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TWI777568B - 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置 - Google Patents

發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置 Download PDF

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TWI777568B
TWI777568B TW110118316A TW110118316A TWI777568B TW I777568 B TWI777568 B TW I777568B TW 110118316 A TW110118316 A TW 110118316A TW 110118316 A TW110118316 A TW 110118316A TW I777568 B TWI777568 B TW I777568B
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layer
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瀬尾哲史
石曽根崇浩
大澤信晴
野中裕介
佐佐木俊毅
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日商半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

本發明的目的是提高發光元件的發光效率。一種在一對電極之間夾有EL層的發光元件，EL層包括第一發光層、第二發光層，第一發光層包含螢光材料及主體材料，第二發光層包含磷光材料、第一有機化合物及第二有機化合物，第二發光層的發射光譜在黃色的波長區域中具有峰值，第一有機化合物和第二有機化合物形成激態錯合物。

Description

發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
本發明的一個方式係關於一種將藉由施加電場來獲得發光的發光層夾在一對電極之間而成的發光元件或者包括該發光元件的發光裝置、電子裝置以及照明設備。
注意，本發明的一個方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個方式的技術領域關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個方式關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。因此，明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個方式的技術領域的例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明設備、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法或它們的製造方法。
近年來，對利用使用有機化合物的電致發光 (EL：Electroluminescence)的發光元件(有機EL元件)的研究開發日益火熱。在這些發光元件的基本結構中，在一對電極之間夾有包含發光物質的有機化合物層(EL層)。藉由對該元件施加電壓，可以獲得來自發光物質的發光。
在一對電極之間設置有包含有機化合物的層的發光元件被稱為有機電場發光元件，包括上述發光元件的發光裝置被稱為有機電場發光裝置。可以將有機電場發光裝置應用於顯示裝置或照明設備等(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2012-186461號公報
本發明的一個方式的目的之一是提高發光元件的發光效率。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的半導體裝置、新穎的發光元件、新穎的發光裝置。注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。另外，上述以外的目的可明顯從說明書、圖式及權利要求等的記載看出，且可以從說明書、圖式及權利要求等的記載中抽出上述以外的目的。
本發明的一個方式是一種在一對電極之間夾有EL層的發光元件，EL層包括第一發光層、第二發光 層，第一發光層包含螢光材料及主體材料，第二發光層包含磷光材料、第一有機化合物及第二有機化合物，第二發光層的發射光譜在黃色的波長區域中具有峰值，第一有機化合物和第二有機化合物形成激態錯合物。
在上述結構中，第二發光層所包含的磷光材料較佳為一種。
在上述各結構中，能量較佳為從激態錯合物轉移到磷光材料。
在上述各結構中，主體材料的單重態激發能階較佳為比螢光材料的單重態激發能階大，並且主體材料的三重態激發能階較佳為比螢光材料的三重態激發能階小。
在上述各結構中，主體材料的三重態激發能階較佳為比第一有機化合物及第二有機化合物的三重態激發能階小。
在上述各結構中，較佳為第一發光層和第二發光層具有第一發光層和第二發光層互相接觸的區域。
在上述各結構中，較佳為第一發光層和第二發光層具有第一發光層和第二發光層互相分開的區域。當具有其中第一發光層和第二發光層互相分開的區域時，較佳為在第一發光層和第二發光層之間具有混合有電洞傳輸性材料和電子傳輸性材料的層。
在上述各結構中，第二發光層較佳為設置在第一發光層上。
另外，本發明的另一個方式是一種包括具有上述各結構的發光元件、電晶體或基板的發光裝置。
注意，本說明書等中的發光裝置包括使用發光元件的影像顯示裝置。此外，發光裝置有時包括在如下模組中：在發光元件中安裝有連接器諸如FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)的模組；在發光元件中安裝有各向異性導電薄膜或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)的模組；在TCP的端部設置有印刷線路板的模組；或者藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式在發光元件上直接安裝有IC(積體電路)的模組。
另外，本發明的另一個方式是一種包括具有上述結構的發光裝置、外部連接埠、鍵盤、操作按鈕、揚聲器或麥克風的電子裝置。另外，本發明的另一個方式是一種包括具有上述結構的模組、外部連接埠、鍵盤、操作按鈕、揚聲器或麥克風的電子裝置。另外，本發明的另一個方式是一種包括具有上述結構的發光裝置及外殼的照明設備。
根據本發明的一個方式可以提高發光元件的發光效率。另外，根據本發明的一個方式可以提供一種新穎的半導體裝置、新穎的發光元件、新穎的發光裝置。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。另外，從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載可明 顯看出這些效果外的效果，從而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中抽出除這些效果外的效果。
100:發光元件
101:電極
102:電極
111:電洞注入層
112:電洞傳輸層
113:發光層
114:發光層
115:電子傳輸層
116:電子注入層
120:分離層
130:EL層
131:發光單元
132:發光單元
133:電荷產生層
140:發光元件
150:發光元件
160:發光元件
170:發光元件
500:玻璃基板
501:電極
502:電極
511:電洞注入層
512:電洞傳輸層
513:發光層
514:發光層
515(1):電子傳輸層
515(2):電子傳輸層
516:電子注入層
520:分離層
550:密封基板
552:彩色層
600:發光裝置
601:源極線驅動電路部
602:像素部
603:閘極線驅動電路部
604:密封基板
605:密封材料
607:區域
608:佈線
609:FPC
610:元件基板
611:FET
612:FET
613:電極
614:絕緣物
616:EL層
617:電極
618:發光元件
623:FET
624:FET
801:像素電路
802:像素部
804:驅動電路部
804a:閘極驅動器
804b:源極驅動器
806:保護電路
807:端子部
852:電晶體
854:電晶體
862:電容元件
872:發光元件
1001:基板
1002:基底絕緣膜
1003:閘極絕緣膜
1006:閘極電極
1007:閘極電極
1008:閘極電極
1020:層間絕緣膜
1021:層間絕緣膜
1022:電極
1024B:電極
1024G:電極
1024R:電極
1024Y:電極
1025:分隔壁
1026:電極
1028:EL層
1029:電極
1031:密封基板
1032:密封材料
1033:基材
1034B:彩色層
1034G:彩色層
1034R:彩色層
1034Y:彩色層
1035:黑色層
1036:覆蓋層
1037:層間絕緣膜
1040:像素部
1041:驅動電路部
1042:周邊部
8000:顯示模組
8001:上蓋
8002:下蓋
8003:FPC
8004:觸控面板
8005:FPC
8006:顯示面板
8009:框架
8010:印刷基板
8011:電池
8501:照明設備
8502:照明設備
8503:照明設備
8504:照明設備
9000:外殼
9001:顯示部
9003:揚聲器
9005:操作鍵
9006:連接端子
9007:感測器
9008:麥克風
9050:操作按鈕
9051:資訊
9052:資訊
9053:資訊
9054:資訊
9055:鉸鏈
9100:可攜式資訊終端
9101:可攜式資訊終端
9102:可攜式資訊終端
9200:可攜式資訊終端
9201:可攜式資訊終端
在圖式中：
圖1A和圖1B是說明本發明的一個方式的發光元件的剖面示意圖；
圖2A和圖2B是說明發光層中的能階相關的圖；
圖3是說明發光層中的能階相關的圖；
圖4A和圖4B是說明本發明的一個方式的發光元件的剖面示意圖；
圖5是說明本發明的一個方式的發光元件的剖面示意圖；
圖6A和圖6B是說明本發明的一個方式的發光裝置的俯視圖及剖面圖；
圖7A和圖7B是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；
圖8是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；
圖9A和圖9B是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；
圖10A和圖10B是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；
圖11A和圖11B是說明本發明的一個方式的顯示裝置的方塊圖及電路圖；
圖12是說明顯示模組的透視圖；
圖13A至圖13G是說明電子裝置的圖；
圖14是說明照明設備的圖；
圖15A和圖15B是說明實施例1至實施例3的發光元件的元件結構的剖面示意圖；
圖16A和圖16B是說明實施例1的發光元件的電流密度-亮度特性及電壓-亮度特性的圖；
圖17A和圖17B是說明實施例1的發光元件的亮度-功率效率特性及亮度-電流效率特性的圖；
圖18是說明實施例1的發光元件的發射光譜的圖；
圖19A和圖19B是說明實施例2的發光元件的電流密度-亮度特性及電壓-亮度特性的圖；
圖20A和圖20B是說明實施例2的發光元件的亮度-功率效率特性及亮度-電流效率特性的圖；
圖21是說明實施例2的發光元件的發射光譜的圖；
圖22A和圖22B是說明實施例3的發光元件的電流密度-亮度特性及電壓-亮度特性的圖；
圖23A和圖23B是說明實施例3的發光元件的亮度-功率效率特性及亮度-電流效率特性的圖；
圖24是說明實施例3的發光元件的發射光譜的圖；
圖25是說明實施例4的發光元件的元件結構的剖面示意圖；
圖26A和圖26B是說明實施例4的發光元件的電流密度-亮度特性及電壓-亮度特性的圖；
圖27是說明實施例4的發光元件的發射光譜的圖；
圖28是說明實施例5的發光元件11的亮度-外部量子效率特性的圖；
圖29是說明實施例5的發光元件11的發射光譜的圖；
圖30是說明實施例5的發光元件11的可靠性的圖；
圖31是說明實施例5的發光元件12的亮度-外部量子效率特性的圖；
圖32是說明實施例5的發光元件12的發射光譜的圖；
圖33是說明實施例5的發光元件12的可靠性的圖。
以下，參照圖式詳細地說明本發明的實施方式。注意，本發明的一個方式不侷限於以下的描述並且在不偏離本發明的精神和範圍的情況下可以用多種方式修改本發明的模式和細節。因此，本發明的一個方式不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。
另外，為了便於理解，有時在圖式等中示出的各結構的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
在本說明書等中，為了方便起見，附加了第一、第二等序數詞，而其並不表示製程順序或疊層順序。 因此，例如可以將“第一”適當地替換為“第二”或“第三”等來進行說明。此外，本說明書等中所記載的序數詞與用於指定本發明的一個方式的序數詞有時不一致。
注意，在本說明書等中，當利用圖式說明發明的結構時，在不同的圖式中共同使用表示相同部分的元件符號。
注意，在本說明書等中，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”調換為“導電膜”。另外，有時可以將“絕緣膜”調換為“絕緣層”。
在本說明書等中，螢光材料是指在從單重激發態的最低能階(S1能階)返回到基態時在可見光區域發光的材料。磷光材料是指在從三重激發態的最低能階(T1能階)返回到基態時在室溫下在可見光區域發光的材料。換言之，磷光材料是指可以將三重態激發能轉換為可見光的材料。
在本說明書等中，藍色光在420nm以上且480nm以下的藍色的波長區域中具有至少一個發射光譜峰值，綠色光在500nm以上且小於550nm的綠色的波長區域中具有至少一個發射光譜峰值，黃色光在550nm以上且590nm以下的黃色的波長區域中具有至少一個發射光譜峰值，紅色光在600nm以上且740nm以下的紅色的波長區域中具有至少一個發射光譜峰值。
實施方式1
以下，使用圖1A和圖1B對本發明的一個方式的發光元件進行說明。圖1A是本發明的一個方式的發光元件100的剖面示意圖，圖1B是本發明的一個方式的發光元件140的剖面示意圖。
圖1A所示的發光元件100具有在一對電極(第一電極101及第二電極102)之間夾著EL層130的結構。EL層130包括第一發光層113及第二發光層114。在發光元件100中，示出電洞注入層111、電洞傳輸層112、電子傳輸層115及電子注入層116作為EL層130的一部分，但這些疊層結構是一個例子，本發明的一個方式的發光元件中的EL層130的結構不侷限於此。注意，在發光元件100中，第一電極101被用作陽極，第二電極102被用作陰極。
第一發光層113包含螢光材料及主體材料。第一發光層113的發射光譜較佳為在藍色的波長區域具有峰值。第二發光層114包含磷光材料、第一有機化合物及第二有機化合物。第二發光層114的發射光譜較佳為在黃色的波長區域具有峰值。第二發光層114所包含的磷光材料較佳為一種。第一有機化合物和第二有機化合物形成激態錯合物(也稱為激態錯合物)。第一有機化合物和第二有機化合物中的一個被用作第二發光層114的主體材料，第一有機化合物和第二有機化合物中的另一個被用作第二發光層114的輔助材料。注意，在以下的說明中，假設第 一有機化合物是主體材料且第二有機化合物是輔助材料而進行說明。
藉由作為第一發光層113及第二發光層114採用上述結構，可以高效地得到來自第一發光層113的螢光材料的發光(這裡指在藍色的波長區域具有峰值的發光)、來自第二發光層114的磷光材料的發光(這裡指在黃色的波長區域具有峰值的發光)。
第一發光層113的主體材料的T1能階較佳為比第二發光層114中的第一有機化合物及第二有機化合物的T1能階小。在第一發光層113中，較佳為主體材料的S1能階比螢光材料的S1能階大，且主體材料的T1能階比螢光材料的T1能階小。
在第二發光層114中的第一有機化合物和第二有機化合物的組合只要為能夠形成激態錯合物的組合即可，較佳為一個有機化合物為具有電洞傳輸性的材料，另一個有機化合物為具有電子傳輸性的材料。此時，容易形成施體-受體型的激發態，由此可以高效率地形成激態錯合物。另外，當使用具有電洞傳輸性的材料和具有電子傳輸性的材料的組合構成第一有機化合物和第二有機化合物的組合時，按照其混合比例可以容易控制載子平衡。明確而言，混合比例較佳為如下：具有電洞傳輸性的材料：具有電子傳輸性的材料=1：9至9：1(重量比)。此外，具有該結構的發光元件100可以容易控制載子平衡，所以也可以容易控制再結合區域。
在發光元件100中，載子的再結合區域較佳為具有一定程度的分佈。為此，在第一發光層113或第二發光層114中較佳為具有適當的載子俘獲性，尤其是，第二發光層114中的磷光材料較佳為具有電子俘獲性。
另外，發光元件100較佳為採用如下結構：與來自第二發光層114的發光的峰值相比，來自第一發光層113的發光的峰值更靠近短波長一側。使用呈現短波長的發光的磷光材料的發光元件有亮度劣化快的趨勢。於是，藉由作為短波長的發光採用螢光發光可以提供一種亮度劣化小的發光元件。
在發光元件100中，因為以相接觸的方式層疊第一發光層113和第二發光層114，所以用來形成EL層130的層的個數少，而生產率高。
另外，藉由使第一發光層113和第二發光層114發射彼此不同的發光波長的光，發光元件100可以成為多色發光的元件。由於合成具有不同的發光峰值的光，因此發光元件100的發射光譜成為具有至少兩個峰值的發射光譜。
另外，發光元件100適合用來獲得白色發光。藉由使第一發光層113與第二發光層114的光為互補色的關係，可以獲得白色發光。
另外，藉由將發光波長不同的多個發光物質用於第一發光層113，也可以得到由三原色或四種以上的發光顏色構成的演色性高的白色發光。在此情況下，也可 以將第一發光層113進一步分割為層狀並使該被分割的層的每一個含有不同的發光材料。
〈第二發光層的發光機制〉
在此，圖2A示出第二發光層114中的第一有機化合物、第二有機化合物、磷光材料之間的能階相關。圖2A中的記載及符號表示的是如下：
．Host(主體)：第一有機化合物
．Assist(輔助)：第二有機化合物
．Guest(客體)：磷光材料
．SPH：主體材料(第一有機化合物)的單重激發態的最低能階
．TPH：主體材料(第一有機化合物)的三重激發態的最低能階
．TPG：客體材料(磷光材料)的三重激發態的最低能階
．SE：激態錯合物的單重激發態的最低能階
．TE：激態錯合物的三重激發態的最低能階
在本發明的一個方式的發光元件100中，第二發光層114中的第一有機化合物和第二有機化合物形成激態錯合物。激態錯合物的單重激發態的最低能階(SE)和激態錯合物的三重激發態的最低能階(TE)相鄰(參照圖2A的Route A)。
激態錯合物是由兩種物質構成的激發態，在 是光激發的情況下，激態錯合物藉由處於激發態的一個分子吸引處於基態的另一個物質而形成。當藉由發射光處於基態時，形成激態錯合物的兩種物質分別恢復原來的物質的作用。在是電激發的情況下，當一個物質的陽離子分子(電洞)和另一個物質的陰離子分子(電子)接近時可以形成激態錯合物。就是說，在電激發中，任何分子都可以形成激態錯合物而不形成激發態，因此可以實現驅動電壓的降低。而且，當激態錯合物的(SE)能量和(TE)能量轉移到客體材料(磷光材料)的三重激發態的最低能階時可以得到發光(參照圖2A的Route B)。
注意，在本說明書等中，將上述Route A及Route B的過程稱為ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer：激態錯合物-三重態能量轉移)。如上所述，在本發明的一個方式的發光元件中，能量可以從激態錯合物轉移到磷光材料(客體材料)。
第一有機化合物和第二有機化合物中的一個接收電洞，第一有機化合物和第二有機化合物中的另一個接收電子，當電洞和電子互相接近時，迅速形成激態錯合物。或者，當一個物質處於激發態時，迅速吸引另一個物質而形成激態錯合物。因此，第二發光層114中的大部分的激子作為激態錯合物存在。因為激態錯合物的能帶間隙比第一有機化合物及第二有機化合物小，所以當電洞和電子的再結合形成激態錯合物時，可以降低驅動電壓。
〈第一發光層的發光機制〉
在第一發光層113中，由於載子的再結合而形成激發態。第一發光層113包含主體材料及螢光材料。因為主體材料比螢光材料更多，所以激發態幾乎作為主體材料的激發態存在。由於載子的再結合而產生的單重激發態與三重激發態的比例(以下，稱為激子生成機率)為大約1：3。
首先，將說明主體材料的T1能階比客體材料的T1能階高的情況。
能量從主體材料的三重激發態轉移到客體材料(三重態能量轉移)。但是，因為客體材料是螢光材料，所以三重激發態不給可見光區域給予發光。因此，不能將主體材料的三重激發態用作發光。因此，當主體材料的T1能階比客體材料的T1能階高時，在所注入的載子中，能夠用於發光的載子至多只有25%左右。
接著，圖2B示出本發明的一個方式的第一發光層113中的主體材料和螢光材料之間的能階相關。圖2B中的記載及符號表示的是如下：
．Host(主體)：主體材料
．Guest(客體)：螢光材料
．SFH：主體材料的單重激發態的最低能階
．TFH：主體材料的三重激發態的最低能階
．SFG：客體材料(螢光材料)的單重激發態的最低能階
．TFG：客體材料(螢光材料)的三重激發態的最低能 階
如圖2B所示，客體材料的T1能階(圖2B中的TFG)比主體材料的T1能階(圖2B中的TFH)高。
另外，如圖2B所示，三重態-三重態消滅(TTA：Triplet-Triplet Annihilation)導致三重態激子相碰撞，因此其一部分被轉換為主體材料的單重激發態的最低能階(SFH)。能量從主體材料的單重激發態的最低能階(SFH)移動到能階更低的客體材料(螢光材料)的單重激發態的最低能階(SFG)(參照圖2B的Route C)，由此螢光材料發射光。
注意，因為主體材料的T1能階比客體材料的T1能階小，所以TFG不失活而轉移到TFH(參照圖2B所示的Route D)，被用於TTA。
〈第一發光層及第二發光層的發光機制〉
上面說明了第一發光層113及第二發光層114的每一個的發光機制。在本發明的一個方式的發光元件100中，即使在第一發光層113和第二發光層114之間的介面產生從激態錯合物到第一發光層113的主體材料的能量轉移(尤其是，三重態激發能階的能量轉移)也可以在第一發光層113中將上述三重態激發能轉換為發光。
明確而言，圖3示出在第一發光層113中使用TTA，在第二發光層114中使用ExTET時的能階相關。圖3中的記載及符號表示的是如下：
．Fluorescence EML：螢光發光層(第一發光層113)
．Phosphorescence EML：磷光發光層(第二發光層114)
．TFH：主體材料的三重激發態的最低能階
．SFG：客體材料(螢光材料)的單重激發態的最低能階
．TFG：客體材料(螢光材料)的三重激發態的最低能階
．SPH：主體材料(第一有機化合物)的單重激發態的最低能階
．TPH：主體材料(第一有機化合物)的三重激發態的最低能階
．TPG：客體材料(磷光材料)的三重激發態的最低能階
．SE：激態錯合物的單重激發態的最低能階
．TE：激態錯合物的三重激發態的最低能階
如圖3所示，激態錯合物只處於激發態，因此不容易產生激態錯合物和激態錯合物之間的激子擴散。激態錯合物的激發能階(SE、TE)比第二發光層114的第一有機化合物(即，磷光材料的主體材料)的激發能階(SPH、TPH)低，因此不發生從激態錯合物向第一有機化合物的能量擴散。就是說，在磷光發光層(第二發光層114)中，激態錯合物的激子擴散距離短，因此可以保持磷光發光層(第二發光層114)的發光效率。即使磷光發 光層(第二發光層114)的激態錯合物的三重態激發能的一部分通過螢光發光層(第一發光層113)和磷光發光層(第二發光層114)之間的介面擴散到螢光發光層(第一發光層113)中，也由於該擴散所引起的螢光發光層(第一發光層113)的三重態激發能利用TTA發光而可以減少能量損失。
如上所述，本發明的一個方式的發光元件藉由在第二發光層114中利用ExTET且在第一發光層113中利用TTA，可以得到超過激子生成機率的發光效率。因此，可以提供一種效率高的發光元件。
在圖1A中，第一發光層113設置在用作陽極的第一電極101一側，第二發光層114設置在用作陰極的第二電極102一側，但是該疊層順序也可以相反。明確而言，如圖1B的發光元件140所示，第一發光層113設置在用作陰極的電極一側，第二發光層114設置在用作陽極的電極一側。換言之，發光元件140具有在第二發光層114上設置有第一發光層113的結構。
當採用發光元件140所示的結構時，在採用微腔結構(後述)的情況下，可以容易調節第二發光層114及/或第一發光層113的光程長，所以是較佳的。
在此，以下說明本發明的一個方式的發光元件100的各結構的詳細內容。
〈電極〉
第一電極101具有對第一發光層113和第二發光層114注入電洞的功能，第二電極102具有對第一發光層113和第二發光層114注入電子的功能。這些電極可以使用金屬、合金、導電性化合物以及它們的混合物或疊層體等形成。金屬的典型例子是鋁，除此之外，可以使用銀、鎢、鉻、鋁、銅、鈦等過渡金屬、鋰或銫等鹼金屬、鈣或鎂等第2族金屬。作為過渡金屬，也可以使用稀土金屬。作為合金，可以使用包括上述金屬的合金，例如可以舉出MgAg、AlLi等。作為導電性化合物，可以舉出氧化銦-氧化錫(Indium Tin Oxide)等金屬氧化物。作為導電性化合物也可以使用石墨烯等無機碳類材料。如上所述，可以藉由層疊多個這些材料形成第一電極101、第二電極102中的一個或兩個。
從第一發光層113及第二發光層114發射的光透過第一電極101、第二電極102中的一個或兩個被提取。因此，這些電極中的至少一個使可見光透過。當將金屬或合金等透光性低的材料用於提取光的電極時，以能夠使可見光透過的程度的厚度形成第一電極101、第二電極102或其一部分。此時，具體的厚度是1nm至10nm。
〈第一發光層〉
第一發光層113包含主體材料及螢光材料。在第一發光層113中，主體材料的重量比最大，螢光材料分散在主體材料中。較佳為主體材料的S1能階比螢光材料的S1能 階大，主體材料的T1能階比螢光材料的T1能階小。
主體材料較佳為蒽衍生物或稠四苯衍生物。因為這些衍生物的S1能階大且T1能階小。明確而言，可以舉出9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(PCPN)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(CzPA)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(cgDBCzPA)、6-[3-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃(2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9H-茀-9-基)-聯苯-4’-基}-蒽(FLPPA)等。或者，可以舉出5,12-二苯基稠四苯、5,12-雙(聯苯-2-基)稠四苯等。
作為螢光材料，可以舉出芘衍生物、蒽衍生物、聯伸三苯衍生物、茀衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹
Figure 110118316-A0101-12-0019-79
啉衍生物、喹
Figure 110118316-A0101-12-0019-80
啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物等。尤其是芘衍生物的發光量子產率高，所以是較佳的。作為芘衍生物的具體例子，可以舉出N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙〔3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基〕芘-1,6-二胺(1,6mMemFLPAPrn)、N,N’-雙〔4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基〕-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(1,6FLPAPrn)、N,N’-雙(二苯并呋喃-2-基)-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(1,6FrAPrn)、N,N’-雙(二苯并噻吩-2-基)-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(1,6ThAPrn)等。
〈第二發光層〉
第二發光層114包含第一有機化合物、第二有機化合物、磷光材料。在此，假設第一有機化合物是主體材料且第二有機化合物是輔助材料而進行說明。
在第二發光層114中，主體材料(第一有機化合物)的重量比最大，磷光材料分散在主體材料中。第二發光層114的主體材料(第一有機化合物)的T1能階較佳為比第一發光層113的螢光材料的T1能階大。
作為磷光材料可以舉出銥、銠、鉑類有機金屬錯合物或金屬錯合物，其中較佳的是有機銥錯合物，例如銥類鄰位金屬錯合物。作為鄰位金屬化的配體，可以舉出4H-三唑配體、1H-三唑配體、咪唑配體、吡啶配體、嘧啶配體、吡嗪配體或異喹啉配體等。作為金屬錯合物可以舉出具有卟啉配體的鉑錯合物等。
磷光材料較佳為在黃色的波長區域具有峰值的材料。該在黃色的波長區域具有峰值的材料的發射光譜較佳為在綠色及紅色的波長區域包含光譜成分。
作為主體材料(第一有機化合物)，除了鋅、鋁類金屬錯合物以外還可以舉出
Figure 110118316-A0101-12-0020-85
二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹
Figure 110118316-A0101-12-0020-83
啉衍生物、二苯并喹
Figure 110118316-A0101-12-0020-84
啉衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、吡啶衍生物、聯吡啶衍生物、啡啉衍生物等。作為其他例子，可以舉出芳族胺或咔唑衍生物 等。
作為第二有機化合物(輔助材料)使用可以與第一有機化合物形成激態錯合物的物質。較佳為以激態錯合物的發光峰值與磷光材料的三重MLCT(從金屬到配位體的電荷轉移：Metal to Ligand Charge Transfer)躍遷的吸收帶(明確而言，最長波長一側的吸收帶)重疊的方式選擇第一有機化合物、第二有機化合物及磷光材料。因此可以提供一種發光效率得到顯著提高的發光元件。注意，在使用熱活化延遲螢光(Thermally activated delayed fluorescence：TADF)材料代替磷光材料的情況下，最長波長一側的吸收帶較佳為單重態的吸收帶。注意，將在後面說明TADF材料。
對第一發光材料和第二發光材料的發光顏色沒有限制，可以相同或不同。來自各材料的發光被混合並提取到元件的外部，因此例如當兩個發光顏色為互補色的關係時，發光元件可以發射白色光。當考慮發光元件的可靠性時，第一發光材料的發光峰值波長較佳為比第二發光材料短。例如，較佳為第一發光材料發射藍色光，第二發光材料發射黃色光。
〈其它層〉
如圖1A所示，本發明的一個方式的發光元件100也可以包括上述第一發光層113、第二發光層114以外的層。例如，也可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻 擋層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等。這些層的每一個也可以使用多個層形成。這些層可以降低載子注入能障、提高載子傳輸性或抑制電極所導致的淬滅現象，並且有助於發光效率的提高或驅動電壓的降低。這些層可以使用蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、印刷法(例如，凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法、平板印刷法、孔版印刷法等)、噴墨法和塗佈法等方法中的一個或組合形成。
〈電洞注入層〉
電洞注入層111具有藉由降低來自第一電極101的電洞注入能障促進電洞注入的功能，並例如使用過渡金屬氧化物、酞青衍生物或芳族胺等形成。作為過渡金屬氧化物可以舉出鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。作為酞青衍生物，可以舉出酞青或金屬酞青等。作為芳族胺，可以舉出聯苯胺衍生物或伸苯基二胺衍生物等。也可以使用聚噻吩或聚苯胺等高分子化合物，典型的是：作為被自摻雜的聚噻吩的聚(乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)等。
作為電洞注入層111，可以使用由電洞傳輸性材料和具有接收來自電洞傳輸性材料的電子的特性的材料構成的複合材料。或者，也可以使用包含呈現電子接收性的材料的層與包含電洞傳輸性材料的層的疊層。在定態或者在存在有電場的狀態下，電荷的授受可以在這些材料之 間進行。作為呈現電子接收性的材料，可以舉出醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物、六氮雜聯伸三苯衍生物等有機受體。也可以使用過渡金屬氧化物、例如第4族至第8族金屬的氧化物。明確而言，可以使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸等。特別較佳為使用氧化鉬，因為其在大氣中也穩定，吸濕性低，並且容易處理。
作為電洞傳輸性材料，可以使用電洞傳輸性比電子傳輸性高的材料，較佳為使用具有1×10-6cm2/Vs以上的電洞移動率的材料。明確而言，可以使用芳族胺、咔唑衍生物、芳烴、二苯乙烯衍生物等。上述電洞傳輸性材料也可以是高分子化合物。
〈電洞傳輸層〉
電洞傳輸層112是包含電洞傳輸性材料的層，可以使用作為電洞注入層111的材料例示出的材料。電洞傳輸層112具有將注入到電洞注入層111的電洞傳輸到第一發光層113的功能，所以較佳為具有與電洞注入層111的高佔據分子軌域(HOMO)能階相同或接近的HOMO能階。
〈電子傳輸層〉
電子傳輸層115具有將從第二電極102經過電子注入層116注入的電子傳輸到第二發光層114的功能。作為電子傳輸性材料，可以使用電子傳輸性比電洞傳輸性高的材 料，較佳為使用具有1×10-6cm2/Vs以上的電子移動率的材料。明確而言，可以舉出具有喹啉配體、苯并喹啉配體、
Figure 110118316-A0101-12-0024-86
唑配體、噻唑配體的金屬錯合物、
Figure 110118316-A0101-12-0024-87
二唑衍生物、三唑衍生物、啡啉磷衍生物、吡啶衍生物、聯吡啶衍生物等。
〈電子注入層〉
電子注入層116具有藉由降低來自第二電極102的電子注入能障促進電子注入的功能，例如可以使用第1族金屬、第2族金屬或它們的氧化物、鹵化物、碳酸鹽等。也可以使用上述電子傳輸性材料和具有對電子傳輸性材料供應電子的特性的材料的複合材料。作為具有供電子特性的材料，可以舉出第1族金屬、第2族金屬或它們的氧化物。
〈基板、FET等〉
可以將發光元件100製造在由玻璃、塑膠等構成的基板上。作為在基板上進行層疊的順序，既可從第一電極101一側依次層疊又可從第二電極102一側依次層疊。另外，也可以在由玻璃、塑膠等構成的基板上例如形成場效應電晶體(FET)，並且在與FET電連接的電極上製造發光元件。由此，可以製造藉由FET控制發光元件的驅動的主動矩陣型發光裝置。
以上，假設第二發光層114所包含的發光材料是磷光材料而進行說明，但是不侷限於此。包含在第二 發光層114的發光材料只要是可以將三重態激發能轉換為發光的材料即可。作為可以將該三重態激發能轉換為發光的材料，除了磷光材料以外還可以舉出TADF材料。因此，可以用TADF材料取代記載有磷光材料的部分。TADF材料是指能夠藉由微小的熱能量將三重激發態上轉換(up-convert)為單重激發態(逆系間竄越)並高效率地呈現來自單重激發態的發光(螢光)的材料。另外，可以高效率地獲得熱活化延遲螢光的條件為如下：三重態激發能階和單重激態發能階之間的能量差為0eV以上且0.2eV以下，較佳為0eV以上且0.1eV以下。
注意，本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，以下使用圖4A和圖4B說明具有與實施方式1所示的發光元件100、發光元件140不同的結構的發光元件。圖4A是本發明的一個方式的發光元件150的剖面示意圖，圖4B是本發明的一個方式的發光元件160的剖面示意圖。
發光元件150與發光元件100之間的不同之處在於：發光元件150包括第一發光層113和第二發光層114之間的分離層120。分離層120與第一發光層113及第二發光層114接觸。其它層的結構與實施方式1相同，所以省略說明。
分離層120是為了防止從生成在第二發光層114中的第一有機化合物或磷光材料的激發態到第一發光層113中的主體材料或螢光材料的德克斯特(Dexter)機制所引起的能量轉移(尤其是，三重態的能量轉移)而設置的。因此，分離層的厚度只要是幾nm左右即可。具體是0.1nm以上且20nm以下、1nm以上且10nm以下或1nm以上5nm以下。
分離層120既可以只包含一個材料，又可以包含電洞傳輸性材料和電子傳輸性材料。當分離層120只包含一個材料時，也可以使用雙極性材料。在此，雙極性材料是指電子和電洞的移動率比例為100以下的材料。作為分離層120所包含的材料可以使用在實施方式1中示出的電洞傳輸性材料或電子傳輸性材料等。分離層120所包含的材料或其中的至少一個也可以使用與第二發光層114的主體材料(第一有機化合物)相同的材料形成。由此，發光元件的製造變得容易，並且可以降低驅動電壓。
例如，當使用與第二發光層114的主體材料(第一有機化合物)和輔助材料(第二有機化合物)相同的材料形成分離層120時，第一發光層113和第二發光層114隔著不包含第二發光層114的磷光材料的層(分離層120)被層疊。藉由採用這樣的結構，可以根據磷光材料的有無蒸鍍分離層120及第二發光層114。換言之，分離層120具有不包含磷光材料的區域，第二發光層114具有包含磷光材料的區域。另外，藉由採用這樣的結構，可以 在相同的腔室中形成分離層120和第二發光層114。由此可以降低製造成本。
或者，分離層120所包含的材料或其中的至少一個也可以具有比第二發光層114的主體材料(第一有機化合物)高的T1能階。
藉由調節電洞傳輸性材料和電子傳輸性材料的混合比例，可以調節再結合區域，因此可以控制發光顏色。例如，當第一電極101和第二電極102分別是陽極和陰極時，藉由增大分離層120中的電洞傳輸性材料的比例可以將再結合區域從第一電極101一側移動到第二電極102一側。由此，可以增加來自第二發光層114的光的貢獻。與此相反，藉由增大電子傳輸性材料的比率，可以將再結合區域從第二電極102一側移動到第一電極101一側，由此可以增加來自第一發光層113的光的貢獻。當第一發光層113和第二發光層114的發光顏色互不相同時，可以改變發光元件整體的發光顏色。
電洞傳輸性材料和電子傳輸性材料也可以在分離層120中形成激態錯合物，由此可以有效地防止激子的擴散。明確而言，可以防止能量從第二發光層114的主體材料(第一有機化合物)或磷光材料的激發態轉移到第一發光層113的主體材料或螢光材料。
與實施方式1所示的發光元件140同樣，第一發光層113也可以位於第二發光層114上。明確而言，如圖4B所示的發光元件160，也可以在電洞傳輸層112 上設置有第二發光層114，在其上隔著分離層120設置有第一發光層113。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖5說明本發明的一個方式的發光元件。圖5是說明本發明的一個方式的發光元件170的剖面示意圖。
發光元件170在第一電極101與第二電極102之間具有多個發光單元(圖5中的第一發光單元131、第二發光單元132)。一個發光單元具有與圖1A和圖1B所示的EL層130同樣的結構。就是說，圖1A和圖1B所示的發光元件100具有一個發光單元，發光元件170具有多個發光單元。
在圖5所示的發光元件170中，層疊有第一發光單元131和第二發光單元132，並且在第一發光單元131與第二發光單元132之間設置有電荷產生層133。另外，第一發光單元131和第二發光單元132可以具有相同結構或不同結構。
電荷產生層133包含由有機化合物和金屬氧化物構成的複合材料。該複合材料使用可用於上述電洞注入層111的複合材料即可。作為有機化合物，可以使用芳香胺化合物、咔唑化合物、芳烴、高分子化合物(低聚 物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等各種化合物。另外，作為有機化合物，較佳為使用其電洞移動率為1×10-6cm2/Vs以上的有機化合物。但是，只要是其電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就可以使用這些以外的物質。因為由有機化合物和金屬氧化物構成的複合材料具有良好的載子注入性以及載子傳輸性，所以可以實現低電壓驅動以及低電流驅動。注意，在發光單元的陽極一側的表面接觸於電荷發生層133時，電荷發生層133還可以具有發光單元的電洞傳輸層的功能，所以在發光單元中也可以不設置電洞傳輸層。
注意，電荷產生層133也可以藉由採用組合包含由有機化合物和金屬氧化物構成的複合材料的層與由其他材料構成的層的疊層結構形成。例如，也可以藉由組合包含由有機化合物和金屬氧化物構成的複合材料的層與包含選自電子予體性物質中的一個化合物和具有高電子傳輸性的化合物的層形成。另外，也可以藉由組合包含由有機化合物和金屬氧化物構成的複合材料的層與透明導電膜形成。
夾在第一發光單元131與第二發光單元132之間的電荷產生層133只要具有在將電壓施加到第一電極101和第二電極102時，將電子注入到一個發光單元且將電洞注入到另一個發光單元的結構即可。例如，在圖5中，電荷產生層133具有在以使第一電極101的電位高於第二電極102的電位的方式施加電壓時，將電子注入到第 一發光單元131且將電洞注入到第二發光單元132的結構即可。
雖然在圖5中說明了具有兩個發光單元的發光元件，但是可以同樣地應用層疊有三個以上的發光單元的發光元件。如發光元件170，藉由在一對電極之間以由電荷產生層將其隔開的方式配置多個發光單元，該發光元件在保持低電流密度的同時還可以進行高亮度發光，並且可以實現使用壽命更長的發光元件。另外，還可以實現能夠進行低電壓驅動且耗電量低的發光裝置。
另外，藉由在多個單元中的至少一個中使用EL層130的結構，可以縮減該單元的製程，從而可以提供一種有利於實用化的多色發光元件。
另外，上述結構可以與其他實施方式或本實施方式中的其他結構適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，使用圖6A和圖6B說明使用在實施方式1至實施方式3中記載的發光元件的發光裝置。
圖6A是示出發光裝置600的俯視圖，圖6B是沿著圖6A的點劃線A-B、點劃線C-D截斷的剖面圖。發光裝置600包括驅動電路部(源極線驅動電路部601、閘極線驅動電路部603)以及像素部602。源極線驅動電路部601、閘極線驅動電路部603、像素部602具有控制發光元件的發光的功能。
發光裝置600包括元件基板610、密封基板604、密封材料605、由密封材料605圍繞的區域607、引繞佈線608以及FPC609。
注意，引繞佈線608是用來傳送輸入到源極線驅動電路部601及閘極線驅動電路部603的信號的佈線，並且從用作外部輸入端子的FPC609接收視訊信號、時脈信號、啟動信號、重設信號等。注意，雖然在此只圖示出FPC609，但是FPC609還可以安裝有印刷線路板(PWB)。
作為源極線驅動電路部601，形成組合n通道型FET623和p通道型FET624的CMOS電路。另外，源極線驅動電路部601或閘極線驅動電路部603也可以利用各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。另外，雖然在本實施方式中示出在基板上形成有驅動電路部的驅動器一體型，但是必不需要採用該結構，驅動電路部也可以形成在外部，而不形成在基板上。
另外，像素部602包括開關FET611、電流控制FET612以及與電流控制FET612的汲極電連接的第一電極613。注意，以覆蓋第一電極613的端部的方式形成有絕緣物614。作為絕緣物614可以使用正型感光丙烯酸樹脂膜。
另外，將絕緣物614的上端部或下端部形成為具有曲率的曲面，以獲得良好的覆蓋性。例如，在使用正型感光丙烯酸作為絕緣物614的材料的情況下，較佳為 只使絕緣物614的上端部包括具有曲率半徑(0.2μm至3μm)的曲面。作為絕緣物614，可以使用負型感光樹脂或者正型感光樹脂。
對FET(FET611、612、623、624)的結構沒有特別的限制。例如，作為FET也可以使用交錯型電晶體。另外，對電晶體的極性也沒有特別的限制，也可以採用包括N型電晶體及P型電晶體的結構或者只具有N型電晶體和P型電晶體中的一個的結構。對用於電晶體的半導體膜的結晶性也沒有特別的限制。例如，可以使用非晶半導體膜或結晶性半導體膜。作為半導體材料，可以使用第13族(鎵等)半導體、第14族(矽等)半導體、化合物半導體(包括氧化物半導體)、有機半導體等。作為電晶體，例如使用能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的氧化物半導體，由此可以降低電晶體的關態電流(off-state current)，所以是較佳的。作為該氧化物半導體，例如可以舉出In-Ga氧化物、In-M-Zn氧化物(M為Al、Ga、Y、Zr、La、Ce或Nd)等。
在第一電極613上形成有EL層616及第二電極617。將第一電極613用作陽極，將第二電極617用作陰極。
另外，EL層616可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、印刷法(例如，凸版印刷法、凹版印刷法、照片凹版印刷法、平板印刷法、孔版印刷法等)、噴墨法或塗佈法等方法形成。EL層616具有在實施方式1至實施 方式3中說明的結構。另外，作為構成EL層616的其他材料，也可以使用低分子化合物或高分子化合物(包含低聚物、樹枝狀聚合物)。
由第一電極613、EL層616及第二電極617構成發光元件618。發光元件618是具有構成實施方式1至實施方式3的結構的發光元件。注意，當像素部由多個發光元件構成時，也可以包括在實施方式1至實施方式3中記載的發光元件以及具有其他結構的發光元件。
另外，藉由使用密封材料605將密封基板604貼合到元件基板610，形成如下結構，即發光元件618安裝在由元件基板610、密封基板604以及密封材料605圍繞的區域607中。注意，在區域607中填充有填料，作為該填料，除了惰性氣體(氮或氬等)以外，還可以使用密封材料605。藉由在密封基板中形成凹部且在其中設置乾燥劑(未圖示)，可以抑制水分所導致的劣化，所以是較佳的。
另外，較佳為使用環氧類樹脂或玻璃粉作為密封材料605。另外，這些材料較佳為儘可能地不使水或氧透過的材料。另外，作為用於密封基板604的材料，除了可以使用玻璃基板或石英基板以外，還可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics；玻璃纖維強化塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸等構成的塑膠基板。
藉由上述步驟，可以得到使用在實施方式1至實施方式3中記載的發光元件製造的發光裝置。
因為本實施方式中的發光裝置600使用在實施方式1至實施方式3中記載的發光元件，所以可以具有優良特性。明確而言，實施方式1至實施方式3所示的發光元件是發光效率良好的發光元件，從而可以實現降低了耗電量的發光裝置。另外，該發光元件為容易實現量產化的發光元件，從而可以提供低成本的發光裝置。
接著，圖7A和圖7B示出藉由形成呈現白色發光的發光元件設置彩色層(濾色片)等來實現全彩色化的發光裝置的剖面圖的例子。
圖7A示出基板1001、基底絕緣膜1002、閘極絕緣膜1003、閘極電極1006、1007、1008、第一層間絕緣膜1020、第二層間絕緣膜1021、周邊部1042、像素部1040、驅動電路部1041、發光元件的第一電極1024Y、1024R、1024G、1024B、分隔壁1025、EL層1028、發光元件的第二電極1026、密封基板1031、密封材料1032等。
另外，在圖7A中，將彩色層(紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G、藍色彩色層1034B、黃色彩色層1034Y)設置在透明基材1033上。另外，還可以設置黑色層(黑矩陣)1035。對設置有彩色層及黑色層的透明基材1033進行對準而將其固定到基板1001上。另外，彩色層及黑色層被覆蓋層1036覆蓋。另外，在圖7A中，透過彩色層的光成為紅色光、藍色光、綠色光、黃色光，因此能夠以四個顏色的像素呈現影像。
圖7B示出將彩色層(紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G、藍色彩色層1034B)形成在閘極絕緣膜1003和第一層間絕緣膜1020之間的例子。如上述那樣，也可以將彩色層設置在基板1001和密封基板1031之間。本發明的一個方式的發光元件可以呈現黃色波長，因此，如圖7B所示，也可以不設置黃色彩色層。
另外，雖然以上說明了具有在形成有FET的基板1001一側提取光的結構(底部發射型)的發光裝置，但是也可以採用具有在密封基板1031一側提取發光的結構(頂部發射型)的發光裝置。
圖8示出頂部發射型發光裝置的剖面圖的例子。在此情況下，基板1001可以使用不使光透過的基板。到製造連接FET與發光元件的陽極的連接電極為止的製程與底部發射型發光裝置同樣地進行。然後，以覆蓋電極1022的方式形成第三層間絕緣膜1037。該絕緣膜也可以具有平坦化的功能。第三層間絕緣膜1037可以使用與第二層間絕緣膜相同的材料或其他各種材料形成。
雖然在此發光元件的第一電極1024Y、1024R、1024G、1024B都是陽極，但是也可以是陰極。另外，在採用如圖8所示那樣的頂部發射型發光裝置的情況下，第一電極1024Y、1024R、1024G、1024B較佳為反射電極。EL層1028的結構採用在實施方式1至實施方式3中所示的EL層130的結構，並且採用能夠獲得白色發光的元件結構。
在圖8中，在EL層1028上設置有第二電極1026。例如，將第二電極1026用作半透射及半反射電極，在第一電極1024Y、1024R、1024G、1024B和第二電極1026之間採用利用光的共振效應的光學微諧振腔(micro optical resonator)(微腔)結構，增強特定波長的光的強度。
在採用圖8所示的頂部發射結構的情況下，可以使用設置有彩色層(紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G、藍色彩色層1034B、黃色彩色層1034Y)的密封基板1031進行密封。密封基板1031也可以設置有位於像素和像素之間的黑色層1035。彩色層(紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G、藍色彩色層1034B、黃色彩色層1034Y)、黑色層1035也可以被覆蓋層(未圖示)覆蓋。另外，作為密封基板1031，使用具有透光性的基板。
在圖8中，例示出設置可以得到白色光的發光元件並在該發光元件的每一個上設置彩色層的結構，但是不侷限於此。例如，如圖9A所示，也可以設置可以以得到白色光的發光元件、紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G以及黃色彩色層1034Y而不設置藍色彩色層的方式以紅色、綠色、藍色、黃色的四個顏色進行全彩色顯示。或者如圖9B所示，也可以以設置可以得到白色光的發光元件、紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G而不設置藍色彩色層及黃色彩色層的方式以紅色、綠色、藍色、黃色 的四個顏色進行全彩色顯示。如圖8所示，當設置可以得到白色光的發光元件並在該發光元件的每一個上設置彩色層時，發揮可以抑制外光反射的效果。另一方面，如圖9B所示，當設置可以得到白色光的發光元件、紅色彩色層以及綠色彩色層而不設置藍色彩色層及黃色彩色層時，發光元件所發射出的光的能量損失少，因此發揮可以減少功耗的效果。
如圖10A所示，也可以設置可以得到白色光的發光元件並在該發光元件的每一個上設置彩色層，由此以紅色、綠色、藍色的三個顏色進行全彩色顯示。或者如圖10B所示，也可以以設置可以得到白色光的發光元件、紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G而不設置藍色彩色層的方式以紅色、綠色、藍色的三個顏色進行全彩色顯示。
圖9A、圖9B、圖10A和圖10B是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面示意圖，其中省略圖8所示的驅動電路部1041、周邊部1042等。不侷限於圖8所示的結構，圖9A、圖9B、圖10A和圖10B所示的結構也可以採用微腔結構。
因為本實施方式中的發光裝置使用在實施方式1至實施方式3中記載的發光元件，所以可以具有優良特性。明確而言，在實施方式1至實施方式3中記載的發光元件是發光效率良好的發光元件，從而可以實現降低了耗電量的發光裝置。藉由組合在實施方式1至實施方式3 中記載的發光元件與濾色片等彩色層，可以實現能夠得到白色光的最佳元件結構。另外，在實施方式1至實施方式3中記載的發光元件具有比較容易實現量產化的發光結構，從而可以提供低成本的發光裝置。
另外，上述結構可以與其他實施方式或本實施方式中的其他結構適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖11A和圖11B說明具有本發明的一個方式的發光裝置的顯示裝置。
圖11A是說明本發明的一個方式的顯示裝置的方塊圖，圖11B是說明本發明的一個方式的顯示裝置所包括的像素電路的電路圖。
圖11A所示的顯示裝置包括：具有顯示元件的像素的區域(以下稱為像素部802)；配置在像素部802外側並具有用來驅動像素的電路的電路部(以下稱為驅動電路部804)；具有保護元件的功能的電路(以下稱為保護電路806)；以及端子部807。此外，也可以採用不設置保護電路806的結構。
驅動電路部804的一部分或全部較佳為形成在與像素部802相同的基板上。由此，可以減少構件的數量或端子的數量。當驅動電路部804的一部分或全部不形成在與像素部802相同的基板上時，可以藉由COG或TAB(Tape Automated Bonding：捲帶自動接合)安裝驅 動電路部804的一部分或全部。
像素部802包括用來驅動配置為X行(X為2以上的自然數)Y列(Y為2以上的自然數)的多個顯示元件的電路(以下稱為像素電路801)，驅動電路部804包括輸出選擇像素的信號(掃描信號)的電路(以下稱為閘極驅動器804a)、用來供應用來驅動像素的顯示元件的信號(資料信號)的電路(以下稱為源極驅動器804b)等驅動電路。
閘極驅動器804a具有移位暫存器等。閘極驅動器804a通過端子部807被輸入用來驅動移位暫存器的信號並輸出信號。例如，閘極驅動器804a被輸入起動脈衝信號、時脈信號等並輸出脈衝信號。閘極驅動器804a具有控制被供應掃描信號的佈線(以下稱為掃描線GL_1至GL_X。)的電位的功能。另外，也可以設置多個閘極驅動器804a，並藉由多個閘極驅動器804a分別控制掃描線GL_1至GL_X。或者，閘極驅動器804a具有能夠供應初始化信號的功能。但是，不侷限於此，閘極驅動器804a可以供應其他信號。
源極驅動器804b具有移位暫存器等。除了用來驅動移位暫存器的信號之外，作為資料信號的基礎的信號(視訊信號)也通過端子部807被輸入到源極驅動器804b。源極驅動器804b具有根據視訊信號生成寫入到像素電路801的資料信號的功能。另外，源極驅動器804b具有依照輸入起動脈衝信號、時脈信號等而得到的脈衝信 號來控制資料信號的輸出的功能。另外，源極驅動器804b具有控制被供應資料信號的佈線(以下稱為資料線DL_1至DL_Y。)的電位的功能。或者，源極驅動器804b具有能夠供應初始化信號的功能。但是，不侷限於此，源極驅動器804b可以供應其他信號。
源極驅動器804b例如使用多個類比開關等來構成。藉由依次使多個類比開關成為導通狀態，源極驅動器804b可以輸出對影像信號進行時間分割而成的信號作為資料信號。此外，也可以使用移位暫存器等構成源極驅動器804b。
多個像素電路801的每一個分別通過被供應掃描信號的多個掃描線GL之一而被輸入脈衝信號，並通過被供應資料信號的多個資料線DL之一而被輸入資料信號。另外，多個像素電路801的每一個藉由閘極驅動器804a來控制資料信號的資料的寫入及保持。例如，通過掃描線GL_m(m是X以下的自然數)從閘極驅動器804a對第m行第n列的像素電路801輸入脈衝信號，並根據掃描線GL_m的電位而通過資料線DL_n(n是Y以下的自然數)從源極驅動器804b對第m行第n列的像素電路801輸入資料信號。
圖11A所示的保護電路806例如連接於閘極驅動器804a與像素電路801之間的掃描線GL。或者，保護電路806連接於源極驅動器804b與像素電路801之間的資料線DL。或者，保護電路806可以連接於閘極驅動 器804a與端子部807之間的佈線。或者，保護電路806可以連接於源極驅動器804b與端子部807之間的佈線。此外，端子部807是指設置有用來從外部的電路對顯示裝置輸入電源、控制信號及視訊信號的端子的部分。
保護電路806是在自身所連接的佈線被供應一定的範圍之外的電位時使該佈線與其他佈線導通的電路。
如圖11A所示，藉由對像素部802和驅動電路部804分別設置保護電路806，可以提高顯示裝置的對因ESD(Electro Static Discharge：靜電放電)等而產生的過電流的電阻。保護電路806的結構不侷限於此，例如，也可以採用將閘極驅動器804a與保護電路806連接的結構或將源極驅動器804b與保護電路806連接的結構。或者，也可以採用將端子部807與保護電路806連接的結構。
另外，雖然在圖11A中示出由閘極驅動器804a和源極驅動器804b形成驅動電路部804的例子，但是不侷限於此結構。例如，也可以採用只形成閘極驅動器804a並安裝另外準備的形成有源極驅動電路的基板(例如，使用單晶半導體膜、多晶半導體膜形成的驅動電路基板)的結構。
此外，圖11A所示的多個像素電路801例如可以採用圖11B所示的結構。
圖11B所示的像素電路801包括電晶體 852、電晶體854、電容元件862以及發光元件872。
電晶體852的源極電極和汲極電極中的一個電連接於被供應資料信號的佈線(以下，稱為信號線DL_n)。並且，電晶體852的閘極電極電連接於被供應閘極信號的佈線(以下，稱為掃描線GL_m)。
電晶體852具有藉由成為導通狀態或關閉狀態而對資料信號的寫入進行控制的功能。
電容元件862的一對電極中的一個電極與被供應電位的佈線(以下，稱為電位供應線VL_a)電連接，另一個電極與電晶體852的源極電極和汲極電極中的另一個電連接。
電容元件862被用作儲存被寫入的資料的儲存電容器。
電晶體854的源極電極和汲極電極中的一個與電位供應線VL_a電連接。並且，電晶體854的閘極電極與電晶體852的源極電極和汲極電極中的另一個電連接。
發光元件872的陽極和陰極中的一個與電位供應線VL_b電連接，另一個與電晶體854的源極電極和汲極電極中的另一個電連接。
作為發光元件872可以使用實施方式1至實施方式3所示的發光元件。
此外，高電源電位VDD施加到電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的一個，低電源電位VSS施 加到另一個。
例如，在具有圖11B的像素電路801的顯示裝置中，例如，藉由圖11A所示的閘極驅動器804a依次選擇各行的像素電路801，並使電晶體852成為導通狀態而寫入資料信號的資料。
當電晶體852成為關閉狀態時，被寫入資料的像素電路801成為保持狀態。並且，流在電晶體854的源極電極與汲極電極之間的電流量根據被寫入的資料信號的電位被控制，發光元件872以對應於流動的電流量的亮度發光。藉由按行依次進行上述步驟，可以顯示影像。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式6
在本實施方式中，參照圖12、圖13A至圖13G說明具有本發明的一個方式的發光裝置的顯示模組及電子裝置。
圖12所示的顯示模組8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接於FPC8003的觸控面板8004、連接於FPC8005的顯示面板8006、框架8009、印刷電路板8010、電池8011。
可以將本發明的一個方式的發光裝置例如用於顯示面板8006。
上蓋8001及下蓋8002可以根據觸控面板 8004及顯示面板8006的尺寸適當地改變其形狀或尺寸。
觸控面板8004可以是電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板，並且能夠以與顯示面板8006重疊的方式被形成。此外，也可以使顯示面板8006的相對基板(密封基板)具有觸控面板功能。另外，也可以在顯示面板8006的各像素內設置光感測器，以製成光學觸控面板。
框架8009除了具有保護顯示面板8006的功能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。此外，框架8009也可以具有散熱板的功能。
印刷電路板8010包括電源電路以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以使用外部的商業電源，又可以使用另行設置的電池8011的電源。當使用商用電源時，可以省略電池8011。
此外，在顯示模組8000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片等構件。
圖13A至圖13G是示出電子裝置的圖。這些電子裝置可以包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005(包括電源開關或操作開關)、連接端子9006、感測器9007(它具有測量或檢測如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬 度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風9008等。
圖13A至圖13G所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部；觸控感測器；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在儲存介質中的程式或資料來將其顯示在顯示部等。注意，圖13A至圖13G所示的電子裝置可具有的功能不侷限於上述功能，而可以具有各種各樣的功能。另外，雖然未在圖13A至圖13G中示出，但是電子裝置也可以採用包括多個顯示部的結構。另外，可以對該電子裝置設置相機等，使其具有拍攝靜態影像的功能、拍攝動態影像的功能、將拍攝的影像儲存到儲存介質(外部或內置於相機)的功能、將拍攝的影像顯示在顯示部的功能等。
下面對圖13A至圖13G所示的電子裝置進行詳細的說明。
圖13A是示出可攜式資訊終端9100的透視圖。可攜式資訊終端9100所包括的顯示部9001具有撓性。因此，可以沿著彎曲的外殼9000的彎曲面安裝顯示部9001。另外，顯示部9001具備觸控感測器，可以用手指或觸控筆等觸摸畫面來進行操作。例如，藉由觸摸顯示 於顯示部9001的圖示，可以啟動應用程式。
圖13B是示出可攜式資訊終端9101的透視圖。可攜式資訊終端9101例如具有選自電話機、電子筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言，可以將該可攜式資訊終端9101用作智慧手機。注意，在可攜式資訊終端9101中，省略揚聲器9003、連接端子9006、感測器9007等進行圖示，但是也可以在與圖13A所示的可攜式資訊終端9100同樣的位置設置揚聲器9003、連接端子9006、感測器9007等。另外，作為可攜式資訊終端9101，可以將文字或影像資訊顯示在其多個面上。例如，可以將三個操作按鈕9050(也稱為操作圖示或簡單地稱為圖示)顯示在顯示部9001的一個面上。另外，可以將以虛線的矩形示出的資訊9051顯示在顯示部9001的其他面上。此外，作為資訊9051的一個例子，有提醒收到電子郵件、SNS(Social Networking Services：社交網路服務)、電話等的顯示；電子郵件或SNS等的標題；電子郵件或SNS等的發送者名字；日期；時間；電池電量；天線的信號接收強度等。或者，也可以在顯示資訊9051的位置顯示操作按鈕9050等來代替資訊9051。
圖13C是示出可攜式資訊終端9102的透視圖。可攜式資訊終端9102具有在顯示部9001的三個面以上顯示資訊的功能。在此，示出將資訊9052、資訊9053、資訊9054分別顯示在不同的面上的例子。例如， 可攜式資訊終端9102的使用者能夠在將可攜式資訊終端9102放在上衣口袋裡的狀態下確認其顯示(這裡是資訊9053)。明確而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從可攜式資訊終端9102的上方觀看到這些資訊的位置。使用者可以確認到該顯示，由此判斷是否接電話，而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端9102。
圖13D是示出手錶型的可攜式資訊終端9200的透視圖。可攜式資訊終端9200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通信、電腦遊戲等各種應用程式。另外，顯示部9001的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。另外，可攜式資訊終端9200可以進行基於通信標準的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通信，可以進行免提通話。另外，可攜式資訊終端9200包括連接端子9006，可以通過連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以通過連接端子9006進行充電。另外，充電動作也可以利用無線供電進行，而不通過連接端子9006。
圖13E、圖13F、圖13G是示出能夠折疊的可攜式資訊終端9201的透視圖。另外，圖13E是將可攜式資訊終端9201展開的狀態的透視圖，圖13F是將可攜式資訊終端9201從展開的狀態和折疊的狀態中的一方轉換成另一方時的中途的狀態的透視圖，圖13G是將可攜式資訊終端9201折疊的狀態的透視圖。可攜式資訊終端9201 在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下因為具有無縫拼接較大的顯示區域所以顯示的瀏覽性強。可攜式資訊終端9201所包括的顯示部9001被由鉸鏈9055連結的三個外殼9000支撐。藉由鉸鏈9055使兩個外殼9000之間彎曲，可以使可攜式資訊終端9201從展開的狀態可逆性地變為折疊的狀態。例如，可攜式資訊終端9201能夠以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲。
本實施方式所述的電子裝置的特徵在於具有用來顯示某些資訊的顯示部。注意，本發明的一個方式的發光裝置也能夠應用於不包括顯示部的電子裝置。另外，在本實施方式所述的電子裝置的顯示部中，示出具有撓性且能夠沿著彎曲的顯示面進行顯示的結構或能夠折疊的顯示部的結構，但並不侷限於此，也可以採用不具有撓性而在平面部進行顯示的結構。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式7
在本實施方式中，參照圖14說明使用本發明的一個方式的發光裝置的照明設備的一個例子。
圖14是將發光裝置用於室內照明設備8501的例子。另外，因為發光裝置可以實現大面積化，所以也可以形成大面積的照明設備。此外，也可以藉由使用具有曲面的外殼來形成發光區域具有曲面的照明設備8502。 包括在本實施方式所示的發光裝置中的發光元件為薄膜狀，所以外殼的設計的彈性高。因此，可以形成能夠對應各種設計的照明設備。再者，室內的牆面也可以設置有大型的照明設備8503。也可以在照明設備8501、照明設備8502、照明設備8503中設置觸控感測器，啟動或關閉發光裝置的電源。
另外，藉由將發光裝置用於桌子的表面，可以提供具有桌子的功能的照明設備8504。此外，藉由將發光裝置用於其他家具的一部分，可以提供具有家具的功能的照明設備。
如上所述，可以得到應用發光裝置的各種各樣的照明設備。另外，這種照明設備包括在本發明的一個方式中。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施例1
在本實施例中，示出本發明的一個方式的發光元件的製造例子。圖15A和圖15B示出在本實施例中製造的發光元件(發光元件1至發光元件4)的剖面示意圖，表1示出元件結構的詳細內容，並且下面示出所使用的化合物的結構和簡稱。
Figure 110118316-A0101-12-0050-1
Figure 110118316-A0101-12-0050-78
Figure 110118316-A0101-12-0051-3
〈1-1.發光元件1的製造〉
在玻璃基板500上形成包含氧化矽的銦錫氧化物(ITSO(Indium Tin SiO2 Doped Oxide)，膜厚度為110nm，面積為2mm×2mm)作為第一電極501，在其上以重量比(DBT3P-II：MoO3)為2：1且厚度為40nm的方式共蒸鍍1,3,5-三(二苯并噻吩-4-基)苯(DBT3P-II)和氧化鉬(MoO3)，形成電洞注入層511。注意，共蒸鍍是指使多個不同的物質分別從不同的蒸發源同時蒸發的蒸鍍法。
在電洞注入層511上以厚度為20nm的方式蒸鍍3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(PCPPn)，形成電洞傳輸層512。
在電洞傳輸層512上以重量比(cgDBCzPA：1,6mMemFLPAPrn)為1：0.02且厚度為10nm的方式共蒸鍍7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(cgDBCzPA)和N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙〔3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基〕芘-1,6-二胺(1,6mMemFLPAPrn)，形成第一發光層513，注意，在第一發光層513中，cgDBCzPA是主體材料，1,6mMemFLPAPrn是螢光材料(客體材料)。
在第一發光層513上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(ppm-dmp)2(acac))為0.8：0.2：0.05且厚度為20nm的方式共蒸鍍2-[3’-(二苯并噻吩-4- 基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹
Figure 110118316-A0101-12-0053-88
啉(2mDBTBPDBq-II)、N-(1,1’-聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-茀-2-胺(PCBBiF)、雙{2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-吡啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κO,O’)銥(III)(Ir(ppm-dmp)2(acac))，形成第二發光層514。注意，在第二發光層514中，2mDBTBPDBq-II是第一有機化合物(主體材料)，PCBBiF是第二有機化合物(輔助材料)，Ir(ppm-dmp)2(acac)是磷光材料(客體材料)。
在第二發光層514上以厚度分別為10nm、15nm的方式依次蒸鍍2mDBTBPDBq-II、紅啡啉(Bphen)，形成電子傳輸層(515(1)、515(2))。在電子傳輸層(515(1)、515(2))上以厚度為1nm的方式蒸鍍氟化鋰，形成電子注入層516，而且以厚度為200nm的方式蒸鍍鋁，形成第二電極502。
在氮氛圍的手套箱中使用密封材料將密封玻璃基板固定在玻璃基板上，由此密封發光元件。密封方法為如下：將密封材料塗佈在發光元件的周圍，並且在密封時以6J/cm2照射365nm的紫外光，並且以80℃進行1小時的熱處理。藉由上述步驟得到發光元件1。
〈1-2.發光元件2的製造〉
與發光元件1同樣，在第一電極501上以重量比(DBT3P-II：MoO3)為2：1且厚度為40nm的方式共蒸鍍 DBT3P-II和氧化鉬，形成電洞注入層511。
在電洞注入層511上以厚度為20nm的方式蒸鍍PCPPn，形成電洞傳輸層512。
在電洞傳輸層512上以重量比(cgDBCzPA：1,6mMemFLPAPrn)為1：0.02且厚度為10nm的方式共蒸鍍cgDBCzPA和1,6mMemFLPAPrn，形成第一發光層513。
在第一發光層513上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF)為0.6：0.4且厚度為2nm的方式共蒸鍍2mDBTBPDBq-II和PCBBiF，形成分離層520。
在分離層520上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(ppm-dmp)2(acac))為0.8：0.2：0.05且厚度為20nm的方式共蒸鍍2mDBTBPDBq-II、PCBBiF、Ir(ppm-dmp)2(acac)，形成第二發光層514。
在第二發光層514上以厚度分別為10nm、15nm的方式依次蒸鍍2mDBTBPDBq-II、Bphen，形成電子傳輸層(515(1)、515(2))。在電子傳輸層(515(1)、515(2))上以厚度為1nm的方式蒸鍍氟化鋰，形成電子注入層516，而且以厚度為200nm的方式蒸鍍鋁，形成第二電極502。
在氮氛圍的手套箱中使用密封材料將密封玻璃基板固定在玻璃基板上，密封發光元件，由此得到發光元件2。密封方法與發光元件1相同。
〈1-3.發光元件3的製造〉
在發光元件3的製造方法中，只有以下製程與上述發光元件1的製造方法不同，其他製程與發光元件1的製造方法相同。
在第一發光層513上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(ppm-dmp)2(acac))為0.5：0.5：0.05且厚度為20nm的方式共蒸鍍2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹
Figure 110118316-A0101-12-0055-81
啉(2mDBTBPDBq-II)、N-(1,1’-聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-茀-2-胺(PCBBiF)、雙{2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-吡啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κO,O’)銥(III)(Ir(ppm-dmp)2(acac))，形成第二發光層514。
〈1-4.發光元件4的製造〉
在發光元件4的製造方法中，只有以下製程與上述發光元件2的製造方法不同，其他製程與發光元件2的製造方法相同。
在分離層520上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(ppm-dmp)2(acac))為0.5：0.5：0.05，厚度為20nm的方式共蒸鍍2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹
Figure 110118316-A0101-12-0055-82
啉(2mDBTBPDBq-II)、N-(1,1’-聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-茀-2-胺(PCBBiF)、雙{2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4- 吡啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κO,O’)銥(III)(Ir(ppm-dmp)2(acac))，形成第二發光層514。
在上述蒸鍍過程中，作為蒸鍍都採用電阻加熱法。
〈1-5.發光元件1至發光元件4的特性〉
圖16A示出發光元件1至發光元件4的電流密度-亮度特性。在圖16A中，橫軸表示電流密度(mA/cm2)，縱軸表示亮度(cd/m2)。圖16B示出發光元件1至發光元件4的電壓-亮度特性。在圖16B中，橫軸表示電壓(v)，縱軸表示亮度(cd/m2)。圖17A示出發光元件1至發光元件4的亮度-功率效率特性。在圖17A中，橫軸表示亮度(cd/m2)，縱軸表示功率效率(lm/W)。圖17B示出發光元件1至發光元件4的亮度-電流效率特性。在圖17B中，橫軸表示亮度(cd/m2)，縱軸表示電流效率(cd/A)。在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行各發光元件的測量。
表2示出1000cd/m2附近的發光元件1至發光元件4的元件特性。
Figure 110118316-A0101-12-0057-4
圖18示出以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件1至發光元件4時的發射光譜。如圖18所示，在藍色的波長區域和黃色的波長區域中觀察到發光元件1至發光元件4的峰值，由此可知同時得到來自這種兩個發光材料的光。
如表1所示，發光元件1與發光元件2之間的不同之處在於分離層520的有無。發光元件3與發光元件4之間的不同之處在於分離層520的有無。根據圖16A和圖16B、圖17A和圖17B所示的結果可知，不管有無分離層520，發光元件1及發光元件2都具有幾乎相同的元件特性。根據圖16A和圖16B、圖17A和圖17B所示的結果可知，不管有無分離層520，發光元件3及發光元件4都具有幾乎相同的元件特性。當對發光元件1及發光元件2與發光元件3及發光元件4進行比較時，作為發光元件3及發光元件4的第二發光層514中的第二有機化合物(輔助材料)的PCBBiF的濃度高。由此可知，黃色的光譜強度高。因此，可知維持高效率的元件特性，並可以容 易調整黃色的光譜強度。另外，從圖18所示的結果確認到：在發光元件1及發光元件2中，可以根據分離層520的有無調整藍色及黃色的發射光譜的強度比。
以上，本實施例所示的結構可以與其他實施方式或實施例適當地組合而使用。
實施例2
在本實施例中，示出本發明的一個方式的發光元件的製造例子。圖15B示出在本實施例中製造的發光元件(發光元件5)的剖面示意圖，表3示出元件結構的詳細內容，並且下面示出所使用的化合物的結構和簡稱。注意，省略在實施例1中記載的發光元件1至發光元件4所使用的化合物的結構和名稱。
Figure 110118316-A0101-12-0058-5
Figure 110118316-A0101-12-0059-6
〈2-1.發光元件5的製造〉
與發光元件1同樣，在第一電極501上以重量比(DBT3P-II：MoO3)為2：1且厚度為20nm的方式共蒸鍍DBT3P-II和氧化鉬，形成電洞注入層511。
在電洞注入層511上以厚度為20nm的方式蒸鍍PCPPn，形成電洞傳輸層512。
在電洞傳輸層512上以重量比(cgDBCzPA：1,6FrAPrn-II)為1：0.03且厚度為5nm的方式共蒸鍍cgDBCzPA和N,N’-雙(二苯并呋喃-4-基)-N,N’-二苯基-芘-1,6-二胺(1,6FrAPrn-II)(cgDBCzPA：1,6FrAPrn-II)，形成第一發光層513。在第一發光層513中，cgDBCzPA是主體材料，1,6FrAPrn-II是螢光材料(客體材料)。
在第一發光層513上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF)為0.6：0.4且厚度為2nm的方 式共蒸鍍2mDBTBPDBq-II和PCBBiF，形成分離層520。
在分離層520上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(dmppm-dmp)2(acac))為0.8：0.2：0.05且厚度為20nm的方式共蒸鍍2mDBTBPDBq-II、PCBBiF、雙{4,6-二甲基-2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κ2O,O’)銥(III)(Ir(dmppm-dmp)2(acac))，形成第二發光層514。在第二發光層514中，2mDBTBPDBq-II是第一有機化合物(主體材料)，PCBBiF是第二有機化合物(輔助材料)，並且Ir(dmppm-dmp)2(acac)是磷光材料(客體材料)。
在第二發光層514上以厚度分別為10nm、15nm的方式依次蒸鍍2mDBTBPDBq-II、Bphen，形成電子傳輸層(515(1)、515(2))。在電子傳輸層(515(1)、515(2))上以厚度為1nm的方式蒸鍍氟化鋰，形成電子注入層516，而且以厚度為200nm的方式蒸鍍鋁，形成第二電極502。
在上述蒸鍍過程中，作為蒸鍍都採用電阻加熱法。
接著，在氮氛圍的手套箱中使用密封材料將密封玻璃基板固定在玻璃基板上，密封發光元件，由此得到發光元件5。密封方法與發光元件1相同。
〈2-2.發光元件5的特性〉
圖19A示出發光元件5的電流密度-亮度特性。在圖 19A中，橫軸表示電流密度(mA/cm2)，縱軸表示亮度(cd/m2)。圖19B示出發光元件5的電壓-亮度特性。在圖19B中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。圖20A示出發光元件5的亮度-功率效率特性。在圖20A中，橫軸表示亮度(cd/m2)，縱軸表示功率效率(lm/W)。圖20B示出發光元件5的亮度-電流效率特性。在圖20B中，橫軸表示亮度(cd/m2)，縱軸表示電流效率(cd/A)。在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行發光元件的測量。
表4示出1000cd/m2附近的發光元件5的元件特性。
Figure 110118316-A0101-12-0061-7
圖21示出以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件5時的發射光譜。如圖21所示，在藍色的波長區域和黃色的波長區域中觀察到發光元件5的峰值，由此可知同時得到來自這種兩個發光材料的光。
本實施例的發光元件5與實施例1的發光元件1至發光元件4的不同之處在於：第一發光層513的螢光材料、第二發光層514的磷光材料。根據圖19A和圖 19B、圖20A和圖20B所示的結果可知，與實施例1所示的發光元件1至發光元件4同樣，發光元件5具有高效率的元件特性。1000cd/m2附近的發光元件5的相關色溫的測量結果為2850K。由此可知可以將發光元件5用於照明。
以上，本實施例所示的結構可以與其他實施方式或實施例適當地組合而使用。
實施例3
在本實施例中，示出本發明的一個方式的發光元件的製造例子。圖15B示出在本實施例中製造的發光元件(發光元件6)的剖面示意圖，表5示出元件結構的詳細內容，並且下面示出所使用的化合物的結構和簡稱。注意，省略在實施例1中記載的發光元件1至發光元件4所使用的化合物的結構和名稱。
Figure 110118316-A0101-12-0062-8
Figure 110118316-A0101-12-0063-9
〈3-1.發光元件6的製造〉
與發光元件1同樣，在第一電極501上以重量比(DBT3P-II：MoO3)為2：1且厚度為20nm的方式共蒸鍍DBT3P-II和氧化鉬，形成電洞注入層511。
在電洞注入層511上以厚度為20nm的方式蒸鍍PCPPn，形成電洞傳輸層512。
在電洞傳輸層512上以重量比(cgDBCzPA：1,6mMemFLPAPrn)為1：0.03且厚度為5nm的方式共蒸鍍cgDBCzPA和1,6mMemFLPAPrn，形成第一發光層513。
在第一發光層513上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF)為0.6：0.4且厚度為2nm的方式共蒸鍍2mDBTBPDBq-II和PCBBiF，形成分離層520。
在分離層520上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(mpmppm)2(acac))為0.8：0.2：0.05且厚度為20nm的方式共蒸鍍2mDBTBPDBq-II、PCBBiF、(乙醯 丙酮根)雙[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]銥(III)(別名：雙{2-[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κ2O,O’)銥(Ⅲ)(Ir(mpmppm)2(acac))，形成第二發光層514。在第二發光層514中，2mDBTBPDBq-II是第一有機化合物(主體材料)，PCBBiF是第二有機化合物(輔助材料)，並且Ir(mpmppm)2(acac)是磷光材料(客體材料)。
在第二發光層514上以厚度分別為10nm、15nm的方式依次蒸鍍2mDBTBPDBq-II、Bphen，形成電子傳輸層(515(1)、515(2))。在電子傳輸層(515(1)、515(2))上以厚度為1nm的方式蒸鍍氟化鋰，形成電子注入層516，而且以厚度為200nm的方式蒸鍍鋁，形成第二電極502。
在上述蒸鍍過程中，作為蒸鍍都採用電阻加熱法。
在氮氛圍的手套箱中使用密封材料將密封玻璃基板固定在玻璃基板上，密封發光元件，由此得到發光元件6。密封方法與發光元件1相同。
〈3-2.發光元件6的特性〉
圖22A示出發光元件6的電流密度-亮度特性。在圖22A中，橫軸表示電流密度(mA/cm2)，縱軸表示亮度(cd/m2)。圖22B示出發光元件6的電壓-亮度特性。在圖22B中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示亮度 (cd/m2)。圖23A示出發光元件6的亮度-功率效率特性。在圖23A中，橫軸表示亮度(cd/m2)，縱軸表示功率效率(lm/W)。圖23B示出發光元件6的亮度-電流效率特性。在圖23B中，橫軸表示亮度(cd/m2)，縱軸表示電流效率(cd/A)。在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行發光元件的測量。
表6示出1000cd/m2附近的發光元件6的元件特性。
Figure 110118316-A0101-12-0065-10
圖24示出以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件6時的發射光譜。如圖24所示，在藍色的波長區域和黃色的波長區域中觀察到發光元件6的峰值，由此可知同時得到來自這種兩個發光材料的光。
本實施例的發光元件6與實施例1的發光元件1至發光元件4的不同之處在於：第二發光層514的磷光材料。根據圖22A和圖22B、圖23A和圖23B所示的結果可知，與實施例1的發光元件1至發光元件4同樣，發光元件6具有高效率的元件特性。1000cd/m2附近的發光元件6的相關色溫測量結果為3090K。由此可知可以將 發光元件6用於照明。
以上，本實施例所示的結構可以與其他實施方式或實施例適當地組合而使用。
實施例4
在本實施例中，示出本發明的一個方式的發光元件的製造例子。圖25示出在本實施例中製造的發光元件(發光元件7至發光元件10)的剖面示意圖，表7示出元件結構的詳細內容，並且下面示出所使用的化合物的結構和簡稱。注意，因為在發光元件7至發光元件10中使用的化合物的結構與發光元件1至發光元件6相同，所以這裡省略記載。
Figure 110118316-A0101-12-0067-11
〈4-1.發光元件7至發光元件10的製造〉
作為第一電極501(1)，在玻璃基板500上利用濺射法以200nm的厚度形成鋁(Al)、鎳(Ni)、鑭(La)的合金膜(Al-Ni-La)。接著，作為第一電極501(2)，利用濺射法以6nm的厚度形成鈦(Ti)膜，並對該鈦膜以300℃進行加熱處理1小時來形成包含氧化鈦的膜。接著，作為第一電極501(3)，利用濺射法形成包含氧化矽的銦錫氧化物膜(ITSO)。由第一電極501(1)、第一電極501(2)及第一電極501(3)構成第一電極501，第一電極501的電極面積為2mm×2mm。
發光元件7、發光元件8及發光元件10的第一電極501(3)的厚度為75nm，發光元件9的第一電極501(3)的厚度為40nm。
在第一電極501(3)上以重量比(DBT3P-II：MoO3)為2：1的方式共蒸鍍DBT3P-II和氧化鉬，形成電洞注入層511。
發光元件7中的電洞注入層511的厚度為87.5nm，發光元件8中的電洞注入層511的厚度為57.5nm，發光元件9中的電洞注入層511的厚度為50nm，發光元件10中的電洞注入層511的厚度為65nm。
接著，電洞注入層511上以厚度為20nm的方式蒸鍍PCPPn，形成電洞傳輸層512。
在電洞傳輸層512上以重量比(cgDBCzPA： 1,6mMemFLPAPrn)為1：0.02且厚度為10nm的方式共蒸鍍cgDBCzPA和1,6mMemFLPAPrn，形成第一發光層513。
在第一發光層513上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF)為0.2：0.3且厚度為2nm的方式共蒸鍍2mDBTBPDBq-II和PCBBiF，形成分離層520。
在分離層520上以重量比(2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：Ir(mpmppm)2(acac))為0.8：0.2：0.06且厚度為20nm的方式共蒸鍍2mDBTBPDBq-II、PCBBiF、Ir(mpmppm)2(acac)，形成第二發光層514。
在第二發光層514上以厚度分別為15nm、20nm的方式依次蒸鍍2mDBTBPDBq-II、Bphen，形成電子傳輸層(515(1)、515(2))。在電子傳輸層(515(1)、515(2))上以厚度為1nm的方式蒸鍍氟化鋰，形成電子注入層516。
在電子注入層516上以體積比(Ag：Mg)為0.5：0.05且厚度為15nm的方式共蒸鍍銀(Ag)和鎂(Mg)的合金，形成第二電極502(1)。
接著，在第二電極502(1)上利用濺射法以厚度為70nm的方式形成ITO膜。
如表7所示，發光元件7的密封基板550上形成有厚度為2.36μm的紅色(R)濾色片作為彩色層552，發光元件8的密封基板550上形成有厚度為1.29μm的綠色(G)濾色片作為彩色層552，發光元件9的密封 基板550上形成有厚度為0.78μm的藍色(B)濾色片作為彩色層552，發光元件10的密封基板550上形成有厚度為0.80μm的黃色(Y)濾色片作為彩色層552。
在氮氛圍的手套箱中，以不使其暴露於大氣的方式貼合藉由上述步驟製造的發光元件7至發光元件10與密封基板，由此進行密封(將密封材料塗佈在發光元件的周圍，並且在密封時以6J/cm2照射365nm的紫外光，並且以80℃進行1小時的熱處理)。
在上述蒸鍍過程中，作為蒸鍍都採用電阻加熱法。
〈4-2.發光元件7至發光元件10的特性〉
圖26A示出發光元件7至發光元件10的電流密度-亮度特性。在圖26A中，橫軸表示電流密度(mA/cm2)，縱軸表示亮度(cd/m2)。圖26B示出發光元件7至發光元件10的電壓-亮度特性。在圖26B中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行各發光元件的測量。
表8示出1000cd/m2附近的發光元件7至發光元件10的元件特性。
Figure 110118316-A0101-12-0071-12
圖27示出以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件7至發光元件10時的發射光譜。如圖27所示，在紅色的波長區域中觀察到發光元件7的峰值，在綠色的波長區域中觀察到發光元件8的峰值，在藍色的波長區域中觀察到發光元件9的峰值，在黃色的波長區域中觀察到發光元件10的峰值。由此可知，藉由組合並使用發光元件7至發光元件10，可以實現全彩色化。
如表7所示，在本實施例中製造的發光元件7至發光元件10使用同一第一發光層513及同一第二發光層514。從圖26A和圖26B、圖27所示的結果可以確認到：即使第一發光層513及第二發光層514的結構相同，其發射光譜互不相同的發光元件也具有高電流效率及良好的元件特性。
以上，本實施例所示的結構可以與其他實施方式或實施例適當地組合而使用。
(參考例子)
示出在實施例1及實施例2中使用的Ir(ppm-dmp)2(acac)的合成方法。合成方案為如下。
Figure 110118316-A0101-12-0072-13
〈1.4-氯-6-苯基嘧啶的合成〉
在氬氣流下對由5.0g的4,6-二氯嘧啶、4.9g的苯基硼酸、7.1g的碳酸鈉、0.34g的雙(三苯基膦)二氯化鈀(II)(Pd(PPh3)2Cl2)、20mL的乙腈、20mL的水而成的混合物照射微波(2.45GHz，100W)1小時，進行加熱回流。使用二氯甲烷對所得到的混合物進行萃取，利用矽膠管柱層析法(展開溶劑：二氯甲烷)進行純化，由此得 到1.6g的4-氯-6-苯基嘧啶(產率：23%，淡黃色的固體)。在本參考例子中，使用微波合成裝置(CEM公司製造，Discover)照射微波。
〈2.4-苯基-6-(2,6-二甲基苯基)嘧啶(Hppm-dmp)的合成〉
在氬氣流下對由1.6g的4-氯-6-苯基嘧啶、1.5g的2,6-二甲基苯硼酸、1.8g的碳酸鈉、59mg的Pd(PPh3)2Cl2、20mL的N,N-二甲基甲醯胺、20mL的水而成的混合物照射微波(2.45GHz，100W)2小時，進行加熱回流。使用二氯甲烷對所得到的混合物進行萃取，利用矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯：己烷=1：5)進行純化，由此得到0.50g的Hppm-dmp(產率：23%，淡黃色的油狀物)。
〈3.二-μ-氯-四{2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}二銥(III)([Ir(ppm-dmp)2Cl]2)的合成〉
在氬氣流下對由1.0g的Hppm-dmp、0.57g的氯化銥(Ⅲ)水合物、20mL的2-乙氧基乙醇、20mL的水而成的混合物照射微波(2.45GHz，100W)3小時，進行加熱回流。對所得到的混合物進行過濾，使用甲醇對固體進行洗滌，由此得到1.1g的[Ir(ppm-dmp)2Cl]2(產率：74%，橙色的固體)。
〈4.Ir(ppm-dmp)2(acac)的合成〉
在氬氣流下對由1.1g的[Ir(ppm-dmp)2Cl]2、0.77g的碳酸鈉、0.23g的乙醯丙酮(Hacac)、30mL的2-乙氧基乙醇而成的混合物照射微波(2.45GHz，120W)2小時，進行加熱回流。對所得到的混合物進行過濾，使用甲醇對不溶部進行洗滌。濃縮所得到的濾液，利用矽膠管柱層析法(展開溶劑：乙酸乙酯：己烷=1：5)對殘渣進行純化，對所得到的固體使用己烷進行再結晶，由此得到Ir(ppm-dmp)2(acac)(產率：59%，橙色的粉末固體)。利用梯度昇華方法(train sublimation method)對0.21g的所得到的橙色的粉末固體進行昇華純化，以48%的產率收集目的物的橙色固體。昇華純化的條件為如下：壓力為2.7Pa；氬氣流量為5.0mL/min；240℃。以下示出所得到的Ir(ppm-dmp)2(acac)的1H-NMR(核磁共振)光譜資料。
1H-NMR.δ(CDCl3)：1.85(s,6H)，2.26(s,12H)，5.35(s,1H)，6.46-6.48(dd,2H)，6.83-6.90(dm,4H)，7.20-7.22(d,4H)，7.29-7.32(t,2H)，7.63-7.65(dd,2H)，7.72(ds,2H)，9.24(ds,2H)。
實施例5
在本實施例中，示出採用具有本發明的一個方式的發光元件的第一發光層的結構的發光元件11、採用具有本發明的一個方式的發光元件的第二發光層的結構 的發光元件12的製造例子。以下，示出在本實施例中使用的化合物N,N’-(芘-1,6-二基)雙[(6,N-二苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](簡稱：1,6BnfAPrn-03)的結構。注意，省略在上述其他實施例中記載的發光元件所使用的化合物的結構和名稱。
Figure 110118316-A0101-12-0075-14
〈5-1.發光元件11及發光元件12的製造〉
與在實施例1中說明的發光元件1同樣，發光元件11具有在第一電極501上層疊有電洞注入層511、電洞傳輸層512、第一發光層513的結構，其中不形成第二發光層514而在第一發光層513上依次層疊有電子傳輸層515(1)、515(2)、電子注入層516及第二電極502。與在實施例1中說明的發光元件1同樣，發光元件12具有在第一電極501上層疊有電洞注入層511、電洞傳輸層512的結構，但不形成第一發光層513而在電洞傳輸層512上依次層疊有第二發光層514、電子傳輸層515 (1)、515(2)、電子注入層516及第二電極502。
因此，關於發光元件的具體製造方法參照實施例1中的記載，並且表9示出在本實施例中製造的發光元件(發光元件11及發光元件12)的詳細元件結構。
Figure 110118316-A0101-12-0076-15
〈5-2.發光元件11及發光元件12的特性〉
圖28和圖31分別示出發光元件11和發光元件12的亮度-外部量子效率特性。在圖28和圖31中，橫軸表示亮度(cd/m2)，縱軸表示外部量子效率(%)。在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行各發光元件的測量。
表10示出1000cd/m2附近的發光元件11及發光元件12的元件特性。
Figure 110118316-A0101-12-0077-16
圖29示出以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件11時的發射光譜。圖32示出同樣地以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件12時的發射光譜。在圖29及圖32中，橫軸表示波長(nm)，縱軸表示發光強度(任意單位)。如圖29所示，在藍色的波長區域中觀察到發光元件11的峰值，由此可知得到來自第一發光層513所包含的發光材料的光。如圖32所示，在黃色的波長區域中觀察到發光元件12的峰值，由此可知得到來自第二發光層514所包含的發光材料的光。
另外，進行發光元件11及發光元件12的可靠性測試。圖30和圖33分別示出對發光元件11和發光元件12進行測量而得到的結果。在圖30和圖33中，縱軸表示初期亮度為100%時的正規化亮度(%)，橫軸表示元件的驅動時間(h)。在可靠性測試中，在將初期亮度設定為5000cd/m2且電流密度為固定的條件下，驅動發光元件11及發光元件12。其結果是，發光元件11可以保持初期亮度的90%左右130小時，發光元件12可以保持初期亮度的90%左右1300小時。
以上，本實施例所示的結構可以與其他實施方式或實施例適當地組合而使用。
(參考例子)
在本參考例子中，對在實施例中使用的有機化合物N,N’-(芘-1,6-二基)雙[(6,N-二苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](簡稱：1,6BnfAPrn-03)的合成方法進行說明。以下示出1,6BnfAPrn-03的結構。
Figure 110118316-A0101-12-0078-17
〈步驟1：6-碘苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃的合成〉
將8.5g(39mmol)的苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃放在500mL三頸燒瓶中，對燒瓶內進行氮氣置換，然後添加195mL的四氫呋喃(THF)。將該溶液冷卻到-75℃，然後將25mL(40mmol)的正丁基鋰(1.59mol/L正己烷溶液)滴加到該溶液中。在滴加之後，在室溫下攪拌所得到的溶液1小時。
在經過規定時間之後，將該溶液冷卻到-75 ℃，對該溶液滴加將10g(40mmol)的碘溶解於40mL的THF。在滴加之後，在將所得到的溶液回升至室溫的同時攪拌17小時。在經過規定時間之後，對該混合物加入硫代硫酸鈉水溶液攪拌1小時，然後使用水洗滌該混合物的有機層，使用硫酸鎂使有機層乾燥。在乾燥之後，對該混合物進行自然過濾，對所得到的溶液通過矽藻土(日本和光純藥工業公司、目錄號碼：531-16855)、矽酸鎂(日本和光純藥工業公司、目錄號碼：540-00135)進行吸引過濾。使用甲苯對濃縮所得到的濾液得到的固體進行再結晶，以45%的產率得到6.0g(18mmol)的目的物的白色粉末。以下示出步驟1的合成方案。
Figure 110118316-A0101-12-0079-18
〈步驟2：6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃的合成〉
將6.0g(18mmol)的6-碘苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃、2.4g(19mmol)的苯硼酸、70mL的甲苯、20mL的乙醇及22mL的碳酸鉀水溶液(2.0mol/L)放在200mL三頸燒瓶中。在對該混合物進行減壓的同時，攪拌該混合物而脫氣。在脫氣之後，利用氮氣取代燒瓶內部的空氣，加入480mg(0.42mmol)的四(三苯基膦)鈀(0)。在氮氣流下以90℃攪拌該混合物12小時。
在經過規定時間之後，將水加入到該混合物中將溶液分為有機層和水層。混合從該水層使用甲苯萃取的萃取溶液和有機層，使用水進行洗滌，然後使用硫酸鎂乾燥。對該混合物進行自然過濾，將濃縮所得到的濾液來得到的固體溶解於甲苯。對所得到的溶液通過矽藻土(日本和光純藥工業公司、目錄號碼：531-16855)、矽酸鎂(日本和光純藥工業公司、目錄號碼：540-00135)、礬土進行吸引過濾。使用甲苯對濃縮所得到的濾液來得到的固體進行再結晶，以93%的產率得到4.9g(17mmol)的目的物的白色固體。以下示出步驟2的合成方案。
Figure 110118316-A0101-12-0080-19
〈步驟3：8-碘-6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃的合成〉
將4.9g(17mmol)的6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃放在300mL三頸燒瓶中，對燒瓶內進行氮氣置換，然後添加87mL的四氫呋喃(THF)。將該溶液冷卻到-75℃，然後將11mL(18mmol)的正丁基鋰(1.59mol/L正己烷溶液)滴加到該溶液中。在滴加之後，在室溫下攪拌該溶液1小時。在經過規定時間之後，將該溶液冷卻到-75℃，對該溶液滴加將4.6g(18mmol)的碘溶解於18mL的THF的溶液。
在將所得到的溶液回升至室溫的同時攪拌17小時。在經過規定時間之後，對該混合物加入硫代硫酸鈉水溶液攪拌1小時，然後使用水洗滌該混合物的有機層，使用硫酸鎂使有機層乾燥。對該混合物進行自然過濾，對所得到的溶液通過矽藻土(日本和光純藥工業公司、目錄號碼：531-16855)、矽酸鎂(日本和光純藥工業公司、目錄號碼：540-00135)及礬土進行吸引過濾。使用甲苯對濃縮所得到的濾液得到的固體進行再結晶，以53%的產率得到3.7g(8.8mmol)的目的物的白色固體。以下示出步驟3的合成方案。
Figure 110118316-A0101-12-0081-20
〈步驟4：1,6BnfAPrn-03的合成〉
將0.71g(2.0mmol)的1,6-二溴芘、1.0g(10.4mmol)的三級丁醇鈉、10mL的甲苯、0.36mL(4.0mmol)的苯胺及0.3mL的三(三級丁基)膦(10wt%己烷溶液)放在100mL三頸燒瓶中，對燒瓶內進行氮氣置換。對該混合物加入50mg(85μmol)的雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)，以80℃攪拌2小時。
在經過規定時間之後，對所得到的混合物加入1.7g(4.0mmol)的8-碘-6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋 喃、180mg(0.44mmol)的2-二環己基膦基-2’,6’-二甲氧基聯苯(簡稱：S-Phos)及50mg(85μmol)的雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)，在100℃下攪拌該混合物15小時。在經過規定時間之後，將所得到的混合物通過矽藻土(日本和光純藥工業公司、目錄號碼：531-16855)進行過濾。使用乙醇對藉由濃縮所得到的濾液得到的固體進行洗滌並使用甲苯進行再結晶，以71%的產率得到1.38g(1.4mmol)的目的物的黃色固體。
藉由利用梯度昇華方法對所得到的1.37mg(1.4mmol)的黃色固體進行昇華純化。在昇華純化中，在氬流量為10mL/min、壓力為2.3Pa的條件下以370℃加熱黃色固體。在進行昇華純化之後，以50%的收集率得到0.68g(0.70mmol)的黃色固體。以下示出步驟4的合成方案。
Figure 110118316-A0101-12-0083-21
下面示出利用核磁共振法(1H-NMR)來分析藉由上述步驟4得到的黃色固體的結果。由其結果可知：得到了1,6BnfAPrn-03。
1H NMR(二氯甲烷-d2、500MHz)：δ=6.88(t、J=7.7Hz、4H)、7.03-7.06(m、6H)、7.11(t、J=7.5Hz、2H)、7.13(d、J=8.0Hz、2H)、7.28-7.32(m、8H)、7.37(t、J=8.0Hz、2H)、7.59(t、J=7.2Hz、2H)、7.75(t、J=7.7Hz、2H)、7.84(d、J=9.0Hz、2H)、7.88(d、J=8.0Hz、2H)、8.01(s、2H)、8.07(d、J=8.0Hz、4H)、8.14(d、J=9.0Hz、2H)、8.21(d、J=8.0Hz、2H)、8.69(d、J=8.5Hz、2H)。
100:發光元件
101:電極
102:電極
111:電洞注入層
112:電洞傳輸層
113:發光層
114:發光層
115:電子傳輸層
116:電子注入層
130:EL層
140:發光元件

Claims (4)

  1. 一種發光裝置，其包含具有多個電晶體、及位於該多個電晶體上方的多個發光元件之像素部，
    該多個電晶體分別具有氧化物半導體，
    該多個發光元件具有第一發光元件至第四發光元件，
    該第一發光元件至該第四發光元件分別具有第一陽極至第四陽極、該第一陽極至該第四陽極上的第一發光層、該第一發光層上的第二發光層、及該第二發光層上的陰極，
    該第一發光元件至該第四發光元件於該第一發光層與該第一陽極至該第四陽極中之每一者之間不具有發光層，
    該第一發光層、該第二發光層及該陰極係共同設置於該第一發光元件至該第四發光元件之間，
    該第一發光層與該第二發光層分開設置，
    該第一發光層具有螢光材料、及主體材料，
    該第二發光層具有磷光材料、第一有機化合物、及第二有機化合物，
    該螢光材料的發射光譜在420nm以上且480nm以下的波長區域中具有峰值，
    該磷光材料的發射光譜在550nm以上且590nm以下的波長區域中至少具有一個峰值，
    該主體材料之最低三重態激發能階比該第一有機化合物之最低三重態激發能階小，
    該第一有機化合物及該第二有機化合物的組態能形成 激態錯合物，
    該激態錯合物的發光峰值與該磷光材料的吸收光譜中最長波長側的吸收帶重疊，
    於該第一陽極的下方，設置與該第一陽極重疊之紅色濾色片，
    於該第二陽極的下方，設置與該第二陽極重疊之綠色濾色片，
    於該第三陽極的下方，設置與該第三陽極重疊之藍色濾色片，
    於該第四陽極的下方，未設置濾色片。
  2. 一種發光裝置，其包含具有多個電晶體、及位於該多個電晶體上方的多個發光元件之像素部，
    該多個電晶體分別具有氧化物半導體，
    該多個發光元件具有第一發光元件至第四發光元件，
    該第一發光元件至該第四發光元件分別具有第一陽極至第四陽極、該第一陽極至該第四陽極上的第一發光層、該第一發光層上的第二發光層及該第二發光層上的陰極，
    該第一發光元件至該第四發光元件於該第一發光層與該第一陽極至該第四陽極中之每一者之間不具有發光層，
    該第一發光層、該第二發光層及該陰極係共同設置於該第一發光元件至該第四發光元件之間，
    該第一發光層與該第二發光層分開設置，
    該第一發光層具有芘衍生物之螢光材料、及主體材料，
    該第二發光層具有磷光材料、第一有機化合物、及第二有機化合物，
    該螢光材料的發射光譜在420nm以上且480nm以下的波長區域中具有峰值，
    該磷光材料的發射光譜在550nm以上且590nm以下的波長區域中至少具有一個峰值，
    該主體材料之最低三重態激發能階比該第一有機化合物之最低三重態激發能階小，
    該第一有機化合物及該第二有機化合物的組態能形成激態錯合物，
    該激態錯合物的發光峰值與該磷光材料的吸收光譜中最長波長側的吸收帶重疊，
    於該第一陽極的下方，設置該第一陽極與重疊紅色濾色片，
    於該第二陽極的下方，設置該第二陽極與重疊之綠色濾色片，
    於該第三陽極的下方，設置與該第三陽極重疊之藍色濾色片，
    於該第四陽極的下方，未設置濾色片。
  3. 一種發光裝置，其包含具有多個電晶體、及位於該多個電晶體上方的多個發光元件之像素部，
    該多個電晶體分別具有氧化物半導體，
    該多個發光元件具有第一發光元件至第四發光元件，
    該第一發光元件至該第四發光元件分別具有第一陽極 至第四陽極、該第一陽極至該第四陽極上的第一發光層、該第一發光層上的第二發光層、及該第二發光層上的陰極，
    該第一發光元件至該第四發光元件於該第一發光層與該第一陽極至該第四陽極中之每一者之間不具有發光層，
    該第一發光層、該第二發光層及該陰極係共同設置於該第一發光元件至該第四發光元件之間，
    該第一發光層與該第二發光層分開設置，
    該第一發光層具有二苯并呋喃衍生物之螢光材料、及主體材料，
    該第二發光層具有磷光材料、第一有機化合物、及第二有機化合物，
    該螢光材料的發射光譜在420nm以上且480nm以下的波長區域中具有峰值，
    該磷光材料的發射光譜在550nm以上且590nm以下的波長區域至少具有一個峰值，
    該主體材料之最低三重態激發能階比該第一有機化合物之最低三重態激發能階小，
    該第一有機化合物及該第二有機化合物的組態能形成激態錯合物，
    該激態錯合物的發光譜峰值與該磷光材料的吸收光譜中最長波長側的吸收帶重疊，
    於該第一陽極的下方，設置與該第一陽極重疊之紅色濾色片，
    於該第二陽極的下方，設置與該第二陽極重疊之綠色濾色片，
    於該第三陽極的下方，設置與該第三陽極重疊之藍色濾色片，
    於該第四陽極的下方，未設置濾色片。
  4. 一種發光裝置，其包含具有多個電晶體、及位於該多個電晶體上方的多個發光元件之像素部，
    該多個電晶體分別具有氧化物半導體，
    該多個發光元件具有第一發光元件至第四發光元件，
    該第一發光元件至該第四發光元件分別具有第一陽極至第四陽極、該第一陽極至該第四陽極上的第一發光層、該第一發光層上的第二發光層、及該第二發光層上的陰極，
    該第一發光元件至該第四發光元件於該第一發光層與該第一陽極至該第四陽極中之每一者之間不具有發光層，
    該第一發光層、該第二發光層及該陰極係共同設置於該第一發光元件至該第四發光元件之間，
    該第一發光層係與該第二發光層分開設置，
    該第一發光層具有芘衍生物及二苯并呋喃衍生物之螢光材料、及主體材料，
    該第二發光層具有磷光材料、第一有機化合物、及第二有機化合物，
    該螢光材料的發射光譜在420nm以上且480nm以下的波長區域中具有峰值，
    該磷光材料的發射光譜在550nm以上且590nm以下的波長區域中至少具有一個峰值，
    該主體材料之最低三重態激發能階比該第一有機化合物之最低三重態激發能階小，
    該第一有機化合物及該第二有機化合物的組態能形成激態錯合物，
    該激態錯合物的發光峰值與該磷光材料的吸收光譜中最長波長側的吸收帶重疊，
    於該第一陽極的下方，設置與該第一陽極重疊之紅色濾色片，
    於該第二陽極的下方，設置與該第二陽極重疊之綠色濾色片，
    於該第三陽極的下方，設置與該第三陽極重疊之藍色濾色片，
    於該第四陽極的下方，未設置濾色片。
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Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106465507A (zh) 2014-05-30 2017-02-22 株式会社半导体能源研究所 发光装置、显示装置及电子设备
KR102357440B1 (ko) * 2015-01-05 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
TWI860824B (zh) * 2015-03-09 2024-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設備
TWI737594B (zh) 2015-03-09 2021-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，顯示裝置，電子裝置，與照明裝置
US10700288B2 (en) 2015-07-24 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and lighting system
CN113937228A (zh) 2015-12-01 2022-01-14 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
WO2017130079A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9965247B2 (en) 2016-02-22 2018-05-08 Sonos, Inc. Voice controlled media playback system based on user profile
US10095470B2 (en) 2016-02-22 2018-10-09 Sonos, Inc. Audio response playback
US10264030B2 (en) 2016-02-22 2019-04-16 Sonos, Inc. Networked microphone device control
US10097939B2 (en) * 2016-02-22 2018-10-09 Sonos, Inc. Compensation for speaker nonlinearities
US9947316B2 (en) 2016-02-22 2018-04-17 Sonos, Inc. Voice control of a media playback system
US10743101B2 (en) 2016-02-22 2020-08-11 Sonos, Inc. Content mixing
US9811314B2 (en) 2016-02-22 2017-11-07 Sonos, Inc. Metadata exchange involving a networked playback system and a networked microphone system
CN107180847B (zh) * 2016-03-18 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、有机发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN105895819B (zh) * 2016-04-28 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制备方法、oled显示面板
KR102353663B1 (ko) 2016-05-20 2022-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9978390B2 (en) 2016-06-09 2018-05-22 Sonos, Inc. Dynamic player selection for audio signal processing
KR20180002505A (ko) 2016-06-29 2018-01-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자의 제작 방법
US10152969B2 (en) 2016-07-15 2018-12-11 Sonos, Inc. Voice detection by multiple devices
US10134399B2 (en) 2016-07-15 2018-11-20 Sonos, Inc. Contextualization of voice inputs
KR20180010136A (ko) 2016-07-20 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US10115400B2 (en) 2016-08-05 2018-10-30 Sonos, Inc. Multiple voice services
US9942678B1 (en) 2016-09-27 2018-04-10 Sonos, Inc. Audio playback settings for voice interaction
US9743204B1 (en) 2016-09-30 2017-08-22 Sonos, Inc. Multi-orientation playback device microphones
US10181323B2 (en) 2016-10-19 2019-01-15 Sonos, Inc. Arbitration-based voice recognition
JP6901883B2 (ja) * 2017-03-22 2021-07-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
US11183181B2 (en) 2017-03-27 2021-11-23 Sonos, Inc. Systems and methods of multiple voice services
CN110896635B (zh) 2017-05-02 2023-11-03 株式会社半导体能源研究所 有机化合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
US9917270B1 (en) * 2017-05-08 2018-03-13 Cynora Gmbh Organic electroluminescent device having an exciton quenching layer
US10475449B2 (en) 2017-08-07 2019-11-12 Sonos, Inc. Wake-word detection suppression
US10048930B1 (en) 2017-09-08 2018-08-14 Sonos, Inc. Dynamic computation of system response volume
US10446165B2 (en) 2017-09-27 2019-10-15 Sonos, Inc. Robust short-time fourier transform acoustic echo cancellation during audio playback
US10482868B2 (en) 2017-09-28 2019-11-19 Sonos, Inc. Multi-channel acoustic echo cancellation
US10621981B2 (en) 2017-09-28 2020-04-14 Sonos, Inc. Tone interference cancellation
US10051366B1 (en) 2017-09-28 2018-08-14 Sonos, Inc. Three-dimensional beam forming with a microphone array
US10466962B2 (en) 2017-09-29 2019-11-05 Sonos, Inc. Media playback system with voice assistance
KR102718074B1 (ko) 2017-10-27 2024-10-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US10880650B2 (en) 2017-12-10 2020-12-29 Sonos, Inc. Network microphone devices with automatic do not disturb actuation capabilities
US10818290B2 (en) 2017-12-11 2020-10-27 Sonos, Inc. Home graph
WO2019152722A1 (en) 2018-01-31 2019-08-08 Sonos, Inc. Device designation of playback and network microphone device arrangements
US11175880B2 (en) 2018-05-10 2021-11-16 Sonos, Inc. Systems and methods for voice-assisted media content selection
CN110492005B (zh) * 2018-05-14 2020-08-11 江苏三月科技股份有限公司 一种以激基复合物作为主体材料的有机电致发光器件
US10847178B2 (en) 2018-05-18 2020-11-24 Sonos, Inc. Linear filtering for noise-suppressed speech detection
US10959029B2 (en) 2018-05-25 2021-03-23 Sonos, Inc. Determining and adapting to changes in microphone performance of playback devices
CN108695440B (zh) * 2018-05-30 2019-07-16 昆山国显光电有限公司 一种有机电致发光器件
US11063224B2 (en) 2018-05-30 2021-07-13 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Organic electroluminescent device
CN112219452A (zh) 2018-06-06 2021-01-12 株式会社半导体能源研究所 发光装置、显示装置及电子设备
US10681460B2 (en) 2018-06-28 2020-06-09 Sonos, Inc. Systems and methods for associating playback devices with voice assistant services
US10461710B1 (en) 2018-08-28 2019-10-29 Sonos, Inc. Media playback system with maximum volume setting
US11076035B2 (en) 2018-08-28 2021-07-27 Sonos, Inc. Do not disturb feature for audio notifications
CN109166982A (zh) * 2018-08-31 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件、显示面板及显示装置
CN109411633B (zh) * 2018-08-31 2020-12-15 昆山国显光电有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置
US10878811B2 (en) 2018-09-14 2020-12-29 Sonos, Inc. Networked devices, systems, and methods for intelligently deactivating wake-word engines
US10587430B1 (en) 2018-09-14 2020-03-10 Sonos, Inc. Networked devices, systems, and methods for associating playback devices based on sound codes
US11024331B2 (en) 2018-09-21 2021-06-01 Sonos, Inc. Voice detection optimization using sound metadata
US10811015B2 (en) 2018-09-25 2020-10-20 Sonos, Inc. Voice detection optimization based on selected voice assistant service
CN110957435B (zh) * 2018-09-27 2022-07-15 江苏三月科技股份有限公司 一种基于tta延迟荧光的有机电致发光器件
US11100923B2 (en) 2018-09-28 2021-08-24 Sonos, Inc. Systems and methods for selective wake word detection using neural network models
US10692518B2 (en) 2018-09-29 2020-06-23 Sonos, Inc. Linear filtering for noise-suppressed speech detection via multiple network microphone devices
US12284915B2 (en) 2018-10-09 2025-04-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and electronic apparatus provided with the same
US20220169656A1 (en) 2018-10-09 2022-06-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Novel compound, organic electroluminescence device and electronic apparatus
CN112789270A (zh) 2018-10-09 2021-05-11 出光兴产株式会社 新型的化合物、有机电致发光元件、电子设备
US12171141B2 (en) 2018-10-09 2024-12-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and electronic apparatus provided with the same
US12433162B2 (en) 2018-10-09 2025-09-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, organic electroluminescence device, and electronic apparatus
WO2020075783A1 (ja) * 2018-10-09 2020-04-16 出光興産株式会社 新規な化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器
US11899519B2 (en) 2018-10-23 2024-02-13 Sonos, Inc. Multiple stage network microphone device with reduced power consumption and processing load
KR20210089685A (ko) * 2018-11-09 2021-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스, 발광 기기, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
EP3654249A1 (en) 2018-11-15 2020-05-20 Snips Dilated convolutions and gating for efficient keyword spotting
US11183183B2 (en) 2018-12-07 2021-11-23 Sonos, Inc. Systems and methods of operating media playback systems having multiple voice assistant services
US11132989B2 (en) 2018-12-13 2021-09-28 Sonos, Inc. Networked microphone devices, systems, and methods of localized arbitration
US10602268B1 (en) 2018-12-20 2020-03-24 Sonos, Inc. Optimization of network microphone devices using noise classification
CN109817818B (zh) * 2019-01-31 2021-05-04 云谷（固安）科技有限公司 一种有机电致发光器件和显示装置
KR20210123306A (ko) 2019-02-06 2021-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 표시 장치, 및 조명 장치
US11315556B2 (en) 2019-02-08 2022-04-26 Sonos, Inc. Devices, systems, and methods for distributed voice processing by transmitting sound data associated with a wake word to an appropriate device for identification
US10867604B2 (en) 2019-02-08 2020-12-15 Sonos, Inc. Devices, systems, and methods for distributed voice processing
US11120794B2 (en) 2019-05-03 2021-09-14 Sonos, Inc. Voice assistant persistence across multiple network microphone devices
US20200373360A1 (en) * 2019-05-23 2020-11-26 Universal Display Corporation Oled display panel with unpatterned emissive stack
US11361756B2 (en) 2019-06-12 2022-06-14 Sonos, Inc. Conditional wake word eventing based on environment
US11200894B2 (en) 2019-06-12 2021-12-14 Sonos, Inc. Network microphone device with command keyword eventing
US10586540B1 (en) 2019-06-12 2020-03-10 Sonos, Inc. Network microphone device with command keyword conditioning
US11138975B2 (en) 2019-07-31 2021-10-05 Sonos, Inc. Locally distributed keyword detection
US10871943B1 (en) 2019-07-31 2020-12-22 Sonos, Inc. Noise classification for event detection
US11138969B2 (en) 2019-07-31 2021-10-05 Sonos, Inc. Locally distributed keyword detection
KR102808267B1 (ko) * 2019-09-16 2025-05-20 솔루스첨단소재 주식회사 유기 전계 발광 소자
US11189286B2 (en) 2019-10-22 2021-11-30 Sonos, Inc. VAS toggle based on device orientation
JP6974637B2 (ja) * 2019-11-06 2021-12-01 デクセリアルズ株式会社 マイクロレンズアレイ及び投影型画像表示装置
CN112786663A (zh) 2019-11-08 2021-05-11 株式会社半导体能源研究所 发光装置、电子设备及照明装置
CN114514629A (zh) * 2019-11-08 2022-05-17 出光兴产株式会社 有机电致发光元件和电子设备
US11200900B2 (en) 2019-12-20 2021-12-14 Sonos, Inc. Offline voice control
US11562740B2 (en) 2020-01-07 2023-01-24 Sonos, Inc. Voice verification for media playback
US11556307B2 (en) 2020-01-31 2023-01-17 Sonos, Inc. Local voice data processing
US11308958B2 (en) 2020-02-07 2022-04-19 Sonos, Inc. Localized wakeword verification
US11308962B2 (en) 2020-05-20 2022-04-19 Sonos, Inc. Input detection windowing
US11482224B2 (en) 2020-05-20 2022-10-25 Sonos, Inc. Command keywords with input detection windowing
US11727919B2 (en) 2020-05-20 2023-08-15 Sonos, Inc. Memory allocation for keyword spotting engines
US12387716B2 (en) 2020-06-08 2025-08-12 Sonos, Inc. Wakewordless voice quickstarts
US11698771B2 (en) 2020-08-25 2023-07-11 Sonos, Inc. Vocal guidance engines for playback devices
US12283269B2 (en) 2020-10-16 2025-04-22 Sonos, Inc. Intent inference in audiovisual communication sessions
US11984123B2 (en) 2020-11-12 2024-05-14 Sonos, Inc. Network device interaction by range
KR20220080803A (ko) 2020-12-07 2022-06-15 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치
US11551700B2 (en) 2021-01-25 2023-01-10 Sonos, Inc. Systems and methods for power-efficient keyword detection
KR102836742B1 (ko) * 2021-02-25 2025-07-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치
EP4409933A1 (en) 2021-09-30 2024-08-07 Sonos, Inc. Enabling and disabling microphones and voice assistants
KR20230102392A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US12327549B2 (en) 2022-02-09 2025-06-10 Sonos, Inc. Gatekeeping for voice intent processing
JP2024003294A (ja) * 2022-06-27 2024-01-15 キヤノン株式会社 有機発光素子
CN119947400B (zh) * 2025-01-21 2025-11-14 昆山国显光电有限公司 发光二极管器件、显示面板及显示装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200920181A (en) * 2007-07-07 2009-05-01 Idemitsu Kosan Co Organic EL device
TW201213497A (en) * 2010-05-24 2012-04-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element
TW201233767A (en) * 2010-10-22 2012-08-16 Semiconductor Energy Lab Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device and lighting device
TW201307528A (zh) * 2011-04-29 2013-02-16 Semiconductor Energy Lab 利用磷光之發光裝置，電子裝置及照明裝置
TW201314985A (zh) * 2011-09-16 2013-04-01 Toshiba Kk 有機電激發光裝置、顯示器及照明器材
CN103026398A (zh) * 2010-07-21 2013-04-03 夏普株式会社 基板及其制造方法、显示装置
TW201347265A (zh) * 2012-04-13 2013-11-16 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、電子裝置及照明設備
TW201401602A (zh) * 2012-03-14 2014-01-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
JP2014006519A (ja) * 2012-05-31 2014-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
TW201407854A (zh) * 2012-08-03 2014-02-16 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置及照明設備

Family Cites Families (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE509718C2 (sv) * 1996-06-07 1999-03-01 Biolight Patent Holding Ab Anordning för medicinsk utvärtes ljusbehandling
WO2000070655A2 (en) 1999-05-13 2000-11-23 The Trustees Of Princeton University Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
EP1202608B2 (en) 2000-10-30 2012-02-08 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Organic light-emitting devices
SG138466A1 (en) 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
CN1302565C (zh) 2001-05-16 2007-02-28 普林斯顿大学理事会 高效多色电致磷光oled
ITTO20010692A1 (it) 2001-07-13 2003-01-13 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico basato sull'emissione di ecciplessi od elettroplessi e sua realizzazione.
US6863997B2 (en) 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
ITBO20020165A1 (it) 2002-03-29 2003-09-29 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico con droganti cromofori
TWI314947B (en) 2002-04-24 2009-09-21 Eastman Kodak Compan Organic light emitting diode devices with improved operational stability
KR101114899B1 (ko) 2002-12-26 2012-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP2004241374A (ja) 2003-01-17 2004-08-26 Sogo Pharmaceutical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI316827B (en) 2003-02-27 2009-11-01 Toyota Jidoshokki Kk Organic electroluminescent device
JP4531342B2 (ja) 2003-03-17 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 白色有機発光素子および発光装置
US7175922B2 (en) 2003-10-22 2007-02-13 Eastman Kodak Company Aggregate organic light emitting diode devices with improved operational stability
JP4925569B2 (ja) 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2006024830A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Sogo Pharmaceutical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4956893B2 (ja) 2004-10-19 2012-06-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US7597967B2 (en) 2004-12-17 2009-10-06 Eastman Kodak Company Phosphorescent OLEDs with exciton blocking layer
US20060134464A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Fuji Photo Film Co. Ltd Organic electroluminescent element
US9070884B2 (en) 2005-04-13 2015-06-30 Universal Display Corporation Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters
JP2007103028A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US20070090756A1 (en) 2005-10-11 2007-04-26 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element
EP1777758A1 (en) 2005-10-18 2007-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device
EP1956022B1 (en) 2005-12-01 2012-07-25 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Compound for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element
CN101321773B (zh) 2005-12-05 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物和使用它的发光元件、发光设备和电子设备
US7977862B2 (en) * 2005-12-21 2011-07-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
JP5093879B2 (ja) 2006-03-20 2012-12-12 国立大学法人京都大学 ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子
EP2254173B1 (en) 2006-03-21 2013-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Organometallic complex and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the organometallic complex
JP5238227B2 (ja) 2006-12-27 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体および有機金属錯体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器
JP2008288344A (ja) 2007-05-16 2008-11-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ素子
US20080286610A1 (en) 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid oled with fluorescent and phosphorescent layers
CN101679467B (zh) 2007-05-18 2016-03-02 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物，包含该有机金属配合物的组合物和发光元件
US8034465B2 (en) 2007-06-20 2011-10-11 Global Oled Technology Llc Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers
WO2009008201A1 (ja) 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. ナフタレン誘導体、有機ｅｌ素子用材料及びそれを用いた有機ｅｌ素子
US8211552B2 (en) 2007-07-07 2012-07-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US8779655B2 (en) 2007-07-07 2014-07-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
JP5473600B2 (ja) 2007-07-07 2014-04-16 出光興産株式会社 クリセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20100057593A (ko) 2007-07-07 2010-05-31 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 소자 및 유기 ｅｌ 재료 함유 용액
WO2009008205A1 (ja) 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子用材料
US8154195B2 (en) 2007-07-07 2012-04-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US20090045731A1 (en) 2007-07-07 2009-02-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
JPWO2009008346A1 (ja) 2007-07-07 2010-09-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
TW200921964A (en) 2007-07-07 2009-05-16 Idemitsu Kosan Co Organic el device
KR100924145B1 (ko) * 2008-06-10 2009-10-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
DE102008035413A1 (de) * 2008-07-29 2010-02-04 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
JP5329342B2 (ja) 2008-09-01 2013-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
JP5325707B2 (ja) 2008-09-01 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
WO2010026859A1 (en) 2008-09-05 2010-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP5448680B2 (ja) * 2008-10-10 2014-03-19 キヤノン株式会社 表示装置
JP2010114425A (ja) * 2008-10-10 2010-05-20 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
KR101074787B1 (ko) 2008-12-26 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
US9153790B2 (en) 2009-05-22 2015-10-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
DE102009023154A1 (de) 2009-05-29 2011-06-16 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung, enthaltend mindestens eine Emitterverbindung und mindestens ein Polymer mit konjugationsunterbrechenden Einheiten
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
KR101691395B1 (ko) 2009-09-04 2017-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 및 이의 제조방법
JP5732463B2 (ja) 2009-10-05 2015-06-10 トルン ライティング リミテッドＴｈｏｒｎ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ Ｌｉｍｉｔｅｄ 多層有機素子
KR101352116B1 (ko) 2009-11-24 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
EP3176241A1 (en) 2009-12-07 2017-06-07 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic light-emitting material and organic light-emitting element
EP2363398B1 (en) 2010-03-01 2017-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
EP2366753B1 (en) 2010-03-02 2015-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element and Lighting Device
DE102010020044A1 (de) * 2010-05-11 2011-11-17 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
JP5602555B2 (ja) 2010-05-17 2014-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
KR101351417B1 (ko) * 2010-10-26 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
US8883323B2 (en) 2010-11-22 2014-11-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US20120126205A1 (en) 2010-11-22 2012-05-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US9324950B2 (en) 2010-11-22 2016-04-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
KR101870471B1 (ko) 2011-01-20 2018-06-22 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
WO2012111680A1 (en) 2011-02-16 2012-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting body, light-emitting layer, and light-emitting device
CN121442891A (zh) 2011-02-16 2026-01-30 株式会社半导体能源研究所 发光元件
DE112012007377B4 (de) 2011-02-16 2025-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierendes Element
TW202542110A (zh) 2011-02-28 2025-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件
US8969854B2 (en) 2011-02-28 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting layer and light-emitting element
TWI562423B (en) 2011-03-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and lighting device
JP5694019B2 (ja) 2011-03-17 2015-04-01 株式会社東芝 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
KR20250018429A (ko) 2011-03-23 2025-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
DE112012001504B4 (de) 2011-03-30 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element
KR20250034194A (ko) 2011-04-07 2025-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
KR102025266B1 (ko) 2011-04-29 2019-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 금속 착체, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP2013010752A (ja) * 2011-06-03 2013-01-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機金属錯体、有機発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
US9309223B2 (en) * 2011-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US10566536B2 (en) 2011-07-12 2020-02-18 Wake Forset University Optoelectronic devices and applications thereof
DE112012007348B3 (de) 2011-07-22 2021-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, Displayvorrichtung, Beleuchtungsvorrichtung und elektronische Vorrichtung
DE102011080240A1 (de) 2011-08-02 2013-02-07 Cynora Gmbh Singulett-Harvesting mit zweikernigen Kupfer(I)-Komplexen für opto-elektronische Vorrichtungen
TWI774347B (zh) 2011-08-25 2022-08-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置，照明裝置以及新穎有機化合物
US20130088144A1 (en) 2011-10-06 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Phosphorescent Iridium Metal Complex, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Appliance, and Lighting Device
US9318721B2 (en) 2012-01-27 2016-04-19 Wake Forest University Field induced polymer electroluminescent (FIPEL) device
KR102020083B1 (ko) * 2012-01-31 2019-09-09 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 중합체
KR101803537B1 (ko) 2012-02-09 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
US20130240850A1 (en) 2012-03-13 2013-09-19 The Regents Of The University Of Michigan Ultra-high efficiency (125%) phosphorescent organic light emitting diodes using singlet fission
DE112013001439B4 (de) 2012-03-14 2022-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
JP2013232629A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR101419810B1 (ko) 2012-04-10 2014-07-15 서울대학교산학협력단 엑시플렉스를 형성하는 공동 호스트를 포함하는 유기 발광 소자
JP6158542B2 (ja) 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR102699006B1 (ko) 2012-04-20 2024-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
WO2013157591A1 (en) 2012-04-20 2013-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device
JP6076153B2 (ja) 2012-04-20 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
US8994013B2 (en) 2012-05-18 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
TWI587557B (zh) 2012-08-03 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置及照明設備
DE112013003843B4 (de) 2012-08-03 2022-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, elektronische Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
JP6312960B2 (ja) 2012-08-03 2018-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置及び複素環化合物
DE102013214661B4 (de) 2012-08-03 2023-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
TWI679790B (zh) 2012-08-03 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件
JP2014043437A (ja) 2012-08-03 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
KR102204794B1 (ko) 2012-08-10 2021-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치
KR20140038886A (ko) 2012-09-21 2014-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
KR20150058189A (ko) 2012-09-21 2015-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 장치 및 조명 장치
US8734260B2 (en) * 2012-09-28 2014-05-27 Elektroncek D.D. Three-dimensional auditorium wagering system
JP6113993B2 (ja) 2012-10-03 2017-04-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI500144B (zh) * 2012-12-31 2015-09-11 Lg Display Co Ltd 有機發光顯示裝置及其製造方法
US9496503B2 (en) 2013-03-25 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102116491B1 (ko) * 2013-03-27 2020-05-29 삼성디스플레이 주식회사 파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US10043982B2 (en) 2013-04-26 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
KR102763019B1 (ko) 2013-05-16 2025-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9130182B2 (en) 2013-06-28 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
US20160268516A1 (en) * 2013-08-16 2016-09-15 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, electronic device, light emitting device, and light emitting material
KR102022533B1 (ko) 2013-08-26 2019-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
WO2015083021A1 (en) 2013-12-02 2015-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device
CN108598272B (zh) 2013-12-02 2020-10-16 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示模块、照明模块、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置
JP5894209B2 (ja) * 2014-04-03 2016-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR20150130224A (ko) 2014-05-13 2015-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN111293226B (zh) 2014-09-30 2022-10-28 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示装置、电子设备以及照明装置
JP6823372B2 (ja) 2015-01-30 2021-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102873722B1 (ko) 2015-07-21 2025-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200920181A (en) * 2007-07-07 2009-05-01 Idemitsu Kosan Co Organic EL device
TW201213497A (en) * 2010-05-24 2012-04-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element
CN103026398A (zh) * 2010-07-21 2013-04-03 夏普株式会社 基板及其制造方法、显示装置
TW201233767A (en) * 2010-10-22 2012-08-16 Semiconductor Energy Lab Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device and lighting device
TW201307528A (zh) * 2011-04-29 2013-02-16 Semiconductor Energy Lab 利用磷光之發光裝置，電子裝置及照明裝置
TW201314985A (zh) * 2011-09-16 2013-04-01 Toshiba Kk 有機電激發光裝置、顯示器及照明器材
TW201401602A (zh) * 2012-03-14 2014-01-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
TW201347265A (zh) * 2012-04-13 2013-11-16 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、電子裝置及照明設備
JP2014006519A (ja) * 2012-05-31 2014-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
TW201407854A (zh) * 2012-08-03 2014-02-16 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置及照明設備

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