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TWI688123B - 料帶結構 - Google Patents

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TWI688123B
TWI688123B TW108109403A TW108109403A TWI688123B TW I688123 B TWI688123 B TW I688123B TW 108109403 A TW108109403 A TW 108109403A TW 108109403 A TW108109403 A TW 108109403A TW I688123 B TWI688123 B TW I688123B
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陳長翰
籃國禎
池紋瑩
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隆達電子股份有限公司
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Abstract

一種料帶結構包含基板以及塑料層。塑料層設置於基板上,並包含本體以及外環部。本體具有複數個凹杯結構。外環部環繞連接本體,並且具有複數個對位記號。任一對位記號的中心線對齊兩相鄰凹杯結構之間的交界線。

Description

料帶結構
本揭示係關於一種料帶結構。
現有的料帶結構通常在基板上設置有對位記號,以於對料帶結構進行切割時協助對準塑料層上相鄰凹杯的交界。然而,基板上對位記號與塑料層係於不同的兩道製程中形成,故基板上的對位記號之精準度有限。
有鑑於此,本揭示之一目的在於提出一種具有更精確的對位記號之料帶結構。
為達成上述目的,依據本揭示的一些實施方式,一種料帶結構包含基板以及塑料層。塑料層設置於基板上,並包含本體以及外環部。本體具有複數個凹杯結構。外環部環繞連接本體,並且具有複數個對位記號。任一對位記號的中心線對齊兩相鄰凹杯結構之間的交界線。
依據本揭示的一些實施方式,一種料帶結構包含基板以及塑料層。塑料層設置於基板上,並包含固晶區以及外環部。固晶區具有複數個固晶段。外環部環繞固晶區,並且具 有複數個對位記號。任一對位記號的中心線對齊兩相鄰固晶段之間的交界線。
於本揭示的一或多個實施方式中,對位記號沿外環部的外緣線設置。
於本揭示的一或多個實施方式中,對位記號為突起結構,其由外緣線突出於外環部。
於本揭示的一或多個實施方式中,對位記號為兩相鄰的突起結構,兩突起結構間具有間隙,對位記號的中心線通過間隙。
於本揭示的一或多個實施方式中,對位記號為內凹結構,其由外緣線內縮於外環部。
於本揭示的一或多個實施方式中,其中兩該對位記號重疊於一相同交界線,且所述兩對位記號位於本體的相對兩側。
於本揭示的一或多個實施方式中,對位記號相對於基板的高度小於本體相對於基板的高度。
於本揭示的一或多個實施方式中,最外側的凹杯結構至少具有邊界線,其對齊備位記號。
於本揭示的一或多個實施方式中,備位記號的結構與對位記號的結構相同。
綜上所述,本揭示的料帶結構直接於塑料層上形成對位記號,有效地提高對位記號對齊相鄰凹杯/固晶段之間的交界的精準度。
100、300、400、500‧‧‧料帶結構
110‧‧‧基板
120、320、420、520‧‧‧塑料層
130‧‧‧本體
131‧‧‧凹杯結構
132、133‧‧‧交界線
134、135‧‧‧邊界線
140、340、440‧‧‧外環部
141、341、441‧‧‧對位記號
142‧‧‧外緣線
143‧‧‧備位記號
341a、341b‧‧‧突起結構
341c‧‧‧間隙
530‧‧‧固晶區
531‧‧‧固晶段
CL‧‧‧中心線
H1、H2‧‧‧高度
X1‧‧‧第一方向
X2‧‧‧第二方向
為使本揭示之上述及其他目的、特徵、優點與實施方式能更明顯易懂,所附圖式之說明如下:第1圖為繪示依據本揭示一實施方式之料帶結構的俯視圖。
第2圖為繪示第1圖所示之料帶結構沿線段N-N’的局部放大剖視圖。
第3圖為繪示依據本揭示另一實施方式之料帶結構的局部放大俯視圖。
第4圖為繪示依據本揭示另一實施方式之料帶結構的局部放大俯視圖。
第5圖為繪示依據本揭示另一實施方式之料帶結構的俯視圖。
第6圖為繪示第5圖所示之料帶結構沿線段M-M’的局部放大剖視圖。
為使本揭示之敘述更加詳盡與完備,可參照所附之圖式及以下所述各種實施方式。圖式中之各元件未按比例繪製,且僅為說明本揭示而提供。以下描述許多實務上之細節,以提供對本揭示的全面理解,然而,相關領域具普通技術者應當理解可在沒有一或多個實務上之細節的情況下實施本揭示,因此,該些細節不應用以限定本揭示。
請參照第1圖,其為繪示依據本揭示一實施方式之料帶結構100的俯視圖。於本實施方式中,料帶結構100為發光二極體料帶結構,其用以承載發光二極體晶片(圖未示)。料帶結構100包含基板110以及設置於基板110上的塑料層120。於一些實施方式中,基板110為金屬基板或陶瓷基板,塑料層120以模塑成型(molding)的方式形成於基板110上。
如第1圖所示,塑料層120包含本體130以及環繞連接本體130的外環部140。本體130具有上下貫穿的複數個凹杯結構131(亦可參閱第2圖),其配置以供發光二極體晶片設置。於本實施方式中,凹杯結構131以矩陣形式排列,並且每一凹杯結構131實質上佔據一矩形區域。具體而言,凹杯結構131沿第一方向X1排列為複數個直排,並且沿垂直於第一方向X1的第二方向X2排列為複數個橫排。兩相鄰直排的凹杯結構131之間具有沿第一方向X1延伸的交界線132,而兩相鄰橫排的凹杯結構131之間具有沿第二方向X2延伸的交界線133。交界線132、133為預定的切割線,於圖中以虛線表示。另外,位於最左/右側直排的凹杯結構131的左/右側具有沿第一方向X1延伸的邊界線134,而位於最上/下方橫排的凹杯結構131的上/下側具有沿第二方向X2延伸的邊界線135。本揭示不限於上述的凹杯結構131排列方式。
如第1圖所示,外環部140具有複數個對位記號141,其沿著外環部140的外緣線142設置。對位記號141的中心線CL對齊交界線132、133,且位於本體130相對兩側(亦即,上下兩側或左右兩側)的兩對位記號141重疊於同一交界線 132、133。具體而言,於本實施方式中,對位記號141為對稱的突起結構,其由外環部140突出於外緣線142。設置於本體130上下兩側的對位記號141平行於交界線132延伸(換言之,垂直於交界線133延伸),且其中心線CL對齊交界線132。設置於本體130左右兩側的對位記號141平行於交界線133延伸(換言之,垂直於交界線132延伸),且其中心線CL對齊交界線133。對料帶結構100進行切割時,對位記號141可協助對準相鄰凹杯結構131之間的交界線132、133,以平均地將相鄰凹杯結構131切割分離。
近來發光二極體封裝尺寸的縮小,使得凹杯結構131的側壁逐漸變薄,若切割時稍有偏差可能損壞凹杯結構131。本揭示改進現有的料帶結構將對位記號設置於基板上的做法,將對位記號141與凹杯結構131於成型塑料層120的製程中同時形成,因此能更精準地對齊凹杯結構131之間的交界線132、132。
需說明的的是,儘管於第1圖中每一交界線132、133均有對應的對位記號141,但本揭示不以此為限。於另一些實施方式中,僅部分交界線132、133具有對應的對位記號141,切割機器配置以在對齊特定對位記號141並進行切割後,平移固定距離以進行下一次切割。
如第1圖所示,於一些實施方式中,外環部140還具有對齊最外側的凹杯結構131之邊界線134、135的複數個備位記號143。備位記號143為對稱的突起結構,其由外緣線142突出於外環部140,並且平行於邊界線134或邊界線135延伸。 備位記號143的中心線CL對齊邊界線134、135,以協助準確地切除外環部140。於本實施方式中,備位記號143與對位記號141的結構相同,但本揭示不以此為限。
請參照第2圖,其為繪示第1圖所示之料帶結構100沿線段N-N’的局部放大剖視圖。於一些實施方式中,在垂直於基板110的方向上,對位記號141相對於基板110的高度H1小於本體130相對於基板110的高度H2。由於對位記號141位於塑料層120最外圍的部分,將對位記號141的高度設計的較低使得用以形成塑料層120的模具在外圍部分高度較低,因此於模具內注入塑料時較容易將模具填滿,從而能形成位置準確且清楚的對位記號141。於一些實施方式中,不僅是對位記號141的高度,外環部140整體高度皆為小於本體高度H2的高度H1,但本揭示不以此為限。
請參照第3圖,其為繪示依據本揭示另一實施方式之料帶結構300的局部放大俯視圖。料帶結構300包含基板110以及設置於基板110上的塑料層320,而塑料層320包含本體130以及環繞連接本體130的外環部340,其中基板110以及本體130的結構與第1圖所示的實施方式相同,因此可參照前文相關描述,在此不贅述。本實施方式與第1圖所示的實施方式的差異處,在於料帶結構300的外環部340具有結構與對位記號141相異的對位記號341。具體而言,對位記號341包含兩相鄰但彼此分離的突起結構341a、341b。突起結構341a、341b由外緣線142突出於外環部340,且兩者間具有間隙341c,對位記號341的中心線CL通過間隙341c,並且對稱地 劃分間隙341c。對料帶結構300進行切割時,突起結構341a、341b之間的間隙341c可協助對齊交界線132切割,以將交界線132兩側的凹杯結構131分離。於一些實施方式中,備位記號(未示於第3圖中)亦由兩相鄰但彼此分離的突起結構組成。
請參照第4圖,其為繪示依據本揭示另一實施方式之料帶結構400的局部放大俯視圖。料帶結構400包含基板110以及設置於基板110上的塑料層420,而塑料層420包含本體130以及環繞連接本體130的外環部440,其中基板110以及本體130的結構與第1圖所示的實施方式相同,因此可參照前文相關描述,在此不贅述。本實施方式與第1圖所示的實施方式的差異處,在於料帶結構400的外環部440具有結構與對位記號141相異的對位記號441。具體而言,對位記號441為對稱的內凹結構,其由外緣線142內縮於外環部440。對位記號441平行於交界線132延伸,且其中心線CL對齊交界線132。於一些實施方式中,備位記號(未示於第4圖中)亦為內凹結構。
需說明的是,對位記號的外型不限於第1圖至第4圖所示的實施方式,只要對位記號設置於塑料層,從而能與凹杯結構於同一道製程中形成,對位記號可具有任何合適的外型。
請參照第5圖以及第6圖。第5圖為繪示依據本揭示另一實施方式之料帶結構500的俯視圖,而第6圖為繪示第5圖所示之料帶結構500沿線段M-M’的局部放大剖視圖。如第5 圖所示,料帶結構500包含基板110以及設置於基板110上的塑料層520,其中塑料層520具有固晶區530以及外環部140。外環部140環繞固晶區530,並且相對於固晶區530高起(如第6圖所示)。
如第5圖所示,固晶區530具有以矩陣形式排列的複數個固晶段531,固晶段531係配置以供發光二極體晶片(圖未示)設置。相鄰的固晶段531之間具有沿第一方向X1延伸的交界線132或是沿第二方向X2延伸的交界線133。外環部140具有複數個對位記號141,對位記號141由外環部140突出於外緣線142,並且其中心線CL對齊交界線132、133。於一些實施方式中,外環部140還具有複數個備位記號143,備位記號143的中心線CL對齊最外側的固晶段531之邊界線134、135。
需說明的是,本實施方式的塑料層520的外環部140與第1圖所示之實施方式實質上相同,故前段僅針對其主要特徵做描述,其他細節可參考前文中相關敘述。另外,亦可以對位記號341或對位記號441或其他合適外型的對位記號來取代料帶結構500的對位記號141。
綜上所述,本揭示的料帶結構直接於塑料層上形成對位記號,有效地提高對位記號對齊相鄰凹杯/固晶段之間的交界的精準度。
儘管本揭示已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本揭示,任何熟習此技藝者,於不脫離本揭示之精神及範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本揭示之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧料帶結構
110‧‧‧基板
120‧‧‧塑料層
130‧‧‧本體
131‧‧‧凹杯結構
132、133‧‧‧交界線
134、135‧‧‧邊界線
140‧‧‧外環部
141‧‧‧對位記號
142‧‧‧外緣線
143‧‧‧備位記號
CL‧‧‧中心線
X1‧‧‧第一方向
X2‧‧‧第二方向

Claims (10)

  1. 一種料帶結構,包含:一基板;以及一塑料層,設置於該基板上,並包含:一本體,具有複數個凹杯結構;以及一外環部,環繞連接該本體,並且具有複數個對位記號,任一該些對位記號的一中心線對齊該些凹杯結構中之兩相鄰者之間的一交界線,其中該些對位記號沿該外環部的一外緣線設置,且任一該些對位記號為一突起結構,該突起結構由該外緣線突出於該外環部。
  2. 一種料帶結構,包含:一基板;以及一塑料層,設置於該基板上,並包含:一固晶區,具有複數個固晶段;以及一外環部,環繞該固晶區,並且具有複數個對位記號,任一該些對位記號的一中心線對齊該些固晶段中之兩相鄰者之間的一交界線,其中該些對位記號沿該外環部的一外緣線設置,且任一該些對位記號為一突起結構,該突起結構由該外緣線突出於該外環部。
  3. 一種料帶結構,包含:一基板;以及一塑料層,設置於該基板上,並包含: 一本體,具有複數個凹杯結構;以及一外環部,環繞連接該本體,並且具有複數個對位記號,任一該些對位記號的一中心線對齊該些凹杯結構中之兩相鄰者之間的一交界線,其中該些對位記號沿該外環部的一外緣線設置,且任一該些對位記號為一內凹結構,該內凹結構由該外緣線內縮於該外環部。
  4. 一種料帶結構,包含:一基板;以及一塑料層,設置於該基板上,並包含:一固晶區,具有複數個固晶段;以及一外環部,環繞該固晶區,並且具有複數個對位記號,任一該些對位記號的一中心線對齊該些固晶段中之兩相鄰者之間的一交界線,其中該些對位記號沿該外環部的一外緣線設置,且任一該些對位記號為一內凹結構,該內凹結構由該外緣線內縮於該外環部。
  5. 一種料帶結構,包含:一基板;以及一塑料層,設置於該基板上,並包含:一本體,具有複數個凹杯結構;以及一外環部,環繞連接該本體,並且具有複數個對位記號,任一該些對位記號的一中心線對齊該些凹杯結構中之兩相鄰者之間的一交界線,其中任一該些對 位記號為兩相鄰的突起結構,該些突起結構間具有一間隙,對應的該中心線通過該間隙。
  6. 一種料帶結構,包含:一基板;以及一塑料層,設置於該基板上,並包含:一固晶區,具有複數個固晶段;以及一外環部,環繞該固晶區,並且具有複數個對位記號,任一該些對位記號的一中心線對齊該些固晶段中之兩相鄰者之間的一交界線,其中任一該些對位記號為兩相鄰的突起結構,該些突起結構間具有一間隙,對應的該中心線通過該間隙。
  7. 如請求項1~6任一所述之料帶結構,其中任兩該些對位記號重疊於一相同交界線,並且位於該塑料層的相對兩側。
  8. 如請求項1、3或5所述之料帶結構,其中任一該些對位記號相對於該基板的一高度小於該本體相對於該基板的一高度。
  9. 如請求項1、3或5所述之料帶結構,其中最外側的該些凹杯結構至少具有一邊界線,並且對齊一備位記號。
  10. 如請求項9所述之料帶結構,其中該備位記號的結構與任一該些對位記號的結構相同。
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