TWI621381B - Laminated body with metal foil with carrier - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 672
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 668
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 314
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 348
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 195
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 195
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 157
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 60
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 49
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 42
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 57
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 37
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 19
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 15
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 9
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 5
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MFAWEYJGIGIYFH-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trimethoxymethyl)dodecoxymethyl]oxirane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC MFAWEYJGIGIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017816 Cu—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017868 Cu—Ni—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N Ferrous sulfide Chemical compound [Fe]=S MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- 241000779819 Syncarpia glomulifera Species 0.000 description 1
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enenitrile Chemical compound C=CC=C.C=CC#N NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000012050 conventional carrier Substances 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 239000001739 pinus spp. Substances 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940081974 saccharin Drugs 0.000 description 1
- 235000019204 saccharin Nutrition 0.000 description 1
- 239000000901 saccharin and its Na,K and Ca salt Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229940036248 turpentine Drugs 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
本發明之目的在於提供一種實現良好之操作性，且容易應對配線電路之高密度化、多層化之積層體，該積層體係使用兩片使金屬箔以可剝離之方式接觸金屬載體之表面而成之附載體之金屬箔，將上述金屬載體彼此進行積層而獲得。
Description
本發明關於一種具有附載體之金屬箔的積層體。更詳細而言，關於一種用於印刷配線板所使用之單面或者2層以上之多層積層板或極薄之空心基板之製造之積層體。
一般而言，印刷配線板係以稱為「預浸體(Prepreg)」之介電材料作為基本構成材料，該預浸體係使合成樹脂板、玻璃板、玻璃不織布、紙等之基材中含浸合成樹脂而獲得。又，與預浸體相對之一側接合有具有導電性之銅或銅合金箔等之片體。如此組裝而成之積層物一般稱為CCL(Copper Clad Laminate，覆銅積層體)材料。對於銅箔之與預浸體接觸之面，為了提高接合強度，通常設為粗糙面。有時也使用鋁、鎳、鋅等之箔來代替銅或銅合金箔。該等之厚度為5~200μm左右。將該一般使用之CCL(Copper Clad Laminate，覆銅積層體)材料示於圖1。
專利文獻1中提出了如下附載體之金屬箔，其由合成樹脂製之板狀載體、及在該載體之至少一個面上以可機械剝離之方式密接之金屬箔構成，並且記載了該附載體之金屬箔可供於印刷配線板之組裝。而且，揭示了板狀載體與金屬箔之剝離強度較理想為1gf/cm~1kgf/cm。根據該附
載體之金屬箔，由於利用合成樹脂來支撐銅箔整個面，所以可防止在積層過程中在銅箔上產生皺褶。又，關於該附載體之金屬箔，由於金屬箔及合成樹脂係在沒有間隙之情況下密接，所以在對金屬箔表面進行鍍金或蝕刻時，變得可以將其投入到鍍金或蝕刻用之化學藥液中。並且，由於合成樹脂之線膨脹係數處於與基板之構成材料即銅箔及聚合後之預浸體同等之水準，所以不會導致電路錯位，因此具有不良品之產生減少，可提高良率之優異效果。
[專利文獻1]日本特開2009-272589號公報
專利文獻1中所記載之附載體之金屬箔係藉由簡化印刷配線板之製造步驟及提高良率而對製造成本削減作出較大貢獻之劃時代發明，但關於印刷配線板之製造，在其用途方面尚有研究餘地。此種附載體之金屬箔係將預浸體之類的厚度為200μm左右之樹脂基板設為芯而作為樹脂製之板狀載體。另一方面，隨著配線電路之高密度化、多層化，有增層之總數達到20層以上之情況，在該情況中，於芯為通常之預浸體之情況下，有增層基板整體之厚度超過2mm之情況，而有利用迄今之製造設備無法處理之情況，對於附載體之金屬箔，業界亦謀求更薄之芯、即載體。
又，就實用方面、例如強度觀點、或由凹痕、變形等所引起之品質降低等觀點而言，在單純地使載體變薄時，可能會在操作性方面存在問題。
本發明者等人針對實現如現有之附載體之金屬箔般之良好
操作性且容易應對配線電路之高密度化、多層化之積層體進行了努力研究，結果發現：藉由將載體設為金屬板或金屬箔，且將兩片附載體之金屬箔以規定之樣式進行積層，可解決該課題，從而完成本發明。
即，本發明涉及如下內容。
(1)一種積層體，其係使用兩片使金屬箔以可剝離之方式接觸金屬載體之表面而成之附載體之金屬箔，並將上述金屬載體彼此進行積層而獲得。
(2)如(1)之積層體，其係將上述金屬載體彼此根據需要經由接著劑直接進行積層而獲得。
(3)如(1)或(2)之積層體，其中，上述金屬載體彼此接合。
(4)如(1)之積層體，其係將上述金屬載體彼此介隔無機基板或金屬板進行積層而獲得。
(5)如(1)至(4)中任一項之積層體，其係使用脫模層將上述金屬載體與金屬箔進行貼合而成。
(6)如(5)之積層體，其中，上述金屬載體與金屬箔之間之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下。
(7)如(5)或(6)之積層體，其中，上述金屬載體之與金屬箔接觸側之表面之十點平均粗糙度(Rz jis)為3.5μm以下。
(8)如(5)至(7)中任一項之積層體，其中，經過在220℃加熱3小時、6小時或9小時之至少一種加熱後，金屬層與金屬板之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下。
(9)如(1)至(8)中任一項之積層體，其厚度為8~500μm。
(10)如(1)至(9)中任一項之積層體，其設置有孔。
(11)如(10)之積層體，其中，上述孔之直徑為0.01mm~10mm，且該孔設置有1~10處。
(12)如(1)至(11)中任一項之積層體，其中，至少一個金屬箔為銅箔或銅合金箔。
(13)如(1)至(12)中任一項之積層體，其係在俯視上述金屬箔之表面時上述金屬載體與上述金屬箔之積層部分之外周之至少一部分被樹脂覆蓋而成。
(14)如(13)之積層體，其係在俯視上述金屬箔之表面時上述金屬載體與上述金屬箔之積層部分之整個外周被樹脂覆蓋而成。
(15)如(13)或(14)之積層體，其中，上述樹脂含有熱硬化性樹脂。
(16)如(13)至(15)中任一項之積層體，其中，上述樹脂含有熱塑性樹脂。
(17)如(13)至(16)中任一項之積層體，其中，在上述樹脂之上述金屬層之外側設置有孔。
(18)如(17)之積層體，其中，上述孔之直徑為0.01mm~10mm，且該孔設置有1~10處。
(19)一種積層體，其係將(1)至(18)中任一項之積層體沿著在俯視上述金屬箔之表面時上述金屬載體與上述金屬箔之積層面進行切斷而獲得。
(20)一種覆多層金屬積層板之製造方法，其包含：對(1)至(19)中任一項之積層體之至少一個金屬箔之表面方向積層樹脂或金屬層1次以上。
(21)一種覆多層金屬積層板之製造方法，其包含：對(1)至(19)中
任一項之積層體之至少一個金屬箔之面方向積層樹脂、單面或者兩面覆金屬積層板、(1)至(19)中任一項之積層體、附樹脂基板之金屬層或金屬層1次以上。
(22)如(20)或(21)之覆多層金屬積層板之製造方法，其包含：將上述積層體沿著在俯視金屬層之表面時金屬載體與金屬箔之積層面之至少一個面進行切斷之步驟。
(23)如(20)至(22)中任一項之覆多層金屬積層板之製造方法，其進一步包含：將上述積層體之金屬箔從金屬載體剝離而進行分離之步驟。
(24)如(22)或(23)之覆多層金屬積層板之製造方法，其進一步包含：將上述切斷之部分之積層體之金屬箔從金屬載體剝離而進行分離之步驟。
(25)如(23)或(24)之製造方法，其包含：將經過剝離而分離之金屬箔之一部分或全部藉由蝕刻加以去除之步驟。
(26)一種覆多層金屬積層板，其係藉由(20)至(25)中任一項之製造方法而獲得。
(27)一種增層基板之製造方法，其包含：在(1)至(19)中任一項之積層體之至少一個金屬箔之面方向上，形成一層以上之增層配線層之步驟。
(28)如(27)之增層基板之製造方法，其中，上述增層配線層係使用減成法或全加成法或半加成法之至少一種方法而形成。
(29)一種增層基板之製造方法，其包含：對(1)至(19)中任一項之積層體之至少一個金屬箔之面方向積層樹脂、單面或者兩面配線基板、單面或者兩面覆金屬積層板、(1)至(19)中任一項之積層體、附樹脂基板
之金屬層、配線、電路或金屬層1次以上。
(30)如(29)之增層基板之製造方法，其進一步包含：在單面或者兩面配線基板、單面或者兩面覆金屬積層板、金屬層、積層體之金屬箔、積層體之金屬載體、附樹脂基板之金屬層之樹脂、附樹脂基板之金屬層之金屬層或樹脂上開孔，並對該孔之側面及底面進行導通鍍敷之步驟。
(31)如(29)或(30)之增層基板之製造方法，其進一步包含進行1次以上如下步驟：在構成上述單面或者兩面配線基板之金屬層、構成單面或者兩面覆金屬積層板之金屬層、以及構成積層體之金屬箔、附樹脂基板之金屬層之金屬層及金屬層之至少一層上形成配線之步驟。
(32)如(29)至(31)中任一項之增層基板之製造方法，其進一步包含：在形成有配線之表面上積層(1)至(19)中任一項之積層體。
(33)如(27)至(32)中任一項之增層基板之製造方法，其包含：將上述積層體沿著在俯視金屬箔之表面時金屬載體與金屬箔之積層面之至少一個面進行切斷之步驟。
(34)一種增層配線板之製造方法，其進一步包含：在(27)至(33)中任一項之增層基板之製造方法中，將上述積層體之金屬箔從金屬載體剝離而進行分離之步驟。
(35)一種增層配線板之製造方法，其進一步包含：在如(33)上述之增層基板之製造方法中，將上述切斷之部分之積層體之金屬箔從金屬載體剝離而進行分離之步驟。
(36)如(34)或(35)之增層配線板之製造方法，其進一步包含：將經過剝離而分離之金屬箔之一部分或全部藉由蝕刻加以去除之步驟。
(37)一種增層配線板，其係藉由(34)至(36)中任一項之製造方法而獲得。
(38)一種印刷電路板之製造方法，其包含：藉由(34)至(36)中任一項之製造方法而製造增層配線板之步驟。
(39)一種印刷電路板之製造方法，其包含：藉由(26)至(33)中任一項之製造方法而製造增層基板之步驟。
(40)一種增層基板，其藉由(26)至(33)中任一項之製造方法而獲得。
根據本發明，可提供實現良好操作性且容易應對配線電路之高密度化、多層化之積層體。
10‧‧‧積層模具
11‧‧‧積層體
11a‧‧‧金屬箔
11b‧‧‧脫模層
11c‧‧‧金屬載體
11d‧‧‧無機基板及/或金屬板
12‧‧‧預浸體
13‧‧‧內層芯
14‧‧‧頁
15‧‧‧冊
16‧‧‧增層層
20‧‧‧積層體
21‧‧‧樹脂
22‧‧‧金屬載體
23‧‧‧金屬箔
24‧‧‧脫模層
30‧‧‧積層體
31‧‧‧樹脂
32‧‧‧金屬箔
40‧‧‧積層體
41‧‧‧樹脂
42‧‧‧開口部
50‧‧‧積層體
51‧‧‧樹脂
52‧‧‧開口部
60‧‧‧積層體
61‧‧‧無機基板及/或金屬板
圖1表示CCL之一個構成例。
圖2表示本發明之積層體之典型構成例。
圖3表示本發明之積層體之另一典型構成例。
圖4係圖3之構成例之A-A'剖視圖。
圖5表示本發明之積層體之另一典型構成例。
圖6表示本發明之積層體之另一典型構成例。
圖7表示本發明之積層體之另一典型構成例。
圖8表示利用了本發明之積層體之多層CCL之組裝例。
圖9表示利用了本發明之積層體之多層CCL之組裝例。
圖10表示本發明之積層體之另一典型構成例。
圖11表示本發明之積層體之另一典型構成例。
圖12表示本發明之積層體之另一典型構成例。
圖13係對利用了本發明之積層體之多層CCL之組裝例加以說明之示意圖。
圖14係對利用了本發明之積層體之多層CCL之組裝例加以說明之示意圖。
圖15係對利用了本發明之積層體之多層CCL之組裝例加以說明之示意圖。
圖16係對利用了本發明之積層體之多層CCL之組裝例加以說明之示意圖。
圖17係對利用了本發明之積層體之多層CCL之組裝例加以說明之示意圖。
本發明之一個實施形態之積層體係使用兩片使金屬箔以可剝離之方式接觸金屬載體之表面而成之附載體之金屬箔，視需要介隔無機基板及/或金屬板將上述金屬載體彼此進行積層而獲得。
將本發明中適合使用之附載體之金屬箔之一個構成例示於圖2。圖2中揭示了使用兩片使金屬箔11a以可剝離之方式密接金屬載體11c之兩面而成之附載體之金屬箔，將金屬載體彼此進行積層而獲得之積層體。再者，金屬載體11c與金屬箔11a係隔著下述脫模層11b而貼合。
構成積層體之附載體之金屬箔在構造上與圖1所示之CCL類似，但在該附載體之金屬箔中，金屬載體與金屬箔最終會分離，因此具有可容易地徒手剝離之構造。就該方面而言，CCL並不剝離，因此構造及功能完全不同。
又，將本發明中適合使用之附載體之金屬箔之另一構成例示於圖10。圖10中揭示了將包含與圖2同樣地使金屬箔11a以可剝離之方式密接而成之金屬載體11c之兩片附載體之金屬箔隔著如下所述之無機基板及/或金屬板11d進行積層而獲得之積層體。
本發明中所使用之積層體之實施形態之金屬載體與金屬箔由於終究會分離、即剝去，所以密接性不宜過高，但較佳為具備在製作印刷電路板之過程中所進行之鍍敷等化學藥液處理步驟中不會剝離之程度之密接性。就此種觀點而言，金屬層間之剝離強度較佳為0.5gf/cm以上，較佳為1gf/cm以上，較佳為2gf/cm以上，較佳為3gf/cm以上，較佳為5gf/cm以上，較佳為10gf/cm以上，更佳為30gf/cm以上，進而較佳為50gf/cm以上，另一方面，較佳為200gf/cm以下，更佳為150gf/cm以下，進而較佳為80gf/cm以下。在金屬層彼此具備密接性之情況下，藉由將該金屬層間之剝離強度設為此種範圍，在搬送時或加工時不會發生剝離，另一方面，可容易地徒手剝離。
用以實現此種密接性之剝離強度之調節如下所述可對金屬載體之表面實施特定之表面處理而容易地實現。
又，本發明之積層體也可以包含如下所述之樹脂：在俯視金屬箔之表面時覆蓋金屬載體與金屬箔之積層部分之外周之至少一部分，較
佳全部。
即，作為較佳態樣，可考慮：在俯視金屬箔之表面時樹脂覆蓋金屬箔整體並且覆蓋金屬箔與金屬載體之積層部分之全周之態樣1(圖3)；樹脂覆蓋金屬箔之整個表面並且覆蓋金屬箔與金屬載體之積層部分之外周之一部分之態樣2(例如圖4)；樹脂以在俯視金屬箔之表面時具有開口部之方式覆蓋金屬箔與金屬載體之積層部分之外周，金屬箔在該開口部露出之態樣3(例如圖5、圖6)等。
圖3、圖4展示積層體之典型構成例。圖3係俯視該構成例時之圖，圖4係該構成例之A-A'剖視圖。
在圖3、4中，兩片使金屬載體22隔著脫模層24而與金屬箔23接觸之構成之附載體之金屬箔成為將金屬載體22彼此積層而獲得之構造，而且樹脂31覆蓋兩片金屬箔23之整體，並且覆蓋金屬載體22與金屬箔23之積層面之全周。
藉由設為此種構成，在俯視金屬箔之表面時金屬載體與金屬箔之積層部分被樹脂覆蓋，而可以防止其他構件在該部分之側方向、即相對於積層方向之橫向方向上觸碰，結果可減少操作過程中金屬箔之剝落。又，藉由以不使該積層部分之外周露出之方式進行覆蓋，可以防止在增層步驟等化學藥液處理步驟中化學藥液向該界面之滲入，可以防止金屬層之腐蝕或侵蝕。
又，作為本發明之另一典型構成例，如圖5所示，在俯視時金屬載體與金屬箔之積層部分之一部分也可以露出。即，在圖5中，在金屬箔32之側方向上沒有被樹脂31覆蓋，但就金屬箔不會從金屬載體分離之
觀點而言，在該態樣中亦可以獲得同樣之效果。在沒有被該樹脂31覆蓋之側面，成為該積層部分露出之狀態，因此難以防止化學藥液從該方向滲入。因此，在金屬箔之腐蝕或侵蝕成為嚴重問題之情況下，需要從四個方向防止化學藥液之滲入，在該情況下較佳為圖3之態樣。
再者，在圖3~5之積層體中，例如利用兩片板狀樹脂夾住將本發明之附載體之金屬箔彼此進行積層而獲得之積層體，並為了維持該構造而對板狀樹脂彼此進行加熱接著。該加熱接著係在成為樹脂流動之狀態之溫度下藉由熱壓而進行。或者，即使不進行加熱接著，只要有某程度之密接性便可。因此，在藉由接著使樹脂彼此密接之情況下，可適宜地使用環氧樹脂系接著劑等接著劑。而且，該密接性可在將板狀樹脂接著或加熱接著之區域為一定範圍時有效地發揮。就該觀點而言，藉由將俯視時之金屬箔之面積(Sa)及板狀樹脂之面積(Sb)之比(Sa/Sb)設為0.6以上且小於1.0，較佳0.80以上且0.95以下，可確保將板狀樹脂彼此接著或加熱接著之必要充分之面積，因此較佳。又，就另一觀點而言，藉由將接著或加熱接著有上述兩片板狀樹脂之面積(Sp)及包括上述接著或加熱接著之面在內之板狀樹脂之面積(Sq)之比(Sp/Sq)設為0.001以上且0.2以下，較佳為0.01以上且0.20以下，亦可以確保將板狀樹脂彼此接著或加熱接著之必要充分之面積，因此較佳。各金屬箔上所積層之兩片板狀樹脂之面積及形狀較佳為相同，亦可不同。在上述兩片板狀樹脂之面積及形狀不同之情況下，Sa及Sq之值係採用面積較大之板狀樹脂之值。
再者，樹脂之形狀只要可以覆蓋金屬箔與金屬載體之積層部分，則在形狀方面沒有限制。即，在圖3~5中揭示了樹脂在俯視時之形狀
為四方形之情況，但亦可設為其以外之形狀。另一方面，關於金屬層，亦可設為四方形以外之形狀。
此處，附載體之金屬層係將例如圖3、圖4(或圖5)所示之積層體20(或積層體30)沿著含有樹脂21-金屬箔23-脫模層24-金屬載體22-脫模層24-金屬箔23-樹脂21之積層構造之面即切割線B進行切割而獲得。或者，如下所述，亦可沿著俯視金屬箔之表面時金屬箔與金屬載體之積層面進行切割。亦可在積層體上，如下所述地積層配線層、樹脂、增層層等後，在上述之規定位置進行切割而將金屬層彼此分離，藉此形成覆多層金屬積層板或增層基板之最表面露出金屬層的狀態。
藉由將如此而露出之金屬層供於電路形成，可如先前般藉由簡化印刷電路板之製造步驟及提高良率而維持製造成本削減之效果，並且實現生產性之提高。
在俯視積層體之金屬箔之表面時，在積層體所佔據之區域中，於積層體之使用區域(例如最終形成之電路)之外側具有充分之空間之態樣中，在該積層體之金屬層內之使用區域之外側之空間、或如下所述在積層面利用樹脂覆蓋積層體之情況下的該樹脂上，使用鑽孔器等而設置直徑為0.01mm~10mm左右之孔1~10處左右。此處，所謂直徑係指包圍孔之圓之最小直徑。如此而設置之孔在製造下述覆多層金屬積層板、或製造增層基板時，可用作用以固定定位銷等之機構。將經過開孔之積層體之剖面之一例示於圖12。在圖12中揭示如下例：對於將分別具有金屬載體22及以可剝離之方式接觸該金屬載體之表面之金屬箔23之兩片附載體之金屬箔之金屬載體彼此在端部使用接著劑112進行接合而獲得之積層體，在俯
視該積層體時，在接著劑112之內側開有孔114。再者，在該開孔之前，將金屬箔與金屬載體設為相同形狀，對準各端部，即，在為矩形之情況下以俯視時四角之位置不會錯位之方式進行重疊，這樣會使開孔時之位置對準變得容易，因此較佳。
又，本發明係將金屬載體與金屬箔介隔脫模層進行密接。作為適宜之脫模層，例如可使用對於附載體之銅箔(附載體之極薄銅箔)而言從業者已知之任意之剝離層或中間層。例如，較佳為剝離層係由含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、或該等之合金、或該等之水合物、或該等之氧化物、或者有機物之任一種以上之層所形成。剝離層亦可由多層所構成。再者，剝離層可具有防止擴散功能。此處所謂防止擴散功能係指具有防止來自母材之元素擴散到極薄銅層側之作用。
在本發明之一個實施形態中，圖4之脫模層24係從金屬載體22側起由含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al之元素族群中之任一種元素之單一金屬層或含有選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al之元素族群中之一種以上元素之合金層(該等具有防止擴散功能)、與積層在其上之含有選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al之元素族群中之一種以上元素之水合物或者氧化物或有機物之層所構成。
又，例如脫模層24可從金屬載體22側起由含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素族群中之任一種元素之單一金屬層或者含有選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素族群中之一種以上元素之合金層、繼而與含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素族群中之任一種元素之單一金屬層或者含有選自Cr、Ni、Co、
Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素族群中之一種以上元素之合金層所構成。再者，各元素之合計附著量可以設為例如1~50000μg/dm2，又，例如附著量可以設為1~6000μg/dm2。
較佳為脫模層24係由含Ni層及含Cr層之2層所構成。在該情況下，以含Ni層位於與金屬載體22之界面且含Cr層位於與金屬箔23(例如銅箔或極薄銅層)之界面之方式進行積層。
脫模層24可以藉由例如電鍍、無電鍍及浸鍍之類之濕式鍍敷，或者濺鍍、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)及PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積)之類的乾式鍍敷而獲得。就成本之觀點而言，較佳為電鍍。
又，例如，脫模層24可於載體上依序積層鎳層、鎳-磷合金層或鎳-鈷合金層、及鉻層或含鉻層而構成。由於鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，所以在金屬箔23為附載體之銅箔之極薄銅層之情況下，在剝離極薄銅層時變得會在極薄銅層與鉻層或含鉻層之界面發生剝離。又，對於脫模層24之鎳，可期待如下效果：防止作為載體構成元素之成分從載體擴散到金屬箔23(例如銅箔或極薄銅層)之阻隔效果。脫模層24中之鎳之附著量較佳為100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且小於1000μg/dm2，脫模層24中之鉻之附著量較佳為5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。於僅在金屬載體22之單面設置脫模層24之情況，較佳為於金屬載體22之相反面設置鍍Ni層等防銹層。再者，含鉻層可為鉻酸鹽處理層，亦可為鉻合金鍍層。鉻層亦可為鍍鉻層。
再者，脫模層亦可由接著劑形成。
又，關於以可剝離之方式使金屬箔與載體接觸，包括使用超音波焊接等下述接合方法將金屬箔與載體進行接合。
並且，亦可如圖6所示採用如下構造，即，積層體40在俯視其至少一個面時具有開口部42，並在該開口部露出金屬箔23之構造。在圖6中揭示在積層體之兩面設置有開口部之情況。
該開口部可藉由通常之光微影技術、或在積層遮蔽膠帶或遮蔽片等之後僅蝕刻去除開口部之技術、或對藉由加壓使兩片金屬層與樹脂接觸而獲得之積層物進行壓接或熱壓接等方式而形成。該開口部可形成在俯視時金屬層之端部(外周)之內側，亦可到達金屬層之端部或兩片金屬層之積層部分之外周之至少一部分。
又，亦可如圖7所示，在露出金屬箔23之情況下，利用樹脂51僅覆蓋金屬載體22與金屬箔23之積層面、即脫模層24之金屬箔23之外周之端部。即便為此種積層體50，亦可於如下所述之積層體之用途即積層過程中，設法不使化學藥液進入到脫模層24。
本發明之製造方法如上所說明，但在實施本發明時，亦可於不對上述各步驟產生不良影響之範圍內，在上述各步驟間或者前後包含其他步驟。例如，亦可在形成脫模層之前進行清洗金屬載體之表面之清洗步驟。
又，在多層印刷配線板之製造過程中，多在積層加壓步驟或除膠渣步驟中進行加熱處理。因此，積層數越多，積層體所承受之熱歷程越嚴酷。因此，在考慮到應用於尤其是多層印刷配線板之基礎上，在經過
所需之熱歷程之後，較理想為金屬載體與金屬箔之間之剝離強度亦為上文所述之範圍內。
因此，在本發明之一進而較佳之實施形態中，在假設多層印刷配線板之製造過程中之加熱條件，例如在220℃加熱3小時、6小時或9小時中之至少一種加熱後，金屬載體與金屬箔之間之剝離強度較佳為0.5gf/cm以上，較佳為1gf/cm以上，較佳為2gf/cm以上，較佳為3gf/cm以上，較佳為5gf/cm以上，較佳為10gf/cm以上，較佳為30gf/cm以上，更佳為50gf/cm以上。又，該剝離強度較佳為200gf/cm以下，較佳為150gf/cm以下，進而較佳為80gf/cm以下。
關於在220℃加熱後之剝離強度，就可應對多種積層數之觀點而言，較佳為在3小時後及6小時後兩者、或6小時及9小時後兩者之剝離強度滿足上述範圍，進而較佳為3小時、6小時及9小時後全部之剝離強度都滿足上述範圍。
在本發明中，剝離強度係依據JIS C6481所規定之90度剝離強度測定方法而測定。
以下，對用以實現此種剝離強度之各材料之具體構成要件進行說明。
作為金屬載體或金屬箔，銅或銅合金板或箔為具代表性者，亦可使用鋁、鎳、鋅等之板或箔。尤其是採用銅或銅合金箔之情況下，可使用電解箔或壓延箔。金屬箔並無限定，然若考慮到用作印刷電路基板之配線，則其厚度一般為0.1μm以上，較佳為0.3μm以上，較佳為0.5μm以上，較佳為1μm以上，較佳為1.5μm以上，較佳為2μm以上，及400
μm以下，較佳為120μm以下，較佳為50μm以下，較佳為35μm以下，較佳為25μm以下，較佳為15μm以下，較佳為10μm以下，較佳為7μm以下，較佳為5μm以下，較佳為4μm以下。作為附載體之金屬箔所使用之金屬箔，可使用相同厚度之金屬箔，亦可使用不同厚度之金屬箔。
此處，作為金屬載體之厚度，若考慮到用作用以製造印刷電路板之配線或印刷電路基板之芯材料，典型而言為3~900μm左右、或者3~500μm左右、或者3~300μm左右、或者3~125μm左右，較佳為特徵是薄於現有之預浸體等樹脂基板。又，關於本發明之積層體，係使用兩片此種附載體之金屬箔，使金屬載體彼此接觸並積層。由此，可薄於使用現有之附載體之金屬箔之積層體，另一方面，基於該積層體之強度、或降低由凹痕、變形等所引起之品質不良之發生等觀點之操作性可得到維持。並且，由於可製成較薄之積層體，故可供於現有之製造設備，且可應對配線電路之高密度化、多層化。
就此種觀點而言，圖2所示之本發明之積層體之厚度典型而言為6~1800μm，較佳為6~1500μm，較佳為6~1000μm，較佳為6~800μm，較佳為8~500μm，較佳為8~250μm，較佳為10~200μm，較佳為10~180μm，較佳為10~160μm，較佳為10~150μm，較佳為10~120μm，較佳為10~100μm，較佳為10~80μm。
對於所使用之金屬載體或金屬箔，亦可實施各種表面處理。例如可列舉：以賦予耐熱性為目的之金屬鍍敷(鍍Ni、Ni-Zn合金鍍敷、Cu-Ni合金鍍敷、Cu-Zn合金鍍敷、鍍Zn、Cu-Ni-Zn合金鍍敷、Co-Ni合金鍍敷等)、用以賦予防銹性或耐變色性之鉻酸鹽處理(包括使鉻酸鹽處理液中含有1
種以上之Zn、P、Ni、Mo、Zr、Ti等合金元素之情況)、用以調整表面粗糙度之粗化處理(例如，藉由電鍍銅粒或Cu-Ni-Co合金鍍敷、Cu-Ni-P合金鍍敷、Cu-Co合金鍍敷、Cu-Ni合金鍍敷、Cu-W合金鍍敷、Cu-As合金鍍敷、Cu-As-W合金鍍敷等銅合金鍍敷所進行之處理)。粗化處理當然會對金屬箔與金屬載體之剝離強度產生影響，鉻酸鹽處理亦會產生較大之影響。鉻酸鹽處理就防銹性或耐變色性之觀點而言較為重要，但由於可見顯著提高剝離強度之傾向，所以作為剝離強度之調整手段亦有意義。
又，金屬載體彼此之積層除了單純地使其重疊以外，亦可藉由例如以下方法進行。再者，該金屬載體彼此之接合可以在使金屬箔接觸金屬載體之前進行，亦可於將附載體之金屬箔彼此重疊之後進行，尤其於藉由在載體層之表面產生凹凸之方法而進行接合之情況下，亦可先將金屬載體彼此接合，再以金屬箔不接觸該接合部分之方式進行積層。
(a)冶金接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(Tungsten Inert Gas，鎢極惰性氣體)焊接、MIG(Metal Inert Gas，金屬極惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、釺焊；(b)機械接合方法：斂縫、利用鉚釘所進行之接合(利用自沖鉚釘所進行之接合、利用鉚釘所進行之接合)、縫合；(c)物理接合方法：接著劑、(雙面)膠帶
可藉由將一個金屬層之一部分或全部與另一金屬層之一部分或全部使用上述接合方法加以接合，將一個金屬層與另一金屬層進行積層，而製造使金屬層彼此以可分離之方式接觸而構成之積層物。於一個金屬層與另一金屬層較弱地接合並將一個金屬層與另一金屬層進行積層之情況，即使不
去除一個金屬層與另一金屬層之接合部，一個金屬層與另一金屬層亦可分離。又，於一個金屬層與另一金屬層較強地接合之情況下，可藉由切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等將一個金屬層與另一金屬層之接合處去除，藉此將一個金屬層與另一金屬層進行分離。
在本發明中，在將樹脂貼合於金屬箔之面之情況下，有時較理想為剝離強度較高。在該情況下，例如較佳為藉由將金屬層(例如電解銅箔)之粗糙面(M面)設為與樹脂之接著面，實施粗化處理等表面處理，而謀求由化學及物理之定錨效果所引起之接著力提高。
在利用樹脂來覆蓋積層體之情況下，作為適宜之樹脂沒有特別限制，可以使用：熱硬化性樹脂，例如酚系樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚胺酯(poly urethane)、苯乙烯丁二烯樹脂乳液、丙烯腈丁二烯樹脂乳液、羧基改質苯乙烯丁二烯共聚合樹脂乳液、丙烯酸樹脂乳液、天然橡膠、松脂、氟樹脂(聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯等)、矽樹脂、矽酮；或者熱塑性樹脂，例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、丙烯酸樹脂、熱塑性聚胺酯、或者熱塑性天然橡膠等。更典型而言，可使用即使在250℃也不會熔融及/或玻璃化溫度為200℃以上之耐熱性樹脂，例如氟樹脂(聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯等)，較佳為即使在250℃也不會熔融且玻璃化溫度為200℃以上之耐熱性樹脂，例如聚醯亞胺樹脂或液晶聚合物樹脂(LCP樹脂)等。又，樹脂較佳具有耐化學藥液性、尤其是耐酸性、耐除膠渣液性之樹脂。再者，此處所謂「除膠渣處理」係指在樹脂上利用雷射及/或鑽孔器開孔後，或在樹脂表面貼合金屬箔後，藉由蝕刻等而去除金屬箔後，利用處理液而去除樹脂或金屬箔例如銅箔之殘渣等，
所謂「除膠渣液」係指此時所使用之處理液。並且，該樹脂之黏度只要為0.5Pa‧s以上、1Pa‧s以上、5Pa‧s以上、10Pa‧s以上，且10000Pa‧s以下、5000Pa‧s以下、3000Pa‧s以下即可，關於100Pa‧s以下之範圍，係依據JIS Z 8803(2011)並使用JIS Z 8803(2011)之「6利用細管黏度計所進行之黏度測定方法6.2.3烏氏黏度計」進行測定，關於高於100Pa‧s之範圍，係使用JIS Z 8803(2011)之「7利用落球黏度計所進行之黏度測定方法」進行測定。
又，亦可使用預浸體。貼合於金屬箔前之預浸體宜為處於B階狀態。由於預浸體(C階)之線膨脹係數為12~18(×10-6/℃)，與作為基板之構成材料之銅箔之16.5(×10-6/℃)、或SUS加壓板之17.3(×10-6/℃)大致相等，所以不易發生由加壓前後之基板尺寸與設計時之尺寸不同之現象(縮放變化)所引起之電路錯位，而在該方面有利。並且，作為該等優點之協同效果，有可生產多層之極薄空心基板。此處所使用之預浸體可與構成電路基板之預浸體相同亦可不同。
在使用預浸體之情況下，在從金屬箔側俯視附載體之金屬箔時，就有效地抑制化學藥液向積層體側面之滲入之觀點而言，較佳為使用尺寸大一圈者。就可防止加壓時預浸體擴張並滲出，而有效地防止污染其他層之觀點而言，較佳為於該B階之預浸體上積層尺寸再大一圈之金屬箔或金屬載體。
又，較理想為樹脂之熱膨脹率為金屬箔及金屬載體之熱膨脹率之+10%、-30%以內。由此，可有效地防止由金屬箔及金屬載體與樹脂之熱膨脹差所引起之電路錯位，減少產生不良品，而提高良率。
樹脂之厚度並無特別限制，可為剛性亦可為撓性，若過厚，則會對熱壓製中之熱分佈產生不良影響，另一方面，若過薄，則會彎曲，導致印刷配線板之製造步驟不再進行，因此通常為5μm以上且1000μm以下，較佳為50μm以上且900μm以下，更佳為100μm以上且400μm以下。
又，於俯視時，利用樹脂覆蓋金屬箔之表面之至少一部分之態樣中，樹脂層之厚度越小越好，典型而言為50μm以下，較佳為40μm以下，進而較佳為30μm以下，及典型而言為1μm以上，較佳為2μm以上，進而較佳為5μm以上。再者，此處所謂樹脂層之厚度係指如例如圖6所示，俯視積層體40時樹脂41之覆蓋金屬箔23之部分之厚度t。
又，就良率之觀點而言，較佳為在俯視積層體時設置開口部，在金屬箔23之端部連接接線，與該接線垂直之方向且與俯視時之金屬層端部之接線垂直之方向上之樹脂之寬度、例如圖6所示之態樣中從樹脂41之開口部42之端部到金屬箔23之端部為止之樹脂41之寬度w典型而言為10mm以下，較佳為5mm以下，進而較佳為3mm以下，且典型而言為0.1mm以上，較佳為0.2mm以上，進而較佳為0.5mm以上。若該樹脂層之寬度過大，則就良率之觀點而言欠佳，反之若過小，則有效地抑制從開口部端部滲入化學藥液之效果減小。
因此，在利用樹脂來覆蓋本發明之積層體之金屬箔之面之情況下，在一較佳實施形態中，為了將樹脂與金屬箔之面之剝離強度調節到較佳範圍(例如800gf/cm以上)，而以依據JIS B 0601：2001所測得之金屬箔表面之十點平均粗糙度(Rz jis)表示，將貼合面之表面粗糙度設為0.4μm
以上較佳，0.5μm以上較佳，0.8μm以上較佳，1.0μm以上較佳，1.2μm以上較佳，1.5μm以上較佳，2.0μm以上較佳。又，無需特別設定上限，例如設為10.0μm以下較佳，8.0μm以下較佳，7.0μm以下較佳，6.0μm以下較佳，5.0μm以下較佳。
又，在本發明之積層體之一較佳實施形態中，為了藉由嵌入法(Embedding Method)來形成電路，而在金屬箔上設置電路或配線之情況下，為了將金屬箔與該電路或配線、或嵌入該電路或配線之樹脂之間之剝離強度調節到上述較佳範圍，而將金屬箔之金屬載體所存在之側之面之相反側之面之表面粗糙度以依據JIS B 0601：2001所測得之十點平均粗糙度(Rz jis)表示而設為3.5μm以下較佳，進而較佳為3.0μm以下。其中，無限制地減小表面粗糙度耗時耗力而會導致成本上升，因此較佳設為0.1μm以上，更佳0.3μm以上。
關於藉由將使金屬箔以可從金屬載體分離之方式與之接觸而構成之附載體的金屬箔嵌入樹脂中，而在俯視上述金屬箔時積層部分之外周之至少一部分被樹脂覆蓋之積層體，作為用以製造其之熱壓之條件，在使用預浸體(例如板狀預浸體)作為樹脂之情況下，較佳為在壓力30~40kg/cm2、高於預浸體之玻璃化溫度之溫度下進行熱壓。
又，亦可在圖2~圖7所示之積層體之金屬載體之間介隔無機基板及/或金屬板。對於圖6所示之積層體，使用無機基板或金屬板之例示於圖11。
在圖11中，積層體60係使用兩片使金屬箔23以可剝離之方式接觸金屬載體22之表面而成之附載體之金屬箔，在上述金屬載體22之間介隔無機
基板及/或金屬板61進行積層而獲得。該無機基板或金屬板61係作為下述芯材料而發揮作用。
作為此種無機基板，例如可列舉：陶瓷、氮化鋁、氧化鋁等。又，作為金屬板，可列舉：鋁板、鋁合金板、鎳板、鎳合金板、不銹鋼板、銅合金板、銅板、鐵板、鐵合金板、鋅板、鋅合金板等。無機基板及/或金屬板之厚度無須特別限定，例如為1μm以上，較佳為2μm以上，更佳為5μm以上，進而較佳為10μm以上，尤佳為15μm以上，且為10000μm以下，較佳為5000μm以下，更佳為1000μm以下，進而較佳為300μm以下，尤佳為200μm以下。
又，該無機基板或金屬板與金屬載體可使用接著劑、焊接、上述之各種接合方法等而進行積層，亦能以可剝離之方式密接。
又，藉由將該圖11所示之積層體60沿著線B(或線C)進行切割，可獲得例如圖10所示之積層體。
並且，就其他觀點而言，本發明提供上述之積層體之用途。第一，提供一種覆多層金屬積層板之製造方法，其包含：對上述積層體之至少一個金屬箔之面方向、即相對於金屬箔之表面大致垂直之方向積層樹脂或金屬層1次以上、例如1~10次。此處，所謂金屬層，可列舉上述之作為金屬箔及金屬載體而列舉之包含金屬之層，典型而言為箔或板等形態。
第二，可列舉一種覆多層金屬積層板之製造方法，其包含：對上述積層體之至少一個金屬箔之面方向，積層樹脂、單面或者兩面覆金屬積層板、或本發明之積層體、即將圖2或圖10所示之積層體或圖3~圖7
所示之被樹脂覆蓋之積層體切斷而獲得之積層體或者圖11所示之在金屬載體間介隔有無機基板及/或金屬板之積層體、附樹脂基板之金屬層、或金屬層1次以上。再者，該積層係僅進行所需次數，各次積層時都可從由樹脂、單面或者兩面覆金屬積層板、本發明之積層體、及金屬層所組成之族群中任意地選擇。又，作為附樹脂基板之金屬層，可適宜地使用具有現有之樹脂載體或金屬載體之附載體之金屬箔等。
在上述之覆多層金屬積層板之製造方法中，可包含：在處於可剝離狀態之金屬箔之部分，將該金屬箔從金屬載體剝離而分離之步驟。此處，關於處於可剝離狀態之金屬箔之部分，設想為圖2所示之積層體之金屬箔，而非圖3~圖7所示之被樹脂覆蓋之積層體，但即便為圖2所示之積層體，在例如冶金接合方法或機械接合方法等從金屬箔上進行接合之方法中，藉由如下所述之切斷步驟，亦可將金屬箔從金屬載體剝離。
又，可包含：在俯視金屬層之表面時，在金屬箔與金屬載體之積層面之至少一個面上、例如上述積層體之金屬箔上將上述積層體切斷的步驟。在該情況下，亦可進一步包含：將切斷後之積層體之金屬箔從金屬載體剝離而分離之步驟。在上述之覆多層金屬積層板之製造方法中，可進一步包含：在俯視金屬箔之表面時，在金屬箔與金屬載體之積層面之至少一個面上將上述積層體切斷的步驟。
並且，可進一步包含：在將金屬箔從金屬載體剝離而分離後，藉由蝕刻而去除金屬箔之一部分或全部的步驟。
第三，提供一種增層基板之製造方法，其包含：對上述積層體之至少一個金屬箔之面方向，積層樹脂、單面或者兩面配線基板、單面
或者兩面覆金屬積層板、本發明之積層體、即將圖2或圖10所示之積層體或圖3~圖7所示之被樹脂覆蓋之積層體切斷而獲得之積層體或者圖11所示之在金屬載體間介隔有無機基板及/或金屬板之積層體、附樹脂基板之金屬層、配線、電路或金屬層1次以上、例如1~10次。再者，該積層係僅進行所需次數，各次積層都可以從由樹脂、單面或者兩面配線基板、單面或者兩面覆金屬積層板、本發明之積層體、及金屬層所組成之族群中任意地選擇。又，與上述同樣地，作為附樹脂基板之金屬層，可適宜地使用現有之附載體之金屬箔等。
第四，提供一種增層基板之製造方法，其包含：對上述積層體之至少一個金屬箔之面方向積層一層以上之增層配線層的步驟。此時，增層配線層可以使用減成法或全加成法或半加成法之至少一種方法而形成。
此處，積層體之第四用途、即增層基板之製造方法中之所謂減成法，係指藉由蝕刻等而選擇性地去除覆金屬積層板或配線基板(包括印刷配線板、印刷電路板)上之金屬層之不需要部分，而形成導體圖案之方法。所謂全加成法係不使用金屬層作為導體層，且藉由無電鍍或/及電鍍而形成導體圖案之方法，半加成法係藉由在例如包括金屬層之晶種層上進行無電解金屬析出，並進行電鍍、蝕刻、或並用這兩種而形成導體圖案後，蝕刻去除不需要之晶種層而獲得導體圖案之方法。
在上述之增層基板之製造方法中，可進一步包含：在單面或者兩面配線基板、單面或者兩面覆金屬積層板、積層體之金屬箔、積層體之金屬載體、金屬層、附樹脂基板之金屬層之樹脂、附樹脂基板之金屬層
之金屬層、或樹脂上開孔，並在該孔之側面及底面進行導通鍍敷的步驟。又，可進一步包含進行1次以上如下步驟：在構成上述單面或者兩面配線基板之金屬層、構成單面或者兩面覆金屬積層板之金屬層、構成積層體之金屬箔、附樹脂基板之金屬層之金屬層、及金屬層之至少一層上形成配線的步驟。
在上述之增層基板之製造方法中，可進一步包含：在形成有配線之表面上，積層本發明之積層體、即將圖2或圖10所示之積層體或圖3~圖7所示之被樹脂覆蓋之積層體或者圖11所示之在金屬載體間介隔有無機基板及/或金屬板之積層體切斷而獲得之積層體的步驟。
再者，所謂「形成有配線之表面」係指在進行增層之過程中每次出現之表面形成配線之部分，對於增層基板而言，包括最終製品，亦包括其半成品。
在上述之增層基板之製造方法中，可包含：在處於可剝離狀態之金屬箔之部分，將該金屬箔從金屬載體剝離而分離之步驟。此處，關於處於可剝離狀態之金屬箔之部分，設想為圖2所示之積層體之金屬箔，而並非圖3~圖7所示之被樹脂覆蓋之積層體，但即便為圖2所示之積層體，在例如冶金接合方法或機械接合方法等從金屬箔上進行接合之方法中，藉由經過如下所述之切斷步驟，亦可將金屬箔從金屬載體剝離。
又，可包含：在俯視金屬層之表面時，在金屬箔與金屬載體之積層面之至少一個面上、例如上述積層體之金屬箔上將上述積層體切斷的步驟。在該情況下，亦可進一步包含：將切斷後之積層體之金屬箔從金屬載體剝離而分離之步驟。在上述之增層基板之製造方法中，可進一步包含：在俯
視金屬箔之表面時，在金屬箔與金屬載體之積層面之至少一個面上將上述積層體切斷之步驟。或者，在金屬載體彼此接合或焊接或接著之情況下，亦可在俯視該積層體時，在該接合、焊接或接著之部分之內側進行切斷。又，亦可藉由切斷、研削、機械研磨、蝕刻等化學研磨等而去除金屬載體彼此之接合部。
並且，可進一步包含：在將金屬箔從金屬載體剝離而分離後，藉由蝕刻而去除金屬箔之一部分或全部的步驟。
再者，在上述之覆多層金屬積層板之製造方法及增層基板之製造方法中，各層彼此可以藉由進行熱壓接而積層。該熱壓接可在每次積層時進行，亦可在積層某程度後集中進行，也可在最後一次性集中進行。
尤其是本發明提供上述之增層基板之製造方法，其包含進行至少1次如下步驟：在單面或者兩面配線基板、單面或者兩面覆銅積層板、本發明之積層體、即將圖2或圖10所示之積層體或圖3~圖7所示之被樹脂覆蓋之積層體切斷而獲得之積層體或者圖11所示之在金屬載體間介隔有無機基板及/或金屬板之積層體之金屬箔、該積層體之金屬載體、金屬層、附樹脂基板之金屬層之樹脂、附樹脂基板之金屬層之金屬層、或樹脂上開孔，並在該孔之側面及底面進行導通鍍敷，繼而在構成上述單面或者兩面配線基板之金屬箔及電路部分、構成單面或者兩面覆銅積層板之金屬箔、構成積層體之金屬箔、附樹脂基板之金屬層之金屬層、或金屬層上形成電路之步驟。
以下，作為上述用途之具體例，對利用本發明之積層體之4層CCL之製造方法進行說明。此處所使用之積層體係使圖2所示之金屬載
體11c及金屬箔11a隔著剝離層11b以可分離之方式接觸而構成。在積層體上依序重疊所需片數之預浸體12、稱為內層芯13之2層印刷電路基板或2層覆金屬積層板、預浸體12、附樹脂之金屬層，由此完成1組4層CCL組裝單元。其次，重複該單元14(通稱「頁」)10次左右，而構成加壓組裝物15(通稱「冊」)(圖8)。其後，可利用積層模具10夾著該冊15並設置在熱壓機上，在規定之溫度及壓力下進行加壓成型，由此同時製造多個4層CCL。作為積層模具10，例如可以使用不銹鋼製平板。平板並無限定，例如可使用1~10mm左右之厚板。關於4層以上之CCL，一般而言可藉由增加內層芯之層數，以相同步驟進行生產。
以下，作為上述用途之具體例，以利用有如下積層體11之空心增層基板之製造方法為例進行說明，該積層體11係使用兩片使金屬箔11a隔著脫模層11b以可分離之方式接觸金屬載體11c而構成之附載體之金屬箔，使金屬載體11c彼此接觸而構成。在該方法中，在積層體11之兩側積層所需層數之增層層16，最終將兩片金屬箔11a從金屬載體11c剝離(參照圖9)。
又，例如可以藉由如下方式製造增層基板，即，在本發明之積層體上依序重疊作為絕緣層之樹脂、2層電路基板、作為絕緣層之樹脂，在其上依序重疊本發明之積層體而獲得最終積層體，並在該最終積層體之金屬箔與金屬載體之積層面上進行切割。
又，作為其他方法，在本發明之積層體上依序積層作為絕緣層之樹脂、作為導體層之金屬層。其次，根據需要亦可包含：對金屬層之整個面進行半蝕刻而調整厚度之步驟。其次，在所積層之金屬層之規定位
置實施雷射加工，形成貫穿金屬層與樹脂之導孔，並實施去除導孔中之膠渣之除膠渣處理後，對導孔底部、側面及金屬層之整個面或一部分實施無電鍍而形成層間連接，並根據需要進一步進行電鍍。對於金屬層上之不需要無電鍍或電鍍之部分，亦可在進行各自鍍敷之前預先形成抗鍍敷層。又，在無電鍍層、電鍍層、抗鍍敷層與金屬層之密接性不充分之情況下，亦可預先將金屬層之表面進行化學粗化。在使用抗鍍敷層之情況下，在鍍敷後去除抗鍍敷層。其次，藉由蝕刻而去除金屬層及無電鍍部、電鍍部之不需要部分，從而形成電路。其後，可藉由在積層體之金屬箔與金屬載體之積層面上進行切割，而製造增層基板。亦可重複進行從樹脂、銅箔之積層到電路形成為止之步驟，而製成更多層之增層基板。
並且，在該增層基板之最表面，亦可使本發明之積層體、即將圖2或圖10所示之積層體或圖3~圖7所示之被樹脂覆蓋之積層體或者圖11所示之在金屬載體間介隔有無機基板及/或金屬板之積層體切斷而獲得之積層體與之接觸並進行積層。再者，在最後使積層體密接之情況下，可在到其前段為止，在所重疊之積層體之金屬箔與金屬載體之積層面上預先進行切割，亦可到最後之積層體之密接為止不進行切割，而在最後以全部積層體之金屬箔與金屬載體之積層面包含切斷面之方式進行切割，而一次性切割。
此處，作為用於製作增層基板之樹脂基板，可適宜地使用含有熱硬化性樹脂之預浸體。
又，作為其他方法，在覆蓋本發明之積層體之樹脂上設置開口部，並在所露出之金屬箔之露出表面積層作為絕緣層之樹脂、例如預浸體或感光性樹脂。其後，在樹脂之規定位置形成導孔。在使用例如預浸體
作為樹脂之情況下，導孔可藉由雷射加工而形成。在雷射加工後，可以實施去除該導孔中之膠渣之除膠渣處理。又，在使用感光性樹脂作為樹脂之情況下，可藉由光微影法而去除導孔之形成部之樹脂。其次，對導孔底部、側面及樹脂之整個面或一部分實施無電鍍，而形成層間連接，並根據需要進一步進行電鍍。對於樹脂上之不需要無電鍍或電鍍之部分，也可以在進行各自鍍敷之前預先形成抗鍍敷層。又，在無電鍍層、電鍍層、抗鍍敷層與樹脂之密接性不充分之情況下，亦可預先將樹脂之表面進行化學粗化。在使用抗鍍敷層之情況下，在鍍敷後去除抗鍍敷層。其次，藉由蝕刻而去除無電鍍部或電鍍部之不需要部分，從而形成電路。其後，可藉由在積層體之金屬箔與金屬載體之積層面上進行切割，而製造增層基板。亦可重複進行從樹脂之積層到電路形成為止之步驟，而製成更多層之增層基板。
並且，在該增層基板之最表面，亦可使本發明之積層體、即將圖2或圖10所示之積層體或圖3~圖7所示之被樹脂覆蓋之積層體或者圖11所示之在金屬載體間介隔有無機基板及/或金屬板之積層體切斷而獲得之積層體與之接觸並進行積層。再者，在最後使積層體進行密接之情況下，可在到其前段為止，在所重疊之積層體之金屬箔與金屬載體之積層面上預先進行切割，亦可到最後之積層體之密接為止不進行切割，而在最後以全部積層體之金屬箔與金屬載體之積層面包含切斷面之方式進行切割，而一次性切割。
又，作為其他方法，可列舉圖13~圖15所示之增層方法。
即，在圖13中，在將圖12所示之附載體之金屬箔彼此以金屬載體側進行重疊而成之積層體之各金屬箔23上積層預浸體115、116，繼而積層電路
形成用之金屬層117、118。在積層後，沿著切割線B進行切割。在進行該一系列操作時，孔114係作為定位孔而發揮功能，即使在孔114之上面積層預浸體、金屬層，亦可藉由照射超音波、放射線(電磁放射線(X射線及γ射線)或粒子放射線(α射線、β射線、中子射線、電子束、介子束、質子束等))或電磁波而檢測位置。再者，如果考慮到裝置之普及程度或易使用性，則較佳為使用X射線或γ射線，更佳為使用X射線。
繼而，在圖14中，在圖13中所獲得之積層體之孔114之內側開出沿著積層方向貫穿之孔124。由此，人亦可觀察到孔。又，藉由在孔114之內側開出孔124，可防止化學藥液滲入到積層物之金屬層與金屬層之間。
而且，在圖15中，在圖14中所獲得之積層體之最外層之金屬層117、118形成電路，設置電路區域122、123而獲得增層基板121。其後，亦可如圖16所示，在圖15中所獲得之增層基板121進一步形成增層層132，並且根據需要繼續形成增層層，最後在俯視時沿著孔124之內側所設定之規定切割線B進行切割，沿著箭頭D，在金屬層之界面上分成兩個基板133、134。又，亦可如圖15所示，在俯視時沿著孔124之內側所設定之規定切割線B進行切割，在金屬載體23彼此之界面分離而獲得兩個增層基板，並如圖17所示，對各增層基板141之兩面繼續形成增層層142，亦可僅於單面形成增層層。
針對如此而製作之空心增層基板，經過鍍敷步驟及/或蝕刻步驟而在表面形成配線，並使金屬箔與金屬載體之間進行剝離分離，而完成增層配線板。在剝離分離後，對於剝離面，可形成配線，亦可藉由蝕刻
而去除金屬箔從而製成多層增層配線板。並且，藉由在增層配線板上搭載電子零件類，而完成印刷電路板。又，可在剝離前之空心增層基板上直接搭載電子零件，亦可獲得印刷電路板。
[實施例]
以下，一併揭示本發明之實施例及比較例，但該等實施例係為了更好地理解本發明及其優點而提供之例，並非意在對發明加以限定。
<實驗例1>
根據以下順序，製作圖2所示之構造之具有兩片附載體之極薄銅箔之積層體。
作為載體，準備厚度為35μm之長條狀之電解銅箔(JX日礦日石金屬公司製造之JTC)。針對該銅箔之光澤面(shiny surface)，在以下之條件下利用輥對輥型之連續鍍敷流水線進行電鍍，藉此形成4000μm/dm2之附著量之Ni層。
(1)Ni層(含Ni層、剝離層：基底鍍層1)
針對銅箔載體之S面，於以下之條件下利用輥對輥型之連續鍍敷流水線進行電鍍，藉此形成1000μg/dm2之附著量之Ni層。具體之鍍敷條件記載如下。
硫酸鎳：270~280g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
硼酸：30~40g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
pH值：4~6
浴溫：55~65℃
電流密度：10A/dm2
(2)Cr層(含Cr層、剝離層：基底鍍敷2)
其次，對(1)中所形成之Ni層表面進行水洗及酸洗後，繼而在輥對輥型之連續鍍敷流水線上，於Ni層上在以下之條件下進行電解鉻酸鹽處理，藉此附著11μg/dm2之附著量之Cr層。
重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0g/L
pH值：7~10
液溫：40~60℃
電流密度：2A/dm2
(3)極薄銅層
其次，對(2)中所形成之Cr層表面進行水洗及酸洗後，繼而在輥對輥型之連續鍍敷流水線上，於Cr層上在以下之條件下進行電鍍，藉此形成厚度為2μm之極薄銅層，而製作附載體之極薄銅箔。
銅濃度：80~120g/L
硫酸濃度：80~120g/L
電解液溫度：50~80℃
電流密度：100A/dm2
使用由上述處理獲得之附載體之極薄銅箔(極薄銅層之厚度
2μm、極薄銅層粗化形成面粗糙度：Rz0.6μm)，對該極薄銅箔之粗面(粗糙面：M面)進行下述所示之粗化鍍敷。以下，揭示處理條件。該等均為用來在本發明之積層體中之構成附載體之極薄銅箔之極薄銅箔上形成粗化處理層之步驟。形成粗化粒子時之相對於極限電流密度之比係設為2.50。
(液組成1)
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
在本粗化處理後，進行下述所示之正常鍍敷。以下，揭示處理條件。
(液組成2)
Cu：40g/L
H2SO4：100g/L
(電鍍溫度1)40℃
(電流條件1)
電流密度：30A/dm2
庫侖量：150As/dm2
其次，對耐熱、防銹層上進行電解鉻酸鹽處理。
電解鉻酸鹽處理(鉻、鋅處理(酸性浴))
CrO3：1.5g/L
ZnSO4‧7H2O：2.0g/L
Na2SO4：18g/L
pH值：4.6
浴溫：37℃
電流密度：2.0A/dm2
時間：1~30秒
(pH值調整是利用硫酸或氫氧化鉀而實施)
其次，對該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗布而進行)。矽烷處理之條件如下。
0.2% 3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷
再者，關於各附載體之極薄銅箔，各極薄銅箔與金屬載體之剝離強度為13gf/cm及10gf/cm。
使如此而獲得之兩片附載體之極薄銅箔之金屬載體彼此接觸，從極薄銅箔層上利用超音波焊接機，在超音波頻率20kHz、輸出100~450W、振幅65μm、加壓力100~400kgf/cm2之條件下使兩片附載體之極薄銅箔接合，而獲得圖2所示之構造之積層體。
<實驗例2>
根據以下順序，製作圖2所示之構造之具有兩片附載體之極薄銅箔之積層體。
在以下之條件下進行剝離層之形成及極薄銅箔之粗化處理後之處理，除此以外，以與實驗例1同樣之順序進行。再者，在鉻酸鹽處理後，所積層之極薄銅層厚度為3μm。
(剝離層之形成)
(1)「Ni-Zn」：鎳鋅合金鍍層
在上述鎳鍍層之形成條件下，向鍍鎳液中添加硫酸鋅(ZnSO4)之形態之鋅，在鋅濃度：0.05~5g/L之範圍內進行調整，而形成鎳鋅合金鍍層。
Ni附著量為3000μg/dm2，Zn附著量為250μg/dm2。
(2)「有機」：形成有機物層之處理
在上述形成之鎳鋅合金鍍層上，噴淋包含濃度1~30g/L之羧基苯并三唑(CBTA)之液溫40℃、pH值5之水溶液20~120秒而進行噴霧，由此進行處理。有機物層厚度為25μm。
(粗化處理)
在以下之條件下，依序進行粗化處理1、粗化處理2、防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理。再者，極薄銅箔之厚度設為3μm。
‧粗化處理1
液組成：銅10~20g/L、硫酸50~100g/L
液溫：25~50℃
電流密度：1~58A/dm2
庫侖量：4~81As/dm2
‧粗化處理2
液組成：銅10~20g/L、鎳5~15g/L、鈷5~15g/L
pH值：2~3
液溫：30~50℃
電流密度：24~50A/dm2
庫侖量：34~48As/dm2
‧防銹處理
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：10~20As/dm2
‧鉻酸鹽處理
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0~2A/dm2
庫侖量：0~2As/dm2
‧矽烷偶合處理
塗布二胺基矽烷水溶液(二胺基矽烷濃度：0.1~0.5重量%)
再者，關於各附載體之極薄銅箔，各極薄銅箔與金屬載體之剝離強度為5gf/cm及8gf/cm。
使如此而獲得之兩片附載體之極薄銅箔之金屬載體彼此接觸，從極薄銅箔層上在摩擦攪拌焊接、攪拌頭(star rod)之轉速200~1000rpm、攪拌頭負重100~2000N之條件下，使兩片附載體之極薄銅箔接合，而獲得圖2所示之構造之積層體。
<實驗例3>
根據以下順序，製作圖2所示之構造之具有兩片附載體之極薄銅箔之積層體。
與實驗例2所示之順序同樣地獲得兩片附載體之極薄銅箔。再者，關於各附載體之極薄銅箔，各極薄銅箔與金屬載體之剝離強度為5gf/cm及8gf/cm。
然後，使兩片附載體之極薄銅箔之金屬載體彼此經由接著劑進行密接，從而獲得圖2所示之構造之積層體。
<實驗例4>
在實驗例1之順序中，藉由縫焊接進行兩片附載體之極薄銅箔之金屬載體彼此之接合來代替超音波焊接，除此以外，以與實驗例1同樣之順序製作圖2所示之構造之具有兩片附載體之極薄銅箔之積層體。
再者，在利用樹脂覆蓋積層面之前，對各附載體之極薄銅箔測定各極薄銅箔與金屬載體之剝離強度，結果為13gf/cm及10gf/cm。
<實驗例5>
在實驗例2之順序中，藉由TIG焊接進行兩片附載體之極薄銅箔之金屬載體彼此之接合來代替摩擦攪拌焊接，除此以外，以與實驗例2同樣之順序製作圖2所示之構造之具有兩片附載體之極薄銅箔之積層體。
再者，在利用樹脂覆蓋積層面之前，對各附載體之極薄銅箔測定各極薄銅箔與金屬載體之剝離強度，結果為5gf/cm及8gf/cm。
<實驗例6>
在實驗例3之順序中，將金屬載體之厚度設為100μm，將兩片附載體之極薄銅箔之金屬載體彼此預先接合來代替利用接著劑進行接著，除此以
外，以與實驗例3同樣之順序製作圖2所示之構造之具有兩片附載體之極薄銅箔之積層體。
再者，在利用樹脂覆蓋積層面之前，對各附載體之極薄銅箔測定各極薄銅箔與金屬載體之剝離強度，結果為5gf/cm及8gf/cm。
<實驗例7>
在實驗例1之順序中，將金屬載體之厚度設為70μm，將兩片附載體之極薄銅箔之金屬載體彼此利用自沖鉚釘進行接合來代替藉由超音波焊接進行接合，除此以外，以與實驗例1同樣之順序製作圖2所示之構造之具有兩片附載體之極薄銅箔之積層體。
再者，在利用樹脂覆蓋積層面之前，對各附載體之極薄銅箔測定各極薄銅箔與金屬載體之剝離強度，結果為13gf/cm及10gf/cm。
<實驗例8>
對於實驗例2中所獲得之積層體之兩銅箔之表面，使鋁板與之接觸，將該鋁板作為遮罩，從該積層體之一個側方向、即相對於積層方向之一個橫向方向、及與其相對向之方向塗布環氧樹脂(黏度：2.0Pa‧s)。
再者，針對兩片極薄銅箔使用具有如下形狀之鋁板，即，該鋁板之形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，使至少一側之對向之一對端邊露出，並且覆蓋極薄銅箔之表面。又，樹脂之塗布係針對鋁板覆蓋至極薄銅箔外側之一個側面及與該側面相對向之面而進行。
即，沿著包括由樹脂覆蓋之一側之對向之一對端邊在內之方向，獲得具有圖6所示之剖面構造之積層體。
<實驗例9>
對於實驗例3中所獲得之積層體之兩銅箔之表面，使鋁板與之接觸，將該鋁板作為遮罩，從該積層體之一個側方向、即相對於積層方向之一個橫向方向、及與其相對向之方向塗布環氧樹脂(黏度：0.5Pa‧s)。
再者，針對兩片極薄銅箔使用具有如下形狀之鋁板，即，該鋁板之形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，覆蓋至至少一側之對向之一對端邊之外側。又，樹脂之塗布係針對鋁板覆蓋至極薄銅箔之外側之一個側面及與該側面相對向之面而進行。
即，沿著包括由樹脂覆蓋之一側之對向之一對端邊在內之方向，獲得具有圖7所示之剖面構造之積層體。
<實驗例10>
對於實驗例4中所獲得之積層體之兩銅箔之表面，使鋁板與之接觸，將該鋁板設為遮罩，從該積層體之一個側方向、即相對於積層方向之一個橫向方向、及與其相對向之方向塗布環氧樹脂(黏度：300Pa‧s)。
再者，針對兩片極薄銅箔使用具有如下形狀之鋁板，即，該鋁板之形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，使至少一側之對向之一對端邊露出，並且覆蓋極薄銅箔之表面。又，樹脂之塗布係針對鋁板覆蓋至極薄銅箔之外側之一個側面及與該側面相對向之面而進行。
即，沿著包括由樹脂覆蓋之一側之對向之一對端邊在內之方向，獲得具有圖6所示之剖面構造之積層體。
<實驗例11>
對於實驗例5中所獲得之積層體之兩銅箔之表面，使鋁板與之接觸，將該鋁板設為遮罩，從該積層體之全部之側方向、即相對於積層方向之橫
向全方向塗布環氧樹脂(黏度：1Pa‧s)。
再者，針對兩片極薄銅箔使用具有如下形狀之鋁板，即，該鋁板之形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，覆蓋至各對向之一對端邊之外側。
即，沿著包括各對向之一對端邊在內之方向，獲得具有圖7所示之剖面構造之積層體。
<實驗例12>
對於實驗例6中所獲得之積層體之兩銅箔之表面，使鋁板與之接觸，將該鋁板設為遮罩，從該積層體之全部之側方向、即相對於積層方向之橫向全方向塗布環氧樹脂(黏度：3000Pa‧s)。
再者，針對兩片極薄銅箔使用具有如下形狀之鋁板，即，該鋁板之形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，使各對向之一對端邊露出，並且覆蓋極薄銅箔之表面。
即，沿著包括對向之一對邊在內之方向之兩側，獲得具有圖6所示之剖面構造之積層體。
<實驗例13>
對於實驗例7中所獲得之積層體之兩銅箔之表面，使鋁板與之接觸，將該鋁板設為遮罩，從該積層體之全部之側方向、即相對於積層方向之橫向全方向塗布環氧樹脂(黏度：5Pa‧s)。
再者，針對兩片極薄銅箔使用具有如下形狀之鋁板，即，該鋁板之形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，覆蓋至各對向之一對端邊之外側。
即，沿著包括各對向之一對端邊在內之方向，獲得具有圖7所示之剖面構造之積層體。
<實驗例14>
對於實驗例1中所獲得之積層體之兩銅箔之表面，使鋁板與之接觸，將該鋁板設為遮罩，從該積層體之一個側方向、即相對於積層方向之一個橫向方向、及與其相對向之方向塗布環氧樹脂(黏度：15Pa‧s)。
再者，針對兩片極薄銅箔使用具有如下形狀之鋁板，即，該鋁板之形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，覆蓋至一條端邊之外側，且使與該端邊對向之端邊露出，又，在與該兩端邊正交之第2方向上，以中心為界朝向兩端部各覆蓋1/4之長度。又，樹脂之塗布係針對鋁板覆蓋至極薄銅箔之外側之側面及與該側面相對向之面而進行。
即，獲得具有如下構造之積層體，即，該構造為在俯視極薄銅箔時，沿著由樹脂覆蓋之一側之露出側端邊，樹脂回繞極薄銅箔之表面(參照圖6)，沿著與其相對向之端邊，樹脂在不回繞至極薄銅箔之表面之情況下覆蓋與金屬載體之積層面(參照圖7)。
<實驗例15>
對於實驗例1中所獲得之積層體之兩銅箔之表面，分別使尺寸大於銅箔之板狀預浸體與之接觸。
再者，板狀預浸體係使用如下形狀，即，該形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，覆蓋極薄銅箔之全周。其後，藉由熱壓進行加熱壓接，而對積層體積層板狀預浸體。該積層體具有如下構造，即，該構造為覆蓋使用兩片使金屬箔以可剝離之方式接觸金屬載體之表面而成之附載體之金屬箔並將上述金屬載體彼此進行積層而獲得之積層體之全部樹脂(圖3、圖4)。
<實驗例16>
根據以下順序，製作圖10所示之構造之具有兩片附載體之極薄銅箔之積層體。
在一片附載體之極薄銅箔之金屬載體及另一附載體之極薄銅箔之金屬載體之間設置厚度為100μm之鋁板，從極薄銅箔層上利用超音波焊接機在超音波頻率20kHz、輸出300~450W、振幅65μm、加壓力250~400kgf/cm2之條件下接合一片附載體之極薄銅箔、鋁板、及另一附載體之極薄銅箔，而獲得圖10所示之構造之積層體，除此以外，以與實驗例1同樣之順序進行。再者，在鉻酸鹽處理後進行積層之極薄銅層厚度為3μm。
<實驗例17>
對於實驗例1中所獲得之積層體之兩銅箔之表面，分別使尺寸大於銅箔之較大板狀預浸體與之接觸。然後，對於與上述銅箔接觸之面之相反側之板狀預浸體之表面，分別使尺寸大於板狀預浸體之較大其他銅箔與之接觸。
再者，板狀預浸體係使用如下形狀，即，該形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，覆蓋極薄銅箔之全周。又，其他銅箔係使用如下形狀，即，該形狀為在針對極薄銅箔俯視該積層體時，覆蓋板狀預浸體之全周。其後，藉由熱壓進行加熱壓接，而對積層體積層板狀預浸體、其他銅箔。該積層體具有如下構造，即，該構造為覆蓋使用兩片使金屬箔以可剝離之方式接觸金屬載體之表面而成之附載體之金屬箔並將上述金屬載體彼此進行積層而獲得之積層體之全部樹脂，並且板狀預浸體之與積層體接觸之面之相反側面具有其他金屬箔。
<實驗例18>
使用厚度為50μm之黃銅板(JIS H3100合金編號C2680)代替厚度為100μm之鋁板，在一片附載體之極薄銅箔之金屬載體與另一附載體之極薄銅箔之金屬載體之間設置厚度為50μm之黃銅板，利用環氧樹脂(黏度：50Pa‧s)將各金屬載體與黃銅板進行接著，除此以外，與實驗例16同樣地製造積層體。
在如此製作之積層體之兩側，在表面露出有金屬層(銅箔)之一側依序重疊FR-4預浸體(南亞塑膠公司製造)、銅箔(JX日礦日石金屬(股份)製造、JTC 12μm(製品名))，在表面露出有樹脂之一側依序重疊銅箔(JX日礦日石金屬(股份)製造、JTC 12μm(製品名))、FR-4預浸體(南亞塑膠公司製造)、銅箔(JX日礦日石金屬(股份)製造、JTC 12μm(製品名))，在3MPa之壓力下進行170℃、100分鐘之熱壓，而製作4層或6層覆銅積層板。
其次，使用雷射加工機，開出貫穿上述4層或6層覆銅積層板表面之銅箔及其下之絕緣層(硬化之預浸體)之直徑為100μm之孔。繼而，在上述孔之底部露出之內層所存在之銅箔表面與上述孔之側面、上述4層~6覆銅積層板表面之銅箔上藉由無電解鍍銅、電鍍銅進行鍍銅，而在內層所存在之銅箔及4~6層覆銅積層板表面之銅箔之間形成電性連接。其次，使用三氯化鐵系之蝕刻液對4~6層覆銅積層板表面之銅箔之一部分進行蝕刻，而形成電路。如此可製作4~6層增層基板。
繼而，在上述金屬層上之位置將上述4或6層增層基板切斷後，將構成上述積層體之金屬層及金屬層剝離而進行分離，由此獲得2組2或3層增層配線板。
繼而，對上述2組2或3層增層配線板上之與金屬層(銅箔)接觸之作為金屬層之銅箔進行蝕刻，而形成配線，從而獲得2組2或3層增層配線板。
如此，通常在製造增層基板時，例如在設置通孔之情況下，在較薄之極薄銅箔處多見產生皺褶或毛邊，該等會導致品質不良，但由於極薄銅箔被金屬載體所支撐，所以在積層加工時可抑制皺褶或毛邊等之產生。
Claims (56)
- 一種積層體，其係使用兩片使金屬箔以可剝離之方式接觸金屬載體之表面而成之附載體之金屬箔，並將該金屬載體彼此進行積層而獲得；且該兩片附載體之金屬箔的至少一個中，經過在220℃加熱3小時、6小時或9小時之至少一種加熱後，該金屬箔與該金屬載體之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第1項之積層體，其係將該金屬載體彼此根據需要經由接著劑直接進行積層而獲得。
- 如申請專利範圍第1項之積層體，其中，該金屬載體彼此接合。
- 如申請專利範圍第2項之積層體，其中，該金屬載體彼此接合。
- 如申請專利範圍第1項之積層體，其係將該金屬載體彼此介隔無機基板或金屬板進行積層而獲得。
- 如申請專利範圍第1項之積層體，其係使用脫模層將該金屬載體與金屬箔貼合而成。
- 如申請專利範圍第2項之積層體，其係使用脫模層將該金屬載體與金屬箔貼合而成。
- 如申請專利範圍第3項之積層體，其係使用脫模層將該金屬載體與金屬箔貼合而成。
- 如申請專利範圍第4項之積層體，其係使用脫模層將該金屬載體與金屬箔貼合而成。
- 如申請專利範圍第5項之積層體，其係使用脫模層將該金屬載體與金屬箔貼合而成。
- 如申請專利範圍第6至10項中任一項之積層體，其中，該脫模層係由由含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、或該等之合金、或該等之水合物、或該等之氧化物、或者有機物之任一種以上之層且由多層所構成，或該脫模層係從該金屬載體側起由以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al之元素族群中之任一種元素構成的單一金屬層或以選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al之元素族群中之一種以上元素構成的合金層、與積層在其上之以選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al之元素族群中的一種以上元素的水合物或者氧化物或有機物構成的層所構成，或該脫模層係從該金屬載體側起由以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素族群中之任一種元素構成的單一金屬層或者以選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素族群中的一種以上元素構成的合金層、與以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素族群中的任一種元素構成的單一金屬層或者以選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素族群中的一種以上元素構成的合金層所構成。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項之積層體，其中，該金屬載體與金屬箔之間之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項之積層體，其中，該兩片附載體之金屬箔之一片或兩片中，該金屬載體與金屬箔之間的剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項之積層體，其中，該兩片附載體 之金屬箔之一片或兩片中，該金屬載體之與金屬箔接觸側之表面之十點平均粗糙度(Rz jis)為3.5μm以下。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項之積層體，其中，該兩片附載體之金屬箔之一片或兩片中，經過在220℃加熱3小時、6小時或9小時之一種、兩種或三種之條件之加熱後，金屬箔與金屬載體之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項之積層體，其厚度為8~500μm。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項之積層體，其設置有孔。
- 如申請專利範圍第17項之積層體，其中，該孔之直徑為0.01mm~10mm，且該孔設置有1~10處。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項之積層體，其中，至少一個金屬箔為銅箔或銅合金箔。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項之積層體，其係在俯視該金屬箔之表面時該金屬載體與該金屬箔之積層部分之外周之至少一部分或該金屬載體與該金屬箔之積層部分之整個外周被樹脂覆蓋而成。
- 如申請專利範圍第20項之積層體，其滿足以下項目(21-1)~(21-4)的任一個、兩個、三個或四個，(21-1)該樹脂包含熱硬化性樹脂；(21-2)該樹脂包含熱塑性樹脂；(21-3)在該樹脂之該金屬箔之外側設置有孔；(21-4)在該樹脂之該金屬箔之外側設置有孔，該孔之直徑為0.01mm~10mm，且該孔設置有1~10處。
- 一種積層體，其係使用兩片使金屬箔以可剝離之方式接觸金屬載體之表面而成的附載體之金屬箔，將該金屬載體彼此進行積層而獲得者，其中，在俯視該金屬箔之表面時該金屬載體與該金屬箔之積層部分之外周及俯視時之該金屬箔之表面的至少一部分被樹脂覆蓋，覆蓋該金屬箔之表面之部分的樹脂厚度為5μm以上。
- 如申請專利範圍第22項之積層體，其係將該金屬載體彼此介隔無機基板或金屬板進行積層而獲得者，其滿足以下項目(3)~(10)之任一個、兩個、三個、四個、五個、六個、七個或八個，(3)使用脫模層將該金屬載體與金屬箔貼合；(4)至少一片或兩片該附載體之金屬箔中，該金屬載體與金屬箔之間之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下；(5)至少一片或兩片該附載體之金屬箔中，該金屬載體之與金屬箔接觸側之表面之十點平均粗糙度(Rz jis)為3.5μm以下；(6)至少一片或兩片該附載體之金屬箔中，經過在220℃加熱3小時、6小時或9小時之至少一種加熱後，該金屬箔與該金屬載體之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下；(7)厚度為8~500μm；(8)設置有孔；(9)直徑為0.01mm~10mm之孔設置有1~10處；(10)至少一個或兩個該金屬箔為銅箔或銅合金箔。
- 如申請專利範圍第22項之積層體，其滿足以下項目(1)~(11)之任一個、兩個、三個、四個、五個、六個、七個、八個、九個、十個或 十一個，(1)將該金屬載體彼此根據需要而藉由接著劑直接進行積層；(2)該金屬載體彼此接合；(3)使用脫模層將該金屬載體與金屬箔進行貼合；(4)至少一片或兩片該附載體之金屬箔中，該金屬載體與金屬箔之間之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下；(5)至少一片或兩片該附載體之金屬箔中，該金屬載體之與金屬箔接觸側之表面之十點平均粗糙度(Rz jis)為3.5μm以下；(6)至少一片或兩片該附載體之金屬箔中，經過在220℃加熱3小時、6小時或9小時之至少一種、兩種或三種之條件之加熱後，該金屬箔與該金屬載體之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下；(7)厚度為8~500μm；(8)設置有孔；(9)直徑為0.01mm~10mm之孔設置有1~10處；(10)至少一個或兩個該金屬箔為銅箔或銅合金箔。
- 如申請專利範圍第22至24項中任一項之積層體，其滿足以下項目(25-1)~(25-5)之任一個、兩個、三個、四個或五個，(25-1)在俯視該金屬箔之表面時該金屬載體與該金屬箔之積層部分之整個外周被樹脂覆蓋；(25-2)該樹脂包含熱硬化性樹脂；(25-3)該樹脂包含熱塑性樹脂；(25-4)在該樹脂之該金屬箔之外側設置有孔； (25-5)在該樹脂之該金屬箔之外側設置有孔，該孔之直徑為0.01mm~10mm，且該孔設置有1~10處。
- 一種積層體，其係將申請專利範圍第1至10項中任一項之積層體沿著在俯視該金屬箔之表面時該金屬載體與該金屬箔之積層面進行切斷而成。
- 一種多層積層體，其係將申請專利範圍第1至26項中任一項之積層體中，對該各自之金屬箔之表面積層樹脂而成。
- 一種多層積層體，其係於使用兩片使金屬箔以可剝離之方式接觸金屬載體之表面而成的附載體之金屬箔，將該金屬載體彼此進行積層而獲得之積層體中，對該各自之金屬箔之表面積層板狀樹脂而成者，覆蓋該金屬箔之表面之部分的樹脂厚度為5μm以上，且將俯視時之該金屬箔之面積設為Sa，將該兩片板狀樹脂中俯視時之面積較另一片板狀樹脂大或同樣之該一片板狀樹脂之面積設為Sb時，Sa/Sb為未達1.0。
- 如申請專利範圍第28項之多層積層體，其滿足以下項目之一個、兩個或三個，(1)該Sa和Sb之比Sa/Sb為0.6以上；(2)該Sa和Sb之比Sa/Sb為0.80以上；(3)該Sa和Sb之比Sa/Sb為0.95以下。
- 如申請專利範圍第28項之多層積層體，其中，將俯視時之彼此接著有該兩片板狀樹脂之面積設為Sp，將該兩片板狀樹脂中俯視時之面積較另一片板狀樹脂大或同樣之該一片板狀樹脂之面積設為Sq時，Sp和Sq之比Sp/Sq滿足以下項目之一個、兩個或三個， (1)該Sp和Sq之比Sp/Sq為0.001以上；(2)該Sp和Sq之比Sp/Sq為0.20以下；(3)該Sp和Sq之比Sp/Sq為0.01以上。
- 如申請專利範圍第29項之多層積層體，其中，將俯視時之彼此接著有該兩片板狀樹脂之面積設為Sp，將該兩片板狀樹脂中俯視時之面積較另一片板狀樹脂大或同樣之該一片板狀樹脂之面積設為Sq時，Sp和Sq之比Sp/Sq滿足以下項目之一個、兩個或三個，(1)該Sp和Sq之比Sp/Sq為0.001以上；(2)該Sp和Sq之比Sp/Sq為0.20以下；(3)該Sp和Sq之比Sp/Sq為0.01以上。
- 一種多層積層體，其係於使用兩片使金屬箔以可剝離之方式接觸金屬載體之表面而成的附載體之金屬箔，將該金屬載體彼此進行積層而獲得之積層體中，對該各自之金屬箔之表面積層板狀樹脂而成者，且將俯視時之彼此接著有該兩片板狀樹脂之面積設為Sp，將該兩片板狀樹脂中俯視時之面積較另一片板狀樹脂大或同樣之該一片板狀樹脂之面積設為Sq時，Sp和Sq之比Sp/Sq為0.001以上。
- 如申請專利範圍第32項之多層積層體，其滿足以下項目之一個或兩個，(1)該Sp和Sq之比Sp/Sq為0.20以下；(2)該Sp和Sq之比Sp/Sq為0.01以上。
- 如申請專利範圍第27至33項中任一項之多層積層體，其滿足以下項目(11)~(21)之任一個、兩個、三個、四個、五個、六個、七個、八個、九個、十個或十一個， (11)該積層體係將該金屬載體彼此根據需要而藉由接著劑直接進行積層而獲得；(12)該積層體中，該金屬載體彼此接合；(13)該積層體係將該金屬載體彼此介隔無機基板或金屬板進行積層而獲得；(14)該積層體之一片或兩片該附載體之金屬箔中，使用脫模層將該金屬載體與金屬箔進行貼合而成；(15)該積層體之至少一片或兩片該附載體之金屬箔中，該金屬載體與金屬箔之間之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下；(16)該積層體之至少一片或兩片該附載體之金屬箔中，該金屬載體之與金屬箔接觸側之表面之十點平均粗糙度(Rz jis)為3.5μm以下；(17)該積層體之至少一片或兩片該附載體之金屬箔中，經過在220℃加熱3小時、6小時或9小時之至少一種、兩種或三種之條件之加熱後，該金屬箔與該金屬載體之剝離強度為0.5gf/cm以上且200gf/cm以下；(18)該積層體中，厚度為8~500μm；(19)該積層體中，設置有孔；(20)該積層體中，直徑為0.01mm~10mm之孔設置有1~10處；(21)該積層體中，至少一個金屬箔為銅箔或銅合金箔。
- 如申請專利範圍第28至33項中任一項之多層積層體，其滿足以下項目(31)~(36)之任一個、兩個、三個、四個、五個或六個，(31)該積層體中，俯視該金屬箔之表面時該金屬載體與該金屬箔之積層部分之外周的至少一部分被樹脂覆蓋而成； (32)該積層體中，俯視該金屬箔之表面時該金屬載體與該金屬箔之積層部分之整個外周被樹脂覆蓋而成；(33)該積層體中，樹脂包含熱硬化性樹脂；(34)該積層體中，樹脂包含熱塑性樹脂；(35)該積層體中，在該樹脂之該金屬箔或該金屬載體之外側設置有孔；(36)該積層體中，直徑為0.01mm~10mm之孔設置有1~10處。
- 如申請專利範圍第27至33項中任一項之多層積層體，其係在該各自之樹脂之表面進一步積層金屬層而成。
- 如申請專利範圍第34項之多層積層體，其係在該各自之樹脂之表面進一步積層金屬層而成。
- 如申請專利範圍第35項之多層積層體，其係在該各自之樹脂之表面進一步積層金屬層而成。
- 如申請專利範圍第36項之多層積層體，其中，俯視時之該金屬層之面積較該金屬載體與該金屬箔之積層面之面積大。
- 如申請專利範圍第37項之多層積層體，其中，俯視時之該金屬層之面積較該金屬載體與該金屬箔之積層面之面積大。
- 如申請專利範圍第38項之多層積層體，其中，俯視時之該金屬層之面積較該金屬載體與該金屬箔之積層面之面積大。
- 如申請專利範圍第36項之多層積層體，其中，該積層體中設置有貫穿之孔。
- 如申請專利範圍第39項之多層積層體，其中，該積層體中設置有貫穿 孔。
- 一種多層積層體，其係將申請專利範圍第42項之多層積層體沿著在俯視該金屬層之表面時該樹脂與該金屬層之積層面進行切斷而成。
- 如申請專利範圍第44項之多層積層體，其中，在該孔之內側設置有貫穿該多層積層體全體之孔。
- 一種多層積層體，其係將申請專利範圍第27至33項中任一項之多層積層體沿著在俯視該金屬箔之表面時該金屬載體與該金屬箔之積層面進行切斷而成。
- 一種多層積層體，其係將申請專利範圍第36項之多層積層體沿著在俯視該金屬層之表面時該樹脂與該金屬層之積層面進行切斷而成。
- 一種多層積層體，其係將申請專利範圍第39項之多層積層體沿著在俯視該金屬層之表面時該樹脂與該金屬層之積層面進行切斷而成。
- 一種多層積層體，其係將申請專利範圍第43項之多層積層體沿著在俯視該金屬層之表面時該樹脂與該金屬層之積層面進行切斷而成。
- 如申請專利範圍第49項之多層積層體，其中，在該孔之內側設置有貫穿該多層積層體全體之孔。
- 一種覆多層金屬積層板之製造方法，其包含：對申請專利範圍第1至26項中任一項之積層體或申請專利範圍第27至50項中任一項之多層積層體之至少一個或兩個金屬箔之面方向積層樹脂、單面或者兩面覆金屬積層板、申請專利範圍第1至26項中任一項之積層體、申請專利範圍第27至50項中任一項之多層積層體、附樹脂基板之金屬層或金屬層1次以上。
- 如申請專利範圍第51項之覆多層金屬積層板之製造方法，其包含以下52-1~52-4之任一個、兩個、三個或四個步驟：52-1：將該積層體沿著在俯視金屬層之表面時金屬載體與金屬箔之積層面之至少一個面進行切斷之步驟；52-2：將該積層體之金屬箔從金屬載體剝離而進行分離之步驟；52-3：將該積層體沿著在俯視該金屬層之表面時該金屬載體與該金屬箔之積層面之至少一個面進行切斷，將該切斷之部分之積層體的金屬箔從金屬載體剝離而進行分離之步驟；52-4：將該積層體之金屬箔從金屬載體剝離而進行分離，將經過剝離而分離之金屬箔的一部分或全部藉由蝕刻加以去除之步驟。
- 一種增層基板之製造方法，其包含：對申請專利範圍第1至26項中任一項之積層體或申請專利範圍第27至50項中任一項之多層積層體之至少一個或兩個金屬箔之面方向積層樹脂、單面或者兩面配線基板、單面或者兩面覆金屬積層板、申請專利範圍第1至26項中任一項之積層體、申請專利範圍第27至50項中任一項之多層積層體、附樹脂基板之金屬層、配線、電路、金屬層或增層配線層1次以上。
- 如申請專利範圍第53項之增層基板之製造方法，其包含：將該積層體沿著在俯視金屬箔之表面時金屬載體與金屬箔之積層面之至少一個面進行切斷之步驟。
- 一種增層配線板之製造方法，其在申請專利範圍第53或54項之增層基板之製造方法中，進一步包含以下55-1~55-3之一個、兩個或三個步驟：55-1：將該積層體之金屬箔從金屬載體剝離而進行分離之步驟； 55-2：將該積層體沿著在俯視該金屬箔之表面時金屬載體與金屬箔之積層面之至少一個面進行切斷，將該切斷之部分之積層體的金屬箔從金屬載體剝離而進行分離之步驟；55-3：將該積層體之金屬箔從金屬載體剝離而進行分離，將經過剝離而分離之金屬箔之一部分或全部藉由蝕刻加以去除之步驟。
- 一種印刷電路板之製造方法，其包含：藉由申請專利範圍第55項之製造方法而製造增層配線板之步驟或藉由申請專利範圍第53或54項之製造方法而製造增層基板之步驟。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014076485 | 2014-04-02 | ||
| JP2014132142 | 2014-06-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201543969A TW201543969A (zh) | 2015-11-16 |
| TWI621381B true TWI621381B (zh) | 2018-04-11 |
Family
ID=54269924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104110670A TWI621381B (zh) | 2014-04-02 | 2015-04-01 | Laminated body with metal foil with carrier |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP5981600B2 (zh) |
| KR (1) | KR101848974B1 (zh) |
| CN (1) | CN104972713B (zh) |
| TW (1) | TWI621381B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2015
- 2015-04-01 TW TW104110670A patent/TWI621381B/zh active
- 2015-04-02 KR KR1020150047108A patent/KR101848974B1/ko active Active
- 2015-04-02 JP JP2015076338A patent/JP5981600B2/ja active Active
- 2015-04-02 CN CN201510153356.3A patent/CN104972713B/zh active Active
-
2016
- 2016-04-25 JP JP2016087294A patent/JP6184549B2/ja active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101848974B1 (ko) | 2018-04-13 |
| JP2016026914A (ja) | 2016-02-18 |
| CN104972713B (zh) | 2018-06-12 |
| JP5981600B2 (ja) | 2016-08-31 |
| JP6184549B2 (ja) | 2017-08-23 |
| CN104972713A (zh) | 2015-10-14 |
| JP2016137727A (ja) | 2016-08-04 |
| TW201543969A (zh) | 2015-11-16 |
| KR20150114918A (ko) | 2015-10-13 |
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