TWI760320B

TWI760320B - 載置構件

Info

Publication number: TWI760320B
Application number: TW106101207A
Authority: TW
Inventors: 增田将太郎; 市川智昭; 前野洋平
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2016-01-15
Filing date: 2017-01-13
Publication date: 2022-04-11
Also published as: WO2017122621A1; EP3404706A4; EP3404706A1; US20190027395A1; TW201727806A; US10777446B2; JP2017126696A; JP6616194B2; KR20180102571A; CN108463878A

Abstract

本發明提供一種固持力及耐熱性優異、且同時低發塵性優異、不易污染被載置物之載置構件。本發明之載置構件係載置面由奈米碳管之集合體所構成者，於在矽晶圓上，以奈米碳管集合體側表面與該矽晶圓相接之方式，放置該載置構件，自該載置構件上施加100 g之負載並放置30秒時，轉印至該矽晶圓之直徑0.2 μm以上之微粒之個數為100個/cm² 以下。

Description

載置構件

本發明係關於一種載置構件。

於半導體元件等之製造步驟中，在搬送材料、製造半成品、製品等(以下亦稱為被加工物)時，進行有使用移動臂或移動台等搬送基材搬送該被加工物(例如，參照專利文獻1、2)。於進行此種搬送時，對載置被加工物之構件(載置構件)，要求如使被加工物於搬送中不會偏移般之較強之固持(grip)力。又，此種要求隨著製造步驟高速化之要求而逐年變高。然而，先前之載置構件包含樹脂等彈性材料，存在被加工物上易附著殘存該彈性材料而污染被加工物之問題。又，包含樹脂等彈性材料之載置構件存在耐熱性較低，於高熱環境下，其固持力降低之問題。若將陶瓷等材料用作載置構件，則可防止被加工物之污染，且固持力之溫度依存性變低。然而，包含此種材料之載置構件存在本質上固持力較低，即便於常溫下亦無法充分地保持被加工物之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特開2001-351961號公報專利文獻2：日本專利特開2013-138152號公報

[發明所欲解決之問題] 本發明之課題在於提供一種固持力及耐熱性優異、且同時低發塵性優異、不易污染被載置物之載置構件。 [解決問題之技術手段] 本發明之載置構件係載置面由奈米碳管之集合體所構成者，且於在矽晶圓上，以奈米碳管集合體側表面與該矽晶圓相接之方式，放置該載置構件，自該載置構件上施加100 g之負載並放置30秒時，轉印至該矽晶圓之直徑0.2 μm以上之微粒之個數為9000個/cm² 以下。於一實施形態中，本發明之載置構件包含基材，上述奈米碳管之集合體固定於該基材。於一實施形態中，上述奈米碳管之直徑之平均值為1 nm~800 nm。於一實施形態中，上述奈米碳管之包含前端之部分被無機材料被覆。於一實施形態中，本發明之載置構件係用於半導體零件之搬送。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種固持力及耐熱性優異、且同時低發塵性優異、不易污染被載置物之載置構件。

本發明之載置構件包含奈米碳管集合體。奈米碳管集合體構成載置構件之載置面。奈米碳管集合體具有良好之黏著性(摩擦性)，可良好地保持放置於載置構件上之被載置物。A. 載置構件 圖1係本發明之一實施形態之載置構件之概略剖視圖。載置構件100包含奈米碳管集合體10。於一實施形態中，如圖1所示，載置構件100進而具備基材20。再者，於圖1(及下述之圖2)中，表示於基材20之單側配置奈米碳管集合體10之形態，但奈米碳管集合體10亦可配置於基材20之兩側。奈米碳管集合體10包含複數根奈米碳管11。奈米碳管11之單端固定於基材20。奈米碳管11係沿長度L之方向配向，奈米碳管集合體10構成為纖維狀柱狀構造體。奈米碳管11較佳為相對於基材20沿大致垂直方向配向。於此，所謂「大致垂直方向」係相對於基材20之面之角度較佳為90°±20°、更佳為90°±15°、進而較佳為90°±10°、尤佳為90°±5°。於另一實施形態中，如圖2所示，載置構件200進而具備基材20及黏合劑30。於該實施形態中，奈米碳管11之單端固定於黏合劑30。藉由將奈米碳管11固定於黏合劑30，可獲得低發塵性優異之載置構件。本發明之載置構件係低發塵性優異。若使用此種載置構件，則可顯著地防止被載置物之污染。本發明之載置構件係由於其低發塵性而可較佳地用於要求較高之潔淨性之被載置物。例如，本發明之載置構件係於半導體元件之製造步驟、光學構件之製造步驟等中，可較佳地用於被加工物(例如，半導體晶圓、半導體元件等半導體零件、玻璃基板等)之搬送，若將被加工物載置於該載置構件上而搬送該被加工物，則可於維持被加工物之潔淨性之狀態下推進步驟。又，本發明之載置構件亦可較佳地用作用於分析裝置之載置構件。又，包含奈米碳管集合體之載置構件係由於耐熱性優異，故而即便於高溫環境下(例如，400℃以上、較佳為500℃~1000℃、更佳為500℃~700℃)，亦表現出優異之摩擦特性。本發明之載置構件係由於低發塵性及耐熱性優異，故而例如於半導體元件之製造步驟中之晶圓處理步驟(所謂之預步驟)中尤其有用。本發明之載置構件例如可藉由提高奈米碳管之均勻性、具體而言係具有複數根之奈米碳管之直徑之均勻性、具有多層構造之該奈米碳管之層數之均勻性等而獲得。於在矽晶圓上，以奈米碳管集合體側表面與該矽晶圓相接之方式，放置上述載置構件，自載置構件上施加100 g之負載並放置30秒時，轉印至該矽晶圓之直徑0.2 μm以上之微粒(轉印微粒)之個數為9000個/cm² 以下、較佳為8500個/cm² 以下、更佳為1000個/cm² 以下、進而較佳為200個/cm² 以下。該微粒之個數越少則越佳，但其下限例如為10個/cm² (較佳為5個/cm² )。所謂「奈米碳管集合體側表面」係載置構件之載置面，於圖1及圖2中係奈米碳管集合體10之與基材20為相反側之表面10a。於上述載置構件之奈米碳管集合體側表面產生之凹部之俯視面積之比例係相對於奈米碳管集合體側表面之總面積而較佳為5%以下、更佳為4%以下、進而較佳為3%以下、進而較佳為2%以下、尤佳為1%以下、最佳為0%。若為此種範圍，則可獲得低發塵性優異之載置構件。再者，所謂「凹部之俯視面積」係指奈米碳管集合體側表面中之凹部之開口部之面積之總和，可使用SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)等顯微鏡對奈米碳管集合體側表面進行觀察、並進行測定。又，「凹部」係指其開口部之直徑為10 μm以上者。「凹部」代表性而言可能因奈米碳管集合體之缺損產生。上述凹部之開口部之直徑較佳為1000 μm以下、更佳為500 μm以下、進而較佳為100 μm以下。上述凹部之個數較佳為80個/cm² 以下、更佳為50個/cm² 以下、進而較佳為20個/cm² 以下、進而較佳為10個/cm² 以下、尤佳為5個/cm² 以下、最佳為0個/cm² 。上述載置構件之奈米碳管集合體側表面相對於玻璃表面之靜摩擦係數較佳為1.0以上、更佳為2.0以上。上述靜摩擦係數之上限值較佳為20。根據如上所述般轉印微粒較少之本案發明之載置構件，可獲得靜摩擦係數較高、且固持性優異之載置構件。再者，相對於玻璃表面之摩擦係數較大之上述載置構件即便對於包含除了玻璃以外之材料之被載置物(例如，半導體晶圓)，亦當然可表現出較強之固持性。 A-1.奈米碳管集合體奈米碳管集合體包含複數根奈米碳管。上述奈米碳管之直徑(各個值)較佳為0.3 nm~1000 nm、更佳為1 nm~500 nm、進而較佳為2 nm~200 nm、尤佳為2 nm~100 nm。藉由將奈米碳管之長度調整於上述範圍內，可使該奈米碳管兼具優異之機械特性及較高之比表面積，進而，可使該奈米碳管變成表現出優異之摩擦特性之奈米碳管集合體。上述奈米碳管之直徑之平均值較佳為1 nm~800 nm、更佳為2 nm~100 nm、進而較佳為5 nm~50 nm、尤佳為5 nm~40 nm、最佳為5 nm以上且未達10 nm。若為此種範圍，則可獲得低發塵性優異之載置構件。奈米碳管之直徑之平均值係指藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察構成奈米碳管集合體之奈米碳管，並對隨機抽取之30根奈米碳管之直徑進行測定，根據該測定值所算出之平均值(個數基準)。再者，TEM觀察用試樣可藉由如下方法而製作，即，將要測定之奈米碳管與乙醇約5 mL放入至10 mL之玻璃瓶，進行約10分鐘之超音波處理，製備奈米碳管分散液，其後，將使用微量吸管分取之該分散液滴加數滴至TEM觀察用微細網眼(試樣保持網目)之後，使其風乾。上述奈米碳管之直徑之標準偏差較佳為3 nm以下、更佳為2.5 nm以下、進而較佳為2 nm以下、尤佳為1.8 nm以下、最佳為1 nm以下。藉由使奈米碳管之直徑之標準偏差變小、即形成關於直徑偏差較少之奈米碳管集合體，可獲得低發塵性優異之載置構件。奈米碳管之直徑之標準偏差越小則越佳，但其下限值例如為0.1 nm。奈米碳管之直徑之標準偏差係指藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察構成奈米碳管集合體之奈米碳管，並對隨機抽取之30根奈米碳管之直徑進行測定，根據該測定值及該測定值之平均值(個數基準)所得之標準偏差。作為奈米碳管之形狀，只要其橫截面具有任意適切之形狀即可。例如，其橫截面可列舉大致圓形、橢圓形、n邊形(n為3以上之整數)等。於一實施形態中，奈米碳管具有多層構造。具有多層構造之奈米碳管之層數之標準偏差較佳為3以下、更佳為2以下、進而較佳為1.7以下、尤佳為1以下。藉由使奈米碳管之層數之標準偏差變小、即形成關於層數偏差較少之奈米碳管集合體，可獲得低發塵性優異之載置構件。奈米碳管之層數之標準偏差越小則越佳，但其下限值例如為0.1。奈米碳管之層數之標準偏差係指藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察構成奈米碳管集合體之奈米碳管，並對隨機抽取之30根奈米碳管之層數進行測定，根據該測定值及該測定值之平均值(個數基準)所得之標準偏差。於一實施形態中，奈米碳管之層數分佈之最頻值存在於層數10層以下，且該最頻值之相對頻度為30%以上。藉由使奈米碳管集合體採用此種構成，可獲得固持力較高、且低發塵性優異之載置構件。奈米碳管之層數分佈之分佈範圍較佳為9層以下、更佳為1層~9層、進而較佳為2層~8層、尤佳為3層~8層。藉由將奈米碳管之層數分佈之分佈範圍調整於此種範圍內，可形成固持力較高、且低發塵性優異之載置構件。奈米碳管之層數之最大層數較佳為1層~20層、更佳為2層~15層、進而較佳為3層~10層。藉由將奈米碳管之層數之最大層數調整於此種範圍內，可形成固持力較高、且低發塵性優異之載置構件。奈米碳管之層數之最小層數較佳為1層~10層、更佳為1層~5層。藉由將奈米碳管之層數之最小層數調整於此種範圍內，可形成固持力較高、且低發塵性優異之載置構件。奈米碳管之層數分佈之最頻值之相對頻度較佳為30%以上、更佳為30%~100%、進而較佳為30%~90%、尤佳為30%~80%、最佳為30%~70%。藉由將奈米碳管之層數分佈之最頻值之相對頻度調整於上述範圍內，可使該奈米碳管兼具優異之機械特性及較高之比表面積，進而，可使該奈米碳管變成表現出優異之摩擦特性之奈米碳管集合體。因此，具有此種奈米碳管集合體之載置構件係固持力及低發塵性優異。奈米碳管之層數分佈之最頻值較佳為存在於層數10層以下、更佳為存在於層數1層至層數10層、進而較佳為存在於層數2層至層數8層、尤佳為存在於層數2層至層數6層。藉由將奈米碳管之層數分佈之最頻值調整於上述範圍內，可使該奈米碳管兼具優異之機械特性及較高之比表面積，進而，可使該奈米碳管變成表現出優異之摩擦特性之奈米碳管集合體。因此，具有此種奈米碳管集合體之載置構件係固持力及低發塵性優異。奈米碳管之長度較佳為50 μm以上、更佳為100 μm~3000 μm、進而較佳為300 μm~1500 μm、進而較佳為400 μm~1000 μm、尤佳為500 μm~900 μm。藉由將奈米碳管之長度調整於上述範圍內，可使該奈米碳管兼具優異之機械特性及較高之比表面積，進而，可使該奈米碳管變成表現出優異之摩擦特性之奈米碳管集合體。因此，具有此種奈米碳管集合體之載置構件係固持力及低發塵性優異。奈米碳管之比表面積、密度可設定為任意適切之值。於一實施形態中，上述奈米碳管之包含前端之部分被無機材料被覆。此處所謂之「包含前端之部分」係指至少包含奈米碳管之前端(奈米碳管之與基材為相反側之前端)之部分。可為構成上述奈米碳管集合體之所有奈米碳管中，包含前端之部分被無機材料被覆，亦可為構成奈米碳管集合體之部分奈米碳管中，包含前端之部分被無機材料被覆。包含前端之部分被無機材料被覆之奈米碳管之含有比例係相對於構成奈米碳管集合體之奈米碳管之總量而較佳為50重量%~100重量%、更佳為60重量%~100重量%、進而較佳為70重量%~100重量%、進而較佳為80重量%~100重量%、尤佳為90重量%~100重量%、最佳為實質上100重量%。若為此種範圍，則可形成固持力較高、且低發塵性優異之載置構件。上述被覆層之厚度較佳為1 nm以上、更佳為3 nm以上、進而較佳為5 nm以上、進而較佳為7 nm以上、尤佳為9 nm以上、最佳為10 nm以上。上述被覆層之厚度之上限值較佳為50 nm、更佳為40 nm、進而較佳為30 nm、尤佳為20 nm、最佳為15 nm。若為此種範圍，則可形成固持力較高、且低發塵性優異之載置構件。上述被覆層之長度較佳為1 nm~1000 nm、更佳為5 nm~700 nm、進而較佳為10 nm~500 nm、尤佳為30 nm~300 nm、最佳為50 nm~100 nm。若為此種範圍，則可形成固持力較高、且低發塵性優異之載置構件。作為上述無機材料，可於不損害本發明之效果之範圍內採用任意適切之無機材料。作為此種無機材料，例如可列舉SiO₂ 、Al₂ O₃ 、Fe₂ O₃ 、TiO₂ 、MgO、Cu、Ag、Au等。 A-2.基材作為基材，可視目的採用任意適切之基材。例如可列舉石英玻璃、矽(矽晶圓等)、工程塑膠、超級工程塑膠、鋁等金屬等。作為工程塑膠及超級工程塑膠之具體例，可列舉聚醯亞胺、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙醯纖維素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚醯胺等。該等基材之分子量等各物性可於能達成本發明之目的之範圍內採用任意適切之物性。基材之厚度可視目的而設定為任意適切之值。例如，於使用矽基材之情形時，該矽基材之厚度較佳為100 μm~10000 μm、更佳為100 μm~5000 μm、進而較佳為100 μm~2000 μm。關於基材之表面，為了提高與相鄰之層之密接性、保持性等，亦可實施慣用之表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學或物理處理；及利用底塗劑(例如，上述黏著性物質)所進行之塗佈處理。基材可為單層，亦可為多層。 A-3.黏合劑作為上述黏合劑，只要為具有可將基材與奈米碳管集合體接合之效果者，則可採用任意適切之黏合劑。作為此種黏合劑，例如可列舉碳膏、氧化鋁膏、銀膏、鎳膏、金膏、鋁膏、氧化鈦膏、氧化鐵膏、鉻膏、鋁、鎳、鉻、銅、金、銀等。又，亦可藉由任意適切之接著劑形成黏合劑。B. 載置構件之製造方法 關於本發明之載置構件，例如可列舉：將形成於平滑板上之奈米碳管集合體轉印至上述基材之方法(較佳為，介隔黏合劑而固定於基材之方法)；及於可用作基材之平滑板直接形成奈米碳管集合體之方法等。又，亦可將形成有奈米碳管集合體之平滑板與基材貼合，而製造載置構件。於一實施形態中，上述載置構件之製造方法包括以下步驟： (步驟a)準備特定之形狀之平滑板A1； (步驟b)於該平滑板A1形成觸媒層；及 (步驟c)於形成有觸媒層之平滑板A2形成奈米碳管集合體。作為上述平滑板，可採用任意適切之平滑板。例如，可列舉具有平滑性、且具有能承受奈米碳管之製造之高溫耐熱性之材料。作為此種材料，例如可列舉石英玻璃、矽(矽晶圓等)、鋁等金屬板等。上述平滑板A1可視目的而為任意適切之形狀。代表形狀為矩形狀。於一實施形態中，步驟a包括將大面積之平滑板A0藉由任意適切之方法單片化，而獲得特定之形狀之平滑板A1。較佳為，藉由步驟a而準備之平滑板A1、與經步驟c後之平滑板A3為大致相同形狀且大致相同尺寸。即，較佳為，於步驟a之後，不包括將平滑板A1、形成有觸媒層之平滑板A2、及形成有奈米碳管集合體之平滑板A3單片化之步驟。再者，亦可於形成奈米碳管集合體之後(步驟c後)，將所獲得之載置構件單片化。奈米碳管集合體可藉由化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition：CVD法)形成，即，在步驟b中於平滑板A1上形成觸媒層，並於步驟c中於使該觸媒層活化之狀態下填充碳源，使奈米碳管生長。作為用以形成奈米碳管集合體之裝置，可採用任意適切之裝置。例如，作為熱CVD裝置，可列舉如圖3所示之、以電阻加熱式電管狀爐包圍筒型反應容器而構成之熱壁型等。於該情形時，作為反應容器，例如可較佳地使用耐熱性石英管等。作為可用於奈米碳管集合體之形成之觸媒(觸媒層之材料)，可使用任意適切之觸媒。例如可列舉鐵、鈷、鎳、金、鉑、銀、銅等金屬觸媒。於形成奈米碳管集合體時，亦可視需要於平滑板與觸媒層之間設置氧化鋁/親水性膜。作為氧化鋁/親水性膜之製作方法，可採用任意適切之方法。例如，可藉由在平滑板上製作SiO₂ 膜，並蒸鍍Al，之後升溫至450℃使其氧化而獲得。根據此種製作方法，Al₂ O₃ 與親水性SiO₂ 膜相互作用，與直接蒸鍍Al₂ O₃ 而成者相比可形成粒徑不同之Al₂ O₃ 面。於平滑板上若不製作親水性膜，則即便於蒸鍍Al之後升溫至450℃使其氧化，亦有難以形成粒徑不同之Al₂ O₃ 面之虞。又，即便於平滑板上製作親水性膜並直接蒸鍍Al₂ O₃ ，亦有難以形成粒徑不同之Al₂ O₃ 面之虞。上述觸媒層之形成方法可採用任意適切之方法。例如可列舉藉由EB(electron-beam，電子束)、濺鍍等蒸鍍金屬觸媒之方法、及將金屬觸媒微粒子之懸浮液塗佈於平滑板上之方法等。於一實施形態中，藉由濺鍍處理形成觸媒層。作為濺鍍處理之條件，可採用任意適切之條件。詳細情況於下文敍述。較佳為，於進行濺鍍處理之前，對平滑板A1實施預處理。作為預處理，可列舉對平滑板A1進行加溫之處理。藉由加溫處理，平滑板A1較佳為被加溫至25℃~80℃、更佳為被加溫至25℃~40℃。藉由進行預處理，可獲得奈米碳管集合體之缺損較少、且低發塵性優異之載置構件。上述觸媒層之厚度係為了形成微粒子而較佳為0.01 nm~20 nm、更佳為0.1 nm~10 nm、進而較佳為0.1 nm以上且未達3 nm、尤佳為0.5 nm~2 nm。若為此種範圍，則可形成均勻性優異之奈米碳管集合體、即奈米碳管之直徑及/或層數之標準偏差較小之奈米碳管集合體。又，可獲得兼具優異之機械特性及較高之比表面積、進而表現出優異之摩擦特性之奈米碳管集合體。作為於步驟c中填充之碳源，可使用任意適切之碳源。例如可列舉：甲烷、乙烯、乙炔、苯等烴；以及甲醇、乙醇等醇等。作為奈米碳管集合體之形成中之製造溫度(步驟c中之製造溫度)，可採用任意適切之溫度。例如，為了形成可使本發明之效果充分地顯現之觸媒粒子，較佳為400℃~1000℃、更佳為500℃~900℃、進而較佳為600℃~800℃。如上述般，可於平滑板上形成奈米碳管集合體。於一實施形態中，將包含奈米碳管集合體及平滑板之構成體設為載置構件。於該情形時，上述平滑板A3相當於基材(圖1之基材20)。於另一實施形態中，將奈米碳管集合體自平滑板轉印至基材而獲得載置構件。 [實施例] 以下，基於實施例對本發明進行說明，但本發明並非限定於該等。再者，各種評價、測定係藉由以下之方法而進行。 (1)晶圓轉印微粒之評價於無塵室內，設置矽製之8英吋晶圓(VALQUA FT公司製、厚度700 μm)，並於該晶圓上，以奈米碳管集合體側表面與該晶圓相接之方式，放置被切割成1 cm見方之載置構件，自載置構件上施加100 g之負載，並放置30秒。其後，藉由晶圓評價裝置(KLA-Tencor公司製、商品名「Surfscan SP1」)測定殘存於之前與載置構件相接之晶圓表面之微粒(直徑：0.2 μm以上)之個數。 (2)相對於玻璃表面之靜摩擦係數之測定依據JIS K7125進行測定。將載置構件之奈米碳管集合體側放置於載玻片(松浪硝子工業公司製)，自其上放置滑片(底面：毛氈、63 mm×63 mm)，進而於該滑片上放置重物(滑片之總質量成為200 g之重量之重物)，於該狀態下，以試驗速度100 mm/min拉伸試片，根據試片開始移動時之最大負載算出靜摩擦係數。再者，將評價點設為4點，求出靜摩擦係數之平均、及該4點上之最大值與最小值之差，而對載置構件之特性進行評價。〔實施例1〕準備矽基材(Silicon Technology公司製、厚度700 μm、尺寸：200 mmf (保持8英吋晶圓之狀態))(步驟a)。其後，於該矽基材上，藉由濺鍍裝置(SHIBAURA MECHATRONICS公司製、商品名「CFS-4ES」)，形成Al₂ O₃ 薄膜(極限真空：8.0×10^-4 Pa、濺鍍氣體：Ar、氣壓：0.50 Pa、沈積速率：0.12 nm/sec、厚度：20 nm)。於該Al₂ O₃ 薄膜上，進而利用濺鍍裝置(SHIBAURA MECHATRONICS公司製、商品名「CFS-4ES」)將Fe薄膜形成為觸媒層(厚度：1.0 nm)(步驟b)。繼而，將形成有觸媒層之矽基材裁剪成10 mm×10 mm之尺寸。繼而，將裁剪而獲得之基材載置於30 mmf之石英管內，使保持為含水率700 ppm之氦/氫(105/80 sccm)混合氣體於石英管內流通30分鐘，而對管內進行置換。其後，使用電管狀爐使管內升溫至765℃，並使其穩定於765℃。於將溫度保持於765℃之狀態下，將氦/氫/乙烯(105/80/15 sccm、含水率700 ppm)混合氣體填充至管內，並放置60分鐘，而使奈米碳管於基材上沿垂直方向配向(步驟c)，從而獲得載置構件。將所獲得之載置構件供於上述評價(1)及(2)。本實施例之載置構件之晶圓轉印微粒數(評價1)為189個/cm² 。又，該載置構件之靜摩擦係數之平均值(n4)為2.6，4點之評價中之最大值與最小值之差為0.2。〔實施例2〕將觸媒層之厚度設為2.0 nm，除此以外與實施例1同樣地獲得載置構件。將所獲得之載置構件供於上述評價(1)及(2)。本實施例之載置構件之晶圓轉印微粒數(評價1)為8127個/cm² 。又，該載置構件之靜摩擦係數之平均值(n4)為2.5，4點之評價中之最大值與最小值之差為0.6。〔比較例1〕將觸媒層之厚度設為3.0 nm，除此以外與實施例1同樣地獲得載置構件。將所獲得之載置構件供於上述評價(1)及(2)。本實施例之載置構件之晶圓轉印微粒數(評價1)為9250個/cm² 。又，該載置構件之靜摩擦係數之平均值(n4)為1.7，4點之評價中之最大值與最小值之差為2.0。〔比較例2〕將觸媒層之厚度設為4.0 nm，除此以外與實施例1同樣地獲得載置構件。將所獲得之載置構件供於上述評價(1)及(2)。本實施例之載置構件之晶圓轉印微粒數(評價1)為9587個/cm² 。又，該載置構件之靜摩擦係數之平均值(n4)為1.4，4點之評價中之最大值與最小值之差為2.4。 [表1]

如根據實施例及比較例之結果可知般，轉印微粒較少之本案發明之載置構件係靜摩擦係數較高、且靜摩擦係數之偏差較小。此種本案發明之載置構件可較佳地用作電子零件等之搬送構件。

10‧‧‧奈米碳管集合體10a‧‧‧(奈米碳管集合體之與基材為相反側之)表面11‧‧‧奈米碳管20‧‧‧基材30‧‧‧黏合劑100‧‧‧載置構件200‧‧‧載置構件L‧‧‧長度

圖1係本發明之一實施形態之載置構件之概略剖視圖。圖2係本發明之另一實施形態之載置構件之概略剖視圖。圖3係本發明之一實施形態中之奈米碳管集合體之製造裝置之概略剖視圖。

10‧‧‧奈米碳管集合體

10a‧‧‧(奈米碳管集合體之與基材為相反側之)表面

11‧‧‧奈米碳管

20‧‧‧基材

100‧‧‧載置構件

L‧‧‧長度

Claims

一種載置構件，其係載置面由奈米碳管集合體所構成者，於該載置構件之該奈米碳管集合體側表面產生之凹部之俯視面積之比例係相對於該奈米碳管集合體側表面之總面積為5%以下，且於在矽晶圓上，以該奈米碳管集合體側表面與該矽晶圓相接之方式，放置該載置構件，自該載置構件上施加100g之負載並放置30秒時，轉印至該矽晶圓之直徑0.2μm以上之微粒之個數為9000個/cm²以下。
如請求項1之載置構件，其包含基材，且上述奈米碳管之集合體係固定於該基材。
如請求項1之載置構件，其中奈米碳管集合體側表面相對於玻璃表面之靜摩擦係數為2.0以上。
如請求項2之載置構件，其中奈米碳管集合體側表面相對於玻璃表面之靜摩擦係數為2.0以上。
如請求項1至4中任一項之載置構件，其中上述奈米碳管之直徑之平均值為1nm~800nm。
如請求項1至4中任一項之載置構件，其中上述奈米碳管之包含前端之部分被無機材料被覆。
如請求項5之載置構件，其中上述奈米碳管之包含前端之部分被無機材料被覆。
如請求項1至4中任一項之載置構件，其係用於半導體零件之搬送。
如請求項5之載置構件，其係用於半導體零件之搬送。
如請求項6之載置構件，其係用於半導體零件之搬送。
如請求項7之載置構件，其係用於半導體零件之搬送。