TWI771049B - 晶圓治具結構及引起高溫潛變變形的處理設備 - Google Patents

Abstract

一種晶圓治具結構，包括一第一治具、一第二治具及一施力組件。第一治具具有一第一斜面，第二治具具有一第二斜面。當第一及第二治具相互靠合而將一晶圓夾置於第一與第二斜面之間時，第一及第二斜面相互平行並傾斜於一施壓方向，且第一及第二治具藉由沿施壓方向施加的一外力而對晶圓施壓。施力組件適於連接於第一治具及第二治具，並施加外力於第一及第二治具。施力組件包括第一、第二及第三螺合件，第一治具適於連接於第一螺合件，第三螺合件適於螺合於第一螺合件，第二螺合件適於螺合於第三螺合件，外力由第一、第二及第三螺合件而產生。

Description

晶圓治具結構及引起高溫潛變變形的處理設備

本發明是有關於一種治具結構及處理設備，且特別是有關於一種晶圓治具傾斜設計結構，及可以容易激活並發展高溫潛變變形的晶圓高溫處理設備。

在半導體產業中，晶圓(wafer)的材料例如包括矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化銦(InSb)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)或硒化鋅(ZnSe)。一般而言，製造晶圓的方法包括先形成晶碇(Ingot)，接著將晶碇切片已獲得晶圓。晶碇例如是在高溫的環境中製造。目前，晶碇的生長方法包括柴可拉斯基法(Czochralski process)、物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport, PVT)、高溫化學氣相沉積法 (High Temperature Chemical Vapor Deposition, HT-CVD)法以及液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)等。

晶種被置放於高溫爐中，晶種接觸氣態或液態的原料，並形成半導體材料於晶種的表面，直到獲得具有預期尺寸的晶碇為止。晶碇可以視製造方式與製造原料而有不同的結晶構造。舉例來說，碳化矽的晶碇包括3C-碳化矽、4H-碳化矽、6H-碳化矽等。3C-碳化矽屬於立方晶系，而4H-碳化矽以及6H-碳化矽屬於六方晶系。

晶碇在攝氏數百度至攝氏數千度的高溫環境中生長。在晶碇的生長過程中，晶碇上端，即鄰近晶種的一端，稱為晶種端(seed end)。晶碇下端，亦是遠離晶種的一端，稱為圓頂端(dome end)。晶種端與圓頂端可能會因為位置的不同而出現攝氏數十至攝氏數百度的溫差。在這種情況下，晶碇的內部可能會出現因為溫差，且來不及應力重組(stress re-distribution)、應變釋放，而導致的殘留應力。若晶碇為碳化矽，則晶種端為矽面，而圓頂端為碳面，晶碇的矽面可以發展成殘留壓應力，且晶碇的碳面可以呈現殘留拉應力。

在晶碇生長完成後，以爐冷或其他方式使晶碇降溫至室溫。當晶碇降溫至塑性-彈性過度溫度以下，繼續由降溫引起的冷縮變形，已逐漸無法被晶體及時的塑性變形(例如差排(dislocation)生成、滑移及/或結合)的方式釋放應力。舉例來說，差排可以在某對應的滑移面(slip plane)上，沿著特定滑移方向滑移，至結晶體表面而消失。若晶碇只單純考慮彈性變形，而忽略遲緩的塑性變形的特質時(例如:高溫潛變)，晶碇的熱收縮大致符合下列公式：

ɛ= kΔΤ

在上述公式中，ɛ為應變，k為熱膨脹係數，ΔΤ為溫度差。在降溫晶碇時，若晶種端的溫度不同於圓頂端的溫度，晶種端與圓頂端會由不同的溫度開始降溫，使晶種端的熱收縮程度與圓頂端的熱收縮程度不同。舉例來說，晶種端可能由攝氏1800度降溫至室溫20度，圓頂端可能由攝氏1900度降溫至20度。此情況導致晶碇兩端位置溫度梯度不同，時間上收縮時序也不同步，出現壓應力以及張應力殘留。簡單說，由於晶種端的ΔΤ與圓頂端的ΔΤ不同，導致晶種端的ɛ與圓頂端的ɛ不同。

在晶碇降溫之後，利用切割機把晶碇形狀較差的頭尾兩端移除，接著用磨輪將晶碇研磨到想要的尺寸(例如3英吋至12英吋)。在一些製程中，於晶碇的邊緣研磨出一道平邊或V型槽。此平邊或V型槽適用於作為晶碇的結晶方向的記號或適用於固定晶碇。

接著將晶碇切片，以獲得多個晶圓(Wafer)。舉例來說，將晶碇切片的方法包括以刀具或鋼線配合磨粒(粒如鑽石顆粒)的方式進行切割。在一些情況中，晶圓內部與晶碇一樣殘留有壓應力以及張應力。在一些製程中，將晶圓的邊角磨成導圓角，以避免晶圓的邊角因為碰撞而破裂。

接著，對晶圓執行研磨以及拋光製程，以提升晶圓的表面品質。對晶圓執行研磨以及拋光製程的方法例如包括物理研磨製程以及化學機械研磨製程。物理研磨製程例如是以包含以鑽石顆粒或其他硬度較高的顆粒的研磨液配合拋光墊研磨晶圓表面。物理研磨製程主要是以機械力處理晶圓表面。化學機械研磨製程是以具有腐蝕性的研磨液以及磨料配合拋光墊，對晶圓表面進行研磨。化學機械研磨製程中的具有腐蝕性的研磨液可以與晶圓表面發生化學反應，使晶圓表面凹凸不平的部分轉變成硬度較小的材料，藉此使磨料能更容易的移除晶圓表面凹凸不平的部分。

在經過研磨以及拋光製程之後，晶圓的厚度被減少(例如減少數百微米)。晶圓內部殘留的張應力與壓應力會因為晶圓的厚度減少，而部分釋放(stress relaxation)及力的分布重新組合(stress re-distribution)，進而導致晶圓出現弓形(Bow)及/或撓屈(Warp)之幾何翹曲。

因此，如何在碳化矽晶圓經切割或研磨後改進上述幾何翹曲，是物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport, PVT)長晶，及其半導體材料製程上的重要議題。

本發明提供一種晶圓治具傾斜設計結構，及晶圓處理設備，可藉由較低溫的退火處理，有效地改進晶圓的幾何翹曲。

本發明的晶圓治具結構包括一第一治具、一第二治具及一施力組件。第一治具具有一第一斜面，第二治具具有一第二斜面。第一治具及第二治具相互靠合而使第一斜面朝向第二斜面。施力組件連接於第一治具及第二治具。施力組件包括一第一螺合件、一第二螺合件及一第三螺合件，第一治具連接於第一螺合件，第三螺合件螺合於第一螺合件，第二螺合件螺合於第三螺合件以使第一治具及第二治具位於第一螺合件及第二螺合件之間。

在本發明的一實施例中，當晶圓夾置於第一斜面與第二斜面之間時，第一治具及第二治具共同構成一圓柱狀結構。

在本發明的一實施例中，上述的第一螺合件具有一第一外螺紋，第二螺合件具有一第二外螺紋，第三螺合件具有一內螺紋，第一外螺紋及第二外螺紋適於分別螺合於內螺紋的不同區段。

在本發明的一實施例中，上述的第三螺合件為筒狀且適於容納第一治具、第二治具、至少部分第一螺合件及至少部分第二螺合件。

在本發明的一實施例中，上述的第一治具及第二治具各具有一凹部，第一螺合件及第二螺合件各具有一凸部，各凸部適於嵌入對應的凹部。

在本發明的一實施例中，上述的凹部為一環狀凹溝，凸部為一環狀凸緣。

在本發明的一實施例中，上述的凹部包括一凹錐形結構，凸部包括一凸錐形結構。

在本發明的一實施例中，上述的晶圓治具結構更包括一止擋件，其中第一斜面上具有一凹槽，止擋件可動地配置於凹槽，當第二治具分離於第一治具時，止擋件適於從凹槽突伸出以止擋第一斜面上的晶圓，當第二治具靠合於第一治具時，止擋件被第二治具推抵而埋入於凹槽。

在本發明的一實施例中，上述的晶圓治具結構更包括兩犧牲層，兩犧牲層適於分別配置於第一斜面及第二斜面上以接觸晶圓。

在本發明的一實施例中，上述的各犧牲層為碳化矽擋片或碳化矽CVD鍍膜。

本發明的晶圓治具結構包括一第一治具、一第二治具及一施力組件。第一治具具有一第一斜面，第二治具具有一第二斜面。當第一治具及第二治具相互靠合而將一晶圓夾置於第一斜面與第二斜面之間時，第一斜面及第二斜面相互平行並傾斜於一施壓方向，且第一治具及第二治具適於藉由沿施壓方向施加的一外力而對晶圓施壓。施力組件適於連接於第一治具及第二治具，並施加外力於第一治具及第二治具。施力組件包括一第一螺合件、一第二螺合件及一第三螺合件，第一治具適於連接於第一螺合件，第三螺合件適於螺合於第一螺合件，第二螺合件適於螺合於第三螺合件以使第一治具及第二治具位於第一螺合件及第二螺合件之間，外力由第一螺合件、第二螺合件及第三螺合件之間的螺合力而產生。

本發明的晶圓處理設備包括上述晶圓治具結構及一熱源。熱源適於加熱被夾置於第一斜面與第二斜面之間的晶圓。

基於上述，在本發明的晶圓治具結構中，第一治具及第二治具分別藉由第一斜面及第二斜面夾持晶圓，使晶圓在傾斜的狀態下進行退火處理，而可適當地釋放部分應力。從而，本發明的晶圓治具結構可使晶圓的幾何缺陷藉由退火處理而有效地被改進。

圖1是本發明一實施例的晶圓處理設備的俯視示意圖。請參考圖1，本實施例的晶圓處理設備10包括一晶圓治具結構100及一熱源12。晶圓治具結構100用以固持經切割或研磨的晶圓，熱源12用以加熱被晶圓治具結構100所固持的晶圓，以對晶圓進行退火及潛變處理。在圖1中，僅繪示出熱源12的局部，且將熱源12繪示為以環繞晶圓治具結構100的方式設置，然此僅為示意，熱源12可為任何適當形式的加熱裝置，其例如是將所提供的熱透過晶圓治具結構100傳導至晶圓，可以為熱阻加熱或感應加熱，本發明不對此加以限制。

圖2是圖1的晶圓治具結構的側視圖。圖3是圖2的晶圓治具結構沿I-I線的剖面圖。圖4是圖2的晶圓治具結構的分解圖。圖5是圖2的第一治具及第二治具夾持晶圓的剖面示意圖。請參考圖2至圖4，本實施例的晶圓治具結構100包括一底座105、一第一治具110及一第二治具120。第一治具110及第二治具120的材質例如為石墨，在其他實施例中第一治具110及第二治具120的材質可以是_碳化物，例如TiC、WC、SiC、MoC、BC等材質或W、Mo等高溫抗碳化的金屬材質或金屬化合物，而且第一治具110及第二治具120的材質可以依照製程的設計或需求，選擇不同或相同的材質，本發明不對此加以限制。底座105用以承載第一治具110及第二治具120。第一治具110具有一第一斜面110a，第二治具120具有一第二斜面120a。當第一治具110及第二治具120如圖5所示相互靠合，第一斜面110a朝向該第二斜面120a且第一斜面110a與第二斜面120a之間形成一夾置空間CS，一晶圓W夾置於第一斜面110a與第二斜面120a之間而位於夾置空間CS內，第一治具110及第二治具120例如共同構成圓柱狀結構，且第一斜面110a及第二斜面120a相互平行並沿傾斜方向D3傾斜於一施壓方向D1、D2，施壓方向D1、D2平行於所述圓柱狀結構的軸向A(標示於圖2)。圖1所示的熱源12適於加熱被夾置於第一斜面110a與第二斜面120a之間的晶圓W。第一治具110及第二治具120適於藉由沿施壓方向D1、D2施加的外力而對晶圓W施加退火處理時所需的壓力。本實施例的晶圓治具結構100可藉由任何適當的施力組件或重物對第一治具110及第二治具120施加、調整所述外力，本發明不對此加以限制。

請參考圖3，本實施例的第三螺合件166的內螺紋166a與第一治具110及第二治具120之間具有間距d而不相互接觸，藉以避免第三螺合件166與第一治具110及第二治具120彼此產生作用力而影響第一治具110及第二治具120對晶圓W的施壓。間距d可為2~6毫米，較佳為2.2~5.57毫米，更佳為2.28~5.57毫米，最佳為2~3毫米。

圖6是圖5的第一治具、第二治具及晶圓的局部放大圖。請參考圖6，當第一治具110及第二治具120夾持晶圓W時，第一治具110的外圍部分110d及第二治具120的外圍部分120d圍繞夾置空間CS及其內的晶圓W，且第一治具110的外圍部分110d與第二治具120的外圍部分120d之間具有間隙G而不相互接觸，藉以避免第一治具110與第二治具120在施壓方向D1、D2彼此產生作用力而影響其對晶圓W的施壓。所述間隙G大於0，其例如約為200微米。

如上所述，本實施例的第一治具110及第二治具120分別藉由第一斜面110a及第二斜面120a夾持晶圓W，使晶圓W在傾斜的狀態下進行退火處理，使晶圓W的幾何翹曲藉由退火潛變處理而有效地被改進。具體而言，在晶圓W內殘留有張應力與壓應力的情況下，晶圓W經過研磨和拋光而變薄後，所述應力對其的影響程度逐漸變大而會使其產生弓形(Bow)及/或撓屈(Warp)之幾何變化。其中，所述張應力與壓應力例如具有使晶圓W的弓形值往負值變化的趨勢。為了改善此幾何缺陷，本實施例在溫度約為攝氏1200〜1600度且壓力約為100~1000 Mpa的石墨加熱還原爐中，藉由第一治具110及第二治具120對已切割且尚未研磨、拋光的晶圓W或已經研磨過，但未拋光的晶圓施加外部壓縮力。晶圓W因第一治具110的第一斜面110a及第二治具120的第二斜面120a之設置而為傾斜狀態，即，晶圓W的碳面之法線為傾斜並沿著＜11-20＞方向延伸。從而，只要第一治具110及第二治具120對晶圓W所施加的外部壓縮力超過某個臨界值，所述剪切力就會驅動現有的差排沿＜11-20＞方向在晶圓W的碳面上滑動而消除平行於晶圓W的碳面的剪切力，碳化矽晶體的內差排可在＜0001＞結晶面沿著＜11-20＞方向用最小的剪力驅使滑移達到退火潛變功效，其中晶圓W的傾斜角越小，所需的外部壓縮力就越大。差排的滑動和爬升使晶圓W中的殘餘應力部分地被釋放。在本實施例中，例如在預定溫度(如上述的攝氏1200〜1600度)下執行上述施加外部壓縮力之過程持續1~3小時，然後關閉爐電源。晶圓W的弓形值經此方式處理後有所改善，甚至成為正的弓形值，依據11a及11b的表面曲率設計所變動，其中第一斜面110a及第二斜面120a例如具有預定的正的弓形(Bow)值而不會阻礙夾置於其間的晶圓W的弓形值成為正，例如圖_7_，在其他實施例中，第一斜面110a及第二斜面120a亦可以具有預定的負弓形(bow)值，或依照製程設計或需求，藉由改變11a及11b的表面曲率而具有大小不同或相同的預定弓形(bow)值。接著，經過進一步研磨和拋光(如透過化學機械研磨，CMP)使晶圓W變薄後，所述應力對晶圓W的影響程度逐漸變大而使其弓形值往負值變化，並且由於晶圓W在進行研磨、拋光前已先如上述般藉由熱處理而具有正的弓形值，故在進行研磨、拋光後其弓形值因所述應力的影響而改變成為介於-25微米與25微米之間的正常值，甚至成為介於-15微米與15微米之間的正常值。

在本實施例中，第一斜面110a及第二斜面120a相對於施壓方向D1、D2的傾角可介於0~45度之間，較佳為15~35度之間，更佳為20~30度之間，再佳為22~28度之間，最佳為25度。藉由將第一斜面110a及第二斜面120a的傾角設計為上述角度，可使其傾斜方向大致對應於前述的＜11-20＞方向，以如上述般使差排沿＜11-20＞方向在晶圓W的碳面上滑動而消除平行於晶圓W的碳面的剪切力。

本實施例的晶圓治具結構100更可包括圖5所示的兩犧牲層140。兩犧牲層140可分別配置於第一治具110的第一斜面110a及第二治具120的第二斜面120a上以接觸晶圓W，避免晶圓W直接接觸第一治具110及第二治具120而在高溫下非預期地產生化學反應。舉例來說，若晶圓W的材質為碳化矽，則犧牲層140的材質可相同於晶圓W的材質而為碳化矽擋片，然本發明不以此為限。圖8是本發明另一實施例的第一治具、第二治具及晶圓的局部放大圖。圖8所示實施例與圖6所示實施例的不同處在於，圖8的第一治具110及第二治具120分別在第一斜面110a及第二斜面120a上塗佈有碳化矽CVD鍍膜而構成犧牲層140’。

在其他實施例中，第一斜面110a及第二斜面120a可分別具有凹陷部，從而在犧牲層140是晶圓的情況下，該晶圓可定位於所述凹陷部內而較不易滑落。所述凹陷部的深度大於犧牲層的厚度。

晶圓治具結構100更包括一施力組件160，施力組件160適於連接於第一治具110及第二治具120，並施加所述外力於第一治具110及第二治具120。

詳細而言，本實施例的施力組件160包括一第一螺合件162、一第二螺合件164及一第三螺合件166，第一螺合件162具有一第一外螺紋162a，第二螺合件164具有一第二外螺紋164a，第三螺合件166為筒狀且具有一內螺紋166a，第一外螺紋162及第二外螺紋164適於分別螺合於內螺紋166a的不同區段。使用者可先將第一治具110連接於第一螺合件162，再將第三螺合件166的內螺紋166a螺合於第一螺合件162的第一外螺紋162a，使第一治具110及第一螺合件162被容納於第三螺合件166內部。接著，在第一治具110上已承載有晶圓的情況下，使用者可將第二治具120容納於第三螺合件166內部而使第二治具120與第一治具110共同夾置晶圓。然後，使用者可將第二螺合件164的第二外螺紋164a螺合於第三螺合件166的內螺紋166a而使至少部分第二螺合件164容納於第三螺合件166內部，並使第一治具110及第二治具120位於第一螺合件162及第二螺合件164之間。此時，第一螺合件162及第二螺合件164分別抵頂第一治具110及第二治具120。從而，藉由第一螺合件162、第二螺合件164及第三螺合件166之間的螺合力可產生所述外力，且此外力的大小可藉由改變所述螺合力的大小而被調整。在本實施例中，例如是利用可施加預定扭力的扭力扳手來旋轉第二螺合件164，以準確地調整所述外力的大小。

圖9繪示以另一視角觀察圖4的晶圓治具結構。請參考圖4及圖9，在本實施例中，第一治具110及第二治具120各具有一凹部C1，第一螺合件162及第二螺合件164各具有一凸部P1。各凹部C1例如為環狀凹溝，各凸部P1例如為環狀凸緣，且各凸部P1適於嵌入對應的凹部C1，以使第一治具110及第二治具120分別穩固地與第一螺合件162及第二螺合件164結合。

圖10是圖4的晶圓治具結構的局部放大圖，其對應於圖4的區域R。圖11A及圖11B是圖4的止擋件的作動流程圖。本實施例的晶圓治具結構100更包括圖10所示的一止擋件170。相應地，第一治具110的第一斜面110a上具有一凹槽110c，止擋件170可動地配置於凹槽110c。當第二治具120分離於第一治具110時，止擋件170如圖11A所示從凹槽110c突伸出而可止擋第一斜面110a上的晶圓，避免晶圓滑離第一治具110。當第二治具120靠合於第一治具110時，止擋件170如圖11B所示被第二治具120推抵而埋入於凹槽110c。

圖12是本發明另一實施例的晶圓治具結構的部分構件分解圖。圖12所示實施例與圖4所示實施例的不同處在於，圖12的凸部P2及凹部C2分別為凸錐形結構及凹錐形結構，使第一螺合件162及第二螺合件164藉由所述凸錐形結構及所述凹錐形結構的相互配合而可確實地對位於第一治具110及第二治具120。

圖13是本發明另一實施例的晶圓治具結構的部分構件分解圖。圖13所示實施例與圖12所示實施例的不同處在於，圖13的凹部C3包括平行於施壓方向D1、D2的一內表面C31，凸部P3包括平行於施壓方向D1、D2的一外表面P31，內表面C31與外表面P31適於相互靠合。藉由內表面C31與外表面P31的相互配合，可增加第一及第二螺合件162、164與第一及第二治具110、120之間的側向的止擋力，其可抵抗施加於第一治具110及第二治具的外力在所述傾斜方向上的分力，從而所述外力的上限可相應增加。

圖14是本發明另一實施例的晶圓治具結構的部分構件分解圖。圖14所示實施例與圖12及圖13所示實施例的不同處在於，圖14的凸部P4及凹部C4分別包括凸錐形結構及凹錐形結構，且凹部C4更包括平行於施壓方向D1、D2的一內表面C41，凸部P4更包括平行於施壓方向D1、D2的一外表面P41，內表面C41與外表面P41適於相互靠合。藉此，第一螺合件162及第二螺合件164藉由所述凸錐形結構及所述凹錐形結構的相互配合而可確實地對位於第一治具110及第二治具120，且藉由內表面C41與外表面P41的相互配合，可增加第一及第二螺合件162、164與第一及第二治具110、120之間的側向的止擋力，其可抵抗施加於第一治具110及第二治具的外力在所述傾斜方向上的分力，從而所述外力的上限可相應增加。

10:晶圓處理設備 12:熱源 100、100A、100B:晶圓治具結構 105:底座 110:第一治具 110a:第一斜面 110c:凹槽 110d、120d:外圍部分 120:第二治具 120a:第二斜面 140、140’:犧牲層 160:施力組件 162:第一螺合件 162a:第一外螺紋 164:第二螺合件 164a:第二外螺紋 166:第三螺合件 166a:內螺紋 170:止擋件 A:軸向 CS:夾置空間 C1~C4:凹部 C31、C41:內表面 D1、D2:施壓方向 D3:傾斜方向 d:間距 G:間隙 P1~P4:凸部 P31、P41:外表面 R:區域 W:晶圓

圖1是本發明一實施例的晶圓處理設備的俯視示意圖。 圖2是圖1的晶圓治具結構的側視圖。 圖3是圖2的晶圓治具結構沿I-I線的剖面圖。 圖4是圖2的晶圓治具結構的分解圖。 圖5是圖2的第一治具及第二治具夾持晶圓的剖面示意圖。 圖6是圖5的第一治具、第二治具及晶圓的局部放大圖。 圖7繪示圖5的第一斜面及第二斜面具有正的弓形值。 圖8是本發明另一實施例的第一治具、第二治具及晶圓的局部放大圖。 圖9繪示以另一視角觀察圖4的晶圓治具結構。 圖10是圖4的晶圓治具結構的局部放大圖。 圖11A及圖11B是圖4的止擋件的作動流程圖。 圖12是本發明另一實施例的晶圓治具結構的部分構件分解圖。 圖13是本發明另一實施例的晶圓治具結構的部分構件分解圖。 圖14是本發明另一實施例的晶圓治具結構的部分構件分解圖。

110:第一治具

110a:第一斜面

110d、120d:外圍部分

120:第二治具

120a:第二斜面

140:犧牲層

CS:夾置空間

D1、D2:施壓方向

D3:傾斜方向

W:晶圓

Claims (13)

1. 一種晶圓治具結構，包括：一第一治具，具有一第一斜面；一第二治具，具有一第二斜面，其中該第一治具及該第二治具相互靠合而使該第一斜面朝向該第二斜面；以及一施力組件，連接於該第一治具及該第二治具，其中該施力組件包括一第一螺合件、一第二螺合件及一第三螺合件，該第一治具連接於該第一螺合件，該第三螺合件螺合於該第一螺合件，該第二螺合件螺合於該第三螺合件以使該第一治具及該第二治具位於該第一螺合件及該第二螺合件之間。
2. 如請求項1所述的晶圓治具結構，其中當該晶圓夾置於該第一斜面與該第二斜面之間時，該第一治具及該第二治具共同構成一圓柱狀結構。
3. 如請求項1所述的晶圓治具結構，其中該第一螺合件具有一第一外螺紋，該第二螺合件具有一第二外螺紋，該第三螺合件具有一內螺紋，該第一外螺紋及該第二外螺紋適於分別螺合於該內螺紋的不同區段。
4. 如請求項1所述的晶圓治具結構，其中該第三螺合件為筒狀且適於容納該第一治具、該第二治具、至少部分該第一螺合件及至少部分該第二螺合件。
5. 如請求項1所述的晶圓治具結構，其中該第一治具及該第二治具各具有一凹部，該第一螺合件及該第二螺合件各具有一凸部，各該凸部適於嵌入對應的該凹部。
6. 如請求項5所述的晶圓治具結構，其中該凹部為一環狀凹溝，該凸部為一環狀凸緣。
7. 如請求項5所述的晶圓治具結構，其中該凹部包括一凹錐形結構，該凸部包括一凸錐形結構。
8. 如請求項1所述的晶圓治具結構，更包括一止擋件，其中該第一斜面上具有一凹槽，該止擋件可動地配置於該凹槽，當該第二治具分離於該第一治具時，該止擋件適於從該凹槽突伸出以止擋該第一斜面上的該晶圓，當該第二治具靠合於該第一治具時，該止擋件被該第二治具推抵而埋入於該凹槽。
9. 如請求項1所述的晶圓治具結構，更包括兩犧牲層，該兩犧牲層適於分別配置於該第一斜面及該第二斜面上以接觸該晶圓。
10. 如請求項9所述的晶圓治具結構，其中各該犧牲層為碳化矽擋片或碳化矽CVD鍍膜。
11. 一種晶圓治具結構，包括：一第一治具，具有一第一斜面；一第二治具，具有一第二斜面，其中當該第一治具及該第二治具相互靠合而將一晶圓夾置於該第一斜面與該第二斜面之間時，該第一斜面及該第二斜面相互平行並傾斜於一施壓方向，且 該第一治具及該第二治具適於藉由沿該施壓方向施加的一外力而對該晶圓施壓；以及一施力組件，適於連接於該第一治具及該第二治具，並施加該外力於該第一治具及該第二治具，其中該施力組件包括一第一螺合件、一第二螺合件及一第三螺合件，該第一治具適於連接於該第一螺合件，該第三螺合件適於螺合於該第一螺合件，該第二螺合件適於螺合於該第三螺合件以使該第一治具及該第二治具位於該第一螺合件及該第二螺合件之間，該外力由該第一螺合件、該第二螺合件及該第三螺合件之間的螺合力而產生。
12. 一種晶圓處理設備，包括：一如請求項11所述的晶圓治具結構；以及一熱源，適於加熱被夾置於該第一斜面與該第二斜面之間的該晶圓。
13. 如請求項1所述的晶圓治具結構，其中該第三螺合件的內螺紋與該第一治具及該第二治具之間具有間距。

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