JP2009172668A - レーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 39
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 17
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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Abstract
【課題】レーザスクライブ法により形成されたスクライブ線が正常であるか否かを、スクライブ線形成中に確実に判定することのできるレーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法を提供すること。
【解決手段】被割断基板(K)における割断予定線(J)を辿るようにレーザ光(L)と被割断基板(K)とを相対移動させることによりこの割断予定線(J)上にスクライブ線(SB)を形成するように構成されたレーザスクライブ装置(10)において、スクライブ線(SB)を形成した直後に当該スクライブ線(SB)における亀裂発生部分の画像(S1)を撮像する撮像装置(1)と、撮像装置(1)による撮像で得た画像(S1)に基づいて、正常なスクライブ線形成が行われているか否かをリアルタイムで判定する判定手段(43)とを備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】被割断基板(K)における割断予定線(J)を辿るようにレーザ光(L)と被割断基板(K)とを相対移動させることによりこの割断予定線(J)上にスクライブ線(SB)を形成するように構成されたレーザスクライブ装置(10)において、スクライブ線(SB)を形成した直後に当該スクライブ線(SB)における亀裂発生部分の画像(S1)を撮像する撮像装置(1)と、撮像装置(1)による撮像で得た画像(S1)に基づいて、正常なスクライブ線形成が行われているか否かをリアルタイムで判定する判定手段(43)とを備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明はレーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法に関する。より詳しくは、被割断基板における割断予定線にレーザ光を用いてスクライブ線を形成する装置及び方法に関する。
ガラス板、セラミックスまたはウエハーなどの脆性材料(以下、単に基板と記述することがある)の割断は、次のようにして行っている。まず、基板表面にスクライブ線を形成する。スクライブ線とは、基板における割断予定線上に連続して形成される浅い亀裂である。次いで、このスクライブ線のまわりに物理的な力(曲げモーメント)を加え、浅い亀裂を基板の板厚方向に伸展させることで割断予定線を境にブレイク(分断)する。スクライブ線の形成には、回転刃等のメカ二カルな刃(以下、メカ刃と記述する)を使うメカスクライブ法や、レーザ光を使うレーザスクライブ法が用いられる。
メカスクライブ法では、基板とメカ刃とを接触させた状態で割断予定線を辿るようにその始端から終端まで相対移動させることにより、スクライブ線を形成する(例えば特許文献1参照)。
レーザスクライブ法では、基板に対し、まず、その割断予定線の始端に初期亀裂を形成する。次いで、割断予定線を辿るようにその始端から終端までレーザ光により短時間内に加熱するとともに、加熱された部位をそのレーザ光に追随して急冷させることにより、スクライブ線を形成する(例えば特許文献2参照)。
メカスクライブ法或いはレーザスクライブ法によりスクライブ線を形成した場合に、正常なスクライブ線が形成されないことがある。例えばメカスクライブ装置において、メカ刃が破損していたり、メカ刃の高さ位置が不適切であったりする場合である。また、レーザスクライブ装置において、初期亀裂が形成されていなかったり、スクライブ線の形成動作中にレーザ光の強度が低下していたりする場合である。
正常なスクライブ線が形成されないと、ブレイク工程において基板を割断できない。特に、スクライブ工程からブレイク工程へ移る際の時間ギャップが長い場合は、異常に気付くのが遅れ、多くの基板に異常なスクライブ線を形成してしまう。これにより、歩留まりの低下を引き起こす。また、リワークが必要となり生産時間の延長を招く。従って、形成されたスクライブ線が正常か異常かを割断前に判定する必要がある。
一般にメカスクライブで形成されたスクライブ線は、スクライブ線形成後に時間が経過しても、スクライブ線を視認できる。このため、メカスクライブで形成されたスクライブ線は、カメラを用いた基板の外観検査技術(例えば特許文献3参照)によって、その正常/異常の判定を行うことができる。スクライブ線を形成する工程の後段に、この外観検査工程を設けて良否判定を行うようにすればよい。
特開平6−102480号公報
特開平9−150286号公報
特開2001−33395号公報
これに対して、レーザスクライブ法により形成されたスクライブ線は、終端までスクライブが終わった後では、目視しても或いは光学顕微鏡で観察しようとしてもその存在自体が確認できず、実際に割断してみなければ、スクライブ線が正常であったか否かは分からない。スクライブ線形成の直後に間もなく基板表面の亀裂が閉じてしまうからである。レーザスクライブ法により形成されたスクライブ線が正常であるか否かを、スクライブ線形成中に確実に判定できる技術が要望されている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、レーザスクライブ法により形成されたスクライブ線が正常であるか否かを、スクライブ線形成中に確実に判定することのできるレーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法を提供することを目的とする。
上記目的は、下記の本発明により達成される。なお「特許請求の範囲」及びこの「課題を解決するための手段」の欄において各構成要素に付した括弧書きの符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
本発明は、被割断基板(K)における割断予定線(J)を辿るようにレーザ光(L)と被割断基板(K)とを相対移動させることによりこの割断予定線(J)上にスクライブ線(SB)を形成するように構成されたレーザスクライブ装置(10)において、スクライブ線(SB)を形成した直後に当該スクライブ線(SB)における亀裂発生部分(R)の画像(S1)を撮像する撮像装置(1)と、撮像装置(1)による撮像で得た画像(S1)に基づいて、正常なスクライブ線形成が行われているか否かをリアルタイムで判定する判定手段(43)とを備えることを特徴とする。
前記判定手段(43)により異常なスクライブ線形成が行われていると判定されたときに、警報を発する警報装置(5)を備えることが好ましい。
前記判定手段(43)は、撮像装置(1)による撮像で得た画像(S1)の中に亀裂発生部分(R)が認識できる場合はレーザスクライブ動作が正常であると判定し、認識できない場合はレーザスクライブ動作が異常であると判定するように構成されることが好ましい。なお、本発明で言うところの「警報を発する」には、例えばアラーム音や合成音声を発する形態の他、常時消灯のランプを点灯させる形態、或いはこれとは反対に常時点灯のランプを消灯させる形態なども含める。
また、本発明は、被割断基板(K)における割断予定線(J)を辿るようにレーザ光(L)と被割断基板(K)とを相対移動させることによりこの割断予定線(J)上にスクライブ線(SB)を形成するレーザスクライブ方法において、スクライブ線(SB)を形成した直後に当該スクライブ線(SB)における亀裂発生部分(R)の画像(S1)を撮像するステップ(145)と、撮像で得た亀裂発生部分(R)の画像(S1)に基づいて、正常なスクライブ線形成が行われているか否かをリアルタイムで判定するステップ(147)とを備えることを特徴とする。
本発明の作用効果について説明する。本発明によると、撮像装置(1)は、スクライブ線(SB)を形成した直後に当該スクライブ線(SB)における亀裂発生部分(R)の画像(S1)を撮像する。判定手段(43)は、撮像装置(1)による撮像で得た亀裂発生部分(R)の画像(S1)に基づいて、正常なスクライブ線形成が行われているか否かをリアルタイムで判定する。スクライブ線形成直後においては、亀裂発生部分(R)は開いた状態であり、認識が可能である。
亀裂発生部分(R)とは、図6のように、スクライブ線(SB)を中心としてこのスクライブ線(SB)に直交する水平方向両側に微少長さ(D1)及び微少幅(D2)で開口する領域である。亀裂発生部分(R)は、レーザ光(L)に追随した冷却用ミスト(M)を噴射した直後にのみ表れる。本発明は、この現象を撮像装置(1)で捉えることで、スクライブ線形成の正常/異常の判定を行う。判定は、例えば正常なスクライブ線形成時に得られる亀裂発生部分(R)の像のコントラストの違いと形状の違いとの両方またはいずれか一方に基づいて行うことができる。これにより、正常なスクライブ線(SB)が確実に形成されているか否かを、スクライブ線形成中に確認することができる。そしてスクライブ線形成が異常であった場合、直ちに対処できるので、ブレイク工程において基板を確実に割断できるようになる。また、続けて多くの基板に異常なスクライブ線(SB)を形成してしまうことが防止でき、歩留まりの向上を図ることができる。併せて生産時間の延長も招かない。
本発明によると、レーザスクライブ法により形成されたスクライブ線が正常であるか否かを、スクライブ線形成中に確実に判定することができる。
以下に、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための最良の形態を説明する。図1は本発明に係るレーザスクライブ装置10の正面概略図、図2は解析用コンピュータの構成概要を示す図、図3はレーザスクライブ装置10によるスクライブ線形成動作を示すフローチャート、図4は本発明に係るレーザスクライブ装置10によるレーザスクライブ動作を平面視的に示す図である。各構成図において直交座標系の3軸をX、Y、Zとし、XY平面は水平面、Z方向は鉛直方向であり、Z方向まわりの回転方向をθ方向とする。
図1に示すように、レーザスクライブ装置10は、可動テーブル20、初期亀裂形成機構30、レーザ光照射ユニット40、冷却ユニット50及びスクライブ状態検査装置60を備える。初期亀裂形成機構30、レーザ光照射ユニット40、冷却ユニット50及び撮像装置1は、可動テーブル20よりも高い位置において一体的に基台70に固設される。なお、撮像装置1はスクライブ状態検査装置60の構成要素の一つである。
可動テーブル20は、載置された基板Kを真空吸着により保持可能なテーブル面を備えると共に、テーブル駆動装置21によりXYZθ各方向に駆動可能とされる。スクライブ線形成時はY1方向に駆動される。
初期亀裂形成機構30は、可動テーブル20に載置保持された基板Kにおける割断予定線Jの始端JSに極微少な初期亀裂Cを形成可能に構成される。その構成要素として、回転刃ユニット32を備える。回転刃ユニット32は、上下駆動可能とされた回転刃31を先端に有する。
レーザ光照射ユニット40は、レーザ発振器から出力されたレーザ光Lを、反射ミラーやエキスパンドレンズなどからなる光学系を経由して、レーザ照射窓41から基板Kの表面に向けて照射可能に構成される。レーザ照射窓41から照射されるレーザ光Lは、基板Kにスクライブ線SBを形成するのに十分な出力を有するものとされる。レーザ照射窓41は、スクライブ線形成時における可動テーブル20に対するレーザ光Lの相対移動の方向Y2を基準に回転刃31の後方部に設けられる。
冷却ユニット50は、霧状の冷却ミストMを噴射可能な噴射ノズル51を備える。噴射ノズル51は、スクライブ線形成時における可動テーブル20に対するレーザ光Lの相対移動の方向Y2を基準にレーザ照射窓41の後方部に設けられる。即ち、スクライブ線形成時に基板K上に照射されるレーザ光Lに追随するように設けられる。
スクライブ状態検査装置60は、撮像装置1、解析用コンピュータ4、警報装置5及び制御装置6などを備える。
撮像装置1は、予め指定されたシャッター時間で撮像を行う撮像部2を有する。撮像部2は、CCD(Charge Coupled Device)搭載カメラからなり、撮像により取得した画像S1を解析用コンピュータ4にリアルタイムで送信可能に構成される。また、撮像時は照明用光を照射するように構成される。撮像装置1の配置位置は、スクライブ線形成時におけるレーザ光照射ユニット40及び冷却ユニット50の相対移動方向Y2を基準として、冷却ユニット50の後方に設けられる。撮像部2は、冷却ユニット50により噴射した冷却ミストMの直後の映像を撮像できる位置に取り付けられる。つまり、スクライブ線形成時に冷却ユニット50に追随してスクライブ線SBにおける亀裂発生部分の画像S1を撮像できる位置取り付けられる。
解析用コンピュータ4は、図2に示すように、画像処理部43を有する。画像処理部43は、撮像装置1から送られた画像S1に基づいて、形成中のスクライブ線SBが正常か否かを解析するように構成される。具体的には、撮像装置1で撮像した画像S1の中にスクライブ線SBが認識できる場合はレーザスクライブ動作が正常であると判定し、認識できない場合は、異常であると判定して異常信号S3を出力するように構成される。正常/異常の判定は、予め指定したパラメータにより行なうように構成される。更に具体的には、上記画像S1が認識可能か不可能かの判定基準は、像のコントラストの違いと形状の違いとの両方またはいずれか一方に基づいて行うように構成される。このような画像処理部43は、メモリチップやマイクロプロセッサーなどを主体とした適当なハードウエア及びこれに組み込んだコンピュータプログラムにより実現される。
警報装置5は、解析用コンピュータ4から異常信号S3を受信したときに、ブザーやランプにより警報を発するように構成される。
制御装置6は、解析用コンピュータ4が出力した異常信号S3に基づいて、レーザ光照射ユニット40、冷却ユニット50及びテーブル駆動装置21を停止させると共に警報装置5を励起させるように構成される。
次に、図3,4を参照して、レーザスクライブ装置10のスクライブ線形成動作について説明する。
まず、ステップ100において、テーブル駆動装置21は、基板Kを載置保持した可動テーブル20を、回転刃31と基板Kにおける割断予定線Jの始端JSとを結ぶ直線t1(図4(A)参照)がY方向に平行となるように駆動配置する。続いて、ステップ110において、初期亀裂形成機構30は回転刃31を降下させて、その刃先が基板Kの表面よりも低くなる位置に配置する。
続いて、ステップ120において、テーブル駆動装置21は、可動テーブル20をY1方向に駆動する(図4(B)参照)。可動テーブル20の移動により、回転刃31が基板Kにおける割断予定線Jの始端JSに衝突する(ステップ124)。その直後に初期亀裂形成機構30は回転刃31を上昇させる(ステップ126)。これにより、割断予定線Jの始端JSに所定深さ及び長さの極微少な初期亀裂Cが形成される。
初期亀裂Cが形成されると、ステップ130において、レーザ光照射ユニット40は、レーザ照射窓41から基板Kに向けてレーザ光Lを照射する。また、ステップ140において、冷却ユニット50は、レーザ光Lに追随するように噴射ノズル51から冷却ミストMを噴射する。基板Kに対するレーザ光L及び冷却ミストMの相対的な移動により、始端JSを起点として、レーザ光Lは割断予定線Jを急激に加熱し局所的に熱膨張させて圧縮応力を生じさせ、冷却ミストMがその直後に加熱部分を急激に冷却することで局所的に収縮させて引張応力を生じさせる。これにより、初期亀裂Cを亀裂進展の開始点として、基板Kの表面に、割断予定線Jに沿う微小亀裂を連続成長させてスクライブ線SBを形成していく。
スクライブ線SBの形成時に、撮像装置1は、当該スクライブ線SBにおける亀裂発生部分の画像S1をリアルタイムで撮像して解析用コンピュータ4に送信している(ステップ145)。解析用コンピュータ4は、画像処理部43において、撮像装置1で撮像された画像S1が認識できるか否かを判定し(ステップ147)、認識できている限りは(ステップ150でイエス)、割断予定線Jの終端JEに至るまでレーザスクライブ動作を続行する。終端JEまでスクライブ線SBを形成した時点で(ステップ170でイエス)、レーザ光Lの照射、冷却ミストMの噴射、及び可動テーブル20の走行を停止する(ステップ180)。
割断予定線Jの終端JEまでに到達するまでに、撮像した画像が認識できない部分があった場合は(ステップ150でノー)、画像処理部43はレーザスクライブ動作が異常であると判定して異常信号S3を出力する。制御装置6は、異常信号S3により機器制御信号S4を出力する。機器制御信号S4により、警報装置5が励起して警報を発し(ステップ160)、レーザ光Lの照射、冷却ミストMの噴射、及び可動テーブル20の走行を停止する(ステップ180)。
このように、レーザスクライブ装置10によると、正常なスクライブ線SBが確実に形成されているか否かを、スクライブ線形成中に確認することができる。スクライブ線形成が異常であった場合、直ちに対処できるので、ブレイク工程において基板を確実に割断できるようになる。また、続けて多くの基板に異常なスクライブ線を形成してしまうことが防止でき、歩留まりの向上を図ることができる。併せて生産時間の延長も招かない。
以下、本発明を実施例により説明する。図5は本発明の実施例に用いたレーザスクライブ装置11の正面概略図、図6は図5に示すレーザスクライブ装置11により得た正常時の画像と異常時の画像を示す図であり、図6(A)は正常時の画像を示し、図6(B)は異常時の画像を示す。なお、各図において、基板Kにおいてハッチングされた部分は照明用光の照射されていない部分を示し、ハッチングされていない部分は照明用光の照射された部分を示す。
スクライブ状態検査装置60を有さない従来型のレーザスクライブ装置11における噴射ノズル51の直後に、撮像装置1を図5のように取り付け、画像処理ユニット7を介し、カメラモニタ8に接続し、正常レーザスクライブ時、及び異常レーザスクライブ時の画像を観測した。
このときの具体的諸元は次のとおりである。
〔基板〕製造会社: コーニング株式会社、型番:EAGLE2000、
品種:厚さ0.5mmのガラス基板
〔テーブル速度〕300mm/sec
〔カメラ〕製造会社: 株式会社キーエンス、型番:CV−35M
〔画像処理ユニット〕製造会社:株式会社キーエンス、型番:CV−3000
〔カメラモニタ〕製造会社:ウィンメイト、型式:R15L630−RMC3
〔基板〕製造会社: コーニング株式会社、型番:EAGLE2000、
品種:厚さ0.5mmのガラス基板
〔テーブル速度〕300mm/sec
〔カメラ〕製造会社: 株式会社キーエンス、型番:CV−35M
〔画像処理ユニット〕製造会社:株式会社キーエンス、型番:CV−3000
〔カメラモニタ〕製造会社:ウィンメイト、型式:R15L630−RMC3
異常スクライブ線形成は、レーザ光Lのパワーを上げることで行った。レーザパワーが規程値よりも高いとスクライブ線SBが波打ったり、途中で止まってしまったりする。規定値よりも低いとスクライブ線SBは初期亀裂から進展せずに止まってしまう。このように、レーザ出力が規程値から逸脱している場合や、冷却ミストMの噴射量が規程値から逸脱している場合や、スクライブ速度が規定値から逸脱している場合には、スクライブ線SBを認識できないことで正常なスクライブ形成であるか異常なスクライブ形成であるか判定することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上に開示した実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこの実施の形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、更に特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。
1 撮像装置
5 警報装置
10 レーザスクライブ装置
43 画像処理部(判定手段)
145 ステップ
147 ステップ
J 割断予定線
K 基板(被割断基板)
L レーザ光
S1 画像
SB スクライブ線
5 警報装置
10 レーザスクライブ装置
43 画像処理部(判定手段)
145 ステップ
147 ステップ
J 割断予定線
K 基板(被割断基板)
L レーザ光
S1 画像
SB スクライブ線
Claims (6)
- 被割断基板(K)における割断予定線(J)を辿るようにレーザ光(L)と被割断基板(K)とを相対移動させることによりこの割断予定線(J)上にスクライブ線(SB)を形成するように構成されたレーザスクライブ装置(10)において、
スクライブ線(SB)を形成した直後に当該スクライブ線(SB)における亀裂発生部分(R)の画像(S1)を撮像する撮像装置(1)と、
撮像装置(1)による撮像で得た亀裂発生部分(R)の画像(S1)に基づいて、正常なスクライブ線形成が行われているか否かをリアルタイムで判定する判定手段(43)と
を備えることを特徴とするレーザスクライブ装置。 - 前記判定手段(43)により異常なスクライブ線形成が行われていると判定されたときに、警報を発する警報装置(5)を備える請求項1に記載のレーザスクライブ装置。
- 前記判定手段(43)は、撮像装置(1)による撮像で得た画像(S1)の中に亀裂発生部分(R)が認識できる場合はレーザスクライブ動作が正常であると判定し、認識できない場合はレーザスクライブ動作が異常であると判定するように構成された請求項1または請求項2に記載のレーザスクライブ装置。
- 被割断基板(K)における割断予定線(J)を辿るようにレーザ光(L)と被割断基板(K)とを相対移動させることによりこの割断予定線(J)上にスクライブ線(SB)を形成するレーザスクライブ方法において、
スクライブ線(SB)を形成した直後に当該スクライブ線(SB)における亀裂発生部分(R)の画像(S1)を撮像するステップ(145)と、
撮像で得た亀裂発生部分(R)の画像(S1)に基づいて、正常なスクライブ線形成が行われているか否かをリアルタイムで判定するステップ(147)と
を備えることを特徴とするレーザスクライブ方法。 - 前記判定により異常なスクライブ線形成が行われていると判定されたときに、警報を発する請求項4に記載のレーザスクライブ方法。
- 前記撮像で得た画像(S1)の中に亀裂発生部分(R)が認識できる場合はレーザスクライブ動作が正常であると判定し、認識できない場合はレーザスクライブ動作が異常であると判定する請求項4または請求項5に記載のレーザスクライブ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008016657A JP2009172668A (ja) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | レーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2008016657A JP2009172668A (ja) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | レーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法 |
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|---|---|
| JP2009172668A true JP2009172668A (ja) | 2009-08-06 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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