[go: up one dir, main page]

TWI680821B - 雷射加工裝置 - Google Patents

雷射加工裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI680821B
TWI680821B TW105119575A TW105119575A TWI680821B TW I680821 B TWI680821 B TW I680821B TW 105119575 A TW105119575 A TW 105119575A TW 105119575 A TW105119575 A TW 105119575A TW I680821 B TWI680821 B TW I680821B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser light
axis direction
pulsed laser
light
laser processing
Prior art date
Application number
TW105119575A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201713442A (zh
Inventor
小田切航
岩本拓
小田中健太郎
大久保広成
築地修一郎
根橋功一
裘魯 卡瓦
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201713442A publication Critical patent/TW201713442A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI680821B publication Critical patent/TWI680821B/zh

Links

Images

Classifications

    • H10P54/00—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10P14/3816—
    • H10P34/42—
    • H10P34/422—
    • H10P72/0428—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H10P74/203—
    • H10P74/238—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)

Abstract

提供一種雷射加工裝置，其可以監視由於藉由 雷射光線照射手段所照射之雷射光線之輸出的變化或由於在光學系統產生歪斜而產生的雷射加工溝之寬度的變化。

雷射加工裝置之雷射光線照射包含：脈衝雷 射光線振盪；聚光器，其係聚光脈衝雷射而照射至被保持在挾盤載置台之被加工物；二向色鏡，其係被配設在脈衝雷射光線振盪手段和聚光器之間；閃光燈光照射手段，對配設有二向色鏡和聚光器之路徑照射光；分束器，其係被配設在閃光燈光照射手段和二向色鏡之間；及攝影手段，其係被配設在藉由分束器而被分歧之路徑上。控制手段係配合被照射至被加工物之脈衝雷射光線之時序，使閃光燈光照射手段和攝影手段作動，根據來自攝影手段之畫像訊號，檢測出緊接著脈衝雷射光線被照射之後的雷射加工溝之寬度。

Description

雷射加工裝置
本發明係關於對被保持於挾盤載置台之半導體晶圓等之被加工物施予雷射加工的雷射加工裝置。
在半導體裝置製造過程中，藉由在略圓板形狀之半導體晶圓之表面被配列成格子狀之分割預定線區劃複數區域，在該被區劃之區域形成IC、LSI等之裝置。而且，藉由沿著分割預定線切斷半導體晶圓，分割形成有裝置之區域而製造岀各個半導體裝置晶片。
作為沿著分割預定線分割半導體晶圓等之晶圓的方法，藉由沿著分割預定線照射相對於晶圓具有吸收性之波長的脈衝雷射光線施予剝蝕加工而形成雷射加工溝，且藉由沿著形成有成為該斷裂起點的雷射加工溝之分割預定線對晶圓施加外力，來進行割斷的技術被實用化。
進行上述雷射加工之雷射加工裝置具備保持被加工物之挾盤載置台，和對被保持於該挾盤載置台之被加工物照射雷射光線之雷射光線照射手段，和使被挾盤載置台和雷射光線照射手段相對性移動的移動手段，和檢測 岀應對被保持在被挾盤載置台之被加工物進行加工之區域的對準手段(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-253432號公報
然而，當藉由雷射光線照射手段被照射之雷射光線之輸出變化或在光學系統產生歪斜時，有雷射加工溝之寬度變寬或變窄，使得無法對被加工物施予期待之加工的問題。
本發明係鑒於上述情形而創作岀，其主要之技術課題係提供可以監視由於藉由雷射光線照射手段而被照射之雷射光線之輸出的變化或在光學系統產生歪斜而產生的雷射加工溝之寬度的變化之雷射加工裝置。
為了解決上述主要之技術課題，若藉由本發明時，則提供一種雷射加工裝置，其特徵在於具備：挾盤載置台，其係保持被加工物；雷射光線照射手段，其係對被保持在該挾盤載置台之該被加工物照射雷射光線；X軸方向移動手段，其係使該挾盤載置台和該雷射光線照射手 段在屬於加工進給之方向的X軸方向相對性移動；Y軸方向移動手段，其係使該挾盤載置台和該雷射光線照射手段在屬於與X軸方向正交之分度進給方向的Y軸方向相對性移動；及控制手段，其係控制該雷射光線照射手段和該X軸方向移動手段和該Y軸方向移動手段；該雷射光線照射手段包含：脈衝雷射光線振盪手段，其係使該脈衝雷射光線振盪；聚光器，其係聚光從該脈衝雷射光線振盪手段被振盪之該脈衝雷射光線而照射至被保持在該挾盤載置台之該被加工物；二向色鏡，其係被配設在該脈衝雷射光線振盪手段和該聚光器之間，反射從該脈衝雷射光線振盪手段被振盪之該脈衝雷射光線而引導至該聚光器，同時穿透該脈衝雷射光線之波長以外之波長的光；閃光燈光照射手段，對配設有該二向色鏡和該聚光器之路徑照射光；分束器，其係被配設在該閃光燈光照射手段和該二向色鏡之間，使來自被保持在該挾盤載置台之該被加工物的光予以分歧；及攝影手段，其係被配設在藉由該分束器而被分歧之路徑上，該控制手段係配合藉由該脈衝雷射光線振盪手段而被振盪，且被照射至被保持在該挾盤載置台之該被加工物的該脈衝雷射光線之時序，使該閃光燈光照射手段和該攝影手段作動，且根據來自該攝影手段之畫像訊號，檢測岀緊接著照射該脈衝雷射光線之後的雷射加工溝之寬度。
較理想係上述控制手段在被檢測岀之該雷射加工溝之寬度為容許範圍外之情況下，停止雷射光線照射 手段之作動，中斷加工。
再者，上述控制手段係檢測岀根據來自該攝影手段之畫像訊號而檢測岀從特定被設定在該被加工物之應加工的區域之標靶至形成的該雷射加工溝之中心為止之Y軸方向距離之設定值，和至藉由該脈衝雷射光線之照射而形成的該雷射加工溝之中心為止之Y軸方向距離之偏移量。
較理想係上述控制手段在上述設定值和藉由該脈衝雷射光線之照射而形成之該雷射加工溝之中心為止之Y軸方向距離之偏移量超過容許值之情況下，控制該Y軸方向移動手段而修正該脈衝雷射光線被照射之位置。
因當藉由本發明之雷射加工裝置時，控制手段由於配合使被照射於被加工物之脈衝雷射光線之時序而使閃光燈光照射手段和攝影手段作動，且根據來自攝影手段之畫像訊號檢測岀緊接著脈衝雷射光線被照射之後的雷射加工溝之寬度，故在脈衝雷射光線之輸出變化或在光學系統產生歪斜而使得雷射加工溝之寬度變寬或變窄之情況下，以實時檢測岀雷射加工溝之異常，能夠以中斷導致品質下降之異常加工等來對應。
再者，在根據來自上述攝影手段之畫像訊號而檢測岀從特定被設定在被加工物之應加工的區域之標靶至形成的雷射加工溝之中心為止之Y軸方向距離之設定值，和至藉由脈衝雷射光線之照射而形成的雷射加工溝之中心為止之Y軸方向距離之偏移量超過容許值之情況下，控制上述Y 軸方向移動手段而修正脈衝雷射光線被照射之位置，可以維持期待之雷射加工。
2‧‧‧靜止基台
3‧‧‧挾盤載置台機構
36‧‧‧挾盤載置台
37‧‧‧X軸方向移動手段
374‧‧‧X軸方向位置檢測手段
38‧‧‧Y軸方向移動手段
384‧‧‧Y軸方向位置檢測手段
4‧‧‧雷射光線照射單元
5‧‧‧雷射光線照射手段
51‧‧‧脈衝雷射光線振盪手段
52‧‧‧聚光器
53‧‧‧二向色鏡
54‧‧‧閃光燈光照射手段
541‧‧‧閃光燈光源
55‧‧‧分束器
56‧‧‧攝影手段
562‧‧‧攝影元件(CCD)
6‧‧‧對準手段
7‧‧‧控制手段
10‧‧‧半導體晶圓
F‧‧‧環狀之框架
T‧‧‧黏貼膠帶
圖1為依本發明所構成之雷射加工裝置之斜視圖。
圖2為安裝於圖1所示之雷射加工裝置的脈衝雷射光線照射手段之方塊構成圖。
圖3為安裝於圖1所示之雷射加工裝置的控制手段之方塊構成圖。
圖4為半導體晶圓之斜視圖。
圖5係表示將圖4所示之半導體晶圓黏貼在安裝於環狀之框架的切割膠帶之表面的狀態的斜視圖。
圖6為藉由圖1所示之雷射加工裝置實施的雷射加工工程之說明圖。
圖7為表示藉由雷射光線照射手段被照射之脈衝雷射光線和閃光燈光照射手段被照射之光的時序之說明圖。
圖8為藉由圖1所示之雷射加工裝置實施的雷射光線照射位置監視工程之說明圖。
以下，針對依本發明構成的雷射加工裝置之最佳的實施形態，參照附件圖面詳細說明。
圖1表示依本發明所構成之雷射加工裝置之 斜視圖。圖1所示之雷射加工裝置1具備靜止基台2，和以能夠在屬於以箭號X表示之加工進給方向之X軸方向之方式被配設在該靜止基台2上，保持被加工物之挾盤載置台機構3，和被配設在基台2上當作雷射光線照射手段之雷射光線照射單元4。
上述挾盤載置台機構3具備沿著X軸方向平行地被配設在靜止基台2之一對導軌31、31，和以能夠在X軸方向移動之方式被配設在該導軌31、31之第1滑動塊32，和藉由圓筒構件34被支撐在該第2滑動塊33上之支撐台35，和當作被加工物保持手段之挾盤載置台36。該挾盤載置台36具備從多孔性材料所形成之吸附挾盤361，成為藉由無圖示之吸引手段在屬於吸挾盤361之上面的保持面上保持被加工物例如圓形狀之半導體晶圓。構成如此之挾盤載置台6藉由被配設在圓筒構件34內之無圖示之脈衝馬達被迫旋轉。另外，在挾盤載置台36配設有用以固定隔著保護膠帶支撐半導體晶圓等之被加工物的環狀之框架的挾盤362。
上述第1滑動塊32在其下面設置有與上述一對導軌31、31嵌合之一對被導引溝321、321，同時在其上面設置有沿著Y軸方向平行形成之一對導軌322、322。如此構成之第1滑動塊32係藉由被導引溝321、321嵌合於一對導軌31、31，被構成能夠沿著一對導軌31、31而在X軸方向移動。挾盤載置台機構3具備用以使第1滑動塊32沿著一對導軌31、31在X軸方向移動之 X軸方向移動手段37。X軸方向移動手段37包含平行配設在上述一對導軌31和31之間的公螺桿371，和用以使該公螺桿271旋轉驅動之脈衝馬達372等之驅動源。公螺桿371係其一端旋轉自如地被支撐於固定在上述靜止基台2之軸承塊373，其另一端與上述脈衝馬達372之輸出軸傳動連結。另外，公螺桿371與形成在被設置成突出於第1滑動塊32之中央部下面的無圖示之母螺紋塊上的貫通母螺紋孔螺合。因此，藉由利用脈衝馬達372使公螺桿371正轉及逆轉驅動，令第1滑動塊32沿著導軌31、31移動至X軸方向。
雷射加工裝置1具備用以檢測出上述挾盤載置台36之X軸方向位置之X軸方向位置檢測手段374。X軸方向位置檢測手段374係由沿著導軌31而配設之線性標尺374a，和配設在第1滑動塊32之第1滑動塊32，還有沿著線性標尺374a而移動之讀取頭374b所構成。該X軸方向位置檢測手段374之讀取頭374b在本實施形態中，每1μm，將1脈衝之脈衝訊號送至後述之控制手段。而且，後述之控制手段係藉由計數所輸入的脈衝訊號，檢測出挾盤載置台36之X軸方向位置。另外，於使用脈衝馬達372當作上述X軸方向移動手段37之驅動源之情況下，藉由計數對脈衝馬達372輸出驅動訊號之控制手段之驅動脈衝，也可以檢測出挾盤載置台36之X軸方向位置。再者，於使用伺服馬達當作上述X軸方向移動手段37之驅動源之情況下，將檢測出伺服馬達之旋轉數之旋 轉編碼器輸出之脈衝訊號送至後述之控制手段，藉由計數控制手段所輸入的脈衝訊號，也可以檢測出挾盤載置台36之X軸方向位置。
上述第2滑動塊33在其下面設置有與被設置在上述第1滑動塊32之上面的一對導軌322、322嵌合之一對被導引溝331、331，藉由將該被導引溝331、331嵌合於一對導軌322、322，被構成能夠在Y軸方向移動。挾盤載置台機構3具備有用以使第2滑動塊33沿著被設置在第1滑動塊32之一對導軌322、322而在Y軸方向移動之Y軸方向移動手段38。Y軸方向移動手段38包含平行配設在上述一對導軌322和322之間的公螺桿381，和用以使該公螺桿381旋轉驅動之脈衝馬達382等之驅動源。公螺桿381係其一端旋轉自如地被支撐於固定在上述第1滑動塊32之上面的軸承塊383，其另一端與上述脈衝馬達382之輸出軸傳動連結。另外，公螺桿381與形成在被設置成突出於第2滑動塊33之中央部下面的無圖示之母螺紋塊上的貫通母螺紋孔螺合。因此，藉由利用脈衝馬達382使公螺桿381正轉及逆轉驅動，令第2滑動塊33沿著導軌322、322移動至Y軸方向。
雷射加工裝置1具備用以檢測出上述第2滑動塊33之Y軸方向位置的Y軸方向位置檢測手段384。Y軸方向位置檢測手段384係由沿著導軌322而配設之線性標尺374a，和配設在第2滑動塊33之第2滑動塊33，還有沿著線性標尺374a而移動之讀取頭384b所構成。該 Y軸方向位置檢測手段384之讀取頭384b在本實施形態中，每1μm，將1脈衝之脈衝訊號送至後述之控制手段。而且，後述之控制手段係藉由計數所輸入的脈衝訊號，檢測出挾盤載置台36之Y軸方向位置。另外，於使用脈衝馬達382當作上述Y軸方向移動手段38之驅動源之情況下，藉由計數對脈衝馬達382輸出驅動訊號之控制手段之驅動脈衝，也可以檢測出挾盤載置台36之Y軸方向位置。再者，於使用伺服馬達當作上述Y軸方向移動手段38之驅動源之情況下，將檢測出伺服馬達之旋轉數之旋轉編碼器輸出之脈衝訊號送至後述之控制手段，藉由計數控制手段所輸入的脈衝訊號，也可以檢測出挾盤載置台36之Y軸方向位置。
上述雷射光線照射單元4具備被配設在上述基台2上之支撐構件41，和藉由該支撐構件41被支撐，實質上水平延伸的殼體42，和被配設在該殼體42之雷射光線照射手段5，和被配設在殼體42之前端部，且檢測出應進行雷射加工之加工區域的對準手段6。另外，對準手段6具備照射被加工物之照明手段，和捕獲藉由該照明手段被照明之區域的光學系統，和攝影藉由該光學系統所捕獲之影像的攝影元件(CCD)等，將所攝影到之畫像訊號傳送至無圖示之控制手段。
針對上述雷射光線照射手段5，參照圖2進行說明。
雷射光線照射手段5具備脈衝雷射光線振盪手段 51、聚光從該脈衝雷射光線振盪手段51振盪的脈衝雷射光線而照射至被保持在挾盤載置台36之被加工物W之聚光器52，和被配設在脈衝雷射光線振盪手段51和聚光器52之間，將從脈衝雷射光線振盪手段51振盪之脈衝雷射光線導引至聚光器52之二向色鏡53。脈衝雷射光線振盪手段51係由脈衝雷射振盪器511，和附設在此的重疊頻率設定手段512所構成。另外，脈衝雷射光線振盪手段51之脈衝雷射振盪器511在本實施形態中，振盪波長為355nm之脈衝雷射光線LB。上述聚光器52具備聚光從上述脈衝雷射光線振盪手段51振盪之脈衝雷射光線LB的聚光透鏡521。被配設在上述脈衝雷射光線振盪手段51和聚光器52之間的二向色鏡53，具有反射從脈衝雷射光線振盪手段51振盪之脈衝雷射光線LB而導引至聚光器52，同時穿透脈衝雷射光線LB之波長(在本實施形態中為355nm)以外之波長之光的功能。
雷射光線照射手段5具備對二向色鏡53和聚光器52之路徑照射光之閃光燈光照射手段54，和被配設在該閃光燈光照射手段54和二向色鏡53之間，使來自被保持在挾盤載置台36之被加工物W之光分歧之分束器55，和被配設在藉由該分束器分歧之路徑上的攝影手段56。閃光燈光照射手段54係由下述構件所形成：發出由氙閃光燈所構成之白色光的閃光燈光源541，和規定從該閃光燈光源541發出之白色光之視野尺寸的光圈542，和用以使通過該光圈542之白色光聚光於被持保持在挾盤載 置台36之被加工物W之透鏡543，和將藉由該透鏡543被聚光之白色光朝向上述分束器55而進行方向轉換之方向轉換鏡544。
上述分束器55係將藉由上述閃光燈光照射手段54之方向轉換鏡544而被導引之白色光導引至上述二向色鏡53，同時使被保持在挾盤載置台36之被加工物W之光朝向攝影手段56分歧。
上述攝影手段56係由下述構件所形成：由像差補正透鏡561a和成像透鏡516b所構成之組透鏡561，和攝影藉由該組透鏡561獲得的影像之攝影元件(CCD)562，將攝影到之畫像訊號送往後述控制手段。
雷射加工裝置1具備圖3所示之控制手段7。控制手段7係藉由電腦所構成，具備依控制程式而進行運算處理之中央處理裝置(CPU)71，和存儲控制程式等之唯讀記憶體(ROM)72，和儲存運算結果等之能讀寫的隨機存取記憶體(RAM)73，和輸入介面74及輸出介面75。在控制手段7之輸入介面74被輸入來自上述X軸方向位置檢測手段374、Y軸方向位置檢測手段384、攝影手段56之攝影元件(CCD)562、對準手段6等之檢測訊號。而且，從控制手段7之輸出介面75向上述X軸方向移動手段37、Y軸方向移動手段38、雷射光線照射手段5之脈衝雷射光線振盪手段51、閃光燈光照射手段54等輸出控制訊號。
雷射加工裝置1構成上述般，以下針對其作用進行說明。圖4表示作為藉由上述雷射加工裝置被加工 之被加工物的半導體晶圓10之斜視圖。圖4所示之半導體晶圓10係由矽晶圓所構成，在表面10a格子狀地形成複數分割預定線101，同時在藉由該複數之分割預定線101被區劃之複數區域形成IC、LSI等之裝置102。
為了沿著分割預定線101分割上述半導體晶圓10，首先實施在半導體晶圓10之背面10b黏貼由合成樹脂所構成之黏貼膠帶之表面，同時藉由環狀之框架支撐黏貼膠帶之外周部的被加工物支撐工程。即是，如圖5所示般，以覆蓋環狀之框架F之內側開口部之方式，在安裝有外周部之黏貼膠帶T之表面黏貼半導體晶圓10之背面10b。另外，黏貼膠帶T在本實施形態中藉由氯乙烯(PVC)薄片而形成。
若實施上述晶圓支撐工程時，在圖1所示之雷射加工裝置之挾盤載置台36上載置半導體晶圓10之黏貼膠帶T側。而且，藉由使無圖示之吸引手段作動，隔著黏貼膠帶T將半導體晶圓10吸引保持在挾盤載置台36上(被加工物保持工程)。另外，經由黏貼膠帶T支撐半導體晶圓10之環狀之框架F係藉由被配設在挾盤載置台36之挾盤362而被固定。
若實施上述被加工物保持工程時，使X軸方向移動手段37作動而將吸引保持半導體晶圓10之挾盤載置台36定位在對準手段6之正下方。當挾盤載置台36被定位在攝影手段6之正下方時，實施藉由對準手段6及控制手段7檢測出半導體晶圓10之應雷射加工之加工區域 的對準作業。即是，對準手段6及控制手段7實行用以進行與沿著被形成在半導體晶圓10之第1方向的分割預定線101照射雷射光線之雷射光線照射手段5之聚光器52的定位的圖案匹配等之畫像處理，執行雷射光線位置之對準。再者，即使對被形成在與第1方向正交之第2方向的分割預定線10，且該第1方向係被形成在半導體晶圓10，也同樣執行雷射光線照射位置之對準。
如上述般，檢測出被形成在被保持於挾盤載置台36上之半導體晶圓10之分割預定線，且進行雷射光線照射位置之對準時，如圖6之(a)所示般，使挾盤載置台36移動至雷射光照射手段5之聚光器52所位置的雷射光線照射區域，使規定之分割預定線101之一端(在圖6之(a)中之左端)定位在聚光器52之正下方。而且，將從聚光器52照射之脈衝雷射光線之聚光點P定位在半導體晶圓10之表面(上面)10a附近。接著，邊從雷射光線照射手段5之聚光器52對半導體晶圓照射具有吸收性之波長(在本實施形態中為355nm)之脈衝雷射光線，邊以規定之移動速度使挾盤載置台36朝圖6之(a)中之箭號X1所示之方向移動。而且，當分割預定線101之另一端(在圖6之(b)中為右端)到達至聚光器52之正下方位置時，停止脈衝雷射光線之照射，同時停止挾盤載置台36之移動。其結果，如圖6之(b)及圖6之(c)所示般，在半導體晶圓10沿著分割預定線101形成雷射加工溝110(雷射加工工程)。
上述雷射加工工程之雷射加工條件被設定成 例如下述般。
雷射光線之光源：YVO4雷射或YAG雷射
波長：355nm
重覆頻率：50kHz
平均輸出：3W
聚光點徑：Φ10μm
切削進給速度：100mm/秒
於實施上述雷射加工工程時，當從雷射光線照射手段5之聚光器52被照射之脈衝雷射光線之輸出產生變化，或在從脈衝雷射光線振盪手段51至聚光器52為止之光學系統產生歪斜時，有雷射加工溝之寬度變寬或變窄，無法對屬於被加工物之半導體晶圓10實施期待之雷射加工之問題。於是，在本實施形態中之雷射加工裝置中，監視由於從雷射光線照射手段5之聚光器52被照射之脈衝雷射光線之輸出的變化或在光學系統產生歪斜導致雷射加工溝之寬度的變化。即是，配合從雷射光線照射手段5之脈衝雷射光線振盪手段51被振盪，且從聚光器52被照射至被保持在挾盤載置台36之半導體晶圓10之脈衝雷射光線之照射時序而使上述閃光燈光照射手段54作動而對半導體晶圓10中之脈衝雷射光線照射區域照射白色光，且藉由上述攝影手段56攝影來自上述半導體晶圓10之光而將攝影到之畫像訊號送至控制手段7，依此控制手段7根據從攝影手段56之攝影元件(CCD)56被送出的畫像訊號檢測出藉由脈衝雷射光線之照射所形成之雷射加工 溝之寬度，同時檢測出脈衝雷射光線被照射之位置和應加工之位置的偏移(雷射加工溝監視工程)。
針對上述雷射加工溝監視工程，參照圖7更詳細予以說明。在本實施形態中，由於從雷射光線照射手段5之脈衝雷射光線振盪手段51振盪之雷射光線之重覆頻率為50kHz，故被保持於挾盤載置台36之半導體晶圓10每20μs被照射1脈衝之脈衝雷射光線LB。如此一來，為了檢測出藉由被照射於保持在挾盤載置台36之半導體晶圓10之脈衝雷射光線之照射位置及脈衝雷射光線之照射，形成在半導體晶圓10之雷射加工溝110之寬度，控制手段7使上述閃光燈光照射手段5之閃光燈光源541作動。使該閃光燈光源541作動之時序係作動成被照射在脈衝雷射光線LB和脈衝雷射光線LB之間，以使不與脈衝雷射光線LB重疊。即是，在本實施形態中，如圖7所示般，設定成脈衝雷射光線之振盪開始最初以50μs，之後每100μs作動，使白色光WL照射至被挾盤載置台36保持之半導體晶圓10。因此，來自藉由白色光WL被照射之前(10μs前)被照射至保持在挾盤載置台36之半導體晶圓10的脈衝雷射光線被加工之區域的光，經聚光透鏡521、二向色鏡53、分束器55被導引至攝影手段56。
被導引至攝影手段56之光經由色差補正透鏡561a及成像透鏡561b所構成之組透鏡561而在攝影元件(CCD)562成像。而且，攝影元件(CCD)562係將成像之畫像訊號送至控制手段7。如此一來，控制手段7從攝影元 件(CCD)562將每100μs被送出的畫像訊號儲存在隨機存取記憶體(RAM)73。在圖8之(a)中，表示藉由沿著被保持在挾盤載置台36之半導體晶圓10之分割預定線101而被照射之脈衝雷射光線形成的雷射加工溝110和從攝影元件(CCD)562被送出之第1攝影畫像n1和第2攝影畫像n2。在圖8之(a)所示之實施形態中，被形成在半導體晶圓10之各裝置102之規定位置分別設定有標靶102a，從該標靶102a至鄰接之分割預定線101之中心(加工位置)為止之Y軸方向距離被設定成A1(例如，300μm)，再者，藉由脈衝雷射光線之照射所形成之雷射加工溝110之寬度被設定成B1(例如，10μm)。在圖8之(a)所示之實施形態中，表示在第1攝影畫像n1中檢測出從標靶102a至雷射加工溝110之中心(加工位置)為止之Y軸方向距離A1，同時檢測出藉由雷射光線之照射而形成的雷射加工溝110之寬度B1之狀態，表示在第2攝影畫像n2中檢測出從標靶102a至雷射加工溝110之中心(加工位置)為止之Y軸方向距離A1，同時檢測出藉由脈衝雷射光線之照射而形成的雷射加工溝110之寬度B2之狀態。
如圖8之(a)所示般，在第1攝影畫像n1中檢測出雷射加工溝110之寬度為B1(設定值：10μm)，在第2攝影畫像n2中被檢測出之雷射加工溝110之寬度B2與設定值(10μm)不同之情況下，控制手段7確認雷射加工溝110之寬度B2示在容許範圍(例如，設定值：10μm±2μm)內。而且，控制手段7在雷射加工溝110之寬度B2為容 許範圍(設定值：10μm±2μm)內之情況下，持續進行雷射加工，雷射加工溝110之寬度B2為容許範圍(設定值：10μm±2μm)外之情況下，停止雷射光線照射手段5之作動而中斷雷射加工。例如，雷射加工溝110之寬度B2為11μm之情況下，因為在容許範圍(設定值：10μm±2μm)內，故持續進行雷射加工，雷射加工溝110之寬度B2為13μm之情況下，因成為容許範圍(設定值：10μm±2μm)外，故停止雷射光線照射手段5之作動而中斷雷射加工。因此，可以防止在雷射加工溝110之寬度偏離容許範圍之狀態下持續進行雷射加工而導致品質下降。
接著，針對圖8之(b)所示之實施形態進行說明。在圖8之(b)所示之實施形態中，表示在第1攝影畫像n1中檢測出從標靶102a至雷射加工溝110之中心(加工位置)為止之Y軸方向距離A1(設定值：300μm)，同時檢測出藉由雷射光線之照射而形成的雷射加工溝110之寬度B1(設定值：10μm)之狀態，表示在第2攝影畫像n2中檢測出從標靶102a至雷射加工溝110之中心(加工位置)為止之Y軸方向距離A2，同時檢測出藉由雷射光線之照射而形成的雷射加工溝110之寬度B1(設定值：10μm)之狀態。
如上述圖8之(b)所示般，在第1攝影畫像n1中被檢測出之標靶102a至雷射加工溝110之中心(加工位置)為止之Y軸方向距離A1(設定值：300μm)，和在第2攝影畫像n2中被檢測出之標靶102a至雷射加工溝110之 中心(加工位置)為止之Y軸方向距離A2不同之情況下，控制手段7求出Y軸方向距離A2和Y軸方向距離A1(設定值：300μm)之偏移量(A2-A1之絕對值)，確認偏移量(A2-A1之絕對值)是否在容許值(例如，10μm)內。而且，控制手段7係偏移量(A2-A1之絕對值)在容許值(10μm)內之情況下，持續進行雷射加工，偏移量(A2-A1之絕對值)超過容許值(10μm)之情況下，控制上述Y軸方向移動手段38而修正從雷射光線照射手段5之聚光器52被照射之脈衝雷射光線之照射位置。例如，從標靶102a至雷射加工溝110之中心(加工位置)為止之Y軸方向距離A2為309μm之情況下，由於偏移量為9μm(309μm-300μm)且在容許值(10μm)內，故持續進行雷射加工。另外，由於在從標靶102a至雷射加工溝110之中心(加工位置)為止之Y軸方向距離A2為320μm之情況下，偏移量為200μm(320μm-300μm)且超過容許值(10μm)，故控制上述Y軸方向移動手段38，以從標靶102a至雷射加工溝110之中心(加工位置)為止之Y軸方向距離成為設定值(300μm)之方式，修正從雷射光線照射手段5之聚光器52照射的脈衝雷射光線之照射位置。此時，控制手段7根據來自Y軸方向位置檢測手段384之檢測訊號，控制Y軸移動手段38。
5‧‧‧雷射光線照射手段
36‧‧‧挾盤載置台
51‧‧‧脈衝雷射光線振盪手段
52‧‧‧聚光器
53‧‧‧二向色鏡
54‧‧‧閃光燈光照射手段
55‧‧‧分束器
56‧‧‧攝影手段
511‧‧‧脈衝雷射振盪器
512‧‧‧重複頻率設定手段
521‧‧‧聚光透鏡
541‧‧‧閃光燈光源
542‧‧‧光圈
543‧‧‧透鏡
544‧‧‧方向轉換鏡
561‧‧‧組透鏡
561a‧‧‧色差補正透鏡
561b‧‧‧成像透鏡
562‧‧‧攝影元件(CCD)
W‧‧‧被加工物

Claims (4)

  1. 一種雷射加工裝置，其特徵在於具備：挾盤載置台，其係保持被加工物；雷射光照射手段，其係對被保持在該挾盤載置台之該被加工物照射雷射光線；X軸方向移動手段，其係使該挾盤載置台和該雷射光線照射手段在屬於加工進給之方向的X軸方向相對性移動；Y軸方向移動手段，其係使該挾盤載置台和該雷射光線照射手段在屬於與X軸方向正交之分度進給方向的Y軸方向相對性移動；及控制手段，其係控制該雷射光線照射手段和該X軸方向移動手段和該Y軸方向移動手段；該雷射光線照射手段包含：脈衝雷射光線振盪手段，其係使該脈衝雷射光線振盪；聚光器，其係聚光從該脈衝雷射光線振盪手段被振盪之該脈衝雷射光線而照射至被保持在該挾盤載置台之該被加工物；二向色鏡，其係被配設在該脈衝雷射光線振盪手段和該聚光器之間，反射從該脈衝雷射振盪手段被振盪之該脈衝雷射光線而引導至該聚光器，同時穿透該脈衝雷射光線之波長以外之波長的光；閃光燈光照射手段，對配設有該二向色鏡和該聚光器 之路徑照射光；分束器，其係被配設在該閃光燈光照射手段和該二向色鏡之間，使來自被保持在該挾盤載置台之該被加工物的光予以分歧；及攝影手段，其係被配設在藉由該分束器而被分歧之路徑上，該控制手段係使該閃光燈照射手段以在連續兩個的該脈衝雷射光線之間向該被加工物照射閃光燈從而不與該脈衝雷射光線同時照射的方式進行作動，且根據來自該攝影手段之畫像訊號，檢測岀緊接著照射脈衝雷射光線之後的雷射加工溝之寬度，來自該攝影手段的該畫像訊號包含來自藉由被照射至該被加工物的該脈衝雷射光線被加工後之區域的光。
  2. 如請求項1所記載之雷射加工裝置，其中，該控制手段係在被檢測岀之該雷射加工溝之寬度在容許範圍外之情況下，停止該雷射光線照射手段之作動而中斷加工。
  3. 如請求項1所記載之雷射加工裝置，其中，該控制手段係檢測岀根據來自該攝影手段之畫像訊號而檢測岀從特定被設定在該被加工物之應加工的區域之標靶至形成的該雷射加工溝之中心為止之Y軸方向距離之設定值，和至藉由該脈衝雷射光線之照射而形成的該雷射加工溝之中心為止之Y軸方向距離之偏移量。
  4. 如請求項3所記載之雷射加工裝置，其中， 該控制手段在該設定值和藉由該脈衝雷射光線之照射而形成之該雷射加工溝之中心為止之Y軸方向距離之偏移量超過容許值之情況下，控制該Y軸方向移動手段而修正該脈衝雷射光線被照射之位置。
TW105119575A 2015-07-17 2016-06-22 雷射加工裝置 TWI680821B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015143399A JP6498553B2 (ja) 2015-07-17 2015-07-17 レーザー加工装置
JP2015-143399 2015-07-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201713442A TW201713442A (zh) 2017-04-16
TWI680821B true TWI680821B (zh) 2020-01-01

Family

ID=57776330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105119575A TWI680821B (zh) 2015-07-17 2016-06-22 雷射加工裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10207362B2 (zh)
JP (1) JP6498553B2 (zh)
KR (1) KR102418418B1 (zh)
CN (1) CN106346131B (zh)
SG (1) SG10201605086UA (zh)
TW (1) TWI680821B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6559074B2 (ja) * 2016-01-28 2019-08-14 株式会社ディスコ パッケージウェーハの加工方法
JP6912267B2 (ja) * 2017-05-09 2021-08-04 株式会社ディスコ レーザ加工方法
JP7313805B2 (ja) * 2018-08-15 2023-07-25 株式会社ディスコ 切削装置
JP2020098831A (ja) * 2018-12-17 2020-06-25 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP7253396B2 (ja) * 2019-01-25 2023-04-06 株式会社ディスコ 検査装置
JP7305273B2 (ja) * 2019-09-19 2023-07-10 株式会社ディスコ レーザー加工方法及びレーザー加工装置
EP3868508A1 (en) 2020-02-19 2021-08-25 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Laser processing apparatus
JP7735649B2 (ja) * 2020-02-19 2025-09-09 株式会社東京精密 レーザ加工装置
JP7401383B2 (ja) * 2020-04-06 2023-12-19 株式会社ディスコ 検出装置
JP7487039B2 (ja) * 2020-08-04 2024-05-20 株式会社ディスコ レーザー加工装置
TWI789666B (zh) * 2020-12-28 2023-01-11 國家中山科學研究院 溫度監控裝置
CN112872610B (zh) * 2021-01-28 2022-12-13 常州大学 一种基于激光制作沟槽mosfet的方法与装置
KR102412081B1 (ko) * 2021-07-01 2022-06-22 김기훈 인덱스테이블의 미세포켓 및 레이저를 이용한 인덱스테이블의 미세포켓 가공방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101388354A (zh) * 2007-09-11 2009-03-18 株式会社迪思科 保持在卡盘工作台上的被加工物的高度位置检测装置
CN201345033Y (zh) * 2009-01-21 2009-11-11 中国科学院上海光学精密机械研究所 高速多光束并行激光直写装置
JP2013128944A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Disco Corp レーザー加工装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2732230B2 (ja) * 1994-10-21 1998-03-25 株式会社篠崎製作所 レーザ光加工における同軸観測装置
JP3272591B2 (ja) * 1995-12-26 2002-04-08 三菱重工業株式会社 レーザオービタル溶接用モニタリング装置
JPH10312979A (ja) * 1997-05-12 1998-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの切削状況の検出方法
US6563998B1 (en) * 1999-04-15 2003-05-13 John Farah Polished polymide substrate
JP2001168010A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板の検査方法及び検査装置
EP2216128B1 (en) * 2002-03-12 2016-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
JP4397218B2 (ja) * 2003-11-17 2010-01-13 三洋電機株式会社 ダイシング方法及びダイシング装置
JP4694845B2 (ja) 2005-01-05 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP4684687B2 (ja) 2005-03-11 2011-05-18 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法および加工装置
JP4813985B2 (ja) 2006-06-23 2011-11-09 株式会社ディスコ ウエーハの加工条件設定方法
JP4954738B2 (ja) 2007-02-02 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 電極パッド位置の検出方法及び電極パッド位置検出装置
JP2009172668A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Toray Eng Co Ltd レーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法
JP2009172669A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Toray Eng Co Ltd レーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法
WO2009126901A2 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Applied Materials, Inc. Dynamic scribe alignment for laser scribing, welding or any patterning system
GB2460648A (en) * 2008-06-03 2009-12-09 M Solv Ltd Method and apparatus for laser focal spot size control
JP2010064125A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
KR20110089356A (ko) * 2008-11-19 2011-08-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 레이저-스크라이빙 도구 구조
JP2011142297A (ja) * 2009-12-08 2011-07-21 Hitachi Via Mechanics Ltd 薄膜太陽電池製造方法及びレーザスクライブ装置
JP5495869B2 (ja) 2010-03-10 2014-05-21 株式会社ディスコ レーザー加工溝の確認方法
KR101908002B1 (ko) * 2010-10-22 2018-12-19 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 빔 디더링 및 스카이빙을 위한 레이저 처리 시스템 및 방법
JP5789802B2 (ja) * 2011-03-22 2015-10-07 株式会社ソシオネクスト 半導体チップの製造方法
JP5835934B2 (ja) * 2011-04-28 2015-12-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6029271B2 (ja) * 2011-09-28 2016-11-24 株式会社ディスコ 加工装置
JP5878330B2 (ja) * 2011-10-18 2016-03-08 株式会社ディスコ レーザー光線の出力設定方法およびレーザー加工装置
JP2013118326A (ja) 2011-12-05 2013-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd 分割装置
JP2013132646A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Amada Co Ltd レーザ切断加工方法及び装置
JP6000551B2 (ja) * 2012-01-10 2016-09-28 株式会社ディスコ レーザー加工装置の集光スポット位置検出方法
TWI520199B (zh) * 2012-02-18 2016-02-01 先進科技新加坡有限公司 用於以劃線對準之執行中控制而對一實質平面半導體基板劃線之方法及裝置
JP5940906B2 (ja) * 2012-06-19 2016-06-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6013894B2 (ja) * 2012-12-12 2016-10-25 株式会社ディスコ レーザー加工装置
KR102049445B1 (ko) * 2013-05-31 2019-11-28 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101388354A (zh) * 2007-09-11 2009-03-18 株式会社迪思科 保持在卡盘工作台上的被加工物的高度位置检测装置
CN201345033Y (zh) * 2009-01-21 2009-11-11 中国科学院上海光学精密机械研究所 高速多光束并行激光直写装置
JP2013128944A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Disco Corp レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6498553B2 (ja) 2019-04-10
KR20170009740A (ko) 2017-01-25
CN106346131B (zh) 2020-02-21
CN106346131A (zh) 2017-01-25
TW201713442A (zh) 2017-04-16
US10207362B2 (en) 2019-02-19
US20170014947A1 (en) 2017-01-19
JP2017028030A (ja) 2017-02-02
SG10201605086UA (en) 2017-02-27
KR102418418B1 (ko) 2022-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI680821B (zh) 雷射加工裝置
CN105643094B (zh) 激光加工装置
JP5117920B2 (ja) レーザー加工装置
CN106925897B (zh) 晶片的加工方法
CN104923917B (zh) 板状物的加工方法
JP6494991B2 (ja) ウエーハの加工方法
CN105081559A (zh) 激光加工装置
CN106994556B (zh) 激光加工装置
TW201618173A (zh) 晶圓的加工方法
KR102866847B1 (ko) 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP6757185B2 (ja) レーザー光線の検査方法
JP6441731B2 (ja) レーザー加工装置
JP6224462B2 (ja) レーザー加工装置における加工送り機構の作動特性検出方法およびレーザー加工装置
TWI687274B (zh) 雷射加工裝置
JP6649705B2 (ja) レーザー加工方法