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TWI760431B - 電磁波屏蔽膜、屏蔽印刷配線板及電子機器 - Google Patents

電磁波屏蔽膜、屏蔽印刷配線板及電子機器 Download PDF

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TWI760431B
TWI760431B TW107104521A TW107104521A TWI760431B TW I760431 B TWI760431 B TW I760431B TW 107104521 A TW107104521 A TW 107104521A TW 107104521 A TW107104521 A TW 107104521A TW I760431 B TWI760431 B TW I760431B
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electromagnetic wave
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wave shielding
shielding film
printed wiring
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上農憲治
山內志朗
白髮潤
村川昭
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日商拓自達電線股份有限公司
日商迪愛生股份有限公司
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Abstract

本發明之目的在於提供一種電磁波屏蔽膜，其於製造屏蔽印刷配線板時，屏蔽特性不易降低且具有充分之耐折彎性。本發明之電磁波屏蔽膜係由導電性接著劑層、積層於上述導電性接著劑層上之屏蔽層及積層於上述屏蔽層上之絕緣層所構成者，其特徵在於：上述屏蔽層形成有多數開口部，上述開口部之開口面積為70~71000μm2 ，且上述開口部之開口率為0.05~3.6%。

Description

電磁波屏蔽膜、屏蔽印刷配線板及電子機器
本發明有關一種電磁波屏蔽膜、屏蔽印刷配線板及電子機器。
背景技術 迄今以來一直都在採行對諸如撓性印刷配線板(FPC)等印刷配線板貼附電磁波屏蔽膜以屏蔽來自外部之電磁波。
電磁波屏蔽膜通常具有依序積層有導電性接著劑層、由金屬薄膜等構成之屏蔽層及絕緣層的結構。將此種電磁波屏蔽膜在疊合至印刷配線板之狀態下加熱，藉此，電磁波屏蔽膜透過接著劑層接著至印刷配線板而製出屏蔽印刷配線板。於該接著後，利用迴焊在印刷配線板上安裝零件。此外，印刷配線板呈現基底膜上之印刷圖案受絕緣膜被覆之結構。
製造屏蔽印刷配線板時，若以熱壓或迴焊來加熱屏蔽印刷配線板，將會有氣體自電磁波屏蔽膜之導電性接著劑層或印刷配線板之絕緣膜等產生。此外，印刷配線板之基底膜係以聚醯亞胺等高吸濕性樹脂形成時，有時會因加熱而自基底膜產生水蒸氣的情況。由於產生自導電性接著劑層、絕緣膜或基底膜之此等揮發成分無法通過屏蔽層，將會蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。因此，若在迴焊步驟進行急遽加熱，屏蔽層與導電性接著劑層之層間密著會因蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層間之揮發成分而受到破壞，而有屏蔽特性降低的情況。
為了解決此種問題，專利文獻1記載了一種在屏蔽層(金屬薄膜)上設置多數開口部來提高透氣性的電磁波屏蔽膜。 若在屏蔽層上設置多數開口部，即使揮發成分產生，揮發成分可透過開口部而通過屏蔽層。因此，可防止揮發成分蓄積於屏蔽層與導電性接著劑層之間，進而可防止層間密著受到破壞所致之屏蔽特性降低。 先行技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]國際公開第2014/192494號
發明概要 發明欲解決之課題 然而，專利文獻1所載電磁波屏蔽膜因屏蔽層形成有開口部，屏蔽層之強度較弱。 因此，若將專利文獻1所載電磁波屏蔽膜用於撓性印刷配線板，將發生下述問題。 亦即，撓性印刷配線板在使用時會被反覆彎折。用於此種撓性印刷配線板之電磁波屏蔽膜及構成該電磁波屏蔽膜之屏蔽層也會隨之反覆彎折。 如上所述，專利文獻1所載電磁波屏蔽膜因屏蔽層之強度較弱，而有一旦反覆彎折屏蔽層容易受到破壞之問題。
本發明係鑑於上述問題而為者，本發明之目的即在於提供一種在製造屏蔽印刷配線板時屏蔽特性不易降低且具有充分耐彎折性之電磁波屏蔽膜。 用以解決課題之手段
為了解決上述課題，經本案發明人反覆精心研討，結果發現，藉由控制形成在電磁波屏蔽膜之屏蔽層上之開口部的開口面積與開口部的開口率，可防止使用該電磁波屏蔽膜所製得之屏蔽印刷配線板之屏蔽特性降低，更可進一步提高屏蔽印刷配線板之耐彎折性，而完成了本發明。
亦即，本發明之電磁波屏蔽膜係一種由導電性接著劑層、積層於上述導電性接著劑層上之屏蔽層及積層於上述屏蔽層上之絕緣層所構成的電磁波屏蔽膜，其特徵在於：上述屏蔽層形成有多數開口部，上述開口部之開口面積為70~71000μm2 ，且上述開口部之開口率為0.05~3.6%。
本發明之電磁波屏蔽膜係於屏蔽層形成有多數開口部。因此，使用本發明之電磁波屏蔽膜製造屏蔽印刷配線板時，即使熱壓步驟及迴焊步驟等中，屏蔽層與導電性接著劑層之間產生揮發成分，揮發成分仍可通過屏蔽層之開口部。 因此，屏蔽層與導電性接著劑層之間變得不易蓄積揮發成分。結果，可防止層間密著受到破壞。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述開口部之開口面積為70~71000μm2 ，且上述開口部之開口率為0.05~3.6%。 若形成於屏蔽層之開口部的開口面積及開口率在此範圍內，則耐彎折性充分且可防止揮發成分蓄積於屏蔽層與導電性接著劑層之間。 若開口部之開口面積小於70μm2 ，則開口部過窄，揮發成分變得難以通過屏蔽層。結果，揮發成分變得容易蓄積於屏蔽層與導電性接著劑層之間。因此，使用該電磁波屏蔽膜製造屏蔽印刷配線板時，屏蔽層與導電性接著劑層之層間密著變得容易受到破壞。結果，屏蔽特性降低。 若開口部之開口面積大於71000μm2 ，則開口部過廣，屏蔽層變得脆弱而使得耐彎折性降低。 若開口部之開口率小於0.05%，則開口部之比率過低，揮發成分變得難以通過屏蔽層。結果，揮發成分變得容易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。 若開口部之開口率大於3.6%，則開口部之比率過高，屏蔽層變得脆弱而使耐彎折性降低。 另，本說明書中，「開口率」意指：相對於屏蔽層主面全體面積之多數開口部總開口面積。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述開口部之開口節距宜為10~10000μm。 若開口部之開口節距小於10μm，屏蔽層整體之開口部比率增加。結果，屏蔽層變得脆弱，耐彎折性降低。 若開口部之開口節距大於10000μm，屏蔽層整體之開口部比率減少。結果，揮發成分變得難以通過屏蔽層，揮發成分變得容易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。 另，本說明書中，「開口部之開口節距」係指最相互鄰近之開口部彼此之重心間之距離。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述屏蔽層之厚度宜為0.5μm以上。 若屏蔽層之厚度小於0.5μm，因屏蔽層過薄，屏蔽特性將降低。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述屏蔽層宜包含銅層。 從導電性及經濟性之觀點來看，對於屏蔽層而言，銅為理想之材料。
本發明之電磁波屏蔽膜中，上述屏蔽層宜進一步包含銀層，上述銀層宜配置於上述絕緣層側，上述銅層宜配置於上述導電性接著劑層側。 此種結構之電磁波屏蔽膜可藉由在絕緣層上以形成開口部之方式塗佈銀膏製成銀層並對銀層鍍銅來輕易製作。
本發明之電磁波屏蔽膜宜供撓性印刷配線板之用。 本發明之電磁波屏蔽膜係如上述，製造屏蔽印刷配線板時，揮發成分不易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。此外，本發明之電磁波屏蔽膜具有充分之耐彎折性。因此，本發明之電磁波屏蔽膜即使用於撓性印刷配線板而被反覆彎折仍不易破損。 因此，本發明之電磁波屏蔽膜可適於用作撓性印刷配線板用之電磁波屏蔽膜。
本發明之屏蔽印刷配線板具有：基底構件，其形成有印刷電路；印刷配線板，其具有以包覆上述印刷電路之方式設於上述基底構件上之絕緣膜；及，電磁波屏蔽膜，其設於上述印刷配線板上；該屏蔽印刷配線板之特徵在於：上述電磁波屏蔽膜為上述本發明之電磁波屏蔽膜。
此外，本發明之屏蔽印刷配線板中，上述印刷配線板宜為撓性印刷配線板。
本發明之屏蔽印刷配線板具有具充分耐彎折性之本發明電磁波屏蔽膜。因此，本發明之屏蔽印刷配線板也具有充分之耐彎折性。
本發明之電子機器特徵在於：組裝有上述本發明之屏蔽印刷配線板，且該屏蔽印刷配線板係於彎折狀態下組裝。
如上所述，本發明之屏蔽印刷配線板具有充分之耐彎折性。因此，即使在彎折狀態下組裝於電子機器也不易破損。因此，本發明之電子機器可窄化用以配置屏蔽印刷配線板之空間。 爰此，本發明之電子機器可製成薄型。 發明效果
本發明之電磁波屏蔽膜係在屏蔽層形成有多數開口部，上述開口部之開口面積為70~71000μm2 ，且上述開口部之開口率為0.05~3.6%。 若形成於屏蔽層之開口部特徵在此範圍內，則耐彎折性充分，且使用本發明之電磁波屏蔽膜製造屏蔽印刷配線板時，可防止揮發成分蓄積於屏蔽層與導電性接著劑層之間。
用以實施發明之形態 以下，就本發明之電磁波屏蔽膜予以具體說明。然而，本發明並不限定於以下的實施形態，可在不變更本發明要旨之範圍內作適度變更應用。
圖1為截面圖，其模式性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之一例。 如圖1所示，電磁波屏蔽膜10係由導電性接著劑層20、積層於導電性接著劑層20上之屏蔽層30及積層於屏蔽層30上之絕緣層40所構成。 此外，屏蔽層30形成有多數開口部50。
(導電性接著劑層) 於電磁波屏蔽膜10中，導電性接著劑層20僅需具有導電性且可用作接著劑來發揮機能，無論由何種材料構成皆可。 舉例來說，導電性接著劑層20可由導電性粒子及接著性樹脂組成物構成。
導電性粒子並未特別受限，可為金屬微粒子、奈米碳管、碳纖維及金屬纖維等。
導電性粒子為金屬微粒子時，金屬微粒子並未特別受限，可為銀粉、銅粉、鎳粉、焊粉、鋁粉、對銅粉施予鍍銀而成之覆銀銅粉以及將高分子微粒子或玻璃珠等以金屬被覆而成之微粒子等。 從經濟性之觀點來看，其等之中以可廉價取得之銅粉或覆銀銅粉為宜。
導電性粒子之平均粒徑未特別受限，但宜為0.5~15.0μm。若導電性粒子之平均粒徑在0.5μm以上，導電性接著劑層之導電性良好。若導電性粒子之平均粒徑在15.0μm以下，則可薄化導電性接著劑層。
導電性粒子之形狀並未特別受限，可適當選自球狀、扁平狀、鱗片狀、樹枝狀、棒狀及纖維狀等。
接著性樹脂組成物之材料並未特別受限，可使用苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物及丙烯酸系樹脂組成物等熱可塑性樹脂組成物，或者酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸乙酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物及醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。 接著性樹脂組成物之材料可為其等中之單一種類，也可為2種以上之組合。
導電性接著劑層20可視需要而含有硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑及黏度調節劑等。
導電性接著劑層20中導電性粒子之摻合量並未特別受限，宜為15~80質量%，更宜為15~60質量%。 若為上述範圍，導電性接著劑層對印刷配線板之接著性將提升。
導電性接著劑層20之厚度並未特別受限，可視需要來適當設定，但宜為0.5~20.0μm。 若導電性接著劑層之厚度小於0.5μm，將變得不易獲得良好之導電性。若導電性接著劑層之厚度大於20.0μm，則電磁波屏蔽膜之整體厚度變厚而難以處置。
又，導電性接著劑層20宜具各向異性導電性。 若導電性接著劑層20具各向異性導電性，則相較於其具各向同性導電性時，印刷配線板以信號電路傳送之高頻信號的傳送特性將更提升。
(絕緣層) 於電磁波屏蔽膜10中，絕緣層40僅需具有充分之絕緣性且可保護導電性接著劑層20及屏蔽層30即可，並未特別受限，舉例來說，宜由熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物及活性能量線硬化性組成物等構成。 上述熱可塑性樹脂組成物並未特別受限，但可舉如苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物及丙烯酸系樹脂組成物等。
上述熱硬化性樹脂組成物並未特別受限，但可舉如酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸乙酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物及醇酸系樹脂組成物等。
上述活性能量線硬化性組成物並未特別受限，但可舉例如分子中具至少2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。
絕緣層40可由單一種類材料構成，亦可由2種以上材料構成。
絕緣層40可視需要而含有硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑及抗黏劑等。
絕緣層40之厚度並未特別受限，可視需要予以適當設定，但宜為1~15μm，更宜為3~10μm。 若絕緣層40之厚度小於1μm，將因過薄而變得無法充分保護導電性接著劑層20及屏蔽層30。 若絕緣層40之厚度大於15μm，則因過厚而使電磁波屏蔽膜10變得不易彎折，此外絕緣層40本身變得容易破損。因而變得不易適用於有耐彎折性需求的構件。
(屏蔽層) 在說明本發明之電磁波屏蔽膜的屏蔽層之前，先就使用未在屏蔽層形成開口部之電磁波屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板的情況，利用圖式予以說明。 圖2(a)及(b)為示意圖，其示意性地顯示：使用未於屏蔽層形成開口部之電磁波屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板的情況。
如圖2(a)所示，製造屏蔽印刷配線板時，配置了電磁波屏蔽膜510之屏蔽印刷配線板會利用熱壓或迴焊來加熱。 因該加熱，會自電磁波屏蔽膜510之導電性接著劑層520、印刷配線板之絕緣膜及基底膜等產生揮發成分560。
一旦於此種狀態下進行急遽加熱，如圖2(b)所示，因蓄積於屏蔽層530與導電性接著劑層520之間的揮發成分560，屏蔽層530與導電性接著劑層520之層間密著有時會受到破壞。
然而，電磁波屏蔽膜10係於屏蔽層30形成有多數開口部50。 因此，使用電磁波屏蔽膜10製造屏蔽印刷配線板時，即使屏蔽層30與導電性接著劑層20之間因加熱而產生揮發成分，揮發成分仍可通過屏蔽層30之開口部50。 因此，揮發成分變得不易蓄積在屏蔽層30與導電性接著劑層20之間。結果，可防止層間密著受到破壞。
電磁波屏蔽膜10中，開口部50之開口面積為70~71000μm2 ，且開口部50之開口率為0.05~3.6%。 開口部50之開口面積宜為70~32000μm2 ，且較宜為70~10000μm2 ，更宜為80~8000μm2 。 此外，開口部50之開口率宜為0.1~3.6%。 若形成於屏蔽層30之開口部50之開口面積及開口率在此範圍內，則耐彎折性充分且可防止揮發成分蓄積在屏蔽層30與導電性接著劑層20之間。
若屏蔽層開口部之開口面積小於70μm2 ，開口部過窄，揮發成分變得難以通過屏蔽層。結果，揮發成分變得容易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。 若屏蔽層開口部之開口面積大於71000μm2 ，則開口部過廣，屏蔽層變得脆弱而使耐彎折性降低。
若屏蔽層開口部之開口率小於0.05%，開口部之比率過低，揮發成分變得難以通過屏蔽層。結果，揮發成分變得容易蓄積於屏蔽層與導電性接著劑層之間。 若屏蔽層開口部之開口率大於3.6%，開口部之比率過大，屏蔽層變得脆弱而使耐彎折性降低。
電磁波屏蔽膜10中，開口部50之形狀未特別受限，可為圓形、橢圓形、軌道形、三角形、四邊形、五邊形、六邊形、八邊形及星形等。 從開口部50之形成容易度來看，該等之中以圓形為宜。 此外，多數開口部50之形狀可為單一種類，亦可組合多數種類。
電磁波屏蔽膜10中，開口部50之開口節距宜為10~10000μm，且較宜為25~2000μm，更宜為250~2000μm。 若開口部之開口節距小於10μm，屏蔽層全體之開口部比率增加。結果，屏蔽層變得脆弱而使耐彎折性降低。 若開口部之開口節距大於10000μm，屏蔽層全體之開口部比率降低。結果，揮發成分變得難以通過屏蔽層，揮發成分變得容易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。
電磁波屏蔽膜10中，開口部50之配列圖案並未特別受限，舉例來說可為下示配列圖案。
圖3(a)~(c)為俯視圖，其示意性地顯示：構成本發明電磁波屏蔽膜之屏蔽層中之開口部配列圖案之一例。
如圖3(a)所示，開口部50之配列圖案可為如下所述之配列圖案：在將正三角形縱橫連續排列而成之平面中，各開口部50之中心位在正三角形之頂點上。
此外，如圖3(b)所示，開口部50之配列圖案亦可為如下所述之配列圖案：在將正方形縱橫連續排列而成之平面中，開口部50之中心位在正方形之頂點上。
此外，如圖3(c)所示，開口部50之配列圖案也可為如下所述之配列圖案：在將正六邊形縱橫連續排列而成之平面中，開口部50之中心位在正六邊形之頂點上。
電磁波屏蔽膜10中，屏蔽層30之厚度宜為0.5μm以上，更宜為1.0μm以上。此外，屏蔽層30之厚度宜為10μm以下。 若屏蔽層之厚度小於0.5μm，因屏蔽層過薄，屏蔽特性降低。
此外，若屏蔽層30之厚度為1.0μm以上，則在傳送頻率為0.01~10GHz之高頻信號的信號傳達系統中，傳送特性變得良好。 另，屏蔽層未形成開口部時，若屏蔽層增厚，製造屏蔽印刷配線板時，屏蔽層與導電性接著劑層間之層間密著易生破壞。尤其，若屏蔽層30之厚度大於1.0μm，層間密著之破壞將顯著發生。然而，在電磁波屏蔽膜10中，因屏蔽層30形成有開口部50，可防止屏蔽層30與導電性接著劑層20間之層間密著受到破壞。
本發明之電磁波屏蔽膜宜用於傳送頻率為0.01~10GHz之信號的信號傳達系統。
本發明之電磁波屏蔽膜中，只要屏蔽層具有電磁波屏蔽性，無論由何種材料構成皆可，例如，也可由金屬層構成。
屏蔽層可包含由金、銀、銅、鋁、鎳、錫、鈀、鉻、鈦、鋅等材料構成之層，且宜包含銅層。 從導電性及經濟性之觀點來看，對於屏蔽層而言銅為理想之材料。
另，上述屏蔽層亦可包含由上述金屬的合金構成之層。
此外，屏蔽層可積層有多數之金屬層。 屏蔽層尤宜包含銅層及銀層。
茲使用圖式，就屏蔽層包含銅層及銀層之情況予以說明。 圖4為截面圖，其示意性地顯示屏蔽層由銅層及銀層構成之本發明電磁波屏蔽膜之一例。
圖4所示的電磁波屏蔽膜110係由導電性接著劑層120、積層於導電性接著劑層120上之屏蔽層130及積層於屏蔽層130上之絕緣層140所構成。 此外，屏蔽層130係由銅層132及銀層131構成，銀層131配置於絕緣層140側，銅層132則配置於導電性接著劑層120側。
此種結構之電磁波屏蔽膜110可藉由在絕緣層140上以形成開口部之方式塗佈銀膏製成銀層，再於銀層上鍍銅而輕易製出。
(其他結構) 本發明之電磁波屏蔽膜可在絕緣層與屏蔽層之間形成有錨定塗層。 錨定塗層之材料可舉如胺甲酸乙酯樹脂、丙烯酸樹脂、以胺甲酸乙酯樹脂為殼且以丙烯酸樹脂為核之核殼型複合樹脂、環氧樹脂、醯亞胺樹脂、醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂、酚樹脂、脲甲醛樹脂、使酚等封端劑與聚異氰酸酯反應而得之封端異氰酸酯、聚乙烯醇及聚乙烯吡咯啶酮等。
此外，本發明之電磁波屏蔽膜可於絕緣層側備有支持體膜，也可於導電性接著劑層側具有剝離性膜。若電磁波屏蔽膜具有支持體膜及剝離性膜，則在輸送本發明之電磁波屏蔽膜及使用本發明之電磁波屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板等時的作業過程中，本發明之電磁波屏蔽膜將變得容易處置。 又，於屏蔽印刷配線板等上配置本發明之電磁波屏蔽膜時，此等支持體膜及剝離性膜將會被剝除。
只要是在阻斷電磁波之目的下，本發明之電磁波屏蔽膜可用在任何用途上。 本發明之電磁波屏蔽膜尤宜用於印刷配線板，特別是撓性印刷配線板。 本發明之電磁波屏蔽膜係如上述，於製造屏蔽印刷配線板時，揮發成分不易蓄積在屏蔽層與導電性接著劑層之間。又，本發明之電磁波屏蔽膜具有充分之耐彎折性。因此，本發明之電磁波屏蔽膜即便用於撓性印刷配線板而被反覆彎折，仍不易破損。 因此，本發明之電磁波屏蔽膜可適於用作撓性印刷配線板用之電磁波屏蔽膜。
如前述，具有本發明之電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板即為本發明之屏蔽印刷配線板。 亦即，本發明之屏蔽印刷配線板具有：基底構件，其形成有印刷電路；印刷配線板，其具有以包覆上述印刷電路之方式設於上述基底構件上之絕緣膜；及，電磁波屏蔽膜，其設於上述印刷配線板上；並且，該屏蔽印刷配線板之特徵在於：上述電磁波屏蔽膜為上述本發明之電磁波屏蔽膜。 此外，上述印刷配線板宜為撓性印刷配線板。 本發明之屏蔽印刷配線板具有具充分耐彎折性之本發明電磁波屏蔽膜。因此，本發明之屏蔽印刷配線板也具有充分之耐彎折性。
本發明之屏蔽印刷配線板係組裝於電子機器中作使用。 尤其是將上述本發明之屏蔽印刷配線板以彎折狀態組裝的電子機器，即是本發明之電子機器。 如上所述，本發明之屏蔽印刷配線板具充分之耐彎折性。因此，即使於彎折狀態下組裝於電子機器也不易破損。因此，本發明之電子機器可窄化用以配置屏蔽印刷配線板之空間。 因此，本發明之電子機器可製成薄型。
(電磁波屏蔽膜之製造方法) 其次，就本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法予以說明。另，本發明之電磁波屏蔽膜不限於以下述方法製得者。
首先，說明電磁波屏蔽膜10之製造方法之一例，該電磁波屏蔽膜10為本發明電磁波屏蔽膜之一例。 製造電磁波屏蔽膜10之方法包含(1)屏蔽層形成步驟、(2)絕緣層形成步驟及(3)導電性接著劑層形成步驟。
使用圖式將此等步驟詳述如下。 圖5(a)~(c)為步驟圖，其示意性地依序顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法之一例。
(1)屏蔽層形成步驟 首先，如圖5(a)所示，準備具電磁波屏蔽性之片材35，並於片材35上以開口面積為70~71000μm2 、開口率為0.05~3.6%之方式形成開口部50，製作屏蔽層30。 開口部50可藉衝孔及照射雷射等來形成。 此外，片材35由銅等可蝕刻材料構成時，也可在片材35表面上配置會形成開口部50之圖案的光阻，並利用蝕刻來形成開口部50。 又，亦可於片材35表面印刷導電性膏或用作鍍敷催化劑來發揮機能之膏。 於該印刷中，也能以預定圖案進行印刷，藉此形成開口部50。 印刷上述用作鍍敷催化劑來發揮機能之膏時，宜在印刷膏並形成開口部50後，以無電式鍍敷法或電鍍法來形成金屬膜並藉此形成屏蔽層。 上述用作鍍敷催化劑發揮機能之膏可使用含有由鎳、銅、鉻、鋅、金、銀、鋁、錫、鈷、鈀、鉛、鉑、鎘及銠等構成之金屬的流體。
(2)絕緣層形成步驟 接著，如圖5(b)所示，於屏蔽層30之一側面上塗佈絕緣層用樹脂組成物45，使其硬化而形成絕緣層40。 塗佈絕緣層用樹脂組成物之方法可舉如習用公知之塗佈方法，例如凹版塗佈式、吻合塗佈(kiss coating)式、模塗式、唇塗式、缺角輪塗佈(comma coating)式、刮塗(blade coating)式、輥塗式、刮刀塗佈(knife coating)式、噴塗式、棒塗式、旋塗式及浸漬塗佈式等。 使絕緣層用樹脂組成物硬化之方法可因應絕緣層用樹脂組成物之種類，採用習用公知之各種方法。
(3)導電性接著劑層形成步驟 接著，如圖5(c)所示，在屏蔽層30之形成有絕緣層40之面的相反面上塗佈導電性接著劑層用組成物25，形成導電性接著劑層20。 塗佈導電性接著劑層用組成物25之方法可舉如習用公知之塗佈方法，例如凹版塗佈式、吻合塗佈式、模塗式、唇塗式、缺角輪塗佈式、刮塗式、輥塗式、刮刀塗佈式、噴塗式、棒塗式、旋塗式及浸漬塗佈式等。
經以上步驟，即可製造屬本發明電磁波屏蔽膜之一例的電磁波屏蔽膜10。
接著，說明製造屏蔽層係由銅層及銀層構成之電磁波屏蔽膜110之方法的一例，該電磁波屏蔽膜110為本發明電磁波屏蔽膜之一例。 製造電磁波屏蔽膜110之方法包含(1)絕緣層準備步驟、(2)銀膏印刷步驟、(3)鍍銅步驟及(4)導電性接著劑層形成步驟。
使用圖6~圖11，就該等步驟詳述如下。
(1)絕緣層準備步驟 圖6為步驟圖，其示意性地顯示本發明電磁波屏蔽膜之製造方法中之絕緣層準備步驟之一例。 首先，如圖6所示，準備絕緣層140。 絕緣層140可利用習知方法來準備。
(2)含有金屬作為鍍敷催化劑之流體的印刷步驟(銀膏印刷步驟) 接著，於絕緣層140之一側主面上印刷銀膏133作為鍍敷催化劑。此時，需以銀膏上會形成開口面積70~71000μm2 且開口率0.05~3.6%之多數開口部150的方式來進行。 印刷銀膏133之方法可舉如：利用凹版印刷等凹版印刷及柔版印刷等凸版印刷之方法、利用網版印刷之方法、利用平板印刷(將經凹版或凸版、網版等形成圖案之物轉印來進行)之方法、利用無須印版之噴墨印刷之方法等。 以下，說明利用凹版印刷來印刷銀膏133之方法。
圖7~9為步驟圖，其示意性地顯示本發明電磁波屏蔽膜之製造方法中之銀膏印刷步驟之一例。 首先，如圖7所示，準備表面形成有多數柱狀突起部72之滾筒狀印版滾筒70。此時，令各突起部72上表面73之面積為70~71000μm2 。此外，以相對於印版滾筒70表面之面積，多數突起部72之上表面73的總面積比率會在0.05~3.6%之方式來設置多數突起部72。 另，未形成突起部72之印版滾筒表面為突起部非形成區域71。 又，印版滾筒70表面之面積意指：印版滾筒70之未形成突起部72的突起部非形成區域71之面積與多數突起部72之上表面73的合計總面積。
接著，如圖8所示，使銀膏133覆上突起部非形成區域71。此時，以突起部72之上表面73上不塗佈銀膏133的方式來進行。
接著，如圖9所示，使絕緣層140通過壓印滾筒75與已覆上銀膏133之印版滾筒70之間，藉此在絕緣層140之一側主面上印刷銀膏133。 於該印刷中，絕緣層140中突起部72所接觸之部分不會印刷到銀膏133而可製成開口部150。 印刷於絕緣層140之銀膏133將會成為銀層131。
銀膏133只要含有銀粒子即可，也可含有其他分散劑、增稠劑、調平劑及消泡劑等各種添加劑。 銀粒子之形狀並未特別受限，可使用球狀、薄片狀、樹枝狀、針狀及纖維狀等任意形狀之材料。 上述銀粒子為粒子狀物時，宜為奈米尺寸之物。具體來說，以平均粒徑在1~100nm範圍內之銀粒子為宜，更宜為1~50nm範圍內之銀粒子。 另，於本說明書中，「平均粒徑」意指：以分散用溶劑稀釋銀粒子，藉動態光散射法測得之體積平均值。 該測定可使用MicrotracBEL Corp.製「Nanotrac UPA-150」。
此外，藉印刷銀膏所形成之銀層厚度宜為5~200nm。
(3)鍍銅步驟 圖10(a)及(b)為步驟圖，其示意性地顯示本發明電磁波屏蔽膜之製造方法中之鍍銅步驟之一例。 接著，如圖10(a)及(b)所示，在銀層131上鍍銅，藉此在銀層131上形成銅層132。 鍍銅方法並未特別受限，可利用習知之無電式鍍敷及電鍍。
以無電式鍍敷鍍銅時，鍍液宜使用含有硫酸銅、還原劑及水性介質、有機溶劑等溶劑之物。 以電鍍法鍍銅時，鍍液宜使用含有硫酸銅、硫酸及水性介質之物，且宜透過控制鍍敷處理時間、電流密度及鍍敷用添加劑之使用量等來進行調整以形成所欲之銅厚度。
鍍敷之銅厚度宜為0.1~10μm。
經上述步驟，可形成由銀層131及銅層132構成之屏蔽層130。
(4)導電性接著劑層形成步驟 圖11(a)及(b)為步驟圖，其示意性地顯示本發明電磁波屏蔽膜之製造方法中之導電性接著劑層形成步驟之一例。 另，圖11(a)及(b)係將圖10(b)上下逆轉來圖示其後續之步驟。 接著，如圖11(a)及(b)所示，於銅層132上塗佈導電性接著劑層用組成物125而形成導電性接著劑層120。 塗佈導電性接著劑層用組成物125之方法可舉如習用公知之塗佈方法，例如凹版塗佈式、吻合塗佈式、模塗式、唇塗式、缺角輪塗佈式、刮塗式、輥塗式、刮刀塗佈式、噴塗式、棒塗式、旋塗式及浸漬塗佈式等。
經上述步驟即可製造電磁波屏蔽膜110，該電磁波屏蔽膜110為本發明電磁波屏蔽膜之一例。
以下，顯示更具體說明本發明之實施例，但本發明不限定於此等實施例。
(調製例1：銀膏之調製例) 於乙醇35質量份與離子交換水65質量份之混合溶劑中，使用聚乙烯亞胺化合物作為分散劑，使平均粒徑30nm之銀粒子分散，藉此製得銀濃度為15質量%之銀膏。
(實施例1) (1)絕緣層準備步驟 準備厚度為5μm之由環氧樹脂構成之絕緣層。
(2)銀膏印刷步驟 接著，以圖7~圖9所示方法，使用滾筒狀之印版滾筒，於絕緣層之一側主面上，以會形成開口面積79μm2 、開口率0.15%且開口節距250μm之多數開口部的方式，印刷銀膏而形成銀層。 另，銀層厚度為50nm。 銀膏使用調製例1所得銀膏。 此外，開口部之形狀為圓形，且令開口部之配列圖案為下述配列圖案：於將正三角形縱橫連續排列而成之平面中，各開口部之中心位在正三角形之頂點上。
(3)鍍銅步驟 接著，於55℃下將印刷銀膏後之絕緣層浸漬於無電式銅鍍液(奥野製藥股份有限公司製「ARG Copper」、pH12.5)中20分鐘，而在銀層上形成無電解銅鍍膜(厚度0.5μm)。 接著，將上述所得無電解銅鍍膜表面設置為陰極，將含磷銅設置為陽極，使用含硫酸銅之電鍍液並以電流密度2.5A/dm2 進行30分鐘電鍍，而在銀層上積層合計厚度為1μm之銅鍍層。上述電鍍液使用硫酸銅70g/公升、硫酸200g/公升、氯離子50mg/公升、Top Lucina SF(奥野製藥工業股份有限公司製，光澤劑)5g/公升之溶液。
(4)導電性接著劑層形成步驟 於銅層上塗佈在含磷環氧樹脂中添加了20質量%被覆Ag之Cu粉末的導電性接著劑層，使其厚度為15μm。 塗佈方法使用唇塗式。
經以上步驟而製得實施例1之電磁波屏蔽膜。
(實施例2)~(實施例36)及(比較例1)~(比較例30) 除了將開口部之開口面積、開口率及開口節距以及銅層厚度變更如表1及表2所示之外，與實施例1同樣地製造實施例2~實施例36及比較例1~比較例30之電磁波屏蔽膜。
[表1]
Figure 02_image001
[表2]
Figure 02_image003
(電磁波屏蔽特性之評價) 就各實施例及各比較例之電磁波屏蔽膜之電磁波屏蔽特性，以使用一般社團法人KEC關西電子工業振興中心開發之電磁波屏蔽效果測定裝置80之KEC法進行評價。 圖12為示意圖，其示意性地顯示KEC法所用系統之結構。 KEC法所用系統係以電磁波屏蔽效果測定裝置80、析譜儀91、進行10dB衰減之衰減器92、進行3dB衰減之衰減器93與前置放大器94來構成。
如圖12所示，電磁波屏蔽效果測定裝置80中，2個測定夾具83呈對向設置。並且以各實施例及各比較例之電磁波屏蔽膜(圖12中以元件符號110表示)被挾持在該測定夾具83之間的方式來設置。測定夾具83已計入TEM室(Transverse Electro Magnetic Cell)之尺寸份量，呈現出在與其傳送軸方向垂直之面內分割成左右對稱之構造。但，為了防止因電磁波屏蔽膜110插入而形成短路，平板狀之中心導體84係與各測定夾具83之間隔著空隙配置。
KEC法係先將輸出自析譜儀91之信號經由衰減器92輸入至送信側之測定夾具83。接著，以受信側之測定夾具83接收後，將經由衰減器93而來之信號以前置放大器94增幅，之後以析譜儀91測定信號位準。另，析譜儀91係以未將電磁波屏蔽膜110設置在電磁波屏蔽效果測定裝置80之狀態為基準，輸出已將電磁波屏蔽膜110設置在電磁波屏蔽效果測定裝置80時之衰減量。
使用此種裝置，在溫度25℃、相對溼度30~50%之條件下，將各實施例及各比較例之電磁波屏蔽膜裁切為邊長15cm之正方形，進行200MHz之電磁波屏蔽特性測定並予以評價。 評價基準如下。茲將結果示於表1及表2。 ○：85dB以上。 ×：小於85dB。
(層間剝離之評價) 以下述方法評價各實施例及各比較例之電磁波屏蔽膜。 首先，利用熱壓，將各電磁波屏蔽膜貼附於印刷配線板上。 接著，將該屏蔽印刷配線板放置於23℃、63%RH之無塵室中7天後，暴露於迴流時之溫度條件下並評價層間剝離之有無。另，就迴流時之溫度條件而言，係預設無鉛焊接，設定最高265℃之溫度剖線。此外，層間剝離之有無係使屏蔽印刷配線板通過5次大氣迴流後以目測觀察有無膨脹來進行評價。 評價基準係如下述。茲將結果示於表1及表2。 ○：屏蔽膜完全未發生膨脹。 ×：屏蔽膜發生膨脹。
(耐彎折性之評價) 以下述方法評價各實施例及各比較例之電磁波屏蔽膜。 以熱壓將各電磁波屏蔽膜貼附在50μm厚之聚醯亞胺膜兩面，裁切成長×寬＝130mm×15mm大小製成試驗片，再使用MIT耐折疲勞試驗機(安田精機製作所股份有限公司製，No.307 MIT形耐折度試驗機)，按JIS P8115：2001規定之方法測定各試驗片之耐彎折性。 試驗條件如下。 彎折夾鉗前端R：0.38mm 彎折角度：±135° 彎折速度：175cpm 負載：500gf 檢測方法：以內建通電裝置感測屏蔽膜之斷線
此外，耐彎折性評價基準係如下述。茲將結果示於表1及表2。 ◎：彎折次數達2000次以上才發生斷線。 ○：彎折次數達600次以上且小於2000次時發生斷線。 ×：彎折次數小於600次即發生斷線。
如表1及表2所示，若如各實施例之電磁波屏蔽膜般，開口部之開口面積為70~71000μm2 且開口部之開口率為0.05~3.6%，則電磁波屏蔽特性之評價、層間剝離之評價及耐彎折性之評價皆良好。
10、110‧‧‧電磁波屏蔽膜20、120‧‧‧導電性接著劑層25、125‧‧‧導電性接著劑層用組成物30、130‧‧‧屏蔽層40、140‧‧‧絕緣層45‧‧‧絕緣層用樹脂組成物50、150‧‧‧開口部70‧‧‧印版滾筒71‧‧‧突起部非形成區域72‧‧‧突起部73‧‧‧突起部之上表面75‧‧‧壓印滾筒80‧‧‧電磁波屏蔽效果測定裝置83‧‧‧測定夾具84‧‧‧中心導體91‧‧‧析譜儀92、93‧‧‧衰減器94‧‧‧前置放大器131‧‧‧銀層132‧‧‧銅層133‧‧‧銀膏
圖1為截面圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之一例。 圖2(a)及(b)為示意圖，其示意性地顯示使用屏蔽層未形成開口部之電磁波屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板的情況。 圖3(a)~(c)為俯視圖，其示意性地顯示構成本發明電磁波屏蔽膜之屏蔽層中之開口部配列圖案之一例。 圖4為截面圖，其示意性地顯示屏蔽層係由銅層及銀層構成之本發明電磁波屏蔽膜之一例。 圖5(a)~(c)為步驟圖，其示意性地依序顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法之一例。 圖6為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之絕緣層準備步驟之一例。 圖7為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之銀膏印刷步驟之一例。 圖8為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之銀膏印刷步驟之一例。 圖9為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之銀膏印刷步驟之一例。 圖10(a)及(b)為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之鍍銅步驟之一例。 圖11(a)及(b)為步驟圖，其示意性地顯示本發明之電磁波屏蔽膜之製造方法中之導電性接著劑層形成步驟之一例。 圖12為示意圖，其示意性地顯示KEC法中使用之系統結構。
10‧‧‧電磁波屏蔽膜
20‧‧‧導電性接著劑層
30‧‧‧屏蔽層
40‧‧‧絕緣層
50‧‧‧開口部

Claims (8)

  1. 一種電磁波屏蔽膜，係由導電性接著劑層、積層於前述導電性接著劑層上之屏蔽層及積層於前述屏蔽層上之絕緣層所構成者，其特徵在於：前述屏蔽層形成有多數開口部；前述開口部之開口面積為70~71000μm2；前述開口部之開口率為0.05~3.6%；前述開口部之開口節距為10~10000μm；且前述開口部係規則地以一定間隔配列。
  2. 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其中前述屏蔽層之厚度為0.5μm以上。
  3. 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其中前述屏蔽層包含銅層。
  4. 如請求項3之電磁波屏蔽膜，其中前述屏蔽層更包含銀層，前述銀層配置於前述絕緣層側，且前述銅層配置於前述導電性接著劑層側。
  5. 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其係供撓性印刷配線板之用。
  6. 一種屏蔽印刷配線板，具有：基底構件，其形成有印刷電路；印刷配線板，其具有以包覆前述印刷電路之方式設於前述基底構件上之絕緣膜；及電磁波屏蔽膜，其設於前述印刷配線板上；該屏蔽印刷配線板之特徵在於： 前述電磁波屏蔽膜為如請求項1至5中任一項之電磁波屏蔽膜。
  7. 如請求項6之屏蔽印刷配線板，其中前述印刷配線板為撓性印刷配線板。
  8. 一種電子機器，其特徵在於：組裝有如請求項6或7之屏蔽印刷配線板，且該屏蔽印刷配線板係於彎折狀態下組裝。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102640186B1 (ko) 2018-12-03 2024-02-22 타츠타 전선 주식회사 그라운드 부재 및 차폐 프린트 배선판
JP7363103B2 (ja) 2019-05-30 2023-10-18 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシートおよびプリント配線板
JP6597927B1 (ja) * 2019-06-18 2019-10-30 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシート、および電磁波シールド性配線回路基板
JP6645610B1 (ja) * 2019-08-01 2020-02-14 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシート、および電磁波シールド性配線回路基板
JP6624331B1 (ja) * 2019-08-01 2019-12-25 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシート、および電磁波シールド性配線回路基板
TWI815049B (zh) * 2019-12-03 2023-09-11 日商拓自達電線股份有限公司 電磁波屏蔽膜
JP6690773B1 (ja) * 2019-12-18 2020-04-28 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシート、および電磁波シールド性配線回路基板
KR102472342B1 (ko) * 2020-02-10 2022-11-30 진테크 주식회사 열반응성 점착제층을 구비한 전자파 차폐용 캐리어 금속극박 및 이의 제조방법
TWI858176B (zh) * 2020-03-02 2024-10-11 日商拓自達電線股份有限公司 接地連接引出膜
TWI812913B (zh) 2020-03-02 2023-08-21 日商拓自達電線股份有限公司 金屬箔及電磁波屏蔽膜
KR102433774B1 (ko) * 2020-11-18 2022-08-19 율촌화학 주식회사 열 안정성이 향상된 고주파 전자파 차폐 필름 및 그 제조방법
KR102437292B1 (ko) * 2020-12-28 2022-08-29 와이엠티 주식회사 전자파 차폐소재 및 이의 제조방법
JP7001187B1 (ja) 2021-03-19 2022-01-19 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシートおよびその製造方法、シールド性配線基板、並びに電子機器
KR20230163445A (ko) 2021-03-29 2023-11-30 타츠타 전선 주식회사 전자파 차폐 필름 및 차폐 프린트 배선판
TWI885273B (zh) * 2021-09-07 2025-06-01 日商拓自達電線股份有限公司 電磁波屏蔽膜
JPWO2023171731A1 (zh) 2022-03-11 2023-09-14
CN118741837A (zh) * 2023-03-28 2024-10-01 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 可挠式线路基板与折叠型线路板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196285A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sumitomo Rubber Ind Ltd 透光性電磁波シ―ルド部材およびその製造方法
JP2010189688A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Fujifilm Corp 微細構造体の製造方法および微細構造体
TW201325425A (zh) * 2011-12-08 2013-06-16 Ind Tech Res Inst 電磁波屏蔽複合膜及具有該複合膜之軟性印刷電路板
US20140141232A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Industrial Technology Research Institute Electromagnetic wave shielding structure and method for fabricating the same
US20160120077A1 (en) * 2013-05-29 2016-04-28 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Electromagnetic wave shield film, printed wiring board using same, and rolled copper foil

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6380599A (ja) * 1986-09-24 1988-04-11 萩原工業株式会社 可撓性のある電磁波反射材料
JP4176723B2 (ja) * 2004-02-10 2008-11-05 日本ジッパーチュービング株式会社 電磁波シールドガスケット及びその製造方法
JP4647924B2 (ja) * 2004-03-23 2011-03-09 タツタ電線株式会社 プリント配線板用シールドフィルム及びその製造方法
JP2014090162A (ja) * 2012-10-04 2014-05-15 Shin Etsu Polymer Co Ltd カバーレイフィルムおよびフレキシブルプリント配線板
WO2015105340A1 (ko) * 2014-01-08 2015-07-16 주식회사 두산 연성 인쇄회로기판용 전자파 차폐 필름 및 이의 제조방법
CN104981347B (zh) * 2014-04-18 2017-07-14 华为终端有限公司 一种屏蔽膜、屏蔽电路板及终端设备
JP6202177B1 (ja) * 2016-01-21 2017-09-27 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシートおよびプリント配線板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196285A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sumitomo Rubber Ind Ltd 透光性電磁波シ―ルド部材およびその製造方法
JP2010189688A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Fujifilm Corp 微細構造体の製造方法および微細構造体
TW201325425A (zh) * 2011-12-08 2013-06-16 Ind Tech Res Inst 電磁波屏蔽複合膜及具有該複合膜之軟性印刷電路板
US20140141232A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Industrial Technology Research Institute Electromagnetic wave shielding structure and method for fabricating the same
US20160120077A1 (en) * 2013-05-29 2016-04-28 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Electromagnetic wave shield film, printed wiring board using same, and rolled copper foil

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