TWI751450B

TWI751450B - 基板處理裝置和基板處理方法

Info

Publication number: TWI751450B
Application number: TW108141139A
Authority: TW
Inventors: 鈴木啓悟
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2018-11-27
Filing date: 2019-11-13
Publication date: 2022-01-01
Also published as: KR20200063075A; KR102355695B1; CN111223794A; CN111223794B; JP6899813B2; JP2020088194A; TW202021023A

Abstract

本發明提供一種適合於多片基板的同時處理和多片基板的個別處理這兩種處理的基板處理裝置和基板處理方法。基板處理裝置包括上游處理部、下游處理部、第一待機部、第二待機部以及搬送機器人。上游處理部對多片基板逐片依次進行處理。下游處理部可對通過上游處理部進行了處理的兩片基板同時進行處理。第一待機部使作為被上游處理部處理過的基板的第一基板待機。第二待機部使作為被上游處理部處理過的基板的、且為第一基板的下一基板的第二基板待機。搬送機器人可取出第一基板與第二基板兩者、僅第一基板、和僅第二基板的任一種作為搬送對象，且可將所述搬送對象搬送至下游處理部。

Description

基板處理裝置和基板處理方法

本發明是有關於一種基板處理裝置和基板處理方法。

已知曉具有多個處理裝置的塗布機/顯影機(coater/developer)裝置。例如，在專利文獻1記載的塗布機/顯影機裝置中，自載置於分度器(indexer)部的匣盒(cassette)中取出的多片基板依次被投入清洗裝置中，然後，按順序經由脫水烘烤裝置、抗蝕劑塗布裝置、預烘烤裝置、曝光裝置、顯影裝置和後烘烤裝置，並再次被收容至匣盒中。

所述塗布機/顯影機裝置中混合存在以下兩種類型的處理裝置。即，混合存在平流處理裝置與可變搬送型的處理裝置。在所述平流處理裝置中，基板是逐片地搬入。平流處理裝置沿一個方向依次搬送所述基板並對基板逐片進行處理。所述平流處理裝置例示有清洗裝置和顯影裝置。

在可變搬送型的處理裝置中，基板也是逐片地搬入。可變搬送型的處理裝置具有：多個處理部、以及對所述多個處理部搬送基板的基板搬送部件。基板搬送部件具有：接收基板的手(hand)、以及使所述手向各處理部移動的移動機構。所述基板搬送部件自上游側的裝置逐片接收基板並將基板傳遞至處理部。另外，基板搬送部件還可在處理部的相互之間搬送基板。所述可變搬送型的處理裝置例如例示有脫水烘烤裝置。在所述脫水烘烤裝置中設置有加熱部和冷卻部作為多個處理部。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2015-156426號公報

然而，在此種可變搬送型的處理裝置的各處理部中，例如自上游側的平流裝置逐片地搬送基板，且各處理部對基板逐片進行處理。因此，存在基板處理的生產率(throughput)低這一問題。

因此，考慮使可變搬送型的處理裝置的各處理部對多片基板同時進行處理。由此可提高基板處理的生產率。

然而，可變搬送型的處理裝置的各處理部總是對多片基板同時進行處理的情況不一定理想，也有理想的是各處理部對一片基板進行處理的情況。以下簡單進行說明。

例如，在平流處理裝置中，在先行的基板(以下稱為先行基板)的處理結束之後，對繼所述先行基板之後流入的基板(以下稱為後續基板)進行處理。因此，先行基板需要等待後續基板的處理結束，在所述先行基板的待機期間，先行基板的狀態可能會隨時間變化。因此，在後續基板的處理結束時的時間點，先行基板和後續基板的狀態可相互不同。當如上所述先行基板和後續基板的狀態的差異變大時，等待平流處理裝置中的後續基板的處理結束的情況並不優選。因此，理想的是將先行基板和後續基板依次搬送至下游側的可變搬送型的處理裝置的各處理部中，並對先行基板和後續基板逐片個別地進行處理。由此，可對狀態上無差異的基板進行處理。

另一方面，若所述差異小，則理想的是下游側的可變搬送型的處理裝置的各處理部對先行基板和後續基板同時進行處理。由此，可提高生產率。

然而，以前並未考慮此種處理方法的不同，並且未提出適合於此兩種處理方法的基板處理裝置。

因此，本發明是鑒於所述課題而成的，其目的在於提供一種適合於多片基板的同時處理和多片基板的個別處理這兩種處理的基板處理裝置和基板處理方法。

基板處理裝置的第一形態包括：上游處理部，對多片基板逐片依次進行處理；下游處理部，能夠對通過所述上游處理部進行了處理的兩片基板同時進行處理；第一待機部，使作為被所述上游處理部處理過的基板的第一基板待機；第二待機部，使作為被所述上游處理部處理過的基板的、且為所述第一基板的下一基板的第二基板待機；以及搬送機器人，能夠取出在所述第一待機部待機的所述第一基板與在所述第二待機部待機的所述第二基板兩者、在所述第一待機部待機的僅所述第一基板、和在所述第二待機部待機的僅所述第二基板的任一種作為搬送對象，且能夠將所述搬送對象搬送至所述下游處理部。

基板處理裝置的第二形態是第一形態的基板處理裝置，其中所述第一待機部具有使所述第一基板上升的第一上升機構，所述第二待機部具有使所述第二基板上升的第二上升機構，所述第一上升機構和所述第二上升機構相互獨立地受到驅動。

基板處理裝置的第三形態是第二形態的基板處理裝置，其中所述上游處理部具有沿著搬送方向逐片依次搬送所述多片基板的搬送部，所述第一待機部在所述搬送方向上位於所述搬送部的下游側，所述第二待機部在所述搬送方向上位於所述搬送部與所述第一待機部之間，也具有將來自所述搬送部的所述第一基板搬送至所述第一待機部的功能，當所述第一基板自所述第二待機部被搬送至所述第一待機部時，所述第一上升機構使所述第一基板上升，在第一上升機構使所述第一基板上升的狀態下，所述第二基板自所述搬送部被搬送至所述第二待機部。

基板處理裝置的第四形態是第一形態至第三形態中任一形態的基板處理裝置，其中所述下游處理部具有進行乾燥處理的多個乾燥部，當所述第一基板和所述第二基板各自的乾燥所需要的必要乾燥時間為第一時間時，所述搬送機器人將所述第一基板搬送至所述多個乾燥部中的一個乾燥部，將所述第二基板搬送至所述多個乾燥部中的另一個乾燥部，當所述必要乾燥時間為比所述第一時間長的第二時間時，所述搬送機器人接收所述第一基板和所述第二基板兩者並整批搬送至所述多個乾燥部中的一個乾燥部。

基板處理方法的形態包括：第一步驟，逐片依次處理多片基板；第二步驟，使作為在所述第一步驟中進行了處理的基板的第一基板待機；第三步驟，使作為在所述第一步驟中進行了處理的基板的、且為所述第一基板的下一基板的第二基板待機；第四步驟，通過搬送機器人取出搬送對象，所述搬送機器人能夠取出所述第一基板與所述第二基板兩者、僅所述第一基板、和僅第二基板的任一種作為所述搬送對象；以及第五步驟，通過所述搬送機器人，將所述搬送對象搬送至能夠同時處理兩片基板的下游處理部。

根據基板處理裝置的第一形態和基板處理方法的形態，搬送機器人既可將第一基板和第二基板兩者整批搬送至下游處理部，另外也可將第一基板和第二基板個別地搬送至下游處理部。若將第一基板和第二基板兩者整批搬送至下游處理部，則下游處理裝置對第一基板和第二基板兩者同時進行處理。由此，可提高生產率。另一方面，若將第一基板和第二基板個別地搬送至下游處理部，則下游處理部對第一基板和第二基板個別地進行處理。由此，下游處理部可以分別適合於第一基板和第二基板的處理條件，對第一基板和第二基板進行處理。

根據基板處理裝置的第二形態，第一上升機構和第二上升機構相互獨立地受到驅動，因此既可僅使第一基板上升，也可僅使第二基板上升，還可使第一基板和第二基板兩者上升。

根據基板處理裝置的第三形態，可使第一基板在更早的時刻上升。由此，可使第一基板自搬送部分離地對第一基板進行支撐。由此，可減少在搬送部與基板之間移動的熱量。由此，可減少第一基板與第二基板的溫度狀態的差。

根據基板處理裝置的第四形態，上游處理部對第一基板和第二基板逐片依次進行處理，因此所述處理的結束時刻在第一基板與第二基板之間不同。具體來說，第一基板的結束時刻是比第二基板的結束時刻早的時刻。由此，對第一基板和第二基板進行的處理結束之後的第一基板的乾燥狀態與第二基板的乾燥狀態不同。

當必要乾燥時間較短時，第一基板和第二基板均容易乾燥，由處理的結束時刻的差所引起的乾燥程度差相對較大。在所述情況下，搬送機器人將第一基板和第二基板分別搬送至不同的乾燥部。由此，可以分別適合於第一基板和第二基板的乾燥時間進行乾燥處理。

另一方面，當必要乾燥時間長時，第一基板和第二基板均難以乾燥，由處理的結束時刻的差所引起的乾燥程度差相對較小。在所述情況下，搬送機器人將第一基板和第二基板整批搬送至一個乾燥部。由此，可提高乾燥所需要的產生率。

1:基板處理裝置

2、2A:塗布裝置

3:減壓乾燥裝置

4、72:搬送機器人

5:交接單元

6:控制部

7:加熱處理裝置

21:基板導入部

22:處理裝置本體

23:基板待機部

31、31a~31c:乾燥部

41:手

42:移動機構

43:旋轉機構

44:升降機構

61:CPU

62:ROM

63:RAM

64:儲存裝置

65:總線

66:輸入部

67:顯示部

68:通信部

71:加熱單元

211A、211B、236A、236B:旋轉軸

212A、212B、237A、237B、2211:輥子

221:移載單元

222:上浮平台

223:基板搬送部

224:噴嘴

225、233:出口上浮平台

231:第一待機部

232:第二待機部

234:第一上升機構

235:第二上升機構

411:指狀構件

412:基端構件

2212:入口上浮平台

2213、2341、2351:頂銷

2214、2342、2352:升降機構

2231:基板吸盤部

2232:進退機構

R1:塗布區域

S1、S2、S3:步驟

T1:必要乾燥時間

Tref:基準時間

W:基板

W1:第一基板

W2:第二基板

X、Y、Z:軸

圖1是概略性地表示基板處理裝置的構成的一例的平面圖。

圖2是概略性地表示控制部的構成的一例的功能框圖。

圖3是概略性地表示塗布裝置和搬送機器人的構成的一例的側視圖。

圖4是表示控制部的動作的一例的流程圖。

圖5是概略性地表示塗布裝置的構成的一例的側視圖。

第一實施形態.

<1.基板處理裝置的全體構成、全體動作的概要的一例>

圖1是概略性地表示基板處理裝置1的構成的一例的平面圖。此外，在以下參照的各圖中，為了容易理解，視需要對各部的尺寸或數量進行誇張或簡化描繪。另外，在各圖中，為了說明各構成的位置關係，適宜地示出XYZ正交坐標系。此處，Z軸以沿著鉛垂方向的姿勢配置，X軸和Y軸沿著水平面配置。以下，將X軸方向上的其中一側也稱為+X側，將另一側也稱為-X側。Y軸和Z軸也相同。此外，以下，+Z側是指鉛垂上側。

基板處理裝置1包括塗布裝置2、減壓乾燥裝置3、搬送機器人4以及控制部6。在塗布裝置2中，自上游側搬入有基板W。此外，基板W在搬入塗布裝置2之前可適宜地進行清洗處理等處理。塗布裝置2在沿著搬送方向逐片依次搬送多片基板W的同時，對基板W逐片進行塗布處理。由此，在基板W的上表面形成塗膜。作為塗布於基板W的塗布液，例如可採用光致抗蝕劑用的塗布液或絕緣膜用的塗布液。

減壓乾燥裝置3設置於塗布裝置2的下游側，且包括多個乾燥部31。多個乾燥部31中的各乾燥部31可接納通過塗布裝置2進行了處理的N(N為2以上的整數)片基板W。以下，作為一例，對作為N片基板W而採用了兩片基板的情況進行敘述。乾燥部31對所搬入的基板W進行減壓乾燥處理。即，當在乾燥部31中搬入有兩片基板W時，乾燥部31對兩片基板W同時進行減壓乾燥處理。另外，當在乾燥部31中搬入有一片基板W時，乾燥部31對所述一片基板W進行減壓乾燥處理。通過所述減壓乾燥處理，基板W的塗膜在一定程度上乾燥。此外，乾燥部31中的兩片基板的處理期間無需完全一致，只要各處理期間的至少一部分重合即可。總之，此處所說的同時，是以與各處理期間完全不重合的狀態相對的含義來使用。

搬送機器人4可將通過塗布裝置2進行了處理的兩片基板W整批取出來作為搬送對象，並將所述搬送對象整批向乾燥部31搬送。以下，作為一例，對作為N片基板W而採用了兩片基板的情況進行敘述。

另外，搬送機器人4也可將通過塗布裝置2進行了處理的基板W逐片取出來作為搬送對象，並將各基板W依次搬送至相互不同的乾燥部31。如之後所進行的詳細敘述，搬送機器人4所搬送的基板W的片數根據塗布裝置2的處理內容(具體來說為塗布液的種類)而變更。

搬送機器人4將通過減壓乾燥裝置3進行了處理的基板W搬送至交接單元5。交接單元5設置於乾燥部31的上方，可接納兩片基板W。若在乾燥部31中對兩片基板W同時進行處理，則搬送機器人4自乾燥部31取出所述兩片基板W，並將所述兩片基板W整批搬送至交接單元5。另一方面，若在乾燥部31中對一片基板W進行處理，則搬送機器人4取出所述一片基板W，並將所述一片基板W搬送至交接單元5。進而，搬送機器人4取出通過另一乾燥部31進行了處理的一片基板W，並將所述一片基板W搬送至交接單元5。由此，在交接單元5中搬入有兩片基板W。

搬入至交接單元5內的兩片基板W被設置於所述交接單元5的下游側的搬送機器人72整批取出，並搬送至位於下游側的加熱處理裝置7的加熱單元71。加熱單元71對兩片基板W同時進行加熱處理。由此，兩片基板W的塗膜大致完全乾燥。

控制部6控制各處理裝置中的處理和基板W的搬送。圖2是概略性地表示控制部6的構成的一例的功能框圖。控制部6是控制電路，如圖2所示，例如包括將中央處理器(Central Processing Unit，CPU)61、唯讀記憶體(Read Only Memory，ROM)62、隨機存取記憶體(Random Access Memory，RAM)63和儲存裝置64等經由總線(bus line)65相互連接而成的一般的計算機。ROM 62保存基本程序等，RAM 63被提供作為供CPU 61進行規定處理時的操作區域。儲存裝置64包括快閃記憶體、或硬碟裝置等非易失性的儲存裝置。

另外，在控制部6中，輸入部66、顯示部67、通信部68也連接於總線65。輸入部66包括各種開關、或觸摸屏等，且從操作員收到處理配方(recipe)等各種輸入設定指示。顯示部67包括液晶顯示裝置和燈等，基於利用CPU 61的控制來顯示各種信息。通信部68具有經由區域網路(Local Area Network，LAN)等的數據通信功能。

另外，在控制部6上連接有各機器人(搬送機器人4、搬送機器人72等)和所述各處理裝置作為控制對象。即，控制部6可作為對基板W的搬送進行控制的搬送控制部發揮功能。

控制部6的功能可通過CPU 61執行ROM 62或儲存裝置64中所保存的程序來實現。即，控制部6的功能可通過軟體來實現。或者，控制部6的功能的一部分或全部也可通過包括專用的邏輯電路等的硬體來實現。

<1-1.塗布裝置>

塗布裝置2包括基板導入部21、處理裝置本體22以及基板待機部23。基板導入部21接收基板W。例如在基板導入部21中整批搬入有兩片基板W。處理裝置本體22依次接收自基板導入部21搬送的基板W，並沿著搬送方向搬送所述基板W。此處，處理裝置本體22中的搬送方向為X軸方向，所述搬送方向的上游側為-X側，搬送方向的下游側為+X側。此外，塗布裝置2是位於減壓乾燥裝置3的上游側(-X側)的上游處理部。

處理裝置本體22在將基板W依次向+X側搬送的同時，對所述基板W逐片依次進行塗布處理。塗布處理後的基板W自處理裝置本體22被依次搬送至基板待機部23。基板待機部23依次接收自處理裝置本體22搬送的基板W。基板待機部23可使依次接收的兩片基板W待機。此外，此處所說的“待機”，是指與基板W的待機時間的長短無關地在此位置停止。在基板待機部23待機的基板W被搬送機器人4取出，並被搬送至下游側的減壓乾燥裝置3。

<1-1-1.基板導入部>

圖3是概略性地表示塗布裝置2和搬送機器人4的構成的一例的側視圖。在圖3的例子中，基板導入部21例如包括輥子輸送機(coro conveyer)。所述輥子輸送機包括多個旋轉軸211A、多個旋轉軸211B、多個輥子212A以及多個輥子212B。旋轉軸211A和旋轉軸211B分別以各自的中心軸沿著Y軸的姿態設置。多個旋轉軸211A在X軸方向上隔開間隔排列，多個旋轉軸211B在比多個旋轉軸211A更靠下游側處，在X軸方向上隔開間隔排列。另外，旋轉軸211A和旋轉軸211B設置於相互大致相同的高度位置。旋轉軸211A和旋轉軸211B分別可將自身的中心軸作為旋轉軸來旋轉。

在各旋轉軸211A的外周面設置有多個輥子212A，在各旋轉軸211B的外周面設置有多個輥子211B。輥子212A和輥子212B具有圓環狀的形狀，且以其中心軸沿著Y軸的姿勢設置。

基板W被載置於多個輥子212A和多個輥子212B上。即，多個輥子212A的外周面的最上部與基板W的下表面接觸，多個輥子212B的外周面的最上部與基板W的下表面接觸。

多個旋轉軸211A由驅動部(未圖示)驅動，沿預定的相同方向以大致相等的旋轉速度旋轉(同步旋轉)。通過所述旋轉，多個輥子212A也沿相同方向以大致相等的旋轉速度旋轉。驅動部具有馬達，並由控制部6控制。通過輥子212A的旋轉，輥子212A上所載置的基板W被搬送至+X側。多個旋轉軸211B也由驅動部(未圖示)驅動而進行同步旋轉。由此，輥子212B上所載置的基板W被搬送至+X側。旋轉軸211A和旋轉軸211B相互獨立地受到控制。

也可在輥子212A和輥子212B上分別各載置一片基板W。例如，兩片基板W可自上游側的裝置被分別載置於輥子212A和輥子212B上。在所述狀態下，控制部6僅使旋轉軸211B同步旋轉。由此，可將輥子212B上的基板W搬送至處理裝置本體22。接著，控制部6使旋轉軸211A和旋轉軸211B兩者同步旋轉。由此，可將輥子212A上的基板W搬送至處理裝置本體22。

<1-1-2.處理裝置本體的概要>

處理裝置本體22在依次搬送基板W的同時，對所述基板W依次進行塗布處理。在圖1和圖3的例子中，所述處理裝置本體22包括移載單元221、上浮平台222、基板搬送部223以及噴嘴224。

移載單元221是將自基板導入部21搬送的基板W搬送至上浮平台222的單元，且是轉換搬送方式的單元。即，在基板導入部21中，是以輥子搬送方式搬送基板W，與此相對，後述的上浮平台22以上浮搬送方式搬送基板W，因此移載單元221在它們之間轉換搬送方式。

在上浮平台222的上表面設置有多個噴出口，自所述噴出口噴出氣體。由此，在上浮平台222中，基板W通過所述氣體而被賦予浮力。

基板搬送部223在保持基板W的Y軸方向的兩端部分的同時，將所述基板W自移載單元221經由上浮平台222搬送至基板待機部23。由於基板搬送部223僅保持了基板W的兩端部分，因此基板W可在其中央附近撓曲。然而，上浮平台222自噴出口向基板W的下表面噴出氣體，從而對基板W賦予浮力。由此，可抑制基板W的撓曲。因此，基板W可以水平姿勢通過上浮平台222。

噴嘴224設置於上浮平台222的上方空間。基板搬送部223使基板W在上浮平台222的上方移動至+X側，由此基板W橫穿過噴嘴224的正下方。噴嘴224對其正下方的基板W塗布塗布液。由此，可對基板W形成塗膜。此外，噴嘴224也可構成為能夠在處理位置與待機位置之間移動。處理位置是噴嘴224對基板W噴出塗布液的位置，待機位置是使噴嘴224待機的位置。在待機位置，可設置有清洗噴嘴224的噴口的機構等。

形成有塗膜的基板W利用基板搬送部223而被搬送至基板待機部23。基板搬送部223在基板待機部23中解除對基板W的保持。然後，基板搬送部223再次返回至移載單元221，以保持下一基板W。

<1-1-2-1.移載單元>

在圖3的例子中，移載單元221包括多個輥子2211、入口上浮平台2212以及多個頂銷2213。多個輥子2211具有與基板導入部21的輥子相同的構成，且在X軸方向上隔開間隔排列。輥子2211的旋轉由控制部6控制。輥子2211通過自身的旋轉，接收自基板導入部21搬送的基板W並將所述基板W搬送至+X側。

入口上浮平台2212設置於比多個輥子2211更靠下游側(+X側)處。在入口上浮平台2212的上表面形成有多個噴出口(未圖示)。所述噴出口在俯視時(即沿著Z軸方向觀察)例如排列成矩陣狀。各噴出口經由形成於入口上浮平台2212的內部的氣體供給路徑而與氣體供給源(未圖示)連接。來自氣體供給源的氣體自所述噴出口噴出。由此，可對入口上浮平台2212上的基板W賦予浮力。

多個頂銷2213具有沿著Z軸方向延伸存在的棒狀的形狀，且以可升降的方式設置。多個頂銷2213中的一些頂銷2213與輥子2211對應地設置，其餘的頂銷2213與入口上浮平台2212對應地設置。與輥子2211相對應的頂銷2213設置於多個輥子2211之間的間隙。在入口上浮平台2212，以與多個噴出口中的任一個均不發生干擾的方式形成有多個貫通孔。所述貫通孔沿Z軸方向貫通入口上浮平台2212。其餘的頂銷2213分別貫通配置於所述貫通孔中。如圖3所例示，多個頂銷2213可在-Z側的基端部相互連結。

頂銷2213利用升降機構2214進行升降。升降機構2214例如為氣缸，且由控制部6控制。

在頂銷2213下降的狀態下，頂銷2213的+Z側的前端部相對於輥子2211的外周面的最上部和入口上浮平台2212的上表面的任一者而位於-Z側。在頂銷2213上升的狀態下，所述前端部位於比輥子2211的最上部和入口上浮平台2212的上表面的任一者更靠+Z側處，且可與基板W的下表面接觸而將基板W頂起。基板W在被頂銷2213頂起的狀態下由基板搬送部223予以保持。

<1-1-2-2.上浮平台>

上浮平台222設置於比入口上浮平台2212更靠+X側處。在上浮平台222的上表面也形成有多個噴出口(未圖示)。所述噴出口在俯視時例如排列成矩陣狀。各噴出口經由形成於上浮平台222的內部的氣體供給路徑而與氣體供給源連接。來自氣體供給源的氣體自所述噴出口噴出。

此外，在上浮平台222的上表面，也可形成多個抽吸口。所述抽吸口形成於與噴出口不同的位置，且例如排列成矩陣狀。各抽吸口經由形成於上浮平台222的內部的氣體抽吸路徑而與抽吸裝置(例如泵)連接。自上浮平台222的噴出口噴出的氣體的一部分自抽吸口被抽吸。因此，可更精密地控制對基板W施加的浮力。進而，可進一步減少基板W的撓曲。

<1-1-2-3.基板搬送部>

在圖1的例子中，基板搬送部223包括基板吸盤部2231以及進退機構2232。基板吸盤部2231保持基板W的Y軸方向上的兩側的端面。在圖1的例子中，相對於基板W而在Y軸方向上的兩側分別設置有一對基板吸盤部2231。一對基板吸盤部2231在X軸方向上隔開間隔設置。各基板吸盤部2231具有支撐基板W的下表面中的Y軸方向上的端部的支撐部。在所述支撐部的上表面，例如形成有吸附口，所述吸附口經由支撐部內部的抽吸路徑而與抽吸裝置(例如泵)連接。通過自吸附口抽吸氣體，基板吸盤部2231可吸附基板W而予以保持。

進退機構2232使基板吸盤部2231沿著X軸方向移動。進退機構2232例如是線性馬達等。進退機構2232由控制部6控制。進退機構2232使基板吸盤部2231自移載單元221經由上浮平台222移動至基板待機部23。由此，保持於基板吸盤部2231的基板W也自移載單元221經由上浮平台222移動至基板待機部23。

<1-1-2-4.噴嘴>

噴嘴224設置於上浮平台222的上方空間。在噴嘴224的下端，形成有與基板W的塗布區域R1對應的噴口。所述噴嘴224是其噴口在Y軸方向上長的長條噴嘴。噴口的長度(沿著Y軸方向的長度)與塗布區域R1的長度(沿著Y軸方向的長度)大致一致。

噴嘴224均經由未圖示的塗布液供給管而與塗布液供給源連接。在塗布液供給管的中途設置有未圖示的泵，通過對所述泵進行驅動控制，切換塗布液自噴嘴224的噴出/停止。泵由控制部6控制。

基板搬送部223使基板W移動至+X側，由此，基板W橫穿過噴嘴224的正下方。在基板W橫穿時，噴嘴224噴出塗布液。具體而言，當基板W的塗布區域R1的+X側的一端位於噴嘴224的正下方時，噴嘴224開始塗布液的噴出，當塗布區域R1的-X側的一端位於噴嘴224的正下方時，噴嘴224結束塗布液的噴出。由此，對塗布區域R1塗布塗布液，從而在塗布區域R1上形成塗膜。

此外，噴嘴224也可能夠對基板W噴出多種塗布液。更具體而言，可設置有與多種塗布液分別對應的多個噴嘴224。作為多種塗布液，例如可採用光致抗蝕劑用的塗布液和絕緣膜用的塗布液。

<1-1-3.基板待機部>

基板待機部23依次接納通過處理裝置本體22進行了處理的基板W。基板待機部23可使兩片基板W待機。所述基板待機部23包括第一待機部231以及第二待機部232。第一待機部231可使一片基板W待機，第二待機部232可使一片基板W待機。

在圖1和圖3的例子中，第一待機部231和第二待機部232是沿著處理裝置本體22的搬送方向(即，X軸方向)排列。更具體來說，第一待機部231設置於比處理裝置本體22更靠+X 側處，第二待機部232設置於處理裝置本體22與第一待機部231之間。第二待機部232還具有將自處理裝置本體22搬送的基板W搬送至第一待機部231的功能。

在處理裝置本體22中進行了處理的一片基板W(以下稱為第一基板W1)利用基板搬送部223經由第二待機部232而被搬送至第一待機部231。第一待機部231可使所述第一基板W1待機。在處理裝置本體22中繼第一基板W1之後進行了處理的第二基板W2利用基板搬送部223而被搬送至第二待機部232。第二待機部232可使第二基板W2待機。

作為更具體的一例，基板待機部23包括出口上浮平台233、第一上升機構234、以及第二上升機構235。出口上浮平台233設置於比上浮平台222更靠+X側處。在出口上浮平台233的上表面，與入口上浮平台2212同樣地也形成有用於噴出氣體的多個噴口。出口上浮平台233的長度(沿著X軸方向的長度)設定為比兩片基板W的長度(沿著X軸方向的長度)的總和長。

第一基板W1被搬送至出口上浮平台233的下游部分。第一上升機構234使位於所述下游部分的第一基板W1上升。第一上升機構234由控制部6控制。在圖3的例子中，第一上升機構234包括多個頂銷2341以及升降機構2342。各頂銷2341具有棒狀的形狀，以其長度方向沿著Z軸的姿勢設置。如圖3所例示，頂銷2341的-Z側的基端部可相互連結。在出口上浮平台233，以不與多個噴口中的任一個發生干擾的方式形成有沿Z軸方向延伸存在的多個貫通孔。頂銷2341分別貫通配置於出口上浮平台233的貫通孔中。

升降機構2342例如是氣缸，且使多個頂銷2341升降。所述升降機構2342由控制部6控制。在頂銷2341下降的狀態下，頂銷2341的前端部相對於出口上浮平台233的上表面而位於-Z側。另一方面，在頂銷2341上升的狀態下，頂銷2341的前端部相對於出口上浮平台233的上表面而位於+Z側。在解除了利用基板吸盤部2231對第一基板W1的吸附的狀態下，升降機構2342使頂銷2341上升。通過所述上升，頂銷2341的前端部可與第一基板W1的下表面接觸而將第一基板W1頂起。頂銷2341可使第一基板W1上升至自出口上浮平台233噴出的氣體實質上達不到的高度位置。由此，第一基板W1由頂銷2341支撐。

在圖3的例子中，使第一基板W1待機的第一待機部231包括出口上浮平台233的下游部分以及第一上升機構234。

繼第一基板W1之後進行處理的第二基板W2被搬送至出口上浮平台233的上游部分。出口上浮平台233的上游部分相對於下游部分而位於-X側。第二上升機構235使位於所述上游部分的第二基板W2上升。第二上升機構235通過控制部6而與第一上升機構234獨立地受到控制。在圖3的例子中，第二上升機構235包括多個頂銷2351以及升降機構2352。頂銷2351和升降機構2352分別與頂銷2341和升降機構2342相同，因此省略詳細說明。

與升降機構2342同樣地，在解除了利用基板吸盤部2231對第二基板W2的吸附的狀態下，升降機構2352使頂銷2351上升。通過所述上升，頂銷2351的前端部可與第二基板W2的下表面接觸而將第二基板W2頂起。第二基板W2由頂銷2351支撐。

在圖3的例子中，使第二基板W2待機的第二待機部232包括出口上浮平台233的上游部分以及第二上升機構235。

如上所述，第一上升機構234和第二上升機構235相互獨立地受到驅動，因此，既可僅使第一基板W1上升，也可僅使第二基板W2上升，還可使第一基板W1和第二基板W2兩者上升。

第一基板W1和第二基板W2分別是在由頂銷2341和頂銷2351支撐的狀態下被搬送機器人4取出。

<1-2.搬送機器人>

在圖3的例子中，搬送機器人4位於比基板待機部23更靠+X側處。所述搬送機器人4可將第一基板W1和第二基板W2兩者整批自基板待機部23取出。另外，搬送機器人4也可將第一基板W1和第二基板W2個別地自基板待機部23取出。

在圖1和圖3的例子中，搬送機器人4包括手41、移動機構42、旋轉機構43以及升降機構44。手41具有可供兩片基板W以在X軸方向上排列的狀態載置的程度的尺寸。例如，手41包括多根指狀構件411以及連結指狀構件411的基端的基端構件412。指狀構件411具有長條狀的形狀，在其上表面載置基板W。兩片基板W沿著指狀構件411的長邊方向排列載置。因此，指狀構件 411的長度方向上的長度是根據基板W的與兩片對應的長度、以及基板W之間的間隔而設定。

移動機構42可使手41沿水平方向移動。例如，移動機構42包括一對臂(未圖示)。各臂具有長條狀的多個連結構件，所述連結構件的端部彼此可旋轉地被連結。各臂的一端連結於手41(具體來說為基端構件412)，另一端連結於旋轉機構43。通過控制連結構件的連結角度，可使手41沿水平方向移動。旋轉機構43可使移動機構42的臂的另一端以沿著Z軸方向的旋轉軸為中心旋轉。由此，手41沿著圓弧移動。通過所述移動，可改變手41的方向。旋轉機構43例如包括馬達。升降機構44使旋轉機構43沿著Z軸方向升降，由此使手41升降。升降機構44例如具有滾珠螺桿(ball screw)機構。移動機構42、旋轉機構43和升降機構44由控制部6控制。

搬送機器人4可通過適宜地使手41移動和旋轉，而使手41分別移動至基板待機部23、乾燥部31和交接單元5。

例如，搬送機器人4通過驅動旋轉機構43，使手41與基板待機部23相向。接著，搬送機器人4通過驅動升降機構44，使手41相對於第一基板W1和第二基板W2而位於-Z側。接著，搬送機器人4通過驅動移動機構42，將手41移動至-X側，並使手41在Z軸方向上與第一基板W1和第二基板W2兩者相向。接著，搬送機器人4通過驅動升降機構44，使手41上升。由此，搬送機器人4可自基板待機部23接收第一基板W1和第二基板W2兩者。

搬送機器人4可通過適宜地使手41旋轉和移動，而將第一基板W1和第二基板W2整批搬送至乾燥部31。具體來說，搬送機器人4通過驅動旋轉機構43，使手41與乾燥部31相向。接著，搬送機器人4通過驅動升降機構44，使手41與乾燥部31的擋板相向。接著，搬送機器人4通過驅動移動機構42，使手41經由擋板進入乾燥部31的內部，並使第一基板W1和第二基板W2在Z軸方向上與基板保持部相向。接著，搬送機器人4通過驅動升降機構44，使手41下降，將第一基板W1和第二基板W2交接至基板保持部。接著，搬送機器人4通過驅動移動機構42，使手41自乾燥部31的內部退避。

另外，搬送機器人4也可將第一基板W1和第二基板W2個別地取出。但是，為了將第一基板W1和第二基板W2整批取出，第一基板W1和第二基板W2兩者需要在基板待機部23待機。即，在第一基板W1被搬送至基板待機部23之後，需要等待下一第二基板W2被搬送至基板待機部23。與此相對，在將第一基板W1和第二基板W2個別地取出的情況下，即使在第二基板W2尚未搬送至基板待機部23的狀態下，也可將第一基板W1自基板待機部23取出。因此，搬送機器人4在進行個別搬送時，可在不等待第二基板W2的情況下將第一基板W1自基板待機部23取出。

搬送機器人4可僅將第一基板W1自基板待機部23取出。作為具體的一例，搬送機器人4在第二基板W2未被搬送至基板待機部23的狀態(即，第二基板W2在處理裝置本體22中接受處理的狀態)下進行取出動作。即，搬送機器人4通過旋轉機構43的旋轉而使手41與基板待機部23相向，然後通過升降機構44的升降，使手41相對於第一基板W1而位於-Z側。然後，搬送機器人4通過驅動移動機構42，使手41移動至-X側，使手41的前端側的部分僅與第一基板W1相向。然後，搬送機器人4使手41上升。由此，搬送機器人4可自基板待機部23僅接收第一基板W1。搬送機器人4僅將所述第一基板W1搬送至乾燥部31。

另外，在第一基板W1已被取出的狀態下，搬送機器人4可以如下方式僅將第二基板W2自基板待機部23取出。即，搬送機器人4通過旋轉機構43的旋轉，使手41與基板待機部23相向，然後通過升降機構44的升降，使手41相對於第二基板W2而位於-Z側。然後，搬送機器人4通過驅動移動機構42，使手41與第二基板W2相向。然後，搬送機器人4通過驅動升降機構44使手41上升。由此，搬送機器人4可僅接收第二基板。搬送機器人4僅將所述第二基板W2搬送至乾燥部31。

如上所述，搬送機器人4可將依次搬送至基板待機部23的基板W逐片依次取出，並向乾燥部31依次搬送。此外，在此種個別搬送中，當第二基板W2被搬送至基板待機部23時第一基板W1已被取出，因此第二基板W2也可被搬送至第一待機部231。

關於搬送機器人4自基板待機部23取出的基板W的片數的決定方法，之後將詳細描述。

<1-3.減壓乾燥裝置>

減壓乾燥裝置3的乾燥部31可對兩片基板W整批進行減壓乾燥處理。此外，減壓乾燥裝置3是位於塗布裝置2的下游側(+X側)的下游處理部。

作為多個乾燥部31，例如設置有三個乾燥部31a至乾燥部31c。在圖1的例子中，在俯視時，兩個乾燥部31設置於搬送機器人4的周圍。例如，乾燥部31a相對於搬送機器人4而設置於+Y側，乾燥部31c相對於搬送機器人4而設置於+X側。乾燥部31b相對於乾燥部31a而設置於+Z側。即，乾燥部31b層疊於乾燥部31a的+Z側。

乾燥部31均包括未圖示的腔室、基板保持部以及減壓機構。腔室形成密閉空間。其中，在腔室的面向搬送機器人4的側表面，設置有用於基板W的搬出和搬入的擋板(未圖示)。通過關閉所述擋板，腔室形成密閉空間。通過打開擋板，搬送機器人4可與腔室內的基板保持部進行基板W的交接。基板保持部可以水平排列的狀態保持兩片基板W。搬送機器人4既可將兩片基板W整批傳遞至基板保持部，也可將一片基板W傳遞至基板保持部。減壓機構抽吸腔室內的氣體，以使腔室內的壓力降低。具體來說，例如使腔室內的壓力降低至塗布液的溶劑的汽化壓力。由此，基板W上的塗膜的溶劑蒸發，可使基板W上的塗膜適度地乾燥。即，進行減壓乾燥處理。

<1-4.交接單元>

交接單元5是對減壓乾燥裝置3與加熱處理裝置7之間的基板W的交接進行中轉的單元。例如，交接單元5位於搬送機器人4與加熱處理裝置7之間。作為更具體的一例，交接單元5可設置於乾燥部31c的+Z側。即，交接單元5可層疊於乾燥部31c的+Z側。

交接單元5具有基板保持部，所述基板保持部以水平排列的狀態保持兩片基板W。搬送機器人4可將兩片基板W整批傳遞至基板保持部，另外，也可通過將基板W逐片傳遞至基板保持部而使兩片基板W保持於基板保持部。例如，搬送機器人4將第一基板W1傳遞至基板保持部中的自搬送機器人4觀察時為內側的部分，並將第二基板W2傳遞至基板保持部中的近前側的部分。由此，在基板保持部載置第一基板W1和第二基板W2。

<2.加熱處理裝置>

在圖1的例子中，還示出了加熱處理裝置7。加熱處理裝置7包括加熱單元71以及搬送機器人72。搬送機器人72具有與搬送機器人4相同的構成，並自交接單元5將第一基板W1和第二基板W2兩者整批取出。搬送機器人72將第一基板W1和第二基板W2整批搬送至加熱單元71。

加熱單元71均包括未圖示的基板保持部以及加熱器。基板保持部可以水平排列的狀態保持第一基板W1和第二基板W2兩者。加熱器對第一基板W1和第二基板W2賦予熱。由此，第一基板W1和第二基板W2的塗膜大致完全乾燥。

在作為由處理裝置本體22塗布的塗布液而採用光致抗蝕劑用的塗布液的情況下，通過利用所述加熱單元71進行的加熱，可進行曝光處理前的所謂的預烘烤處理。

<3.搬送機器人的動作>

如上所述，處理裝置本體22(上游處理部)在搬送基板W的同時，對基板W逐片依次進行塗布處理。即，在對第一基板W1的塗布處理結束之後，對繼所述第一基板W1之後的第二基板W2進行塗布處理。塗布處理結束的基板W隨著時間的經過而自然乾燥，因此先結束塗布處理的第一基板W1的乾燥狀態可與後結束塗布處理的第二基板W2的乾燥狀態不同。所述乾燥狀態的差異程度例如取決於基板上所形成的塗膜的厚度(膜厚)。

例如，在塗布應形成耐蝕刻性被膜的光致抗蝕劑液來作為塗布液(以下稱為第一塗布液)的情況下，使塗膜的膜厚相對較薄。在膜厚較薄的情況下，塗膜中所含的溶劑量變少。其結果，乾燥所需要的必要乾燥時間比較短。即，第一塗布液乾燥的速度比較快。在所述情況下，由所述自然乾燥時間的差引起的兩基板W的乾燥狀態的差比較大。因此，理想的是對第一基板W1和第二基板W2以個別的乾燥時間進行減壓乾燥處理。

另一方面，例如在塗布應形成絕緣膜的聚醯亞胺系或丙烯酸系的塗布液(以下稱為第二塗布液)的情況下，使塗膜的膜厚相對較厚(例如設為光致抗蝕劑液的膜厚的倍數程度的膜厚)。在膜厚較厚的情況下，塗膜中所含的溶劑量變多。其結果，第二塗布液乾燥的速度比較慢。在所述情況下，由所述自然乾燥時間的差引起的兩基板W的乾燥狀態的差比較小。

因此，搬送機器人4根據基板W的乾燥所需要的必要乾燥時間來切換搬送方法。具體來說，當基板W的乾燥所需要的必要乾燥時間為第一時間時，搬送機器人4將第一基板W1搬送至多個乾燥部31中的一個乾燥部31，並將第二基板W2搬送至多個乾燥部31中的另一個乾燥部31。由此，可對第一基板W1和第二基板W2分別以各自所適合的乾燥時間進行減壓乾燥處理。

另一方面，當必要乾燥時間為比第一時間長的第二時間時，搬送機器人4接收第一基板W1和第二基板W2兩者，並整批搬送至多個乾燥部31中的一個乾燥部31。由此，可提高生產率。

由於必要乾燥時間例如取決於塗膜的膜厚，因此也可以說搬送機器人4是根據塗膜的膜厚來切換搬送方法。即，當處理裝置本體22的噴嘴224將第一塗布液噴出至基板W而形成比較薄的塗膜時，搬送機器人4將第一基板W1和第二基板W2個別地自基板待機部23取出。更具體來說，搬送機器人4在不等待第二基板W2搬送至基板待機部23的情況下，僅將第一基板W1自基板待機部23取出，並將所述第一基板W1例如搬送至乾燥部31a。所述乾燥部31a對第一基板W1在規定的第一乾燥時間內進行減壓乾燥處理。當第二基板W2被搬送至基板待機部23時，搬送機器人4僅將第二基板W2自基板待機部23取出，並將所述第二基板W2搬送至與第一基板W1不同的乾燥部31b。所述乾燥部31b對第二基板W2在規定的第二乾燥時間內進行減壓乾燥處理。

在利用乾燥部31a進行的減壓乾燥處理結束時，搬送機器人4將第一基板W1自乾燥部31a取出並搬送至交接單元5，在利用乾燥部31b進行的減壓乾燥處理結束時，搬送機器人4將第二基板W2自乾燥部31b取出並搬送至交接單元5。

如上所述，對於擔心由自然乾燥引起的乾燥狀態的差變大的第一基板W1和第二基板W2，不進行同時搬送而進行個別搬送。在所述個別搬送中，不等待之後的第二基板W2便取出第一基板W1，因此各取出時間點下的第一基板W1和第二基板W2的乾燥狀態的差小。然後，乾燥部31a、乾燥部31b對第一基板W1和第二基板W2以相互大致相等的第一乾燥時間和第二乾燥時間分別進行減壓乾燥處理。第一乾燥時間和第二乾燥時間例如是預先設定的，且例如為40秒。即將被搬送至乾燥部31a之前的第一基板W1的乾燥狀態與即將被搬送至乾燥部31b之前的第二基板W2的乾燥狀態的差小，因此減壓乾燥處理之後的第一基板W1和第二基板W2的乾燥狀態的差也小。

另一方面，當處理裝置本體22的噴嘴224噴出第二塗布液而形成比較厚的塗膜時，搬送機器人4將第一基板W1和第二基板W2兩者整批取出。搬送機器人4將第一基板W1和第二基板W2兩者整批搬送至乾燥部31(例如乾燥部31a)。乾燥部31a對第一基板W1和第二基板W2兩者以規定的乾燥時間(例如80秒)整批進行減壓乾燥處理。所述乾燥時間例如也是預先設定的。如此，在無需擔心由自然乾燥引起的乾燥狀態的差變大的情況下，搬送機器人4也可將第一基板W1和第二基板W2兩者整批搬送至乾燥部31。

更具體來說，假設第一基板W1與第二基板W2的待機時間的差、即自然乾燥狀態的差為5秒的情況。在將第一塗布液噴出至基板W而形成比較薄的塗膜的情況下，如上所述，對第一基板W1和第二基板W2分別進行40秒的減壓乾燥處理。此時，在對第一基板W1和第二基板W2整批且同時進行減壓乾燥的情況下，是對自然乾燥狀態的差為5秒的兩片基板同時進行減壓乾燥。相對於減壓乾燥時間(40秒)來說，自然乾燥的時間差(5秒)比較大，因此擔心減壓乾燥處理後的第一基板W1上的塗膜狀態與第二基板W2上的塗膜狀態不同。因此，如上所述，將第一基板W1和第二基板W2逐片地分別搬送至乾燥部31a、乾燥部31b來執行減壓乾燥處理，以便不產生第一基板W1與第二基板W2的待機時間的差(自然乾燥狀態的時間差)。

另外，在將第一塗布液噴出至基板W而形成比較厚的塗膜的情況下，如上所述，對第一基板W1與第二基板W2同時分別進行80秒的減壓乾燥處理。如此，即使對第一基板W1與第二基板W2整批且同時地進行減壓乾燥，相對於減壓乾燥時間(80秒)來看，自然乾燥的時間差(5秒)也比較小，因此減壓乾燥處理後的第一基板W1上的塗膜狀態與第二基板W2上的塗膜狀態也不具有在工藝上會產生問題的程度的不同。

當利用乾燥部31a進行的減壓乾燥處理結束時，搬送機器人4將第一基板W1和第二基板W2兩者自乾燥部31a整批取出並搬送至交接單元5。

由此，可對第一基板W1和第二基板W2整批進行乾燥處理。由此，可提高生產率。

此外，在塗布裝置2(處理裝置本體22)塗布一種塗布液的情況下，搬送機器人4採用與所述塗布液的種類(膜厚)對應的一種搬送方法。根據本實施形態的基板處理裝置1，搬送機器人4可切換搬送方法，因此，作為塗布裝置2，可採用塗布第一塗布液的塗布裝置，也可採用塗布第二塗布液的塗布裝置。換句話說，無論是在需要塗布第一塗布液的塗布裝置2的系統中，還是在需要塗布第二塗布液的塗布裝置2的系統中，均可應用基板處理裝置1。即，基板處理裝置1適合於多片基板W的同時處理和多片基板W的個別處理這兩種處理。

另一方面，塗布裝置2也可根據基板W來選擇性地塗布第一塗布液和第二塗布液。在所述情況下，關於塗布裝置2中要塗布的塗布液的種類的信息(膜厚信息)，例如可自基板處理裝置1的上游側的裝置通知給控制部6，或者也可由操作者輸入。控制部6根據塗布液的種類，如上所述對利用搬送機器人4的搬送方法進行切換。

圖4是表示控制部6切換搬送方法時的搬送方法的決定動作的一例的流程圖。例如可在每次將基板W搬入基板處理裝置1時執行圖4的流程圖。首先，在步驟S1中，控制部6判斷基板 W的乾燥所需要的必要乾燥時間T1是否為基準時間Tref以下。表示必要乾燥時間T1的信息由比基板處理裝置1更靠上游側的裝置或操作者輸入至控制部6。基準時間Tref例如是預先設定的，且例如儲存於儲存裝置64等中。

當判斷出必要乾燥時間T1為基準時間Tref以下時，控制部6在步驟S2中採用如下的搬送方法(個別搬送)：將第一基板W1和第二基板W2自基板待機部23個別地取出，並將第一基板W1和第二基板W2逐片搬送至相互不同的乾燥部31。

另一方面，當判斷出必要乾燥時間T1大於基準時間Tref時，控制部6在步驟S3中採用如下的搬送方法(同時搬送)：將第一基板W1和第二基板W2自基板待機部23整批取出，並將第一基板W1和第二基板W2整批搬送至一個乾燥部31。

<4.待機>

在所述例子中，當第一基板W1被搬送至第一待機部231時，第一上升機構234使第一基板W1上升。因此，在同時搬送中，在第一上升機構234使第一基板W1上升的狀態下，第二基板W2自基板搬送部223被搬送至第二待機部232。換句話說，第一基板W1在由頂銷2341支撐的狀態下等待第二基板W2或搬送機器人4。

為了進行比較，考慮第一基板W1在出口上浮平台233上待機的情況。例如，也可在停止了出口上浮平台233的下游部分的氣體噴出的狀態下，使第一基板W1在出口上浮平台233上待機。在所述情況下，第一基板W1的下表面與出口上浮平台233的上表面的接觸面積大。因此，在第一基板W1與其支撐體(出口上浮平台233)之間移動的熱量比較大。

或者，第一基板W1也可在承受出口上浮平台233的氣體噴出的同時，保持於規定的吸盤機構而待機。在所述情況下，在第一基板W1的下表面產生了氣流，因此在第一基板W1與氣流之間移動的熱量比較大。

與此相對，在第一基板W1由頂銷2341支撐的情況下，第一基板W1與頂銷2341的接觸面積小。由此，在第一基板W1與支撐體(頂銷2341)之間移動的熱量比較小。另外，第一基板W1可在氣體不會到達第一基板W1的下表面的位置待機。由此，在第一基板W1與氣體之間移動的熱量也小。因此，可減小支撐體和氣體對第一基板W1的溫度狀態(即乾燥狀態)的影響。換句話說，可減小同時搬送時的第一基板W1與第二基板W2的乾燥狀態的差。

第二實施形態.

第二實施形態的基板處理裝置1的構成的一例與第一實施形態相同。但是，第二實施形態的基板處理裝置1包括塗布裝置2A來取代塗布裝置2。

圖5是表示塗布裝置2A的構成的一例的側視圖。塗布裝置2A具有除了處理裝置本體22的構成和基板待機部23的構成之外與塗布裝置2相同的構成。與圖3的處理裝置本體22相比，塗布裝置2A的處理裝置本體22還包括出口上浮平台225。所述出口上浮平台225具有與出口上浮平台233相同的構成。

基板待機部23例如是輥子搬送機，且具有多個旋轉軸236A、多個旋轉軸236B、多個輥子237A以及多個輥子237B。基板待機部23的構成與基板導入部21相同。其中，基板W是利用搬送機器人4來取出，因此基板待機部23構成為不與搬送機器人4的手41發生干擾。在所述基板待機部23中，旋轉軸236B和輥子237B構成第一待機部231，旋轉軸236A和輥子237A構成第二待機部232。

通過處理裝置本體22進行了處理的第一基板自出口上浮平台225經由第二待機部232被搬送至第一待機部231。第一基板W1在輥子237B上待機。通過處理裝置本體22進行了處理的第二基板W2自出口上浮平台225被搬送至第二待機部232。第二基板W2在輥子237A上待機。

與第一實施形態同樣地，搬送機器人4可將第一基板W1和第二基板W2兩者自基板待機部23整批取出，另外可將第一基板W1和第二基板W2個別地取出。

此外，在第二實施形態中，也與第一實施形態同樣地，可設置有第一上升機構234和第二上升機構235。

以上，對基板搬送裝置和基板搬送方法的實施形態進行了說明，但只要不脫離所述實施形態的主旨，則也可在所述內容的基礎上進行各種變更。所述各種實施形態和變形例可適宜組合來實施。

例如，也可根據塗布液的種類來變更搬送方式，而非根據膜厚的不同來變更搬送方式。例如在包含揮發性高的溶劑的塗布液的情況下，減壓乾燥時間比較短。在所述情況下，自然乾燥狀態的時間差對減壓乾燥造成的影響變大。因此，優選將基板逐片搬送至減壓乾燥裝置的方式。相反，在包含揮發性低的溶劑的塗布液的情況下，減壓乾燥時間比較長。在所述情況下，自然乾燥狀態的時間差對減壓乾燥造成的影響小。因此，優選採用將多片基板整批搬送至減壓乾燥裝置的方式，以提高生產率。

為了進行減壓乾燥，也可設置一個乾燥部而非設置多個乾燥部。在自塗布裝置搬出的多片基板的時間間隔長的情況下，即使是一個乾燥部，在前一基板的減壓乾燥處理完成時也會空閒，因此可逐片搬入基板。

例如，也可在基板處理裝置1設置用於調整第一基板W1和第二基板W2的位置和姿勢的排齊機構。所述排齊機構可設置於例如基板待機部23、減壓乾燥裝置3以及交接單元5中的至少任一構件。作為所述排齊機構，例如可採用日本專利特開2018、160586號公報中所公開的間隔調整部和排齊部。