[go: up one dir, main page]

CN103563055A - 制造碳化硅基板的方法 - Google Patents

制造碳化硅基板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103563055A
CN103563055A CN201280025086.2A CN201280025086A CN103563055A CN 103563055 A CN103563055 A CN 103563055A CN 201280025086 A CN201280025086 A CN 201280025086A CN 103563055 A CN103563055 A CN 103563055A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon carbide
substrate
carbide substrate
chamfered portion
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201280025086.2A
Other languages
English (en)
Inventor
冲田恭子
藤原伸介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Publication of CN103563055A publication Critical patent/CN103563055A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • H10P90/128—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/06—Joining of crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/40—Crystalline structures
    • H10D62/405—Orientations of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H10D62/832—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge being Group IV materials comprising two or more elements, e.g. SiGe
    • H10D62/8325—Silicon carbide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

一种制造碳化硅基板(3)的方法，包括如下步骤：制备单晶碳化硅的坯料；通过切割该坯料来获得碳化硅基板(3)；以及，在包括碳化硅基板(3)的外周表面的区域中形成倒角部(3C,3D,3E)，其中，在获得碳化硅基板(3)的步骤中，切割该坯料，使得碳化硅基板(3)的主表面(3A)相对于{0001}面形成10°以上的角度。

Description

制造碳化硅基板的方法
技术领域
本发明涉及一种制造碳化硅基板的方法，更具体地，涉及如下一种制造碳化硅基板的方法：该方法能够抑制在倒角部的形成期间的破碎的发生。
背景技术
近年来，为了实现半导体设备的较高击穿电压、较低损失以及其在高温环境下的使用等，已越来越多地采用碳化硅作为形成半导体设备的材料。碳化硅是一种宽带隙半导体，其带隙大于传统上广泛用作半导体设备形成材料的硅。因此，通过采用碳化硅作为形成半导体设备的材料，能够实现半导体设备的较高击穿电压、较低导通电阻等。另外，采用碳化硅作为材料的半导体设备也比采用硅作为材料的半导体设备更有优势，其优势在于：在高温环境下使用时的特性恶化较小。
例如，通过如下方式来制造使用碳化硅作为材料的半导体设备：在碳化硅基板上形成外延生长层；在该外延生长层中形成已引入所期望的杂质的区域；最后，形成电极。通常，通过切割（切片）碳化硅的晶体（坯料）来制造碳化硅基板。然而，碳化硅具有极高硬度，因而，碳化硅的切割并不容易。为此，已经对切割碳化硅晶体的方法进行了各种研究，并且提出了各种方法（例如，参见日本专利特开No.2009-61528(专利文献1)）。
<引用文献清单>
专利文献
专利文献1:日本专利特开No.2009-61528
发明内容
<技术问题>
在如上所述地制造的碳化硅基板中，优选在包括外周表面的区域中形成倒角部，以提高后续处理的容易度。然而，如果在未采用任何措施的情况下形成倒角部，则该倒角部中将发生破碎。
为了解决上述问题，已做出了本发明，并且，本发明的一个目的是提供一种制造碳化硅基板的方法，该方法能够抑制在倒角部的形成期间的破碎的发生。
<问题解决方案>
根据本发明的制造碳化硅基板的方法包括如下步骤：制备单晶碳化硅的晶体；通过切割该晶体来获得基板；以及，在包括该基板的外周表面的区域中形成倒角部。在上述获得基板的步骤中，切割所述晶体，使得基板的主表面相对于{0001}面形成不小于10°的角度。
本发明人针对在倒角部的形成期间抑制发生破碎的措施进行了详细研究，获得了以下发现，并由此得到了本发明。
即，本发明人专注于所述破碎的发生位置和基板主表面的平面取向，并研究所述破碎的发生频率。结果，本发明人发现，这种破碎可能发生在碳化硅基板的硅平面侧的主表面和与该主表面相连的倒角部之间的边界部分处。然后，本发明人发现，当通过切割碳化硅晶体来获得基板时，在以如下方式获得的基板中明显抑制了上述破碎的发生：即，切割上述晶体，使得基板的主表面相对于{0001}面形成不小于预定值的角度，更具体地，形成不小于10°的角度。
在根据本发明的制造碳化硅基板的方法中，在获得基板的步骤中，切割所述晶体，使得基板的主表面相对于{0001}面形成不小于10°的角度。结果，通过根据本发明的制造碳化硅基板的方法，能够抑制在倒角部的形成期间的破碎的发生。
应当注意，六边形的碳化硅单晶具有作为硅平面的(0001)面和作为碳平面的(000-1)面，硅原子排列在该硅平面的表面中，该碳平面形成在与(0001)面的相反侧并且碳原子排列在该碳平面中。另外，上述硅平面侧的主表面是指靠近硅平面的一侧上的主表面。
在所述制造碳化硅基板的方法中，在形成倒角部的步骤中，可以将倒角部形成为使得：该倒角部中的与基板的硅平面侧的主表面相连的区域的表面相对于(0001)面形成不小于20°的角度。
根据本发明人的研究，如果该倒角部中的与基板的硅平面侧的主表面相连的区域的表面相对于(0001)面形成小于20°的较小角度，则可能发生破碎。因此，能够通过如下方式来抑制所述破碎的发生：即，将倒角部形成为使得该倒角部中的、与基板的硅平面侧的主表面相连的区域的表面相对于(0001)面形成不小于20°的角度。
在所述制造碳化硅基板的方法中，在形成倒角部的步骤中，可将该倒角部形成为使得：如果θ°表示被形成为与基板的硅平面侧的主表面相连的倒角部中的倒角角度，而L mm表示倒角部中的倒角宽度，则θ/L大于30但小于200。
通常，通过如下方式进行倒角加工：把诸如抛光液的液体供应到基板的外周表面，同时，使磨石接触该外周表面并使基板在周向方向上旋转。在此情况下，如果倒角宽度小，则抛光液未充分供应到正加工的部分，并且可能发生破碎。另一方面，如果增大该倒角角度，则抑制了破碎的发生。考虑到倒角宽度和倒角角度这二者的影响，通过将θ/L设定为大于30，能够有效地抑制破碎的发生。另一方面，如果θ/L不小于200，则倒角部的表面几乎垂直于所述主表面，这会导致可能发生破碎的问题。因此，优选地，θ/L大于30，但小于200。
在本文中，“倒角角度”是指在包括主表面的平坦表面与包括倒角部（该倒角部与主表面相连）的曲面之间形成的角度中的锐角。此外，“倒角宽度”是指在通过倒角加工而加工过的区域的、沿径向方向的长度。
在所述制造碳化硅基板的方法中，在形成倒角部的步骤中，可以将倒角部形成为使得：倒角半径不小于0.1mm，但不大于0.3mm。
如果倒角半径小于0.1mm，则外周部分将是尖的，这会导致可能发生破碎的问题。另一方面，如果倒角半径大于0.3mm，则外周表面(外周曲面)几乎垂直于与该外周表面相连的倾斜面，这会导致可能发生破碎的问题。因此，优选地，倒角半径不小于0.1mm，但不大于0.3mm。应当注意，“倒角半径”是指：在经过倒角加工的基板的厚度方向上的截面中的、形成在基板外周表面处的曲面的曲率半径。
在所述制造碳化硅基板的方法中，在形成倒角部的步骤中，可以在基板的包括如下外周表面的区域中形成倒角部：该外周表面在基板的硅平面侧具有凹陷形状。
当在硅平面侧的主表面处具有凹陷形状的区域中形成倒角部时，上述破碎尤其可能发生。当在尤其可能发生破碎的情形下执行倒角加工时，能够抑制破碎的发生的、根据本发明的制造碳化硅基板的方法特别适合。
在所述制造碳化硅基板的方法中，在形成倒角部的步骤中，可以将倒角部形成为使得：倒角宽度的变化在100μm以内。倒角宽度的变化会引起基板的翘曲。通过将该变化设在100μm以内，能够减少所制造的碳化硅基板的翘曲。应当注意，“倒角宽度的变化”是指倒角宽度的最大值与最小值之差。
<本发明的有益效果>
从上文的描述中清楚可知，通过根据本发明的制造碳化硅基板的方法，可以提供一种能够抑制在倒角部的形成期间的破碎的发生的、制造碳化硅基板的方法。
附图说明
图1是示出了单晶碳化硅的坯料的示意性透视图；
图2是示出了切割该坯料的方法的示意性平面图；
图3是示出了通过切割该坯料而获得的基板的示意性透视图；
图4是示出了该基板的倒角部的形状的示意性局部截面图；
图5是示意性截面图，示出了基板的变形状态与期望形成倒角部的区域之间的关系；
图6是示意性截面图，示出了基板的变形状态与期望形成倒角部的区域之间的关系。
具体实施方式
下面，将参考附图来描述本发明的实施例。应当注意，在后附的附图中，相同或相应的元件被赋予同样的附图标记，并且将不重复其描述。另外，在本文中，单独的取向、共同的取向、单独的平面和共同的平面分别用[]、<>、()和{}表示。此外，在结晶学上，负的指数应该用顶上带有横线“-”的数字表示，然而在本说明书中，将负号放在数字之前。
首先，将描述本发明的一个实施例中的制造碳化硅基板的方法。参考图1，在该实施例的制造碳化硅基板的方法中，首先执行如下步骤：制备单晶碳化硅的晶体。具体地，例如，通过下文描述的升华法（sublimation method）来制造单晶碳化硅的坯料。即，首先把由单晶碳化硅构成的籽晶和由碳化硅构成的源材料粉末放置在由石墨构成的容器内。然后，加热该源材料粉末，由此，所述碳化硅升华并在籽晶上重结晶。在这种情况下，在引入所期望的杂质（例如氮）的同时进行重结晶。因此，获得了如图1所示的、单晶碳化硅的坯料1。这里，通过将坯料1的生长方向设定为如图1所示的<0001>方向，能够有效地制造坯料1。
接下来，通过切割所制造的坯料1来制造基板。具体地，参考图2，首先，将所制造的、柱体（圆柱体）形状的坯料1设定成使得其侧表面的一部分由支架2支撑。然后，在沿着坯料1的直径方向的方向上移动的线9沿着切割方向α靠近坯料1，使得线9与坯料1彼此接触，该切割方向α是与所述移动方向垂直的方向。然后，随着线9继续沿着切割方向α移动，坯料1被切断。因此，获得了如图3所示的碳化硅基板3。在该情形中，坯料1被切割，使得碳化硅基板3的主表面3A相对于构成碳化硅基板3的碳化硅单晶的{0001}面形成不小于10°的角度。
接下来，执行倒角加工，该倒角加工用于在包括所获得的碳化硅基板3的外周表面的区域中形成倒角部。更具体地，参考图4，例如，在包括通过切割（切片）上述坯料1而获得的碳化硅基板3的外周表面的区域中形成倒角部，该倒角部包括：第一倾斜面3C，该第一倾斜面3C连接到作为硅平面侧的主表面的一个主表面3A，并且，该第一倾斜面3C具有倾斜的锥面形状，以减小碳化硅基板3的厚度；第二倾斜面3D，该第二倾斜面3D连接到作为碳平面侧的主表面的另一个主表面3B，并且，该第二倾斜面3D具有倾斜的锥面形状，以减小碳化硅基板3的厚度；以及外周曲面3E，该外周曲面3E具有将第一倾斜面3C和第二倾斜面3D相连的曲面形状(环面的形状)。之后，例如通过抛光来整平该碳化硅基板3的主表面3A、3B，从而，完成本实施例中的碳化硅基板3。
在本实施例的制造碳化硅基板的方法中，切割坯料1，使得碳化硅基板3的主表面3A相对于{0001}面形成不小于10°的角度。因此，在硅平面侧的主表面3A与第一倾斜面3C之间的边界部分处抑制了破碎的发生，其中，在该边界部分处，在倒角加工期间可能会发生破碎。
此外，在本实施例的制造碳化硅基板的方法中，当执行倒角加工时，优选将该倒角部形成为使得第一倾斜面3C相对于(0001)面形成不小于20°的角度，该第一倾斜面3C作为倒角部中的与碳化硅基板3的硅平面侧的主表面3A相连的区域的表面。由此，能够进一步抑制破碎的发生。
此外，在本实施例的制造碳化硅基板的方法中，当执行倒角加工时，参考图4，优选将倒角部形成为使得：如果θ°表示被形成为与基板3的硅平面侧的主表面3A相连的倒角部中的倒角角度，而L mm表示该倒角部中的倒角宽度，则θ/L大于30但小于200。由此，能够进一步抑制破碎的发生。
此外，在本实施例的制造碳化硅基板的方法中，当执行倒角加工时，参考图4，优选将倒角部形成为使得：倒角半径不小于0.1mm，但不大于0.3mm。由此，能够进一步抑制破碎的发生。应当注意，图4中的O表示在经过倒角加工的碳化硅基板3的厚度方向上的截面中的、形成在基板外周表面处的曲面的曲率中心。
此外，在本实施例的制造碳化硅基板的方法中，当执行倒角加工时，可以在碳化硅基板3的包括如下外周表面的区域中形成倒角部：该外周表面在碳化硅基板3的硅平面侧的主表面3A处具有凹陷形状。根据本实施例中的制造碳化硅基板的方法，即使在可能发生破碎的条件，也能够抑制破碎的发生。
更具体地，取决于切割坯料1时的条件等的影响，能够将碳化硅基板3变形为各种形状。例如，当把整个碳化硅基板3变形为如图5所示的弧形形状时，优选至少在包括如下的外周表面3G的区域（即，图5的左右两侧的每个区域α）中形成倒角部：该外周表面3G在硅平面侧的主表面3A处具有凹陷形状。此外，当把碳化硅基板3变形为如图6所示的波状形状时，优选至少在包括如下的外周表面3G的区域α（即，图6左侧的区域α）中形成倒角部：该外周表面3G在硅平面侧的主表面3A处具有凹陷形状。在该情形中，倒角部不仅可以形成在图5和6中的可能发生破碎的区域α中，还可以形成在包括外周表面3G的其他区域中（即，沿着除了区域α以外的外周表面3G的区域），并且，倒角部可以形成在包括区域α在内的整个外周上。
此外，在本实施例的制造碳化硅基板的方法中，当执行倒角加工时，优选将倒角部形成为使得：在整个外周上，倒角宽度L的变化范围在100μm以内。由此，能够减少碳化硅基板3的翘曲。
<示例>
进行实验来调查如下关系：即，当在碳化硅基板上执行倒角加工时，在基板主表面和(0001)面之间形成的角度与破碎的发生之间的关系。该实验的过程如下：
首先，通过与上述实施例相同的方法来制备坯料并将其切片，以制造碳化硅基板。在此情形中，将该坯料切片，使得碳化硅基板的硅平面侧的主表面相对于(0001)面具有在0°到80°范围内的角度，即，从(0001)面的偏离角度。另外，采用了三个偏离方向，即<10-10>方向、<11-20>方向和<31-10>方向。然后，在所制造的碳化硅基板上执行倒角加工，以形成如下形状的倒角部：即，具有25°的倒角角度θ、0.2mm的倒角长度L和0.2mm的倒角半径。此外，该倒角加工使用了金刚石磨粒尺寸为#600的电沉积磨石。在倒角加工结束之后，调查是否发生了破碎。表1至表3示出了实验结果。
[表1]
Figure BDA0000420597040000091
[表2]
[表3]
Figure BDA0000420597040000093
如上表1至3所示，与偏离方向无关，当从(0001)面的偏离角度为0°和5°时，发生了破碎，而当从(0001)面的偏离角度不小于10°（更具体地，不小于10°但不大于80°）时，未发生破碎。因此，可以确认，当在碳化硅基板上执行倒角加工时，通过把基板主表面与(0001)面之间形成的角度设定为不小于10°，能够抑制破碎的发生。
应当理解，在此公开的实施例和示例在每一方面都是说明性而非限制性的。本发明的范围由各权利要求的方案来限定，而不是由上述说明来限定，并且，本发明的范围旨在包括落入权利要求的方案及其等同物的范围内的任何变型。
<工业实用性>
有利地，根据本发明的制造碳化硅基板的方法尤其适用于需要抑制在倒角部的形成期间的破碎的发生的、碳化硅基板的制造。
附图标记列表
1:坯料，2:支架，3:碳化硅基板，3A、3B主表面，3C:第一倾斜面，3D:第二倾斜面，3E:外周曲面，3G:外周表面，9:线。

Claims (6)

1.一种制造碳化硅基板(3)的方法，包括如下步骤：
制备单晶碳化硅的晶体(1)；
通过切割所述晶体(1)来获得基板(3)；以及
在包括所述基板(3)的外周表面(3G)的区域中形成倒角部(3C,3D,3E)，
在获得所述基板(3)的步骤中，切割所述晶体(1)，使得所述基板(3)的主表面(3A)相对于{0001}面形成不小于10°的角度。
2.根据权利要求1所述的制造碳化硅基板(3)的方法，其中，在形成所述倒角部(3C,3D,3E)的步骤中，将所述倒角部(3C,3D,3E)形成为使得：所述倒角部(3C,3D,3E)中的与所述基板(3)的硅平面侧的所述主表面(3A)相连的区域的表面(3C)相对于(0001)面形成不小于20°的角度。
3.根据权利要求1或2所述的制造碳化硅基板(3)的方法，其中，在形成所述倒角部(3C,3D,3E)的步骤中，将所述倒角部(3C,3D,3E)形成为使得：如果θ°表示被形成为与所述基板(3)的硅平面侧的所述主表面(3A)相连的所述倒角部(3C,3D,3E)中的倒角角度，而L mm表示所述倒角部(3C,3D,3E)中的倒角宽度，则θ/L大于30但小于200。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的制造碳化硅基板(3)的方法，其中，在形成所述倒角部(3C,3D,3E)的步骤中，将所述倒角部(3C,3D,3E)形成为使得：倒角半径不小于0.1mm，但不大于0.3mm。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造碳化硅基板(3)的方法，其中，在形成所述倒角部(3C,3D,3E)的步骤中，在所述基板(3)的包括如下的外周表面(3G)的区域中形成所述倒角部(3C,3D,3E)：该外周表面(3G)在所述基板(3)的硅平面侧具有凹陷形状。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的制造碳化硅基板(3)的方法，其中，在形成所述倒角部(3C,3D,3E)的步骤中，将所述倒角部(3C,3D,3E)形成为使得：倒角宽度的变化范围在100μm以内。
CN201280025086.2A 2011-06-23 2012-06-19 制造碳化硅基板的方法 Pending CN103563055A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011139145A JP2013008769A (ja) 2011-06-23 2011-06-23 炭化珪素基板の製造方法
JP2011-139145 2011-06-23
PCT/JP2012/065595 WO2012176755A1 (ja) 2011-06-23 2012-06-19 炭化珪素基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103563055A true CN103563055A (zh) 2014-02-05

Family

ID=47360622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280025086.2A Pending CN103563055A (zh) 2011-06-23 2012-06-19 制造碳化硅基板的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120325196A1 (zh)
JP (1) JP2013008769A (zh)
CN (1) CN103563055A (zh)
DE (1) DE112012002597T5 (zh)
WO (1) WO2012176755A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110468446A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 硅晶体有限公司 倒角的碳化硅衬底以及倒角的方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012165108A1 (ja) 2011-06-02 2012-12-06 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板の製造方法
JP6233058B2 (ja) 2013-09-25 2017-11-22 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体基板の製造方法
JP6668674B2 (ja) * 2015-10-15 2020-03-18 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板
CN108369893B (zh) 2015-11-24 2022-07-19 住友电气工业株式会社 碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及制造碳化硅半导体器件的方法
EP3567139B1 (en) 2018-05-11 2021-04-07 SiCrystal GmbH Chamfered silicon carbide substrate and method of chamfering

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020179244A1 (en) * 1999-12-27 2002-12-05 Takahiro Hashimoto Wafer for evaluating machinability of periphery of wafer and method for evaluating machinability of periphery of wafer
CN1964088A (zh) * 2005-11-09 2007-05-16 日立电线株式会社 Ⅲ族氮化物半导体基板
WO2010119792A1 (ja) * 2009-04-15 2010-10-21 住友電気工業株式会社 基板、薄膜付き基板、半導体装置、および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58103144U (ja) * 1981-12-29 1983-07-13 三菱マテリアル株式会社 ＧａＡｓ面取りウエハ−
US4655191A (en) * 1985-03-08 1987-04-07 Motorola, Inc. Wire saw machine
JPH0635107B2 (ja) * 1987-12-26 1994-05-11 株式会社タカトリハイテック ワイヤソー
JP2571477B2 (ja) * 1991-06-12 1997-01-16 信越半導体株式会社 ウエーハのノッチ部面取り装置
CH690845A5 (de) * 1994-05-19 2001-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür.
TW355151B (en) * 1995-07-07 1999-04-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd A method for cutting single chip material by the steel saw
JP3397968B2 (ja) * 1996-03-29 2003-04-21 信越半導体株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
CH691045A5 (fr) * 1996-04-16 2001-04-12 Hct Shaping Systems Sa Procédé pour l'orientation de plusieurs pièces cristallines posées côte à côte sur un support de découpage en vue d'une découpe simultanée dans une machine de découpage et dispositif pour la
JP3984655B2 (ja) * 1997-05-07 2007-10-03 アシュセテ シェーピング システムズ ソシエテ アノニム 少なくとも２層の糸の角交差を利用した薄片カット用の糸によるスライス装置
EP1215730B9 (en) * 1999-09-07 2007-08-01 Sixon Inc. SiC WAFER, SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD OF SiC WAFER
DE19959414A1 (de) * 1999-12-09 2001-06-21 Wacker Chemie Gmbh Vorrichtung zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
CH697024A5 (fr) * 2000-09-28 2008-03-31 Hct Shaping Systems Sa Dispositif de sciage par fil.
JP4162892B2 (ja) * 2002-01-11 2008-10-08 日鉱金属株式会社 半導体ウェハおよびその製造方法
JP4256214B2 (ja) * 2003-06-27 2009-04-22 株式会社ディスコ 板状物の分割装置
JP4684569B2 (ja) * 2004-03-31 2011-05-18 株式会社ディスコ テープ拡張装置
JP4447392B2 (ja) * 2004-07-23 2010-04-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法および分割装置
JP4511903B2 (ja) * 2004-10-20 2010-07-28 株式会社ディスコ ウエーハの分割装置
JP4748968B2 (ja) * 2004-10-27 2011-08-17 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
US7422634B2 (en) * 2005-04-07 2008-09-09 Cree, Inc. Three inch silicon carbide wafer with low warp, bow, and TTV
JP4951914B2 (ja) * 2005-09-28 2012-06-13 信越半導体株式会社 （１１０）シリコンウエーハの製造方法
JP4742845B2 (ja) * 2005-12-15 2011-08-10 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの面取り部の加工方法及び砥石の溝形状の修正方法
JP4915146B2 (ja) * 2006-06-08 2012-04-11 信越半導体株式会社 ウェーハの製造方法
DE102008051673B4 (de) * 2008-10-15 2014-04-03 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen Auftrennen eines Verbundstabs aus Silicium in eine Vielzahl von Scheiben
KR20120024767A (ko) * 2009-09-24 2012-03-14 스미토모덴키고교가부시키가이샤 탄화규소 잉곳, 탄화규소 기판, 이들의 제조 방법, 도가니, 및 반도체 기판
JP2011129740A (ja) * 2009-12-18 2011-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ分割装置およびレーザー加工機

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020179244A1 (en) * 1999-12-27 2002-12-05 Takahiro Hashimoto Wafer for evaluating machinability of periphery of wafer and method for evaluating machinability of periphery of wafer
CN1964088A (zh) * 2005-11-09 2007-05-16 日立电线株式会社 Ⅲ族氮化物半导体基板
WO2010119792A1 (ja) * 2009-04-15 2010-10-21 住友電気工業株式会社 基板、薄膜付き基板、半導体装置、および半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110468446A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 硅晶体有限公司 倒角的碳化硅衬底以及倒角的方法
CN110468446B (zh) * 2018-05-11 2020-12-11 硅晶体有限公司 倒角的碳化硅衬底以及倒角的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120325196A1 (en) 2012-12-27
DE112012002597T5 (de) 2014-03-20
WO2012176755A1 (ja) 2012-12-27
JP2013008769A (ja) 2013-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9318563B2 (en) Silicon carbide single-crystal substrate
CN110468446B (zh) 倒角的碳化硅衬底以及倒角的方法
CN103563055A (zh) 制造碳化硅基板的方法
US9896781B2 (en) Silicon carbide single-crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing them
JP5808208B2 (ja) 窒化物半導体基板の製造方法
CN108884593A (zh) 多晶SiC基板及其制造方法
US11034058B2 (en) Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
CN103476975A (zh) 碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法
CN105579624A (zh) 金刚石基板及金刚石基板的制造方法
CN105579626A (zh) 碳化硅半导体衬底及其制造方法
CN106232877A (zh) 制造碳化硅晶锭的方法、碳化硅种衬底、碳化硅衬底、半导体器件和制造半导体器件的方法
JP2024014982A (ja) 亀裂低減に最適な格子面配向を持つＳｉＣ結晶基板およびその製造方法
CN106605289A (zh) 碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法
CN105705683A (zh) 金刚石基板及金刚石基板的制造方法
JP6120742B2 (ja) 単結晶インゴットの製造方法、単結晶基板の製造方法、および半導体装置の製造方法
US9844893B2 (en) Method of manufacturing silicon carbide substrate
CN103828027A (zh) 制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底
JP7125252B2 (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP6149988B2 (ja) 炭化珪素単結晶基板
CN113964017B (zh) 具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体及其生产方法
JP7338759B2 (ja) ４Ｈ－ＳｉＣ単結晶基板
CN102514110A (zh) 大应力碳化硅晶体的初加工方法
JP2012199573A (ja) 炭化珪素単結晶ウェハ
WO2011108137A9 (ja) 炭化珪素基板の製造方法
EP3098839B1 (en) Method for transferring a layer from a single-crystal substrate

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140205