CN106346131B - 激光加工装置 - Google Patents
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Abstract
提供激光加工装置,对因激光光线的输出变化或在光学系统中产生的畸变而导致的激光加工槽的宽度变化进行监视。该装置的激光光线照射构件包含:脉冲激光光线振荡构件;聚光器,其对脉冲激光光线进行会聚而照射到保持在卡盘工作台上的被加工物;分色镜,其配设在脉冲激光光线振荡构件与聚光器之间;闪光灯光照射构件,其对配设分色镜和聚光器的路径照射光;分束器,其配设在闪光灯光照射构件与分色镜之间;和拍摄构件,其配设在借助分束器而分支的路径上。控制构件使闪光灯光照射构件和拍摄构件按照照射到被加工物的脉冲激光光线的时机进行动作,根据来自拍摄构件的图像信号对刚刚照射了脉冲激光光线后的激光加工槽的宽度进行检测。
Description
技术领域
本发明涉及对保持在卡盘工作台上的半导体晶片等被加工物实施激光加工的激光加工装置。
背景技术
在半导体器件制造工艺中,在大致圆板形状的半导体晶片的正面上通过排列成格子状的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域内形成IC、LSI等器件。并且,将半导体晶片沿着分割预定线切断从而对形成有器件的区域进行分割而制造出各个半导体器件芯片。
作为沿着分割预定线对半导体晶片等晶片进行分割的方法,实用化了如下的技术:通过沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线实施烧蚀加工而形成激光加工槽,并沿着形成了作为断裂起点的激光加工槽的分割预定线对晶片施加外力从而割断晶片。
进行上述激光加工的激光加工装置具有:卡盘工作台,其对被加工物进行保持;激光光线照射构件,其对保持在该卡盘工作台上的被加工物照射激光光线;移动构件,其使该卡盘工作台和激光光线照射构件相对地移动;以及对准构件,其对保持在该卡盘工作台上的被加工物的待加工区域进行检测(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2006-253432号公报
但是,存在如下的问题:当激光光线照射构件所照射的激光光线的输出发生变化或在光学系统中产生畸变时,激光加工槽的宽度变宽或变窄而不能对被加工物实施希望的加工。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术课题在于提供一种激光加工装置,该激光加工装置能够对因激光光线照射构件所照射的激光光线的输出的变化或在光学系统中产生的畸变而导致的激光加工槽的宽度的变化进行监视。
为了解决上述主要的技术课题,根据本发明,提供提供一种激光加工装置,其特征在于,该激光加工装置具有:卡盘工作台,其对被加工物进行保持;激光光线照射构件,其对保持在该卡盘工作台上的被加工物照射脉冲激光光线;X轴方向移动构件,其使该卡盘工作台和该激光光线照射构件在作为加工进给方向的X轴方向上相对地移动;Y轴方向移动构件,其使该卡盘工作台和该激光光线照射构件在与X轴方向垂直的作为分度进给方向的Y轴方向上相对地移动;以及控制构件,其对该激光光线照射构件、该X轴方向移动构件以及该Y轴方向移动构件进行控制,该激光光线照射构件包含:脉冲激光光线振荡构件,其振荡出脉冲激光光线;聚光器,其对从该脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线进行会聚而对保持在该卡盘工作台上的被加工物进行照射;分色镜,其配设在该脉冲激光光线振荡构件与该聚光器之间,对从该脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线进行反射而引导至该聚光器,并且使波长为脉冲激光光线的波长以外的光透过;闪光灯光照射构件,其对配设有该分色镜和该聚光器的路径照射光;分束器,其配设在该闪光灯光照射构件与该分色镜之间,对来自保持在该卡盘工作台上的被加工物的光进行分支;以及拍摄构件,其配设在借助该分束器而分支的路径上,该控制构件使该闪光灯光照射构件和该拍摄构件按照由该脉冲激光光线振荡构件振荡并照射到保持在该卡盘工作台上的被加工物的脉冲激光光线的时机进行动作,根据来自该拍摄构件的图像信号对刚刚照射了脉冲激光光线后的激光加工槽的宽度进行检测。
优选当检测出的激光加工槽的宽度在容许范围外的情况下,上述控制构件停止激光光线照射构件的动作而中断加工。
另外,上述控制构件根据来自拍摄构件的图像信号而对从设定在被加工物上的用于确定待加工区域的靶点到所形成的激光加工槽的中心的Y轴方向距离的设定值与从靶点到因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽的中心的Y轴方向距离之间的偏移量进行检测。
优选在上述设定值与从靶点到因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽的中心的Y轴方向距离之间的偏移量超过了容许值的情况下,上述控制构件对该Y轴方向移动构件进行控制而对脉冲激光光线所照射的位置进行修正。
根据本发明的激光加工装置,由于控制构件使闪光灯光照射构件和拍摄构件按照照射到被加工物的脉冲激光光线的时机进行动作,根据来自拍摄构件的图像信号对刚刚照射了脉冲激光光线后的激光加工槽的宽度进行检测,所以当因脉冲激光光线的输出变化或在光学系统中产生畸变而导致激光加工槽的宽度变宽或变窄的情况下,能够立即检测到激光加工槽的异常,并以使造成品质降低的异常的加工中断等方式进行应对。
并且,根据来自拍摄构件的图像信号而对从设定在被加工物上的用于确定待加工区域的靶点到所形成的激光加工槽的中心的Y轴方向距离的设定值与从靶点到因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽的中心的Y轴方向距离之间的偏移量进行检测,并在设定值与从靶点到因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽的中心的Y轴方向距离之间的偏移量超过了容许值的情况下,对上述Y轴方向移动构件进行控制而对脉冲激光光线所照射的位置进行修正,由此,能够维持希望的激光加工。
附图说明
图1是根据本发明而构成的激光加工装置的立体图。
图2是装备于图1所示的激光加工装置的激光光线照射构件的框状结构图。
图3是装备于图1所示的激光加工装置的控制构件的框状结构图。
图4是半导体晶片的立体图。
图5是示出将图4所示的半导体晶片粘接在划片带的正面上的状态的立体图,该划片带被安装在环状的框架上。
图6的(a)、(b)、(c)是图1所示的激光加工装置所实施的激光加工工序的说明图。
图7是示出激光光线照射构件所照射的脉冲激光光线和闪光灯光照射构件所照射的光的时机的说明图。
图8的(a)、(b)是图1所示的激光加工装置所实施的激光光线照射位置监视工序的说明图。
标号说明
2:静止基台;3:卡盘工作台机构;36:卡盘工作台;37:X轴方向移动构件;374:X轴方向位置检测构件;38:Y轴方向移动构件;384:Y轴方向位置检测构件;4:激光光线照射单元;5:激光光线照射构件;51:脉冲激光光线振荡构件;52:聚光器;53:分色镜;54:闪光灯光照射构件;541:闪光灯光源;55:分束器;56:拍摄构件;562:拍摄元件(CCD);6:对准构件;7:控制构件;10:半导体晶片;F:环状的框架;T:粘接带。
具体实施方式
以下,参照附图对根据本发明而构成的激光加工装置的优选的实施方式进行详细地说明。
在图1中示出了根据本发明而构成的激光加工装置的立体图。图1所示的激光加工装置1具有:静止基台2;卡盘工作台机构3,其以能够在箭头X所示的加工进给方向即X轴方向上移动的方式配设于该静止基台2,并对被加工物进行保持;以及配设在基台2上的激光光线照射单元4,其作为激光光线照射构件。
上述卡盘工作台机构3具有:一对导轨31、31,其沿着X轴方向平行地配设在静止基台2上;第1滑动块32,其以能够在X轴方向移动的方式配设在该导轨31、31上;第2滑动块33,其以能够在与X轴方向垂直的箭头Y所示的分度进给方向即Y轴方向上移动的方式配设在该第1滑动块32上;支承台35,其被圆筒部件34支承在该第2滑动块33上;以及卡盘工作台36,其作为被加工物保持构件。该卡盘工作台36具有由多孔性材料形成的吸附卡盘361,通过未图示的吸引构件将作为被加工物的例如圆形的半导体晶片保持在吸附卡盘361的上表面即保持面上。通过配设在圆筒部件34内的未图示的脉冲电动机来使这样构成的卡盘工作台36旋转。另外,在卡盘工作台36上配设有夹具362,该夹具362用于固定环状的框架,该环状的框架隔着保护带对半导体晶片等被加工物进行支承。
在上述第1滑动块32的下表面上设置有与上述一对导轨31、31嵌合的一对被导槽321、321,并且在其上表面上设置有沿着Y轴方向平行地形成的一对导轨322、322。以这种方式构成的第1滑动块32构成为能够通过使被导槽321、321与一对导轨31、31嵌合而沿着一对导轨31、31在X轴方向上移动。卡盘工作台机构3具有X轴方向移动构件37,该X轴方向移动构件37用于使第1滑动块32沿着一对导轨31、31在X轴方向上移动。X轴方向移动构件37包含平行配设在上述一对导轨31和31之间的外螺杆371和用于对该外螺杆371进行旋转驱动的脉冲电动机372等驱动源。外螺杆371的一端自由旋转地支承于固定在上述静止基台2上的轴承块373,其另一端与上述脉冲电动机372的输出轴传动连结。另外,外螺杆371与形成在突出设置于第1滑动块32的中央部下表面的未图示的内螺纹块中的贯通内螺纹孔螺合。因此,通过脉冲电动机372对外螺杆371进行正转和反转驱动,使第1滑动块32沿着导轨31、31在X轴方向上移动。
激光加工装置1具有用于对上述卡盘工作台36的X轴方向位置进行检测的X轴方向位置检测构件374。X轴方向位置检测构件374包含:线性标尺374a,其沿着导轨31配设;以及读取头374b,其配设在第1滑动块32上并与第1滑动块32一起沿着线性标尺374a移动。该X轴方向位置检测构件374的读取头374b在本实施方式中每1μm将1个脉冲的脉冲信号发送给后述的控制构件。并且后述的控制构件对输入的脉冲信号进行计数,从而对卡盘工作台36的X轴方向位置进行检测。另外,在作为上述X轴方向移动构件37的驱动源而使用了脉冲电动机372的情况下,对将驱动信号输出给脉冲电动机372的后述的控制构件的驱动脉冲进行计数,从而也能够对卡盘工作台36的X轴方向位置进行检测。并且,在作为上述X轴方向移动构件37的驱动源而使用了伺服电动机的情况下,将检测伺服电动机的转速的旋转编码器所输出的脉冲信号发送给后述的控制构件,并对控制构件所输入的脉冲信号进行计数,从而也能够对卡盘工作台36的X轴方向位置进行检测。
在上述第2滑动块33的下表面上设置有一对被导槽331、331,该一对被导槽331、331与设置于上述第1滑动块32的上表面的一对导轨322、322嵌合,通过使该被导槽331、331与一对导轨322、322嵌合,使上述第2滑动块33构成为能够在Y轴方向上移动。卡盘工作台机构3具有Y轴方向移动构件38,该Y轴方向移动构件38用于使第2滑动块33沿着设置于第1滑动块32的一对导轨322、322在Y轴方向上移动。Y轴方向移动构件38包含平行配设在上述一对导轨322和322之间的外螺杆381和用于对该外螺杆381进行旋转驱动的脉冲电动机382等驱动源。外螺杆381的一端自由旋转地支承于固定在上述第1滑动块32的上表面上的轴承块383,其另一端与上述脉冲电动机382的输出轴传动连结。另外,外螺杆381与形成在突出设置于第2滑动块33的中央部下表面的未图示的内螺纹块中的贯通内螺纹孔螺合。因此,通过脉冲电动机382对外螺杆381进行正转和反转驱动,使第2滑动块33沿着导轨322、322在Y轴方向上移动。
激光加工装置1具有用于对上述第2滑动块33的Y轴方向位置进行检测的Y轴方向位置检测构件384。Y轴方向位置检测构件384包含:线性标尺384a,其沿着导轨322配设;读取头384b,其配设在第2滑动块33上并与第2滑动块33一起沿着线性标尺384a移动。该Y轴方向位置检测构件384的读取头384b在本实施方式中每1μm将1个脉冲的脉冲信号发送给后述的控制构件。并且后述的控制构件对输入的脉冲信号进行计数,从而对卡盘工作台36的Y轴方向位置进行检测。另外,在作为上述Y轴方向移动构件38的驱动源而使用了脉冲电动机382的情况下,对将驱动信号输出给脉冲电动机382的后述的控制构件的驱动脉冲进行计数,从而也能够对卡盘工作台36的Y轴方向位置进行检测。并且,在作为上述Y轴方向移动构件38的驱动源而使用伺服电动机的情况下,将检测伺服电动机的转速的旋转编码器所输出的脉冲信号发送给后述的控制构件,并对控制构件所输入的脉冲信号进行计数,从而也能够对卡盘工作台36的Y轴方向位置进行检测。
上述激光光线照射单元4具有:支承部件41,其配设在上述基台2上;外壳42,其被该支承部件41支承且实质上水平延伸;激光光线照射构件5,其配设于该外壳42;以及对准构件6,其配设于外壳42的前端部并检测待激光加工的加工区域。另外,对准构件6具有:照明构件,其对被加工物进行照明;光学系统,其捕捉该照明构件所照明的区域;以及拍摄元件(CCD),其对被该光学系统捕捉到的像进行拍摄,该对准构件6将拍摄到的图像信号发送给后述的控制构件。
参照图2对上述激光光线照射构件5进行说明。
激光光线照射构件5具有:脉冲激光光线振荡构件51;聚光器52,其对从该脉冲激光光线振荡构件51振荡出的脉冲激光光线进行会聚而对保持在卡盘工作台36上的被加工物W进行照射;以及分色镜53,其配设在脉冲激光光线振荡构件51与聚光器52之间并将脉冲激光光线振荡构件51振荡出的脉冲激光光线引导至聚光器52。脉冲激光光线振荡构件51由脉冲激光振荡器511和附设于该脉冲激光振荡器511的重复频率设定构件512构成。另外,脉冲激光光线振荡构件51的脉冲激光振荡器511在本实施方式中振荡出波长为355nm的脉冲激光光线LB。上述聚光器52具有聚光透镜521,该聚光透镜521对从上述脉冲激光光线振荡构件51振荡出的脉冲激光光线LB进行会聚。配设在上述脉冲激光光线振荡构件51与聚光器52之间的分色镜53具有以下的功能:对从脉冲激光光线振荡构件51振荡出的脉冲激光光线LB进行反射而将其引导至聚光器52,并且使波长为脉冲激光光线LB的波长(在本实施方式中为355nm)以外的光透过。
激光光线照射构件5具有:闪光灯光照射构件54,其对分色镜53和聚光器52的路径照射光;分束器55,其配设在该闪光灯光照射构件54与分色镜53之间,将来自保持在卡盘工作台36上的被加工物W的光分支;以及拍摄构件56,其配设在由该分束器55分支的路径上。闪光灯光照射构件54包含:闪光灯光源541,其由氙闪光灯构成,发出白色光;光阑542,其对由该闪光灯光源541发出的白色光的视野大小进行规定;透镜543,其用于将通过了该光阑542的白色光会聚到保持在卡盘工作台36上的被加工物W;以及方向变换镜544,其将由该透镜543会聚的白色光朝向上述分束器55进行方向变换。
上述分束器55将由上述闪光灯光照射构件54的方向变换镜544引导的白色光引导至上述分色镜53,并且将来自保持在卡盘工作台36上的被加工物W的光朝向拍摄构件56分支。
上述拍摄构件56包含:透镜组561,其由像差校正透镜561a和成像透镜561b构成;以及拍摄元件(CCD)562,其对由该透镜组561捕捉的像进行拍摄,该拍摄构件56将拍摄到的图像信号发送给后述的控制构件。
激光加工装置1具有图3所示的控制构件7。控制构件7由计算机构成,具有:中央处理装置(CPU)71,其根据控制程序来进行运算处理;只读存储器(ROM)72,其对控制程序等进行存储;能够读写的随机存取存储器(RAM)73,其对运算结果等进行存储;以及输入接口74和输出接口75。对控制构件7的输入接口74输入来自上述X轴方向位置检测构件374、Y轴方向位置检测构件384、拍摄构件56的拍摄元件(CCD)562以及对准构件6等的检测信号。并且,从控制构件7的输出接口75对上述X轴方向移动构件37、Y轴方向移动构件38、激光光线照射构件5的脉冲激光光线振荡构件51以及闪光灯光照射构件54等输出控制信号。
激光加工装置1构成为以上所述的那样,以下,对其作用进行说明。在图4中示出了作为由上述的激光加工装置加工的被加工物的半导体晶片10的立体图。图4所示的半导体晶片10由硅晶片构成,在正面10a上呈格子状形成有多条分割预定线101,并且在由该多条分割预定线101划分出的多个区域内形成有IC、LSI等器件102。
为了将上述的半导体晶片10沿着分割预定线101分割,首先,实施被加工物支承工序,将由合成树脂构成的粘接带的正面粘接在半导体晶片10的背面10b上并且通过环状的框架对粘接带的外周部进行支承。即,如图5所示,在粘接带T的正面上粘接半导体晶片10的背面10b,该粘接带T的外周部以覆盖环状的框架F的内侧开口部的方式安装。另外,在本实施方式中粘接带T由聚氯乙烯(PVC)膜形成。
在实施了上述的晶片支承工序之后,将半导体晶片10的粘接带T侧载置到图1所示的激光加工装置的卡盘工作台36上。并且,通过使未图示的吸引构件进行动作而隔着粘接带T将半导体晶片10吸引保持在卡盘工作台36上(被加工物保持工序)。另外,利用配设在卡盘工作台36上的夹具362将隔着粘接带T对半导体晶片10进行支承的环状的框架F固定。
在实施了上述的被加工物保持工序之后,使X轴方向移动构件37进行动作而将吸引保持有半导体晶片10的卡盘工作台36定位在对准构件6的正下方。当卡盘工作台36被定位在对准构件6的正下方时,执行如下的对准作业:通过对准构件6和控制构件7来检测半导体晶片10的待激光加工的加工区域。即,对准构件6和控制构件7执行图形匹配等图像处理,并完成激光光线照射位置的对准,其中,该图形匹配等图像处理用于进行与激光光线照射构件5的聚光器52的位置对位,该激光光线照射构件5沿着形成在该半导体晶片10的第1方向上的分割预定线101照射激光光线。并且,对于形成在半导体晶片10上的形成在与第1方向垂直的第2方向上的分割预定线101,也同样地完成激光光线照射位置的对准。
在如上述的那样对形成于保持在卡盘工作台36上的半导体晶片10的分割预定线进行检测并进行了激光光线照射位置的对准之后,如图6的(a)所示,将卡盘工作台36移动至激光光线照射构件5的聚光器52所位于的激光光线照射区域,并将规定的分割预定线101的一端(图6的(a)中左端)定位在聚光器52的正下方。并且,将从聚光器52照射的脉冲激光光线的聚光点P定位在半导体晶片10的正面(上表面)10a附近。接着,一边从激光光线照射构件5的聚光器52照射对于半导体晶片具有吸收性的波长(在本实施方式中为355nm)的脉冲激光光线一边使卡盘工作台36按照图6的(a)中箭头X1所示的方向以规定的移动速度移动。并且,当分割预定线101的另一端(图6的(b)中右端)到达聚光器52的正下方位置时,停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台36的移动。该结果是,如图6的(b)和图6的(c)所示,在半导体晶片10上沿着分割预定线101形成有激光加工槽110(激光加工工序)。
上述激光加工工序的激光加工条件例如按照以下的方式设定。
激光光线的光源:YVO4激光或者YAG激光
波长:355nm
重复频率:50kHz
平均输出:3W
加工进给速度:100mm/秒
在实施上述的激光加工工序时,存在如下的问题:当从激光光线照射构件5的聚光器52照射的脉冲激光光线的输出发生变化,或在从脉冲激光光线振荡构件51到聚光器52的光学系统中产生畸变时,激光加工槽的宽度变宽或变窄而不能对作为被加工物的半导体晶片10实施希望的激光加工。因此,在本实施方式的激光加工装置中,对因从激光光线照射构件5的聚光器52照射的脉冲激光光线的输出的变化或在光学系统中产生的畸变而导致的激光加工槽的宽度的变化进行监视。即,使上述闪光灯光照射构件54按照从激光光线照射构件5的脉冲激光光线振荡构件51振荡并从聚光器52照射到保持在卡盘工作台36上的半导体晶片10的脉冲激光光线的照射时机进行动作而对半导体晶片10中的脉冲激光光线照射区域照射白色光,并通过上述拍摄构件56对来自半导体晶片10的光进行拍摄而将拍摄到的图像信号发送给控制构件7,由此,控制构件7根据从拍摄构件56的拍摄元件(CCD)562发送的图像信号对因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽的宽度进行检测,并且对脉冲激光光线所照射的位置与待加工的位置的偏移进行检测(激光加工槽监视工序)。
参照图7对上述的激光加工槽监视工序进行更详细地说明。在本实施方式中,由于从激光光线照射构件5的脉冲激光光线振荡构件51振荡出的脉冲激光光线的重复频率为50kHz,所以每隔20μs对保持在卡盘工作台36上的半导体晶片10照射1个脉冲的脉冲激光光线LB。为了对这样照射到保持在卡盘工作台36上的半导体晶片10上的脉冲激光光线的照射位置和因脉冲激光光线的照射而形成在半导体晶片10上的激光加工槽110的宽度进行检测,控制构件7使上述闪光灯光照射构件54的闪光灯光源541进行动作。关于使该闪光灯光源541动作的时机,以在脉冲激光光线LB与脉冲激光光线LB之间照射的方式进行动作以便不与脉冲激光光线LB赶在一起。即,在本实施方式中,如图7所示以如下的方式进行设定:最初从脉冲激光光线的振荡开始起在50μs时进行动作,此后每隔100μs进行动作,对保持在卡盘工作台36上的半导体晶片10照射白色光WL。因此,将来自借助在照射白色光WL之前(10μs之前)照射到保持在卡盘工作台36上的半导体晶片10的脉冲激光光线而被加工的区域的光经由聚光透镜521、分色镜53、分束器55而引导至拍摄构件56。
引导至拍摄构件56的光经由透镜组561而在拍摄元件(CCD)562中成像,其中,该透镜组561由像差校正透镜561a和成像透镜561b构成。并且,拍摄元件(CCD)562将所成像的图像信号发送给控制构件7。这样,控制构件7将每隔100μs从拍摄元件(CCD)562发送的图像信号存储到随机存取存储器(RAM)73中。在图8的(a)中,示出了沿着保持在卡盘工作台36上的半导体晶片10的分割预定线101照射的脉冲激光光线所形成的激光加工槽110和从拍摄元件(CCD)562发送的第1拍摄图像n1和第2拍摄图像n2。在图8的(a)所示的实施方式中,在形成于半导体晶片10的各器件102上分别在规定的位置处设定有靶点102a,将从该靶点102a到相邻的分割预定线101的中心(加工位置)的Y轴方向距离设定为A1(例如300μm),并且,将因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽110的宽度设定为B1(例如10μm)。在图8的(a)所示的实施方式中,示出了在第1拍摄图像n1中检测出从靶点102a到激光加工槽110的中心(加工位置)的Y轴方向距离A1并且检测出因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽110的宽度B1的状态,示出了在第2拍摄图像n2中检测出从靶点102a到激光加工槽110的中心(加工位置)的Y轴方向距离A1并且检测出因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽110的宽度B2的状态。
如图8的(a)所示,当在第1拍摄图像n1中检测出激光加工槽110的宽度为B1(设定值:10μm)、在第2拍摄图像n2中所检测的激光加工槽110的宽度B2与设定值(10μm)不同的情况下,控制构件7对激光加工槽110的宽度B2是否在容许范围(例如为设定值:10μm±2μm)内进行检查。并且,作为控制构件7,当激光加工槽110的宽度B2在容许范围(设定值:10μm±2μm)内的情况下继续进行激光加工,当激光加工槽110的宽度B2在容许范围(设定值:10μm±2μm)外的情况下停止激光光线照射构件5的动作而中断激光加工。例如,在激光加工槽110的宽度B2为11μm的情况下,由于在容许范围(设定值:10μm±2μm)内而继续进行激光加工,在激光加工槽110的宽度B2为13μm的情况下,由于在容许范围(设定值:10μm±2μm)外而停止激光光线照射构件5的动作从而中断激光加工。因此,能够防止在激光加工槽110的宽度偏离容许范围的状态下继续进行激光加工而导致的品质的降低。
接着,对图8的(b)所示的实施方式进行说明。在图8的(b)所示的实施方式中,示出了在第1拍摄图像n1中检测出从靶点102a到激光加工槽110的中心(加工位置)的Y轴方向距离A1(设定值:300μm)并且检测出因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽110的宽度B1(设定值:10μm)的状态,示出了在第2拍摄图像n2中检测出从靶点102a到激光加工槽110的中心(加工位置)的Y轴方向距离A2并且检测出因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽110的宽度B1(设定值:10μm)的状态。
如上述的图8的(b)所示,当在第1拍摄图像n1中所检测的从靶点102a到激光加工槽110的中心(加工位置)的Y轴方向距离A1(设定值:300μm)与在第2拍摄图像n2中所检测的从靶点102a到激光加工槽110的中心(加工位置)的Y轴方向距离A2不同的情况下,控制构件7求出Y轴方向距离A2与Y轴方向距离A1(设定值:300μm)之间的偏移量(A2-A1的绝对值),并对偏移量(A2-A1的绝对值)是否在容许值(例如10μm)内进行检查。并且,作为控制构件7,当偏移量(A2-A1的绝对值)在容许值(10μm)内的情况下继续进行激光加工,在偏移量(A2-A1的绝对值)超过了容许值(10μm)的情况下对上述Y轴方向移动构件38进行控制而对从激光光线照射构件5的聚光器52照射的脉冲激光光线的照射位置进行修正。例如,在从靶点102a到激光加工槽110的中心(加工位置)的Y轴方向距离A2为309μm的情况下,由于偏移量为9μm(309μm-300μm)、在容许值(10μm)内而继续进行激光加工。另一方面,在从靶点102a到激光加工槽110的中心(加工位置)的Y轴方向距离A2为320μm的情况下,由于偏移量为20μm(320μm-300μm)、超过了容许值(10μm),所以对上述Y轴方向移动构件38进行控制而对从激光光线照射构件5的聚光器52照射的脉冲激光光线的照射位置进行修正,以使从靶点102a到激光加工槽110的中心(加工位置)的Y轴方向距离成为设定值(300μm)。此时,控制构件7根据来自Y轴方向位置检测构件384的检测信号对Y轴方向移动构件38进行控制。
Claims (4)
1.一种激光加工装置,其特征在于,
该激光加工装置具有:
卡盘工作台,其对被加工物进行保持;
激光光线照射构件,其对保持在该卡盘工作台上的被加工物照射脉冲激光光线;
X轴方向移动构件,其使该卡盘工作台和该激光光线照射构件在作为加工进给方向的X轴方向上相对地移动;
Y轴方向移动构件,其使该卡盘工作台和该激光光线照射构件在与X轴方向垂直的作为分度进给方向的Y轴方向上相对地移动;以及
控制构件,其对该激光光线照射构件、该X轴方向移动构件以及该Y轴方向移动构件进行控制,
该激光光线照射构件包含:
脉冲激光光线振荡构件,其振荡出脉冲激光光线;
聚光器,其对从该脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线进行会聚而对保持在该卡盘工作台上的被加工物进行照射;
分色镜,其配设在该脉冲激光光线振荡构件与该聚光器之间,对从该脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线进行反射而引导至该聚光器,并且使波长为脉冲激光光线的波长以外的光透过;
闪光灯光照射构件,其对配设有该分色镜和该聚光器的路径照射光;
分束器,其配设在该闪光灯光照射构件与该分色镜之间,对来自保持在该卡盘工作台上的被加工物的光进行分支;以及
拍摄构件,其配设在借助该分束器而分支的路径上,
该控制构件使该闪光灯光照射构件以在连续两个所述脉冲激光光线之间向所述被加工物照射闪光灯光从而不与所述脉冲激光光线同时照射的方式进行动作,根据来自该拍摄构件的图像信号对刚刚照射了脉冲激光光线后的激光加工槽的宽度进行检测,来自该拍摄构件的所述图像信号包含来自被照射到被加工物的脉冲激光光线加工后的区域的光。
2.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
当检测出的激光加工槽的宽度在容许范围外的情况下,该控制构件停止该激光光线照射构件的动作而中断加工。
3.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
该控制构件根据来自该拍摄构件的图像信号而对从设定在被加工物上的用于确定待加工区域的靶点到所形成的激光加工槽的中心的Y轴方向距离的设定值与从所述靶点到因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽的中心的Y轴方向距离之间的偏移量进行检测。
4.根据权利要求3所述的激光加工装置,其中,
在该设定值与从所述靶点到因脉冲激光光线的照射而形成的激光加工槽的中心的Y轴方向距离之间的偏移量超过了容许值的情况下,该控制构件对该Y轴方向移动构件进行控制而对脉冲激光光线所照射的位置进行修正。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015-143399 | 2015-07-17 | ||
| JP2015143399A JP6498553B2 (ja) | 2015-07-17 | 2015-07-17 | レーザー加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106346131A CN106346131A (zh) | 2017-01-25 |
| CN106346131B true CN106346131B (zh) | 2020-02-21 |
Family
ID=57776330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610559368.0A Active CN106346131B (zh) | 2015-07-17 | 2016-07-15 | 激光加工装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10207362B2 (zh) |
| JP (1) | JP6498553B2 (zh) |
| KR (1) | KR102418418B1 (zh) |
| CN (1) | CN106346131B (zh) |
| SG (1) | SG10201605086UA (zh) |
| TW (1) | TWI680821B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
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|---|---|
| JP6498553B2 (ja) | 2019-04-10 |
| CN106346131A (zh) | 2017-01-25 |
| TWI680821B (zh) | 2020-01-01 |
| US20170014947A1 (en) | 2017-01-19 |
| JP2017028030A (ja) | 2017-02-02 |
| SG10201605086UA (en) | 2017-02-27 |
| TW201713442A (zh) | 2017-04-16 |
| US10207362B2 (en) | 2019-02-19 |
| KR20170009740A (ko) | 2017-01-25 |
| KR102418418B1 (ko) | 2022-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |