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TWI606581B - 陣列基板、顯示裝置及陣列基板的製備方法 - Google Patents

陣列基板、顯示裝置及陣列基板的製備方法 Download PDF

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TWI606581B
TWI606581B TW105117101A TW105117101A TWI606581B TW I606581 B TWI606581 B TW I606581B TW 105117101 A TW105117101 A TW 105117101A TW 105117101 A TW105117101 A TW 105117101A TW I606581 B TWI606581 B TW I606581B
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thin film
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gate
gate insulating
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Inventor
林欣樺
高逸群
Original Assignee
鴻海精密工業股份有限公司
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Description

陣列基板、顯示裝置及陣列基板的製備方法
本發明涉及一種陣列基板、應用該陣列基板的顯示裝置、以及該陣列基板的製備方法，尤其涉及一種應用於有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示裝置的陣列基板。
平面顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。習知的平面顯示裝置主要包括液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)及有機電致發光器件(Organic Elcctroluminescence Device，OELD)，也稱為有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)。一般而言，OLED顯示器的顯示陣列基板包括一基板，所述基板上設置有連接畫素單元的畫素陣列及驅動所述畫素陣列的驅動電路。
鑒於以上內容，有必要提供能夠與皮膚緊密貼合的超聲波感測器。
一種陣列基板，其包括基板、設置於基板上的畫素陣列以及驅動電路，所述畫素陣列包括多個畫素單元，每一個畫素單元包括一發光二極體、一開關薄膜電晶體、一驅動薄膜電晶體，所述開關薄膜電晶體連接於所述驅動電路與所述驅動薄膜電晶體之間以控制所述驅動薄膜電晶體的導 通，該驅動薄膜電晶體包括依次設置在該基板上的緩衝層、閘極、第一閘極絕緣層、第二閘極絕緣層和金屬氧化物半導體層，該驅動薄膜電晶體還包括分別連接於該驅動薄膜電晶體的金屬氧化物半導體層的源極與汲極；該開關薄膜電晶體包括依次設置在該基板上的緩衝層、閘極、第二閘極絕緣層、和金屬氧化物半導體層，該開關薄膜電晶體還包括分別連接於該開關薄膜電晶體的金屬氧化物半導體層的源極與汲極。
一種應用上述陣列基板的顯示裝置。
一種陣列基板的製備方法，其包括如下步驟：提供一基板，在基板上形成多晶矽半導體層；在基板及多晶矽半導體層上沉積形成緩衝層，且在所述緩衝層上沉積第一金屬層，蝕刻並圖案化所述第一金屬層形成多晶矽薄膜電晶體的閘極、驅動薄膜電晶體的閘極、及開關薄膜電晶體的閘極，多晶矽薄膜電晶體的閘極正對所述多晶矽半導體層；形成第一閘極絕緣層覆蓋所述多晶矽薄膜電晶體的閘極與驅動薄膜電晶體的閘極；形成第二閘極絕緣層覆蓋所述第一閘極絕緣層及開關薄膜電晶體的閘極，並開設貫穿所述第一閘極絕緣層與所述第一閘極絕緣層的第一通孔與第二通孔以露出部分多晶矽半導體層；在第二閘極絕緣層上沉積金屬氧化物材料並圖案化所述金屬氧化物材料從而對應所述驅動薄膜電晶體的閘極及形成驅動薄膜電晶體的氧化物半導體層，並對應開關薄膜電晶體的閘極形成開關薄膜電晶體的氧化物半導體層；沉積第二金屬層並蝕刻圖案化所述第二金屬層形成填充於第一通孔與第二通孔中且分別連接多晶矽半導體層的源極和汲極、連接所述驅動 薄膜電晶體的氧化物半導體層的源極和汲極、及連接所述開關薄膜電晶體的氧化物半導體層的源極和汲極。
一種陣列基板的製備方法，其包括如下步驟：提供一基板，在基板上形成多晶矽半導體層；在基板及多晶矽半導體層上沉積形成緩衝層，且在所述緩衝層上沉積第一金屬層，蝕刻並圖案化所述第一金屬層形成多晶矽薄膜電晶體的閘極、驅動薄膜電晶體的閘極、及開關薄膜電晶體的閘極，多晶矽薄膜電晶體的閘極正對所述多晶矽半導體層；形成第一閘極絕緣層覆蓋所述多晶矽薄膜電晶體的閘極與驅動薄膜電晶體的閘極；形成第二閘極絕緣層覆蓋所述第一閘極絕緣層及開關薄膜電晶體的閘極，並開設貫穿所述第一閘極絕緣層與所述第一閘極絕緣層的第一通孔與第二通孔以露出部分多晶矽半導體層；沉積第二金屬層於第二閘極絕緣層上並蝕刻圖案化所述第二金屬層形成填充於第一通孔與第二通孔中且分別連接多晶矽半導體層的源極和汲極、驅動薄膜電晶體的源極和汲極、開關薄膜電晶體的源極和汲極；在第二閘極絕緣層上沉積金屬氧化物材料並圖案化所述金屬氧化物材料從而形成驅動薄膜電晶體的氧化物半導體層以連接驅動薄膜電晶體的源極和汲極，並形成開關薄膜電晶體的氧化物半導體層以連接開關薄膜電晶體的源極和汲極。
一種陣列基板的製備方法，其包括如下步驟：提供一基板，在基板上形成多晶矽半導體層；在基板及多晶矽半導體層上沉積形成緩衝層，且在所述緩衝層上沉積第一金屬層，蝕刻並圖案化所述第一金屬層形成多晶矽薄膜電晶體的 閘極、驅動薄膜電晶體的閘極、及開關薄膜電晶體的閘極，多晶矽薄膜電晶體的閘極正對所述多晶矽半導體層；形成第一閘極絕緣層覆蓋所述多晶矽薄膜電晶體的閘極與驅動薄膜電晶體的閘極；形成第二閘極絕緣層覆蓋所述第一閘極絕緣層及開關薄膜電晶體的閘極，並開設貫穿所述第一閘極絕緣層與所述第一閘極絕緣層的第一通孔與第二通孔以露出部分多晶矽半導體層；在第二閘極絕緣層上沉積金屬氧化物材料並圖案化所述金屬氧化物材料從而對應所述開關薄膜電晶體的閘極形成開關薄膜電晶體的氧化物半導體層；沉積第二金屬層於第二閘極絕緣層上並蝕刻圖案化所述第二金屬層形成填充於第一通孔與第二通孔中且分別連接多晶矽半導體層的源極和汲極、驅動薄膜電晶體的源極和汲極、開關薄膜電晶體的源極和汲極；在第二閘極絕緣層上沉積金屬氧化物材料並圖案化所述金屬氧化物材料從而形成驅動薄膜電晶體的氧化物半導體層以連接驅動薄膜電晶體的源極和汲極。
所述陣列基板的開關薄膜電晶體包括一層閘極絕緣層，而所述驅動薄膜電晶體包括兩層閘極絕緣層，所述驅動薄膜電晶體的閘極絕緣層的厚度厚於所述開關薄膜電晶體的閘極絕緣層，從而可以使得所述驅動薄膜電晶體的閘極電容值小於所述開關薄膜電晶體的閘極電容值，進而使得所述驅動薄膜電晶體的亞閾值擺幅大於所述開關薄膜電晶體的亞閾值擺幅。由於驅動薄膜電晶體的亞閾值擺幅較大，可以精細的控制所述發光二極體的亮度變化，很好的定義灰階。同時由於開關薄膜電晶體的亞閾值擺幅較小，可以降低操作電壓與增加電路操作速度。
1000‧‧‧顯示器
100‧‧‧陣列基板
10‧‧‧基板
20‧‧‧畫素陣列
30‧‧‧驅動電路
36‧‧‧源極驅動器
38‧‧‧閘極驅動器
22‧‧‧畫素單元
223‧‧‧開關薄膜電晶體
222‧‧‧驅動薄膜電晶體
221‧‧‧發光二極體
31‧‧‧多晶矽薄膜電晶體
301‧‧‧多晶矽半導體層
303，403，503‧‧‧緩衝層
305，405，505‧‧‧閘極
307，407‧‧‧第一閘極絕緣層
308，408，508‧‧‧第二閘極絕緣層
309,409，509‧‧‧源極
311，411，511‧‧‧汲極
413，513‧‧‧金屬氧化物半導體層
313‧‧‧第一通孔
315‧‧‧第二通孔
90‧‧‧平坦層
圖1為本發明的陣列基板的的示意圖。
圖2為圖1中畫素單元的等效電路圖。
圖3為圖1中陣列基板第一實施方式的剖面結構示意圖。
圖4至圖9為圖3所示的陣列基板各製作步驟之剖面結構示意圖。
圖10為圖3中陣列基板的製造流程圖。
圖11為圖1中陣列基板第二實施方式的剖面結構示意圖。
圖12為圖1中陣列基板第三實施方式的剖面結構示意圖。
請參考圖1，一種顯示器1000其包括一陣列基板100。所述顯示器1000為OLED顯示器。所述陣列基板100包括一基板10、多個畫素單元22連接形成的畫素陣列20、以及驅動電路30。所述基板10為平面矩形材料層，所述基板10可以是，但不限於，玻璃基板、石英基板或柔性基板。所述畫素陣列20用於為使用者顯示圖像，所述畫素陣列20由基板10上的多行及多列畫素單元22形成。所述驅動電路30包括閘極驅動器38及源極驅動器36。所述驅動電路30可由基板10上的薄膜電晶體形成。其中，所述陣列基板100為一混合型薄膜電晶體(Hybrid thin film transistor)陣列基板，且至少具有低溫多晶矽(Low Temperature Poly Silicon,LTPS)薄膜電晶體與金屬氧化物(Metal Oxide)薄膜電晶體設置於其上。
請一併參考圖2，每一畫素單元22包括一發光二極體221、一開關薄膜電晶體223、一驅動薄膜電晶體222及一電容C。所述開關薄膜電晶體223連接於所述驅動電路30與所述驅動薄膜電晶體222之間，以控制所述驅動薄膜電晶體222的導通與否。所述驅動薄膜電晶體222還連接於一電源VDD與所述發光二極體221之間。所述驅動薄膜電晶體222用於根據流過自身的電 流控制所述發光二極體221發射的光的量。所述電容C為一存儲電容，連接於所述驅動薄膜電晶體222的閘極與汲極之間，以調整所述驅動薄膜電晶體222狀態進而調整所述述發光二極體221發射的光的量。其中所述驅動薄膜電晶體222為一金屬氧化物薄膜電晶體。本實施方式中，所述驅動薄膜電晶體222的亞閾值擺幅(Subthreshold Swing)大於所述開關薄膜電晶體223的亞閾值擺幅。其中亞閾值擺幅在數值上表示為使電晶體的汲極電流變化一個數量級時所需要的閘極電壓的增量。在本實施例中，所述陣列基板100藉由調整驅動薄膜電晶體222及開關薄膜電晶體223的閘極絕緣層的厚度來實現亞閾值擺幅的調整。
請參考圖3，為具有不同厚度閘極絕緣層的驅動薄膜電晶體222及開關薄膜電晶體223的陣列基板100的薄膜電晶體的剖面結構示意圖，可以理解的是，剖面結構示意圖僅示出所述陣列基板100的部分(如所述陣列基板100的一個多晶矽薄膜電晶體31、一個開關薄膜電晶體223及一個驅動薄膜電晶體222)。其中，所述多晶矽薄膜電晶體31可設置在驅動電路30中，用於形成所述閘極驅動器38或源極驅動器36所需的開關元件，也可設置在畫素單元22中，作為補償用的薄膜電晶體。
可以理解的是，所述陣列基板100還包括所述發光二極體221的陰極、陽極、發射材料(圖未示)。其中，所述發光二極體221的陽極連接所述驅動薄膜電晶體222的汲極，所述發射材料設置於所述發光二極體的陰極與陽極之間。所述陣列基板100還包括介電層(圖未示)及平坦層90，所述介電層形成於所述發射材料的兩側，用於界定畫素單元的佈局，所述平坦層90形成於所述薄膜電晶體的頂部。
本實施方式中，所述多晶矽薄膜電晶體31為一低溫多晶矽薄膜電晶體，所述驅動薄膜電晶體222為一金屬氧化物薄膜電晶體，所述開關薄膜電晶體223同樣為一金屬氧化物薄膜電晶體。
所述多晶矽薄膜電晶體31包括多晶矽半導體層301、緩衝層303、閘極305、第一閘極絕緣層307、第二閘極絕緣層308、源極309與汲極311。所述多晶矽半導體層301、緩衝層303、閘極305、第一閘極絕緣層307及第二閘極絕緣層308依次層疊設置在所述基板10上。所述源極309經貫穿所述緩衝層303、第一閘極絕緣層307、第二閘極絕緣層308的第一通孔313與所述多晶矽半導體層301連接，所述汲極311經貫穿所述緩衝層303、第一閘極絕緣層307、第二閘極絕緣層308的第二通孔315與所述多晶矽半導體層301連接。
所述驅動薄膜電晶體222包括緩衝層403、閘極405、第一閘極絕緣層407、第二閘極絕緣層408、源極409、汲極411及金屬氧化物半導體層413。所述緩衝層403、閘極405、第一閘極絕緣層407、第二閘極絕緣層408、所述金屬氧化物半導體層413依次設置在所述基板10上。所述源極409與所述汲極411同層設置。所述金屬氧化物半導體層413用於連接所述源極409與所述汲極411。在本實施方式中，所述金屬氧化物半導體層413為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)。
所述開關薄膜電晶體223包括緩衝層503、閘極505、第二閘極絕緣層508、源極509、汲極511及金屬氧化物半導體層513。所述緩衝層503、閘極505、第二閘極絕緣層508及金屬氧化物半導體層513依次設置在所述基板10上。所述源極509與所述汲極511同層設置。所述金屬氧化物半導體層513用於連接所述源極509與所述汲極511。在本實施方式中，所述金屬氧化物半導體層513為氧化銦鎵鋅。
本實施方式中，所述緩衝層303、緩衝層403與緩衝層503同層設置，所述第一閘極絕緣層307與第一閘極絕緣層407同層設置，所述第二閘極絕緣層308、第二閘極絕緣層408與第二閘極絕緣層508同層設置。同層設置之所述緩衝層303、緩衝層403與緩衝層503採用絕緣材料製成。同層設置之所述第一絕緣層307、第一閘極絕緣層407採用氮化矽製成；同層設置之所述第二閘極絕緣層308、第二閘極絕緣層408與第二閘極絕緣層508採用氧化矽製成。或同層設置之所述第一絕緣層307、第一閘極絕緣層407採用氧化矽製成；同層設置之所述第二閘極絕緣層308、第二閘極絕緣層408與第二閘極絕緣層508採用氮化矽製成。
請一併參閱4至圖10，其中圖4至圖9為圖3所示的陣列基板100各製作步驟之結構示意圖，圖10為圖3所示的陣列基板100的製造流程圖。該陣列基板100的製備方法包括如下步驟：
步驟601，請參閱圖4，提供一基板10，在基板10上沉積非晶矽並經過退火(annealing)、離子摻雜形成多晶矽半導體層301。所述基板10可以是，但不限於，玻璃基板、石英基板或柔性基板。
步驟603，請參閱圖5，沉積形成所述緩衝層303、403、503，且在所述緩衝層303、403、503上沉積第一金屬層，蝕刻並圖案化所述第一金屬層形成閘極305、405、505。其中，在本實施方式中，先在形成有所述多晶矽半導體層301的所述基板10上塗布一絕緣材料層，從而形成覆蓋所述多晶矽半導體層301的緩衝層303以及緩衝層403與503。接著，沉積所述第一金屬層，藉由黃光微影蝕刻法蝕刻第一金屬層以形成所述閘極305、405、505，所述第一金屬層可為金屬材料或金屬合金，如鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、釹(Nd)等。所述黃光微影蝕刻法為液晶顯示面板的陣列基板製備工藝中常見的工藝步驟，此處不再贅述。
步驟605，請參閱圖6，沉積一第一絕緣層並覆蓋所述閘極305、405、505，並利用光罩遮罩所述閘極305、405以剝離所述閘極505上的第一絕緣層形成所述第一閘極絕緣層307、407。
其中，所述第一絕緣層採用氮化矽或氧化矽製成，優選地，所述第一絕緣層採用氮化矽製成。
步驟607，請參閱圖7，接續沉積一第二絕緣層形成第二閘極絕緣層308、408、508，並利用光罩遮罩所述第二閘極絕緣層308、408、508及所述緩衝層203上定義出貫穿所述第一絕緣層與所述第二絕緣層的第一通孔313與第二通孔315，從而暴露處出部分多晶矽半導體層301。
其中，所述第二絕緣層採用氮化矽或氧化矽製成，優選地，所述第二絕緣層採用氧化矽製成。且所述當第一絕緣層為氮化矽，第二絕緣層為氧化矽時，會使得開關薄膜電晶體223及驅動薄膜電晶體222的功能穩定。
步驟609，請參閱圖8，沉積金屬氧化物材料並圖案化所述金屬氧化物材料從而對應所述閘極405、505形成所述氧化物半導體層413、513。在本實施方式中，所述氧化物半導體層413、513材料為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)、氧化鋅(Zine Oxide,ZnO)、氧化銦(Indium Oxide,InO)、氧化鎵(Gallium Oxide,GaO)或其混合物。
步驟611，請參閱圖9，沉積第二金屬層並蝕刻圖案化所述第二金屬層形成源極309、409、509與汲極311、411及511。其中，所述源極309經所述第一通孔313與所述多晶矽半導體層301連接，所述汲極311經所述第二通孔315與所述多晶矽半導體層301連接。
步驟613，請參閱圖3，形成平坦化層90覆蓋所述薄膜電晶體31、222、223，然後形成發光二極體221的發射材料、陰極、介電層及與所述驅動薄膜電晶體222連接的陽極。
本實施方式中，所述多晶矽薄膜電晶體31為低溫多晶矽式薄膜電晶體，其可以但不限於設置於所述顯示器1000的非顯示區內。當所述多晶矽薄膜電晶體31設置於所述顯示器1000的非顯示區內時，所述多晶矽式薄膜電晶體31具有高電子遷移率進而提高的驅動電路的反應速度，且所述多晶矽式薄膜電晶體31體積小可使顯示裝置達到窄邊框。
進一步，所述開關薄膜電晶體223包括一層閘極絕緣層而所述驅動薄膜電晶體222包括兩層閘極絕緣層，所述驅動薄膜電晶體222的閘極絕緣層的厚度大於所述開關薄膜電晶體223的閘極絕緣層的厚度，從而可以使得所述驅動薄膜電晶體222的閘極電容值小於所述開關薄膜電晶體223的閘極電容值，進而使得所述驅動薄膜電晶體222的亞閾值擺幅大於所述開關薄膜電晶體223的亞閾值擺幅。由於驅動薄膜電晶體222的亞閾值擺幅較大，可以精細的控制所述發光二極體221的亮度變化，很好的定義灰階。同時由於開關薄膜電晶體223的亞閾值擺幅較小，可以降低操作電壓與增加電路操作速度。
請參考圖11，為OLED之陣列基板的薄膜電晶體第二實施方式的剖面結構示意圖。後續的描述中與前述實施方式相同的元件採用相同的元件標號，且本實施方式與前述實施方式的薄膜電晶體陣列的結構相同之處不再重複描述，後續僅描述不同之處。在本實施方式中，為避免氧化物薄膜電晶體進行高溫氫化製程時對所述金屬氧化物半導體的損害，所述驅動薄膜電晶體222的金屬氧化物半導體層413在驅動薄膜電晶體222的源極409與汲極411形成之後形成，以避免蝕刻所述第二金屬層形成源極409與汲極411時對所述金屬氧化物半導體413的損害。也就是說，所述驅動薄膜電晶體222的源極409與所述汲極411同層設置完成之後，所述金屬氧化物半導體層413對應閘極405設置在第二閘極絕緣層408上。
對應的，在製作如圖11所示的OLED之陣列基板時，在形成第二閘極絕緣層並定義第一及第二通孔之後，沉積金屬氧化物材料形成開關薄膜電晶體223的氧化物半導體層513，接著沉積第二金屬層並蝕刻圖案化所述第二金屬層形成所述多晶矽薄膜電晶體31、所述開關薄膜電晶體223及所述驅動薄膜電晶體222的源極與汲極，然後再次沉積金屬氧化物材料形成驅動薄膜電晶體222的金屬氧化物半導體層413。
如圖12所示，所述開關薄膜電晶體223或驅動薄膜電晶體222的金屬氧化物半導體層413、513均在形成源極409、509與汲極411、511之後形成，以避免蝕刻所述第二金屬層形成源極409、509與汲極411、511時，對所述金屬氧化物半導體造成損害。
可以理解的是，其他實施方式中，可選的，所述開關薄膜電晶體223或驅動薄膜電晶體222中其中之一的金屬氧化物半導體層413、513在形成源極409、509與汲極411、511之後形成。如，僅選擇開關薄膜電晶體223的金屬氧化物半導體層513在形成源極509與汲極511之後形成。
100‧‧‧陣列基板
10‧‧‧基板
223‧‧‧開關薄膜電晶體
222‧‧‧驅動薄膜電晶體
31‧‧‧多晶矽薄膜電晶體
301‧‧‧多晶矽半導體層
303，403，503‧‧‧緩衝層
305，405，505‧‧‧閘極
307，407‧‧‧第一閘極絕緣層
308，408，508‧‧‧第二閘極絕緣層
309，409，509‧‧‧源極
311，411，511‧‧‧汲極
413，513‧‧‧金屬氧化物半導體層
313‧‧‧第一通孔
315‧‧‧第二通孔
90‧‧‧平坦層

Claims (11)

  1. 一種陣列基板，其包括基板、設置於基板上的畫素陣列以及驅動電路，所述畫素陣列包括多個畫素單元，每一個畫素單元包括一發光二極體、一開關薄膜電晶體、一驅動薄膜電晶體，所述開關薄膜電晶體連接於所述驅動電路與所述驅動薄膜電晶體之間以控制所述驅動薄膜電晶體的導通，其改良在於：該驅動薄膜電晶體包括依次設置在該基板上的緩衝層、閘極、第一閘極絕緣層、第二閘極絕緣層和金屬氧化物半導體層，該驅動薄膜電晶體還包括分別連接於該驅動薄膜電晶體的金屬氧化物半導體層的源極與汲極；該開關薄膜電晶體包括依次設置在該基板上的緩衝層、閘極、第二閘極絕緣層、和金屬氧化物半導體層，該開關薄膜電晶體還包括分別連接於該開關薄膜電晶體的金屬氧化物半導體層的源極與汲極；所述陣列基板還包括至少一多晶矽薄膜電晶體，所述驅動電路包括閘極驅動器及源極驅動器，所述多晶矽薄膜電晶體設置在驅動電路中，用於形成所述閘極驅動器或源極驅動器的開關元件層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中：所述多晶矽薄膜電晶體包括依次設置在基板上的多晶矽半導體層、緩衝層、閘極、第一閘極絕緣層及第二閘極絕緣層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的陣列基板，其中：所述陣列基板還包括平坦化層，該平坦化層覆蓋所述開關薄膜電晶體、所述驅動薄膜電晶體和所述多晶矽薄膜電晶體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中：所述多晶矽薄膜電晶體設置在所述畫素單元中。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的陣列基板，其中：所述驅動薄膜電晶體、所述開關薄膜電晶體與所述多晶矽薄膜電晶體的緩衝層為同層設 置，所述多晶矽薄膜電晶體與所述驅動薄膜電晶體的第一閘極絕緣層為同層設置，所述所述驅動薄膜電晶體、所述開關薄膜電晶體與所述多晶矽薄膜電晶體的第二閘極絕緣層為同層設置。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的陣列基板，其中：所述多晶矽薄膜電晶體還包括分別貫穿所述緩衝層、第一閘極絕緣層、第二閘極絕緣層且與所述多晶矽半導體層連接的源極和汲極。
  7. 一種應用專利範圍第1-6項中任意一項所述陣列基板的顯示裝置。
  8. 一種陣列基板的製備方法，其包括如下步驟：提供一基板，在基板上形成多晶矽半導體層；在基板及多晶矽半導體層上沉積形成緩衝層，且在所述緩衝層上沉積第一金屬層，蝕刻並圖案化所述第一金屬層形成多晶矽薄膜電晶體的閘極、驅動薄膜電晶體的閘極、及開關薄膜電晶體的閘極，多晶矽薄膜電晶體的閘極正對所述多晶矽半導體層；形成第一閘極絕緣層覆蓋所述多晶矽薄膜電晶體的閘極與驅動薄膜電晶體的閘極；形成第二閘極絕緣層覆蓋所述第一閘極絕緣層及開關薄膜電晶體的閘極，並開設貫穿所述第一閘極絕緣層與所述第二閘極絕緣層的第一通孔與第二通孔以露出部分多晶矽半導體層；在第二閘極絕緣層上沉積金屬氧化物材料並圖案化所述金屬氧化物材料從而對應所述驅動薄膜電晶體的閘極形成驅動薄膜電晶體的氧化物半導體層，並對應開關薄膜電晶體的閘極形成開關薄膜電晶體的氧化物半導體層；沉積第二金屬層並蝕刻圖案化所述第二金屬層形成填充於第一通孔與第二通孔中且分別連接多晶矽半導體層的源極和汲極、連接所述驅動薄膜電晶 體的氧化物半導體層的源極和汲極、及連接所述開關薄膜電晶體的氧化物半導體層的源極和汲極。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的製備方法，其中：所述方法還包括形成平坦化層覆蓋所述開關薄膜電晶體、所述驅動薄膜電晶體和所述多晶矽薄膜電晶體；然後形成發光二極體的發射材料、陰極、介電層及與所述驅動薄膜電晶體連接的陽極。
  10. 一種陣列基板的製備方法，其包括如下步驟：提供一基板，在基板上形成多晶矽半導體層；在基板及多晶矽半導體層上沉積形成緩衝層，且在所述緩衝層上沉積第一金屬層，蝕刻並圖案化所述第一金屬層形成多晶矽薄膜電晶體的閘極、驅動薄膜電晶體的閘極、及開關薄膜電晶體的閘極，多晶矽薄膜電晶體的閘極正對所述多晶矽半導體層；形成第一閘極絕緣層覆蓋所述多晶矽薄膜電晶體的閘極與驅動薄膜電晶體的閘極；形成第二閘極絕緣層覆蓋所述第一閘極絕緣層及開關薄膜電晶體的閘極，並開設貫穿所述第一閘極絕緣層與所述第二閘極絕緣層的第一通孔與第二通孔以露出部分多晶矽半導體層；沉積第二金屬層於第二閘極絕緣層上並蝕刻圖案化所述第二金屬層形成填充於第一通孔與第二通孔中且分別連接多晶矽半導體層的源極和汲極、驅動薄膜電晶體的源極和汲極、開關薄膜電晶體的源極和汲極；在第二閘極絕緣層上沉積金屬氧化物材料並圖案化所述金屬氧化物材料從而形成驅動薄膜電晶體的氧化物半導體層以連接驅動薄膜電晶體的源極和汲極，並形成開關薄膜電晶體的氧化物半導體層以連接開關薄膜電晶體的源極和汲極。
  11. 一種陣列基板的製備方法，其包括如下步驟：提供一基板，在基板上形成多晶矽半導體層；在基板及多晶矽半導體層上沉積形成緩衝層，且在所述緩衝層上沉積第一金屬層，蝕刻並圖案化所述第一金屬層形成多晶矽薄膜電晶體的閘極、驅動薄膜電晶體的閘極、及開關薄膜電晶體的閘極，多晶矽薄膜電晶體的閘極正對所述多晶矽半導體層；形成第一閘極絕緣層覆蓋所述多晶矽薄膜電晶體的閘極與驅動薄膜電晶體的閘極；形成第二閘極絕緣層覆蓋所述第一閘極絕緣層及開關薄膜電晶體的閘極，並開設貫穿所述第一閘極絕緣層與所述第二閘極絕緣層的第一通孔與第二通孔以露出部分多晶矽半導體層；在第二閘極絕緣層上沉積金屬氧化物材料並圖案化所述金屬氧化物材料從而對應所述開關薄膜電晶體的閘極形成開關薄膜電晶體的氧化物半導體層；沉積第二金屬層於第二閘極絕緣層上並蝕刻圖案化所述第二金屬層形成填充於第一通孔與第二通孔中且分別連接多晶矽半導體層的源極和汲極、驅動薄膜電晶體的源極和汲極、開關薄膜電晶體的源極和汲極；在第二閘極絕緣層上沉積金屬氧化物材料並圖案化所述金屬氧化物材料從而形成驅動薄膜電晶體的氧化物半導體層以連接驅動薄膜電晶體的源極和汲極。
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