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CN1302565C - 高效多色电致磷光oled - Google Patents

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CN1302565C CNB028117832A CN02811783A CN1302565C CN 1302565 C CN1302565 C CN 1302565C CN B028117832 A CNB028117832 A CN B028117832A CN 02811783 A CN02811783 A CN 02811783A CN 1302565 C CN1302565 C CN 1302565C
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Abstract

本发明涉及用多种发光掺杂剂掺杂的有效的有机发光器件(OLED)，至少一种掺杂剂在薄膜发射层中包括磷光发射体。本发明涉及一种有效的磷光有机发光器件，其在发射区使用大量发射掺杂剂，其中至少掺杂剂中的一种是磷光材料。因此，本发明提供了一种含有发射区的有机发光器件，其中发射区含有主体材料和大量发射掺杂剂，其中发射区由大量的带组成，并且各个发射掺杂剂掺杂至发射区中的单独的带中，并且其中至少一种发射掺杂剂通过磷光发光。

Description

高效多色电致磷光OLED
发明领域
本发明涉及在薄膜发射层中掺有多种发光掺杂剂的高效有机发光器件(OLED)，其中至少一种掺杂剂含有磷光发射体。本发明的一个目的是制备廉价的发射白光的有机发光器件。本发明的另一目的是调节(tune)单色显示器的颜色。
发明背景
有机发光器件(OLED)使用了当受到电流激发时发光的薄膜材料，预计其将成为平板显示器技术的日益普及的形式。这是由于OLED具有宽范围的潜在的应用，包括蜂窝电池电话、个人数码助理(PDA)、计算机显示器、车载信息显示器、电视监视器以及用于常规照明的光源。由于其色彩明亮、视角宽、与全运动视频兼容、温度范围宽、薄和适当的形状因素、动力要求低和潜在的低成本制造方法，OLED被认为是一种未来替代阴极射线管(CRT)和液晶显示器(LCD)的技术，目前在每年400亿美元的增长的电子显示器市场中占据了优势地位。由于其发光效率高，电致磷光OLED被认为具有代替白炽灯、甚至荧光灯的潜能，用于特定类型的应用。
OLED的光发射通常是通过荧光或磷光。此处使用的术语“磷光”是指从有机分子的三重激发态的发射，而术语“荧光”是指从有机分子的单重激发态发射。
磷光的成功利用为有机电致发光器件提供了广阔的前景。例如，磷光的一个优点在于以单重或三重激发态形成的所有激子(通过空穴和电子在EL中复合而形成)均可以参与发光。这是由于有机分子的最低单重激发态通常在略高于最低三重激发态的能量下。这意味着对于常规的磷光有机金属化合物而言，最低的单重激发态可以迅速衰变为产生磷光的最低三重激发态。相反，在荧光器件中只有很少百分比(约25％)的激子能够产生由单重激发态得到的荧光发光。在有机分子的最低三重激发态产生的荧光器件中的其余激子通常不能被转化为在能量上不利的更高的单重激发态，从中产生荧光。因此，该能量变成了衰减过程的损失，加热了该器件而不是产生可见光。因此，自从发现磷光材料可以在高效OLED中用作发射材料，目前人们对于发现更有效的电致磷光材料和含有所述材料的OLED结构非常感兴趣。
白色有机发光器件(WOLED)是令人感兴趣的，因为它们为平板显示器的背光提供了成本低廉的选择，并且最终可用于室内或空地照明。已经发现若干种从有机材料获得白光的方法。参见R.S.Deshpande，V.Bulovic and S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，75，888(1999)；F.Hide，P.Kozodoy，S.P.DenBaars and A.J.Heeger，Appl.Phys.Lett.，70，2664(1997)；和J.Kido，H.Shionoya and K.Nagai，Appl.Phys.Lett.，67，2281(1995)。这些全部依赖于使用若干种发射材料的结合，因为单独的有机分子通常不跨越(span)380nm-780nm的整个可见光谱。正如Commission Internationale d′Eclairage(CIE)所定义的，理想的白色光源具有的坐标是(0.33，0.33)。此外，白光光源的光源色效应指数(CRI)是当一个物体受到光源照射时，与同一物体受到类似色温的对照源照射时的色彩相比，其色移(color shift)的度量。CRI值在0-100之间变化，100表示没有色移。白色光源参照日光，荧光灯泡通常具有的额定值是60-90，水银灯约为50，高压钠灯具有的CRI是20。常规用于白色光源的发光功率系数，对于白炽灯泡是15lm/W，对于荧光灯是约80lm/W，其中不包括系统损失。
近十年来，白色OLED的功率系数(ηp)和外量子效率(ηext)已获得稳步提高。电致磷光OLED在用于单发射层器件中时显示具有非常高的ηext。参见C.Adachi，M.A.Baldo，M.E.Thompson，R.C.Kwong，M.E.Thompson and S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，78，1622(2001)；C.Adachi，M.A.Baldo，S.R.Forrest and M.E.Thompson，Appl.Phys.Lett.，77，904(2000)；M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrows，M.E.Thompson and S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，75，4(1999)；and M.A.Baldo，D.F.O′Brien，Y.You，A.Shoustikov，S.Sibley，M.E.Thompson and S.R.Forrest，395，151(1998)。
人们已经使用若干不同的导电主体材料证明了使用面式三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)磷光掺杂剂的高效有机发光器件。参见M.A.Baldo等，Nature，vol.395，151(1998)；D.F.O′Brien等，Appl.Phys.Lett.，vol.74，442(1999)；M.A.Baldo等，Appl.Phys.Lett.，vol.75，4(1999)；T.Tsutsui等，Japanese J.Appl.Phys.，Part 2，vol.38，L1502(1999)；C.Adachi等，Appl.Phys.Lett.，vol.77，904(2000)；M.J.Yang等，Japanese J.Appl.Phys.，Part 2，vol.39，L828(2000)；以及C.L.Lee等，Appl.Phys.Lett.，vol.77，2280(2000)。因为发绿光的金属配体电荷迁移态Ir(ppy)3的三重态能级介于2.5eV和3.0eV之间，在约400nm具有峰值波长的深蓝色荧光团，诸如4，4′-N，N′-二咔唑联苯(CBP)，是作为三重态能量传递和激子约束介质的可能的选择物。在CBP中使用6％-10％Ir(ppy)3产生有效的Ir(ppy)3磷光。除了掺杂剂和主体之间的能量谐振之外，据信，在主体层中对电荷载流子的注入和迁移的控制是实现辐射激子的有效形成所需的。使用掺杂于CBP中的Ir(ppy)3，以及2，9-二甲基-4，7-二苯基菲咯啉(BCP)电子迁移和激子阻挡层，已经获得高电致磷光效率。参见M.A.Baldo等，Appl.Phys.Lett.，vol.75，4(1999)。在该器件中，发现掺杂的CBP层迅速迁移空穴。
电致磷光OLED通常由若干层组成，以实现所需OLED性能特征的结合。例如，通过在主体和客体材料之间区分电荷迁移和发光功能，可以在有机发光器件(OLED)中获得高效率。适合的主体材料可以作为良好的电荷迁移体，以及向高度发光的客体有效地传递能量。在荧光器件中，可以由主体上形成的单重态激子获得光，并通过Forster能量传递迅速传递至客体。部分由于这一迅速的能量传递，单重态激子不会在迁移至客体材料之前在主体中显著扩散。因此，用荧光染料掺杂的OLED可以具有非常薄的发射层，通常约5nm厚。参见Tang等，J.Appl.Phys.，vol.65，3610(1989)。
为了在荧光器件中由多于一种的发射材料获得电致发光发射，可以阻滞单重态能量传递，以使一些激子保留在主体材料上，直至它们弛豫并发光，或者采用多级能量传递操作，其包括若干荧光染料。阻滞的能量传递通常是一种低效的操作并依赖于由主体的发射。但是，多级能量传递也是可能的，它需要在约5nm厚的发光区中的对掺杂浓度进行非常精密的控制。参见Deshpande等，Appl.Phys.Lett.，Vol.75，No.7，888-890(1999)。
尽管由多于一种发射材料获得有效电致发光发射存在这些困难，人们还是非常希望在一个有机发光器件的发射区中具有大量发光掺杂剂，因为各个发射掺杂剂的色彩和强度能够满足产生所需光发射的色彩输出，包括白光发射。通过使用高效磷光材料，使得所述装置能够被调节产生所需颜色的光是所需要的。
发明的概述
本发明涉及一种在发射区使用大量发射掺杂剂的有效的磷光有机发光器件，其中至少掺杂剂中的一种是磷光材料。发射区的主体材料由具有宽能隙的载荷材料组成以抑制了磷光掺杂剂之间的能量传递。
本发明的一个目的是提供一种包括发射区的有机发光器件，其中发射区包括主体材料和大量发射掺杂剂，发射区由大量的带组成，并且各个发射掺杂剂掺杂至发射区中的单独的带中，并且其中至少一种发射掺杂剂通过磷光发光。
本发明的另一目的是提供一种多发射层的电致磷光OLED，其利用了三重态激子的扩散，产生高功率和量子效率的亮白色器件。可以通过改变各层的厚度和掺杂剂浓度，或改变能带，以及通过在发射层之间引入激子阻挡层而调节器件的颜色。
本发明的再一目的是制备发白光的OLED，与其它发白光的器件相比，其显示出很高的外量子效率(ηext)和亮度。例如，可以将发白光的有机发光器件制成具有约(0.33，0.33)的CIE色度坐标。由本发明器件产生的发射光谱可以被调节为足够跨越可见光谱以表现为基本上是白色，例如约0.30-约0.40的CIE x-坐标以及约0.30-约0.45的CIE y-坐标。优选CIE x，y-坐标是约(0.33，0.33)。此外，本发明的器件优选能够产生具有至少约为70的CIE光源色效应指数(CRI)的白色发射。更优选CRI高于约80。除了致力于获得非常高的CRI之外，本方法也可用于产生具有上述CIE坐标的可选颜色的发射。
与引起荧光的单重态激子相比(其具有的最大扩散长度小于10nm左右)，本发明的另一目的是利用三重态激子(其引起磷光)的非常长的扩散长度促进由若干堆叠发射层的发射。三重态激子的长扩散长度使得可以从与若干堆叠的10nm厚的层至多达超过100nm的合并厚度一样宽的宽度上发射磷光。参见[M.A.Baldo and S.R.Forrest，Phys.Rev.B，62，10958(2000)，和I.Sokolik，R.Priestley，A.D.Walser，R.Dorsinville and C.W.Tang，Appl.Phys.Lett.，69，4168(1996)。
附图的简述
结合附图显示代表性实施方案，用于阐述本发明，应当理解本发明并不局限于所示的精确设备和仪器。
图1显示了本发明OLED结构的一个实施方案的图示。
图2显示了本发明一个实施方案中，作为电流密度的函数的外量子效率和亮度。
图3显示了本发明的一个实施方案中，作为波长的函数的电致发光光谱。
图4显示了本发明的一个实施方案中，作为电压的函数的电流密度。
图5显示了本发明OLED结构的另一实施方案的图示。
图6显示了本发明OLED结构的另一实施方案的能级图示。
图7显示了根据图6所示结构制成的三个装置的(a)电致发光光谱对波长的特征，以及(b)量子效率和亮度对电流密度的特征。
图8显示了根据图9所示器件结构的实施方案，(a)在ITO层上有或没有PEDOT:PSS层的情况下的量子效率和亮度对电流密度的特征，以及(b)在ITO层上有或没有PEDOT:PSS层的情况下的电流密度。
图9显示了本发明一个实施方案的器件结构。
图10显示了本发明一个实施方案的能级图，包括全部磷光物质(phosphor)三重发射区、使用掺杂于CBP的FIrpic、Ir(ppy)3和Btp2Ir(acac)的白色OLED。激子形成区位于NPD/CBP界面，并且显示出激子朝着激子阻断BCP层扩散。
图11显示了图9所示的本发明实施方案以及本发明另一实施方案(具有类似器件结构，其中FIrpic和Ir(ppy)3掺杂的区域位置互换)的电致发光光谱。位于520nm的Ir(ppy)3主峰明显高于在激子形成区带有Ir(ppy)3的器件，所述激子形成区位于NPD/CBP界面。在500nm出峰是由于Ir(ppy)3和FIrpic的边峰。Btp2Ir(acac)在620nm和675nm出峰。
图12显示了具有CIE(0.31，0.35)坐标以及图9所述器件结构的本发明的一个实施方案中，功率和外量子效率对电流密度的特征。最大外量子效率、ηp和亮度分别是(4.0±0.4)％，(3.3±0.3)lm/W，和(36000±4000)cd/m2。
图13显示了与具有300的Ir(ppy)3掺杂的CBP的器件相比，具有300-d的Ir(ppy)3掺杂的CBP的器件的相对效率。实线是方程式(2)的点的x2近似。CBP三重态扩散长度(83±10)是由该近似获得的。插入：用于探察CBP中三重态激子浓度的器件结构。
图14显示了在10mA/cm2下，器件3的电致发光光谱随层厚度、掺杂剂浓度和在FIrpic与Btp2Ir(acac)掺杂层之间插入激子/空穴阻挡层的变化。
图15显示了在10mA/cm2下，器件3和4的电致发光光谱。插入：器件3和4的电流密度对电压的特征。
图16显示了器件3和4的功率和外量子效率对电流密度的特征。
图17显示了Ir(ppy)3、FIrpic、Bt2Ir(acac)、Btp2Ir(acac)的化学结构。
优选实施方案详述
现在将详细描述本发明的特定的优选实施方案。这些实施方案仅用作说明星的例子，并且本发明并不限于此。
本发明提供了一种多发射层的电致磷光OLED，其利用三重态激子的扩散以产生具有高功率和量子效率的器件。可以通过改变各层或带之中的厚度和掺杂剂浓度，或者通过在发射层之间引入激子阻挡层而调节器件颜色。
由通常具有长扩散长度的三重态激子获得的磷光发射一般大于140nm。在主体材料中掺杂的若干种磷光发射体理论上能够从各个不同的磷光发射体产生不同颜色的光。例如，面式三(2-苯基吡啶)铱(″Ir(ppy)3″)是发绿光的磷光物质，并且可以在适合的主体材料中与发红光化合物，诸如铱(III)双(苯并噻吩基吡啶)乙酰丙酮化物(″Btp2Ir(acac)″)结合，以制备发白光的发射层。
可以将发射区的主体材料选择为具有宽能带，以阻碍各种磷光掺杂剂之间或之中的阶式(cascade)能量传递。阶式能量传递这一术语用于描述从高能量激子向低能量激子，例如从高能量三重态激子向最低能量的三重态激子逐级传递的过程。在大量磷光掺杂剂在常用主体材料中的相同带或区中互相混合在一起的情况下，能够发生磷光掺杂剂之间的阶式能量传递，以及能够通过选择阻碍阶式能量传递的主体材料，或通过在发射区的主体材料之间的各个带中掺杂磷光掺杂剂，以避免所述阶式能量传递或将其最小化。否则，阶式能量传递的过程会使得发射可见光的高能量激子将其能量传递至仅发射不可见热量的其它低能量激子，降低了OLED的效率。因此，在制备有效OLED中阻碍或避免阶式能量传递是重要的。
对三重态激子扩散的控制提供了一种获得所需颜色平衡的手段。三重态的寿命比单重态激子长若干数量级，因此它们具有较长的扩散长度，使得发射层可以＞10nm厚。因此，为了获得所需的发射颜色，可以调节用不同磷光物质掺杂的各层的厚度，以作为在HTL/EMR界面初始形成的激子的适合部分的复合区。可以通过改变各磷光掺杂剂的浓度调节从发射区发射的光的颜色。此外，磷光掺杂剂可以在发射区中的带中分层，使得各磷光掺杂剂带的厚度与其它磷光掺杂剂带互不相同，由此提供了一种独立控制从各磷光掺杂剂发射的光强度的方法。最后，可以将磷光掺杂剂与荧光发射染料或来自独立的荧光发射层的荧光发射结合。
通过改变掺杂剂的浓度、与HTL界面(其中通常发生激子的形成)有关的不同颜色区的位置、各层的厚度，以及通过在发射层之间插入激子阻挡层，可以在很宽的范围内调节OLED发射的CIE坐标。但是，优选最容易捕获激子的磷光物质应当定位在离激子形成区域最远的地方。这通常可以通过将具有最低三重态能量的磷光物质定位在最远离激子形成区域而完成。但是，从主体材料到发射体的能量传递效率是一个重要的原因。如果从主体材料到特定发射体的能量传递效率高，那么含发射体的带将位于离激子形成区更远。相反，如果从主体材料到特定发射体的能量传递效率低，那么含发射体的带将位于离激子形成区更近。因此，同时顾及不同发射体的三重态能量以及从主体材料到不同发射体的能量传递效率是重要的。例如，如果具有中间三重态能量的发射体显示出高效的由主体材料的能量传递，那么与其将发射体带按照最高三重态能量、中间三重态能量至最低三重态能量的顺序排序，倒不如按照最高三重态能量、最低三重态能量、中间三重态能量的顺序。这样就保证了激子能够在整个发光区域扩散，产生所需的输出颜色平衡。
可以调节具有两种或多种磷光掺杂剂的发射区，以产生任何颜色的光，包括白光。所述白光OLED的廉价、高效和亮度使其适合作为常规液晶显示器的背光、作为家庭或办公室的光源、或用于薄的弹性单色显示器。可以将单色OLED发展为具有与众不同的色彩，用于广告的用途。透明的可选择颜色的OLED可以在具有若干堆叠的、分别可寻址的有机发光器件的全色显示器中用作一个OLED。由此提供了一种获得廉价但有效的全色有机显示器或透明有机显示器的方法。
在本发明的一个实施方案中，可以使用至少一种磷光掺杂剂和至少一种荧光掺杂剂。磷光掺杂剂可以在发射层的相同区域内混合。更优选将发射材料掺入发射区内的分层的层或带中。三重态激子的长扩散长度和寿命使得分层的层厚度可调，以控制由发射区内各分层磷光带发射的光强度。相反，在现有技术中通常是通过改变能量传递效率或精确控制荧光掺杂剂的浓度以在荧光器件中获得颜色调节，并且这两种方法均趋向于降低器件效率。此外，与单磷光发射体相比，在发射区使用多磷光发射体在颜色的选择上提供了更大的适应性。可以将多荧光有机发光器件堆叠，以在获得色彩上的适应性，但与在发射区使用单磷光发射体相比，这通常会导致效率降低和更高的制造成本。
可以分别从现有技术已知的大量材料中选择空穴迁移材料、激子阻挡层、电子迁移材料和磷光掺杂剂材料，前提是当结合使用时，这些材料的相对能级具有这里所述的相对值。在诸如M.A.Baldo等，Nature，vol.395，151(1998)；D.F.O′Brien等，Appl.Phys.Lett.，vol.74，442(1999)；M.A.Baldo等，Appl.Phys.Lett.，vol.75，4(1999)；T.Tsutsui等，Japanese J.Appl.Phys.，Part 2，vol.38，L1502(1999)；M.J.Yang等，Japanese J.Appl.Phys.，Part 2，vol.39，L828(2000)；和C.L.Lee等，Appl.Phys.Lett.，vol.77，2280(2000)；Baldo等，Physical Review B，422-428(1999)；Kwong等，Chemistry of Materials，vol.11，3709-3713(1999)；Djurovich等，Polymer Preprints，vol.41，No.1，770(2000)中，公开了代表性材料例如，空穴注入材料、电子迁移材料以及磷光材料包括的材料类型。用于本发明的磷光材料通常是有机金属化合物。有机金属磷光材料可以选自在共同未决申请U.S.序列No.08/980,986(2001年6月18日申请)和No.09/978455(2001年10月16日申请)中教导的那些，分别在此全文引作参考。
ETL材料可以包括，特别是芳基取代的二唑、芳基取代的三唑、芳基取代的菲咯啉、苯并唑或苯并噻唑化合物，例如1，3-双(N，N-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑(″OXD-7″)；3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑(″TAZ″)；2，9-二甲基-4，7-二苯基菲咯啉(″BCP″)；双(2-(2-羟基苯基)-苯并唑)锌；或双(2-(2-羟基苯基)苯并噻唑)锌；诸如C.Adachi等，Appl.Phys.Lett.，vol.77，904(2000)中公开的。其它电子迁移材料包括(4-联苯基)(4-叔丁基苯基)二唑(PDB)和三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
选择空穴迁移层的材料，以从阳极向器件的发射区迁移空穴。优选用于HTL的一类材料是显示出高空穴迁移率(大约10-3cm2/Vs)的各种形式的三芳胺。适合作为空穴迁移层的材料的例子是空穴迁移率约为5×10-4cm2/Vs的4，4′-双[N-(萘基)-N-苯基氨基]联苯(a-NPD)。其它例子包括空穴迁移率约为9×10-4cm2/Vs的N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1′-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)、4，4′-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯(β-NPD)、4，4′-双[N，N′-(3-甲苯基)氨基]-3，3′-二甲基联苯(M14)、4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4，4′-双[N，N′-(3-甲苯基)氨基]-3，3′-二甲基联苯(HMTPD)、3，3′-二甲基-N4，N4，N4′，N4′-四对甲苯基联苯基-4，4′-二胺(R854)和4，4′-N，N′-二咔唑联苯(CBP)。其它适合的空穴迁移材料是现有技术已知的，并且适用于空穴迁移层的材料的例子可以参见U.S.专利No.5,707,745,，在此引作参考。
除了上述的小分子之外，基质中可以含有聚合物或共混聚合物。在一个实施方案中，发射材料可作为自由分子加入，即不连接至聚合物，但溶于聚合物“溶剂”。优选用作基质材料的聚合物是聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)。在另一技术方案中，发射体是聚合物的重复单元部分，例如Dow的聚芴材料。荧光和磷光发射体均可以附加到聚合物链上，并用于制备OLED。器件中含有聚合基质的层通常通过旋涂沉积。
本发明的器件可以含有额外的层，诸如激子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)或空穴注入层(HIL)。本发明的一个实施方案，如在U.S.专利No.6,097,147(此处全文引作参考)中所述的，使用了阻断激子扩散的激子阻挡层，以改善整个器件的效率。所述激子阻挡层约束了发射层中电力产生的激子。
在本发明的再一实施方案中，在阳极层和空穴迁移层之间可以存在空穴注入层。本发明的空穴注入材料的特征在于是平面化或湿润阳极表面的材料，以由阳极向空穴注入材料提供充分的空穴注入。本发明的空穴注入材料的进一步特征在于具有HOMO(最高占据的分子轨道)能级，如上述其相对IP能量所定义的，所述HOMO能级与HIL层一侧上的邻近阳极层和HIL相对一侧上的磷光掺杂电子迁移层匹配。
HIL材料的优选特性在于空穴能够由阳极充分注入HIL材料。具体地，优选HIL材料具有的IP高于阳极材料具有的IP不超过0.7eV。更优选HIL材料具有的IP高于阳极材料具有的IP不超过0.5eV。
还是空穴迁移材料的HIL材料与常用于OLED的空穴迁移层的常规空穴迁移材料的区别在于所述HIL材料具有的空穴迁移率基本上低于常规空穴迁移材料的空穴迁移率。例如，m-MTDATA已被认为在促进空穴由ITO向HIL(例如由α-NPD或TPD组成)的注入方面是有效的。HIL有效地注入空穴也许是由于HTL HOMO水平/ITO抵消能量的降低，或是由于ITO表面的湿润。与分别约为5×10-4cm2/Vs和9×10-4cm2/Vs的α-NPD和TPD的空穴迁移率相比，据信HIL材料m-MTDATA具有的空穴迁移率约为3×10-5cm2/Vs。因此，m-MTDATA材料具有的空穴迁移率比常用的HTL材料α-NPD和TPD低一个数量级。
其它HIL材料包括酞菁化合物，诸如铜酞菁，或其它材料，包括聚合材料，注入聚3，4-亚乙基二氧基噻吩(″PEDOT″)或聚(亚乙基二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)，它们在促进空穴由阳极向HIL材料以及随后向HTL的注入方面是有效的。
本发明的HIL厚度需要足够厚，以助于阳极表面的平面化或湿润。例如，对于非常光滑的阳极表面而言，10nm这样小的HIL厚度是可以接受的。但是，因为阳极表面趋向于非常粗糙，因此在一些情况下，希望HIL的厚度高达50nm。
适合的电极(即阳极和阴极)材料包括导电材料，诸如金属、金属合金或导电氧化物，诸如ITO，它们被连接至电接点。电接点的沉积可以通过气相沉积或其它适合的金属沉积技术而完成。这些电接点可以由，例如铟、镁、铂、金、银或诸如Ti/Pt/Au、Cr/Au或Mg/Ag的组合制成。
当沉积顶部电极层(即阴极或阳极，通常是阴极)，即离底物最远的OLED一侧上的电极时，应当避免对有机层的损害。例如，有机层不应被加热至高于其玻璃化转变温度。顶部电极优选由基本垂直于底物的方向上沉积。
起阳极作用的电极优选含有高功函金属(4.5eV)，或透明的导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡等。
在优选的实施方案中，阴极优选是低功函的电子注入材料，如金属层。优选阴极材料具有的功函低于约4电子伏特。如果阴极层是不透明的，金属阴极层可以由基本上较厚的金属层组成。如果阴极趋于透明，可以将薄的低功函金属与透明的导电氧化物，诸如ITO结合使用。所述透明阴极具有的金属层厚度可以是50-400，优选约100。也可以使用诸如LiF/Al的透明阴极。
对于顶部发射(top-emitting)器件，可以使用诸如U.S.专利No.5,703,436或共同未决的专利申请U.S.序列No.08/964,863和No.09/054,707(分别在此引作参考)中公开的透明阴极。透明阴极具有光透过特征，使得OLED具有至少约50％的光透射率。优选透明阴极具有的光透射特征使得OLED具有至少约70％，更优选至少约85％的光透射率。
本发明的底物可以是不透明或基本上透明的刚性或弹性的，和/或塑料、金属或玻璃。尽管对于此处所述的厚度范围没有限制，但如果作为弹性塑料或金属箔底物存在，底物可以是10nm薄，或者如果作为刚性的透明或不透明底物底物存在，或底物是硅制成的，那么实质上更厚。
本发明OLED结构的一个代表性实施方案见图1所示。该器件包括玻璃底物、阳极层(ITO)、空穴迁移层(α-NPD)、空穴阻挡层(BCP)、在发射层内的单独的带或层中含有主体(TAZ)和两种磷光掺杂剂(Ir(ppy)3和Btp2Ir(acac))的发射层、含有三(8-羟基喹啉)铝(″Alq3″)的电子迁移层和阴极层，其中阴极层含有氟化锂(″LiF″)层和铝(″Al″)层。当施加电压通过阴极层和阳极层时，从发射层产生光发射。用于器件的材料是本发明的一个实施方案的例子，并且可以包括满足各个层的功能的任何材料。
在此处的某些情况下使用的术语“区域”是指多个层组成的或不同掺杂的层组成的区域，或者是指在相同区域之间的带。例如，发射区可以由被大量磷光掺杂剂掺杂的(每种磷光掺杂剂包含在单独和不同的带中)单一主体材料组成，其中发射区内的掺杂带可以看作是单独和不同的主体材料层，每个单独和不同的层被不同的磷光掺杂剂掺杂。在一个或多个这些带中的主体材料也可以是带与带互不相同。或者，发射区可以由单独的荧光层和被一种或多种磷光掺杂剂的主体层组成。在另一实施方案中，发射区可以包括被磷光掺杂剂掺杂的主体材料，但并不将磷光掺杂剂掺杂进单独和不同的带中。宁可将一种磷光掺杂剂的掺杂区与另一种磷光掺杂剂的掺杂区重叠，或者将一种磷光掺杂剂的掺杂区全部包含在另一种磷光掺杂剂的掺杂区中。实际上，可以使用多个层，以获得合并的利益，改进整个器件的效率。
提供以下材料，仅用于阐述的目的。器件通常是在透明或不透明底物，诸如玻璃、石英、蓝宝石或塑料上制成的。底物可以是，例如刚性、弹性、适当和/或成型为所需构型的。对于透明OLED或顶部发射OLED，可以使用诸如U.S.专利No.5,703,436，或共同未决的U.S.专利申请S/N08/964,863和S/N09/054,707中公开的透明阴极。透明阴极具有光透射特征，这样OLED的光透射率至少是50％。优选透明阴极所具有的光透射特征使得OLED具有的光透射率至少是约70％，更优选至少约85％。
顶部发射器件是这样一种器件：其中光仅在器件的顶部发出并且不贯穿底物。所述顶部发射器件的底物和顶部电极分别是由不透明和/或反射材料构成，例如电极可以是反射厚度的金属层。底物通常是指位于器件的底部。
用于以上列举的层和材料的沉积技术是现有技术共知的。例如，沉积OLED层的代表性方法是通过热蒸发或有机气相沉积(OVPD)，诸如在Baldo等，″Organic Vapor Phase Deposition，″Advanced Materials，vol.10，no.18(1998)pp.1505-1514中公开的。如果使用聚合物层，聚合物可以是旋涂的。沉积金属层的一个代表性方法是通过热或电子束蒸发。沉积氧化铟锡的一个代表性方法是通过电子束蒸发或溅射。
因此，在本发明的一个实施方案中，电致磷光OLED含有发射区，其包括大量磷光掺杂剂，其中各个磷光掺杂剂存在于主体发射区内的带中，调节各带的厚度、各带的位置以及各掺杂剂在各带中的浓度，以使从OLED中发射出所需颜色和量度的光。在本发明的特定实施方案中，带可以是单独的或重叠的。在本发明的一个实施方案中，重叠的带可以使用阻碍阶式能量传递的主体材料，改善了器件效率。
在一个特定实施方案中，激子可以在空穴阻挡层一侧上的激子形成区中形成，并且扩散通过空穴阻挡层并进入发射区。激子也可以在发射层的阳极一侧或发射层的阴极一侧形成。本发明通过根据激子形成区的位置，在发射区内分层并将层排序，使得将亮度、效率、颜色或这些器件特征的组合最优化的器件的有效设计和制造具体化。
本发明的另一实施方案含有发射区，其包括大量磷光掺杂剂，其中各个磷光掺杂剂在至少部分主体材料中与一种或多种其它磷光掺杂剂混合，其中选择主体材料，以降低阶式能量传递，并且独立地选择带的厚度和各磷光掺杂剂的浓度，以使从OLED中发射出所需颜色的光。
本发明可用于提供任何尺寸的稳定、有效、高亮度、单色、多色或全色的平板显示器。在所述显示器上产生的图像可以全色形式的版本或示范，分辨率取决于个体OLED的尺寸。因此，本发明的显示器器件适用于非常宽范围的应用，包括广告牌和招牌、计算机监视器或计算机显示器，以及通讯系统装置，诸如电话、电视、大面积的墙式屏幕、剧院屏幕和运动场屏幕。此处所述的结构包括，例如在发光器件中的大量像素或作为部分单像素、平板背光器件或室内或办公室的常用光源。此外，此处所述的结构可以作为部分激光器件使用。OLED作为光源掺入激光，作为部分激光器件。本发明不仅具有高效率，并且还能够被调节，以传输特别所需波长的光，这两种特征是激光光源所需的。而且，光源可以作为真空沉积OLED，廉价地掺入有机激光中。
因为与通常的OLED，特别是常规的无机LED相比，基于磷光的OLED发光效率特别高，因此本发明的基于磷光的OLED也可以用作照明应用的光源。这样的光源可以代替常规的白炽或荧光灯，用于特定类型的照明应用。所述基于磷光的OLED可以用于，例如用于产生所需颜色，包括白光的照明的大基架光源。
在以下专利或共同未决的专利申请(此处分别全文引作参考)可以由结合此处公开的有机发光器件而受益。U.S.专利No.5,703,436；No.5,707,745；No.5,721,160；No.5,757,026；No.5,757,139；No.5,811,833；No.5,834,893；No.5,844,363；No.5,861,219；No.5,874,803；No.5,917,280；No.5,922,396；No.5,932,895；No.5,953,587；No.5,981,306；No.5,986,268；No.5,986,401；No.5,998,803；No.6,005,252；No.6,013,538和No.6,013,982；以及共同未决的U.S.专利申请No.08/779,141；No.08/821,380；No.08/977,205；No.08/865,491和No.08/928,800。在这些专利和共同未决的专利申请中公开的材料、方法和装置也可用于制备本发明的OLED。
对于存在的层的类型、数量、厚度和顺序可以有很多变型，这取决于OLED层的反向顺序是否存在，或者是否仍然使用其它的设计变型。本领域技术人员可以识别此处描述和阐述的本发明实施方案的各种改型。所述改型趋向于通过本发明的主旨和范围转化。也就是说，当参照特定实施方案详细描述本发明时，本领域技术人员可以识别在权利要求的主旨和范围内的本发明的其它实施方案。
现在通过展示本发明的特定的具体代表性实施方案是如何进行的，来详细描述本发明，可以理解材料、装置和操作仅用于阐述的目的。尤其是，本发明不受此处具体描述的方法、材料、条件、工艺参数、装置等的限制。
发明实施例
在本发明的代表性实施方案中，通过高真空(10-6Torr)热蒸发将有机层沉积在预先涂覆了氧化铟锡(ITO)的干净玻璃底物上，所述有机层用作器件的阳极，并且薄层电阻是20Ω/平方。在薄膜沉积之前，底物进行溶剂脱脂并在进入沉积体系之前在UV-臭氧室中清洁。将用于降低OLED泄漏电流并增加OLED产率的聚(亚乙基二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)以4000rpm旋涂于ITO 40秒，随后于120烘烤15分钟，得到的厚度约40nm。
器件1
本发明的一个例子是有效的有机白光发射器件，从顶部(阴极一侧)开始，其按照以下顺序包括：铝阴极层(500nm)、薄LiF电子注入层(0.5nm)、Alq3电子迁移层(50nm)、真空沉积的TAZ发射区(30nm)，用浓度为8wt％的20nm厚的Btp2Ir(acac)磷光红光发射带以及浓度为8wt％的10nm厚的Ir(ppy)3磷光绿光发射带掺杂。通过已经真空沉积在溶剂脱脂并清洁的ITO层上的2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)的空穴阻挡层(6nm)以及α-NPD层(50nm)，将空穴迁移层从发射区分开。
据信在器件1中，激子在α-NPD层中形成，并且大量激子随后穿过BCP空穴阻挡层迁移至TAZ层。大部分激子引起直接由α-NPD主体材料产生的荧光发射。接着，TAZ层中的激子从TAZ层迁移至磷光掺杂剂，导致由Btp2Ir(acac)和Ir(ppy)3产生电致磷光。如上所述，通过选择层的厚度，产生白光发射。
器件1产生基本上的白光发射，其Commission Internationaled′Eclairage(CIE)色度坐标是(X＝0.36，Y＝0.45)。光谱对于驱动电流很不敏感，并且器件在约600mA/cm2下具有的最大亮度约为104cd/m2。在100cd/m2的亮度下，量子效率分别是约2％和约3lm/W。据信，该器件的高亮度和高量子效率大部分归因于在空穴迁移α-NPD层和磷光掺杂的TAZ层之间存在的BCP空穴阻挡层。尤其是，据信BCP层实质上推动了在α-NPD层中发生的空穴-电子复合，同时通过BCP层的空穴损失不明显。BCP层随后使得由此形成的大部分三重态激子扩散至TAZ层，以在Btp2Ir(acac)和Ir(ppy)3分子上产生三重态激子。接着通过磷光发射可见光。
据信，BCP层因此同时起空穴阻挡层和激子迁移层的作用，所述BCP层存在于器件的磷光区和器件的空穴迁移区之间，基本上所有的空穴-电子的复合都发生在那里，但在那里仅有少量发光是作为荧光发射产生的。通过适当地选择用于各层的材料，并随后调节层厚度和磷光掺杂剂浓度，可以调节发射，以基本上产生任何所需的颜色。例如，通过将具有最低能量传递效率的磷光掺杂剂置于紧邻或接近器件的空穴-电子复合区的带(也称为激子形成区)中，并且将具有最高能量传递效率的磷光掺杂剂置于远离器件的空穴-电子形成区的带中，各磷光掺杂剂所起的相对发射作用-分别产生不同颜色的光发射-可以按照由电致磷光OLED产生所需颜色的光发射的要求，通过调节各层的厚度和各层中磷光掺杂剂的浓度得以控制。据信，只要在使用至少一种磷光掺杂剂制造所述器件时，所述器件是具有商业实用性的，因为引起磷光的三重态激子具有的扩散长度是100nm或更长，而荧光，单重态激子具有的扩散长度很少超过10nm。因此，使用三重态激子的器件能够获得商业上有用的器件所需的亮度和效率。
器件2
在本发明的另一实施例中，在多发射层的有机发光器件中结合蓝色、绿色和红色磷光发射层，以产生有效的白光。蓝色磷光物质，掺杂至4，4′-N，N′-二咔唑联苯(CBP)中的铱(III)双(4，6-二氟苯基)吡啶-N，C2)吡啶甲酸盐(″FIrpic″)用作蓝光发射带，掺杂剂CBP中的面式三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)用作绿光发射带，以及掺杂至CBP中的双(2-(2′-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶-N，C3)铱(乙酰丙酮化物)(Btp2Ir(acac))作为红光发射带。
本发明的另一实施方案包括具有在多发射层中结合的蓝色、绿色和红色磷光发射层的白光发射OLED。在器件2中，在使用薄层电阻为20Ω/sq.的氧化铟锡(ITO)层预涂覆的玻璃底物上生长OLED。在任何有机层沉积或涂覆之前，用溶剂将底物脱脂，并随后在150mTorr下，用20W氧等离子体处理8分钟。将聚(亚乙基二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)以4000rpm旋涂于ITO 40秒，随后于120烘烤10分钟。PEDOT:PSS用于降低泄漏电流。参见D.J.Milliron，I.G.Hill，C.Shen，A.Kahn and J.Schwartz，J.Appl.Phys.，87，572(2000)；和T.M.Brown and F.Cacialli，IEE Proc.-Optoelectron，148，74(2001)。在≤10-6Torr的底压下连续热蒸发所有小分子有机层。首先沉积400nm厚的4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)空穴迁移层(HTL)。接着，生长发射区(EMR)，所述发射区的组成是用8wt％铱(III)双(4，6-二氟苯基)吡啶-N，C2)吡啶甲酸盐(″FIrpic ″)掺杂的10nm厚的4，4′-N，N′-二咔唑联苯(CBP)层，随后是用8wt％双(2-(2′-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶-N，C3)铱(乙酰丙酮化物)Btp2Ir(acac)层掺杂的10nm厚的CBP层，随后是用8wt％面式三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)掺杂的CBP层。发现发射的颜色和器件效率取决于被掺杂的层的顺序，并且使用此处描述的方法得到白色发射。最后沉积的有机层是10nm厚的2，9-二甲基4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)电子迁移/空穴阻挡层(ETL)。在沉积有机层后，使用氮气向蒸发室通气，并在含≤1ppm水和氧气的氮气气氛下将样品转移至氮气手套箱中，并于其中向样品上附加一个带有1mm直径开口的荫罩。最后，沉积由5厚的LiF层，然后是100nm的Al层组成的阴极。当样品进行实验时，将其仅暴露于空气。器件结构见图9所示。
通过平衡各颜色组分的发射，图9中的器件可以有效产生白光。考虑到器件中的各层，主体和客体之间的辐射复合速率(kr)和非辐射符合速率(knr)、扩散常数和共振能量传递速率(ktr)是可变的。通过改变掺杂剂的浓度、通过改变不同颜色区相对于产生激子形成的界面的位置，以及通过改变各层的厚度，发明人能够调节多发射层OLED的颜色/CIE坐标。
在器件2中，磷光掺杂剂的浓度保持大约恒定为(8±2)wt％，以获得有效且薄的器件。以前的报道表明，kr以及主体与磷光物质之间的迁移速率(ktr)在约6wt％和9wt％之间的掺杂水平下最大。参见C.Adachi，M.A.Baldo，M.E.Thompson，R.C.Kwong，M.E.Thompsonand S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，78，1622(2001)；和C.Adachi，M.A.Baldo，S.R.Forrest and M.E.Thompson，Appl.Phys.Lett.，77，904(2000)。较低的掺杂水平具有较低的ktr，而在较高的掺杂水平下，浓度淬灭(concentration quenching)降低了kr。
三重态的长扩散长度，结合改变各个发射带的厚度及其堆叠顺序使得对器件2中三个发射带的各个发射实现了控制。得到CIE坐标为(0.31，0.35)、外量子效率为(4.0±0.4)％和最大亮度为(36000±4000)cd/m2的白光。
在OLED器件中，在两种材料(在其中的一种材料中产生了过量电荷的堆积)之间的界面形成了激子，由于材料之间迁移率的数量级差异或界面上对于电荷迁移的能量势垒大，过量电荷通常存在于一种材料中。激子形成区(EZF)对于多发射层结构的位置影响了器件的颜色和效率；因此对于器件设计是重要的。
各发射层的knr与kr之比或其倒数可用于测定各发射层相对于EZF的位置。在一个优选实施方案中，发射层按照以下方式排序：knr与kr之比在接近EZF处最高，并且在远离EZF处最低。据信，这样的层排布改善了白光发射电致磷光OLED的器件效率。
由于通过CBP的空穴和电子迁移是等价的，在图10所示的能级图中，激子形成区的位置不清楚。空穴可能在CBP:BCP界面积累，或电子可能在NPD:CBP界面积累。为了研究EZF的位置，制备器件2所述的本发明的两个实施方案，8wt％Ir(ppy)3:CBP层置于两个界面中的一个。本发明人相信，在用于两个实施方案中的三种磷光物质中，Ir(ppy)3是最有效的；因此，Ir(ppy)3在置于EZF时具有显著的主峰。图11显示了当Ir(ppy)3:CBP层放置于邻近NPD时，与λ＝470nm下的FIrpic主峰相比，λ＝520nm下的Ir(ppy)3峰更强。λ＝500nm下的峰是λ＝500nm下的Ir(ppy)3发射和FIrpic边峰的结合。当Ir(ppy)3:CBP层放置于邻近BCP层时，与λ＝470nm下的FIrpic主峰相比，λ＝520nm下的Ir(ppy)3峰较弱；因此，本发明人相信，EZF位于NPD:CBP界面。因此，本发明的优选实施方案将浓度约为8wt％的FIrpic:CBP层置于该界面，以改善白光发射OLED的效率。本发明的该优选实施方案(各发射层的层厚度约为10nm以及图9所示的堆叠顺序)具有的CIE坐标是(0.31，0.35)。图12表明，器件的外量子效率是其电流密度的函数。设定亮度强度曲线并计算最大外量子效率ηp，得到的ηp值等于(4.0±0.4)％，在15.8V下的亮度为(3.3±0.3)lm/W或(36000±4000)cd/m2。如图12所示，外量子效率对于相应的三个数量级的电流密度至少为3.0％。本发明人相信，在低电流密度值下的相对较低的外部效率是由电流泄漏引起的，而在J＞10mA/cm2的高电流密度下，滚降(rolloff)已经在先归因于三重态-三重态湮没。参见M.A.Baldo，C.Adachi and S.R.Forrest，Phys.Rev.B，62，10967(2000)。除非实验的具体实施方案在λ＝550nm和λ＝600nm之间具有降低的发射水平，ηp值甚至会更大。流明是基于在λ＝555nm下具有峰值的光适应响应曲线。
据信，在本发明的该实施方案中，加在阴极上的真空断路也限制了器件效率，因为真空断路趋向于在暴露于氮气气氛的过程中引入非辐射缺陷状态。本发明人预计，在制备工业中始终使用超高真空条件，将得到甚至更高的器件效率。在制备方法的优选实施方案中，在超高真空环境中，沉积阴极层而没有任何断路。
器件3
将聚(亚乙基二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)以4000rpm旋涂于ITO 40秒，随后于120烘烤15分钟，得到的厚度约为40nm。开始沉积30nm厚的4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)空穴迁移层(HTL)。对于器件3，生长发射区(EMR)，所述发射区的组成是用6wt％蓝色发射磷光物质，铱(III)双(4，6-二氟苯基)-吡啶-N，C2)吡啶甲酸盐(″FIrpic″)掺杂的20nm厚的主要电子传导主体4，4′-N，N′-二咔唑联苯(CBP)层，随后是用8wt％红色磷光物质，双(2-(2′-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶-N，C3)铱(乙酰丙酮化物)(Btp2Ir(acac))掺杂的2nm厚的CBP层，以及用8wt％黄色磷光物质，双(2-苯基苯并噻唑-N，C2’)铱(乙酰丙酮化物)(Bt2Ir(acac))掺杂的2nm厚的CBP层。BCP层是沉积在所有器件上的最后的有机层，并且作为空穴/激子阻断体和电子迁移层(ETL)。在沉积有机层后，将样品从蒸发室转移至含≤1ppm水和氧气的充满氮气的手套箱中。在向样品上附加一个带有1mm直径开口的荫罩后，将它们转移至第二真空室中(＜10-7Torr)，其中通过荫罩沉积阴极。阴极由5厚的LiF，然后是100nm的Al组成。
器件4
将聚(亚乙基二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)以4000rpm旋涂于ITO 40秒，随后于120烘烤15分钟，得到的厚度约为40nm。开始沉积30nm厚的4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)空穴迁移层(HTL)。对于器件4，EMR的组成是用6wt％FIrpic掺杂的20nm厚的CBP层，随后是3nm厚的2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)激子阻挡层，以及用8wt％Btp2Ir(acac)掺杂的10nm厚的CBP层。BCP层是沉积在所有器件上的最后的有机层，并且作为空穴/激子阻断体和电子迁移层(ETL)。在沉积有机层后，将样品从蒸发室转移至含≤1ppm水和氧气的充满氮气的手套箱中。在向样品上附加一个带有1mm直径开口的荫罩后，将它们转移至第二真空室中(＜10-7Torr)，其中通过荫罩沉积阴极。阴极由5厚的LiF，然后是100nm的Al组成。
控制三重态激子的扩散，提供了一种得到所需颜色平衡的手段。三重态具有的寿命比单重态长若干数量级，因此它们具有更长的扩散长度，使得发射层厚度＞10nm。因此，为了获得所需的发射颜色，可以调节用不同磷光物质掺杂的各层厚度，以作为在HTL/EMR界面初始形成的适量激子的复合区。
为了设计所述结构，首先测定CBP三重态激子扩散长度LD。这可以通过在图13所示结构中满足30nm厚的CBP层中改变面式三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)磷光物质掺杂区的厚度(d)而进行。随后对各种器件的效率与用Ir(ppy)3掺杂整个CBP区的器件的效率进行比较。即在位置x和x+Δx之间的激子密度，以及来自发射区的光量之间建立线性关系，随后经以下等式，将CBP激子密度与绿色Ir(ppy)3发射相关：
η ( x ) = η ( 30 ) ( 1 - e - d / L D ) ( 1 - e - d 0 / L D ) - - - ( 1 )
其中η(d)是带有厚度为d的掺杂CBP层的器件的效率，而η(30)是带有用Ir(ppy)3掺杂的d0＝30nm CBP的器件的效率。使用图13中的数据x平方拟合(实线)等式1，得到CBP三重态扩散长度为(8.3±1)nm。
通过改变掺杂剂浓度、不同颜色区域相对于HTL界面(其中发生激子的形成)的位置、各层的厚度，以及通过在发射层之间插入激子阻挡层，OLED发射的CIE坐标可以在很宽的范围内调节。但是，我们注意到，具有较低三重态能量并因此最容易捕获激子的磷光物质应当定位在离激子形成区最远的地方。这样就确保了激子能够在整个发光区扩散，产生所需的输出颜色平衡。图14显示了器件3的电子发光光谱对于层厚度、磷光物质的掺杂浓度以及在FIrpic和Btp2Ir(acac)掺杂区之间插入阻挡层的依赖。所有光谱在10mA/cm2下记录，对应的亮度在400-800cd/m2之间。
由于激子的总数大部分扩散至FIrpic层，并因此可用于从有效性差一些的掺杂剂获得发射，当Bt2Ir(acac)和Btp2Ir(acac)掺杂层的厚度降低至2nm时，并且当FIrpic层的厚度增加至20nm时，如图1所示，FIrpic发射峰位于λ＝472nm以及λ＝500nm处，相对于Btp2Ir(acac)位于λ＝620nm的发射有所增加。但是，对于厚度超过30nm的FIrpic掺杂层而言，FIrpic发射相对于Btp2Ir(acac)没有增加。这表明激子形成区(EFZ)并不是如同使用Ir(ppy)3测量的CBP三重态扩散图中所看到的那样，位于HTL/EMR界面，这是因为FIrpic发射应当是连续的，以随着FIrpic层厚度的增加而相对于所有其它磷光物质发射有所增加。EFZ在WOLED中的精确定位是难以确定的，因为其可以根据颜色平衡的若干可变考虑而移动。
颜色平衡(特别是蓝色发射的增强)可以通过在器件4中FIrpic和Btp2Ir(acac)掺杂层之间插入薄BCP空穴/激子阻挡层而改善。该层阻止了来自FIrpic掺杂层的空穴向阴极的流动，并因此推动更多的激子在FIrpic层中形成，并且它防止了激子在FIrpic掺杂区形成后向阴极扩散。这两种影响增加了相对于Btp2Ir(acac)的FIrpic发射。
位于λ＝563nm的Bt2Ir(acac)主发射峰很容易从其位于λ＝600nm的边峰识别出来，所述边峰与Btp2Ir(acac)峰重叠(图14)。当Bt2Ir(acac)的掺杂浓度由8wt％降低至1wt％，以及当层厚度由10nm降低至2nm时，位于λ＝563nm的峰降低。在1wt％Bt2Ir(acac)下，主体和客体分子之间的三重态迁移被阻碍，因为在主体Forster迁移半径(30)内的客体分子更少，按比例降低了部分Bt2Ir(acac)发射。对于式(1)所述的激子浓度曲线而言，η(2)＜η(10)，因为掺杂剂能够捕获更多的CBP三重态，用于较厚的掺杂区。因此，来自2nm厚Bt2Ir(acac)掺杂层的发射应当低于10nm厚的层，因为其捕获的CBP激子更少。
在图15中比较了器件3和4的电致发光光谱。对于器件4，在λ＝520nm和λ＝600nm之间几乎没有发射，而器件3在该区域具有来自Bt2Ir(acac)的更明显发射。对于器件3，光谱黄色区域的增强增加了来自50-83的CRI，并且相对于器件4，将CIE从(0.35，0.36)移动至(0.37，0.40)。左右器件的x和y CIE坐标在1mA/cm2和500mA/cm2之间(对应的亮度范围是60-20000cd/m2)的变化＜10％。
器件4可用于平板显示器，因为在光谱的黄色区域中缺乏发射将不会影响人对于显示器发出的白色的感觉。理论上，由CBP中掺杂的FIrpic和Btp2Ir(acac)产生的最佳白色位于(0.33，0.32)，接近器件4的(0.35，0.36)。器件3具有CRI为83，可用于平板显示器，但也可作为照明源，因为在这样高的CRI值下，物体将会表现得如同它们处于日光条件下一样。器件4的CRI理论上可以上升至最大值88，但是，所述优化器件的CIE是(0.47，0.40)。与器件3相比，通过在人眼具有最高光适应效率的地方增加黄色发射，以及通过使用比FIrpic具有更高ηext的Bt2Ir(acac)，额外掺杂的层也可以改善器件4的效率。
我们使用图15插入语中所示的电流密度-电压特征，假定光强度曲线和计算出的ηext、ηp(图16所示)和亮度。表2显示了器件3和4的结果。此时，ηext 3相对三个数量级的电流密度是3.0％，并且发现ηext升高至最大值并随后在更高的电流密度下滚降。由于电流泄漏，初始的ηext可能较低，而在高电流密度(J＞10mA/cm2)，滚降已经在先归因于三重态-三重态湮灭。器件3在14V下达到的最大亮度是31000cd/m2，器件4在13.4V下发射30000cd/m2。
限定阴极区域所需的真空断路由于暴露于大气而引入了非辐射缺损，因此限制了全磷光物质WOLED的效率。在CBP和FIrpic之间的激子迁移由于该材料体系的吸热过程特征而对缺损尤其敏感。因此，如果整个器件在高真空条件下生长，更高效率的OLED是可以预期的。
本领域技术人员可以识别此处描述和阐述的本发明实施方案的各种变型，本发明包括这些变型，且不受其中所含例子的限制。

Claims (16)

1.一种包括发射区的有机发光器件，其中发射区包括
主体材料，和
大量发射掺杂剂，
其中发射区由大量的带组成，并且各个发射掺杂剂掺杂至发射区中的单独的带中，并且其中至少发射掺杂剂中的一种通过磷光发光，其中大量发射掺杂剂的合并发射足够跨越可见光谱以提供白色发射。
2.权利要求1的器件，其中合并发射具有的光源色效应指数至少是80。
3.权利要求1的器件，其中各个发射掺杂剂通过磷光发射。
4.权利要求3的器件，其中发射掺杂剂是磷光有机金属化合物。
5.权利要求3的器件，其中发射掺杂剂按照最高三重态能量、中间三重态能量至最低三重态能量的顺序排列。
6.权利要求3的器件，其中发射掺杂剂按照最高三重态能量、最低三重态能量至中间三重态能量的顺序排列。
7.权利要求1的器件，其中至少两个包括发射区的带是通过激子阻挡层分开的。
8.一种有机发光器件，包括
阳极；
空穴迁移层；
发射区；
电子迁移层；和
阴极；
其中发射区由主体材料和大量发射掺杂剂组成，并且其中发射区由大量的带组成，并且各个发射掺杂剂掺杂至发射区中的单独的带中，并且其中至少发射掺杂剂中的一种通过磷光发光，其中大量发射掺杂剂的合并发射足够跨越可见光谱以提供白色发射。
9.权利要求8的器件，其中合并发射具有的光源色效应指数至少是80。
10.权利要求8的器件，其中各个发射掺杂剂通过磷光发射。
11.权利要求10的器件，其中发射掺杂剂是磷光有机金属化合物。
12.权利要求10的器件，其中发射掺杂剂按照最高三重态能量、中间三重态能量至最低三重态能量的顺序排列。
13.权利要求10的器件，其中发射掺杂剂按照最高三重态能量、最低三重态能量至中间三重态能量的顺序排列。
14.权利要求8的器件，其中至少两个包括发射区的带是通过激子阻挡层分开的。
15.权利要求8的器件，其中该器件还包括激子阻挡层。
16.权利要求8的器件，其中该器件还包括空穴注入层。
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Families Citing this family (225)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721656B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
JP4048521B2 (ja) * 2000-05-02 2008-02-20 富士フイルム株式会社 発光素子
US7306856B2 (en) * 2000-07-17 2007-12-11 Fujifilm Corporation Light-emitting element and iridium complex
EP2224790B1 (en) * 2000-07-17 2013-01-02 UDC Ireland Limited Light emitting element and azole compound
US6893743B2 (en) * 2000-10-04 2005-05-17 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP4006335B2 (ja) * 2000-11-30 2007-11-14 キヤノン株式会社 発光素子及び表示装置
JP4493915B2 (ja) * 2001-05-16 2010-06-30 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 高効率多色電界リン光ｏｌｅｄ
US7102632B2 (en) * 2001-06-05 2006-09-05 Eastman Kodak Company Method for saving power in an organic electroluminescent display
EP1399002A4 (en) * 2001-06-15 2007-11-21 Canon Kk ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
JP2003123982A (ja) * 2001-08-07 2003-04-25 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及び新規イリジウム錯体
US6863997B2 (en) * 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US6869695B2 (en) * 2001-12-28 2005-03-22 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
WO2005011333A1 (ja) * 2003-07-28 2005-02-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子
US6951694B2 (en) 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
JP3902981B2 (ja) 2002-06-04 2007-04-11 キヤノン株式会社 有機発光素子及び表示装置
US7332739B2 (en) * 2002-06-20 2008-02-19 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescent device using mixture of phosphorescent material as light-emitting substance
KR100478524B1 (ko) * 2002-06-28 2005-03-28 삼성에스디아이 주식회사 고분자 및 저분자 발광 재료의 혼합물을 발광 재료로사용하는 유기 전계 발광 소자
US20040097725A1 (en) 2002-07-10 2004-05-20 Norman Herron Charge transport compositions and electronic devices made with such compositions
KR100650046B1 (ko) * 2002-11-20 2006-11-27 엘지전자 주식회사 고효율의 유기 전계 발광 소자
JP5104816B2 (ja) * 2002-11-26 2012-12-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを有する表示装置
US7063900B2 (en) * 2002-12-23 2006-06-20 General Electric Company White light-emitting organic electroluminescent devices
AU2003290341A1 (en) * 2002-12-24 2004-07-22 Elam-T Limited Electroluminescent materials and devices
WO2004060027A1 (ja) * 2002-12-25 2004-07-15 Fujitsu Limited 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
JP4519652B2 (ja) 2002-12-26 2010-08-04 株式会社半導体エネルギー研究所 有機発光素子
CN100479628C (zh) * 2002-12-27 2009-04-15 富士胶片株式会社 有机电致发光设备
KR100543478B1 (ko) * 2002-12-31 2006-01-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP2004227814A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 有機発光装置及びその製造方法
JP3966283B2 (ja) * 2003-01-28 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 発光体とその製造方法及び製造装置、電気光学装置並びに電子機器
US6900458B2 (en) 2003-02-21 2005-05-31 Universal Display Corporation Transflective display having an OLED backlight
JP4526776B2 (ja) * 2003-04-02 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US20040209116A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Xiaofan Ren Organic light emitting devices with wide gap host materials
US7740955B2 (en) * 2003-04-23 2010-06-22 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device and display
DE10326725A1 (de) * 2003-06-10 2005-01-13 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon OLED-Bauelement und Display auf Basis von OLED-Bauelementen mit verbesserter Effizienz
US6987355B2 (en) * 2003-06-11 2006-01-17 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
US6903378B2 (en) * 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
US7211823B2 (en) * 2003-07-10 2007-05-01 Universal Display Corporation Organic light emitting device structure for obtaining chromaticity stability
DE10333232A1 (de) * 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
JP2005100921A (ja) 2003-08-22 2005-04-14 Sony Corp 有機ｅｌ素子および表示装置
KR100544126B1 (ko) * 2003-08-26 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR100560783B1 (ko) * 2003-09-03 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 도핑된 발광층을 갖는 유기전계발광소자
DE10340711A1 (de) * 2003-09-04 2005-04-07 Covion Organic Semiconductors Gmbh Elektronische Vorrichtung enthaltend organische Halbleiter
DE112004001737B4 (de) * 2003-09-17 2016-08-11 The Regents Of The University Of California Verfahren umfassend lösliche, konjugierte Polymere zur Ausbildung benachbarter Schichten auf einem Substrat oder zum Hinzufügen einer Polymerschicht zu einem Substrat, mehrschichtige elektronische Vorrichtung und Verwendung in elektronischen Bauteilen
US6881502B2 (en) * 2003-09-24 2005-04-19 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer
US7830085B2 (en) * 2003-10-06 2010-11-09 The Regents Of The University Of California White electrophosphorescence from semiconducting polymer blends
EP1687859B1 (de) * 2003-11-25 2013-08-07 Merck Patent GmbH Organisches elektrolumineszenzelement
US7374828B2 (en) * 2003-12-05 2008-05-20 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with additive
US20050123791A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 Deaton Joseph C. Organic electroluminescent devices
US7084425B2 (en) * 2003-12-05 2006-08-01 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices
US20050158582A1 (en) * 2004-01-15 2005-07-21 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US7629061B2 (en) * 2004-01-16 2009-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Heterostructure devices using cross-linkable polymers
KR100657892B1 (ko) * 2004-02-11 2006-12-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
TW200541401A (en) * 2004-02-13 2005-12-16 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
EP1718124A4 (en) * 2004-02-19 2009-06-24 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT FOR WHITE COLOR
WO2005112518A1 (ja) * 2004-03-25 2005-11-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005310742A (ja) * 2004-03-25 2005-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1753268A4 (en) * 2004-04-02 2008-02-20 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT WITH TWO ELECTROLUMINESCENCE LAYERS THROUGH ELECTRON BARRIER LAYER
KR100647598B1 (ko) * 2004-04-06 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
US7361415B2 (en) 2004-04-16 2008-04-22 The University Of Hong Kong System and method for producing light with organic light-emitting devices
JP4429067B2 (ja) * 2004-04-21 2010-03-10 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US20050244672A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Chi-Ming Che Organic light-emitting devices
CN100531498C (zh) * 2004-05-31 2009-08-19 株式会社丰田自动织机 有机el元件
JP4631316B2 (ja) 2004-06-07 2011-02-16 パナソニック株式会社 エレクトロルミネセンス素子
JP2006054422A (ja) * 2004-07-15 2006-02-23 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子及び表示素子
WO2006008977A1 (ja) * 2004-07-16 2006-01-26 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子および照明装置
WO2006009024A1 (ja) * 2004-07-23 2006-01-26 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US7316756B2 (en) 2004-07-27 2008-01-08 Eastman Kodak Company Desiccant for top-emitting OLED
US8653537B2 (en) 2004-08-13 2014-02-18 Novaled Ag Layer assembly for a light-emitting component
US20060042685A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Ying Wang Electronic devices having a charge transport layer that has defined triplet energy level
WO2006022401A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Showa Denko K. K. Organic electroliminescent device and production method thereof
JP2008512523A (ja) * 2004-09-03 2008-04-24 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 可溶性共役ポリマー
US9040170B2 (en) * 2004-09-20 2015-05-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device with quinazoline complex emitter
JP2006107790A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
GB0422391D0 (en) * 2004-10-08 2004-11-10 Cambridge Display Tech Ltd Light emitting device
US7776456B2 (en) * 2004-12-03 2010-08-17 Universal Display Corporation Organic light emitting devices with an emissive region having emissive and non-emissive layers and method of making
KR100700641B1 (ko) * 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치, 패터닝 방법 및 그를 이용한 레이저열전사 패터닝 방법과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법
JP4496949B2 (ja) * 2004-12-13 2010-07-07 株式会社豊田自動織機 有機ｅｌ素子
US20060145599A1 (en) * 2005-01-04 2006-07-06 Reza Stegamat OLEDs with phosphors
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
KR20060084733A (ko) * 2005-01-20 2006-07-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
EP1858906A4 (en) * 2005-03-01 2009-04-15 Agency Science Tech & Res Solution processed organometallic complexes and their use in electroluminescent devices
US7554257B2 (en) * 2005-03-02 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to generate high efficient devices which emit high quality light for illumination
WO2006093007A1 (ja) * 2005-03-02 2006-09-08 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示装置および照明装置
GB2472526B (en) * 2005-03-02 2011-03-23 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescence element, image display unit and lighting device
JP5261745B2 (ja) * 2005-03-04 2013-08-14 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、液晶表示装置及び照明装置
EP1705727B1 (de) * 2005-03-15 2007-12-26 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
US20060216544A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 Fuji Photo Film Co. Ltd Organic electroluminescent device
JP2006310748A (ja) * 2005-03-28 2006-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
US8017251B2 (en) 2005-03-28 2011-09-13 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
US7560729B2 (en) 2005-03-30 2009-07-14 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device for improved luminous efficiency and chromaticity
US9070884B2 (en) 2005-04-13 2015-06-30 Universal Display Corporation Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters
US8057916B2 (en) 2005-04-20 2011-11-15 Global Oled Technology, Llc. OLED device with improved performance
US7511418B2 (en) * 2005-05-20 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device and manufacturing method of light emitting element
US7474048B2 (en) * 2005-06-01 2009-01-06 The Trustees Of Princeton University Fluorescent filtered electrophosphorescence
US7768194B2 (en) * 2005-06-01 2010-08-03 The Trustees Of Princeton University Fluorescent filtered electrophosphorescence
CN100421278C (zh) * 2005-06-02 2008-09-24 友达光电股份有限公司 有机发光二极管的发光层及应用其的有机发光二极管显示面板
JP5554922B2 (ja) * 2005-06-10 2014-07-23 トムソン ライセンシング 異なる有機材料の２つ以下の層を備える有機発光ダイオード
WO2007004563A1 (ja) * 2005-07-06 2007-01-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20070009306A (ko) * 2005-07-15 2007-01-18 삼성에스디아이 주식회사 백색 유기 발광 소자의 제조 방법
JP4959961B2 (ja) * 2005-07-29 2012-06-27 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 有機ｅｌ素子の製造方法
TWI279165B (en) * 2005-08-09 2007-04-11 Au Optronics Corp White organic light emitting diode
KR20070019496A (ko) * 2005-08-12 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
JP2007088251A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置
US8148891B2 (en) * 2005-10-04 2012-04-03 Universal Display Corporation Electron impeding layer for high efficiency phosphorescent OLEDs
JP5353006B2 (ja) * 2005-10-11 2013-11-27 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
US8956738B2 (en) 2005-10-26 2015-02-17 Global Oled Technology Llc Organic element for low voltage electroluminescent devices
WO2007049470A1 (ja) * 2005-10-27 2007-05-03 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
US20070122657A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing a phenanthroline derivative
US9666826B2 (en) 2005-11-30 2017-05-30 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
JP4251331B2 (ja) * 2005-12-27 2009-04-08 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
JP4904821B2 (ja) * 2006-01-12 2012-03-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
TWI371987B (en) 2006-01-18 2012-09-01 Lg Chemical Ltd Oled having stacked organic light-emitting units
EP1976042A4 (en) * 2006-01-27 2009-11-11 Konica Minolta Holdings Inc ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
WO2007123998A2 (en) * 2006-04-19 2007-11-01 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting devices
EP2016633A1 (en) 2006-05-08 2009-01-21 Eastman Kodak Company Oled electron-injecting layer
US7579773B2 (en) * 2006-06-05 2009-08-25 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting device with a phosphor-sensitized fluorescent emission layer
WO2008011049A2 (en) * 2006-07-17 2008-01-24 Wms Gaming Inc. Wagering game machine with oled transmissive lcd
JP5205584B2 (ja) 2006-09-06 2013-06-05 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子および表示装置
US7800295B2 (en) * 2006-09-15 2010-09-21 Universal Display Corporation Organic light emitting device having a microcavity
US9012034B2 (en) * 2006-09-28 2015-04-21 Udc Ireland Limited Organic electroluminescence element
DE102006048202A1 (de) * 2006-10-11 2008-04-17 Universität Regensburg Lanthanoid-Emitter für OLED-Anwendungen
US8945722B2 (en) * 2006-10-27 2015-02-03 The University Of Southern California Materials and architectures for efficient harvesting of singlet and triplet excitons for white light emitting OLEDs
WO2008069153A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP4254856B2 (ja) * 2006-12-22 2009-04-15 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
TWI605625B (zh) * 2006-12-28 2017-11-11 環球展覽公司 長使用期限之磷光性有機發光裝置結構
KR101407574B1 (ko) * 2007-01-12 2014-06-17 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR101359632B1 (ko) * 2007-01-19 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
CN101247297B (zh) * 2007-02-16 2010-07-14 华为技术有限公司 对家庭网络中应用终端进行自动配置的装置、系统和方法
KR20080083881A (ko) 2007-03-13 2008-09-19 삼성전자주식회사 색 조절층을 구비한 백색 유기발광소자
US8207526B2 (en) * 2007-03-23 2012-06-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
US20090001875A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Yun Chi Organic light-emitting device incorporating multifunctional osmium complexes
JP2009037981A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
DE102007053396A1 (de) 2007-08-07 2009-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
JP5530608B2 (ja) * 2007-09-13 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子および発光装置
KR101625235B1 (ko) * 2007-09-20 2016-05-27 바스프 에스이 전계발광 소자
CN102655223B (zh) * 2007-10-19 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光设备和电子设备
US8815411B2 (en) * 2007-11-09 2014-08-26 The Regents Of The University Of Michigan Stable blue phosphorescent organic light emitting devices
CN101170852B (zh) * 2007-11-14 2010-05-19 电子科技大学 一种具有超薄层结构的有机电致发光器件
US8143613B2 (en) * 2007-11-27 2012-03-27 The Regents Of The University Of Michigan Organic light emitting device having multiple separate emissive layers
JP2008085363A (ja) * 2007-11-30 2008-04-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子
US20090162612A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Hatwar Tukaram K Oled device having two electron-transport layers
WO2009091773A2 (en) * 2008-01-14 2009-07-23 Massachusetts Institute Of Technology Solar concentrator and devices and methods using them
JP2009187681A (ja) * 2008-02-01 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd 有機薄膜の形成方法及び有機デバイス
US8040053B2 (en) 2008-02-09 2011-10-18 Universal Display Corporation Organic light emitting device architecture for reducing the number of organic materials
BRPI0912983A2 (pt) * 2008-05-19 2015-10-13 Sharp Kk elemento de eletroluminescência, dispositivo de exibição, e dispositivo de iluminação.
US8324800B2 (en) * 2008-06-12 2012-12-04 Global Oled Technology Llc Phosphorescent OLED device with mixed hosts
US8247088B2 (en) * 2008-08-28 2012-08-21 Global Oled Technology Llc Emitting complex for electroluminescent devices
JP5325707B2 (ja) * 2008-09-01 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
JP5329342B2 (ja) * 2008-09-01 2013-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
WO2010028262A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-11 Universal Display Corporation White phosphorescent organic light emitting devices
EP2161272A1 (en) 2008-09-05 2010-03-10 Basf Se Phenanthrolines
JP2010114070A (ja) * 2008-10-10 2010-05-20 Canon Inc 白色有機ｅｌ素子
JP2012507175A (ja) * 2008-10-28 2012-03-22 ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン 赤色、緑色、および青色の副要素を有する積層白色ｏｌｅｄ
DE102008054052A1 (de) 2008-10-30 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102008063470A1 (de) * 2008-12-17 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR100994118B1 (ko) * 2009-01-13 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
US20100139749A1 (en) * 2009-01-22 2010-06-10 Covalent Solar, Inc. Solar concentrators and materials for use therein
JP5367095B2 (ja) * 2009-02-03 2013-12-11 日東電工株式会社 有機発光ダイオードにおける両極性ホスト
DE102009012346B4 (de) * 2009-03-09 2024-02-15 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
JP2010225563A (ja) 2009-03-25 2010-10-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機ｅｌ素子
WO2010145991A1 (en) 2009-06-18 2010-12-23 Basf Se Phenanthroazole compounds as hole transporting materials for electro luminescent devices
EP2489085A2 (de) * 2009-10-14 2012-08-22 Novaled AG Elektrooptisches, organisches halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben
JP5723292B2 (ja) * 2009-11-30 2015-05-27 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． イリジウム錯体化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途
EP2511969A4 (en) * 2009-12-11 2014-03-19 Mitsubishi Chem Corp ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND ORGANIC EL LIGHTING
US8242489B2 (en) 2009-12-17 2012-08-14 Global Oled Technology, Llc. OLED with high efficiency blue light-emitting layer
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
US8933439B2 (en) 2010-02-05 2015-01-13 Nitto Denko Corporation Organic light-emitting diode with enhanced efficiency
JP2011199174A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Fujifilm Corp 発光層形成用固形材料、並びに有機電界発光素子及びその製造方法
US8564001B2 (en) * 2010-05-21 2013-10-22 Universal Display Corporation Organic light emitting device lighting panel
US9691983B2 (en) * 2010-07-16 2017-06-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition containing polymer compound and light-emitting device using the same
KR102004629B1 (ko) * 2010-08-20 2019-07-26 유니버셜 디스플레이 코포레이션 Ｏｌｅｄ를 위한 바이카르바졸 화합물
US9328086B2 (en) 2010-09-16 2016-05-03 Nitto Denko Corporation Substituted bipyridines for use in organic light-emitting devices
MX344784B (es) 2010-09-29 2017-01-06 Basf Se Elemento de seguridad.
EP2625171B1 (en) 2010-10-07 2014-07-30 Basf Se Phenanthro[9,10-b]furans for electronic applications
US9079872B2 (en) 2010-10-07 2015-07-14 Basf Se Phenanthro[9, 10-B]furans for electronic applications
JP5852855B2 (ja) * 2010-11-24 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、照明装置、及び電子機器
WO2012068744A1 (zh) * 2010-11-26 2012-05-31 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
JP5167380B2 (ja) * 2011-03-24 2013-03-21 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012128081A1 (ja) 2011-03-24 2012-09-27 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012204164A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US10158089B2 (en) 2011-05-27 2018-12-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10079349B2 (en) * 2011-05-27 2018-09-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2013005026A2 (en) 2011-07-04 2013-01-10 Cambridge Display Technology Limited Polymers, monomers and methods of forming polymers
KR20130009619A (ko) * 2011-07-06 2013-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 조명 장치 및 전자 기기
DE112013007878B4 (de) * 2012-03-14 2025-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierendes Element
JP6158543B2 (ja) * 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP6076153B2 (ja) 2012-04-20 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
JP6367386B2 (ja) * 2012-04-20 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、電子機器
US8916897B2 (en) 2012-05-31 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
US9484544B2 (en) 2012-07-31 2016-11-01 Oti Lumionics Inc. Organic electroluminescent device with multiple phosphorescent emitters
TWI651878B (zh) 2012-08-03 2019-02-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置及照明設備
KR102862479B1 (ko) 2012-08-03 2025-09-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102204794B1 (ko) 2012-08-10 2021-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치
US9859517B2 (en) 2012-09-07 2018-01-02 Nitto Denko Corporation White organic light-emitting diode
US10957870B2 (en) * 2012-09-07 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic light emitting device
WO2014071518A1 (en) 2012-11-06 2014-05-15 Oti Lumionics Inc. Method for depositing a conductive coating on a surface
JP2013069702A (ja) * 2012-12-14 2013-04-18 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20140284580A1 (en) * 2013-03-22 2014-09-25 E-Ray Optoelectronics Techonology Co., Ltd. Electron transporting compounds and organic electroluminescent devices using the same
KR102233619B1 (ko) * 2013-03-26 2021-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102230139B1 (ko) 2013-05-17 2021-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 조명 장치, 발광 장치, 및 전자 기기
KR102245875B1 (ko) * 2013-06-11 2021-04-28 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계발광소자용 재료, 이것을 이용한 유기 전계발광소자 및 전자 기기
KR102103959B1 (ko) * 2013-07-11 2020-04-28 삼성디스플레이 주식회사 이리듐 착물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102290674B1 (ko) 2013-08-26 2021-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 조명 장치, 및 전자 기기
WO2015083021A1 (en) 2013-12-02 2015-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device
CN108630826B (zh) 2013-12-02 2021-12-10 株式会社半导体能源研究所 发光元件
GB201407606D0 (en) * 2014-04-30 2014-06-11 Cambridge Entpr Ltd Electroluminescent device
KR20150130224A (ko) 2014-05-13 2015-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
TWI682563B (zh) 2014-05-30 2020-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
KR102377360B1 (ko) 2014-08-08 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 표시 장치, 디스플레이 패널, 전자 기기
JP2017212024A (ja) 2014-08-28 2017-11-30 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
GB2533268A (en) * 2014-12-02 2016-06-22 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emitting device
US10177126B2 (en) 2014-12-16 2019-01-08 Universal Display Corporation Tunable OLED lighting source
US10903440B2 (en) 2015-02-24 2021-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US10062861B2 (en) 2015-02-24 2018-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
US11818949B2 (en) * 2015-04-06 2023-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20160293854A1 (en) 2015-04-06 2016-10-06 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent Materials and Devices
KR102694429B1 (ko) * 2015-09-30 2024-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP2019016614A (ja) * 2015-10-20 2019-01-31 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN114975823B (zh) 2015-12-16 2025-10-17 Oti公司 包含屏障涂层的光电子器件
WO2018033860A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 Oti Lumionics Inc. Light transmissive electrode for light emitting devices
WO2018100559A1 (en) 2016-12-02 2018-06-07 Oti Lumionics Inc. Device including a conductive coating disposed over emissive regions and method therefor
US20190013370A1 (en) * 2017-07-07 2019-01-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Woled display panel and display device
GB2564490A (en) * 2017-07-14 2019-01-16 Sumitomo Chemical Co Light-emitting compound
KR102383315B1 (ko) 2018-03-30 2022-04-06 캐논 가부시끼가이샤 유기발광소자, 표시장치, 촬상 장치 및 조명 장치
CN112510158A (zh) * 2018-05-07 2021-03-16 李梦林 一种新型显示设备用oled发光材料及其制备方法
WO2021033728A1 (ja) * 2019-08-19 2021-02-25 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5837391A (en) * 1996-01-17 1998-11-17 Nec Corporation Organic electroluminescent element having electrode between two fluorescent media for injecting carrier thereinto
WO2000070655A2 (en) * 1999-05-13 2000-11-23 The Trustees Of Princeton University Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
WO2001008230A1 (en) * 1999-07-21 2001-02-01 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US570774A (en) * 1896-11-03 sanderson
CA2017719C (en) 1990-05-29 1999-01-19 Zarlink Semiconductor Inc. Moisture-free sog process
JP2717454B2 (ja) * 1990-07-16 1998-02-18 日本石油株式会社 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP3534445B2 (ja) * 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたｅｌ素子
EP0723701B1 (en) * 1994-08-11 2000-01-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Solid-state image intensifier and x-ray examination apparatus comprising a solid-state image intensifier
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
EP1021735B1 (en) 1996-01-11 2004-06-30 The Trustees of Princeton University Organic luminescent coating for light detectors
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5874803A (en) 1997-09-09 1999-02-23 The Trustees Of Princeton University Light emitting device with stack of OLEDS and phosphor downconverter
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US5998803A (en) 1997-05-29 1999-12-07 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting device containing a hole injection enhancement layer
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US5986401A (en) 1997-03-20 1999-11-16 The Trustee Of Princeton University High contrast transparent organic light emitting device display
US5861219A (en) 1997-04-15 1999-01-19 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting devices containing a metal complex of 5-hydroxy-quinoxaline as a host material
US5811833A (en) 1996-12-23 1998-09-22 University Of So. Ca Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals
US5981306A (en) 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
US5917280A (en) 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
US5757139A (en) 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
US5932895A (en) 1997-05-20 1999-08-03 The Trustees Of Princeton University Saturated full color stacked organic light emitting devices
US6469437B1 (en) 1997-11-03 2002-10-22 The Trustees Of Princeton University Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode
US6420031B1 (en) 1997-11-03 2002-07-16 The Trustees Of Princeton University Highly transparent non-metallic cathodes
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US5953587A (en) 1997-11-24 1999-09-14 The Trustees Of Princeton University Method for deposition and patterning of organic thin film
US6013538A (en) 1997-11-24 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating and patterning OLEDs
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
CN1226902C (zh) * 1999-03-23 2005-11-09 南加利福尼亚大学 在有机发光装置中用作磷光掺杂剂的环金属化金属配合物
US6580213B2 (en) * 2000-01-31 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP4048521B2 (ja) 2000-05-02 2008-02-20 富士フイルム株式会社 発光素子
US6864628B2 (en) * 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
JP2002184581A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Sanyo Electric Co Ltd 有機発光素子
EP1374320B1 (en) * 2001-03-14 2020-05-06 The Trustees Of Princeton University Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes
JP4493915B2 (ja) * 2001-05-16 2010-06-30 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 高効率多色電界リン光ｏｌｅｄ
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
DE10224021B4 (de) * 2002-05-24 2006-06-01 Novaled Gmbh Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
KR101711214B1 (ko) 2010-11-12 2017-02-28 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 반사체 및 이를 구비하는 발광장치
JP2017174481A (ja) 2016-03-24 2017-09-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5837391A (en) * 1996-01-17 1998-11-17 Nec Corporation Organic electroluminescent element having electrode between two fluorescent media for injecting carrier thereinto
WO2000070655A2 (en) * 1999-05-13 2000-11-23 The Trustees Of Princeton University Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
WO2001008230A1 (en) * 1999-07-21 2001-02-01 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
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EP2259285A2 (en) 2010-12-08
KR20040012843A (ko) 2004-02-11

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