溶解銦金屬於前述鍍覆液。

30:基板夾具

40:陽極夾具

45:葉片

50:鍍覆槽

60:管理槽

65:銦金屬

70:溶解槽

71:金屬溶解槽

72:沈澱物沈澱槽

73:個別槽

74:溶解槽本體

75:泵

76:隔壁

102:匣盒台

104:對準器

106:旋轉沖洗烘乾機

110:鍍覆單元

120:基板裝卸部

122:基板搬送裝置

124:暫存盒

126:預濕槽

128:預浸槽

130a:第一洗淨槽

130b:第二洗淨槽

132:噴吹槽

140:基板夾具搬送裝置

142:第一輸送機

144:第二輸送機

152:載置板

160:葉片驅動部

162:葉片從動部

第一圖是關於本實施形態的鍍覆裝置的整體配置圖。

第二圖是第一圖所示的鍍覆單元的概略圖。

第三圖表示將銦金屬浸漬於酸性的銦鍍覆液時的相對於時間的銦金屬減少量的圖。

第四圖表示將銦金屬浸漬於酸性的銦鍍覆液時的相對於時間的鍍覆液中的銦金屬濃度變化的圖。

第五圖表示關於其他實施形態的鍍覆單元的溶解槽的概略圖。

第六圖表示關於其他實施形態的鍍覆單元的溶解槽的概略圖。

第七圖表示關於其他實施形態的鍍覆單元的溶解槽的概略圖。

以下，參照圖式來說明關於本發明的實施形態。在以下說明的圖式中，對相同或相當的構成要素賦予相同符號並省略重複說明。第一圖是關於本實施形態的鍍覆裝置的整體配置圖。如第一圖所示，此鍍覆裝置具有2台匣盒台102、對準器104以及旋轉沖洗烘乾機106。匣盒台102搭載收納半導體晶圓等基板的匣盒100。對準器104使基板之定向平面或缺口等之位置對準預定方向。旋轉沖洗烘乾機106使鍍覆處理後的基板高速旋轉而乾燥。在旋轉沖洗烘乾機106附近設有裝載基板夾具30並進行基板裝卸的基板裝卸部120。在這些單元100、104、106、120的中央，配置有基板搬送裝置122，基板搬送裝置122是由在這些單元間搬送基板的搬送用機器人所構成。

基板裝卸部120具備：平板狀的載置板152，沿著軌道150在橫方向自由滑動。2個基板夾具30以水平狀態並列載置於此載置板152，在一基板夾具30與基板搬送裝置122之間進行基板傳遞後，載置板152在橫方向滑動，並在另一基板夾具30與基板搬送裝置122之間進行基板傳遞。

鍍覆裝置更具有：暫存盒124、預濕槽126、預浸槽128、第一洗淨槽130a、噴吹槽132、第二洗淨槽130b、及鍍覆單元110。在暫存盒124進行基板夾具30的保管及暫時放置。在預濕槽126，基板被浸漬於純水中。在預浸槽128，蝕刻除去形成於基板表面的晶種層等導電層表面的氧化膜。在第一洗淨槽130a，以洗淨液(純水等)將預浸後之基板與基板夾具30一起洗淨。在噴吹槽132，進行洗淨後之基板的排液。在第二洗淨槽130b，以洗淨液將鍍覆後的基板與基板夾具30一起洗淨。基板裝卸部120、暫存盒124、預濕槽126、預浸槽128、第一洗淨槽130a、噴吹槽132、第二洗淨槽130b、及鍍覆槽110係依該順序配置。鍍覆單元110被構成為在基板表面進行銦鍍覆，如後述，具有鍍覆槽、管理槽以及溶解槽。

鍍覆裝置具有：基板夾具搬送裝置140，採用位於這些各機器的側方的例如線性馬達方式。基板夾具搬送裝置140在這些各機器之間與基板一起搬送基板夾具30。基板夾具搬送裝置140具有：第一輸送機142以及第二輸送機144。第一輸送機142被構成為在基板裝卸部120、暫存盒124、預濕槽126、預浸槽128、第一洗淨槽130a、第二洗淨槽130b、噴吹 槽132以及鍍覆單元110之間搬送基板。第二輸送機144被構成為在第一洗淨槽130a、第二洗淨槽130b、噴吹槽132以及鍍覆單元110之間搬送基板。鍍覆裝置亦可不具第二輸送機144而僅具備第一輸送機142。

在鍍覆單元110的兩側，配置有葉片驅動部160及葉片從動部162，葉片驅動部160及葉片從動部162位於各鍍覆槽內部，驅動葉片，該葉片做為攪拌鍍覆槽內的鍍覆液的攪混棒。

說明以此鍍覆裝置進行之一連串鍍覆處理的一例。首先，從搭載於匣盒台102之匣盒100，由基板搬送裝置122取出1個基板，並將基板搬送至對準器104。對準器104將定向平面及凹槽等位置對準預設方向。以此對準器104，對準方向的基板藉由基板搬送裝置122搬送至基板裝卸部120。

在基板裝卸部120中，藉由基板夾具搬送裝置140的第一輸送機142同時握持2個收容於暫存盒124內的基板夾具30，搬送至基板裝卸部120。然後，將2個基板夾具30同時水平載置於基板裝卸部120的載置板152上。在此狀態下，基板搬送裝置122搬送基板至各基板夾具30，並以基板夾具30保持搬送的基板。

然後，以基板夾具搬送裝置140的第一輸送機142同時握持2個保持了基板的基板夾具30，並收納於預濕槽126。接下來，藉由第一輸送機142將保持了以預濕槽126處理後的基板的基板夾具30，搬送至預浸槽128，以預浸槽128蝕刻基板上的氧化膜。接著，將保持了此基板的基板夾具30搬送至第一洗淨槽130a，以收納於此第一洗淨槽130a的純水清洗基板的表面。

保持了純水清洗結束後之基板的基板固持器30，藉由第二輸送機144，從第一洗淨槽130a搬送至鍍覆槽110，並收納於裝滿銦鍍覆液的鍍覆槽。第二輸送機144依序反覆進行上述程序，並將保持了基板之基板夾具30依序收納於鍍覆單元110的各個鍍覆槽中。

在各個鍍覆槽，在鍍覆槽內的陽極與基板之間施加鍍覆電壓，同時藉由葉片驅動部160及葉片從動部162使葉片與基板表面平行地往返移動，而在基板表面進行鍍覆。

鍍覆結束後，藉由第二輸送機144同時握持2個保持了鍍覆後的基板的基板夾具30，搬送至第二洗淨槽130b，使其浸漬在收容於第二洗淨槽130b的純水，以純水洗淨基板的表面。然後，藉由第二輸送機144搬送基板夾具30搬送至噴吹槽132，藉由吹送空氣等除去附著於基板夾具30之水滴。之後，藉由第一輸送機142搬送基板夾具30至基板裝卸部120。

基板裝卸部120是藉由基板搬送裝置122從基板夾具30取出處理後的基板，旋轉沖洗烘乾機106。旋轉沖洗烘乾機106藉由高速旋轉使鍍覆處理後的基板高速旋轉而乾燥。乾燥後的基板藉由基板搬送裝置122送回匣盒100。

第二圖是第一圖所示的鍍覆單元110的概略圖。如圖示，鍍覆單元110具有：鍍覆槽50，保持鍍覆液；管理槽60，用來控制鍍覆液中的銦金屬濃度；以及溶解槽70，用來溶解銦金屬於鍍覆液。鍍覆槽50收容陽極夾具40，保持圖未顯示的陽極；基板夾具30，保持圖未顯示的基板；以及葉片45，攪拌鍍覆槽50內的鍍覆液。

關於本實施形態的鍍覆槽50、管理槽60以及溶解槽70，收容包含銦離子的酸性鍍覆液。本實施形態的鍍覆液可採用硼氟化物浴、有機酸浴、酸性硫酸浴等。具體來說，例如鍍覆液包含5~7%的銦化合物、5~7%的有機酸、3~7%的無機酸、80~90%的水等。

如圖示，陽極夾具40與基板夾具30相對配置。葉片45被配置在陽極夾具40與基板夾具30之間，被構成為沿著基板的面在水平方向搖動。藉由在陽極與基板之間以圖未顯示的電源施加電壓，電流在陽極與基板之間經由鍍覆液流動，在基板形成銦鍍覆膜。關於本實施形態的陽極為例如以氧化銥塗布的鈦、以鉑塗布的鈦。

鍍覆槽50與管理槽60被構成為以圖未顯示的管路彼此流體連通。又，管理槽60與溶解槽70被構成為以圖未顯示的管路彼此流體連通。因此，鍍覆槽50經由管理槽60，與溶解槽70流體連通。在將鍍覆槽50、管理槽60以及溶解槽70彼此連接的管路，可設置開閉管路的閥、例如泵等的輸送鍍覆液的手段、調節管路中的鍍覆液溫度的溫度控制器、以及用來過濾管路中的鍍覆液的過濾器等。

如圖示，在包含收容於溶解槽70的銦離子的酸性鍍覆液，可浸漬銦金屬65。在本實施形態中，銦金屬65具有1mm以上20mm以下的粒徑的球狀形態。

接下來，說明關於在第二圖所示的鍍覆單元110進行銦鍍覆於基板的方法。首先，在鍍覆槽50、管理槽60以及溶解槽70，收容包含銦離子的酸性鍍覆液。接著，在鍍覆槽50，將保持陽極的陽極夾具40與保持基板的基板夾具30，彼此相對配置。藉由圖未顯示的電源對陽極與基板施加電壓，電流在陽極與基板之間流動，因被鍍覆於基板表面。

在對基板的鍍覆中，在鍍覆槽50與管理槽60之間，循環有鍍覆液，進行鍍覆液的溫度管理及鍍覆液的過濾等。隨著對基板的鍍覆進行，鍍覆槽50與管理槽60內的鍍覆液中的銦離子被消耗，銦濃度降低。因此，需要定期供給銦離子至鍍覆液。

如上述，以往已知供給銦離子至鍍覆液的複數個方法。但是，在供給銦濃縮溶液至鍍覆液的方法，鍍覆處理的運轉費用高，又，鍍覆液中的陰離子物種的濃度上升，可能對鍍覆液及鍍覆膜造成壞影響。在以電解溶解銦金屬的情況下，需要用於電解溶解的設備，有鍍覆裝置的結構變複雜的問題。又，如本實施形態，在使用不溶性陽極的情況下，不能以包含銦金屬的溶解性陽極供給銦離子至鍍覆液。對於這些以往的問題，本案發明人們發現藉由將銦金屬65浸漬於酸性鍍覆液，溶解銦金屬65於鍍覆液。

第三圖表示將銦金屬浸漬於酸性的銦鍍覆液時的相對於時間的銦金屬減少量的圖。具體來說，第三圖所示的圖表示，使金屬粒徑1mm以上20mm以下、金屬純度99.99%的銦金屬20克浸漬在溫度30℃的酸性鍍覆液1公升並攪拌時的銦金屬減少量。如第三圖所示，將銦金屬浸漬於酸性鍍覆液時，相對於銦金屬1克，一日的銦金屬減少量為0.26克/日。

第四圖表示將銦金屬浸漬於酸性的銦鍍覆液時的相對於時間的鍍覆液中的銦金屬濃度變化的圖。具體來說，第四圖所示的圖表示，與第三圖所示的圖相同的條件下的銦金屬濃度變化，即銦金屬溶解量。如第四圖所示，將銦金屬浸漬於酸性鍍覆液時，相對於銦金屬1克，一日的 鍍覆液的銦金屬溶解量為0.22克/日。

又，第三圖所示的銦金屬減少量，比第四圖所示的銦金屬溶解量更多。這被認為是因為相較於銦金屬，難以溶於鍍覆液的沈澱物，只產生了減少量和溶解量的差異。此沈澱物推測是銦金屬與鍍覆液的化合物。第三及四圖所示的減少量及溶解量被認為會因為增加投入鍍覆液的銦金屬量、增加投入鍍覆液的銦金屬表面積、使鍍覆液循環(使循環流量增加)、使攪拌速度增加以及提高鍍覆液溫度而增加。

如參照第三及四圖來說明，第二圖所示的銦金屬65藉由浸漬於溶解槽70中的酸性鍍覆液，不用對銦金屬65施加電壓而溶解銦金屬65。因此，溶解槽70中的鍍覆液的銦離子濃度，比管理槽60中的鍍覆液的銦離子濃度高。因此，使鍍覆液在管理槽60與溶解槽70之間循環，可提高管理槽60中的鍍覆液的銦離子濃度。又，因為在管理槽60與鍍覆槽50之間有鍍覆液循環，所以可提高鍍覆槽內的鍍覆液的銦離子濃度。舉例來說，例如，測量鍍覆槽50內的鍍覆液中的銦離子濃度，此銦離子濃度在預定值之下時，使鍍覆液在管理槽60與溶解槽70之間循環，溶解槽70內的鍍覆液可經由管理槽60供給至鍍覆槽50內。如此，在本實施形態，可供給銦離子至鍍覆槽50內的鍍覆液。

銦金屬65也可以在放入銦離子滲透的袋或籠等的狀態下浸漬於溶解槽70中。在此情況下，需要停止對管理槽60內的鍍覆液供給銦離子時，可從溶解槽70取出收容銦金屬65的袋或籠。或者是，藉由使管理槽60與溶解劑70之間的鍍覆液的循環停止，也可以停止對管理槽60供給銦離子。如此，可控制對管理槽60及鍍覆槽50供給的銦離子，容易調整鍍覆液中的銦離子濃度。

如以上所說明，在關於本實施形態的鍍覆裝置中，藉由浸漬銦金屬65於酸性鍍覆液，不用對銦金屬65施加電壓，可供給銦離子至鍍覆液。因此，可簡單且便宜地供給銦離子至鍍覆液。又，在本實施形態，因為可溶解銦金屬本身，所以可防止鍍覆液不需要的陰離子物種的濃度上升。

又，如本實施形態所說明，因為在溶解槽70，在浸漬銦金 屬65於鍍覆液的狀態下攪拌鍍覆液，所以可使銦金屬65的溶解速度增加。再者，在本實施形態中，使用具有1mm以上20mm以下的粒徑的球狀形態的銦金屬65。雖然當銦金屬65具有未滿1mm的粒徑時，單位體積的表面積變大，溶解容易度提昇，但粒徑小導致處理困難。又，當銦金屬65具有超過20mm的粒徑時，因為單位體積的表面積變小，所以溶解速度變得太小。

如關聯於第三及四圖所說明，使銦金屬65溶解於酸性鍍覆液時產生沈澱物。因為此沈澱物對鍍覆液的溶解速度相對慢，所以在溶解槽70產生的沈澱物，有經由管理槽60移動到鍍覆槽50的可能性。當像這樣的沈澱物附著於鍍覆槽50的基板，有對基板造成鍍覆不良的可能性。因此，較佳為防止溶解槽70所產生的沈澱物移動到鍍覆槽50。

第五圖表示關於其他實施形態的鍍覆單元110的溶解槽70的概略圖。在此鍍覆單元110所使用的鍍覆槽50及管理槽60，與第二圖所示的一樣。如第五圖所示，溶解槽70是由金屬溶解槽71與沈澱物沈澱槽72所構成。金屬溶解槽71與沈澱物沈澱槽72被隔壁76所分隔。又，如圖示，在金屬溶解槽71浸漬有銦金屬65。

來自管理槽60的鍍覆液，首先進入金屬溶解槽71。在金屬溶解槽71中，鍍覆液被攪拌，銦金屬65在鍍覆液溶解。此時，因為鍍覆液持續被攪拌，處於產生的沈澱物在金屬溶解槽71中的鍍覆液擴散的狀態。金屬溶解槽71中的鍍覆液與產生的沈澱物一起，藉由圖未顯示的泵等，被移送到沈澱物沈澱槽72。在沈澱物沈澱槽72中，因為鍍覆液未被攪拌，所以鍍覆液中的沈澱物沈澱。沈澱物沈澱槽72中的鍍覆液的上清液被圖未顯示的泵等移送到管理槽60。如此，第五圖所示的溶解槽70，可防止產生的沈澱物被移送到管理槽60及鍍覆槽50。

第六圖表示關於其他實施形態的鍍覆單元110的溶解槽70的概略圖。在此鍍覆單元110所使用的鍍覆槽50及管理槽60，與第二圖所示的一樣。第六圖所示的溶解槽70，具有：溶解槽本體74以及設於溶解槽本體74內部的個別槽73。個別槽73，其內部浸漬有銦金屬65，例如是以離子交換膜包圍篩孔金屬所構成的籠來構成。

來自管理槽60的鍍覆液，首先進入個別槽73。在個別槽73中，銦金屬65溶解於鍍覆液。又，此時，也可以攪拌個別槽73內的鍍覆液。個別槽73的鍍覆液中的銦離子，可通過離子交換膜移動到溶解槽本體74內的鍍覆液。另一方面，因為在個別槽73內所產生沈澱物，不能通過離子交換膜，所以留在個別槽73內。溶解槽本體74內的銦濃度增加的鍍覆液，被圖未顯示的泵等移送到管理槽60。如此，第六圖所示的溶解槽70，可防止已產生的沈澱物被移送到管理槽60及鍍覆槽50。

第七圖表示關於其他實施形態的鍍覆單元110的溶解槽70的概略圖。第七圖所示的溶解槽70，相較於第六圖所示的溶解槽70，只在設有泵75這點不同。具體來說，第七圖所示的溶解槽70，是以泵75進行將溶解槽本體74內的鍍覆液送回個別槽73的處理。藉此，可防止沈澱物移動到管理槽60及鍍覆槽50，並使鍍覆液在溶解槽本體74與個別槽73之間循環，提昇個別槽73的銦金屬溶解速度。

以上，說明了關於本發明的實施形態，但上述發明的實施形態是用來使本發明的理解變容易，並非限定本發明。本發明再不脫離其要旨下可變更、改良，本發明當然包含其均等物。又，在可解決上述課題的至少一部分的範圍，或達成至少一部分效果的範圍內，可任意組合或省略申請專利範圍及說明書所記載的各構成要素。

以下，記載著本說明書揭露的數個形態。

根據第一形態，提供一種鍍覆方法，是供給銦離子至用不溶性陽極的電鍍的鍍覆液，用該鍍覆液鍍覆基板。此方法的步驟具有：準備鍍覆裝置，鍍覆裝置具有：鍍覆槽，被構成為相面對地收容前述不溶性陽極與基板；以及銦金屬溶解槽，與前述鍍覆槽流體連通；準備酸性的鍍覆液；將銦金屬浸漬於收容在前述銦金屬溶解槽的前述鍍覆液，不施加電壓於前述銦金屬，來溶解銦金屬於前述鍍覆液；以及供給溶解有前述銦金屬的銦金屬溶解槽的鍍覆液至前述鍍覆槽。

根據第一形態，藉由將銦金屬浸漬於酸性鍍覆液，可供給銦離子至鍍覆液來鍍覆。因此，可簡單且便宜地供給銦離子至鍍覆液。又，因為可溶解銦金屬本身，所以可防止鍍覆液不需要的陰離子物種的濃度上 升。

根據第二形態，在第一形態的方法中，其步驟更具有：在前述銦金屬溶解槽，攪拌浸漬了前述銦金屬的前述鍍覆液。根據第二形態，可使銦金屬的溶解速度增加。

根據第三形態，在第一形態或第二形態的方法中，前述銦金屬具有1mm以上20mm以下的粒徑。雖然當銦金屬具有未滿1mm的粒徑時，單位體積的表面積變大，溶解容易度提昇，但粒徑小導致處理困難。又，當銦金屬具有超過20mm的粒徑時，因為單位體積的表面積變小，所以溶解速度變得太小。因此，根據第三形態，可維持充分的處理容易度與溶解速度。

根據第四形態，從第一形態到第三形態的任一方法中，其步驟更具有：在前述銦金屬溶解槽，從浸漬有前述不溶性陽極及基板的鍍覆液，分離前述銦金屬溶解於前述鍍覆液時產生的沈澱物。根據第四形態，因為銦金屬溶解於鍍覆液時所產生的沈澱物，從浸漬有基板的鍍覆液分離，所以可防止沈澱物附著於基板產生的鍍覆不良。

根據第五形態，從第一形態到第四形態的任一方法中，供給銦金屬溶解槽的鍍覆液至前述鍍覆槽的步驟，包含：在前述鍍覆槽內的鍍覆液中的銦離子濃度比預定值少時，供給溶解有前述銦金屬的銦金屬溶解槽的鍍覆液至前述鍍覆槽。

根據第六形態，提供一種鍍覆裝置。此鍍覆裝置具有：鍍覆槽，被構成為相面對地收容不溶性陽極與基板；以及銦金屬溶解槽，與前述鍍覆槽流體連通。前述銦金屬溶解槽被構成為保持不施加電壓而溶解有銦金屬的鍍覆液。

30:基板夾具

40:陽極夾具

45:葉片

50:鍍覆槽

60:管理槽

65:銦金屬

70:溶解槽

110:鍍覆單元

Claims (6)

1. 一種銦鍍覆方法，將銦離子供給至使用不溶性陽極之電鍍的鍍覆液，使用該鍍覆液銦鍍覆基板，具有下列步驟：準備鍍覆裝置，其中該鍍覆裝置具有：鍍覆槽，被構成為相面對地收容前述不溶性陽極與基板；及銦金屬溶解槽，與前述鍍覆槽流體連通；準備酸性的鍍覆液；將銦金屬浸漬於收容在前述銦金屬溶解槽的前述鍍覆液，不施加電壓於前述銦金屬，來將銦金屬溶解於前述鍍覆液；以及將溶解有前述銦金屬之銦金屬溶解槽的鍍覆液供給至前述鍍覆槽。
2. 如申請專利範圍第1項所述的銦鍍覆方法，其中更具有一步驟：在前述銦金屬溶解槽，攪拌浸漬了前述銦金屬的前述鍍覆液。
3. 如申請專利範圍第1項所述的銦鍍覆方法，其中前述銦金屬具有1mm以上20mm以下的粒徑。
4. 如申請專利範圍第1項所述的銦鍍覆方法，其中更具有一步驟：在前述銦金屬溶解槽，從浸漬有前述不溶性陽極及基板的鍍覆液中，將前述銦金屬溶解於前述鍍覆液時所產生的沈澱物分離出來。
5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項所述的銦鍍覆方法，其中將銦金屬溶解槽的鍍覆液供給至前述鍍覆槽的步驟，更包含下列步驟：在前述鍍覆槽內的鍍覆液中之銦離子濃度比預定值少時，將溶解有前述銦金屬之銦金屬溶解槽的鍍覆液供給至前述鍍覆槽。
6. 如申請專利範圍第1項所述的銦鍍覆方法，其中準備酸性的鍍覆液的步驟，更包含下列步驟：將前述鍍覆液供給至前述鍍覆槽及前述銦金屬溶解槽，並將前述基板的待鍍覆面浸漬於位於前述鍍覆槽的前述鍍覆液之液面下方。

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