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TWI776792B - 硫族材料之封裝方法以及記憶體裝置 - Google Patents

硫族材料之封裝方法以及記憶體裝置 Download PDF

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TWI776792B
TWI776792B TW105130541A TW105130541A TWI776792B TW I776792 B TWI776792 B TW I776792B TW 105130541 A TW105130541 A TW 105130541A TW 105130541 A TW105130541 A TW 105130541A TW I776792 B TWI776792 B TW I776792B
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強 亨利
丹尼斯 Ｍ 豪斯曼恩
瑟沙撒依 凡拉德拉真
巴德里 Ｎ 凡拉德拉彥
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美商蘭姆研究公司
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Abstract

本文提供在包含硫屬化物材料的記憶體元件上藉由原子層沉積沉積氮 化矽封裝層的方法。該等方法包括使用含碘及/或含溴的矽前驅物及使用氨或聯胺作為第二反應物進行熱沉積，或使用含碘及/或含溴的矽前驅物及使用基於氮或基於氫的電漿進行沉積。

Description

硫族材料之封裝方法以及記憶體裝置
本發明係關於封裝硫屬化物材料的方法及應用。
半導體元件製造可包含氮化矽膜的沉積。氮化矽薄膜具有獨特的物理、化學及機械特性，且因此在各種應用中加以使用。舉例而言，氮化矽膜可用於擴散障壁、閘極絕緣體、側壁間隔層、封裝層、電晶體中的應變膜等。沉積氮化矽膜的傳統方法可能損壞執行沉積之處理腔室的元件，或可能損壞基板材料。
本文提供處理基板的方法。
一個實施態樣包含一種封裝硫屬化物材料的方法，該方法包含：(a)將一基板提供至一腔室，該基板包含該硫屬化物材料之曝露的一或多層；(b)在允許無氯含溴的矽前驅物吸附在該基板的表面之上的條件下，將該基板曝露於該無氯含溴的矽前驅物，從而形成該無氯含溴的矽前驅物之一吸附層；及(c)將該基板曝露於一第二反應物以在該硫屬化物材料上形成氮化矽膜。
在各種實施例中，該無氯含溴的矽前驅物係任何具有化學式SixBryIz的化合物，其中x=1，y係整數且在包含1和4之介於1和4之間的範圍內，且y+z=4；及具有化學式SixBryIz的化合物，其中若x=2，y係整數且在包含1和6之介於1和6之間的範圍內，且y+z=6。
舉例而言，在一些實施例中，該無氯含溴的矽前驅物係四溴矽烷(SiBr4)、SiBr3I、SiBr2I2、SiBrI3、六溴二矽烷(Si2Br6)、Si2Br5I、Si2Br4I2、Si2Br3I3、Si2Br2I4、Si2BrI5及其組合的其中任一者。
在各種實施例中，氮化矽係沉積至至少約40Å的厚度。在各種實施例中，第二反應物係氨及聯胺的任一者，且氮化矽可在小於約300℃的溫度下加以沉積。例如，在一些實施例中，氮化矽係在約50℃和約300℃之間的溫度下加以沉積。在一些實施例中，氮化矽係在約200℃和約275℃之間的溫度下加以沉積。
在一些實施例中，該方法亦包含當將該基板曝露於該第二反應物時，點燃一電漿，以產生一反應性物種。在一些實施例中，該第二反應物係氮或氫。
在各種實施例中，當該第二反應物與鋁、鐵、銅、銻、硒、碲、鍺及砷的其中任一者反應時，該第二反應物形成一揮發性物種。在一些實施例中，該硫屬化物材料係硫、硒、碲及其組合的其中任一者。
在一些實施例中，所沉積的該氮化矽膜具有至少約95%的階梯覆蓋率。該氮化矽膜可沉積至大於約30Å的厚度。
在各種實施例中，該腔室係在下列至少一者期間加以吹洗：(i)在執行(b)之後且在執行(c)之前；及(ii)在執行(c)之後。在一些實施例中，(b)及 (c)係按順序地加以重覆。在各種實施例中，該腔室係藉由流動一吹洗氣體(諸如氬、氦、氮及氫之其中任一者)加以吹洗。
一個實施態樣包含一種藉由下列步驟封裝硫屬化物材料的方法：(a)將一基板提供至一腔室，該基板包含該硫屬化物材料之曝露的一或多層；(b)在允許無氯含碘的矽前驅物吸附在該基板的表面之上的條件下，將該基板曝露於該無氯含碘的矽前驅物，從而形成該無氯含碘的矽前驅物之一吸附層；及(c)將該基板曝露於一第二反應物以在該硫屬化物材料上形成氮化矽膜。
該無氯含碘的矽前驅物可為二碘矽烷、四碘矽烷及六碘二矽烷的其中任一者。在各種實施例中，第二反應物係氨及聯胺的任一者，且氮化矽可在小於約300℃的溫度下加以沉積。例如，在一些實施例中，氮化矽係在約50℃和約300℃之間的溫度下加以沉積。在一些實施例中，氮化矽係在約200℃和約275℃之間的溫度下加以沉積。
在一些實施例中，該方法亦包含當將該基板曝露於該第二反應物時，點燃一電漿，以產生一反應性物種。在一些實施例中，該第二反應物係氮或氫。
在各種實施例中，當該第二反應物與鋁、鐵、銅、銻、硒、碲、鍺及砷的其中任一者反應時，該第二反應物形成一揮發性物種。在一些實施例中，該硫屬化物材料係硫、硒、碲及其組合的其中任一者。
在一些實施例中，所沉積的該氮化矽膜具有至少約95%的階梯覆蓋率。該氮化矽膜可沉積至大於約30Å的厚度。
在各種實施例中，該腔室係在下列至少一者期間加以吹洗：(i)在執行(b)之後且在執行(c)之前；及(ii)在執行(c)之後。在一些實施例中，(b)及 (c)係按順序地加以重覆。在各種實施例中，該腔室係藉由流動一吹洗氣體(諸如氬、氦、氮及氫之其中任一者)加以吹洗。
在一些實施例中，該方法進一步包含在基板上沉積一第二層，其中，該層係以在約30%和約90%之間的階梯覆蓋率加以沉積。
該第二層可藉由遠程電漿化學氣相沉積或電漿加強化學氣相沉積加以沉積。在各種實施例中，該第二層可包含氮化矽。在一些實施例中，該第二層可包含碳化矽。
在各種實施例中，該基板包含一個以上特徵部，且該第二層係非保形地加以沉積，使得在該一個以上特徵部其中至少一者的側壁上之該第二層的厚度，在該一個以上特徵部其中至少一者的頂部係大於在該一個以上特徵部其中至少一者的底部之該一個以上特徵部其中至少一者的側壁上之該第二層的厚度。
另一實施態樣包含一種記憶體裝置，該記憶體裝置包括：包含一硫屬化物材料的一記憶體堆疊；沉積在該記憶體堆疊上且封裝該硫屬化物材料的氮化矽層，該氮化矽層係使用原子層沉積藉由含碘的矽前驅物及第二反應物之交替曝露加以沉積，該氮化矽層具有在約30%和約90%之間的階梯覆蓋率；及一含矽層，其在約250℃下藉由遠程電漿化學氣相沉積或電漿加強化學氣相沉積直接沉積在該氮化矽層上，該含矽層在使用稀釋的氫氟酸之條件下具有小於約100Å/分鐘的濕蝕刻速率，其中該氫氟酸係稀釋成100：1的比例。
另一實施態樣包含一種記憶體裝置，該記憶體裝置包括：包含一硫屬化物材料的一記憶體堆疊；沉積在該記憶體堆疊上且封裝該硫屬化物材料的氮化矽層，該氮化矽層使用原子層沉積藉由含溴的矽前驅物及第二反應物 之交替曝露加以沉積，該氮化矽層具有在約30%和約90%之間的階梯覆蓋率；及一含矽層，其在約250℃下藉由遠程電漿化學氣相沉積或電漿加強化學氣相沉積直接沉積在該氮化矽層上，該含矽層在使用稀釋的氫氟酸之條件下具有小於約100Å/分鐘的濕蝕刻速率，其中該氫氟酸係稀釋成100：1的比例。
這些及其他實施態樣係參照圖示進一步描述於下。
1:處理工作站
2:處理工作站
3:處理工作站
4:處理工作站
100:基板
101:氧化物層
103:鎢層
105:碳層
107:硫屬化物層
109:氮化物層
115:第二碳層
117:第二硫屬化物層
125:第三碳層
240:空隙
241:氧化物層
243a:鎢層
243b:鎢層
245a:碳層
245b:碳層
247a:硫屬化物層
247b:硫屬化物層
249a:氮化物層
249b:氮化物層
255a:第二碳層
255b:第二碳層
257a:第二硫屬化物層
257b:第二硫屬化物層
265a:第三碳層
265b:第三碳層
289:氮化物間隔層
290:基板
299:含矽膜
300:製程
310A:沉積循環
310B:沉積循環
353B:還原劑階段
355A:吹洗階段
355B:吹洗階段
357A:曝露階段
357B:曝露階段
359A:吹洗階段
359B:吹洗階段
361A:曝露階段
361B:曝露階段
363A:吹洗階段
363B:吹洗階段
400:處理工作站
401a:反應物遞送系統
402:處理腔體
403:氣化點
404:混合容器
406:噴淋頭
408:底座
410:加熱器
412:基板
414:RF電源供應器
416:匹配網路
418:蝶形閥
420:入口閥
450:控制器
500:處理工具
502:入站裝載鎖定部
504:出站裝載鎖定部
506:機器人
508:晶圓傳送盒
510:大氣埠
512:底座
514:處理腔室
516:腔室傳送埠
518:底座
550:系統控制器
552:處理器
554:大量儲存裝置
556:記憶體裝置
558:系統控制軟體
圖1係一示例基板的示意說明。
圖2A係一製程流程圖，其根據所揭示的實施例描述用於方法的操作。
圖2B係一示例基板的示意說明，該示例基板包含根據某些揭示的實施例所沉積的層。
圖3係根據某些所揭示的實施例之時序圖，其顯示在一方法中之循環的例子。
圖4係用於執行所揭示的實施例之一示例處理腔室的示意圖。
圖5係用於執行所揭示的實施例之一示例處理工具的示意圖。
圖6A係使用某些所揭示的實施例沉積之具有氮化矽的基板之影像。
針對使用某些所揭示的實施例沉積的氮化矽膜，圖6B係描繪實驗結果之FTIR光譜的圖。
圖7A係描繪在曝露於氨電漿之後，GST(鍺、銻、碲)基板之成分的莫耳分率之實驗結果的圖。
圖7B係描繪GST(鍺、銻、碲)基板之成分的莫耳分率之實驗結果的圖。
圖7C係描繪在曝露於氨電漿之後，GST(鍺、銻、碲)基板之成分的莫耳分率之實驗結果的圖，該基板具有使用某些所揭示的實施例沉積的氮化矽層。
圖8A、8B及8C係描繪在曝露於氨電漿之後各種GST基板之成分的莫耳分率之實驗結果的圖，該等基板具有使用某些所揭示的實施例沉積至各種厚度的氮化矽。
為了透徹理解本發明的實施例，在以下的敘述中說明眾多具體細節。所揭示的實施例可以不具有某些或全部這些具體細節而加以實施。另一方面，未詳細說明眾所周知的製程操作，以不要不必要地模糊所揭示的實施例。雖然所揭示的實施例將結合具體的實施例加以描述，但可理解其係非意圖限制所揭示的實施例。
半導體製造過程通常包含氮化矽材料的沉積。在一實例中，氮化矽可在半導體元件的製造中用作擴散障壁、閘極絕緣體、側壁間隔層及封裝層。保形的氮化矽層亦可在其他應用中加以使用。舉例而言，氮化矽可在記憶體結構的製造期間加以使用。傳統的記憶體結構包含用於位元儲存的金屬氧化物材料。然而，隨著開發先進的記憶體結構以容納較小的元件尺寸及改善效率，出現了新的挑戰。諸如磁阻隨機存取記憶體及相變隨機存取記憶體(PCRAM)的先進記憶體結構依賴用於位元儲存的新材料(不同於金屬氧化 物)。在例如PCRAM的情況下，金屬硫屬化物的相位決定位元狀態。一些示例的硫屬化物包含硫(S)、硒(Se)及碲(Te)。這些新的材料係空氣敏感及濕氣敏感，且可能需要封裝層。當與諸如鍺(Ge)、銻(Sb)等合適的類金屬離子結合時，這些硫屬化物形成相變層。若相變層被損壞，則其可能不改變相位。該相變層亦可能對光敏感。為了防止對相變層的任何損壞，保形的氮化矽記憶體封裝層可在相變層上加以沉積。記憶體封裝層幾乎沒有或沒有其他化合物的污染，且係在低溫下加以沉積以避免損壞元件。
然而，用於沉積諸如氮化矽層作為磁性元件的封裝層的許多傳統沉積方法，沉積非保形膜(以諸如電漿加強化學氣相沉積(PECVD))或使用蝕刻硫屬化物材料的前驅物(諸如在原子層沉積(ALD)中藉由使用含氯或含氫化學品及電漿)。例如，金屬可能經歷如下述的腐蝕：M (固體)+xCl (氣體)→MCl x(氣體) 方程式1
在另一示例中，金屬可能經歷氧化或氮化。氧化反應的一個例子可為如下：M (固體)+xO (氣體)→MO x(固體) 方程式2
含氯之矽前驅物的使用亦通常包含在極高溫度下(諸如高於約500℃的溫度下)之沉積。因此，使用含氯前驅物的沉積傳統上包含點燃電漿以催化反應而形成氮化矽。
舉例而言，一些傳統的沉積包含交替二氯矽烷(或另一含氯前驅物)及氨(NH3)電漿的劑量，但此兩種操作易於產生能夠蝕刻硫屬化物材料的物種。例如，使用二氯矽烷(SiCl2H2)作為用於封裝層沉積的矽前驅物之操作，包含將二氯矽烷與電漿反應以形成氮化矽層。然而，當點燃電漿時，二氯矽烷可 能易於形成氫自由基和NH2自由基及氯化氫，此可接著侵蝕金屬硫屬化物及腔室的金屬成分，如圖1所示。雖然含氯的矽前驅物可用以在不使用電漿的情況下沉積膜，含氯的矽前驅物係在更高的溫度下(例如大於500℃)加以使用，且記憶體元件在這些溫度下係易受損壞。
圖1描繪包含氧化物層101的基板100。基板100亦包含鎢層103、碳層105、硫屬化物層107、第二碳層115、第二硫屬化物層117、第三碳層125及氮化物層109。
如圖1所示，若含氯的矽前驅物係用以在基板上沉積封裝層，則當在具有第二反應物的情況下點燃電漿時產生的氯及/或氫自由基可反應形成氯化氫，使得氯可與鋁、鍺、或銻、或包含鐵或銅的其他腔室材料金屬加以反應。這些材料(例如AlCl3、GeCl4或SbCl3)可產生蒸發層，其形成揮發性的金屬鹽。這些材料具有低沸點；例如，AlCl3的沸點係120℃，GeCl4的沸點係87℃，及SbCl3的沸點係200℃。這些揮發性的金屬鹽可因此再沉積至基板的其他層之上，導致缺陷及效能問題。因此，氯前驅物受限於由於腔室蝕刻而在膜中之金屬污染的普遍問題(產生揮發性的金屬氯化物(Al、Fe及Cu))。
類似地，自含氮反應物(諸如氨)產生的電漿可形成游離的氫離子、自由基、及其他電漿物種，其亦可蝕刻硫屬化物。舉例而言，氫電漿可與碲或硒反應以分別形成H2Te及H2Se，從而自堆疊移除材料及導致效能問題和缺陷。這些材料具有低沸點；例如：H2Te的沸點係-2℃，及H2Se的沸點係-41℃。自曝露於氫電漿而產生的此種材料可因而蝕刻堆疊。因此，傳統的無氯及無氫製程(例如使用N2電漿)不產生保形膜且非有效作為障壁。
本文提供封裝硫屬化物材料而不損壞硫屬化物的方法。該等方法包含使用無氯含碘及/或含溴的矽前驅物沉積氮化矽。藉由使用含溴的矽前驅物或溴矽烷取代含氯的矽前驅物，由氯引起的蝕刻可大幅減少或加以消除。藉由使用含碘的矽前驅物或碘矽烷取代含氯的矽前驅物，由氯引起的蝕刻可大幅減少或加以消除。因此，在本文描述的各種實施例中，無氯含碘的矽前驅物或無氯含溴的矽前驅物係用於沉積氮化矽膜。含碘及含溴的矽前驅物允許熱沉積製程，其進一步減少因存在於用以製造氮化矽膜的氨電漿中之游離的氫引起的蝕刻。術語「含碘的矽前驅物」及「碘矽烷前驅物」可在本文互換使用，且兩者可意指包含至少一矽原子及至少一碘原子的前驅物。術語「含溴的矽前驅物」及「溴矽烷前驅物」可在本文互換使用，且兩者可意指包含至少一矽原子及至少一溴原子的前驅物。由碘矽烷前驅物與本文所述的金屬反應而產生的材料比當與氯矽烷反應時產生的材料具有較高的沸點。舉例而言，由碘矽烷前驅物與鋁反應產生的材料具有大於240℃的沸點，由碘矽烷前驅物與鍺反應產生的材料具有大於353℃的沸點，及由碘矽烷前驅物與銻反應產生的材料具有大於181℃的沸點。溴矽烷前驅物由於其較低的沸點係預期較易揮發。然而，令人吃驚的是，溴矽烷前驅物表現得類似於碘矽烷前驅物，且係有效地形成密封的、保形的、非破壞性的封裝層。本文描述的封裝層係密封的、保形的、及非破壞性的，且可在低溫下(諸如低於約300℃的溫度)加以沉積。例如，在一些實施例中，所揭示的實施例係在約50℃和約300℃之間的溫度(諸如在約200℃和約275℃之間的溫度)下加以執行。在一些實施例中，氮化矽係在約50℃和約300℃之間的溫度下加以沉積。在一些實施例中，氮化矽係在約200℃和約275℃之間的溫度下加以沉積。在一些實 施例中，封裝層係在大於或等於約250℃的溫度下使用某些所揭示的實施例加以沉積。
所沉積的膜係保形的。膜的保形性可由階梯覆蓋率測得。如本文使用的「階梯覆蓋率」係藉由將側壁上所沉積的膜之平均厚度除以在特徵部頂部所沉積的膜之平均厚度，並乘以100加以計算以獲得一百分比。所揭示的實施例可沉積具有至少約95%、或約100%、或100%之階梯覆蓋率的膜。在一些實施例中，基板包含堆疊，其中在堆疊之間的深寬比係約5：1，且所揭示的實施例可使用含碘前驅物及氨將氮化矽沉積至至少約95%的階梯覆蓋率。在一些實施例中，在電漿或第二反應物中一些氫的存在可改善膜的保形性。
與傳統的含氯化學品相比，所揭示的實施例可與下方表1顯示的各種材料更相容。若NH3電漿係用以產生H2Te，雖然可形成一些H2，但所揭示的實施例係通常適用於使用低或無H2曝露的各種材料。所揭示的實施例亦展現很少或沒有圖案加載敏感性。
Figure 105130541-A0305-02-0011-1
本文所述的實施例包含藉由ALD的沉積。ALD係使用連續的自限制反應沉積薄層材料的技術。通常，ALD循環包含操作用以將至少一種反應物遞 送及吸附至基板表面，且接著將所吸附的反應物與一種以上反應物反應以形成膜之部分層。作為一個例子，氮化矽沉積循環可包含下列操作：(i)含碘之矽前驅物的遞送/吸附，(ii)自腔室吹洗含碘的矽前驅物，(iii)使用選用性的電漿遞送含氮反應物，及(iv)自腔室吹洗含氮氣體及/或電漿。
不像化學氣相沉積(CVD)技術，ALD製程使用表面介導沉積反應，以在逐層地沉積膜。在ALD製程的一個示例中，包含一群表面活性部位的基板表面係曝露於在提供至容納基板之腔室的劑量下之第一前驅物(諸如含碘或含溴之矽前驅物)的氣相分佈。此第一前驅物的分子係被吸附至基板表面之上，包含第一前驅物的化學吸附物種及/或物理吸附分子。應理解當化合物係如本文所述吸附至基板表面之上時，所吸附的層可包含該化合物及該化合物的衍生物。舉例而言，含碘的矽前驅物之吸附層可包括含碘的矽前驅物及含碘之矽前驅物的衍生物。在一個第一前驅物劑量之後，腔室係接著抽空以移除殘留在氣相之大部分或所有第一前驅物，使得主要或僅吸附的物種保留。在一些實施方式中，腔室可能未完全抽空。例如，腔室可加以抽空，使得氣相中之第一前驅物的分壓係足夠低以緩和反應。第二反應物(諸如含氮反應物)係引至腔室，使得這些分子中的一些與吸附在表面上的第一前驅物反應。在一些製程中，第二前驅物立即與所吸附的第一前驅物反應。在其他實施例中，第二反應物僅在暫時施加活化源之後反應。在一些實施例中，在第二反應物劑量期間點燃電漿。腔室可接著再次抽空以移除未束縛的第二反應物分子。如上所述，在一些實施例中，腔室可不完全抽空。額外的ALD循環可用以建立膜厚度。
在某些實施例中，一個ALD第一前驅物劑量使基板表面部分地飽和。在一些實施例中，ALD循環的劑量階段在前驅物接觸基板之前結束以使表面 均勻地飽和。通常，前驅物流在此時點係加以關閉或轉向，且僅吹洗氣體流動。藉由在此亞飽和狀態下操作，ALD製程減少循環時間及增加生產率。然而，因為前驅物吸附係非飽和限制的，所以所吸附的前驅物之濃度在整個基板表面可能稍微變化。在亞飽和狀態下之ALD製程操作的例子係在2013年10月23日申請的美國專利申請案第14/061,587號中加以提供，該美國專利申請案的標題為“SUB-SATURATED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CONFORMAL FILM DEPOSITION”，其全部內容於此藉由參照納入本案揭示內容。
如上所述，在一些實施方式中，ALD方法包含電漿活化。如本文所述，此處描述的ALD方法及設備可為保形膜沉積(CFD)方法，其係在下列文件中一般性地加以描述：於2011年4月11日申請的美國專利申請案第13/084,399號(現為美國專利第8,728,956號)，該美國專利的標題為“PLASMA ACTIVATED CONFORMAL FILM DEPOSITION”；及於2011年4月11日申請的美國專利申請案第13/084,305號，該美國專利申請案的標題為“SILICON NITRIDE FILMS AND METHODS”，其全部內容於此藉由參照納入本案揭示內容。
圖2A顯示描繪所揭示實施例之示例操作的製程流程圖。在操作201中，基板係提供至處理腔室。基板可為矽晶圓(例如200-mm晶圓、300-mm晶圓或450-mm晶圓)，其包含具有一個以上材料層(諸如沉積於其上的介電、導電或半導電材料)的晶圓。底層之非限制性的例子包含介電層及導電層，例如：氧化矽、氮化矽、碳化矽、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物及金屬層。在一些實施例中，基板包含諸如圖1所描繪的堆疊。在一些實施例中，基板包含兩 個以上堆疊，該等堆疊的每一者包含諸如圖1所描繪的層。在堆疊之間的空間可為窄的，使得在堆疊之間的深寬比可為在約3：1和約10：1之間，諸如約5：1。
在圖2A的操作203-215期間，惰性氣體可加以流動。在各種實施例中，惰性氣體係用作載體氣體。示例的載體氣體包含氬、氦及氖。在一些實施例中，含氫的載體氣體可加以使用。在一些實施例中，載體氣體在一些操作中係用作吹洗氣體。在一些實施例中，載體氣體係加以轉向。惰性氣體可加以提供以幫助處理腔室的壓力及/或溫度控制、液體反應物的蒸發、反應物之較快速的遞送及/或作為用於自處理腔室及/或處理腔室管線移除處理氣體的吹掃氣體。
各種所揭示的實施例可在約0.1托和約20托之間的壓力下加以執行。在許多實施例中，所揭示的方法可在小於約300℃(諸如在約50℃和約300℃之間，例如約250℃)的基板溫度下加以執行。在此等實施例中，基座可設成小於約300℃的溫度以控制基板溫度。舉例而言，對於MRAM及PCRAM的應用，基板上的材料可能對高溫敏感。在一些實施例中，所揭示的實施例係在約50℃和約300℃之間的溫度(諸如在約200℃和約275℃之間的溫度)下加以執行。在一些實施例中，氮化矽係在約50℃和約300℃之間的溫度下加以沉積。在一些實施例中，氮化矽係在約200℃和約275℃之間的溫度下加以沉積。
在操作203中，基板係曝露於含碘及/或含溴的矽前驅物，使得該含碘及/或含溴的矽前驅物吸附在基板表面之上。含碘及/或含溴的矽前驅物在各種實施例中可完全被溴及/或碘原子取代。也就是說，含碘前驅物及/或含溴前驅物可不包含氫原子。所揭示的實施例包含傳統上不用於藉由ALD沉積氮化矽的前驅物。使用含碘及/或含溴的矽前驅物允許無氯沉積。示例之含碘的矽前驅物包含二碘矽烷(DIS)、四碘矽烷、六碘二矽烷及其他。在各種實施例中，含溴 的矽前驅物係完全鹵化的。含溴的矽前驅物可具有化學式SixBryIz，其中若x=1，y係整數且在包含1和4之介於1和4之間的範圍內，且y+z=4，或其中若x=2，y係整數且在包含1和6之介於1和6之間的範圍內，且y+z=6。示例之含溴的矽前驅物包含四溴矽烷(SiBr4)、SiBr3I、SiBr2I2、SiBrI3、六溴二矽烷(Si2Br6)、Si2Br5I、Si2Br4I2、Si2Br3I3、Si2Br2I4、Si2BrI5及其組合。
操作203可為ALD循環的一部分。如上所討論，通常ALD循環係用以執行表面沉積反應一次之操作的最小集合。在一些實施例中，一個循環的結果係在基板表面上至少一個部分氮化矽膜層的產生。該循環可包含某些輔助操作，諸如掃除反應物或副產物的其中一者及/或處理初沉積之該部分的膜。通常，一個循環包含獨特操作序列的其中一個階段。如上所討論，通常一個循環係用以執行表面沉積反應一次之操作的最小集合。一個循環的結果係在基板表面上至少一個部分膜層(例如一個部分氮化矽膜層)的產生。
在操作203期間，基板係曝露於第一前驅物，使得第一前驅物係吸附在基板表面上以形成吸附層。在一些實施例中，含碘及/或含溴的矽前驅物以自限制的方式吸附在基板表面之上，使得一旦活性部位係由含碘及/或含溴的矽前驅物加以佔據時，很少或沒有額外的含碘及/或含溴之矽前驅物將吸附在基板表面之上。舉例而言，含碘及/或含溴的矽前驅物可吸附在約60%的基板表面之上。在各種實施例中，當含碘及/或含溴的矽前驅物係流至腔室時，含碘及/或含溴的矽前驅物吸附在基板表面上的活性部位之上，在表面上形成含碘及/或含溴之矽前驅物的薄層。在各種實施例中，此層可小於單層，且可具有在約0.2Å和約0.4Å之間的厚度。此處提供的方法可在小於約300℃(諸如約250℃)的溫度下加以執行。在一些實施例中，所揭示的實施例係在約50℃和約300℃之間的溫度(諸 如在約200℃和約275℃之間的溫度)下加以執行。在一些實施例中，氮化矽係在約50℃和約300℃之間的溫度下加以沉積。在一些實施例中，氮化矽係在約200℃和約275℃之間的溫度下加以沉積。
在操作205中，處理腔室係選用性地加以吹洗以移除未吸附在基板表面之上在氣相中的過量含碘矽前驅物。將腔室吹洗可包含流動吹洗氣體或吹掃氣體，其可為在其他操作中使用的載體氣體或可為不同的氣體。在一些實施例中，吹洗可包含抽空腔室。示例的吹洗氣體包含氬、氮、氫及氦。在一些實施例中，操作205可包含用於抽空處理腔室的一個以上抽空子階段。或者，應理解操作205在一些實施例中可加以省略。操作205可具有任何合適的持續時間，諸如在約0秒和約60秒之間，例如約0.01秒。在一些實施例中，增加一種以上吹洗氣體的流率可減少操作205的持續時間。舉例而言，吹洗氣體的流率可根據各種反應物的熱力學特性及/或處理腔室的幾何特性及/或處理腔室管線加以調整，用於改變操作205的持續時間。在一非限制性的例子中，吹洗階段的持續時間可藉由調節吹洗氣體流率加以調整。此可減少沉積循環時間，其可改善基板生產率。在吹洗之後，含碘及/或含溴的矽前驅物保持吸附在基板表面之上。
在操作211中，基板係曝露於第二反應物，以與含碘及/或含溴的矽前驅物之吸附層反應。注意術語「第二反應物」可用以描述當電漿係在ALD循環中加以點燃時引入至腔室的一個以上氣體。
在一些實施例中，反應可為熱性(thermal)的。包含使用氨(NH3)或聯胺(例如H4N2)之熱ALD的方法在沉積期間降低污染且減少氫自由基的存在，從而減少在基板上及/或在腔室中之硫屬化物及/或金屬的蝕刻。對於熱處理，沉積可在至少約250℃(諸如約300℃)的溫度下加以執行。在一些實施例中，所 揭示的實施例係在約50℃和約300℃之間的溫度(諸如在約200℃和約275℃之間的溫度)下加以執行。在一些實施例中，氮化矽係在約50℃和約300℃之間的溫度下加以沉積。在一些實施例中，氮化矽係在約200℃和約275℃之間的溫度下加以沉積。
在一些實施例中，電漿可在操作211中選用性地加以點燃。電漿能可加以提供以將第二反應物(諸如含氮氣體)活化成為離子及自由基及其他活化的物種，其與第一前驅物的吸附層反應。在包含電漿之所揭示的實施例中，電漿可包含小於約1%的氫自由基，從而減少在沉積期間硫屬化物或金屬材料的蝕刻。在各種實施例中，電漿係原位電漿，使得電漿係直接在腔室中的基板表面上方加以形成。該原位電漿可以在每基板面積約0.2122W/cm2和約2.122W/cm2之間的功率加以點燃。舉例而言，對於處理四個300mm晶圓的腔室，功率範圍可從約150W至約6000W，或從約600W至約6000W，或從約800W至約4000W。例如，用於ALD製程的電漿可使用兩個電容耦合板藉由將射頻(RF)場施加於氣體而產生。在板之間藉由RF場之氣體的離子化點燃電漿，在電漿放電區域中產生自由電子。這些電子係藉由RF場加速，且可能與氣相反應物分子碰撞。這些電子與反應物分子的碰撞可形成參與沉積過程的自由基物種。應理解RF場可藉由任何合適的電極加以耦合。在各種實施例中，高頻電漿係加以使用，其具有至少約13.56MHz、或至少約27MHz、或至少約40MHz、或至少約60MHz的頻率。在一些實施例中，基於微波的電漿可加以使用。電極之非限制性的例子包含處理氣體分布噴淋頭及基板支撐基座。應理解用於ALD製程的電漿，除了將RF場電容式耦合至氣體之外，亦可藉由一種以上合適的方法加以形成。在一些實施例中， 電漿係遠程電漿，使得第二反應物係在腔室上游的遠程電漿產生器中加以點燃，接著遞送至容納基板的腔室。
在使用電漿的情況下，一劑量之含碘的矽前驅物之後，可接著一劑量之氮(N2)或氫(H2)電漿。可自與基板上之硫屬化物或腔室元件的金屬反應而產生之相對應的含碘及/或含溴金屬鹽，可能不會揮發到足以導致晶圓污染。舉例而言，包含鋁、鍺或銻的含碘鹽比相對應的含氯鹽具有較高的沸點。因此，含碘鹽可形成鈍化層而非蒸發層，且該等鹽係較不可能在基板上的材料之上再沉積。在一些情況下，鋁可與氯反應，使得腔室係被蝕刻及因而被損壞，且鋁亦可在晶圓之上加以分解。
返回至圖2A，在操作213中，腔室係選用性地加以吹洗以移除蝕刻的物種及任何殘餘的副產物。操作213可使用以上關於操作205描述的任何條件加以吹洗。
在圖2A的操作215中，判定期望的膜厚度是否已加以沉積。如果不是，則操作203-213係重複足夠的循環以沉積期望的膜厚度。任何合適數量的沉積循環可被包含在ALD製程中，以沉積期望的氮化矽膜厚度。舉例而言，約50個沉積循環可加以執行，以使用所揭示的實施例在基板上沉積膜。在一些實施例中，在用於製造記憶體元件的膜堆疊在側壁上所沉積的氮化矽膜之厚度可大於約30Å。
所揭示的實施例可用於各種應用。一種應用可包含使用雙層膜封裝硫屬化物以實現低的濕蝕刻速率。在各種沉積製程中，可能期望達成先進的記憶體結構，其亦具有對底層的良好黏附性、沒有氫自由基、低的濕蝕刻速率(WER)、緊密之整個晶圓的均勻性、填充高深寬比特徵部的能力以及線路與 線路間的低熱導率。雖然傳統的沉積技術在單一的膜之內可能無法達成這些特性，但所揭示的實施例可適合用於沉積具有此等特性的膜。
在MRAM或PCRAM元件內部產生的焦耳熱可決定元件的開關性能，且對於高密度的記憶體陣列，周圍的溫度可能導致由此引起之在循環期間相鄰元件的電阻衰退。傳統的膜不太可能滿足上述規格且限制熱串擾(thermal cross talk)。脈衝的電漿(例如電漿加強化學氣相沉積)可用於一些應用，但可能導致低的元件良率，且係無法延伸至具有甚至更積極特徵的下一個節點。
所揭示的實施例可用以沉積能夠達成上述特性的雙層膜。緻密、低WER的膜可保護封裝層免於在後續的處理(諸如藉由研磨)中被蝕刻。雙層膜可加以沉積，其中第一層係具有良好的空氣和水分阻障及很少或沒有氫自由基之均勻、保形的ALD SiN層，而頂層係低之濕蝕刻速率的膜。在一些實施例中，第一層可為使用以上關於圖2A所述之含碘的矽前驅物所沉積的氮化矽層。在各種實施例中，第二層或頂層可藉由具有兩個界面而減少橫向傳導。所揭示的實施例可使用來自兩個以上的膜之特性的組合。這些膜的其中一者以上可藉由遠程電漿化學氣相沉積(RPCVD)製程加以沉積。在一些實施例中，這些膜的其中一者以上可藉由電漿加強化學氣相沉積(PECVD)加以沉積。
在各種實施例中，第一層可具有優異的階梯覆蓋率、少量或沒有氫自由基或離子、及對底層的良好黏附性。在一些實施例中，對於具有約13：1之深寬比的特徵部，第一層可具有高達約100%的階梯覆蓋率。在一些實施例中，第一層亦可為非氧化的膜。非氧化的膜可有利於減少對下方基板的損壞。
第二層可具有優異的濕蝕刻性能。舉例而言，在一些實施例中，在稀釋的氫氟酸中濕蝕刻速率可為每分鐘小於約100Å或每分鐘小於約10Å，其 中氫氟酸係稀釋成100：1的比例。第二層可包含氮化矽、碳化矽、碳氮化矽、碳氧化矽或其組合。膜可為密封的。在一些實施例中，第二層具有低的氫解吸附。不受特定理論限制，具有低的氫解吸附之第二層可能較不易釋放氫，從而增加熱穩定性及降低在沉積期間蝕刻或損壞基板的可能性。在一些實施例中，對於具有約4：1之深寬比的特徵部，第二層具有在約60%和約90%之間的階梯覆蓋率。
在各種實施例中，第二層係加以沉積使得其在特徵部的頂部或接近特徵部的頂部形成非保形的麵包塊狀部(breadloaf)。例如，在一些實施例中，第二層係加以沉積使得側壁厚度在頂部係比在特徵部的底部大。
在各種實施例中，第二層可為藉由PECVD沉積的碳化矽或氮化矽膜。在一些實施例中，第二層可藉由脈衝的PECVD加以沉積。在一些實施例中，第二層可藉由非脈衝的PECVD加以沉積。如藉由PECVD沉積的第二層可包含高矽含量。在一些實施例中，第一和第二層係在相同的腔室或模組中加以沉積。在一些實施例中，第一及第二層係在沒有空斷(air break)的情況下加以沉積。
圖2B顯示包括氧化物層241之基板290的一個例子。基板290包含兩個記憶體堆疊。一個堆疊包含鎢層243a、碳層245a、硫屬化物層247a、第二碳層255a、第二硫屬化物層257a、第三碳層265a及氮化物層249a。第二堆疊包含鎢層243b、碳層245b、硫屬化物層247b、第二碳層255b、第二硫屬化物層257b、第三碳層265b及氮化物層249b。兩個堆疊皆包含氮化物間隔層289，且含矽膜299係在基板上加以沉積使得膜在特徵部的頂部麵包塊狀化。含矽膜299可為氮化矽膜、或碳化矽膜、或諸如SiCN或SiOC膜之含矽碳膜。
如圖所示，含矽膜299亦可加以產生以在頂部形成非保形的麵包塊狀部，此在堆疊之間留下空隙240，及因而在堆疊之間留下額外的熱障。如此 處描述的麵包塊狀化現象可包含具有在約30%和約90%之間、或在約50%和約90%之間之階梯覆蓋率的非保形覆蓋。含矽膜299可加以沉積，使得側壁厚度在頂部係比在特徵部的底部大。在一些實施例中，所沉積的膜可非保形地加以沉積，使得在堆疊的頂部或接近堆疊的頂部之沉積厚度係比在側壁上及/或在基板上在堆疊之間的沉積厚度厚至少在約10%和約50%之間。麵包塊現象導致更多沉積在堆疊的頂部或接近堆疊的頂部，使得膜在堆疊的頂部或接近堆疊的頂部係沉積地較厚，而在堆疊之間(在堆疊之間的間隙之側壁上及底部上)的沉積厚度係較薄。作為此非保形沉積的結果，空隙係在堆疊之間加以形成，因為在堆疊的頂部或接近堆疊的頂部之較厚的沉積防止進一步沉積至特徵部中，從而在側壁之間形成空隙。雖然非保形的頭重腳輕型(top-heavy)沉積係通常加以避免，但在此種情況下，此等沉積技術可為有益的。圖2B顯示一示例基板，其中在線路之間特徵部的頂部或接近特徵部的頂部可能有較多的沉積以形成麵包塊狀部，從而在兩線路之間形成空隙240。
如上所述，膜可在低溫下加以沉積。針對使用遠程電漿化學氣相沉積(RPCVD)設備沉積含矽含碳膜(諸如SiC及SiOC)的額外描述係在下列文件中進一步加以描述：於2013年5月31日申請的美國專利申請案序號第13/907,699號，該美國專利申請案的標題為“METHOD TO OBTAIN SIC CLASS OF FILMS OF DESIRED COMPOSITION AND FILM PROPERTIES”，其於2016年1月12日授證成為美國專利第9,234,276號；於2012年6月21日申請的美國專利申請案序號第13/494,836號，該美國專利申請案的標題為“REMOTE PLASMA BASED DEPOSITION OF SiOC CLASS OF FILMS”；於2015年2月6日申請的美國專利申請案序號第14/616,435號，該美國專利申請案的標題為“CONFORMAL DEPOSITION OF SILICON CARBIDE FILMS”；及於2015年5月14日申請的美國專利申請案序號第14/712,167號，該美國專利申請案的標題為“MINIMIZING RADICAL RECOMBINATION USING ALD SILICON OXIDE SURFACE COATING WITH INTERMITTENT RESTORATION PLASMA”，其全部內容於此藉由參照皆納入本案揭示內容。
圖3係根據所揭示的實施例之示例脈衝的時序圖。針對各種製程參數(諸如載體氣體或吹洗氣體流、碘矽烷及/或溴矽烷前驅物流、及第二反應物流)，圖3顯示在示例ALD製程300中的相位。線條指示開啟及關閉氣流的時間。注意，圖3中所提供的例子不包含關閉及開啟電漿，但在各種實施例中，電漿可加以使用而以第二反應物氣體產生電漿。示例的製程參數包含但不限於惰性及反應物物種的流率、基板溫度及處理腔室壓力。
兩個沉積循環310A及310B係加以描述。每個沉積循環包含各種階段。舉例而言，沉積循環310A包括含碘的矽前驅物(在圖3中表示為碘矽烷)及/或含溴的矽前驅物(在圖3中表示為溴矽烷)的曝露階段357A、吹洗階段359A、第二反應物(例如氮反應物)的曝露階段361A及吹洗階段363A。同樣地，沉積循環310B包括含碘及/或含溴之矽前驅物曝露階段357B、另一吹洗階段359B、氮反應物曝露階段361B及吹洗階段363B。如圖所示，在示例製程300中，載體氣體在整個沉積循環310A及310B中加以流動。在各種實施例中，載體氣體係用作吹洗氣體。在一些實施例中，載體氣體可不同於吹洗氣體。在一些實施例中，載體氣體係僅在吹洗階段(例如：359A、363A、359B及363B)期間加以流動。載體氣體可為以上關於圖2A描述之那些的其中任一者。
在含碘的矽前驅物曝露階段357A中，含碘及/或含溴的矽前驅物流及載體氣體流係加以開啟，而氮反應物流係加以關閉。此可對應於圖2A的操作203。在吹洗階段359A中，載體氣體流係加以開啟，而含碘及/或含溴的矽前驅物流、及氮反應物流係加以關閉。此可對應於圖2A的操作205。在氮反應物曝露階段361A中，載體氣體流及氮反應物流係加以開啟，而含碘及/或含溴的矽前驅物流係加以關閉。注意在一些實施例中，根據所選的氮反應物及製程條件，電漿可在此階段期間加以開啟。此階段可對應於圖2A的操作211。返回至圖3，在吹洗階段363A中，載體氣體流係加以開啟，而含碘及/或含溴的矽前驅物流、及氮反應物流係加以關閉。注意如圖3所示，一旦在圖2A的操作215中判定膜未沉積至足夠的厚度，這些階段可接著在沉積循環310B中加以重複。因此，沉積循環310B可接著包括含碘及/或含溴的矽前驅物曝露階段357B，接著進行吹洗階段359B、氮反應物曝露階段361B，及後續的吹洗階段363B。如圖3顯示的這些階段可具有如在沉積循環310A中用於載體氣體、含碘及/或含溴的矽前驅物氣體、及氮反應物氣體流之相對應的流之相同模式。
設備
圖4描繪一原子層沉積(ALD)處理工作站400之實施例的示意說明，該處理工作站400具有用於維持低壓環境的處理腔體402。複數個ALD處理工作站400可被包含在共同的低壓處理工具環境中。例如：圖5描繪多工作站式處理工具500的一實施例。在一些實施例中，ALD處理工作站400的一個以上硬體參數(包含以下詳細探討者)可由一個以上電腦控制器450以編程方式加以調整。
ALD處理工作站400與反應物遞送系統401a呈流體連通，反應物遞送系統401a用於將處理氣體遞送至分配噴淋頭406。反應物遞送系統401a包含混合容器404，該混合容器404用於混合及/或調整處理氣體以遞送至噴淋頭406，該等處理氣體諸如：含碘及/或含溴的矽前驅物氣體、或第二反應物氣體(例如氨或聯胺)。一個以上混合容器入口閥420可控制處理氣體導入混合容器404。氮電漿或氫電漿亦可遞送至噴淋頭406或可在ALD處理工作站400內加以產生。
作為一個例子，圖4的實施例包含一氣化點403，用於將待供應至混合容器404的液體反應物氣化。在一些實施例中，氣化點403可為加熱的氣化器。從此等氣化器產生之飽和的反應物蒸氣可能在下游遞送管路內凝結。不相容的氣體曝露於凝結的反應物可能產生小顆粒。這些小顆粒可能堵塞管路、妨礙閥操作、污染基板等。解決這些問題的一些方法包含吹洗及/或排空遞送管路以移除殘留的反應物。然而，吹洗遞送管路可能增加處理工作站的循環時間、降低處理工作站的生產率。因此，在一些實施例中，氣化點403下游的遞送管路可為伴熱的(heat traced)。在一些實例中，混合容器404亦可為伴熱的。在一非限制性的示例中，氣化點403下游的管路具有從大約100℃延伸至在混合容器404處大約150℃的漸增溫度分布。
在一些實施例中，液體前驅物或液體反應物可在液體注射器加以氣化。例如：液體注射器可將液體反應物的脈衝注入至混合容器上游的載體氣流內。在一實施例中，液體注射器可藉由將液體自一較高壓力至較低壓力驟沸而氣化反應物。在另一實施例中，液體注射器可將液體霧化成分散的微滴，其隨後在加熱的遞送管內加以氣化。較小的液滴可比較大的液滴更快氣化，縮短液體注入和完全氣化之間的延遲。較快的氣化可降低自氣化點403下游之管路的長度。在 一情況下，液體注射器可直接安裝至混合容器404。在另一情況下，液體注射器可直接安裝至噴淋頭406。
在一些實施例中，氣化點403上游的液體流量控制器(LFC)可加以設置，以控制用於氣化及遞送至處理工作站400之液體的質量流量。例如：LFC可包含位在LFC下游的熱質量流量計(MFM)。LFC的柱塞閥可接著響應回授控制訊號而加以調整，該回授控制訊號係由與MFM電連通之一比例-積分-微分作用(PID,proportional-integral-derivative)控制器加以提供。然而，使用回授控制可能耗用一秒以上以穩定液體流量。此可能延長供給液體反應物的時間。因此，在一些實施例中，LFC可在回授控制模式和直接控制模式之間動態地切換。在一些實施例中，此可藉由將PID控制器和LFC的感測管去能而加以執行。
噴淋頭406將處理氣體朝基板412散佈。在圖4顯示的實施例中，基板412係位於噴淋頭406下方，且係顯示配置在底座408上。噴淋頭406可具有任何適合的形狀，且可具有任何適合數量及排列的埠，該等埠用於將處理氣體散佈至基板412。
在一些實施例中，底座408可加以升高或降低，以將基板412曝露於在基板412和噴淋頭406之間的容積。應理解在一些實施例中，底座高度可藉由適合的電腦控制器450以編程方式加以調整。
在另一情況下，在點燃電漿之實施例的製程中，調整底座408的高度可能允許電漿密度在電漿活化循環期間加以改變。在製程階段結束時，底座408在另一基板傳送階段期間可加以降低，以允許自底座408移除基板412。
在一些實施例中，底座408可藉由加熱器410加以溫度控制。在一些實施例中，底座408在如所揭示實施例中描述的氮化矽膜沉積期間可加熱到至 少約250℃、或在一些實施例中小於約300℃的溫度，諸如約250℃。在一些實施例中，底座係在約50℃和約300℃之間的溫度(諸如在約200℃和約275℃之間的溫度)下加以設定。在一些實施例中，底座係設定在約50℃和約300℃之間的溫度。在一些實施例中，底座係設定在約200℃和約275℃之間的溫度。
此外，在一些實施例中，處理工作站400的壓力控制可透過蝶形閥418加以提供。如圖4的實施例所示，蝶形閥418調節由下游真空泵(未顯示)提供的真空。然而，在一些實施例中，處理工作站400的壓力控制亦可藉由改變被導入處理工作站400之一個以上氣體的流率而加以調整。
在一些實施例中，噴淋頭406的位置可相對於底座408加以調整，以改變在基板412和噴淋頭406之間的容積。此外，應理解底座408及/或噴淋頭406的垂直位置可藉由在本揭示內容範圍內之任何適合的機構加以變化。在一些實施例中，底座408可包含用於旋轉基板412之方向的旋轉軸。應理解在一些實施例中，這些示例調整的其中一者以上可藉由一個以上適合的電腦控制器450以編程方式加以執行。
在電漿可如上所述使用的一些實施例中，噴淋頭406及底座408係與用於對電漿供電的射頻(RF)電源供應器414及匹配網路416電連通。在一些實施例中，電漿能量可藉由控制處理工作站壓力、氣體濃度、RF來源功率、RF來源頻率、及電漿功率脈衝時序的其中一者以上加以控制。例如，RF電源供應器414及匹配網路416可在任何適合的功率下加以操作，以形成具有期望之自由基物種成分的電漿。適合功率的例子係被包含於先前敘述。同樣地，RF電源供應器414可提供任何適合頻率的RF功率。在一些實施例中，RF電源供應器414可配置成彼此獨立地控制高頻及低頻RF功率源。示例的低頻RF頻率可包含但不限 於在0kHz和500kHz之間的頻率。示例的高頻RF頻率可包含但不限於在1.8MHz和2.45GHz之間、或大於約13.56MHz、或大於27MHz、或大於40MHz、或大於60MHz的頻率。應理解任何適合的參數可不連續地或連續地加以調整，以提供用於表面反應的電漿能量。
在一些實施例中，電漿可藉由一個以上電漿監視器原位監控。在一情況下，電漿功率可藉由一個以上電壓、電流感測器(例如VI探針)加以監控。在另一情況下，電漿密度及/或處理氣體濃度可藉由一個以上光學發射光譜感測器(OES)加以量測。在一些實施例中，一個以上電漿參數可基於來自此等原位電漿監視器的量測以編程方式加以調整。例如：OES感測器可在回授迴路中加以使用，該回授迴路用於提供電漿功率的編程控制。應理解在一些實施例中，其他監視器可用以監控電漿及其他製程特性。此等監視器可包含但不限於紅外線(IR)監視器、聲學監視器、及壓力轉換器。
在一些實施例中，控制器450的指令可透過輸入/輸出控制(IOC)序列指令加以提供。在一示例中，用於設定製程階段之條件的指令可被包含於製程配方之相對應的配方階段中。在某些情況下，製程配方階段可依序地加以排列，使得製程階段的所有指令係與該製程階段同時執行。在一些實施例中，用於設定一個以上反應器參數的指令可被包含於一配方階段中。例如，第一配方階段可包含用於設定惰性及/或反應物氣體(例如：諸如含碘及/或含溴之矽前驅物的第一前驅物)之流率的指令、用於設定載體氣體(諸如氬)之流率的指令、及該第一配方階段的時間延遲指令。第二、後續的配方階段可包含用於調節或停止惰性及/或反應物氣體之流率的指令、及用於調節載體或吹洗氣體之流率的指令及第二配方階段的時間延遲指令。第三配方階段可包含用於調節第二反應物氣體 (諸如氨)之流率的指令、用於調節載體或吹洗氣體之流率的指令、及第三配方階段的時間延遲指令。第四、後續配方階段可包含用於調節或停止惰性及/或反應物氣體之流率的指令、及用於調節載體或吹洗氣體之流率的指令及第四配方階段的時間延遲指令。應理解這些配方階段可在所揭示實施例的範圍內以任何適合的方式進一步再分割及/或加以重複。在一些實施例中，控制器450可包含以下關於圖5之系統控制器550所描述的任何特徵。
如上所述，一個以上處理工作站可被包含在一多工作站式處理工具內。圖5顯示一多工作站式處理工具500之實施例的示意圖，該多工作站式處理工具500具有入站裝載鎖定部502及出站裝載鎖定部504，其中的一者或兩者可包含遠程電漿源。處於大氣壓力下的機器人506係配置以將晶圓從卡匣(經由晶圓傳送盒(pod)508裝載)通過大氣埠510而移動到入站裝載鎖定部502中。晶圓係由機器人506放置在入站裝載鎖定部502中的底座512上，將大氣埠510關閉，並將裝載鎖定部抽真空。若入站裝載鎖定部502包含遠端電漿源，則晶圓在被引入處理腔室514之前，可在裝載鎖定部中曝露於遠程電漿處理。此外，基板亦可同樣在入站裝載鎖定部502中被加熱，以例如將水分及吸附的氣體移除。接著，開啟通往處理腔室514的腔室傳送埠516，且另一機器人(未顯示)將晶圓放進反應器中，於顯示於反應器中的第一工作站之底座上進行處理。雖然圖5中描繪的實施例包含裝載鎖定部，但可理解在一些實施例中，晶圓進入處理工作站的直接通道可加以設置。
在圖5顯示的實施例中，所描繪的處理腔室514包含四個處理工作站(編號從1到4)。各個工作站具有加熱的底座(對於工作站1顯示為518)及氣體管線入口。應理解在一些實施例中，各個處理工作站可具有不同或多種用途。 例如：在一些實施例中，一處理工作站可在ALD及電漿加強的ALD處理模式之間切換。此外或替代地，在一些實施例中，處理腔室514可包含一對以上匹配的ALD及電漿加強的ALD處理工作站。雖然所描繪的處理腔室514包含四個工作站，但應理解根據本揭示內容的處理腔室可具有任何適當數量的工作站。例如：在一些實施例中，處理腔室可具有五個以上工作站，而在其他實施例中，一處理腔室可具有三個或更少的工作站。
圖5描繪晶圓搬運系統的實施例，其在處理腔室514之內傳送晶圓。在一些實施例中，晶圓搬運系統可在各種處理工作站之間、及/或在處理工作站與裝載鎖定部之間傳送晶圓。應理解任何適當的晶圓搬運系統可加以使用。非限制性的例子包含晶圓旋轉料架及晶圓搬運機器人。圖5亦描繪系統控制器550的一個實施例，該系統控制器550用於控制處理工具500的製程條件及硬體狀態。系統控制器550可包含一個以上記憶體裝置556、一個以上大量儲存裝置554、及一個以上處理器552。處理器552可包含CPU或電腦、類比及/或數位輸入/輸出連接件、步進馬達控制器板等。
在一些實施例中，系統控制器550控制處理工具500的所有活動。系統控制器550執行系統控制軟體558，該系統控制軟體558在大量儲存裝置554內加以儲存，加載至記憶體裝置556，並在處理器552上加以執行。或者，控制邏輯可在系統控制器550中加以硬編碼。針對此等目的，可使用特殊應用積體電路、可程式化邏輯裝置(例如：場可程式化閘陣列或FPGA)等。在下列討論中，無論何處使用「軟體」或「程式碼」，可使用功能性相當的硬編碼邏輯來取代。系統控制軟體558可包含用於控制下述的指令：時序、氣體的混合、氣體流率、腔室及/或工作站壓力、腔室及/或工作站溫度、晶圓溫度、目標功率位準、RF功率 位準、基板底座、夾盤、及/或基座的位置、及由處理工具500執行之特殊製程的其他參數。系統控制軟體558可以任何適合的方式加以配置。例如：各種處理工具元件的副程式或控制物件可被撰寫，以控制執行各種處理工具製程使用之處理工具元件的操作。系統控制軟體558可以任何適合的電腦可讀程式語言加以編碼。
在一些實施例中，系統控制軟體558可包含輸入/輸出控制(IOC)順序指令，用於控制上述各種參數。儲存在與系統控制器550相關聯之大量儲存裝置554及/或記憶體裝置556中的其他電腦軟體及/或程式，可在一些實施例中加以使用。用於此目的之程式或程式區段的例子包含基板定位程式、處理氣體控制程式、壓力控制程式、加熱器控制程式、及電漿控制程式。
基板定位程式可包含用於處理工具元件的程式碼，該處理工具元件係用以將基板裝載到底座518之上，及控制在基板與處理工具500的其他部分之間的間距。
處理氣體控制程式可包含程式碼，用於控制氣體成分(例如：如本文所述之含碘的矽前驅物氣體，及含氮氣體、載體氣體及吹洗氣體)及流率，及選用性地在沉積之前用於將氣體流進一個以上處理工作站，以使處理工作站內的氣壓穩定。壓力控制程式可包含程式碼，用於藉由調節例如在處理工作站之排氣系統內的節流閥、進入處理工作站的氣流等而控制處理工作站內的壓力。
加熱器控制程式可包含程式碼，用於控制電流流至用以加熱基板的加熱單元。或者，該加熱器控制程式可控制熱轉移氣體(諸如氦)至基板的遞送。
電漿控制程式可包含程式碼，用於根據本文實施例在一個以上處理工作站內設定施加至處理電極的RF功率位準。
壓力控制程式可包含程式碼，用於根據本文實施例維持反應腔室內的壓力。
在一些實施例中，可能有與系統控制器550相關聯的使用者介面。該使用者介面可包含顯示螢幕、設備及/或製程條件的圖形軟體顯示器、及使用者輸入裝置(諸如指向裝置、鍵盤、觸控螢幕、麥克風等)。
在一些實施例中，由系統控制器550調整的參數可能與製程條件有關。非限制性的例子包含處理氣體成分及流率、溫度、壓力、電漿條件(諸如RF偏壓功率位準)等。這些參數可以配方的形式提供給使用者，其可利用使用者界面加以輸入。
用於監控製程的訊號可由系統控制器550的類比及/或數位輸入連接件自各種處理工具感測器加以提供。用於控制製程的訊號可在處理工具500的類比及數位輸出連接件上加以輸出。可加以監控之處理工具感測器之非限制性的例子包含質流控制器、壓力感測器(諸如壓力計)、熱電偶等。適當編程的回饋及控制演算法可與來自這些感測器的數據一起使用以維持製程條件。
系統控制器550可提供用於執行上述沉積製程的程式指令。該等程式指令可控制各種製程參數，諸如：DC功率位準、RF偏壓功率位準、壓力、溫度等。該等指令可控制參數以根據本文描述的各種實施例操作膜堆疊的原位沉積。
系統控制器550一般包含一個以上記憶體裝置及一個以上處理器，配置以執行指令使得該設備將根據所揭示的實施例執行方法。包含用於根據所揭示的實施例控制製程操作之指令的機器可讀媒體可耦接至系統控制器550。
在一些實施方式中，系統控制器550為系統的一部分，其可為上述例子的一部分。此等系統可包括半導體處理設備，其包含一個以上處理工具、一個以上腔室、用於處理的一個以上平臺、及/或特定處理元件(晶圓底座、氣流系統等)。這些系統可與電子設備整合，該等電子設備用於在半導體晶圓或基板處理之前、期間、及之後控制這些系統的操作。電子設備可稱作為「控制器」，其可控制該一個以上系統的各種元件或子部分。依據系統的處理條件及/或類型，系統控制器550可加以編程以控制本文揭示的任何製程，包含：處理氣體的遞送、溫度設定(例如：加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體遞送設定、位置及操作設定、出入一工具和其他轉移工具及/或與特定系統連接或介接之裝載鎖定部的晶圓轉移。
廣義地說，系統控制器550可定義為電子設備，具有各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體，其接收指令、發布指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用端點量測等。積體電路可包含呈儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSP)、定義為特殊應用積體電路(ASIC)的晶片、及/或執行程式指令(例如軟體)的一個以上微處理器或微控制器。程式指令可為以各種個別設定(或程式檔案)的形式與系統控制器550通訊的指令，該等設定定義對於半導體晶圓或系統執行特殊製程的操作參數。在一些實施例中，該等操作參數可為 由製程工程師定義之配方的部分，以在一或多個層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒製造期間完成一個以上處理步驟。
在一些實施方式中，系統控制器550可為電腦的一部分或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、以其他方式網路連至系統、或以上方式組合。例如：系統控制器550可為在「雲端」或晶圓廠主機電腦系統的整體或部分，可允許晶圓處理的遠端存取。該電腦可允許針對系統的遠端存取以監控製造操作的當前進度，檢查過往製造操作的歷史，檢查來自複數個製造操作的趨勢或性能度量，以改變目前處理的參數，以設定目前操作之後的處理步驟，或啟動新的製程。在一些例子中，遠程電腦(例如：伺服器)可經由網路提供製程配方給系統，該網路可包含區域網路或網際網路。遠程電腦可包含使用者介面，其允許參數及/或設定的輸入或編程，這些參數及/或設定係接著從遠程電腦被傳遞至系統。在一些例子中，系統控制器550接收數據形式的指令，該數據指定於一或多個操作期間將被執行之各個處理步驟的參數。應理解參數可專門用於將執行之製程的類型與配置系統控制器550以介接或控制之工具的類型。因此，如上所述，系統控制器550可為分散式的，諸如藉由包含一個以上分散的控制器，其由網路連在一起且朝共同的目的(諸如此處描述的製程及控制)作業。一個用於此等目的之分散式控制器的例子將為腔室上的一個以上積體電路，連通位於遠端(諸如在平台級或作為遠程電腦的一部分)的一個以上積體電路，其結合以控制腔室內的製程。
不受限制地，示例系統可包含電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉-潤洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清潔腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室 或模組、ALD腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、及任何可關聯或使用於半導體晶圓的製造及/或生產中之其他的半導體處理系統。
如上所述，依據將由工具執行的一個以上製程步驟，系統控制器550可與下述通訊：一或多個其他工具電路或模組、其他工具元件、群組工具、其他工具介面、毗鄰工具、相鄰工具、位於工廠各處的工具、主電腦、另一控制器、或用於材料傳送的工具，該等用於材料傳送的工具將晶圓的容器攜帶進出半導體生產工廠內的工具位置及/或負載端。
用於執行此處所揭示方法的適當設備係進一步在下列美國專利申請案中加以討論及描述：於西元2011年4月11日申請之美國專利申請案第13/084,399號(現為美國專利第8,728,956號)，其標題為“PLASMA ACTIVATED CONFORMAL FILM DEPOSITION”；及於西元2011年4月11日申請之美國專利申請案第13/084,305號，其標題為“SILICON NITRIDE FILMS AND METHODS”，其中每一者的全部內容於此納入本案揭示內容。
本文描述的設備/製程可結合微影圖案化的工具或製程(例如：半導體元件、顯示器、LED、太陽光電板等的製造或生產)而加以使用。通常，雖然不一定，此等工具/製程將於共同的製造設施內一起使用或執行。膜的微影圖案化一般包含一些或全部下列操作，各個操作以幾個可能的工具達成：(1)工件(亦即基板)上光阻的塗佈，使用旋轉式或噴塗式的工具；(2)光阻的固化，使用熱板或加熱爐或UV固化工具；(3)以諸如晶圓步進機的工具將光阻曝露於可見光或UV或x射線光；(4)顯影光阻以便選擇性地移除光阻且從而使其圖案化，使用諸如溼檯的工具；(5)藉由使用乾式或電漿輔助蝕刻工具將光阻圖案 轉移進入底膜或工件；及(6)使用諸如RF或微波電漿光阻剝除器的工具移除光阻。
實驗 實驗1
進行一個實驗以評估在12吋晶圓上藉由ALD使用二碘矽烷沉積100Å的SiN之表面污染的量。針對在沉積膜之後的污染水平，下方表2中顯示的金屬係加以評估。二氯矽烷金屬導致鋁的表面濃度大於100×1010原子/cm2，銅的表面濃度大於5×1010原子/cm2，及鐵的表面濃度大於5×1010原子/cm2。如表2所示，當氮化矽膜係藉由二碘矽烷加以沉積時，在晶圓上的金屬污染係比藉由二氯矽烷沉積的膜之金屬污染低得多。
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實驗2
針對藉由二碘矽烷沉積的氮化矽材料及藉由二氯矽烷沉積的氮化矽材料產生傅立葉轉換紅外光譜術(FTIR)光譜。藉由碘矽烷沉積的氮化矽材料僅顯示N-H鍵且沒有不穩定的Si-H鍵產生。
實驗3
針對使用四碘矽烷之氮化矽的沉積及使用四溴矽烷之氮化矽的沉積進行一個實驗。使用四碘矽烷之氮化矽的沉積係藉由原子層沉積(ALD)使用四碘矽烷及氨的交替脈衝以0.55Å/循環的沉積速率加以執行。所得的膜具有大於95%的階梯覆蓋率。
使用四溴矽烷之氮化矽的沉積係藉由ALD使用四溴矽烷及氨的交替脈衝以0.37Å/循環的沉積速率加以執行。所得的膜具有大於95%的階梯覆蓋率。注意，進入具有14：1深寬比之特徵部中的沉積展現高的保形性及均勻性(參見圖6A)。
針對藉由四溴矽烷沉積的氮化矽材料產生傅立葉轉換紅外光譜術(FTIR)光譜。該FTIR光譜係在圖6B中加以描繪，其將在位置601、603、605、607及609的峰及波長識別如下：601表示Si-N-Si鍵(885cm-1)，603表示Si2N-H鍵(1180cm-1)，605表示N-H2鍵，607表示Si-H鍵，及609表示Si2N-H鍵(3350cm-1)。藉由四溴矽烷沉積的氮化矽材料顯示很少的Si-H鍵及高的Si-N-Si鍵。
對於藉由四碘矽烷及四溴矽烷沉積的兩種膜所測量的密度係2.2g/cc。兩種膜皆具有高的N-H含量。雖然該等膜在100：1之稀釋的氫氟酸中展現高的濕蝕刻速率，但這些結果顯示對於沉積氮化矽，溴矽烷係作為矽前驅物的有力候選者。
實驗4
進行一個包含將藉由四溴矽烷沉積的氮化矽膜曝露於NH3電漿的實驗。沒有阻障層的GST(鍺、銻、碲)基板係經歷NH3電漿60秒。所得之基板的成分係在圖7A中加以描繪。該基板具有1：0.7：1.5之Ge：Sb：Te的比例。
阻障層係藉由熱ALD(包含四溴矽烷及NH3的交替脈衝)在GST基板上加以沉積。所得之基板的成分係在圖7B中加以描繪。該基板具有1：0.9：2.0之Ge：Sb：Te的比例。
包含藉由107個熱ALD循環(包含四溴矽烷及NH3的交替脈衝)所沉積之阻障層的GST基板係曝露於NH3電漿60秒。所得之基板的成分係在圖7C中加以描繪。該基板具有1：0.9：2.2之Ge：Sb：Te的比例。與以上關於圖7A描述的基板相比較，使用四溴矽烷沉積的氮化矽膜防止GST基板被NH3電漿損壞。
實驗5
進行包含將藉由四溴矽烷沉積之不同厚度的氮化矽膜曝露於氨電漿的實驗。氮化矽係在第一GST基板上藉由60個包含四溴矽烷及NH3之交替脈衝的熱ALD循環加以沉積，以形成22Å的膜(使用0.37Å/循環的沉積速率計算的厚度)。包含氮化矽的基板係曝露於NH3電漿60秒。所得之基板的成分係在圖8A中加以描繪。該Ge：Sb：Te的比例係1：0.9：2.0。觀察到一些表面鍺及主體碲的喪失。
氮化矽係在第二GST基板上藉由83個包含四溴矽烷及NH3之交替脈衝的熱ALD循環加以沉積，以形成31Å的膜(使用0.37Å/循環的沉積速率計算的厚度)。包含氮化矽的基板係曝露於NH3電漿60秒。所得之基板的成分係在圖8B中加以描繪。該Ge：Sb：Te的比例係1：0.9：1.9。觀察到一些表面鍺及主體碲的喪失。
氮化矽係在第三GST基板上藉由107個包含四溴矽烷及NH3之交替脈衝的熱ALD循環加以沉積，以形成40Å的膜(使用0.37Å/循環的沉積速率計算的厚度)。包含氮化矽的基板係曝露於NH3電漿60秒。所得之基板的成分係在圖8C中加以描繪。該Ge：Sb：Te的比例係1：0.9：2.2。觀察到幾乎沒有喪失。可得出結論：使用四溴矽烷作為前驅物沉積至少40Å之厚度的氮化矽膜可充分保護GST基板免受NH3電漿影響。
雖然上述實施例為了清楚理解的目的已以一些細節加以描述，但顯然地，某些改變與修飾可在隨附申請專利範圍的範疇內加以實施。應注意有許多替代方式執行本實施例的製程、系統、及設備。因此，本發明實施例係被視為說明性而非限制性的，且本發明實施例係非限制於本文提供的細節。

Claims (18)

  1. 一種封裝硫屬化物材料的方法，該方法包含：(a)將一基板提供至一腔室，該基板包含該硫屬化物材料之曝露的一或多層；(b)在允許無氯含溴的矽前驅物吸附在該基板的表面之上的條件下，將該基板曝露於該無氯含溴的矽前驅物，從而形成該無氯含溴的矽前驅物之一吸附層；以及(c)將該基板曝露於一第二反應物以在該硫屬化物材料上形成氮化矽膜，其中，該無氯含溴的矽前驅物係選自以下所組成之群組：具有化學式SixBryIz的化合物，其中x=1，y係整數且在包含1和4之介於1和4之間的範圍內，且y+z=4；及具有化學式SixBryIz的化合物，其中x=2，y係整數且在包含1和6之介於1和6之間的範圍內，且y+z=6。
  2. 如申請專利範圍第1項之封裝硫屬化物材料的方法，其中，該無氯含溴的矽前驅物係選自由四溴矽烷(SiBr4)、SiBr3I、SiBr2I2、SiBrI3、六溴二矽烷(Si2Br6)、Si2Br5I、Si2Br4I2、Si2Br3I3、Si2Br2I4、Si2BrI5及其組合所組成之群組。
  3. 一種封裝硫屬化物材料的方法，該方法包含：(a)將一基板提供至一腔室，該基板包含該硫屬化物材料之曝露的一或多層； (b)在允許二碘矽烷吸附在該基板的表面之上的條件下，將該基板曝露於該二碘矽烷，從而形成該二碘矽烷的一吸附層；及(c)將該基板曝露於一第二反應物以在該硫屬化物材料上形成氮化矽膜。
  4. 如申請專利範圍第1-3項其中任一者之封裝硫屬化物材料的方法，其中，該氮化矽膜係沉積至至少約40Å的厚度。
  5. 如申請專利範圍第1-3項其中任一者之封裝硫屬化物材料的方法，其中，該第二反應物係選自由氨及聯胺組成的群組，且其中該氮化矽膜係在小於約300℃的溫度下加以沉積。
  6. 如申請專利範圍第1-3項其中任一者之封裝硫屬化物材料的方法，進一步包含當將該基板曝露於該第二反應物時，點燃一電漿，以產生一反應性物種。
  7. 如申請專利範圍第6項之封裝硫屬化物材料的方法，其中，該第二反應物係選自由氮及氫組成的群組。
  8. 如申請專利範圍第1-3項其中任一者之封裝硫屬化物材料的方法，其中，當該第二反應物與選自由鋁、鐵、銅、銻、硒、碲、鍺及砷所組成之群組的一材料加以反應時，該第二反應物形成一揮發性物種。
  9. 如申請專利範圍第1-3項其中任一者之封裝硫屬化物材料的方法，其中，該硫屬化物材料係選自由硫、硒、碲及其組合所組成之群組。
  10. 如申請專利範圍第1-3項其中任一者之封裝硫屬化物材料的方法，其中，所沉積的該氮化矽膜具有至少約95%的階梯覆蓋率。
  11. 如申請專利範圍第1-3項其中任一者之封裝硫屬化物材料的方法，其中，該氮化矽膜係沉積至大於約30Å的厚度。
  12. 如申請專利範圍第1-3項其中任一者之封裝硫屬化物材料的方法，其中，該腔室係在下列至少一者期間加以吹洗：(i)在執行(b)之後且在執行(c)之前；及(ii)在執行(c)之後。
  13. 如申請專利範圍第1-3項其中任一者之封裝硫屬化物材料的方法，其中，(b)及(c)係按順序地加以重覆。
  14. 如申請專利範圍第12項之封裝硫屬化物材料的方法，其中，該腔室係藉由流動一吹洗氣體加以吹洗，該吹洗氣體係選自由氬、氦、氮及氫所組成之群組。
  15. 一種記憶體裝置，包含：一記憶體堆疊，包含一硫屬化物材料；以及氮化矽層，沉積在該記憶體堆疊上且封裝該硫屬化物材料，該氮化矽層係使用原子層沉積藉由無氯含溴的矽前驅物及第二反應物之交替曝露沉積至至少40Å的厚度，該氮化矽層具有在約30%和約90%之間的階梯覆蓋率， 其中，該無氯含溴的矽前驅物係選自以下所組成之群組：具有化學式SixBryIz的化合物，其中x=1，y係整數且在包含1和4之介於1和4之間的範圍內，且y+z=4；及具有化學式SixBryIz的化合物，其中x=2，y係整數且在包含1和6之介於1和6之間的範圍內，且y+z=6。
  16. 一種封裝硫屬化物材料的方法，該方法包含：(a)將一基板提供至一腔室，該基板包含該硫屬化物材料之曝露的一或多層；(b)在允許四碘矽烷吸附在該基板的表面之上的條件下，將該基板曝露於該四碘矽烷，從而形成該四碘矽烷之一吸附層；(c)將該基板曝露於一第二反應物以在該硫屬化物材料上形成氮化矽膜；以及(d)當將該基板曝露於該第二反應物時，點燃一電漿，以產生一反應性物種。
  17. 一種封裝硫屬化物材料的方法，該方法包含：(a)將一基板提供至一腔室，該基板包含該硫屬化物材料之曝露的一或多層；(b)在允許六碘二矽烷吸附在該基板的表面之上的條件下，將該基板曝露於該六碘二矽烷，從而形成該六碘二矽烷的一吸附層；及(c)將該基板曝露於一第二反應物以在該硫屬化物材料上形成氮化矽膜。
  18. 一種記憶體裝置，包含：一記憶體堆疊，包含一硫屬化物材料；氮化矽層，沉積在該記憶體堆疊上且封裝該硫屬化物材料，該氮化矽層係使用原子層沉積藉由二碘矽烷和第二反應物的交替曝露加以沉積，該氮化矽層具有在約30%和約90%之間的階梯覆蓋率；以及一含矽層，在約250℃下藉由遠程電漿化學氣相沉積或電漿加強化學氣相沉積直接沉積在該氮化矽層上，該含矽層在使用稀釋的氫氟酸之條件下具有小於約100Å/分鐘的濕蝕刻速率，其中該氫氟酸係稀釋成100：1的比例。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI859753B (zh) * 2022-10-17 2024-10-21 台灣積體電路製造股份有限公司 積體晶片及其形成方法

Families Citing this family (361)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9828672B2 (en) 2015-03-26 2017-11-28 Lam Research Corporation Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10157736B2 (en) 2016-05-06 2018-12-18 Lam Research Corporation Methods of encapsulation
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9929006B2 (en) 2016-07-20 2018-03-27 Micron Technology, Inc. Silicon chalcogenate precursors, methods of forming the silicon chalcogenate precursors, and related methods of forming silicon nitride and semiconductor structures
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US9865455B1 (en) 2016-09-07 2018-01-09 Lam Research Corporation Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process
US9824884B1 (en) * 2016-10-06 2017-11-21 Lam Research Corporation Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
FR3058162B1 (fr) * 2016-11-02 2021-01-01 Commissariat Energie Atomique Procede de depot de films minces de chalcogenure
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) * 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10199270B2 (en) * 2017-05-25 2019-02-05 Globalfoundries Inc. Multi-directional self-aligned multiple patterning
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
KR102396119B1 (ko) * 2017-09-15 2022-05-11 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치 및 그 제조 방법
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10760158B2 (en) * 2017-12-15 2020-09-01 Lam Research Corporation Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11404275B2 (en) 2018-03-02 2022-08-02 Lam Research Corporation Selective deposition using hydrolysis
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
JP7113670B2 (ja) * 2018-06-08 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 Ａｌｄ成膜方法およびａｌｄ成膜装置
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11600530B2 (en) * 2018-07-31 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of manufacture
DE102019116860B4 (de) * 2018-07-31 2024-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zur herstellung eines halbleiter-bauelements
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
KR102620168B1 (ko) 2018-08-22 2024-01-02 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11239420B2 (en) * 2018-08-24 2022-02-01 Lam Research Corporation Conformal damage-free encapsulation of chalcogenide materials
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102607181B1 (ko) 2018-10-05 2023-11-29 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR20210062712A (ko) 2018-10-19 2021-05-31 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱을 위한 챔버 컴포넌트들의 인 시츄 (in situ) 보호 코팅
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR102866846B1 (ko) * 2019-05-20 2025-09-30 램 리써치 코포레이션 SiCxOy를 위한 핵생성 층으로서 SixNy
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
US20200381623A1 (en) * 2019-05-31 2020-12-03 Applied Materials, Inc. Methods of forming silicon nitride encapsulation layers
US12237175B2 (en) 2019-06-04 2025-02-25 Lam Research Corporation Polymerization protective liner for reactive ion etch in patterning
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
KR20210008310A (ko) 2019-07-10 2021-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 조립체 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
TWI853988B (zh) * 2019-07-29 2024-09-01 美商應用材料股份有限公司 原子層沉積之多層封裝堆疊
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20220042442A (ko) 2019-08-06 2022-04-05 램 리써치 코포레이션 실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
TWI838570B (zh) 2019-08-23 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR102773659B1 (ko) 2019-12-02 2025-02-28 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11417840B2 (en) * 2019-12-31 2022-08-16 Micron Technology, Inc. Protective sealant for chalcogenide material and methods for forming the same
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
US11424118B2 (en) * 2020-01-23 2022-08-23 Micron Technology, Inc. Electronic devices comprising silicon carbide materials
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
JP7703376B2 (ja) 2020-06-24 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー シリコンを備える層を形成するための方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
US12412742B2 (en) 2020-07-28 2025-09-09 Lam Research Corporation Impurity reduction in silicon-containing films
TWI900627B (zh) 2020-08-11 2025-10-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積碳化鋁鈦膜結構於基板上之方法、閘極電極、及半導體沉積設備
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
KR102855073B1 (ko) 2020-08-26 2025-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
KR102853083B1 (ko) 2020-09-23 2025-09-02 삼성전자주식회사 에어 갭을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
US11800824B2 (en) 2021-03-24 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon nitride/silicon oxynitride stack film with tunable dielectric constant
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
KR20220167516A (ko) * 2021-06-14 2022-12-21 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치 및 그 제조 방법
JP2024524553A (ja) 2021-07-09 2024-07-05 ラム リサーチ コーポレーション ケイ素含有膜のプラズマ強化原子層堆積
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201439105A (zh) * 2013-03-14 2014-10-16 Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 低溫ＳｉＮ沈積用的Ｓｉ前驅物
US20150243708A1 (en) * 2014-02-25 2015-08-27 Micron Technology, Inc. Cross-point memory and methods for fabrication of same

Family Cites Families (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR93097E (fr) 1965-10-11 1969-02-07 Ibm Procédé de dépot de films isolants et dispositifs électriques utilisant de tels films.
US4158717A (en) 1977-02-14 1979-06-19 Varian Associates, Inc. Silicon nitride film and method of deposition
US4500563A (en) 1982-12-15 1985-02-19 Pacific Western Systems, Inc. Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing
US4575921A (en) 1983-11-04 1986-03-18 General Motors Corporation Silicon nitride formation and use in self-aligned semiconductor device manufacturing method
CA1327338C (en) 1987-02-02 1994-03-01 Chorng-Ping Chang Process for producing devices containing silicon nitride films
EP0313683A1 (en) 1987-10-30 1989-05-03 International Business Machines Corporation Method for fabricating a semiconductor integrated circuit structure having a submicrometer length device element
US5420067A (en) 1990-09-28 1995-05-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of fabricatring sub-half-micron trenches and holes
US5091332A (en) 1990-11-19 1992-02-25 Intel Corporation Semiconductor field oxidation process
EP0519079B1 (en) 1991-01-08 1999-03-03 Fujitsu Limited Process for forming silicon oxide film
US5230929A (en) 1992-07-20 1993-07-27 Dow Corning Corporation Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes
US5496608A (en) 1993-09-22 1996-03-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Optical recording medium
US6342277B1 (en) 1996-08-16 2002-01-29 Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. Sequential chemical vapor deposition
US5670432A (en) 1996-08-01 1997-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal treatment to form a void free aluminum metal layer for a semiconductor device
US5731235A (en) 1996-10-30 1998-03-24 Micron Technology, Inc. Methods of forming a silicon nitrite film, a capacitor dielectric layer and a capacitor
US5891805A (en) 1996-12-13 1999-04-06 Intel Corporation Method of forming contacts
US6039834A (en) 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
US6153519A (en) 1997-03-31 2000-11-28 Motorola, Inc. Method of forming a barrier layer
US5856003A (en) 1997-11-17 1999-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming pseudo buried layer for sub-micron bipolar or BiCMOS device
US5976990A (en) 1998-01-09 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Method for optimization of thin film deposition
US6197701B1 (en) 1998-10-23 2001-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Lightly nitridation surface for preparing thin-gate oxides
US6380056B1 (en) 1998-10-23 2002-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Lightly nitridation surface for preparing thin-gate oxides
US6228779B1 (en) 1998-11-06 2001-05-08 Novellus Systems, Inc. Ultra thin oxynitride and nitride/oxide stacked gate dielectrics fabricated by high pressure technology
KR100273473B1 (ko) 1999-04-06 2000-11-15 이경수 박막 형성 방법
KR100340716B1 (ko) 1999-10-29 2002-06-20 윤종용 실리콘 질화막 형성방법
KR100742473B1 (ko) 1999-11-02 2007-07-25 동경 엘렉트론 주식회사 제 1 및 제 2 소재를 초임계 처리하는 장치 및 방법
KR100338125B1 (ko) 1999-12-31 2002-05-24 구본준, 론 위라하디락사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5016767B2 (ja) 2000-03-07 2012-09-05 エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． 傾斜薄膜の形成方法
WO2001082368A2 (en) 2000-04-25 2001-11-01 Tokyo Electron Limited Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module
KR100366621B1 (ko) 2000-06-28 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 소자의 도전성 콘택체를 형성하는 방법
US6548368B1 (en) 2000-08-23 2003-04-15 Applied Materials, Inc. Method of forming a MIS capacitor
US6428859B1 (en) 2000-12-06 2002-08-06 Angstron Systems, Inc. Sequential method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6416822B1 (en) 2000-12-06 2002-07-09 Angstrom Systems, Inc. Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6632478B2 (en) 2001-02-22 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Process for forming a low dielectric constant carbon-containing film
JP3696119B2 (ja) 2001-04-26 2005-09-14 株式会社日立製作所 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US6709928B1 (en) 2001-07-31 2004-03-23 Cypress Semiconductor Corporation Semiconductor device having silicon-rich layer and method of manufacturing such a device
JP4116283B2 (ja) * 2001-11-30 2008-07-09 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ヘキサキス（モノヒドロカルビルアミノ）ジシランおよびその製造方法
US6638879B2 (en) 2001-12-06 2003-10-28 Macronix International Co., Ltd. Method for forming nitride spacer by using atomic layer deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
KR20030081144A (ko) 2002-04-11 2003-10-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 종형 반도체 제조 장치
US6518167B1 (en) 2002-04-16 2003-02-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming a metal or metal nitride interface layer between silicon nitride and copper
US7041335B2 (en) 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
KR100469126B1 (ko) 2002-06-05 2005-01-29 삼성전자주식회사 수소 함유량이 적은 박막 형성방법
US7294582B2 (en) 2002-07-19 2007-11-13 Asm International, N.V. Low temperature silicon compound deposition
WO2004009861A2 (en) 2002-07-19 2004-01-29 Asm America, Inc. Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers
US6967159B2 (en) 2002-08-28 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using organic amines
US6794284B2 (en) 2002-08-28 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes
JP4358492B2 (ja) 2002-09-25 2009-11-04 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
KR100496265B1 (ko) 2002-11-29 2005-06-17 한국전자통신연구원 반도체 소자의 박막 형성방법
CN100567564C (zh) 2002-12-20 2009-12-09 应用材料有限公司 形成高质量的低温氮化硅层的方法和设备
US7172792B2 (en) 2002-12-20 2007-02-06 Applied Materials, Inc. Method for forming a high quality low temperature silicon nitride film
US7713592B2 (en) 2003-02-04 2010-05-11 Tegal Corporation Nanolayer deposition process
US7163860B1 (en) 2003-05-06 2007-01-16 Spansion Llc Method of formation of gate stack spacer and charge storage materials having reduced hydrogen content in charge trapping dielectric flash memory device
JP4329403B2 (ja) 2003-05-19 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4410497B2 (ja) * 2003-06-17 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US7125582B2 (en) 2003-07-30 2006-10-24 Intel Corporation Low-temperature silicon nitride deposition
DE10335099B4 (de) 2003-07-31 2006-06-08 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Verbessern der Dickengleichförmigkeit von Siliziumnitridschichten für mehrere Halbleiterscheiben
US6943097B2 (en) 2003-08-19 2005-09-13 International Business Machines Corporation Atomic layer deposition of metallic contacts, gates and diffusion barriers
US20050227017A1 (en) 2003-10-31 2005-10-13 Yoshihide Senzaki Low temperature deposition of silicon nitride
US20050109276A1 (en) 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
JP2005163084A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Mitsui Chemicals Inc シリコン薄膜の製膜方法
US7291271B2 (en) 2003-12-09 2007-11-06 Separation Design Group, Llc Meso-frequency traveling wave electro-kinetic continuous adsorption system
JP2005210076A (ja) 2003-12-25 2005-08-04 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 窒化珪素膜の成膜方法及びこの方法を使用する半導体装置の製造方法
KR100560654B1 (ko) 2004-01-08 2006-03-16 삼성전자주식회사 질화실리콘막을 형성을 위한 질소화합물 및 이를 이용한질화실리콘 막의 형성방법
US20050170104A1 (en) 2004-01-29 2005-08-04 Applied Materials, Inc. Stress-tuned, single-layer silicon nitride film
JP4279176B2 (ja) 2004-03-02 2009-06-17 株式会社アルバック シリコン窒化膜の形成方法
US7585396B2 (en) 2004-06-25 2009-09-08 Guardian Industries Corp. Coated article with ion treated overcoat layer and corresponding method
US7550067B2 (en) 2004-06-25 2009-06-23 Guardian Industries Corp. Coated article with ion treated underlayer and corresponding method
JP4396547B2 (ja) 2004-06-28 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4595702B2 (ja) 2004-07-15 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4179311B2 (ja) 2004-07-28 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4470023B2 (ja) 2004-08-20 2010-06-02 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード シリコン窒化物膜の製造方法
US7271464B2 (en) 2004-08-24 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Liner for shallow trench isolation
US7629270B2 (en) 2004-08-27 2009-12-08 Asm America, Inc. Remote plasma activated nitridation
US7910288B2 (en) 2004-09-01 2011-03-22 Micron Technology, Inc. Mask material conversion
JP4074281B2 (ja) 2004-09-14 2008-04-09 株式会社東芝 磁気ランダムアクセスメモリ
US20060084283A1 (en) 2004-10-20 2006-04-20 Paranjpe Ajit P Low temperature sin deposition methods
JP4701691B2 (ja) 2004-11-29 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US20060162661A1 (en) 2005-01-22 2006-07-27 Applied Materials, Inc. Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
KR100622609B1 (ko) 2005-02-16 2006-09-19 주식회사 하이닉스반도체 박막 형성 방법
US7629267B2 (en) 2005-03-07 2009-12-08 Asm International N.V. High stress nitride film and method for formation thereof
JP4258518B2 (ja) 2005-03-09 2009-04-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4506677B2 (ja) 2005-03-11 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2006261434A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法
US7875556B2 (en) 2005-05-16 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films
US7651955B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
JP4305427B2 (ja) 2005-08-02 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US20070054450A1 (en) 2005-09-07 2007-03-08 Magic Technologies, Inc. Structure and fabrication of an MRAM cell
US20070080381A1 (en) 2005-10-12 2007-04-12 Magic Technologies, Inc. Robust protective layer for MTJ devices
US7465669B2 (en) 2005-11-12 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a silicon nitride stack
US7301210B2 (en) 2006-01-12 2007-11-27 International Business Machines Corporation Method and structure to process thick and thin fins and variable fin to fin spacing
JP4434149B2 (ja) 2006-01-16 2010-03-17 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US7491630B2 (en) 2006-03-15 2009-02-17 Freescale Semiconductor, Inc. Undoped gate poly integration for improved gate patterning and cobalt silicide extendibility
JP4929811B2 (ja) 2006-04-05 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7902074B2 (en) 2006-04-07 2011-03-08 Micron Technology, Inc. Simplified pitch doubling process flow
FR2900276B1 (fr) 2006-04-25 2008-09-12 St Microelectronics Sa Depot peald d'un materiau a base de silicium
US7611980B2 (en) 2006-08-30 2009-11-03 Micron Technology, Inc. Single spacer process for multiplying pitch by a factor greater than two and related intermediate IC structures
JP4929932B2 (ja) 2006-09-01 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
CN101517713B (zh) 2006-09-19 2011-02-09 东京毅力科创株式会社 等离子体清洁方法和等离子体cvd方法
US7939455B2 (en) 2006-09-29 2011-05-10 Tokyo Electron Limited Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films
US20080139003A1 (en) 2006-10-26 2008-06-12 Shahid Pirzada Barrier coating deposition for thin film devices using plasma enhanced chemical vapor deposition process
US20080119057A1 (en) 2006-11-20 2008-05-22 Applied Materials,Inc. Method of clustering sequential processing for a gate stack structure
US20080124946A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films
US20080213479A1 (en) 2007-02-16 2008-09-04 Tokyo Electron Limited SiCN film formation method and apparatus
US20080207007A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films
US7488659B2 (en) 2007-03-28 2009-02-10 International Business Machines Corporation Structure and methods for stress concentrating spacer
US20080242032A1 (en) 2007-03-29 2008-10-02 Texas Instruments Incorporated Carbon-Doped Epitaxial SiGe
US7651961B2 (en) 2007-03-30 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films
US7807578B2 (en) 2007-06-01 2010-10-05 Applied Materials, Inc. Frequency doubling using spacer mask
JP5151260B2 (ja) 2007-06-11 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
KR100956210B1 (ko) 2007-06-19 2010-05-04 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭증착방법
US7910497B2 (en) 2007-07-30 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Method of forming dielectric layers on a substrate and apparatus therefor
JP5098882B2 (ja) 2007-08-31 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20150036815A (ko) 2007-09-18 2015-04-07 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 규소 함유 막의 형성 방법
US7651959B2 (en) 2007-12-03 2010-01-26 Asm Japan K.K. Method for forming silazane-based dielectric film
US20090155606A1 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Asm Genitech Korea Ltd. Methods of depositing a silicon nitride film
US7678715B2 (en) 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
JP4935684B2 (ja) 2008-01-12 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP4935687B2 (ja) 2008-01-19 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP5297048B2 (ja) 2008-01-28 2013-09-25 三菱重工業株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2009260151A (ja) 2008-04-18 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体
US8383525B2 (en) 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
US7622369B1 (en) 2008-05-30 2009-11-24 Asm Japan K.K. Device isolation technology on semiconductor substrate
US8298628B2 (en) 2008-06-02 2012-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature deposition of silicon-containing films
JP5190307B2 (ja) 2008-06-29 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP5233562B2 (ja) 2008-10-04 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US7745346B2 (en) 2008-10-17 2010-06-29 Novellus Systems, Inc. Method for improving process control and film conformality of PECVD film
JP2010103303A (ja) 2008-10-23 2010-05-06 Toshiba Corp 磁気抵抗素子及びその製造方法
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8647722B2 (en) 2008-11-14 2014-02-11 Asm Japan K.K. Method of forming insulation film using plasma treatment cycles
US20100136313A1 (en) 2008-12-01 2010-06-03 Asm Japan K.K. Process for forming high resistivity thin metallic film
US7833906B2 (en) 2008-12-11 2010-11-16 Asm International N.V. Titanium silicon nitride deposition
US7972980B2 (en) 2009-01-21 2011-07-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
US7919416B2 (en) 2009-01-21 2011-04-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
JP4810581B2 (ja) * 2009-03-25 2011-11-09 株式会社東芝 不揮発性記憶装置
WO2010151856A2 (en) 2009-06-26 2010-12-29 Cornell University Chemical vapor deposition process for aluminum silicon nitride
KR20110002208A (ko) 2009-07-01 2011-01-07 삼성전자주식회사 반도체 소자의 형성방법
JP2011023718A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Asm Japan Kk ＰＥＡＬＤによってＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法
US8105901B2 (en) 2009-07-27 2012-01-31 International Business Machines Corporation Method for double pattern density
US7989365B2 (en) 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
US8173554B2 (en) 2009-10-14 2012-05-08 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film having Si-N bonds by modified peald method
US8021949B2 (en) 2009-12-01 2011-09-20 International Business Machines Corporation Method and structure for forming finFETs with multiple doping regions on a same chip
US8354331B2 (en) 2009-12-01 2013-01-15 International Business Machines Corporation Multiplying pattern density by single sidewall imaging transfer
US20110151142A1 (en) 2009-12-22 2011-06-23 Applied Materials, Inc. Pecvd multi-step processing with continuous plasma
JP5742185B2 (ja) 2010-03-19 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、回転数の最適化方法及び記憶媒体
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US20110256734A1 (en) 2010-04-15 2011-10-20 Hausmann Dennis M Silicon nitride films and methods
US8993460B2 (en) 2013-01-10 2015-03-31 Novellus Systems, Inc. Apparatuses and methods for depositing SiC/SiCN films via cross-metathesis reactions with organometallic co-reactants
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US8669185B2 (en) 2010-07-30 2014-03-11 Asm Japan K.K. Method of tailoring conformality of Si-containing film
KR101147728B1 (ko) 2010-08-02 2012-05-25 주식회사 유진테크 사이클릭 박막 증착 방법
US8394466B2 (en) 2010-09-03 2013-03-12 Asm Japan K.K. Method of forming conformal film having si-N bonds on high-aspect ratio pattern
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US9040127B2 (en) 2010-09-24 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon carbide deposition process
US20120213940A1 (en) 2010-10-04 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of silicon nitride using dual-source precursor and interleaved plasma
WO2012057889A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition film with tunable refractive index and absorption coefficient and methods of making
US8679914B2 (en) 2010-11-02 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Method of forming a chalcogenide material and methods of forming a resistive random access memory device including a chalcogenide material
KR20120062385A (ko) 2010-12-06 2012-06-14 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 소자의 형성방법
KR101225601B1 (ko) 2010-12-16 2013-01-24 한국과학기술원 대면적 나노스케일 패턴형성방법
JP5682290B2 (ja) 2010-12-20 2015-03-11 東京エレクトロン株式会社 炭素含有薄膜のスリミング方法及び酸化装置
JP5689398B2 (ja) 2010-12-21 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
US8901016B2 (en) 2010-12-28 2014-12-02 Asm Japan K.K. Method of forming metal oxide hardmask
JP2012204408A (ja) 2011-03-23 2012-10-22 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US8883649B2 (en) 2011-03-23 2014-11-11 International Business Machines Corporation Sidewall image transfer process
JP5919371B2 (ja) 2011-04-07 2016-05-18 ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ プラズマ源による原子層堆積
US8298951B1 (en) 2011-04-13 2012-10-30 Asm Japan K.K. Footing reduction using etch-selective layer
US8298954B1 (en) 2011-05-06 2012-10-30 International Business Machines Corporation Sidewall image transfer process employing a cap material layer for a metal nitride layer
TW201319299A (zh) 2011-09-13 2013-05-16 應用材料股份有限公司 用於低溫電漿輔助沉積的活化矽前驅物
SG11201400633RA (en) 2011-09-23 2014-08-28 Novellus Systems Inc Plasma activated conformal dielectric film deposition
US8809169B2 (en) 2011-09-30 2014-08-19 Tokyo Electron Limited Multi-layer pattern for alternate ALD processes
US8592328B2 (en) * 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
JP5882776B2 (ja) 2012-02-14 2016-03-09 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
US8846484B2 (en) 2012-02-15 2014-09-30 Intermolecular, Inc. ReRAM stacks preparation by using single ALD or PVD chamber
JPWO2013137115A1 (ja) 2012-03-15 2015-08-03 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP6125247B2 (ja) 2012-03-21 2017-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
US8936977B2 (en) 2012-05-29 2015-01-20 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Late in-situ doped SiGe junctions for PMOS devices on 28 nm low power/high performance technologies using a silicon oxide encapsulation, early halo and extension implantations
US8703578B2 (en) 2012-05-29 2014-04-22 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Middle in-situ doped SiGe junctions for PMOS devices on 28 nm low power/high performance technologies using a silicon oxide encapsulation, early halo and extension implantations
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US8962078B2 (en) 2012-06-22 2015-02-24 Tokyo Electron Limited Method for depositing dielectric films
US9023737B2 (en) 2012-07-11 2015-05-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal, homogeneous dielectric film by cyclic deposition and heat treatment
US20140023794A1 (en) 2012-07-23 2014-01-23 Maitreyee Mahajani Method And Apparatus For Low Temperature ALD Deposition
US9243324B2 (en) 2012-07-30 2016-01-26 Air Products And Chemicals, Inc. Methods of forming non-oxygen containing silicon-based films
JP2014038968A (ja) * 2012-08-17 2014-02-27 Ps4 Luxco S A R L 半導体装置の製造方法
WO2014030393A1 (ja) * 2012-08-20 2014-02-27 日本電気株式会社 抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
KR102052936B1 (ko) 2012-11-13 2019-12-06 삼성전자 주식회사 반도체 소자 제조 방법
US8784951B2 (en) 2012-11-16 2014-07-22 Asm Ip Holding B.V. Method for forming insulation film using non-halide precursor having four or more silicons
US9362133B2 (en) 2012-12-14 2016-06-07 Lam Research Corporation Method for forming a mask by etching conformal film on patterned ashable hardmask
US9446965B2 (en) * 2013-02-19 2016-09-20 Nanotech Industrial Solutions, Inc. Applications for inorganic fullerene-like particles
US8623770B1 (en) 2013-02-21 2014-01-07 HGST Netherlands B.V. Method for sidewall spacer line doubling using atomic layer deposition of a titanium oxide
US20140273531A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Asm Ip Holding B.V. Si PRECURSORS FOR DEPOSITION OF SiN AT LOW TEMPERATURES
US9564309B2 (en) 2013-03-14 2017-02-07 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
US20140273530A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Victor Nguyen Post-Deposition Treatment Methods For Silicon Nitride
TW201441408A (zh) 2013-03-15 2014-11-01 應用材料股份有限公司 包含氮化矽之膜的電漿輔助原子層沉積
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9012336B2 (en) 2013-04-08 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Method for conformal treatment of dielectric films using inductively coupled plasma
US10084016B2 (en) 2013-11-21 2018-09-25 Micron Technology, Inc. Cross-point memory and methods for fabrication of same
TWI480415B (zh) 2013-11-27 2015-04-11 財團法人工業技術研究院 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法
CN105917445B (zh) 2014-01-13 2020-05-22 应用材料公司 具有空间原子层沉积的自对准式双图案化
US20160049307A1 (en) 2014-08-15 2016-02-18 Yijian Chen Patterning method for IC fabrication using 2-D layout decomposition and synthesis techniques
US9318334B2 (en) 2014-08-27 2016-04-19 United Microelectronics Corp. Method for fabricating semiconductor device
US9576792B2 (en) 2014-09-17 2017-02-21 Asm Ip Holding B.V. Deposition of SiN
US9214333B1 (en) 2014-09-24 2015-12-15 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ALD
US9355837B2 (en) 2014-09-25 2016-05-31 Micron Technology, Inc. Methods of forming and using materials containing silicon and nitrogen
US9875888B2 (en) 2014-10-03 2018-01-23 Applied Materials, Inc. High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US9589790B2 (en) 2014-11-24 2017-03-07 Lam Research Corporation Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film
US9449971B2 (en) 2014-12-01 2016-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming FinFETs
EP3035379B1 (en) 2014-12-15 2020-07-01 IMEC vzw Method for blocking a trench portion
US9673059B2 (en) 2015-02-02 2017-06-06 Tokyo Electron Limited Method for increasing pattern density in self-aligned patterning integration schemes
US9443731B1 (en) 2015-02-20 2016-09-13 Tokyo Electron Limited Material processing to achieve sub-10nm patterning
US9530646B2 (en) 2015-02-24 2016-12-27 United Microelectronics Corp. Method of forming a semiconductor structure
US9472506B2 (en) 2015-02-25 2016-10-18 International Business Machines Corporation Registration mark formation during sidewall image transfer process
US9748093B2 (en) 2015-03-18 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Pulsed nitride encapsulation
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
CN106298519A (zh) 2015-05-15 2017-01-04 联华电子股份有限公司 形成半导体结构的方法
US9653571B2 (en) 2015-06-15 2017-05-16 International Business Machines Corporation Freestanding spacer having sub-lithographic lateral dimension and method of forming same
US9508560B1 (en) 2015-06-18 2016-11-29 International Business Machines Corporation SiARC removal with plasma etch and fluorinated wet chemical solution combination
US9530663B1 (en) 2015-06-23 2016-12-27 Nanya Technology Corp. Method for forming a pattern
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
US10103032B2 (en) 2015-11-20 2018-10-16 Tokyo Electron Limited Methods of forming etch masks for sub-resolution substrate patterning
US9576817B1 (en) 2015-12-03 2017-02-21 International Business Machines Corporation Pattern decomposition for directed self assembly patterns templated by sidewall image transfer
US9508604B1 (en) 2016-04-29 2016-11-29 Globalfoundries Inc. Methods of forming punch through stop regions on FinFET devices on CMOS-based IC products using doped spacers
US10157736B2 (en) 2016-05-06 2018-12-18 Lam Research Corporation Methods of encapsulation
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201439105A (zh) * 2013-03-14 2014-10-16 Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 低溫ＳｉＮ沈積用的Ｓｉ前驅物
US20150243708A1 (en) * 2014-02-25 2015-08-27 Micron Technology, Inc. Cross-point memory and methods for fabrication of same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI859753B (zh) * 2022-10-17 2024-10-21 台灣積體電路製造股份有限公司 積體晶片及其形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170092857A1 (en) 2017-03-30
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