JP2020088194A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の基板の同時処理および複数の基板の個別処理の両方に適した基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は上流処理部２２と下流処理部と第１待機部２３１と第２待機部２３２と搬送ロボット４とを含む。上流処理部２２は複数の基板Ｗを１枚ずつ順次に処理する。下流処理部は上流処理部２２によって処理された２枚の基板を同時に処理可能である。第１待機部２３１は上流処理部２２で処理された基板Ｗである第１基板Ｗ１を待機させる。第２待機部２３２は上流処理部２２で処理された基板Ｗであって、第１基板Ｗ１の次の基板である第２基板Ｗ２を待機させる。搬送ロボット４は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との両方、第１基板Ｗ１のみ、および、第２基板Ｗ２のみのいずれも搬送対象として取り出し可能であり、当該搬送対象を下流処理部に搬送可能である。【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

複数の処理装置を有するコータ／デベロッパ装置が知られている。例えば、特許文献１に記載のコータ／デベロッパ装置では、インデクサ部に載置されたカセットから取り出された複数の基板が順次、洗浄装置に投入され、その後、脱水ベーク装置、レジスト塗布装置、プリベーク装置、露光装置、現像装置、および、ポストベーク装置を順番に経由して、再びカセットに収容される。

このコータ／デベロッパ装置には、次の２つのタイプの処理装置が混在する。即ち、平流し処理装置と可変搬送型の処理装置とが混在する。この平流し処理装置には１枚ずつ基板が搬入される。平流し処理装置はこれらの基板を順次に一方向に搬送して基板に対して１枚ずつ処理を行う。この平流し処理装置としては、洗浄装置および現像装置が例示される。

可変搬送型の処理装置にも基板が１枚ずつ搬入される。可変搬送型の処理装置は、複数の処理部と、当該複数の処理部に対して基板を搬送する基板搬送手段とを有する。基板搬送手段は、基板を受け取るハンドと、このハンドを各処理部へ移動させる移動機構とを有する。この基板搬送手段は上流側の装置から基板を１枚ずつ受け取って処理部へと基板を渡す。また基板搬送手段は処理部の相互間で基板を搬送することもできる。この可変搬送型の処理装置としては、例えば脱水ベーク装置が例示される。この脱水ベーク装置では複数の処理部として加熱部および冷却部が設けられる。

特開２０１５−１５６４２６号公報

しかしながら、このような可変搬送型の処理装置の各処理部には、例えば上流側の平流し装置から基板が１枚ずつ搬送され、各処理部は基板に対して１枚ずつ処理を行う。よって、基板処理のスループットが低い、という問題がある。

そこで、可変搬送型の処理装置の各処理部に、複数枚の基板に対して同時に処理を行わせることが考えられる。これにより、基板処理のスループットを向上することができる。

しかしながら、可変搬送型の処理装置の各処理部が常に複数の基板に対して同時に処理を行うことが望ましいとは限らず、各処理部が１枚の基板に対して処理を行うことが望ましい場合もある。以下に簡単に説明する。

例えば平流し処理装置においては、先行する基板（以下、先行基板と呼ぶ）の処理が終了した後に、その次に流れる基板（以下、次基板と呼ぶ）が処理される。よって、先行基板は次基板の処理の終了を待つ必要があり、その待機期間において、先行基板の状態が経時的に変化し得る。したがって、次基板の処理が終了した時点での先行基板および次基板の状態は互いに相違し得る。このように先行基板および次基板の状態の差異が大きくなる場合は、平流し処理装置における次基板の処理の終了を待つことは好ましくない。そこで、下流側の可変搬送型の処理装置の各処理部に、先行基板および次基板を順次搬送して、先行基板および次基板に対して１枚ずつ個別に処理を行うことが望ましい。これにより、状態に差異のない基板に対して処理を行うことができる。

その一方で、上記差異が小さければ、下流側の可変搬送型の処理装置の各処理部は先行基板および次基板に対して同時に処理を行うことが望ましい。これにより、スループットを向上できる。

しかしながら、従来では、このような処理方法の相違について考慮されておらず、そのような両処理方法に適した基板処理装置は提案されていない。

そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の基板の同時処理および複数の基板の個別処理の両方に適した基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

基板処理装置の第１の態様は、複数の基板を１枚ずつ順次に処理する上流処理部と、前記上流処理部によって処理された２枚の基板を同時に処理可能である下流処理部と、前記上流処理部で処理された基板である第１基板を待機させる第１待機部と、前記上流処理部で処理された基板であって、前記第１基板の次の基板である第２基板を待機させる第２待機部と、前記第１待機部で待機する前記第１基板と前記第２待機部で待機する前記第２基板との両方、前記第１待機部で待機する前記第１基板のみ、および、前記第２待機部で待機する第２基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能であり、前記搬送対象を前記下流処理部に搬送可能である搬送ロボットとを備える。

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記第１待機部は前記第１基板を上昇させる第１上昇機構を有し、前記第２待機部は前記第２基板を上昇させる第２上昇機構を有し、前記第１上昇機構および前記第２上昇機構は互いに独立して駆動される。

基板処理装置の第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記上流処理部は、搬送方向に沿って前記複数の基板を１枚ずつ順次に搬送する搬送部を有し、前記第１待機部は、前記搬送方向において前記搬送部の下流側に位置し、前記第２待機部は、前記搬送方向において前記搬送部と前記第１待機部との間に位置しており、前記搬送部からの前記第１基板を前記第１待機部へと搬送する機能も有し、前記第１基板が前記第２待機部から前記第１待機部へ搬送されると、前記第１上昇機構が前記第１基板を上昇させ、前記第２基板は、第１上昇機構が前記第１基板を上昇させた状態で、前記搬送部から前記第２待機部へと搬送される。

基板処理装置の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記下流処理部は、乾燥処理を行う複数の乾燥部を有し、前記搬送ロボットは、前記第１基板および前記第２基板の各々の乾燥に要する必要乾燥時間が第１時間であるときには、前記第１基板を前記複数の乾燥部の一つに搬送し、前記第２基板を前記複数の乾燥部の他の１つに搬送し、前記必要乾燥時間が、前記第１時間よりも長い第２時間であるときには、前記第１基板および前記第２基板の両方を受け取って一括して前記複数の乾燥部の一つに搬送する。

基板処理方法の態様は、複数の基板を１枚ずつ順次に処理する第１工程と、前記第１工程で処理された基板である第１基板を待機させる第２工程と、前記第１工程で処理された基板であって、前記第１基板の次の基板である第２基板を待機させる第３工程と、前記第１基板と前記第２基板との両方、前記第１基板のみ、および、第２基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能な搬送ロボットによって前記搬送対象を取り出す第４工程と、２枚の基板を同時に処理可能な下流処理部へと、前記搬送ロボットによって前記搬送対象を搬送する第５工程とを備える。

基板処理装置の第１の態様および基板処理方法の態様によれば、搬送ロボットが第１基板および第２基板の両方を一括して下流処理部へと搬送することもでき、また第１基板および第２基板を個別に下流処理部に搬送することもできる。第１基板および第２基板の両方を一括して下流処理部へと搬送すれば、下流処理装置が第１基板および第２基板の両方を同時に処理する。これによれば、スループットを向上することができる。一方で、第１基板および第２基板を個別に下流処理部へと搬送すれば、下流処理部は第１基板および第２基板を個別に処理する。これによれば、下流処理部は第１基板および第２基板のそれぞれに対して適した処理条件で、第１基板および第２基板に対して処理を行うことができる。

基板処理装置の第２の態様によれば、第１上昇機構および第２上昇機構が互いに独立して駆動されるので、第１基板のみを上昇させることも、第２基板のみを上昇させることも、第１基板および第２基板の両方を上昇させることもできる。

基板処理装置の第３の態様によれば、第１基板をより早いタイミングで上昇させることができる。これによれば、第１基板を搬送部から離して支持することができる。よって、搬送部と基板との間で移動する熱の量を低減することができる。よって、第１基板と第２基板の温度状態の差を低減することができる。

基板処理装置の第４の態様によれば、上流処理部は第１基板および第２基板を１枚ずつ順次に処理するので、その処理の終了タイミングは第１基板および第２基板の間で相違する。具体的には、第１基板の終了タイミングは第２基板の終了タイミングよりも早いタイミングである。よって、第１基板および第２基板に対する処理が終了した後の第１基板の乾燥状態は第２基板の乾燥状態と相違する。

必要乾燥時間が短いときには、第１基板および第２基板の各々は乾燥しやすく、処理の終了タイミングの差による乾燥の程度差は比較的に大きくなる。この場合、搬送ロボットは第１基板および第２基板をそれぞれ別の乾燥部に搬送する。よって、第１基板および第２基板のそれぞれに適した乾燥時間で乾燥処理を行うことができる。

一方で、必要乾燥時間が長いときには、第１基板および第２基板の各々は乾燥しにくく、処理の終了タイミングの差による乾燥の程度差は比較的に小さくなる。この場合、搬送ロボットは第１基板および第２基板を一括して一つの乾燥部に搬送する。これにより、乾燥に要するスループットを向上することができる。

基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 制御部の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。 塗布装置および搬送ロボットの構成の一例を概略的に示す側面図である。 制御部の動作の一例を示すフローチャートである。 塗布装置および搬送ロボットの構成の一例を概略的に示す側面図である。

第１の実施の形態．
＜１．基板処理装置の全体構成・全体動作の概要の一例＞
図１は、基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す平面図である。なお以下で参照する各図では、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また各図において、各構成の位置関係を説明するために、ＸＹＺ直交座標系が適宜に示される。ここでは、Ｚ軸が鉛直方向に沿う姿勢で配置され、Ｘ軸およびＹ軸は水平面に沿って配置される。以下では、Ｘ軸方向における一方側を＋Ｘ側とも呼び、他方側を−Ｘ側とも呼ぶ。Ｙ軸およびＺ軸も同様である。なお以下では、＋Ｚ側は鉛直上側を意味する。

基板処理装置１は塗布装置２と減圧乾燥装置３と搬送ロボット４と制御部６とを備えている。塗布装置２には、上流側から基板Ｗが搬入される。なお基板Ｗは塗布装置２の搬入前に適宜に洗浄処理などの処理が行われるとよい。塗布装置２は複数の基板Ｗを１枚ずつ順次に搬送方向に沿って搬送しつつ、基板Ｗに対して１枚ずつ塗布処理を行う。これにより、基板Ｗの上面には、塗膜が形成される。基板Ｗに塗布する塗布液としては、例えばフォトレジスト用の塗布液または絶縁膜用の塗布液を採用することができる。

減圧乾燥装置３は塗布装置２の下流側に設けられ、複数の乾燥部３１を含んでいる。複数の乾燥部３１の各々は、塗布装置２によって処理されたＮ（Ｎは２以上の整数）枚の基板Ｗを受け入れることが可能である。以下では、一例として、Ｎ枚の基板Ｗとして２枚の基板を採用した場合について述べる。乾燥部３１は、搬入された基板Ｗに対して減圧乾燥処理を行う。つまり、乾燥部３１に２枚の基板Ｗが搬入されると、乾燥部３１は２枚の基板Ｗに対して同時に減圧乾燥処理を行う。また、乾燥部３１に１枚の基板Ｗが搬入されると、乾燥部３１はその１枚の基板Ｗに対して減圧乾燥処理を行う。この減圧乾燥処理によって、基板Ｗの塗膜はある程度乾燥する。なお、乾燥部３１における２枚の基板の処理期間は完全に一致する必要はなく、各処理期間の少なくとも一部が重なっていればよい。要するに、ここでいう同時とは、各処理期間が全く重ならない状態と対比した意味で用いられる。

搬送ロボット４は、塗布装置２によって処理された２枚の基板Ｗを搬送対象として一括して取り出し、その搬送対象を一括して乾燥部３１へ搬送することができる。以下では、一例として、Ｎ枚の基板Ｗとして２枚の基板を採用した場合について述べる。

また搬送ロボット４は、塗布装置２によって処理された基板Ｗを搬送対象として１枚ずつ取り出し、各基板Ｗを互いに異なる乾燥部３１に順次に搬送することもできる。搬送ロボット４が搬送する基板Ｗの枚数は、後に詳述するように、塗布装置２の処理内容（具体的には、塗布液の種類）に応じて変更される。

搬送ロボット４は、減圧乾燥装置３によって処理された基板Ｗを受け渡しユニット５へと搬送する。受け渡しユニット５は乾燥部３１の上方に設けられ、２枚の基板Ｗを受け入れることができる。乾燥部３１において２枚の基板Ｗが同時に処理されると、搬送ロボット４はその２枚の基板Ｗを乾燥部３１から取り出して、当該２枚の基板Ｗを一括して受け渡しユニット５へと搬送する。一方で、乾燥部３１において１枚の基板Ｗが処理されると、搬送ロボット４はその１枚の基板Ｗを取り出して、当該１枚の基板Ｗを受け渡しユニット５へと搬送する。さらに搬送ロボット４は他の乾燥部３１によって処理された１枚の基板Ｗを取り出して、その１枚の基板Ｗを受け渡しユニット５へと搬送する。これにより、受け渡しユニット５には、２枚の基板Ｗが搬入されることとなる。

受け渡しユニット５内に搬入された２枚の基板Ｗは、その下流側に設けられた搬送ロボット７２によって一括して取り出され、下流側にある加熱装置７の加熱ユニット７１へと搬送される。加熱ユニット７１は２枚の基板Ｗに対して同時に加熱処理を行う。これにより、２枚の基板Ｗの塗膜が略完全に乾燥する。

制御部６は各処理装置での処理および基板Ｗの搬送を制御する。図２は、制御部６の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。制御部６は制御回路であって、図２に示されるように、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）６１、ＲＯＭ（Read Only Memory）６２、ＲＡＭ（Random Access Memory）６３および記憶装置６４等が、バスライン６５を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ＲＯＭ６２は基本プログラム等を格納しており、ＲＡＭ６３はＣＰＵ６１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置６４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。

また制御部６においては、入力部６６、表示部６７、通信部６８もバスライン６５に接続されている。入力部６６は、各種スイッチ、あるいは、タッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部６７は、液晶表示装置およびランプ等により構成されており、ＣＰＵ６１による制御のもと各種の情報を表示する。通信部６８は、ＬＡＮ（Local Area Network）等を介したデータ通信機能を有する。

また、制御部６には、各ロボット（搬送ロボット４，７２など）および上述の各処理装置が制御対象として接続されている。つまり制御部６は基板Ｗの搬送を制御する搬送制御部として機能できる。

制御部６の機能は、ＣＰＵ６１が、ＲＯＭ６２または記憶装置６４に格納されたプログラムを実行することにより、実現されてもよい。つまり、制御部６の機能はソフトウェアによって実現されてもよい。あるいは、制御部６の機能の全部または一部は、専用の論理回路等を含むハードウェアによって実現されてもよい。

＜１−１．塗布装置＞
塗布装置２は基板導入部２１と処理装置本体２２と基板待機部２３とを含んでいる。基板導入部２１は基板Ｗを受け取る。例えば基板導入部２１には、２枚の基板Ｗが一括して搬入される。処理装置本体２２は、基板導入部２１から搬送される基板Ｗを順次に受け取り、この基板Ｗを搬送方向に沿って搬送させる。ここでは、処理装置本体２２における搬送方向はＸ軸方向であり、その搬送方向の上流側は−Ｘ側であり、搬送方向の下流側は＋Ｘ側である。なお、塗布装置２は減圧乾燥装置３の上流側（−Ｘ側）に位置する上流処理部である。

処理装置本体２２は基板Ｗを＋Ｘ側に順次に搬送しつつ、その基板Ｗに対して１枚ずつ順次に塗布処理を行う。塗布処理後の基板Ｗは処理装置本体２２から基板待機部２３へと順次に搬送される。基板待機部２３は、処理装置本体２２から搬送された基板Ｗを順次に受け取る。基板待機部２３は、順次に受け取った２枚の基板Ｗを待機させることができる。なおここでいう「待機」とは、その待機時間の長短に依らず、その位置において停止することをいう。基板待機部２３で待機した基板Ｗは、搬送ロボット４によって取り出されて、下流側の減圧乾燥装置３へと搬送される。

＜１−１−１．基板導入部＞
図３は、塗布装置２および搬送ロボット４の構成の一例を概略的に示す側面図である。図３の例では、基板導入部２１は例えばコロコンベアを含んでいる。このコロコンベアは複数の回転軸２１１Ａと複数の回転軸２１１Ｂと複数のコロ２１２Ａと複数のコロ２１２Ｂとを含んでいる。回転軸２１１Ａおよび回転軸２１１Ｂの各々はその中心軸がＹ軸に沿う姿勢で設けられる。複数の回転軸２１１ＡはＸ軸方向において間隔を隔てて並んでおり、複数の回転軸２１１Ｂは、複数の回転軸２１１Ａよりも下流側において、Ｘ軸方向において間隔を隔てて並んでいる。また回転軸２１１Ａおよび回転軸２１１Ｂは互いに略同じ高さ位置に設けられている。回転軸２１１Ａおよび回転軸２１１Ｂの各々は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。

各回転軸２１１Ａの外周面には、複数のコロ２１２Ａが設けられており、各回転軸２１１Ｂの外周面には、複数のコロ２１２Ｂが設けられている。コロ２１２Ａおよびコロ２１２Ｂは円環状の形状を有しており、その中心軸がＹ軸に沿う姿勢で設けられる。

基板Ｗは、複数のコロ２１２Ａおよび複数のコロ２１２Ｂの上に載置される。つまり、複数のコロ２１２Ａの外周面の最上部が基板Ｗの下面に接触し、複数のコロ２１２Ｂの外周面の最上部が基板Ｗの下面に接触する。

複数の回転軸２１１Ａは駆動部（不図示）によって駆動されて、予め定められた同じ方向に略等しい回転速度で回転（同期回転）する。この回転により、複数のコロ２１２Ａも同じ方向に略等しい回転速度で回転する。駆動部はモータを有しており、制御部６によって制御される。コロ２１２Ａの回転により、コロ２１２Ａ上に載置された基板Ｗが＋Ｘ側に搬送される。複数の回転軸２１１Ｂも駆動部（不図示）によって駆動されて同期回転する。これにより、コロ２１２Ｂ上に載置された基板Ｗが＋Ｘ側に搬送される。回転軸２１１Ａおよび回転軸２１１Ｂは互いに独立して制御される。

コロ２１２Ａおよびコロ２１２Ｂの上には、それぞれ１枚ずつ基板Ｗが載置されてもよい。例えば上流側の装置から２枚の基板Ｗがそれぞれコロ２１２Ａおよびコロ２１２Ｂの上に載置されてもよい。この状態で、制御部６は回転軸２１１Ｂのみを同期回転させる。これにより、コロ２１２Ｂ上の基板Ｗを処理装置本体２２へと搬送できる。次に制御部６は回転軸２１１Ａおよび回転軸２１１Ｂの両方を同期回転させる。これにより、コロ２１２Ａ上の基板Ｗを処理装置本体２２へと搬送できる。

＜１−１−２．処理装置本体の概要＞
処理装置本体２２は、順次に基板Ｗを搬送しつつ、その基板Ｗに対して順次に塗布処理を行う。図１および図３の例では、この処理装置本体２２は移載ユニット２２１と浮上ステージ２２２と基板搬送部２２３とノズル２２４とを含んでいる。

移載ユニット２２１は、基板導入部２１から搬送された基板Ｗを浮上ステージ２２２へと搬送するユニットであり、搬送方式を変換するユニットである。つまり、基板導入部２１では、コロ搬送方式で基板Ｗを搬送しているのに対して、後述の浮上ステージ２２２は浮上搬送方式で基板Ｗを搬送するので、移載ユニット２２１はこれらの間で搬送方式を変換する。

浮上ステージ２２２の上面には、複数の噴出口が設けられており、この噴出口から気体が噴出される。よって、浮上ステージ２２２において基板Ｗはこの気体によって浮力を与えられる。

基板搬送部２２３は基板ＷのＹ軸方向の両端部分を保持しつつ、その基板Ｗを、移載ユニット２２１から浮上ステージ２２２を経由して基板待機部２３へ搬送する。基板搬送部２２３は基板Ｗの両端部分のみを保持しているので、基板Ｗはその中央付近で撓み得る。しかるに、浮上ステージ２２２は噴出口から基板Ｗの下面へと気体を噴出して、基板Ｗへと浮力を与える。これにより、基板Ｗの撓みを抑制することができる。よって、基板Ｗは水平姿勢で浮上ステージ２２２を通過することができる。

ノズル２２４は浮上ステージ２２２の上方空間に設けられている。基板搬送部２２３が浮上ステージ２２２の上方において基板Ｗを＋Ｘ側に移動させることにより、基板Ｗはノズル２２４の直下を横切る。ノズル２２４は、その直下の基板Ｗに対して塗布液を塗布する。これにより、基板Ｗに対して塗膜を形成することができる。なおノズル２２４は処理位置と待機位置との間で移動可能に構成されてもよい。処理位置は、ノズル２２４が基板Ｗに対して塗布液を吐出する位置であり、待機位置は、ノズル２２４を待機させる位置である。待機位置では、ノズル２２４の吐出口を洗浄する機構等が設けられてもよい。

塗膜が形成された基板Ｗは基板搬送部２２３によって基板待機部２３へと搬送される。基板搬送部２２３は基板待機部２３において基板Ｗの保持を解除する。その後、基板搬送部２２３は再び移載ユニット２２１へと戻り、次の基板Ｗを保持する。

＜１−１−２−１．移載ユニット＞
図３の例では、移載ユニット２２１は複数のコロ２２１１と入口浮上ステージ２２１２と複数のリフトピン２２１３とを含んでいる。複数のコロ２２１１は、基板導入部２１のコロと同様の構成を有しており、Ｘ軸方向において間隔を空けて並んでいる。コロ２２１１の回転は制御部６によって制御される。コロ２２１１は、自身の回転により、基板導入部２１から搬送された基板Ｗを受け取って＋Ｘ側へと搬送する。

入口浮上ステージ２２１２は複数のコロ２２１１よりも下流側（＋Ｘ側）に設けられている。入口浮上ステージ２２１２の上面には、複数の噴出口（不図示）が形成される。この噴出口は平面視において（つまり、Ｚ軸方向に沿って見て）、例えばマトリックス状に配列される。各噴出口は、入口浮上ステージ２２１２の内部に形成された気体供給経路を介して気体供給源（不図示）に接続される。気体供給源からの気体がこの噴出口から噴出される。これにより、入口浮上ステージ２２１２上の基板Ｗに対して浮力を与えることができる。

複数のリフトピン２２１３は、Ｚ軸方向に沿って延在する棒状の形状を有しており、昇降可能に設けられている。複数のリフトピン２２１３のうちいくつかはコロ２２１１に対応して設けられており、残りは入口浮上ステージ２２１２に対応して設けられている。コロ２２１１に対応したリフトピン２２１３は、複数のコロ２２１１の間の隙間に設けられている。入口浮上ステージ２２１２には、複数の噴出口のいずれとも干渉しないように複数の貫通孔が形成されている。この貫通孔は入口浮上ステージ２２１２をＺ軸方向に貫通する。残りのリフトピン２２１３は当該貫通孔にそれぞれ貫通配置されている。図３に例示するように、複数のリフトピン２２１３は−Ｚ側の基端部において互いに連結されていてもよい。

リフトピン２２１３は昇降機構２２１４によって昇降される。昇降機構２２１４は例えばエアシリンダであり、制御部６によって制御される。

リフトピン２２１３が下降している状態では、リフトピン２２１３の＋Ｚ側の先端部はコロ２２１１の外周面の最上部および入口浮上ステージ２２１２の上面のいずれに対しても−Ｚ側に位置している。リフトピン２２１３が上昇している状態では、その先端部はコロ２２１１の最上部および入口浮上ステージ２２１２の上面のいずれよりも＋Ｚ側に位置し、基板Ｗの下面に接触して基板Ｗを持ち上げることができる。基板Ｗは、リフトピン２２１３によって持ち上げられた状態で、基板搬送部２２３によって保持される。

＜１−１−２−２．浮上ステージ＞
浮上ステージ２２２は、入口浮上ステージ２２１２よりも＋Ｘ側に設けられている。浮上ステージ２２２の上面にも、複数の噴出口（不図示）が形成される。この噴出口は平面視において例えばマトリックス状に配列される。各噴出口は、浮上ステージ２２２の内部に形成された気体供給経路を介して気体供給源に接続される。気体供給源からの気体がこの噴出口から噴出される。

なお浮上ステージ２２２の上面には、複数の吸引口が形成されてもよい。この吸引口は噴出口とは異なる位置に形成され、例えばマトリックス状に配列される。各吸引口は、浮上ステージ２２２の内部に形成された気体吸引経路を介して吸引装置（例えばポンプ）に接続される。浮上ステージ２２２の噴出口から噴出された気体の一部は吸引口から吸引される。これによれば、基板Ｗに付与する浮力をより精密に制御することができる。ひいては、基板Ｗの撓みをさらに低減することができる。

＜１−１−２−３．基板搬送部＞
図１の例では、基板搬送部２２３は基板チャック部２２３１と進退機構２２３２とを含んでいる。基板チャック部２２３１は、基板ＷのＹ軸方向の両側の端面を保持する。図１の例では、基板Ｗに対してＹ軸方向の両側において、それぞれ一対の基板チャック部２２３１が設けられている。一対の基板チャック部２２３１はＸ軸方向において間隔を隔てて設けられている。各基板チャック部２２３１は、基板Ｗの下面のうちＹ軸方向における端部を支持する支持部を有している。この支持部の上面には、例えば吸着口が形成されており、その吸着口は支持部の内部の吸引経路を介して吸引装置（例えばポンプ）に接続される。吸着口から気体が吸引されることにより、基板チャック部２２３１は基板Ｗを吸着して保持することができる。

進退機構２２３２は基板チャック部２２３１をＸ軸方向に沿って移動させる。基板Ｗの例えば進退機構２２３２はリニアモータなどである。進退機構２２３２は制御部６によって制御される。進退機構２２３２は基板チャック部２２３１を移載ユニット２２１から浮上ステージ２２２を経由して基板待機部２３へと移動させる。これにより、基板チャック部２２３１に保持された基板Ｗも移載ユニット２２１から浮上ステージ２２２を経由して基板待機部２３へと移動する。

＜１−１−２−４．ノズル＞
ノズル２２４は浮上ステージ２２２の上方空間に設けられている。ノズル２２４の下端には、基板Ｗの塗布領域Ｒ１に対応した吐出口が形成されている。このノズル２２４はその吐出口がＹ軸方向に長い長尺ノズルである。吐出口の長さ（Ｙ軸方向に沿う長さ）は塗布領域Ｒ１の長さ（Ｙ軸方向に沿う長さ）と略一致する。

ノズル２２４はいずれも不図示の塗布液供給管を介して塗布液供給源に接続される。塗布液供給管の途中には、不図示のポンプが設けられており、このポンプを駆動制御することにより、ノズル２２４からの塗布液の吐出／停止が切り替えられる。ポンプは制御部６によって制御される。

基板搬送部２２３が基板Ｗを＋Ｘ側に移動させることにより、基板Ｗはノズル２２４の直下を横切る。ノズル２２４は基板Ｗが横切る際に塗布液を吐出する。具体的にはノズル２２４は、基板Ｗの塗布領域Ｒ１の＋Ｘ側の端がノズル２２４の直下に位置するときに塗布液の吐出を開始し、塗布領域Ｒ１の−Ｘ側の端がノズル２２４の直下に位置するときに塗布液の吐出を終了する。これにより、塗布領域Ｒ１には塗布液が塗布され、塗布領域Ｒ１の上に塗膜が形成される。

なお、ノズル２２４は複数種の塗布液を基板Ｗに対して吐出可能であってもよい。より具体的には、複数種の塗布液にそれぞれ対応した複数のノズル２２４が設けられていてもよい。複数種の塗布液としては、例えばフォトレジスト用の塗布液および絶縁膜用の塗布液を採用することができる。

＜１−１−３．基板待機部＞
基板待機部２３は、処理装置本体２２によって処理された基板Ｗを順次に受け入れる。基板待機部２３は２枚の基板Ｗを待機させることができる。この基板待機部２３は第１待機部２３１と第２待機部２３２とを含んでいる。第１待機部２３１は１枚の基板Ｗを待機させることができ、第２待機部２３２は１枚の基板Ｗを待機させることができる。

図１および図３の例では、第１待機部２３１および第２待機部２３２は処理装置本体２２の搬送方向（つまりＸ軸方向）に沿って並んでいる。より具体的には、第１待機部２３１は処理装置本体２２よりも＋Ｘ側に設けられ、第２待機部２３２は処理装置本体２２と第１待機部２３１との間に設けられている。第２待機部２３２は、処理装置本体２２から搬送された基板Ｗを第１待機部２３１へと搬送する機能も有している。

処理装置本体２２において処理された一つの基板Ｗ（以下、第１基板Ｗ１と呼ぶ）は、基板搬送部２２３によって第２待機部２３２を経由して第１待機部２３１に搬送される。第１待機部２３１はこの第１基板Ｗ１を待機させることができる。処理装置本体２２において第１基板Ｗ１の次に処理された第２基板Ｗ２は、基板搬送部２２３によって第２待機部２３２に搬送される。第２待機部２３２は第２基板Ｗ２を待機させることができる。

より具体的な一例として、基板待機部２３は出口浮上ステージ２３３と第１上昇機構２３４と第２上昇機構２３５とを含んでいる。出口浮上ステージ２３３は浮上ステージ２２２よりも＋Ｘ側に設けられている。出口浮上ステージ２３３の上面にも、入口浮上ステージ２２１２と同様に、気体を噴出するための複数の噴出口が形成されている。出口浮上ステージ２３３の長さ（Ｘ軸方向に沿う長さ）は、２枚の基板Ｗの長さ（Ｘ軸方向に沿う長さ）の総和よりも長く設定される。

第１基板Ｗ１は出口浮上ステージ２３３の下流部分へと搬送される。第１上昇機構２３４は、当該下流部分に位置する第１基板Ｗ１を上昇させる。第１上昇機構２３４は制御部６によって制御される。図３の例では、第１上昇機構２３４は複数のリフトピン２３４１と昇降機構２３４２とを含んでいる。各リフトピン２３４１は棒状の形状を有しており、その長手方向がＺ軸に沿う姿勢で設けられる。図３に例示するように、リフトピン２３４１の−Ｚ側の基端部は相互に連結されていてもよい。出口浮上ステージ２３３には、複数の噴出口のいずれとも干渉しないように、Ｚ軸方向に延在する複数の貫通孔が形成されている。リフトピン２３４１は出口浮上ステージ２３３の貫通孔にそれぞれ貫通配置される。

昇降機構２３４２は例えばエアシリンダであって、複数のリフトピン２３４１を昇降させる。この昇降機構２３４２は制御部６によって制御される。リフトピン２３４１が下降した状態では、リフトピン２３４１の先端部は出口浮上ステージ２３３の上面に対して−Ｚ側に位置する。一方で、リフトピン２３４１が上昇した状態では、リフトピン２３４１の先端部は出口浮上ステージ２３３の上面に対して＋Ｚ側に位置する。昇降機構２３４２は、基板チャック部２２３１による第１基板Ｗ１の吸着が解除された状態で、リフトピン２３４１を上昇させる。この上昇により、リフトピン２３４１の先端部が第１基板Ｗ１の下面に接触して、第１基板Ｗ１を持ち上げることができる。リフトピン２３４１は、出口浮上ステージ２３３から噴出された気体が実質的に及ばない高さ位置まで第１基板Ｗ１を上昇させてもよい。これにより、第１基板Ｗ１はリフトピン２３４１によって支持される。

図３の例では、第１基板Ｗ１を待機させる第１待機部２３１は、出口浮上ステージ２３３の下流部分と第１上昇機構２３４とによって構成される。

第１基板Ｗ１の次に処理される第２基板Ｗ２は、出口浮上ステージ２３３の上流部分へと搬送される。出口浮上ステージ２３３の上流部分は下流部分に対して−Ｘ側に位置している。第２上昇機構２３５は、当該上流部分に位置する第２基板Ｗ２を上昇させる。第２上昇機構２３５は制御部６によって第１上昇機構２３４とは独立して制御される。図３の例では、第２上昇機構２３５は複数のリフトピン２３５１と昇降機構２３５２とを含んでいる。リフトピン２３５１および昇降機構２３５２はそれぞれリフトピン２３４１および昇降機構２３４２と同様であるので、詳細な説明を避ける。

昇降機構２３５２は、昇降機構２３４２と同様に、基板チャック部２２３１による第２基板Ｗ２の吸着が解除された状態で、リフトピン２３５１を上昇させる。この上昇により、リフトピン２３５１の先端部が第２基板Ｗ２の下面に接触して、第２基板Ｗ２を持ち上げることができる。第２基板Ｗ２はリフトピン２３５１によって支持される。

図３の例では、第２基板Ｗ２を待機させる第２待機部２３２は、出口浮上ステージ２３３の上流部分と第２上昇機構２３５とによって構成される。

以上のように、第１上昇機構２３４および第２上昇機構２３５が互いに独立して駆動されるので、第１基板Ｗ１のみを上昇させることも、第２基板Ｗ２のみを上昇させることも、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を上昇させることもできる。

第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２はそれぞれリフトピン２３４１およびリフトピン２３５１によって支持された状態で、搬送ロボット４によって取り出される。

＜１−２．搬送ロボット＞
図３の例では、搬送ロボット４は基板待機部２３よりも＋Ｘ側に位置している。この搬送ロボット４は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を一括して基板待機部２３から取り出すことができる。また搬送ロボット４は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を個別に基板待機部２３から取り出すこともできる。

図１および図３の例では、搬送ロボット４はハンド４１と移動機構４２と回転機構４３と昇降機構４４とを備えている。ハンド４１は、２枚の基板ＷがＸ軸方向において並んだ状態で載置可能な程度のサイズを有している。例えばハンド４１は複数本の指状部材４１１と、指状部材４１１の基端を連結する基端部材４１２を有している。指状部材４１１は長尺状の形状を有しており、その上面において基板Ｗが載置される。２枚の基板Ｗは指状部材４１１の長手方向に沿って並んで載置される。よって、指状部材４１１の長手方向の長さは、基板Ｗの２枚分の長さと、基板Ｗの間の間隔とに応じて設定される。

移動機構４２はハンド４１を水平方向に移動させることができる。例えば移動機構４２は一対のアーム（不図示）を有している。各アームは長尺状の複数の連結部材を有しており、その連結部材の端部同士が回転可能に連結される。各アームの一端はハンド４１（具体的には基端部材４１２）に連結され、他端は回転機構４３に連結される。連結部材の連結角度が制御されることで、ハンド４１を水平方向に移動させることができる。回転機構４３は、Ｚ軸方向に沿う回転軸を中心として移動機構４２のアームの他端を回転させることができる。これにより、ハンド４１は円弧に沿って移動する。この移動により、ハンド４１の向きを変えることができる。回転機構４３は例えばモータを有している。昇降機構４４は回転機構４３をＺ軸方向に沿って昇降させることで、ハンド４１を昇降させる。昇降機構４４は例えばボールねじ機構を有している。移動機構４２、回転機構４３および昇降機構４４は制御部６によって制御される。

搬送ロボット４はハンド４１を適宜に移動および回転させることで、ハンド４１を基板待機部２３、乾燥部３１および受け渡しユニット５の各々へと移動させることができる。

例えば搬送ロボット４は回転機構４３の駆動により、ハンド４１を基板待機部２３と対向させる。次に搬送ロボット４は昇降機構４４の駆動により、ハンド４１を第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２に対して−Ｚ側に位置させる。次に搬送ロボット４は移動機構４２の駆動により、ハンド４１を−Ｘ側へと移動させ、Ｚ軸方向においてハンド４１を第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方と対向させる。次に搬送ロボット４は昇降機構４４の駆動により、ハンド４１を上昇させる。これにより、搬送ロボット４は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を基板待機部２３から受け取ることができる。

搬送ロボット４は適宜にハンド４１を回転および移動させることにより、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を一括で乾燥部３１へと搬送する。具体的には、搬送ロボット４は回転機構４３の駆動により、ハンド４１を乾燥部３１と対向させる。次に搬送ロボット４は昇降機構４４の駆動により、ハンド４１を乾燥部３１のシャッタと対向させる。次に搬送ロボット４は移動機構４２の駆動により、シャッタを介してハンド４１を乾燥部３１の内部に進入させ、Ｚ軸方向において第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を基板保持部と対向させる。次に搬送ロボット４は昇降機構４４の駆動により、ハンド４１を下降させて、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を基板保持部に受け渡す。次に搬送ロボット４は移動機構４２の駆動により、ハンド４１を乾燥部３１の内部から退避させる。

また搬送ロボット４は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を個別に取り出すこともできる。ところで、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を一括して取り出すには、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方が基板待機部２３で待機している必要がある。つまり、第１基板Ｗ１が基板待機部２３に搬送された後に、次の第２基板Ｗ２が基板待機部２３に搬送されるのを待つ必要がある。これに対して、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を個別に取り出す場合には、第２基板Ｗ２が基板待機部２３に未だ搬送されていない状態でも、第１基板Ｗ１を基板待機部２３から取り出すことができる。そこで、搬送ロボット４は個別搬送においては、第２基板Ｗ２を待つことなく、第１基板Ｗ１を基板搬送部２３から取り出すとよい。

搬送ロボット４は、第１基板Ｗ１のみを基板待機部２３から取り出すことができる。具体的な一例として、搬送ロボット４は、第２基板Ｗ２が基板待機部２３に搬送されていない状態（つまり、第２基板Ｗ２が処理装置本体２２で処理されている状態）で、取り出し動作を行う。すなわち、搬送ロボット４は回転機構４３の回転により、ハンド４１を基板待機部２３に対向させた上で、昇降機構４４の昇降により、ハンド４１を第１基板Ｗ１に対して−Ｚ側に位置させる。そして、搬送ロボット４は移動機構４２の駆動により、ハンド４１を−Ｘ側に移動させて、ハンド４１の先端側の部分を第１基板Ｗ１のみと対向させる。そして、搬送ロボット４がハンド４１を上昇させる。これにより、搬送ロボット４は第１基板Ｗ１のみを基板待機部２３から受け取ることができる。搬送ロボット４はこの第１基板Ｗ１のみを乾燥部３１へと搬送する。

また第１基板Ｗ１が取り出された状態で、搬送ロボット４は次のようにして第２基板Ｗ２のみを基板待機部２３から取り出すことができる。すなわち、搬送ロボット４は回転機構４３の回転により、ハンド４１を基板待機部２３に対向させた上で、昇降機構４４の昇降により、ハンド４１を第２基板Ｗ２に対して−Ｚ側に位置させる。そして、搬送ロボット４は移動機構４２の駆動により、ハンド４１を第２基板Ｗ２と対向させる。そして、搬送ロボット４は昇降機構４４の駆動により、ハンド４１を上昇させる。これにより、搬送ロボット４は第２基板のみを受け取ることができる。搬送ロボット４はこの第２基板Ｗ２のみを乾燥部３１へと搬送する。

以上のように、搬送ロボット４は、基板待機部２３に順次に搬送される基板Ｗを１枚ずつ順次に取り出して、乾燥部３１へ順次に搬送することができる。なお、このような個別搬送において、第２基板Ｗ２が基板待機部２３に搬送されたときには、第１基板Ｗ１が既に取り出されているので、第２基板Ｗ２は第１待機部２３１まで搬送されてもよい。

搬送ロボット４が基板待機部２３から取り出す基板Ｗの枚数の決定方法については後に詳述する。

＜１−３．減圧乾燥装置＞
減圧乾燥装置３の乾燥部３１は２枚の基板Ｗに対して一括して減圧乾燥処理を行うことができる。なお、減圧乾燥装置３は塗布装置２の下流側（＋Ｘ側）に位置する下流処理部である。

複数の乾燥部３１として、例えば３つの乾燥部３１ａから乾燥部３１ｃが設けられる。図１の例では、平面視において、２つの乾燥部３１が搬送ロボット４の周りに設けられている。例えば乾燥部３１ａは搬送ロボット４に対して＋Ｙ側に設けられ、乾燥部３１ｃは搬送ロボット４に対して＋Ｘ側に設けられている。乾燥部３１ｂは乾燥部３１ａに対して＋Ｚ側に設けられている。つまり、乾燥部３１ａの＋Ｚ側に、乾燥部３１ｂが積層されている。

乾燥部３１は、いずれも不図示のチャンバと基板保持部と減圧機構とを含む。チャンバは密閉空間を形成する。ただし、搬送ロボット４と向かい合うチャンバの側面には、基板Ｗの搬出入に用いられるシャッタ（不図示）が設けられる。このシャッタが閉じることにより、チャンバは密閉空間を形成する。シャッタが開くことにより、搬送ロボット４はチャンバ内の基板保持部と基板Ｗの受け渡しを行うことができる。基板保持部は、２枚の基板Ｗを水平に並べた状態で保持することができる。搬送ロボット４は２枚の基板Ｗを一括して基板保持部に渡すこともでき、１枚の基板Ｗを基板保持部に渡すこともできる。減圧機構はチャンバ内の気体を吸引して、チャンバ内の圧力を低下させる。具体的には例えばチャンバ内の圧力を塗布液の溶剤の蒸気圧まで低減させる。これにより、基板Ｗ上の塗膜の溶剤が蒸発し、基板Ｗ上の塗膜を適度に乾燥させることができる。つまり減圧乾燥処理が行われる。

＜１−４．受け渡しユニット＞
受け渡しユニット５は、減圧乾燥装置３と加熱処理装置７との間での基板Ｗの受け渡しを中継するユニットである。例えば受け渡しユニット５は、搬送ロボット４と加熱処理装置７との間に位置している。より具体的な一例として、受け渡しユニット５は乾燥部３１ｃの＋Ｚ側に設けられていてもよい。つまり、乾燥部３１ｃの＋Ｚ側に、受け渡しユニット５が積層されていてもよい。

受け渡しユニット５は、２枚の基板Ｗを水平に並べた状態で保持する基板保持部を有している。搬送ロボット４は２枚の基板Ｗを一括して基板保持部に渡すことができ、また、基板Ｗを１枚ずつ基板保持部に渡すことで、２枚の基板Ｗを基板保持部に保持させることもできる。例えば搬送ロボット４は、基板保持部のうち搬送ロボット４から見て奥側の部分に第１基板Ｗ１を渡し、基板保持部のうち手前側の部分に第２基板Ｗ２を渡す。これにより、基板保持部には第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２が載置されることとなる。

＜２．加熱処理装置＞
図１の例では、加熱処理装置７も示されている。加熱処理装置７は加熱ユニット７１と搬送ロボット７２とを含んでいる。搬送ロボット７２は搬送ロボット４と同様の構成を有しており、受け渡しユニット５から第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を一括して取り出す。搬送ロボット７２は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を一括して加熱ユニット７１へと搬送する。

加熱ユニット７１はいずれも不図示の基板保持部とヒータとを含んでいる。基板保持部は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を水平に並べた状態で保持することができる。ヒータは第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２に対して熱を与える。これにより、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の塗膜は略完全に乾燥する。

処理装置本体２２で塗布される塗布液として、フォトレジスト用の塗布液が採用される場合には、この加熱ユニット７１による加熱により、露光処理前のいわゆるプリベーク処理を行うことができる。

＜３．搬送ロボットの動作＞
上述のように、処理装置本体２２（上流処理部）は基板Ｗを搬送しつつ、基板Ｗに対して１枚ずつ順次に塗布処理を行う。つまり、第１基板Ｗ１に対する塗布処理が終了した後に、その次の第２基板Ｗ２に対して塗布処理が行われる。塗布処理が終了した基板Ｗは時間の経過と共に自然乾燥するので、先に塗布処理が終了する第１基板Ｗ１の乾燥状態は、後に塗布処理が処理する第２基板Ｗ２の乾燥状態と相違し得る。この乾燥状態の差異の程度は例えば、基板上に形成された塗膜の厚さ（膜厚）に依存する。

例えば耐エッチング性被膜とすべきフォトレジスト液を塗布液（以下、第１塗布液と呼ぶ）として塗布する場合は、塗膜の膜厚は比較的薄くする。膜厚が薄い場合は、塗膜中に含まれる溶剤量が少なくなる。この結果、乾燥に要する必要乾燥時間は比較的に短くなる。つまり、第１塗布液が乾燥する速度が比較的に速くなる。この場合には、上記自然乾燥時間の差に起因する両基板Ｗの乾燥状態の差は比較的に大きくなる。よって、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２に対して個別の乾燥時間で減圧乾燥処理を行うことが望ましい。

一方で、例えば絶縁膜とすべきポリイミド系またはアクリル系の塗布液（以下、第２塗布液と呼ぶ）を塗布する場合は、塗膜の膜厚は比較的厚くする（例えば、フォトレジスト液の膜厚の倍程度の膜厚とする）。膜厚が厚い場合は、塗膜中に含まれる溶剤量が多くなる。この結果、第２塗布液が乾燥する速度が比較的に遅くなる。この場合には、上記自然乾燥時間の差に起因する両基板Ｗの乾燥状態の差は比較的に小さくなる。

そこで、搬送ロボット４は、基板Ｗの乾燥に要する必要乾燥時間に応じて搬送方法を切り替える。具体的には、基板Ｗの乾燥に要する必要乾燥時間が第１時間であるときには、搬送ロボット４は第１基板Ｗ１を複数の乾燥部３１の一つに搬送し、第２基板Ｗ２を複数の乾燥部３１の他の１つに搬送する。これにより、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２に対してそれぞれ適した乾燥時間で減圧乾燥処理を行うことができる。

その一方で、必要乾燥時間が第１時間よりも長い第２時間であるときには、搬送ロボット４は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を受け取って一括して複数の乾燥部３１の一つに搬送する。これにより、スループットを向上することができる。

必要乾燥時間は例えば、塗膜の膜厚に依存するので、搬送ロボット４は塗膜の膜厚に応じて搬送方法を切り替える、ともいえる。すなわち、処理装置本体２２のノズル２２４が第１塗布液を基板Ｗに吐出して比較的薄い塗膜を形成するときには、搬送ロボット４は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を個別に基板待機部２３から取り出す。より具体的には、搬送ロボット４は、第２基板Ｗ２の基板待機部２３への搬送を待つことなく、第１基板Ｗ１のみを基板待機部２３から取り出し、その第１基板Ｗ１を例えば乾燥部３１ａへと搬送する。この乾燥部３１ａは第１基板Ｗ１に対して所定の第１乾燥時間に亘って減圧乾燥処理を行う。第２基板Ｗ２が基板待機部２３に搬送されると、搬送ロボット４は第２基板Ｗ２のみを基板待機部２３から取り出し、その第２基板Ｗ２を、第１基板Ｗ１とは別の乾燥部３１ｂへと搬送する。この乾燥部３１ｂは第２基板Ｗ２に対して所定の第２乾燥時間に亘って減圧乾燥処理を行う。

搬送ロボット４は乾燥部３１ａによる減圧乾燥処理が終了したときに、第１基板Ｗ１を乾燥部３１ａから取り出して受け渡しユニット５へと搬送し、乾燥部３１ｂによる減圧乾燥処理が終了したときに、第２基板Ｗ２を乾燥部３１ｂから取り出して受け渡しユニット５へと搬送する。

以上のように、自然乾燥に起因する乾燥状態の差が大きくなることが危惧される第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２に対しては、同時搬送ではなく個別搬送を行う。この個別搬送においては、次の第２基板Ｗ２を待つことなく第１基板Ｗ１を取り出すので、各取り出し時点における第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の乾燥状態の差は小さい。そして、乾燥部３１ａ，３１ｂは第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２に対して、互いに略等しい第１乾燥時間および第２乾燥時間で、それぞれ減圧乾燥処理を行う。第１乾燥時間および第２乾燥時間は例えば予め設定され、例えば４０秒である。乾燥部３１ａに搬送される直前の第１基板Ｗ１の乾燥状態と、乾燥部３１ｂに搬送される直前の第２基板Ｗ２の乾燥状態との差は小さいので、減圧乾燥処理後の第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の乾燥状態の差も小さい。

一方で、処理装置本体２２のノズル２２４が第２塗布液を吐出して比較的厚い塗膜を形成するときには、搬送ロボット４は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を一括して取り出す。搬送ロボット４は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を一括して乾燥部３１（例えば乾燥部３１ａ）へと搬送する。乾燥部３１ａは第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方に対して一括して所定の乾燥時間（例えば８０秒）で減圧乾燥処理を行う。この乾燥時間も例えば予め設定される。このように、自然乾燥に起因する乾燥状態の差が大きくなることを危惧する必要の無い場合は、搬送ロボット４は第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を一括して乾燥部３１へと搬送してもよい。

より具体的には、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の待機時間の差、すなわち、自然乾燥状態の差が５秒である場合を想定する。第１塗布液を基板Ｗに吐出して比較的薄い塗膜を形成する場合、上述のように第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２に対して、それぞれ４０秒間、減圧乾燥処理される。このとき、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを一括して同時に減圧乾燥する場合は、自然乾燥状態の差が５秒ある２枚の基板を同時に減圧乾燥することとなる。減圧乾燥時間（４０秒）に対する自然乾燥の時間差（５秒）が比較的大きいため、減圧乾燥処理後の第１基板Ｗ１上の塗膜状態と第２基板Ｗ２上の塗膜状態とが異なることが危惧される。そこで、上述のように第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の待機時間の差（自然乾燥状態の時間差）が生じないように、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを１枚ずつ乾燥部３１a，３１ｂにそれぞれ搬送して減圧乾燥処理を実行する。

また、第１塗布液を基板Ｗに吐出して比較的厚い塗膜を形成する場合、上述のように第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２に対して同時に、それぞれ８０秒間、減圧乾燥処理される。このように、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを一括して同時に減圧乾燥しても、減圧乾燥時間（８０秒）に対する自然乾燥の時間差（５秒）が比較的小さいため、減圧乾燥処理後の第１基板Ｗ１上の塗膜状態と第２基板Ｗ２上の塗膜状態とがプロセス上、問題となるほど異なることがない。

搬送ロボット４は乾燥部３１ａによる減圧乾燥処理が終了したときに、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を乾燥部３１ａから一括して取り出して受け渡しユニット５へと搬送する。

これによれば、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２に対して、一括して乾燥処理を行うことができる。これによれば、スループットを向上することができる。

なお塗布装置２（処理装置本体２２）が１種類の塗布液を塗布する場合、搬送ロボット４はその塗布液の種類（膜厚）に応じた１種類の搬送方法を採用することになる。本実施の形態にかかる基板処理装置１によれば、搬送ロボット４は搬送方法を切り替えることができるので、塗布装置２として、第１塗布液を塗布する塗布装置を採用してもよく、第２塗布液を塗布する塗布装置を採用してもよい。言い換えれば、第１塗布液を塗布する塗布装置２が必要なシステムにも、第２塗布液を塗布する塗布装置２が必要なシステムにも、基板処理装置１を適用することができる。つまり、基板処理装置１は複数の基板Ｗの同時処理および複数の基板Ｗの個別処理の両方に適している。

その一方で、塗布装置２が基板Ｗに応じて第１塗布液および第２塗布液を選択的に塗布してもよい。この場合、塗布装置２において塗布される塗布液の種類の情報（膜厚情報）は、例えば基板処理装置１の上流側の装置から制御部６へと通知されてもよく、あるいは、作業者によって入力されてもよい。制御部６は塗布液の種類に応じて、搬送ロボット４による搬送方法を上述のように切り替える。

図４は、制御部６の搬送方法を切り替える場合の搬送方法の決定動作の一例を示すフローチャートである。図４のフローチャートは、例えば基板Ｗが基板処理装置１に搬入されるごとに実行されてもよい。まずステップＳ１にて、制御部６は、基板Ｗの乾燥に必要な必要乾燥時間Ｔ１が基準時間Ｔｒｅｆ以下であるか否かを判断する。必要乾燥時間Ｔ１を示す情報は、基板処理装置１よりも上流側の装置または作業者によって制御部６に入力される。基準時間Ｔｒｅｆは例えば予め設定されており、例えば記憶装置６４等に記憶される。

必要乾燥時間Ｔ１が基準時間Ｔｒｅｆ以下であると判断したときには、ステップＳ２にて、制御部６は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を基板待機部２３から個別に取り出して、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を互いに異なる乾燥部３１に１枚ずつ搬送する搬送方法（個別搬送）を採用する。

一方で、必要基準時間Ｔ１が基準時間Ｔｒｅｆよりも大きいと判断したときには、ステップＳ３にて、制御部６は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を基板待機部２３から一括して取り出して、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を一括して一つの乾燥部３１に搬送する搬送方法（同時搬送）を採用する。

＜４．待機＞
上述の例では、第１基板Ｗ１が第１待機部２３１へと搬送されると、第１上昇機構２３４は第１基板Ｗ１を上昇させる。よって、同時搬送において、第２基板Ｗ２は、第１上昇機構２３４が第１基板Ｗ１を上昇させた状態で、基板搬送部２２３から第２待機部２３２へと搬送される。言い換えれば、第１基板Ｗ１はリフトピン２３４１によって支持された状態で、第２基板Ｗ２、あるいは、搬送ロボット４を待っている。

比較のために、第１基板Ｗ１が出口浮上ステージ２３３の上で待機する場合について考慮する。例えば、出口浮上ステージ２３３の下流部分における気体の噴出を停止した状態で、第１基板Ｗ１を出口浮上ステージ２３３の上で待機させてもよい。この場合、第１基板Ｗ１の下面は出口浮上ステージ２３３の上面との接触面積は大きい。よって、第１基板Ｗ１とその支持体（出口浮上ステージ２３３）との間で移動する熱量は比較的に大きい。

あるいは、出口浮上ステージ２３３の気体の噴出を受けつつ、第１基板Ｗ１が所定のチャック機構に保持されて待機してもよい。この場合、第１基板Ｗ１の下面には気流が生じているので、第１基板Ｗ１と気流との間で移動する熱量は比較的に大きい。

これに対して、第１基板Ｗ１がリフトピン２３４１によって支持される場合、第１基板Ｗ１とリフトピン２３４１との接触面積は小さい。これによれば、第１基板Ｗ１と支持体（リフトピン２３４１）との間で移動する熱量は比較的に小さい。また、第１基板Ｗ１は、気体が第１基板Ｗ１の下面に及ばない位置で、待機することができる。よって、第１基板Ｗ１と気体との間で移動する熱量も小さい。したがって、第１基板Ｗ１の温度状態（つまり乾燥状態）に対する支持体および気体の影響を小さくすることができる。言い換えれば、同時搬送における第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との乾燥状態の差を低減することができる。

第２の実施の形態．
第２の実施の形態にかかる基板処理装置１の構成の一例は第１の実施の形態と同様である。ただし、第２の実施の形態にかかる基板処理装置１は塗布装置２に替えて、塗布装置２Ａを含んでいる。

図５は、塗布装置２Ａおよび搬送ロボット４の構成の一例を示す側面図である。塗布装置２Ａは処理装置本体２２の構成および基板待機部２３の構成を除いて、塗布装置２と同様の構成を有している。塗布装置２Ａの処理装置本体２２は図３の処理装置本体２２と比較して、出口浮上ステージ２２５をさらに含む。この出口浮上ステージ２２５は出口浮上ステージ２３３と同様の構成を有している。

基板待機部２３は例えばコロコンベアであり、複数の回転軸２３６Ａ、複数の回転軸２３６Ｂ、複数のコロ２３７Ａおよび複数のコロ２３７Ｂを有している。基板待機部２３の構成は基板導入部２１と同様である。ただし、基板Ｗは搬送ロボット４によって取り出されるので、基板待機部２３は搬送ロボット４のハンド４１と干渉しないように構成されている。この基板待機部２３において、回転軸２３６Ｂおよびコロ２３７Ｂは第１待機部２３１を構成し、回転軸２３６Ａおよびコロ２３７Ａは第２待機部２３２を構成する。

処理装置本体２２によって処理された第１基板は、出口浮上ステージ２２５から第２待機部２３２を経由して、第１待機部２３１へと搬送される。第１基板Ｗ１はコロ２３７Ｂの上で待機する。処理装置本体２２によって処理された第２基板Ｗ２は、出口浮上ステージ２２５から第２待機部２３２へと搬送される。第２基板Ｗ２はコロ２３７Ａの上で待機する。

搬送ロボット４は第１の実施の形態と同様に、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を基板待機部２３から一括して取り出すことができ、また、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を個別に取り出すことができる。

なお第２の実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、第１上昇機構２３４および第２上昇機構２３５が設けられていてもよい。

以上、基板搬送装置および基板搬送方法の実施の形態について説明したが、この実施の形態はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。上述した各種の実施の形態および変形例は適宜に組み合わせて実施することができる。

例えば、膜厚の違いに応じて搬送方式を変更するのではなく、塗布液の種類に応じて搬送方式を変更してもよい。例えば揮発性の高い溶剤を含む塗布液の場合は減圧乾燥時間が比較的短くなる。この場合は自然乾燥状態の時間差が減圧乾燥に与える影響が大きくなる。そこで、基板を１枚ずつ減圧乾燥装置に搬送する方式が好ましい。逆に、揮発性の低い溶剤を含む塗布液の場合は減圧乾燥時間が比較的長くなる。この場合は自然乾燥状態の時間差が減圧乾燥に与える影響が小さい。そこで、複数の基板を一括して減圧乾燥装置に搬送する方式を採用してスループットを向上させる方が好ましい。

減圧乾燥するために複数の乾燥部を設けるのではなく、１個の乾燥部としてもよい。塗布装置から搬出される複数の基板の時間間隔が長い場合、１個の乾燥部であっても、先の基板の減圧乾燥処理が完了し、空いているので、基板を１枚ずつ搬入することができる。

例えば、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の位置および姿勢を調整するための整列機構が基板処理装置１に設けられてもよい。この整列機構は例えば基板待機部２３、減圧乾燥装置３および受け渡しユニット５の少なくともいずれか一つに設けられ得る。この整列機構としては、例えば特開２０１８−１６０５８６号公報に開示された間隔調整部および整列部を採用できる。

１ 基板処理装置
３ 下流処理部（減圧乾燥装置）
４ 搬送ロボット
２２ 上流処理部（処理装置本体）
３１，３１ａ〜３１ｃ 乾燥部
２２３ 搬送部（基板搬送部）
２３１ 第１待機部
２３２ 第２待機部
２３４ 第１上昇機構
２３５ 第２上昇機構

Claims (5)

1. 複数の基板を１枚ずつ順次に処理する上流処理部と、
   前記上流処理部によって処理された２枚の基板を同時に処理可能である下流処理部と、
   前記上流処理部で処理された基板である第１基板を待機させる第１待機部と、
   前記上流処理部で処理された基板であって、前記第１基板の次の基板である第２基板を待機させる第２待機部と、
   前記第１待機部で待機する前記第１基板と前記第２待機部で待機する前記第２基板との両方、前記第１待機部で待機する前記第１基板のみ、および、前記第２待機部で待機する第２基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能であり、前記搬送対象を前記下流処理部に搬送可能である搬送ロボットと
   を備える、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記第１待機部は前記第１基板を上昇させる第１上昇機構を有し、
   前記第２待機部は前記第２基板を上昇させる第２上昇機構を有し、
   前記第１上昇機構および前記第２上昇機構は互いに独立して駆動される、基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記上流処理部は、搬送方向に沿って前記複数の基板を１枚ずつ順次に搬送する搬送部を有し、
   前記第１待機部は、前記搬送方向において前記搬送部の下流側に位置し、
   前記第２待機部は、前記搬送方向において前記搬送部と前記第１待機部との間に位置しており、前記搬送部からの前記第１基板を前記第１待機部へと搬送する機能も有し、
   前記第１基板が前記第２待機部から前記第１待機部へ搬送されると、前記第１上昇機構が前記第１基板を上昇させ、
   前記第２基板は、第１上昇機構が前記第１基板を上昇させた状態で、前記搬送部から前記第２待機部へと搬送される、基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記下流処理部は、乾燥処理を行う複数の乾燥部を有し、
   前記搬送ロボットは、
   前記第１基板および前記第２基板の各々の乾燥に要する必要乾燥時間が第１時間であるときには、前記第１基板を前記複数の乾燥部の一つに搬送し、前記第２基板を前記複数の乾燥部の他の１つに搬送し、
   前記必要乾燥時間が、前記第１時間よりも長い第２時間であるときには、前記第１基板および前記第２基板の両方を受け取って一括して前記複数の乾燥部の一つに搬送する、基板処理装置。
5. 複数の基板を１枚ずつ順次に処理する第１工程と、
   前記第１工程で処理された基板である第１基板を待機させる第２工程と、
   前記第１工程で処理された基板であって、前記第１基板の次の基板である第２基板を待機させる第３工程と、
   前記第１基板と前記第２基板との両方、前記第１基板のみ、および、第２基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能な搬送ロボットによって前記搬送対象を取り出す第４工程と、
   ２枚の基板を同時に処理可能な下流処理部へと、前記搬送ロボットによって前記搬送対象を搬送する第５工程と
   を備える、基板処理方法。

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