JP2008288344A - 有機el素子 - Google Patents
有機el素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008288344A JP2008288344A JP2007131019A JP2007131019A JP2008288344A JP 2008288344 A JP2008288344 A JP 2008288344A JP 2007131019 A JP2007131019 A JP 2007131019A JP 2007131019 A JP2007131019 A JP 2007131019A JP 2008288344 A JP2008288344 A JP 2008288344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- host compound
- group
- compound
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 0 C*C1=C*(*)C=C(*(C(C=CC)=CC=CN)C2=CC=CC(C)(C)C=C2)C=C1 Chemical compound C*C1=C*(*)C=C(*(C(C=CC)=CC=CN)C2=CC=CC(C)(C)C=C2)C=C1 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
Abstract
【課題】発光効率をより向上させることができ、安定性に優れ、また、ウエットプロセスにより成膜することができる燐光性有機薄膜材料を有する有機EL素子を提供することを目的とする。
【解決手段】一対の対向する電極20、80と、前記電極20、80の間に配置される単層又は多層の有機薄膜層100を有し、前記有機薄膜層100のうち少なくとも一層が発光層40である有機EL素子において、前記発光層40がホスト化合物とゲスト化合物とを少なくとも含有して構成され、前記ホスト化合物が、正孔輸送材料からなる第一ホスト化合物と、燐光性の金属錯体からなる第二ホスト化合物の少なくとも2種のホスト化合物とを含み、前記ゲスト化合物が、少なくとも1種の燐光性の発光材料を含むことを特徴とする有機EL素子。
【選択図】図1
Description
近年、有機EL素子の作製技術が飛躍的に進歩し、小型の有機ELディスプレイが既に実用化されたが、大型の有機ELディスプレイの実用化への観点からは、より一層の低電圧化が求められ、より一層の発光効率の向上も求められていた。
しかしながら、前記燐光性有機材料を有する有機EL素子においては、依然として、発光効率改善、駆動電圧の低減、色純度の向上など多くの点で未解決な課題が残っており、特に、発光効率の改善が求められていた。
また、将来の大画面、高精細ディスプレイを考えると、スピンコート法、インクジェット法および印刷法などのウエットプロセスが有利となると考えられるので、ウエットプロセスで成膜できる有機薄膜材料の開発が求められていた。
1. 発光層への正孔・電子の注入
2. 正孔・電子の再結合による、ホストの励起子生成(一重項および三重項)
3. ホストからゲストへの励起エネルギーの移動(一重項および三重項)
4. ゲストの三重項励起子生成
5. ゲストの三重項励起子の失活に伴う燐光放出
本発明の有機EL素子は、一対の対向する電極と、前記電極の間に配置される単層又は多層の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層のうち少なくとも一層が発光層である有機EL素子において、前記発光層がホスト化合物とゲスト化合物とを少なくとも含有して構成され、前記ホスト化合物が、正孔輸送材料からなる第一ホスト化合物と、燐光性の金属錯体からなる第二ホスト化合物の少なくとも2種のホスト化合物とを含み、前記ゲスト化合物が、少なくとも1種の燐光性の発光材料を含むことを特徴とする。
図1は、本発明の実施形態である有機EL素子の一例を説明する断面模式図である。図1に示す有機EL素子は、基板10上に、陽極20が形成され、さらに、正孔注入層30、発光層40、正孔阻止層50、および電子輸送層60からなる有機薄膜層100が形成され、更に、陰極70が積層されて構成されている。前記有機EL素子を取り囲んで、ガラス封止管80と基板10とが、UV硬化樹脂90により接着されている。
前記基板10は、透明な材料で、空気、水分などを遮断する特性に優れた材料を用いることができる。ガラス、石英などの無機材料に限らず、プラスチックフィルムなどの有機材料も用いることができる。
前記ガスバリア層とは、空気、水分などを遮断する効果を有する薄膜層のことであり、CVD法あるいは高周波スパッタリング法などにより、SiO2あるいはSiNなどを複数層成膜することにより形成される。さらに、前記基板10には、ハ−ドコ−ト層などを設けてもかまわない。
前記陽極20は、導電性の高く、仕事関数の大きい材料が好ましい。仕事関数は、少なくとも4.0eV以上であることが好ましい。有機EL素子として、発光を陽極側から取り出す場合には、前記陽極20は、透明な材料であることが好ましい。一般的には、インジウム−錫−酸化物(以下、ITO)あるいはインジウム−亜鉛−酸化物(以下、IZO)などの導電性透明酸化物が用いられる。
前記正孔注入層30は、正孔注入能の高い有機材料から構成される。また、電界を印加することにより、陽極20から正孔を正孔注入層30内に高効率で取り込み、正孔注入層30内から発光層40に正孔を高効率に注入することができる材料である。電界を印加しても、有機薄膜として安定に存在することのできる有機材料が好ましく、たとえば、PEDOT/PSS混合材料のようなポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホネ―トの混合物、ポリアニリン、ポリチオフェンなどの導電性高分子材料などを使用することができる。
たとえば、まず、所定量のPEDOT/PSSを有機溶媒に含有させ、正孔注入層用溶液を調整する。次に、スピンコーターの所定の位置に、前記基板10をセットし、所定の回転速度とした後、前記正孔注入層用溶液を塗布する。それを180℃のチャンバーに導入し、乾燥工程を行い、有機溶媒を除去することにより、所定の膜厚の正孔注入層30を形成する。
前記正孔注入層30の膜厚が1nm未満の場合には、前記正孔輸送層30は、アイランド構造となり、層としての形を成さないので、有機EL素子として機能させることができなくなる。逆に、前記正孔注入層30の膜厚が5μm超の場合には、膜厚が厚いので、発光に必要な電圧が高くなりすぎ、発光効率が低下する。さらに、短絡し、素子破壊を生ずる場合がある。
前記発光層40は、3成分以上の有機材料、すなわち、正孔輸送材料からなる第一ホスト化合物と、燐光性の金属錯体からなる第二ホスト化合物と、燐光性の発光材料からなるゲスト化合物とを含み構成される。
前記発光層40の構成成分として、3成分以上の有機材料を用いることにより、電子、正孔を発光層40内に蓄積させ、電子および正孔の再結合により生成される励起子の発生確率を高めることができる。また、生じた励起子をゲスト化合物の三重項エネルギー準位に安定して保持させることができる。その結果、有機EL素子の発光効率を向上させることができる。
前記発光層40の膜厚が1nm未満の場合には、前記発光層40は、アイランド構造となり、層としての形を成さないので、有機EL素子として機能させることができなくなる。 逆に、前記発光層40の膜厚が5μm超の場合には、膜厚が厚いので、発光に必要な電圧が高くなりすぎ、発光効率が低下する。さらに、短絡し、素子破壊を生ずる場合がある。
前記第一ホスト化合物は、発光層40の主成分となる正孔輸送材料であり、前記発光層40の中で三重項エネルギー準位の最も高い材料である。
前記第一ホスト化合物としては、下記一般式(1)で示されるトリフェニルアミン骨格を有するものが好ましい。
なお、ここで、式(1−1)〜式(1−37)は、一般式(1)に対応する。特に、式(1−5)〜式(1−19)は、一般式(1)−(a)に対応し、式(1−20)〜式(1−25)は、一般式(1)−(b)に対応し、式(1−26)〜式(1−34)は、一般式(1)−(c)に対応し、式(1−35)〜式(1−37)は、一般式(1)−(d)に対応するものである。
前記第二ホスト化合物は、発光層40の主成分となる燐光性の金属錯体であり、発光層40を構成する有機材料の中で、三重項エネルギーが第一ホストと同じまたは第一ホストに次いで高い材料である。
前記第二ホスト化合物としては、下記一般式(2)で示されるイリジウム錯体を有するものが好ましい。
前記ゲスト化合物は、発光層40の副成分となる燐光性有機材料であり、前記発光層40を構成する有機材料の中で三重項エネルギー準位が最も低い材料である。たとえば、イリジウムまたは白金などのような遷移金属を有する金属錯体が好ましい。
また、前記質量比(ゲスト化合物/ホスト化合物)が50/50より大きい場合は、電子と正孔とを再結合させて生成した励起エネルギーを、ゲスト化合物にエネルギー移動させ、ゲスト化合物を三重項状態に励起しても、濃度消光の効果により、発光せずにエネルギー失活させてしまうので、好ましくない。
次に、発光層40を形成した前記基板10を、真空蒸着器のチャンバー内の所定の位置にセットし、前記チャンバー内を減圧状態とする。所定の減圧状態となった後、正孔阻止層50の材料を入れた坩堝を加熱し、蒸着することにより、前記発光層40の上に正孔阻止層50を形成する。
前記正孔阻止層50の膜厚が1nm未満の場合には、前記正孔阻止層50は、アイランド構造となり、層としての形を成さないので、有機EL素子として機能させることができなくなる。逆に、前記正孔阻止層50の膜厚が5μm超の場合には、膜厚が厚いので、発光に必要な電圧が高くなりすぎ、発光効率が低下する。さらに、短絡し、素子破壊を生ずる場合がある。
次に、正孔阻止層50を形成した前記基板10の、真空装置のチャンバー内の位置はそのままの状態にして、減圧条件下のもと、引き続き電子輸送層60の材料を入れた坩堝を加熱、蒸着することにより、前記正孔阻止層50の上に、電子輸送層60を形成する。
たとえば、前記電子輸送層60の材料として、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)−アルミニウム(以下、Alq3)を挙げることができる。
前記電子輸送層60の膜厚が1nm未満の場合には、前記電子輸送層60は、アイランド構造となり、層としての形を成さないので、有機EL素子として機能させることができなくなる。逆に、前記電子輸送層60の膜厚が5μm超の場合には、膜厚が厚いので、発光に必要な電圧が高くなりすぎ、発光効率が低下する。さらに、短絡し、素子破壊を生ずる場合がある。
前記陰極70は、仕事関数の低い金属を用いることが好ましい。前記仕事関数は、少なくとも4.5eV以下であることが好ましい。仕事関数の低い金属を用いることにより、陰極70と電子輸送層60との間の電子注入障壁を低くすることができ、陰極70から電子輸送層60へ電子を注入させやすくすることができるためである。仕事関数の低い金属としては、たとえば、Li、Csなどのアルカリ金属、Ca、Ba、Mgなどのアルカリ土類金属を例示することができる。
前記ガラス封止管80を、UV硬化樹脂90を用いて、基板10に接着することにより、有機EL素子のデバイス部分は、外界から遮断され、空気、水分等からの影響が少なくすることができ、有機EL素子としての耐久性、素子寿命を大きく改善することができる。
なお、ガラス封止を行う際、ガラス封止管80内部の空気を窒素ガスで置換し、さらにガラス封止管80内部に乾燥剤を導入することにより、前記効果を強めることができる。
前記ウエットプロセスによる有機薄膜層100の形成方法としては、スピンコート法以外に、インクジェット法、印刷法などを用いることができる。
大画面、高精細のディスプレイを有機EL素子により形成する場合には、特性面、製造面から、前記ウエットプロセスを用いて、有機薄膜層100を形成することが好ましい。
以下、本発明の実施形態の効果について説明する。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
(素子作成)
まず、ガラス基板上にITOからなる陽極を形成した。
次に、前記陽極上に、PEDOT/PSSを含む正孔注入層用溶液をスピンコート法により膜厚35nmの正孔注入層を成膜し、180℃にて乾燥した。
なお、PEDOTはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を示し、PSSはポリスルホスチレンを示す(以下、同じ)。
まず、第一ホスト化合物として正孔輸送材料であり、式(1−11)に示す化合物である4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−フェニル−アミノ]−ビフェニル(以下、α−NPD)を50質量部、第二ホスト化合物として式(2−7)に示す化合物である(ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)2,4−トリデカンジオナート)を50質量部、ゲスト化合物として式(3−14)に示す化合物であるトリス(1−フェニルイソキノリノラト−C2,N)イリジウム(III)を3質量部測り取り、1、2−ジクロロエタン溶液に溶解させ、発光層用溶液を調整した。
次に、前記正孔注入層の上に、スピンコート法により前記発光層溶液を塗布し、発光層を成膜し、70℃、1時間の条件で乾燥した。膜厚50nmの前記3成分からなる発光層を形成した。
次に、前記発光層の上に、膜厚10nmのTPBIからなる正孔阻止層を、真空蒸着法により形成した。
さらに、前記正孔阻止層の上に、膜厚30nmのAlq3からなる電子輸送層を、真空蒸着法により形成した。
陰極の成膜後、窒素ガスで満たされたグローブボックス内に前記有機EL素子を移し、封止用ガラスに紫外線硬化樹脂を用いて前記素子に接着し、封止を行った。
前記有機EL素子のITO陽極側に正、アルミニウム陰極側に負となる電圧を印加して、電流、輝度、発光スペクトル特性を測定した。
実施例1の実験条件および実験結果について、表1、2に示す。
なお、比較例4においては、第一ホストよりも三重項エネルギーの高い材料としてイリジウム(III)ビス[(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]ピコリネート(以下、FIrpicとする)を用いた。
また、比較例5において、赤色発光ゲスト材料である式(3−14)に示す化合物よりも三重項エネルギーの低い適当な第二ホストが無いため、ゲスト材料として、より三重項エネルギーの高い青色発光ゲスト材料であるFIrpicを用い、ゲストよりも三重項エネルギーの低い第二ホストとして式(2−7)に示す化合物を用いた。
第二ホスト化合物を用いず、第一ホスト化合物の割合を100質量部とし、実施例1と同じゲスト化合物を3質量部とし、これらを1、2−ジクロロエタン溶液に溶解させ、発光層用溶液を調整して、発光層を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、有機EL素子を作製した。
比較例1の実験条件および実験結果について、表1、2に合わせて示す。
第一ホスト化合物として、α−NPDの代わりに式(1−21)に示す化合物である1,1’−ビス(ジ−4−トルイルアミノフェニル)シクロヘキサン(以下、TAPC)を用いたほかは実施例1と同様にして、有機EL素子を作製した。
実施例2の実験条件および実験結果について、表1、2に合わせて示す。
第二ホスト化合物を用いず、第一ホスト化合物の割合を100質量部とし、実施例1と同じゲスト化合物を3質量部とし、これらを1、2−ジクロロエタン溶液に溶解させ、発光層用溶液を調整して、発光層を形成したこと以外は、実施例2と同様にして、有機EL素子を作製した。
比較例2の実験条件および実験結果について、表1、2に合わせて示す。
第一ホスト化合物として、α−TPDの代わりに式(1−35)に示す化合物である4,4’,4”−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(以下、TCTA)を用いたほかは実施例1と同様にして、有機EL素子を作製した。
第二ホスト化合物を用いず、第一ホスト化合物の割合を100質量部とし、実施例1と同じゲスト化合物を3質量部とし、これらを1、2−ジクロロエタン溶液に溶解させ、発光層用溶液を調整して、発光層を形成したこと以外は、実施例3と同様にして、有機EL素子を作製した。
比較例3の実験条件および実験結果について、表1、2に合わせて示す。
第二ホスト化合物として、式(2−7)で表される化合物の代わりに、α−NPDよりも大きな三重項エネルギーを有する燐光材料であるFIrpicを用いたほかは実施例1と同様にして、有機EL素子を作製した。
比較例4の実験条件および実験結果について、表1、2に合わせて示す。
ゲスト化合物として、FIrpicを用いたほかは実施例1と同様にして、有機EL素子を作製した。
比較例5の実験条件および実験結果について、表1、2に合わせて示す。
Claims (12)
- 一対の対向する電極と、前記電極の間に配置される単層又は多層の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層のうち少なくとも一層が発光層である有機EL素子において、
前記発光層がホスト化合物とゲスト化合物とを少なくとも含有して構成され、
前記ホスト化合物が、正孔輸送材料からなる第一ホスト化合物と、燐光性の金属錯体からなる第二ホスト化合物の少なくとも2種のホスト化合物とを含み、
前記ゲスト化合物が、少なくとも1種の燐光性の発光材料を含むことを特徴とする有機EL素子。 - 前記第一ホスト化合物の三重項エネルギー準位が前記ゲスト化合物の三重項エネルギー準位よりも高く、かつ前記第二ホスト化合物の三重項エネルギー準位が前記ゲスト化合物の三重項エネルギー準位よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記第一ホスト化合物の三重項エネルギー準位が前記第二ホスト化合物の三重項エネルギー準位と同じないしは高いことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 前記ゲスト化合物が、白金あるいはイリジウム原子を有する燐光性の発光材料であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 前記発光層中における前記第一ホスト化合物と前記第二ホスト化合物との質量比(第一ホスト化合物/第二ホスト化合物)が、10/90〜90/10であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 前記発光層が、ウエットプロセスにより成膜されることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の有機EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007131019A JP2008288344A (ja) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007131019A JP2008288344A (ja) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | 有機el素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008288344A true JP2008288344A (ja) | 2008-11-27 |
Family
ID=40147798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007131019A Pending JP2008288344A (ja) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | 有機el素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008288344A (ja) |
Cited By (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010098246A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 新日鐵化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
| JP2011066192A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Canon Inc | 有機el素子 |
| JP2011119251A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光装置 |
| JP2012009877A (ja) * | 1998-09-14 | 2012-01-12 | Trustees Of Princeton Univ | 高効率の電界発光デバイスのための構造 |
| JP2012129370A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013125653A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
| CN103779100A (zh) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | 中国科学院化学研究所 | 离子/空穴双传输通道分子有机导体复合电解质及其制备方法与应用 |
| KR20140136027A (ko) * | 2012-03-14 | 2014-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| US9118020B2 (en) | 2006-04-27 | 2015-08-25 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent devices including organic eil layer |
| WO2017115833A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2017519096A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-07-13 | グァンヂョウ チャイナレイ オプトエレクトロニック マテリアルズ リミテッドGuangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. | 有機混合物、それを含む組成物、有機電子素子及びその利用 |
| KR101758414B1 (ko) * | 2010-05-11 | 2017-07-14 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 전계발광 디바이스 |
| KR101793880B1 (ko) * | 2011-02-16 | 2017-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US9911936B2 (en) | 2014-08-29 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9929350B2 (en) | 2011-02-28 | 2018-03-27 | Semiconducor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9941481B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9941483B2 (en) | 2013-12-02 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
| US9947885B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US9954177B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-04-24 | Semiconductor Enery Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9978960B2 (en) | 2013-06-14 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic iridium complex, light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
| US9978971B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9985233B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having a delayed fluorescence component due to triplet-triplet annihilation |
| US9985221B2 (en) | 2014-07-25 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound |
| US10026917B2 (en) | 2013-12-02 | 2018-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10043982B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10062861B2 (en) | 2015-02-24 | 2018-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10069076B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10096658B2 (en) | 2016-04-22 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10096783B2 (en) | 2016-07-20 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10121984B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10128455B2 (en) | 2013-05-16 | 2018-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10134998B2 (en) | 2015-05-21 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| KR101922602B1 (ko) * | 2012-02-09 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US10164206B2 (en) | 2012-04-20 | 2018-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10181571B2 (en) | 2012-08-03 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10224494B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| KR20190086585A (ko) * | 2011-04-07 | 2019-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US10361388B2 (en) | 2016-05-20 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10361389B2 (en) | 2012-08-03 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10367160B2 (en) | 2011-03-23 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10424755B2 (en) | 2012-04-06 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming exciplex |
| US10439005B2 (en) | 2013-08-26 | 2019-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10573829B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| CN110845525A (zh) * | 2018-12-06 | 2020-02-28 | 广州华睿光电材料有限公司 | 萘并咔唑类化合物及其应用 |
| US10586932B2 (en) | 2015-05-29 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10600972B2 (en) | 2012-04-20 | 2020-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
| US10686153B2 (en) | 2014-05-13 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Exciplex light-emitting device |
| US10693094B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10700288B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and lighting system |
| US10734589B2 (en) | 2016-08-17 | 2020-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10756286B2 (en) | 2016-05-06 | 2020-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10818861B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10868256B2 (en) | 2015-05-21 | 2020-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10998516B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11072623B2 (en) | 2015-07-21 | 2021-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11133482B2 (en) | 2014-09-30 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| CN113816966A (zh) * | 2021-10-25 | 2021-12-21 | 温州大学 | 磷光材料的客体材料、磷光材料及调节磷光材料发光性能的方法 |
| US11462696B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11637263B2 (en) | 2017-11-02 | 2023-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device each including TADF organic compound |
| US11925041B2 (en) | 2015-09-30 | 2024-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11930653B2 (en) | 2019-02-06 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, light-emitting appliance, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US11950497B2 (en) | 2018-03-07 | 2024-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, organic compound, and lighting device |
| US11974445B2 (en) | 2015-07-23 | 2024-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US12319688B2 (en) | 2019-04-25 | 2025-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device |
| US12545834B2 (en) | 2018-07-11 | 2026-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, electronic device, organic compound, and lighting device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041395A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2007110102A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
-
2007
- 2007-05-16 JP JP2007131019A patent/JP2008288344A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041395A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2007110102A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
Cited By (196)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012009877A (ja) * | 1998-09-14 | 2012-01-12 | Trustees Of Princeton Univ | 高効率の電界発光デバイスのための構造 |
| US9118020B2 (en) | 2006-04-27 | 2015-08-25 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent devices including organic eil layer |
| WO2010098246A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 新日鐵化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
| JP5433677B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-03-05 | 新日鉄住金化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
| KR20110134885A (ko) * | 2009-02-27 | 2011-12-15 | 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
| US8795852B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-08-05 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. | Organic electroluminescent device with host materials having same or similar IP, EA and T1 values |
| KR101596906B1 (ko) * | 2009-02-27 | 2016-03-07 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
| JP2011066192A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Canon Inc | 有機el素子 |
| JP2011119251A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光装置 |
| KR101758414B1 (ko) * | 2010-05-11 | 2017-07-14 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 전계발광 디바이스 |
| JP2012129370A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US11812626B2 (en) | 2011-02-16 | 2023-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR101793880B1 (ko) * | 2011-02-16 | 2017-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US11038135B2 (en) | 2011-02-16 | 2021-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2019087769A (ja) * | 2011-02-16 | 2019-06-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子用材料、発光素子および発光装置 |
| US10573829B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10586934B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR20170134768A (ko) * | 2011-02-16 | 2017-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR101812673B1 (ko) * | 2011-02-16 | 2017-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR20180017233A (ko) * | 2011-02-16 | 2018-02-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR20190000936A (ko) * | 2011-02-16 | 2019-01-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR102112440B1 (ko) * | 2011-02-16 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR102134951B1 (ko) * | 2011-02-16 | 2020-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US12150325B2 (en) | 2011-02-16 | 2024-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10403839B2 (en) | 2011-02-16 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR102113251B1 (ko) * | 2011-02-16 | 2020-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US10593895B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US12100795B2 (en) | 2011-02-16 | 2024-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10505120B2 (en) | 2011-02-28 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10930852B2 (en) | 2011-02-28 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US11508912B2 (en) | 2011-02-28 | 2022-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US12108658B2 (en) | 2011-02-28 | 2024-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9929350B2 (en) | 2011-02-28 | 2018-03-27 | Semiconducor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10978661B2 (en) | 2011-03-23 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11871592B2 (en) | 2011-03-23 | 2024-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10367160B2 (en) | 2011-03-23 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR20200062381A (ko) * | 2011-04-07 | 2020-06-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR102159895B1 (ko) | 2011-04-07 | 2020-09-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR102154694B1 (ko) | 2011-04-07 | 2020-09-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR20190086585A (ko) * | 2011-04-07 | 2019-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| JP2013125653A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
| US11495763B2 (en) | 2012-02-09 | 2022-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11997860B2 (en) | 2012-02-09 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR101922602B1 (ko) * | 2012-02-09 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US10326093B2 (en) | 2012-02-09 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10693093B2 (en) | 2012-02-09 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10062867B2 (en) | 2012-03-14 | 2018-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| KR20140136027A (ko) * | 2012-03-14 | 2014-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| KR102153512B1 (ko) | 2012-03-14 | 2020-09-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| US10424755B2 (en) | 2012-04-06 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming exciplex |
| US11393997B2 (en) | 2012-04-13 | 2022-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10818861B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US12250884B2 (en) | 2012-04-20 | 2025-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
| US11672177B2 (en) | 2012-04-20 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
| US12127419B2 (en) | 2012-04-20 | 2024-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10797257B2 (en) | 2012-04-20 | 2020-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10600972B2 (en) | 2012-04-20 | 2020-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
| US11183644B2 (en) | 2012-04-20 | 2021-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
| US11177451B2 (en) | 2012-04-20 | 2021-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US11778846B2 (en) | 2012-04-20 | 2023-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10164206B2 (en) | 2012-04-20 | 2018-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10505135B2 (en) | 2012-04-20 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10862059B2 (en) | 2012-08-03 | 2020-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10181571B2 (en) | 2012-08-03 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10505132B2 (en) | 2012-08-03 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10734594B2 (en) | 2012-08-03 | 2020-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US12439814B2 (en) | 2012-08-03 | 2025-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US11730007B2 (en) | 2012-08-03 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10897012B2 (en) | 2012-08-03 | 2021-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11355722B2 (en) | 2012-08-03 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11043637B2 (en) | 2012-08-03 | 2021-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10069076B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11937439B2 (en) | 2012-08-03 | 2024-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US12295256B2 (en) | 2012-08-03 | 2025-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11968889B2 (en) | 2012-08-03 | 2024-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10644254B2 (en) | 2012-08-03 | 2020-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US12262574B2 (en) | 2012-08-03 | 2025-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11322709B2 (en) | 2012-08-03 | 2022-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10361389B2 (en) | 2012-08-03 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US9947885B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10665808B2 (en) | 2012-08-10 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US12029059B2 (en) | 2012-08-10 | 2024-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US11018313B2 (en) | 2012-08-10 | 2021-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US11690239B2 (en) | 2012-08-10 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10121984B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| CN103779100A (zh) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | 中国科学院化学研究所 | 离子/空穴双传输通道分子有机导体复合电解质及其制备方法与应用 |
| US10833279B2 (en) | 2013-04-26 | 2020-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10043982B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10128455B2 (en) | 2013-05-16 | 2018-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11462701B2 (en) | 2013-05-16 | 2022-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9978960B2 (en) | 2013-06-14 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic iridium complex, light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
| US10431752B2 (en) | 2013-06-14 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic iridium complex, light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
| US11049908B2 (en) | 2013-08-26 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US12171127B2 (en) | 2013-08-26 | 2024-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US11825718B2 (en) | 2013-08-26 | 2023-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10439005B2 (en) | 2013-08-26 | 2019-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US11672136B2 (en) | 2013-12-02 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10439158B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
| US10374186B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US9941483B2 (en) | 2013-12-02 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
| US12048178B2 (en) | 2013-12-02 | 2024-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10026917B2 (en) | 2013-12-02 | 2018-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US10930873B2 (en) | 2013-12-02 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US11864403B2 (en) | 2014-05-13 | 2024-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device comprising first to third light-emitting layers |
| US11158832B2 (en) | 2014-05-13 | 2021-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device with exciplex light-emitting layers |
| US10686153B2 (en) | 2014-05-13 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Exciplex light-emitting device |
| US12400590B2 (en) | 2014-05-30 | 2025-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11387422B2 (en) | 2014-05-30 | 2022-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10468619B2 (en) | 2014-05-30 | 2019-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9978971B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2017519096A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-07-13 | グァンヂョウ チャイナレイ オプトエレクトロニック マテリアルズ リミテッドGuangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. | 有機混合物、それを含む組成物、有機電子素子及びその利用 |
| US11832465B2 (en) | 2014-05-30 | 2023-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10686152B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11800799B2 (en) | 2014-07-25 | 2023-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound |
| US9985221B2 (en) | 2014-07-25 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound |
| US10418565B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound |
| US12127479B2 (en) | 2014-07-25 | 2024-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound |
| US11552256B2 (en) | 2014-07-25 | 2023-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound |
| US10693095B2 (en) | 2014-08-29 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11997861B2 (en) | 2014-08-29 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element with fluorescent material, display device, electronic device, and lighting device |
| US11563191B2 (en) | 2014-08-29 | 2023-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element with light-emitting layer including first and second organic compounds, display device, electronic device, and lighting device |
| US10714700B2 (en) | 2014-08-29 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US12382779B2 (en) | 2014-08-29 | 2025-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9911936B2 (en) | 2014-08-29 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11133482B2 (en) | 2014-09-30 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11557742B2 (en) | 2014-09-30 | 2023-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device including compound having function of emitting TADF at room temperature |
| US12495662B2 (en) | 2014-09-30 | 2025-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device including TADF compound |
| US10461271B2 (en) | 2015-02-24 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10062861B2 (en) | 2015-02-24 | 2018-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11038134B2 (en) | 2015-03-09 | 2021-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9954177B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-04-24 | Semiconductor Enery Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11322689B2 (en) | 2015-03-09 | 2022-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11903227B2 (en) | 2015-03-09 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9941481B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10811611B2 (en) | 2015-03-09 | 2020-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11895908B2 (en) | 2015-03-09 | 2024-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10454052B2 (en) | 2015-03-09 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10134998B2 (en) | 2015-05-21 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10937965B2 (en) | 2015-05-21 | 2021-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US12029114B2 (en) | 2015-05-21 | 2024-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10868256B2 (en) | 2015-05-21 | 2020-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11482674B2 (en) | 2015-05-21 | 2022-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US12052912B2 (en) | 2015-05-21 | 2024-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10586932B2 (en) | 2015-05-29 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US11072623B2 (en) | 2015-07-21 | 2021-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11974445B2 (en) | 2015-07-23 | 2024-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US12225748B2 (en) | 2015-07-23 | 2025-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10700288B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and lighting system |
| US11145827B2 (en) | 2015-08-07 | 2021-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US12365835B2 (en) | 2015-08-07 | 2025-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11770969B2 (en) | 2015-08-07 | 2023-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10224494B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11925041B2 (en) | 2015-09-30 | 2024-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10693094B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9985233B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having a delayed fluorescence component due to triplet-triplet annihilation |
| US12063803B2 (en) | 2015-12-01 | 2024-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including light-emitting layer having host material |
| US10573837B2 (en) | 2015-12-01 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11050032B2 (en) | 2015-12-01 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US12048175B2 (en) | 2015-12-28 | 2024-07-23 | Kyushu University, National University Corporation | Organic electroluminescent device |
| WO2017115833A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| TWI728024B (zh) * | 2015-12-28 | 2021-05-21 | 國立大學法人九州大學 | 有機電致發光元件 |
| TWI814608B (zh) * | 2015-12-28 | 2023-09-01 | 國立大學法人九州大學 | 有機電致發光元件 |
| JPWO2017115833A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2018-10-18 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN108463894B (zh) * | 2015-12-28 | 2020-03-27 | 国立大学法人九州大学 | 有机电致发光元件 |
| CN108463894A (zh) * | 2015-12-28 | 2018-08-28 | 国立大学法人九州大学 | 有机电致发光元件 |
| US10096658B2 (en) | 2016-04-22 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11177325B2 (en) | 2016-04-22 | 2021-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10756286B2 (en) | 2016-05-06 | 2020-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US12464886B2 (en) | 2016-05-06 | 2025-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US12480038B2 (en) | 2016-05-06 | 2025-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10998516B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10910576B2 (en) | 2016-05-20 | 2021-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10361388B2 (en) | 2016-05-20 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11462702B2 (en) | 2016-05-20 | 2022-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US12514091B2 (en) | 2016-05-20 | 2025-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11991890B2 (en) | 2016-05-20 | 2024-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10658604B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10559762B2 (en) | 2016-07-20 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10096783B2 (en) | 2016-07-20 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10734589B2 (en) | 2016-08-17 | 2020-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US20200358003A1 (en) | 2016-08-17 | 2020-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic Compound, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device and Lighting Device |
| US11121326B2 (en) | 2016-08-17 | 2021-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device and lighting device |
| US11956981B2 (en) | 2017-11-02 | 2024-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and light device each including TADF organic compound |
| US12336369B2 (en) | 2017-11-02 | 2025-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device each having thermally-activated delayed fluorescent organic compound |
| US11637263B2 (en) | 2017-11-02 | 2023-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device each including TADF organic compound |
| US11462696B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US12096690B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11950497B2 (en) | 2018-03-07 | 2024-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, organic compound, and lighting device |
| US12545834B2 (en) | 2018-07-11 | 2026-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, electronic device, organic compound, and lighting device |
| CN110845525A (zh) * | 2018-12-06 | 2020-02-28 | 广州华睿光电材料有限公司 | 萘并咔唑类化合物及其应用 |
| CN110845525B (zh) * | 2018-12-06 | 2023-07-28 | 广州华睿光电材料有限公司 | 萘并咔唑类化合物及其应用 |
| US12336368B2 (en) | 2019-02-06 | 2025-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, light-emitting appliance, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US11930653B2 (en) | 2019-02-06 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, light-emitting appliance, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US12319688B2 (en) | 2019-04-25 | 2025-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device |
| CN113816966A (zh) * | 2021-10-25 | 2021-12-21 | 温州大学 | 磷光材料的客体材料、磷光材料及调节磷光材料发光性能的方法 |
| CN113816966B (zh) * | 2021-10-25 | 2022-09-16 | 温州大学 | 磷光材料的客体材料、磷光材料及调节磷光材料发光性能的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008288344A (ja) | 有機el素子 | |
| JP3903043B2 (ja) | 有機発光デバイス | |
| TWI395358B (zh) | 用於有機電光元件之具有茀衍生化合物的材料以及包含此之有機電光元件 | |
| US8242489B2 (en) | OLED with high efficiency blue light-emitting layer | |
| US20140284580A1 (en) | Electron transporting compounds and organic electroluminescent devices using the same | |
| JP6060361B2 (ja) | 有機発光素子 | |
| CN105027314A (zh) | 电荷传输材料、主体材料、薄膜及有机发光元件 | |
| CN105601613B (zh) | 空间电荷转移化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置 | |
| JP2010103534A (ja) | ナノドットを有する有機発光ダイオード装置とその製造方法 | |
| JP5312861B2 (ja) | 有機el素子および有機elディスプレイ | |
| CN102796513B (zh) | 有机场致发光装置 | |
| KR101989667B1 (ko) | 유기 전자발광 소자 | |
| JP2017054870A (ja) | 有機発光素子及び光源装置 | |
| JP2013115066A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP5242976B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP5109054B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| CN101009364B (zh) | 用于电子传输层的组合物、其制造的电子传输层、及包括该电子传输层的有机电致发光器件 | |
| TWI629814B (zh) | 有機發光裝置、顯示裝置以及照明裝置 | |
| JP5402703B2 (ja) | 有機電界発光素子、有機elディスプレイ、有機el照明及び有機el信号装置 | |
| CN104926732B (zh) | 用于有机发光元件的化合物及具有该化合物的有机发光元件 | |
| Srivastava et al. | Organic Light Emitting Diodes-Recent Advancements | |
| JP2010238606A (ja) | 有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明。 | |
| KR20180128212A (ko) | 스핀 선택성 화합물을 포함하는 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| Chen et al. | The Investigation on Color Purity of Blue Organic Light‐Emitting Diodes (BOLED) by Hole‐Blocking Layer | |
| KR100668425B1 (ko) | 유기발광다이오드의 발광층에 사용되는 Al 금속 착체 및그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120502 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121221 |