TWI611175B - 表面增強拉曼散射單元及拉曼分光分析方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種表面增強拉曼散射單元及拉曼分光分析方法。
作為先前之表面增強拉曼散射單元，已知有將包含產生表面增強拉曼散射(SERS：Surface Enhanced Raman Scattering)之光學功能部之表面增強拉曼散射元件固定於載玻片上者(例如，參照非專利文獻1)。
非專利文獻1：“Q-SERSTM G1 Substrate”，[online]，Optoscience股份有限公司，[2013年3月21日檢索]，網際網路<URL：http：//www.optoscience.com/maker/nanova/pdf/Q-SERS_G1.pdf>
於如上所述之表面增強拉曼散射單元中，表面增強拉曼散射元件係藉由接著劑而固定於載玻片上，故而有因接著劑所含之成分而導致光學功能部劣化之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種可抑制光學功能部之劣化之表面增強拉曼散射單元、及使用此種表面增強拉曼散射單元之拉曼分光分析方法。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元包括：表面增強拉曼散射元件，其包含基板、及形成於基板上且產生表面增強拉曼散射之光學功能部；測定用基板，其於測定時支持表面增強拉曼散射元件；及保持部，其將表面增強拉曼散射元件機械性地保持於測定用基板。
該表面增強拉曼散射單元中，藉由保持部而將表面增強拉曼散射元件機械性地保持於測定用基板。例如，於藉由接著劑而將表面增強拉曼散射元件固定於測定用基板之情形時，於接著劑硬化時、捆包保管時及測定時，會因接著劑所含之成分而引起光學功能部之劣化。然而，根據該表面增強拉曼散射單元，由於未使用接著劑，故而可抑制光學功能部之劣化。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，保持部亦可包含夾持部，該夾持部係於與測定用基板之間夾持表面增強拉曼散射元件。根據該構成，可謀求將表面增強拉曼散射元件確實地保持於測定用基板。進而，可防止表面增強拉曼散射元件中形成於基板上之導電體層等自基板剝離。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，夾持部亦可於自基板之厚度方向觀察之情形時，以包圍光學功能部之方式形成環狀，或者，夾持部亦可於光學功能部之周圍配置複數個。根據該等構成，可謀求將表面增強拉曼散射元件穩定地保持於測定用基板。進而，於進行拉曼分光分析之情形時，使夾持部抵接於拉曼分光分析裝置之特定部位時，可將該夾持部用作用以使激發光之焦點對準光學功能部之間隔件。又，於夾持部以包圍光學功能部之方式形成環狀之情形時，可將該夾持部之內側之區域用作溶液試樣之槽(腔室)。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可於測定用基板設置凹部，該凹部收納表面增強拉曼散射元件之至少基板側之一部
分，且限制表面增強拉曼散射元件向與基板之厚度方向垂直之方向移動。根據該構成，可將表面增強拉曼散射元件相對於測定用基板定位。進而，可防止表面增強拉曼散射元件相對於測定用基板偏移。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，保持部亦可與測定用基板形成獨立個體，且機械性地固定於測定用基板。根據該構成，可謀求測定用基板之構造之簡化。而且，例如與藉由接著劑將保持部固定於測定用基板之情形相比，可抑制因接著劑所含之成分而導致光學功能部劣化。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，保持部亦可與測定用基板一體形成。根據該構成，可減少表面增強拉曼散射單元之零件數。而且，例如與藉由接著劑將保持部固定於測定用基板之情形相比，可抑制因接著劑所含之成分而導致光學功能部劣化。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，測定用基板亦可藉由樹脂而一體形成。根據該構成，由於不易產生碎屑，故而可更確實地抑制因碎屑片之附著而導致光學功能部劣化。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可於測定用基板，以形成沿著與測定用基板之厚度方向垂直之方向延伸之壁部之方式設置空心部。根據該構成，由於防止測定用基板產生翹曲，故而於進行拉曼分光分析之情形時，將測定用基板配置於拉曼分光分析裝置之平台上時，可使激發光之焦點精度良好地對準光學功能部。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，保持部亦可夾持表面增強拉曼散射元件之側面。
本發明之一態樣之拉曼分光分析方法包括：第1步驟，其係準備上述表面增強拉曼散射單元，於光學功能部上配置試樣；及第2步驟，其係於第1步驟之後，將表面增強拉曼散射單元設置於拉曼分光分析裝置，對配置於光學功能部上之試樣照射激發光，檢測來自試樣
之拉曼散射光，藉此進行拉曼分光分析。
該拉曼分光分析方法中，由於使用上述表面增強拉曼散射單元，故而可精度良好地進行拉曼分光分析。
根據本發明，可提供一種可抑制光學功能部之劣化之表面增強拉曼散射單元、及使用此種表面增強拉曼散射單元之拉曼分光分析方法。
1A、1B、1C、1D‧‧‧SERS單元(表面增強拉曼散射單元)
2‧‧‧SERS元件(表面增強拉曼散射元件)
3‧‧‧測定用基板
3a‧‧‧正面
3b‧‧‧背面
4‧‧‧保持部
4a‧‧‧開口
5‧‧‧凹部
5a‧‧‧底面
6、7‧‧‧壁部
8‧‧‧空心部
9‧‧‧凹部
11‧‧‧嵌合孔
12‧‧‧蓋
13‧‧‧擴寬部
13a‧‧‧底面
14‧‧‧暫時固定膜
15‧‧‧導引槽
16‧‧‧凹部
20‧‧‧光學功能部
21‧‧‧基板
21a‧‧‧表面
22‧‧‧成形層
23‧‧‧導電體層
24‧‧‧微細構造部
25‧‧‧支持部
26‧‧‧框部
41‧‧‧夾持部
41a‧‧‧表面
41b‧‧‧凸部
41c‧‧‧傾斜面
41d‧‧‧傾斜面
41e‧‧‧缺口部
42‧‧‧腳部
42a‧‧‧止動部
50‧‧‧拉曼分光分析裝置
51‧‧‧平台
52‧‧‧光源
53‧‧‧光學零件
54‧‧‧光學零件
55‧‧‧檢測器
56‧‧‧壓住機構
57‧‧‧保持器
60‧‧‧治具
圖1係本發明之第1實施形態之表面增強拉曼散射單元之俯視圖。
圖2係沿著圖1之表面增強拉曼散射單元之II-II之剖面圖。
圖3係圖1之表面增強拉曼散射單元之仰視圖。
圖4係沿著圖1之表面增強拉曼散射單元之II-II之局部放大剖面圖。
圖5係圖1之表面增強拉曼散射單元之光學功能部之SEM照片。
圖6係設置有圖1之表面增強拉曼散射單元之拉曼分光分析裝置之構成圖。
圖7(a)~(c)係圖1之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大俯視圖。
圖8係圖1之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大剖面圖。
圖9(a)、(b)係圖1之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大俯視圖及局部放大剖面圖。
圖10係本發明之第2實施形態之表面增強拉曼散射單元之俯視圖。
圖11係沿著圖10之表面增強拉曼散射單元之XI-XI線之剖面圖。
圖12係設置有圖10之表面增強拉曼散射單元之拉曼分光分析裝置之構成圖。
圖13(a)、(b)係圖10之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大剖面圖。
圖14(a)、(b)係圖10之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大剖面圖。
圖15(a)、(b)係圖10之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大俯視圖及局部放大剖面圖。
圖16(a)、(b)係圖10之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大俯視圖及局部放大剖面圖。
圖17係圖10之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大俯視圖。
圖18(a)、(b)係本發明之第3實施形態之表面增強拉曼散射單元之局部放大剖面圖。
圖19(a)~(c)係圖18之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大剖面圖。
圖20(a)~(c)係圖18之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大剖面圖。
圖21(a)~(c)係圖18之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大剖面圖。
圖22係本發明之另一實施形態之表面增強拉曼散射單元之局部放大俯視圖。
圖23係本發明之另一實施形態之表面增強拉曼散射單元之立體圖。
以下，參照圖式就本發明之較佳實施形態進行詳細說明。再
者，於各圖中對相同或相當部分標註相同符號，並省略重複之說明。
如圖1及圖2所示，SERS單元(表面增強拉曼散射單元)1A包括：SERS元件(表面增強拉曼散射元件)2；測定用基板3，其於測定時支持SERS元件2；及保持部4，其將SERS元件2機械性地保持於測定用基板3。再者，所謂「機械性」係指「不利用接著劑等，而利用構件彼此之嵌合」之含義。
於測定用基板3之正面3a，設置有收納SERS元件2及保持部4之凹部5。另一方面，如圖3所示，於測定用基板3之背面3b，以形成沿著與測定用基板3之厚度方向垂直之方向延伸之壁部6、7之方式，設置有複數個空心部8。作為一例，壁部6沿著測定用基板3之外緣形成環狀，壁部7於壁部6之內側形成格子狀。測定用基板3形成長方形板狀。凹部5及各空心部8形成長方體狀。此種測定用基板3係藉由樹脂(聚丙烯、聚苯乙烯、ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、聚乙烯、PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PMMA(polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)、聚矽氧、液晶聚合物等)、陶瓷、玻璃、矽等材料，利用成型、切削、蝕刻等方法而一體形成。
如圖4所示，SERS元件2包括基板21、形成於基板21上之成形層22、及形成於成形層22上之導電體層23。作為一例，基板21藉由矽或玻璃等而形成矩形板狀，且具有數百μm×數百μm~數十mm×數十mm左右之外形及100μm~2mm左右之厚度。
成形層22具有微細構造部24、支持部25、及框部26。微細構造部24為具有週期性圖案之區域，且於成形層22之中央部形成於與基板21為相反側之表層。於微細構造部24，作為週期性圖案的具有數nm~數百nm左右之粗度及高度之複數個支柱以數十nm~數百nm左右之
間距週期性地排列。支持部25為支持微細構造部24之區域，且形成於基板21之表面21a。框部26為包圍支持部25之環狀之區域，且形成於基板21之表面21a。
作為一例，微細構造部24於自測定用基板3之厚度方向之一側觀察時，具有數百μm×數百μm~數十mm×數十mm左右之矩形狀之外形。支持部25及框部26具有數十nm~數十μm左右之厚度。此種成形層22例如藉由將配置於基板21上之樹脂(丙烯酸系、氟系、環氧系、聚矽氧系、胺基甲酸酯系、PET、聚碳酸酯或無機有機混合材料等)或低熔點玻璃利用奈米壓印法成形，而一體形成。
導電體層23形成在自微細構造部24至框部26。於微細構造部24，導電體層23到達露出於基板21之相反側之支持部25之表面。作為一例，導電體層23具有數nm~數μm左右之厚度。此種導電體層23例如藉由將金屬(Au、Ag、Al、Cu或Pt等)等導電體蒸鍍於利用奈米壓印法成形之成形層22而一體形成。
SERS元件2中，藉由遍及微細構造部24之表面、以及於露出於基板21之相反側之支持部25之表面所形成之導電體層23，而於基板21上形成產生表面增強拉曼散射之光學功能部20。作為參考，示出光學功能部20之SEM照片。圖5所示之光學功能部係於具有以特定間距(中心線間距360nm)週期性地排列之複數個支柱(直徑120nm，高度180nm)之奈米壓印樹脂製之微細構造部，以膜厚成為50nm之方式蒸鍍Au作為導電體層而成者。
如圖4所示，於凹部5之底面5a，設置有收納SERS元件2之基板21側之一部分的凹部9。凹部9形成與SERS元件2之基板21側之一部分具有互補關係之形狀，限制SERS元件2向與基板21之厚度方向垂直之方向移動。再者，SERS元件2並不藉由接著劑等固定於凹部9之內表面，而僅接觸於凹部9之內表面。
保持部4包含：夾持部41，其於自基板21之厚度方向觀察時以包圍光學功能部20之方式形成環狀；及複數個腳部42，其等自夾持部41向測定用基板3之背面3b側延伸。於凹部5之底面5a，以與腳部42之各者對應之方式設置有嵌合孔11。各腳部42在夾持部41包圍光學功能部20且接觸於SERS元件2之導電體層23之狀態下嵌合於各嵌合孔11。如此，與測定用基板3形成為獨立個體之保持部4機械性地固定於測定用基板3，配置於凹部9之SERS元件2由測定用基板3與保持部4之夾持部41夾持。藉此，SERS元件2機械性地保持於測定用基板3。再者，嵌合孔11有底，並未貫通測定用基板3。
作為一例，夾持部41於自基板21之厚度方向觀察時以外緣成為矩形狀且內緣成為圓形狀之方式形成，腳部42自夾持部41之4個角部之各者向測定用基板3之背面3b側延伸。藉由將夾持部41之內緣形成圓形狀，而避免對SERS元件2作用局部之按壓力。腳部42及嵌合孔11形成圓柱狀。包含此種夾持部41及腳部42之保持部4可藉由樹脂(聚丙烯、聚苯乙烯、ABS樹脂、聚乙烯、PET、PMMA、聚矽氧、液晶聚合物等)、陶瓷、玻璃、矽等材料，利用成型、切削、蝕刻等方法而一體形成。
進而，SERS單元1A包括具有透光性之蓋12。蓋12配置於設置在凹部5之開口部之擴寬部13，且覆蓋凹部5之開口部。擴寬部13形成與蓋12具有互補關係之形狀，限制蓋12向與蓋12之厚度方向垂直之方向移動。保持部4之夾持部41之表面41a與擴寬部13之底面13a為大致齊平。藉此，蓋12不僅由測定用基板3支持亦由保持部4支持。作為一例，蓋12藉由玻璃等而形成矩形板狀，且具有18mm×18mm左右之外形及0.15mm左右之厚度。再者，於SERS單元1A之使用前，以將蓋12覆蓋之方式於測定用基板3貼附暫時固定膜14，以防止蓋12自測定用基板3脫落。
其次，就使用SERS單元1A之拉曼分光分析方法進行說明。此處，如圖6所示，於拉曼分光分析裝置50中實施拉曼分光分析方法，該拉曼分光分析裝置50包括：平台51，其支持SERS單元1A；光源52，其射出激發光；光學零件53，其進行將激發光照射至光學功能部20所需之準直、濾色、聚光等；光學零件54，其進行將拉曼散射光引導至檢測器55所需之準直、濾色等；及檢測器55，其檢測拉曼散射光。
首先，準備SERS單元1A，自測定用基板3剝離暫時固定膜14，自測定用基板3卸除蓋12。繼而，於保持部4之夾持部41之內側之區域滴下溶液試樣(或者，於水或乙醇之溶液中分散粉體之試樣而成者)，藉此於光學功能部20上配置溶液試樣(第1步驟)。繼而，為減少透鏡效應，將蓋12配置於測定用基板3之擴寬部13，使蓋12密接於溶液試樣。
其後，將測定用基板3配置於平台51上，將SERS單元1A設置於拉曼分光分析裝置50。繼而，將自光源52射出且經過光學零件53之激發光照射至配置於光學功能部20上之溶液試樣，藉此激發溶液試樣。此時，使平台51以激發光之焦點對準光學功能部20之方式移動。藉此，於光學功能部20與溶液試樣之界面產生表面增強拉曼散射，來自溶液試樣之拉曼散射光被增強至例如108倍左右後被釋放出。繼而，使所被釋放出之拉曼散射光經過光學零件54而由檢測器55檢測，藉此進行拉曼分光分析(第2步驟)。
再者，於光學功能部20上配置試樣之方法除上述方法以外，亦存在如下之方法。例如，亦可抓持測定用基板3，將SERS元件2浸漬於溶液試樣(或者，於水或乙醇等溶液中分散粉體之試樣而成者)後提起，進行吹風而使該試樣乾燥。又，亦可將溶液試樣(或者，於水或乙醇等溶液中分散粉體之試樣而成者)微量滴下至光學功能部20上，使該試樣自然乾燥。又，亦可使粉體之試樣直接分散於光學功能部20
上。
其次，就藉由SERS單元1A而發揮之效果進行說明。首先，SERS單元1A中，藉由保持部4而將SERS元件2機械性地保持於測定用基板3。藉此，例如與藉由接著劑將SERS元件2固定於測定用基板3之情形相比，可抑制因接著劑所含之成分而導致光學功能部20劣化。因此，根據SERS單元1A，可抑制光學功能部20之劣化。其結果，根據使用SERS單元1A之拉曼分光分析方法，可精度良好地進行拉曼分光分析。
又，SERS單元1A中，保持部4包含夾持部41，該夾持部41係於與測定用基板3之間夾持SERS元件2。藉此，可謀求將SERS元件2確實地保持於測定用基板3。進而，可防止SERS元件2中形成於基板21上之成形層22及導電體層23自基板21剝離。
又，SERS單元1A中，夾持部41於自基板21之厚度方向觀察時以包圍光學功能部20之方式形成環狀。藉此，可謀求將SERS元件2穩定地保持於測定用基板3。進而，可將夾持部41之內側之區域用作溶液試樣之槽(腔室)。此時，即便溶液試樣滲出至夾持部41之外側之區域，亦由於設置在測定用基板3之凹部5之底面5a之嵌合孔11有底，故而可防止溶液試樣滲出至凹部5之外側。而且，於進行拉曼分光分析之情形時，使夾持部41抵接於拉曼分光分析裝置50之特定部位時(參照圖12)，可將夾持部41用作用以使激發光之焦點對準光學功能部20之間隔件。
又，SERS單元1A中，於測定用基板3設置有凹部9，該凹部9收納SERS元件2之基板21側之一部分，且限制SERS元件2向與基板21之厚度方向垂直之方向移動。藉此，可將SERS元件2相對於測定用基板3定位。進而，可防止SERS元件2相對於測定用基板3偏移。
又，SERS單元1A中，保持部4係與測定用基板3形成獨立個體，
且機械性地固定於測定用基板3。藉此，可謀求測定用基板3之構造之簡化。而且，例如與藉由接著劑將保持部4固定於測定用基板3之情形相比，可抑制因接著劑所含之成分而導致光學功能部20劣化。
又，SERS單元1A中，測定用基板3藉由樹脂而一體形成。藉此，由於不易產生碎屑，故而可更確實地抑制因碎屑片之附著而導致光學功能部20劣化。進而，藉由對測定用基板3之外表面實施壓紋加工、或者測定用基板3之材料使用光吸收色之樹脂，可抑制於拉曼分光分析時產生雜散光。
又，SERS單元1A中，於測定用基板3，以形成沿著與測定用基板3之厚度方向垂直之方向延伸之壁部6、7之方式，設置有複數個空心部8。藉此，防止測定用基板3產生翹曲，故而於進行拉曼分光分析之情形時，將測定用基板3配置於拉曼分光分析裝置50之平台51上時，可將激發光之焦點精度良好地對準光學功能部20。
其次，就SERS單元1A之變化例進行說明。如圖7所示，保持部4之夾持部41亦可於自基板21之厚度方向觀察時以內緣成為矩形狀之方式形成。而且，如圖7(a)所示，夾持部41亦可以於其內緣之環狀區域與SERS元件2接觸之方式形成。或者，如圖7(b)所示，夾持部41亦可以於其內緣之環狀區域中的對向區域與SERS元件2接觸之方式形成。或者，如圖7(c)所示，夾持部41亦可以於形成在其內緣之複數個凸部41b處與SERS元件2接觸之方式形成。
又，如圖8所示，保持部4之夾持部41之表面41a亦可相對於測定用基板3之擴寬部13之底面13a而位於凹部5之內側。於該情形時，蓋12僅由測定用基板3支持。又，如圖9所示，關於環狀之夾持部41之對向部分，亦可為一部分可旋轉地支持於測定用基板3，另一部分構成為可卡合於測定用基板3。根據該構成，可於將保持部4安裝在測定用基板3之狀態下管理測定用基板3及保持部4。而且，於組裝SERS單元
1A時，在打開保持部4之狀態下將SERS元件2配置於凹部9，其後，閉合保持部4並使夾持部41之另一部分卡合於測定用基板3，藉此可使保持部4容易地保持SERS元件2。再者，為使保持部4之開閉易於執行，亦可於保持部4之一部分與測定用基板3之間設置彈簧。
如圖10及圖11所示，SERS單元1B與上述SERS單元1A主要的不同點，在於保持部4之夾持部41於SERS元件2之光學功能部20之周圍配置有複數個。於SERS單元1B中，收納SERS元件2之基板21側之一部分之凹部9設置於測定用基板3之正面3a。保持部4包含：夾持部41，其於SERS元件2之光學功能部20之周圍配置有複數個；及腳部42，其自夾持部41之各者向測定用基板3之背面3b側延伸。於測定用基板3之正面3a，以與腳部42之各者對應之方式設置有嵌合孔11。各腳部42在夾持部41接觸於SERS元件2之導電體層23之狀態下嵌合於各嵌合孔11。
於以如上方式構成之SERS單元1B中，亦與上述SERS單元1A同樣地，藉由保持部4而將SERS元件2機械性地保持於測定用基板3。因此，根據SERS單元1B，可抑制光學功能部20之劣化。
又，於SERS單元1B中，亦與上述SERS單元1A同樣地，保持部4包含夾持部41，該夾持部係於與測定用基板3之間夾持SERS元件2。藉此，可謀求將SERS元件2確實地保持於測定用基板3。進而，可防止SERS元件2中形成於基板21上之成形層22及導電體層23自基板21剝離。
又，SERS單元1B中，夾持部41於光學功能部20之周圍配置有複數個。藉此，可謀求將SERS元件2穩定地保持於測定用基板3。進而，如圖12所示，於進行拉曼分光分析之情形時，將SERS單元1B設置於拉曼分光分析裝置50之壓住機構56並使夾持部41抵接於拉曼分光
分析裝置50之保持器57時，可將夾持部41用作用以使激發光之焦點對準光學功能部20之間隔件。此時，藉由夾持部41亦防止因物理接觸而引起光學功能部20之破損。
又，SERS單元1B中，夾持部41可以腳部42為軸相對於測定用基板3進行旋轉。藉此，於組裝SERS單元1B之前之階段中，可於將保持部4安裝在測定用基板3並使夾持部41自測定用基板3之凹部9上退避之狀態下管理測定用基板3及保持部4。而且，於組裝SERS單元1B時，將SERS元件2配置於凹部9之後，使夾持部41以腳部42為軸進行旋轉，藉此可使保持部4容易地保持SERS元件2。
其次，就SERS單元1B之變化例進行說明。如圖13(a)所示，亦可於設置在測定用基板3之凹部9之側面，設置配置保持部4之各腳部42之導引槽15。根據該構成，可將腳部42容易且確實地嵌合於嵌合孔11。再者，於該情形時，可藉由各腳部42而將SERS元件2定位。又，於設置有導引槽15之情形時，亦可如圖13(b)所示，藉由凹部9而將SERS元件2定位。
又，如圖14(a)所示，SERS元件2亦可配置於測定用基板3之正面3a。即，SERS元件2之基板21之下表面，亦可抵接於測定用基板3之正面3a。根據該構成，可使測定用基板3之強度提高相當於未設置凹部9之程度。進而，如圖14(b)所示，亦可於保持部4之各腳部42形成止動部42a。根據該構成，藉由將腳部42嵌入嵌合孔11直至止動部42a接觸於測定用基板3為止，從而藉由夾持部41之接觸而作用於SERS元件2之按壓力係大致固定，因此可避免該按壓力過度地作用於SERS元件2。
又，如圖15所示，為限制夾持部41以腳部42為軸相對於測定用基板3旋轉時之夾持部41之旋轉範圍，亦可於測定用基板3之正面3a設置凹部16。根據該構成，於組裝SERS單元1B之前之階段，可將夾持
部41自測定用基板3之凹部9上退避之位置設為大致固定。因此，於組裝SERS單元1B時，可謀求使夾持部41以腳部42為軸進行旋轉而使保持部4保持SERS元件2之作業之效率化。
又，如圖16所示，亦可以夾持部41可相對於配置在凹部9之SERS元件2而進退之方式使保持部4卡合於測定用基板3。又，如圖17所示，亦可以於SERS元件2之外緣之環狀區域中的對向區域之各者與SERS元件2接觸之方式配置複數個夾持部41。
如圖18所示，SERS單元1C與上述SERS單元1B主要的不同點，在於保持部4與測定用基板3係一體形成。於組裝SERS單元1C時，如圖18(a)所示，以打開各夾持部41之方式使保持部4變形，將SERS元件2配置於測定用基板3，其後，如圖18(b)所示，以關閉各夾持部41之方式使保持部4之變形返回至原本之狀態，而使保持部4保持SERS元件2。
於以如上方式構成之SERS單元1C中，亦與上述SERS單元1B同樣地，藉由保持部4而將SERS元件2機械性地保持於測定用基板3。因此，根據SERS單元1C，可抑制光學功能部20之劣化。
又，於SERS單元1C中，亦與上述SERS單元1B同樣地，保持部4包含夾持部41，該夾持部41係於與測定用基板3之間夾持SERS元件2。藉此，可謀求將SERS元件2確實地保持於測定用基板3。進而，可防止SERS元件2中形成於基板21上之成形層22及導電體層23自基板21剝離。
又，SERS單元1C中，保持部4與測定用基板3一體形成。藉此，可減少SERS單元1C之零件數。而且，例如與藉由接著劑將保持部4固定於測定用基板3之情形相比，可抑制因接著劑所含之成分而導致光學功能部20劣化。
其次，就SERS單元1C之變化例進行說明。如圖19所示，各夾持部41亦可包含以朝向測定用基板3之相反側擴寬之方式形成之傾斜面41c。根據該構成，於組裝SERS單元1C時，可將SERS元件2容易地引導至測定用基板3之保持位置。進而，可抑制於拉曼分光分析時產生雜散光。又，如圖20所示，各夾持部41亦可包含以朝向測定用基板3側擴寬之方式形成之傾斜面41d。根據該構成，於組裝SERS單元1C時，可謀求以打開各夾持部41之方式使保持部4變形之作業之容易化。又，如圖21所示，各夾持部41亦可包含缺口部41e，該缺口部41e供用於以打開各夾持部41之方式使保持部4變形之作業的治具60卡合。根據該構成，於組裝SERS單元1C時，可確實地防止治具60接觸於光學功能部20，且藉由使用治具60，可謀求以打開各夾持部41之方式使保持部4變形之作業之容易化。
以上，就本發明之第1~第3實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述各實施形態。例如圖22所示，亦可於配置SERS元件2之凹部9內，與測定用基板3一體形成於與測定用基板3之正面3a平行之方向夾持SERS元件2之彈簧狀之保持部4。根據該構成，可使SERS元件2之表面之大致整個區域為光學功能部20。
又，如圖23所示，亦可於測定用基板3上配置複數個SERS元件2，將包含與該SERS元件2之各者之光學功能部20對應之複數個開口4a的保持部4安裝於測定用基板3。根據如此構成之SERS單元1D，可對複數個試樣效率良好地進行拉曼分光分析。
又，測定用基板3之材料並不限定於樹脂，亦可為低熔點玻璃或陶瓷等。於測定用基板3之材料為低熔點玻璃之情形時，與樹脂之情形同樣地，可藉由一體成型而形成測定用基板3。於測定用基板3之材料為陶瓷之情形時，可藉由煅燒而形成測定用基板3。此外，SERS單元1A~1D之各構成之材料及形狀並不限於上述材料及形狀，可應用
各種材料及形狀。再者，環狀並不限定於圓環狀，包含矩形環狀等其他形狀之環狀。
又，微細構造部24例如既可介隔支持部25而間接地形成於基板21之表面21a上，亦可直接地形成於基板21之表面21a上。又，導電體層23並不限定於直接地形成於微細構造部24上者，亦可介隔用以使金屬相對於微細構造部24之密接性提高之緩衝金屬(Ti或Cr等)層等某些層而間接地形成於微細構造部24上。
根據本發明，可提供一種可抑制光學功能部之劣化之表面增強拉曼散射單元、及使用此種表面增強拉曼散射單元之拉曼分光分析方法。
1A‧‧‧SERS單元(表面增強拉曼散射單元)
2‧‧‧SERS元件(表面增強拉曼散射元件)
3‧‧‧測定用基板
3a‧‧‧正面
3b‧‧‧背面
4‧‧‧保持部
5‧‧‧凹部
6、7‧‧‧壁部
8‧‧‧空心部
11‧‧‧嵌合孔
12‧‧‧蓋
13‧‧‧擴寬部
14‧‧‧暫時固定膜
20‧‧‧光學功能部
41‧‧‧夾持部
42‧‧‧腳部
Claims (29)
- 一種表面增強拉曼散射單元，其包括：表面增強拉曼散射元件，其包含基板、及形成於上述基板上且產生表面增強拉曼散射之光學功能部；測定用基板，其於測定時支持上述表面增強拉曼散射元件；及保持部，其將上述表面增強拉曼散射元件機械性地保持於上述測定用基板。
- 如請求項1之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部包含夾持部，該夾持部係於與上述測定用基板之間夾持上述表面增強拉曼散射元件。
- 如請求項2之表面增強拉曼散射單元，其中上述夾持部於自上述基板之厚度方向觀察時，以包圍上述光學功能部之方式形成環狀。
- 如請求項2之表面增強拉曼散射單元，其中上述夾持部於上述光學功能部之周圍配置有複數個。
- 如請求項1至4中任一項之表面增強拉曼散射單元，其中於上述測定用基板設置有凹部，該凹部收納上述表面增強拉曼散射元件之至少上述基板側之一部分，且限制上述表面增強拉曼散射元件向與上述基板之厚度方向垂直之方向移動。
- 如請求項1至4中任一項之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部係與上述測定用基板形成獨立個體，且機械性地固定於上述測定用基板。
- 如請求項5之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部係與上述測定用基板形成獨立個體，且機械性地固定於上述測定用基 板。
- 如請求項1至4中任一項之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部與上述測定用基板係一體形成。
- 如請求項5之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部與上述測定用基板係一體形成。
- 如請求項1至4中任一項之表面增強拉曼散射單元，其中上述測定用基板藉由樹脂而一體形成。
- 如請求項5之表面增強拉曼散射單元，其中上述測定用基板藉由樹脂而一體形成。
- 如請求項6之表面增強拉曼散射單元，其中上述測定用基板藉由樹脂而一體形成。
- 如請求項7之表面增強拉曼散射單元，其中上述測定用基板藉由樹脂而一體形成。
- 如請求項8之表面增強拉曼散射單元，其中上述測定用基板藉由樹脂而一體形成。
- 如請求項9之表面增強拉曼散射單元，其中上述測定用基板藉由樹脂而一體形成。
- 如請求項10之表面增強拉曼散射單元，其中於上述測定用基板，以形成沿著與上述測定用基板之厚度方向垂直之方向延伸之壁部之方式設置有空心部。
- 如請求項1至4中任一項之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項5之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項6之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項7之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項8之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項9之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項10之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項11之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項12之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項13之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項14之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 如請求項15之表面增強拉曼散射單元，其中上述保持部夾持上述表面增強拉曼散射元件之側面。
- 一種拉曼分光分析方法，其包括：第1步驟，其係準備如請求項1至28中任一項之表面增強拉曼散射單元，於上述光學功能部上配置試樣；及第2步驟，其係於上述第1步驟之後，將上述表面增強拉曼散射單元設置於拉曼分光分析裝置，對配置於上述光學功能部上之上述試樣照射激發光，檢測來自上述試樣之拉曼散射光，藉此進行拉曼分光分析。
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| JP1680387S (zh) * | 2018-05-01 | 2021-03-01 | ||
| US11959859B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-16 | Edwin Thomas Carlen | Multi-gas detection system and method |
| JP2023092659A (ja) * | 2021-12-22 | 2023-07-04 | 株式会社Subaru | 接着界面観察方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200728706A (en) * | 2005-10-25 | 2007-08-01 | Univ Kyushu | Substrate for analysis for use in Raman spectroscopic analysis and substrate assembly for analysis |
| JP2007538264A (ja) * | 2004-05-19 | 2007-12-27 | ブィピー ホールディング、エルエルシー | Ｓｅｒｓによる化学基の増強検出のための層状プラズモン構造をもつ光センサ |
| JP2008268059A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | St Japan Inc | 試料ホルダ |
| JP2009103643A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Fujifilm Corp | 表面増強ラマン分光装置 |
| TW200932913A (en) * | 2007-11-26 | 2009-08-01 | Univ Nat Yang Ming | Method for identifying microorganism or detecting its morphology alteration using surface enhanced raman scattering (SERS) |
| TW201111771A (en) * | 2009-09-24 | 2011-04-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Raman scattering substrate and detecting system having same |
| JP2012233707A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Nano Photon Kk | 観察試料密閉容器 |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07260646A (ja) | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Nikon Corp | 試料容器 |
| US7267948B2 (en) * | 1997-11-26 | 2007-09-11 | Ut-Battelle, Llc | SERS diagnostic platforms, methods and systems microarrays, biosensors and biochips |
| US20040023046A1 (en) * | 1998-08-04 | 2004-02-05 | Falko Schlottig | Carrier substrate for Raman spectrometric analysis |
| US6406777B1 (en) * | 2000-06-14 | 2002-06-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Metal and glass structure for use in surface enhanced Raman spectroscopy and method for fabricating same |
| US6614523B1 (en) * | 2000-06-14 | 2003-09-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Sensor for performing surface enhanced Raman spectroscopy |
| US20030235520A1 (en) * | 2002-06-21 | 2003-12-25 | Shea Laurence R. | Array assay devices and methods of using the same |
| US7460224B2 (en) | 2005-12-19 | 2008-12-02 | Opto Trace Technologies, Inc. | Arrays of nano structures for surface-enhanced Raman scattering |
| US8441631B2 (en) * | 2004-05-24 | 2013-05-14 | OptoTrace (SuZhou) Technologies, Inc. | Integrated device capable of performing chemical separation and light scattering |
| GB0424458D0 (en) | 2004-11-04 | 2004-12-08 | Mesophotonics Ltd | Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy |
| CA2586197C (en) | 2004-11-04 | 2012-08-14 | Mesophotonics Limited | Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy |
| US7358476B2 (en) * | 2005-12-22 | 2008-04-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Sensing photons from objects in channels |
| GB0606088D0 (en) * | 2006-03-27 | 2006-05-03 | E2V Biosensors Ltd | Improved serrs substrate |
| US7388661B2 (en) | 2006-10-20 | 2008-06-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanoscale structures, systems, and methods for use in nano-enhanced raman spectroscopy (NERS) |
| JP2008196992A (ja) | 2007-02-14 | 2008-08-28 | National Institute Of Information & Communication Technology | 表面プラズモンの電場増強構造 |
| JP5397577B2 (ja) | 2007-03-05 | 2014-01-22 | オムロン株式会社 | 表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ |
| JP4993360B2 (ja) | 2007-06-08 | 2012-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体及びその製造方法、光電場増強デバイス |
| JP2009047623A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Jiyasuko Eng Kk | 透過測定用ホルダ |
| JP2009222507A (ja) | 2008-03-14 | 2009-10-01 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 微量物質検出素子 |
| JP2009236830A (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 被分析物担体、及び、その製造方法 |
| CN101281133B (zh) | 2008-05-12 | 2010-08-18 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 具有大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法 |
| WO2010050203A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 日本電信電話株式会社 | 測定チップ着脱装置、ｓｐｒ測定システム及び測定チップ着脱方法 |
| KR20110097834A (ko) | 2008-11-17 | 2011-08-31 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 표면 증강 라만 산란을 위한 기판 |
| US8468220B2 (en) | 2009-04-21 | 2013-06-18 | Techguard Security Llc | Methods of structuring data, pre-compiled exception list engines, and network appliances |
| JP2011021085A (ja) | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 空気入りタイヤ用ゴム組成物 |
| WO2011009209A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Maher Harb | Nanofluidic cell |
| JP2011033518A (ja) | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Toray Res Center:Kk | 表面増強ラマン分光分析方法 |
| CN102483354B (zh) | 2009-09-17 | 2015-12-16 | 惠普发展公司，有限责任合伙企业 | 用于表面增强拉曼光谱术的电驱动设备 |
| JP2011075348A (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nidek Co Ltd | 試験片の製造方法 |
| US8767202B2 (en) | 2009-10-23 | 2014-07-01 | Danmarks Tekniske Universitet | SERS substrate and a method of providing a SERS substrate |
| CA2778725C (en) | 2009-10-28 | 2019-04-30 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
| JP5544836B2 (ja) | 2009-11-19 | 2014-07-09 | オムロン株式会社 | 表面プラズモン共鳴チップ |
| US20110166045A1 (en) | 2009-12-01 | 2011-07-07 | Anuj Dhawan | Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same |
| WO2012024006A2 (en) | 2010-05-21 | 2012-02-23 | Princeton University | Structures for enhancement of local electric field, light absorption, light radiation, material detection and methods for making and using of the same |
| JP5822239B2 (ja) | 2010-12-08 | 2015-11-24 | 公立大学法人大阪府立大学 | 金属ナノ粒子集積構造体を利用した被検出物質の検出装置および方法 |
| US9080980B2 (en) | 2011-07-27 | 2015-07-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Surface enhanced raman spectroscopy employing a nanorod in a surface indentation |
| JP2013173444A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Showa Corp | 電動パワーステアリング装置およびプログラム |
| TWI469917B (zh) | 2012-08-09 | 2015-01-21 | Nat Univ Tsing Hua | 具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置 |
| CN104508465B (zh) * | 2012-08-10 | 2018-12-21 | 浜松光子学株式会社 | 表面增强拉曼散射单元 |
| EP2889606A4 (en) | 2012-08-10 | 2016-04-20 | Hamamatsu Photonics Kk | SURFACE-REINFORCED RAM APPLICATION UNIT AND USE METHOD THEREFOR |
| JP6230250B2 (ja) | 2013-03-29 | 2017-11-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット、及びラマン分光分析方法 |
-
2014
- 2014-02-07 TW TW103104213A patent/TWI611175B/zh not_active IP Right Cessation
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-
2018
- 2018-03-22 US US15/928,886 patent/US10281404B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007538264A (ja) * | 2004-05-19 | 2007-12-27 | ブィピー ホールディング、エルエルシー | Ｓｅｒｓによる化学基の増強検出のための層状プラズモン構造をもつ光センサ |
| TW200728706A (en) * | 2005-10-25 | 2007-08-01 | Univ Kyushu | Substrate for analysis for use in Raman spectroscopic analysis and substrate assembly for analysis |
| JP2008268059A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | St Japan Inc | 試料ホルダ |
| JP2009103643A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Fujifilm Corp | 表面増強ラマン分光装置 |
| TW200932913A (en) * | 2007-11-26 | 2009-08-01 | Univ Nat Yang Ming | Method for identifying microorganism or detecting its morphology alteration using surface enhanced raman scattering (SERS) |
| TW201111771A (en) * | 2009-09-24 | 2011-04-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Raman scattering substrate and detecting system having same |
| JP2012233707A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Nano Photon Kk | 観察試料密閉容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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