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TWI632541B - 閘極驅動模組及閘極內嵌面板 - Google Patents

閘極驅動模組及閘極內嵌面板 Download PDF

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TWI632541B
TWI632541B TW105141608A TW105141608A TWI632541B TW I632541 B TWI632541 B TW I632541B TW 105141608 A TW105141608 A TW 105141608A TW 105141608 A TW105141608 A TW 105141608A TW I632541 B TWI632541 B TW I632541B
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film transistor
thin film
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terminal
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盧石
韓仁孝
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南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
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Abstract

一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，包括：第一上拉薄膜電晶體，其一端子連接至一閘極驅動信號產生器及另一端子連接至第一閘極線的一末端；第一下拉薄膜電晶體，其一端子連接至該第一閘極線的該末端及另一端子連接至一低位準電壓端；及第二上拉薄膜電晶體，其一端子連接至該閘極驅動信號產生器及另一端子連接至相對於該第一閘極線之該末端的另一末端，其中，當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被開啟時，該第一下拉薄膜電晶體被關閉，及當該第一上拉薄膜電晶體和該第二上拉薄膜電晶體被關閉時，該第一下拉薄膜電晶體被開啟。

Description

閘極驅動模組及閘極內嵌面板
本發明涉及一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，尤其涉及可藉由共享下拉薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)降低TFT的數量，以藉此降低邊框厚度的一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板。
在今日之資訊技術時代，與平面顯示裝置相關之技術(例如，以可視影像之形式包含於電子信號中之資訊)正在快速地發展。尤其，用於發展出具有更低功耗之更薄與更輕量的平面顯示裝置的研究在持續中。
平面顯示裝置包括液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示平板裝置(PDP)、場發射顯示裝置(FED)、電致發光顯示裝置(ELD)、電濕顯示裝置(EWD)及有機發光顯示裝置(OLED)。
在這些裝置中，有機發光顯示裝置藉由使用自發光之有機發光二極體而產生影像。這樣的有機發光顯示裝置包括兩個或更多之以不同顏色發光之有機發光二極體，以可在不使用如其他裝置(例如，液晶顯示裝置)之額外的色彩濾光層而顯示有色影像。此外，既然有機發光顯示裝置不需要另外的光源，相對於液晶顯示裝置，有機發光顯示裝置可更輕量、更薄及具有更寬的視角。此外，有機發光顯示裝置的反應速度比液晶顯示裝置的反應速度快了至少一千倍，以使其幾乎不遺留殘像。
這樣的有機發光顯示裝置藉由施加電壓至閘極線來開啟掃描電晶體以顯示影像。當掃描電晶體被開啟時，該電壓藉由資料線而施加，以開啟驅動電晶體。當驅動電晶體被開啟時，電流流過驅動電晶體，以開啟有機發光二極體。為了執行這些功能，需要用於施加電壓至閘極線的閘 極驅動模組。
傳統的閘極驅動模組具有包括用於驅動閘極線之大數量TFT的缺陷，因此，閘極驅動模組的邊框是較厚的。此外，既然，傳統的閘極驅動模組具有較厚邊框，對於使用者來說，要融入螢幕上所顯示的內容是困難的，以及面板的整體體積是增加的。此外，目前的閘極驅動模組具有用於驅動閘極線之大數量的Qb節點及逆變器的問題。
本發明的一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其藉由共享下拉薄膜電晶體降低薄膜電晶體的數量。
本發明的另一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其藉由降低薄膜電晶體的數量降低邊框厚度。
本發明的另一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其藉由降低邊框厚度讓使用者有更融入的視覺體驗。
本發明的另一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其藉由降低邊框厚度降低面板的整體體積。
本發明的另一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其藉由共享一Qb節點降低Qb節點的數量。
本發明的另一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其藉由共享一Qb節點降低反向器的數量。
本發明的另一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其控制一掃描電晶體的開啟及關閉操作。
本發明的另一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其藉由控制一掃描電晶體的開啟及關閉操作控制一有機發光二極體的開啟及關閉時序。
本發明的另一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其可同時地將一閘極驅動信號施加至一第一上拉薄膜電晶體以及一第二上拉薄膜電晶體。
本發明的另一目標在於提供一種閘極驅動模組及一種閘極內嵌面板，其同時地將一閘極驅動信號施加至一第一上拉薄膜電晶體以及一第二上拉薄膜電晶體，以藉此降低施加至一主動區域之電壓信號之間的 延遲。
依據發明的一態樣，提供一種閘極驅動模組，其可藉由共享一下拉薄膜電晶體降低薄膜電晶體的數量，以及藉此降低邊框厚度。
更特別地，當一第一上拉薄膜電晶體及一第二上拉薄膜電晶體被開啟時，一第一下拉薄膜電晶體被關閉。當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被關閉時，該第一下拉薄膜電晶體被開啟。當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被開啟時，一閘極驅動信號藉由該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體施加至該閘極線。接著，當該第一下拉薄膜電晶體被開啟時，一低位準電壓信號藉由該第一下拉薄膜電晶體施加至該閘極線。如上所述，僅藉由使用該第一上拉薄膜電晶體、該第二上拉薄膜電晶體及該第一下拉薄膜電晶體，施加該閘極驅動信號及該低位準電壓信號，以藉此降低薄膜電晶體的數量以及降低邊框厚度。
該閘極驅動模組可進一步包括：一第一反向器，其一端子連接至該第一上拉薄膜電晶體的閘極端以及另一端子連接至該第一下拉薄膜電晶體的閘極端。
藉由一第三反向器連接至一第三上拉薄膜電晶體的閘極端的一Qb3節點可連接至一Qb2節點。該Qb2節點可藉由一第二反向器連接至該第二上拉薄膜電晶體的閘極端。如上所述，該Qb3節點連接至該Qb2節點，以使該Qb節點的數量可以降低以及反向器數量可以降低。
據此，該閘極驅動模組可共享該下拉薄膜電晶體及該Qb節點，以藉此降低薄膜電晶體數量、Qb節點數量及反向器數量。
依據本說明的另一態樣，提供一種閘極內嵌面板，其可藉由共享一下拉薄膜電晶體降低薄膜電晶體的數量，以及藉此降低邊框厚度。
更特別地，當第一上拉薄膜電晶體及第二上拉薄膜電晶體被開啟時，第一下拉薄膜電晶體被關閉。當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被關閉時，該第一下拉薄膜電晶體被開啟。當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被開啟時，一閘極驅動信號藉由該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體施加至該閘極線。接著，當該第一下拉薄膜電晶體被開啟時，一低位準電壓信號藉由該第一下拉薄膜電 晶體施加至該閘極線。如上所述，僅藉由使用該第一上拉薄膜電晶體、該第二上拉薄膜電晶體及該第一下拉薄膜電晶體，施加該閘極驅動信號及該低位準電壓信號，以藉此降低薄膜電晶體的數量以及降低邊框厚度。
該閘極內嵌面板可進一步包括：一主動區域，通過由該第一閘極線所施加的一閘極驅動信號，在該主動區域中實施一掃描操作。
該閘極內嵌面板可進一步包括：一第一反向器，其一端子連接至該第一上拉薄膜電晶體的閘極端以及另一端子連接至該第一下拉薄膜電晶體的閘極端。
藉由一第三反向器連接至一第三上拉薄膜電晶體的閘極端的一Qb3節點可連接至一Qb2節點。該Qb2節點可藉由一第二反向器連接至該第二上拉薄膜電晶體的閘極端。如上所述，該Qb3節點連接至該Qb2節點，以使該Qb節點的數量可以降低以及反向器數量可以降低。
據此，該閘極內嵌面板可共享該下拉薄膜電晶體及該Qb節點，以藉此降低薄膜電晶體數量、Qb節點數量及反向器數量。
依據本發明之一範例實施例，藉由共享一下拉薄膜電晶體，可降低薄膜電晶體的數量。例如，藉由降低邊框的厚度讓使用者有一個更融入的視覺體驗，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。亦即，具有更薄邊框的該顯示裝置提供更多的螢幕空間，以當使用者觀看電影或戲劇時，可融入螢幕上所顯示的內容。
此外，依據本發明的一範例實施例，藉由降低邊框厚度，面板的整體體積相對於螢幕尺寸可被降低。例如，藉由降低面板的整體體積以降低多餘的空間，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。
此外，依據本發明的一範例實施例，藉由共享一Qb節點，該Qb節點的數量可被減少。例如，藉由將一Qb節點連接至另一Qb節點而降低Qb節點的數量，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。藉由共享一Qb節點，連接至該Qb節點的反向器也可被共享，以使邊框厚度降低。
此外，依據本發明的一範例實施例，一掃描電晶體的開啟及關閉操作可被控制。例如，藉由控制一上拉薄膜電晶體及一下拉薄膜電晶 體的開啟及關閉操作，控制施加至一閘極線的一電壓信號，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。
此外，藉由控制該掃描電晶體的開啟及關閉操作，該有機發光二極體的開啟及關閉時序可被控制。例如，藉由以任意順序開啟或關閉有機發光二極體，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。
此外，依據本發明的一範例實施例，施加至主動區域的電壓信號之間的延遲可被降低。例如，當施加至該主動區域的電壓信號為非均勻以使該等有機發光二極體的開啟及關閉的時序成為不穩定時，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。
10‧‧‧像素結構
13‧‧‧資料線
110‧‧‧第一上拉薄膜電晶體
120‧‧‧第一下拉薄膜電晶體
130‧‧‧第二上拉薄膜電晶體
140‧‧‧第一反向器
150‧‧‧第一閘極線
160‧‧‧閘極驅動信號產生器
170‧‧‧低位準電壓端
180‧‧‧第二反向器
210、220、330‧‧‧信號
230‧‧‧區間
510‧‧‧第三上拉薄膜電晶體
520‧‧‧第二下拉薄膜電晶體
530‧‧‧第三反向器
540‧‧‧第四上拉薄膜電晶體
550‧‧‧第二閘極線
560‧‧‧反向器
1100‧‧‧主動區域
CLK1、CLK2、CLK3、CLK4‧‧‧閘極驅動信號
Cst‧‧‧電容
Dr_Tr‧‧‧驅動電晶體
Scan_Tr‧‧‧掃描電晶體
Vdata‧‧‧資料電壓信號
第1圖為說明依據本發明範例實施例的閘極驅動模組的圖式；第2圖(a)為顯示依據本發明範例實施例的閘極驅動信號的圖式；第2圖(b)為顯示依據本發明範例實施例施加至上拉薄膜電晶體的閘極端的電壓信號的圖式；第2圖(c)為顯示依據本發明範例實施例施加至下拉薄膜電晶體的閘極端的電壓信號的圖式；第2圖(d)為顯示依據本發明範例實施例施加閘極線的電壓信號的圖式；第3圖為依據本發明範例實施例的像素結構的等效電路圖；第4圖為說明依據本發明另一範例實施例的閘極驅動模組的圖式；第5圖為說明依據本發明範例實施例的閘極內嵌面板的圖式；以及第6圖為說明依據本發明另一範例實施例的閘極內嵌面板的圖式。
從參考所附圖式之詳細說明，以清楚說明上述目的、特徵及優勢。本發明將詳細地說明該等實施例，以使熟析本領域的技術人員可輕易地實施本發明的技術思想。將省略對於熟知之功能或配置的描述，以避 免非必要的模糊本發明的焦點。以下，將參考所附圖式，詳細說明本發明之實施例。在該等圖式中，相同的元件符號指的是相同的元件。
第1圖為說明依據本發明範例實施例的閘極驅動模組的圖式。參考第1圖，依據本發明範例實施例的閘極驅動模組可包括：第一上拉薄膜電晶體110；第一下拉薄膜電晶體120；以及第二上拉薄膜電晶體130。第1圖中的閘極驅動模組僅為本發明的範例實施例，以及該等元件並不限於第1圖所示的元件。如果有需要的話，可增加其他元件，或者修改或刪除該等元件。
第2圖(a)為顯示依據本發明範例實施例的閘極驅動信號的圖式。第2圖(b)為顯示依據本發明範例實施例施加至上拉薄膜電晶體的閘極端的電壓信號的圖式。
第2圖(c)為顯示依據本發明範例實施例施加至下拉薄膜電晶體的閘極端的電壓信號的圖式。第2圖(d)為顯示依據本發明範例實施例施加閘極線的電壓信號的圖式。
第3圖為依據本發明範例實施例的像素結構10的等效電路圖。以下，將參考第1圖至第3圖，詳細描述依據本發明範例實施例的閘極驅動模組。
第一上拉薄膜電晶體110的一端子可連接至閘極驅動信號產生器160，以及第一上拉薄膜電晶體110的另一端子可連接至第一閘極線150的一末端。該第一上拉薄膜電晶體110可為金屬氧化物半導體場效電晶體、雙極性電晶體或絕緣閘雙極電晶體，但第一上拉薄膜電晶體110的類型並不限於此。閘極驅動信號產生器160為產生閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4的元件。閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4指的是電壓信號，該等電壓信號施加至閘極線以開啟掃描電晶體Scan_Tr。例如，閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4可為時脈信號，但不限於此。
第一下拉薄膜電晶體120的一端子可連接至第一閘極線150的該末端，以及第一下拉薄膜電晶體120的另一端子可連接至低位準電壓端170。低位準電壓端170為將直流電壓信號提供至第一下拉薄膜電晶體120之源極端的元件。低位準電壓端170可為直流電壓源，但不限於此。第 一下拉薄膜電晶體120可為金屬氧化物半導體場效電晶體、雙極性電晶體或絕緣閘雙極電晶體，但第一下拉薄膜電晶體120的類型並不限於此。
第二上拉薄膜電晶體130的一端子可連接至閘極驅動信號產生器160，以及第二上拉薄膜電晶體130的另一端子可連接至第一閘極線150的另一末端。第二上拉薄膜電晶體130可為金屬氧化物半導體場效電晶體、雙極性電晶體或絕緣閘雙極電晶體，但第二上拉薄膜電晶體130的類型並不限於此。第一上拉薄膜電晶體110、第一下拉薄膜電晶體120及第二上拉薄膜電晶體130可為相同或不同的類型。設置第一上拉薄膜電晶體110、第一下拉薄膜電晶體120及第二上拉薄膜電晶體130的位置可與第1圖所示的位置相同或不同。
例如，當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟時，第一下拉薄膜電晶體120被關閉。當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉時，第一下拉薄膜電晶體120可被開啟。參考第2圖(b)，信號210可施加至第一上拉薄膜電晶體110的閘極端。當信號210施加至第一上拉薄膜電晶體110的閘極端時，第一上拉薄膜電晶體110可在區間230時被開啟。
另一方面，參考第2圖(c)，信號220可施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端。該信號220可為信號210的反向信號。當信號220施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端時，第一下拉薄膜電晶體120可在區間230時被關閉。第2圖(b)至第2圖(c)所示之反相位(anti-phase)的信號可施加至第一上拉薄膜電晶體110及第一下拉薄膜電晶體120的閘極端，以使該等薄膜電晶體以一重複序列同時且分別地被開啟及關閉，反之亦然。
例如，閘極驅動模組可進一步包括第一反向器140，其具有連接至第一上拉薄膜電晶體110的閘極端的一端子以及連接至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端的另一端子。第一反向器140可將提供至Q1節點的信號相位反向，以將其輸出至Qb1節點。例如，第一反向器140可將第2圖(b)所示的信號210改變為第2圖(c)所示的信號220，以將其輸出且施加至第一下拉薄膜電晶體120。當第一反向器140將第2圖(b)所示的信號210改變為第2圖(c)所示的信號220以將其輸出時，第一上拉薄膜 電晶體110及第一下拉薄膜電晶體120可依據第2圖(b)至第2圖(c)所示的反相位信號210、220以一重複序列同時且分別地被開啟及關閉。
依據本發明的範例實施例，施加至第一上拉薄膜電晶體110之閘極端的信號210可施加至Q1節點，以及施加至第一下拉薄膜電晶體120之閘極端的信號220可施加至Qb1節點。施加至Q1節點的信號210可由反向器反向，以施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端。該等信號可以與上述方式不同的方式施加至第一上拉薄膜電晶體110的閘極端以及第一下拉薄膜電晶體120的閘極端。
然而，第二上拉薄膜電晶體130及第一上拉薄膜電晶體110可被同時地開啟。特別地，第2圖(b)所示的信號210也可施加至第二上拉薄膜電晶體130的閘極端。當信號210施加至第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130的閘極端且信號220施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端時，第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟且第一下拉薄膜電晶體120被關閉，反之亦然。藉由同時開啟第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130，可在當像素開啟時，防止時間點之間的延遲。
例如，當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟且第一下拉薄膜電晶體120被關閉時，由閘極驅動信號產生器160所產生的閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4可藉由第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被施加至第一閘極線150。此外，當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉且第一下拉薄膜電晶體120被開啟時，低位準電壓信號可藉由第一下拉薄膜電晶體120被施加至第一閘極線150。該低位準電壓信號可為直流電壓信號。
更特別地，當信號210施加至第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130時，第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130在區間230時被開啟。當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟時，部份的閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4可藉由第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被施加至第一閘極線150。參考第2圖(a)至第2圖(d)，閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4中之的號CLK1可施加至第一上拉薄膜電晶體110及第二上 拉薄膜電晶體130的至少其中之一。當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟時，第一下拉薄膜電晶體120可被關閉。在此之後，信號220可施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端以將其開啟，在此同時，第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉。當第一下拉薄膜電晶體120被開啟時，低位準電壓信號可施加至第一閘極線150。當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉時，閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4無法繼續被施加至第一閘極線150。因此，第2圖(d)所示的信號330可施加至第一閘極線150，以及信號330可開啟第3圖所示的掃描電晶體Scan_Tr。
參考第3圖，當信號330施加至第一閘極線150時，掃描電晶體Scan_Tr被開啟。當掃描電晶體Scan_Tr開啟時，資料電壓信號Vdata施加至資料線13。施加資料電壓信號至資料線13的元件可為資料驅動器。施加至資料線13的資料電壓信號Vdata藉由掃描電晶體Scan_Tr施加至電容Cst或驅動電晶體Dr_Tr的閘極端。當資料電壓信號施加至驅動電晶體Dr_Tr的閘極端時，驅動電晶體Dr_Tr被開啟。當驅動電晶體Dr_Tr開啟時，電流流經驅動電晶體Dr_Tr。流經驅動電晶體Dr_Tr之電流可將有機發光二極體開啟。
以上述的方式，依據本發明範例實施例的閘極驅動模組可控制掃描電晶體Scan_Tr的開啟及關閉操作。此外，藉由控制掃描電晶體Scan_Tr的開啟及關閉操作，有機發光二極體的開啟及關閉時序可被控制。
第4圖為說明依據本發明另一範例實施例之閘極驅動模組的圖式。參考第4圖，依據本發明另一範例實施例的閘極驅動模組進一步包括：第三上拉薄膜電晶體510；第二下拉薄膜電晶體520；第四上拉薄膜電晶體540；Q3節點；以及Qb3節點。
第三上拉薄膜電晶體510的一端子可連接至第二閘極線的閘極驅動信號產生器160，以及第三上拉薄膜電晶體510的另一端子可連接至第二閘極線550的一末端。第一閘極線的閘極驅動信號產生器可與第二閘極線的閘極驅動信號產生器類型相同或類型不同。第三上拉薄膜電晶體510可與第一上拉薄膜電晶體110類型相同或類型不同。此外，第三上拉薄膜電晶體510可以與上述第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體 130的相同方式來驅動。
Qb3節點可連接至第二下拉薄膜電晶體520的閘極端，以及可藉由第三反向器530可連接至第三上拉薄膜電晶體510的閘極端。第三上拉薄膜電晶體510、第二下拉薄膜電晶體520、Q3節點、Qb3節點以及第三反向器530的結構、功能、及操作可以類似於第1圖中那些類似的元件。此外，Qb3節點可連接至Qb2節點，Qb2節點藉由第二反向器180連接至第二上拉薄膜電晶體130的閘極端。Qb3節點可具有與上述Qb1節點相同的結構及功能。
Qb3節點依據本發明的該範例實施例連接至Qb2節點，以使Qb3節點也可執行Qb2節點的功能。當Qb3節點執行Qb2節點的功能時，可省略Qb2節點。此外，反向器530執行反向器180的功能，因此，可省略反向器180。依據本發明的再一範例實施例，藉由省略Qb2節點及反向器180，閘極驅動模組可降低邊框的厚度。
在第4圖中，依據本發明另一範例實施例的閘極驅動模組可進一步包括第四上拉薄膜電晶體540以及Qb4節點。
第四上拉薄膜電晶體540的一端子可連接至閘極驅動信號產生器160，以及第四上拉薄膜電晶體540的另一端子可連接至第二閘極線的另一末端。第四上拉薄膜電晶體540可為金屬氧化物半導體場效電晶體、雙極性電晶體或絕緣閘雙極電晶體，但第四上拉薄膜電晶體540的類型並不限於此。設置第三上拉薄膜電晶體510、第一下拉薄膜電晶體120及第四上拉薄膜電晶體540的位置可以與第4圖所示的位置相同或不同。另一方面，第四上拉薄膜電晶體540及第三上拉薄膜電晶體510可以同時地被開啟。更特別地，第2圖(b)所示的信號210也可施加至第四上拉薄膜電晶體540的閘極端。當信號210施加至第三上拉薄膜電晶體510及第四上拉薄膜電晶體540的閘極端且信號220施加至第二下拉薄膜電晶體520的閘極端時，第三上拉薄膜電晶體510及第四上拉薄膜電晶體540被開啟且第二下拉薄膜電晶體520被關閉，反之亦然。藉由同時開啟第三上拉薄膜電晶體510及第四上拉薄膜電晶體540，可在當像素開啟時，防止時間點之間的延遲。
閘極驅動模組可進一步包括反向器560，其一端子連接至第 四上拉薄膜電晶體540的閘極端以及另一端子連接至Qb4節點。該Qb4節點可連接至Qb1節點。該Qb4節點可具有與上述Qb3節點相同的結構及功能。
當Qb4節點執行Qb1節點的功能時，可省略Qb1節點。此外，反向器560執行反向器140的功能，因此，可省略反向器140。
第5圖為說明依據本發明範例實施例的閘極內嵌面板的圖式。參考第5圖，依據本發明範例實施例的閘極內嵌面板可包括：第一上拉薄膜電晶體110；第一下拉薄膜電晶體120；第二上拉薄膜電晶體130；以及主動區域1100。第5圖所示的閘極內嵌面板僅為本發明的一範例實施例，而該等元件並不受限於第5圖所示的該等元件。如果有需要的話，可增加其他元件，或者修改或刪除該等元件。
第一上拉薄膜電晶體110的一端子可連接至第一閘極線150的閘極驅動信號產生器160，以及第一上拉薄膜電晶體110的另一端子可連接至第一閘極線150的一末端。第一上拉薄膜電晶體110可為金屬氧化物半導體場效電晶體、雙極性電晶體或絕緣閘雙極電晶體，但第一上拉薄膜電晶體110的類型並不限於此。閘極驅動信號產生器160為產生閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4的元件。閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4指的是電壓信號，該等電壓信號施加至閘極線以開啟掃描電晶體Scan_Tr。例如，閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4可為時脈信號，但不限於此。
第一下拉薄膜電晶體120的一端子可連接至第一閘極線150的末端，以及第一下拉薄膜電晶體120的另一端子可連接至低位準電壓端170。低位準電壓端170為將直流電壓信號提供至第一下拉薄膜電晶體120之源極端的元件。低位準電壓端170可為直流電壓源，但不限於此。第一下拉薄膜電晶體120可為金屬氧化物半導體場效電晶體、雙極性電晶體或絕緣閘雙極電晶體，但第一下拉薄膜電晶體120的類型並不限於此。
第二上拉薄膜電晶體130的一端子可連接至閘極驅動信號產生器160，以及第二上拉薄膜電晶體130的另一端子可連接至第一閘極線150的另一末端。第二上拉薄膜電晶體130可為金屬氧化物半導體場效電晶體、雙極性電晶體或絕緣閘雙極電晶體，但第二上拉薄膜電晶體130的類 型並不限於此。第一上拉薄膜電晶體110、第一下拉薄膜電晶體120及第二上拉薄膜電晶體130可為相同或不同的類型。設置第一上拉薄膜電晶體110、第一下拉薄膜電晶體120及第二上拉薄膜電晶體130的位置可與第1圖所示的位置相同或不同。
例如，當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟時，第一下拉薄膜電晶體120可被關閉。當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉時，第一下拉薄膜電晶體120可被開啟。參考第2圖(b)，一信號210可施加至第一上拉薄膜電晶體110的閘極端。當信號210施加至第一上拉薄膜電晶體110的閘極端時，第一上拉薄膜電晶體110可在區間230時被開啟。
另一方面，參考第2圖(c)，信號220可施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端。當信號220施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端時，第一下拉薄膜電晶體120可在區間230時被關閉。依據第2圖(b)及第2圖(c)所示之反相位的信號210、220，第2圖(a)至第2圖(d)所示的反相位信號可施加至第一上拉薄膜電晶體及第一下拉薄膜電晶體的閘極端，以使該等薄膜電晶體以一重複序列同時且分別地被開啟及關閉。
例如，閘極驅動模組可進一步包括第一反向器140，其具有連接至第一上拉薄膜電晶體110的閘極端的一端子以及連接至第一下拉薄膜電晶體120之閘極端的另一端子。第一反向器140可將提供至Q1節點的信號相位反向，以將其輸出至Qb1節點。例如，第一反向器140可將第2圖(b)所示的信號210改變為第2圖(c)所示的信號220，以將其輸出。當第一反向器140將第2圖(b)所示的信號210改變為第2圖(c)所示的信號220以將其輸出時，第一上拉薄膜電晶體110及第一下拉薄膜電晶體120被重複地開啟及關閉。
依據本發明的範例實施例，施加至第一上拉薄膜電晶體110的閘極端的信號210可施加至Q1節點，以及施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端的信號220可施加至Qb1節點。施加至第一上拉薄膜電晶體110的閘極端的信號210可施加至Q1節點且被反向器反向為信號220而被施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端，反之亦然。因此，第一上拉薄膜電晶體110及第一下拉薄膜電晶體120可同時且分別地被開啟及關閉，反之 亦然。該等信號可以與上述方式不同之方式施加至第一上拉薄膜電晶體110之閘極端以及第一下拉薄膜電晶體120的閘極端。
另一方面，第二上拉薄膜電晶體130及第一上拉薄膜電晶體110可同時地被開啟。特別地，第2圖(b)所示的信號210也可施加至第二上拉薄膜電晶體130的閘極端。當信號210施加至第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130的閘極端且信號220施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端時，第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟且第一下拉薄膜電晶體120被關閉，反之亦然。藉由同時開啟第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130，可在當像素開啟時，防止時間點之間的延遲。
例如，當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟且第一下拉薄膜電晶體120被關閉時，由閘極驅動信號產生器160所產生的閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4可藉由第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被施加至第一閘極線150。此外，當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉且第一下拉薄膜電晶體120被開啟時，低位準電壓信號可藉由第一下拉薄膜電晶體120被施加至第一閘極線150。該低位準電壓信號可為直流電壓信號。
更特別地，當信號210施加至第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130時，第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130在區間230時被開啟，在這期間，第一下拉薄膜電晶體120可被關閉。當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟時，部份的閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4可藉由第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被施加至第一閘極線150。參考第2圖(a)至第2圖(d)，閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4中的信號CLK1可施加至上拉薄膜電晶體。在此之後，信號220可施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端以將其開啟，在此同時，第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉。當第一下拉薄膜電晶體120被開啟時，低位準電壓信號可施加至第一閘極線150。當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉時，閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4無法繼續被施加至第一閘極線150。因此，第2圖(d)所示的信號330可 施加至閘極線，以及信號330可開啟第3圖所示的掃描電晶體Scan_Tr。
在主動區域1100中，藉由通過第一閘極線150施加閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4，可實現部分的操作。主動區域1100可包括一個或多個像素結構10。各個像素結構10可具有與第3圖所示之等效電路相同的配置。白、紅、綠、藍有機發光二極體可以以在主動區域1100中的順序配置。具有相同顏色的有機發光二極體也可以一排的方式配置。
將參考第3圖至第5圖，描述驅動主動區域1100的方法。當信號施加至第一閘極線150時，掃描電晶體Scan_Tr被開啟。當掃描電晶體Scan_Tr被開啟時，資料電壓信號被施加至資料線13。施加資料電壓信號至資料線13的元件可為資料驅動器。施加至資料線13的資料電壓信號Vdata藉由掃描電晶體Scan_Tr施加至電容Cst或驅動電晶體Dr_Tr的閘極端。當資料電壓信號施加至驅動電晶體Dr_Tr的閘極端時，驅動電晶體Dr_Tr被開啟。當驅動電晶體Dr_Tr開啟時，電流流經驅動電晶體Dr_Tr。流經驅動電晶體Dr_Tr的電流可將有機發光二極體開啟。
以上述之方式，依據本說明說範例實施例的閘極內嵌面板可控制掃描電晶體Scan_Tr的開啟及關閉操作。此外，藉由控制該掃描電晶體Scan_Tr的開啟及關閉操作，有機發光二極體的開啟及關閉時序可被控制。
第6圖為說明依據本發明另一範例實施例之閘極內嵌面板的圖式。參考第6圖，依據本發明另一範例實施例的閘極內嵌面板進一步包括：第三上拉薄膜電晶體510；以及Qb3節點。
第三上拉薄膜電晶體510的一端子可連接至第二閘極線的閘極驅動信號產生器160，以及第三上拉薄膜電晶體510的另一端子可連接至第二閘極線的一末端。第一閘極線的閘極驅動信號產生器可與第二閘極線的閘極驅動信號產生器類型相同或類型不同。第三上拉薄膜電晶體510可與第一上拉薄膜電晶體110類型相同或類型不同。此外，第三上拉薄膜電晶體510可以與上述第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130的相同方式來驅動。
Qb3節點可藉由第三反向器530連接至第三上拉薄膜電晶體510的閘極端。此外，該Qb3節點可連接至Qb2節點，該Qb2節點藉由第二反向器180連接至第二上拉薄膜電晶體130的閘極端。該Qb3節點可具有 與上述Qb1節點相同的結構及功能。
Qb3節點可依據本發明的該範例實施例連接至Qb2節點，以使Qb3節點也可執行Qb2節點的功能。當Qb3節點執行Qb2節點的功能時，可省略Qb2節點。此外，反向器530執行反向器180的功能，因此，可省略反向器180。依據本發明的另一範例實施例，藉由省略Qb2節點及反向器180，閘極內嵌面板可降低邊框的厚度。
在第6圖中，依據本發明另一範例實施例的閘極內嵌面板可進一步包括第四上拉薄膜電晶體540以及Qb4節點。
第四上拉薄膜電晶體540的一端子可連接至閘極驅動信號產生器160，以及第四上拉薄膜電晶體540的另一端子可連接至第二閘極線的另一末端。第四上拉薄膜電晶體540可為金屬氧化物半導體場效電晶體、雙極性電晶體或絕緣閘雙極電晶體，但第四上拉薄膜電晶體540的類型並不限於此。第三上拉薄膜電晶體510、第一下拉薄膜電晶體120及第四上拉薄膜電晶體540的類型可以彼此相同或不同。設置第三上拉薄膜電晶體510、第一下拉薄膜電晶體120及第四上拉薄膜電晶體540的位置可以與第6圖所示的位置相同或不同。
另一方面，第四上拉薄膜電晶體540及第三上拉薄膜電晶體510可以同時地被開啟。更特別地，第2圖(b)所示的信號210也可施加至第四上拉薄膜電晶體540的閘極端。當信號210施加至第三上拉薄膜電晶體510及第四上拉薄膜電晶體540的閘極端且信號220施加至第二下拉薄膜電晶體520的閘極端時，第三上拉薄膜電晶體510及第四上拉薄膜電晶體540被開啟且第二下拉薄膜電晶體520被關閉，反之亦然。藉由同時開啟第三上拉薄膜電晶體510及第四上拉薄膜電晶體540，可在當像素開啟時，防止時間點之間的延遲。
閘極驅動模組可進一步包括反向器560，其一端子連接至第四上拉薄膜電晶體540的閘極端以及另一端子連接至Qb4節點。該Qb4節點可連接至Qb1節點。該Qb4節點可具有與上述Qb3節點相同的結構及功能。
當Qb4節點執行Qb1節點的功能時，可省略Qb1節點。此外，反向器560執行反向器140的功能，因此，可省略反向器140。
依據本發明的再一範例實施例，一種驅動閘極的方法包括：開啟一第一上拉薄膜電晶體及一第二上拉薄膜電晶體；藉由該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體施加一閘極驅動信號至一第一閘極線；關閉該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體；開啟一第一下拉薄膜電晶體；以及藉由該第一下拉薄膜電晶體施加一低位準電壓信號至該第一閘極線。
初始時，本發明之依據該範例實施例的方法以開啟該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體作開始。為了開啟該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體，第2圖(b)所示的信號可施加至該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體的該等閘極端。
接著，該閘極驅動信號可藉由該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體施加至該第一閘極線。該閘極驅動信號可為第2圖(a)所示的時脈信號，但不限於此。
接著，該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被關閉以及該第一下拉薄膜電晶體被開啟。該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體的開啟以及該第一下拉薄膜電晶體的關閉可同時地實施。
當該第一下拉薄膜電晶體被開啟時，一低位準電壓信號藉由該第一下拉薄膜電晶體施加至該第一閘極線。該低位準電壓信號可為直流電壓信號，但不限於此。藉由該第一下拉薄膜電晶體對該第一閘極線施加該低位準電壓信號可實施在藉由該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體對該第一閘極線施加該閘極驅動信號之前。此外，藉由該第一下拉薄膜電晶體對該第一閘極線施加該低位準電壓信號可實施在藉由該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體對該第一閘極線施加該閘極驅動信號之後。
更特別地，當信號210施加至第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130時，第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130在區間230時被開啟。當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被開啟時，閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4可藉由第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被施加至第一閘極線150。接著，信號220被施加至第一下拉薄膜電晶體120的閘極端以將其開 啟，在此同時，第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉。當第一下拉薄膜電晶體120被開啟時，低位準電壓信號被施加至第一閘極線150。當第一上拉薄膜電晶體110及第二上拉薄膜電晶體130被關閉時，閘極驅動信號CLK1、CLK2、CLK3、CLK4無法繼續被施加至第一閘極線150。因此，第2圖(d)所示的信號330被施加至第一閘極線150，以及信號330開啟第3圖所示的掃描電晶體Scan_Tr。
參考第3圖，當信號330施加至第一閘極線150時，掃描電晶體Scan_Tr被開啟。當掃描電晶體Scan_Tr開啟時，資料電壓信號被施加至資料線13。施加該資料電壓信號至資料線13的元件可為資料驅動器。施加至資料線1的資料電壓信號藉由掃描電晶體Scan_Tr施加至電容Cst或驅動電晶體Dr_Tr的閘極端。當資料電壓信號施加至驅動電晶體Dr_Tr的閘極端時，驅動電晶體Dr_Tr被開啟。當驅動電晶體Dr_Tr開啟時，電流流經該驅動電晶體Dr_Tr。流經驅動電晶體Dr_Tr的電流可將有機發光二極體開啟。
以上述之的式，依據本發明範例實施例的該方法可控制掃描電晶體Scan_Tr的開啟及關閉操作。此外，藉由控制掃描電晶體Scan_Tr的開啟及關閉操作，有機發光二極體的開啟及關閉時序可被控制。
依據本發明的一範例實施例，藉由共享下拉薄膜電晶體，可降低薄膜電晶體的數量。例如，藉由降低邊框的厚度讓使用者有一個更融入的視覺體驗，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。亦即，具有更薄邊框的顯示裝置提供更多的螢幕空間，以當使用者觀看電影或戲劇時，可融入螢幕上所顯示之內容。
此外，依據本發明的一範例實施例，藉由降低邊框厚度，面板的整體體積相對於螢幕尺寸可被降低。例如，藉由降低面板的整體體積降低多餘的空間，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。
此外，依據本發明的一範例實施例，藉由共享Qb節點，Qb節點的數量可被減少。例如，藉由將一Qb節點連接至另一Qb節點降低Qb節點的數量，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。藉由共享Qb節點，連接至Qb節點的反向器也可被共享，以 使邊框厚度降低。
此外，依據本發明的一範例實施例，掃描電晶體的開啟及關閉操作可被控制。例如，藉由控制上拉薄膜電晶體及下拉薄膜電晶體的開啟及關閉操作，以控制施加至閘極線的電壓信號，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。
此外，藉由控制掃描電晶體的開啟及關閉操作，有機發光二極體的開啟及關閉時序可被控制。例如，藉由以任意順序開啟或關閉有機發光二極體，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。
此外，依據本發明的一範例實施例，施加至主動區域的電壓信號之間的延遲可被降低。例如，當施加至主動區域的電壓信號為非均勻以使有機發光二極體的開啟及關閉的時序成為不穩定時，依據本發明一範例實施例的閘極驅動模組及閘極內嵌面板可被有效地使用。熟悉本領域的技術人員可在不脫離本發明的範圍及精神下，對上述的本發明做各樣的替換、改變及修飾。因此，本發明不限於上述的範例實施例及該等所附圖式。

Claims (14)

  1. 一種閘極驅動模組，包括：一第一上拉薄膜電晶體，其一端子連接至一閘極驅動信號產生器以及另一端子連接至一第一閘極線的一末端；一第一下拉薄膜電晶體，其一端子連接至該第一閘極線的該末端以及另一端子連接至一低位準電壓端；一第二上拉薄膜電晶體，其一端子連接至該閘極驅動信號產生器以及另一端子連接至相對於該第一閘極線之該末端之另一末端；一第三上拉薄膜電晶體，其一端子連接至該閘極驅動信號產生器以及另一端子連接至一第二閘極線的一末端；以及一Qb3節點，藉由一第三反向器連接至該第三上拉薄膜電晶體的一閘極端，其中，當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被開啟時，該第一下拉薄膜電晶體被關閉，以及當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被關閉時，該第一下拉薄膜電晶體被開啟，以及其中，該Qb3節點連接至一Qb2節點，該Qb2節點藉由一第二反向器連接至該第二上拉薄膜電晶體的一閘極端。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的閘極驅動模組，其中，當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被開啟且該第一下拉薄膜電晶體被關閉時，由該閘極驅動信號產生器所產生的一閘極驅動信號藉由該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被施加至該第一閘極線。
  3. 依據申請專利範圍第2項所述的閘極驅動模組，其中，該第一閘極線係連接至一像素結構，該像素結構包括一資料線、一掃描電晶體、一電容以及一驅動電晶體，其中，當該閘極驅動信號施加至該第一閘極線時，該掃描電晶體被開啟，以及一資料電壓藉由該掃描電晶體順序地被施加至該資料線以及該驅動電晶體的一閘極端，以開啟連接至該驅動電晶體的一有機發光二極體。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的閘極驅動模組，其中，當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被關閉且該第一下拉薄膜電晶體被開啟時，一低位準電壓信號藉由該第一下拉薄膜電晶體被施加至該第一閘極線。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的閘極驅動模組，進一步包括：一第一反向器，其一端子連接至該第一上拉薄膜電晶體的一閘極端以及另一端子連接至該第一下拉薄膜電晶體的一閘極端。
  6. 依據申請專利範圍第5項所述的閘極驅動模組，其中，該第一反向器將施加至該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體的信號反向，以及將該反向後的信號輸出至該第一下拉薄膜電晶體。
  7. 一種閘極內嵌面板，包括：一第一上拉薄膜電晶體，其一端子連接至一閘極驅動信號產生器以及另一端子連接至一第一閘極線的一末端；一第一下拉薄膜電晶體，其一端子連接至該第一閘極線的該末端以及另一端子連接至一低位準電壓端；一第二上拉薄膜電晶體，其一端子連接至該閘極驅動信號產生器以及另一端子連接至相對於該第一閘極線之該末端的另一末端；一主動區域，通過由該閘極驅動信號產生器所產生以及由該第一閘極線所施加的一閘極驅動信號，在該主動區域中實施一掃描操作；一第三上拉薄膜電晶體，其一端子連接至該閘極驅動信號產生器以及另一端子連接至一第二閘極線的一末端；以及一Qb3節點，藉由一第三反向器連接至該第三上拉薄膜電晶體的一閘極端，其中，當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被開啟時，該第一下拉薄膜電晶體被關閉，以及當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被關閉時，該第一下拉薄膜電晶體被開啟，以及其中，該Qb3節點連接至一Qb2節點，該Qb2節點藉由一第二反向器連接至該第二上拉薄膜電晶體的一閘極端。
  8. 依據申請專利範圍第7項所述的閘極內嵌面板，其中，當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被開啟且該第一下拉薄膜電晶體被關閉時，該閘極驅動信號藉由該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體施加至該第一閘極線。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述的閘極內嵌面板，其中，該第一閘極線係連接至一像素結構，該像素結構包括一資料線、一掃描電晶體、一電容以及一驅動電晶體，其中，當該閘極驅動信號施加至該第一閘極線時，該掃描電晶體被開啟，以及一資料電壓藉由該掃描電晶體順序地被施加至該資料線以及該驅動電晶體的一閘極端，以開啟連接至該驅動電晶體的一有機發光二極體。
  10. 依據申請專利範圍第7項所述的閘極內嵌面板，其中，當該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體被關閉且該第一下拉薄膜電晶體被開啟時，一低位準電壓信號藉由該第一下拉薄膜電晶體被施加至該第一閘極線。
  11. 依據申請專利範圍第7項所述的閘極內嵌面板，進一步包括：一第一反向器，其一端子連接至該第一上拉薄膜電晶體的一閘極端以及另一端子連接至該第一下拉薄膜電晶體的一閘極端。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述的閘極內嵌面板，其中，該第一反向器將施加至該第一上拉薄膜電晶體及該第二上拉薄膜電晶體的信號反向，以及將該反向後之信號輸出至該第一下拉薄膜電晶體。
  13. 一種有機發光裝置，包括依據申請專利範圍第1項所述的閘極驅動模組。
  14. 一種有機發光裝置，包括依據申請專利範圍第7項所述的閘極內嵌面板。
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