TWI676355B - 混合驅動電路 - Google Patents

Abstract

一種混合驅動電路，根據輸入訊號驅動並聯耦接的第一特性電晶體與第二特性電晶體，且混合驅動電路包括第一導通路徑、第一關斷路徑、第二導通路徑及第二關斷路徑。第一導通路徑與第二導通路徑產生第一延遲時間，第一延遲時間使第一特性電晶體延後導通。第一關斷路徑與第二關斷路徑產生第二延遲時間，第二延遲時間使第二特性電晶體延後關斷。

Description

混合驅動電路

本發明係有關一種混合驅動電路，尤指一種驅動不同特性電晶體的混合驅動電路。

在電力電子的領域中，絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)與金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)為常見的功率開關元件。若是考慮切換頻率，絕緣柵雙極電晶體通常適用於20kHz以下的開關電路，而切換頻率若是在20kHz以上通常是利用金氧半場效電晶體作為開關電路。

以切換頻率作為功率開關元件的選擇，其主要原因是不同開關元件特性對於效率的影響。具體而言，絕緣柵雙極電晶體的導通損失(conduction losses)較低，切換損失(switching losses)較高。其利用在高頻切換時，較高的切換損失會消耗較多的功率(金氧半場效電晶體恰巧相反)，造成效率的低落。但是，在開關電路的設計中，大多僅選擇單一種類的功率開關元件。為了縮小電路體積，更高的切換頻率已是趨勢，然而單一特性的功率元件並無法有效降低功率損耗。

所以，如何設計出一種混合驅動電路驅動不同特性的功率開關元件，兼具兩種功率開關元件的優點，乃為本案創作人所欲行研究的一大課題。

為了解決上述問題，本發明係提供一種混合驅動電路，以克服習知技術的問題。因此，本發明混合驅動電路，根據輸入訊號驅動並聯耦接的第一特性電晶體與第二特性電晶體，混合驅動電路包括：第一支路與第二支路，第一支路包括：第一導通路徑，根據輸入訊號的上升沿導通第一特性電晶體。及第一關斷路徑，根據輸入訊號的下降沿關斷第一特性電晶體。第二支路，包括：第二導通路徑，根據上升沿導通第二特性電晶體。及第二關斷路徑，根據下降沿關斷第二特性電晶體。其中，第一導通路徑與第二導通路徑產生第一延遲時間，第一延遲時間使第一特性電晶體延後導通；第一關斷路徑與第二關斷路徑產生第二延遲時間，第二延遲時間使第二特性電晶體延後關斷。

為了能更進一步瞭解本發明為達成預定目的所採取之技術、手段及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得一深入且具體之瞭解，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

100、100’‧‧‧混合驅動電路

10、10’‧‧‧第一支路

Pc1‧‧‧第一導通路徑

Ps1‧‧‧第一關斷路徑

20、20’‧‧‧第二支路

Pc2‧‧‧第二導通路徑

Ps2‧‧‧第二關斷路徑

202‧‧‧放電電路

30、30’‧‧‧光耦驅動模組

302‧‧‧第一光耦驅動電路

302-1‧‧‧第一光耦驅動器

302-2、302-2’‧‧‧第一斜率調整電路

304‧‧‧第二光耦驅動電路

304-1‧‧‧第二光耦驅動器

304-2、304-2’‧‧‧第二斜率調整電路

306‧‧‧光耦合單元

308‧‧‧驅動單元

200‧‧‧控制器

300‧‧‧絕緣柵雙極電晶體

400‧‧‧金氧半場效電晶體

R1~R9‧‧‧第一電阻~第九電阻

RS1、RS2‧‧‧斜率調整電阻

D1~D7‧‧‧第一二極體~第七二極體

C1~C3‧‧‧第一電容~第三電容

Sin‧‧‧輸入訊號

VCC‧‧‧驅動電壓

VEE‧‧‧參考地電壓

(I)~(II)‧‧‧波形

圖1為本發明混合驅動電路第一實施例之電路方塊示意圖；圖2A為本發明混合驅動電路導通絕緣柵雙極電晶體與金氧半場效電晶體之波形示意圖； 圖2B為本發明混合驅動電路關斷絕緣柵雙極電晶體與金氧半場效電晶體之波形示意圖；圖3A為本發明混合驅動電路導通絕緣柵雙極電晶體與金氧半場效電晶體之導通路徑示意圖；圖3B為本發明混合驅動電路導通絕緣柵雙極電晶體與金氧半場效電晶體之關斷路徑示意圖；圖4為本發明混合驅動電路第二實施例之電路方塊示意圖；圖5A為本發明具有光耦驅動模組的混合驅動電路第一實施例之方塊示意圖；圖5B為本發明具有光耦驅動模組的混合驅動電路第二實施例之方塊示意圖；圖6為本發明光耦驅動模組的電路方塊示意圖；及圖7為本發明斜率調整電路的電路方塊示意圖。

茲有關本發明之技術內容及詳細說明，配合圖式說明如下：請參閱圖1為本發明混合驅動電路第一實施例之電路方塊示意圖。混合驅動電路100從控制器200接收輸入訊號Sin，且根據輸入訊號Sin驅動並聯耦接的第一特性電晶體與第二特性電晶體。為了方便說明，第一特性電晶體此處以絕緣柵雙極電晶體300為例，第二特性電晶體此處以金氧半場效電晶體400為例，但不限定於此，例如，第二特性電晶體亦可為碳化矽金氧半場效電晶體(SiC-MOSFET)或氮化鎵(Gallium nitride)等不同特性的功率半導體元件。混合驅動電路100包括第一支路10與第二支路20，且第一支路10耦接絕緣柵雙 極電晶體300，第二支路20耦接金氧半場效電晶體400。第一支路10包括串聯耦接的第一二極體D1與第一電阻R1、串聯耦接的第二二極體D2與第二電阻R2，第一二極體D1的陽極與第二二極體D2的陰極耦接輸入訊號Sin，且第一電阻R1與第二電阻R2耦接絕緣柵雙極電晶體300，第一二極體D1與第二二極體D2設置為不同的電流導通方向，此處方向表示流入電晶體或流出的方向。

第二支路20包括串聯耦接的第三二極體D3與第三電阻R3，以及放電電路202。放電電路202耦接第三二極體D3、第三電阻R3及輸入訊號Sin，且包括第四電阻R4、第一電容C1、第五電阻R5及第四二極體D4。第四電阻R4的一端耦接第三二極體D3與第三電阻R3之間，第四電阻R4的另一端耦接第一電容C1的一端，且第一電容C1的另一端耦接接地點。第五電阻R5的一端耦接第四電阻R4與第一電容C1之間，且第五電阻R5的另一端耦接第四二極體D4的陽極。第三二極體D3的陽極與第四二極體D4的陰極耦接輸入訊號Sin，且第三電阻R3耦接金氧半場效電晶體400，同樣的，第三二極體D3與第四二極體D4設置為不同的電流導通方向。

具體而言，第一二極體D1與第一電阻R1構成第一導通路徑，且第一導通路徑根據輸入訊號Sin的上升沿導通絕緣柵雙極電晶體300。第二二極體D2與第二電阻R2構成第一關斷路徑，第一關斷路徑根據輸入訊號Sin的下降沿關斷絕緣柵雙極電晶體300。第三二極體D3與第三電阻R3構成第二導通路徑，且第二導通路徑根據輸入訊號Sin的上升沿導通金氧半場效電晶體400。第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5及第四二極體D4構成第二關斷路徑，且第二關斷路徑根據輸入訊號Sin的下降沿關斷金氧半場效電晶體400。

請參閱圖2A為本發明混合驅動電路導通絕緣柵雙極電晶體與金氧半場效電晶體之波形示意圖、圖2B為本發明混合驅動電路關斷絕緣柵雙極電晶體與金氧半場效電晶體之波形示意圖，復配合參閱圖1，且反覆參閱圖 2A~2B。由於絕緣柵雙極電晶體300的導通損失較金氧半場效電晶體400低，但是切換損失較金氧半場效電晶體400高，因此在輸入訊號Sin的上升沿時，金氧半場效電晶體400能夠比絕緣柵雙極電晶體300還要快導通，可以有效地降低切換損失。反之，在輸入訊號Sin的下降沿時，金氧半場效電晶體400能夠比絕緣柵雙極電晶體300還要慢關斷，也可以有效地降低切換損失。為方便說明，於本發明之一實施例中，金氧半場效電晶體400的波形以虛線表示，且絕緣柵雙極電晶體300的波形以實線表示。

具體而言，本發明之混合驅動電路100的主要目的在於，如何有效率的將金氧半場效電晶體400提前導通且延後關斷，使得金氧半場效電晶體400導通，但絕緣柵雙極電晶體300尚未導通時(如圖2A所示)，電流僅能流過切換損失較低的金氧半場效電晶體400，以有效地降低切換損失。值得一提，如圖2B所示，絕緣柵雙極電晶體300先關斷時的操作同理，在此不再加以贅述。如圖2A~2B所示，在金氧半場效電晶體400與絕緣柵雙極電晶體300皆導通時，由於絕緣柵雙極電晶體300的導通阻抗較低，使得大部分的電流流過絕緣柵雙極電晶體300，且僅有少部分的電流流過金氧半場效電晶體400，因此可以有效地降低導通損失。為此，混合驅動電路100需控制絕緣柵雙極電晶體300與金氧半場效電晶體400的導通與關斷時間。

請參閱圖3A為本發明混合驅動電路導通絕緣柵雙極電晶體與金氧半場效電晶體之導通路徑示意圖，復配合參閱圖1~2B。混合驅動電路100的第一導通路徑Pc1導通絕緣柵雙極電晶體300，且第二導通路徑Pc2導通金氧半場效電晶體400。由於金氧半場效電晶體400導通的時點必須快於絕緣柵雙極電晶體300，因此第一電阻R1的電阻值需設計大於第三電阻R3的電阻值(例如但不限於，第一電阻R1為70歐姆、第三電阻R3為40歐姆)，使得第一電阻R1與絕緣柵雙極電晶體300中的寄生電容所構成的RC電路的時間常數大，充電時間較長 (相較於第三電阻R3與金氧半場效電晶體400中的寄生電容(以虛線電容表示)所構成的RC電路的時間常數)。由於充電時間的差異，使得第一導通路徑Pc1導通絕緣柵雙極電晶體300與第二導通路徑Pc2導通金氧半場效電晶體400之間產生第一延遲時間，以提供如圖2A所示的導通順序。值得一提，於本發明之一實施例中，充電時間除了調整第一電阻R1或第三電阻R3的電阻值外，也可藉由選擇絕緣柵雙極電晶體300或金氧半場效電晶體400的寄生電容的電容值來進行調整。

請參閱圖3B為本發明混合驅動電路導通絕緣柵雙極電晶體與金氧半場效電晶體之關斷路徑示意圖，復配合參閱圖1~2B。混合驅動電路100的第一關斷路徑Ps1關斷絕緣柵雙極電晶體300，且第二關斷路徑Ps2關斷金氧半場效電晶體400。由於金氧半場效電晶體400關斷的時點必須慢於絕緣柵雙極電晶體300，因此第三電阻R3、第四電阻R4及第五電阻R5總和的電阻值需設計大於第二電阻R2的電阻值(例如但不限於，第三電阻R3為40歐姆、第四電阻R4為40歐姆、第五電阻R5為50歐姆及第二電阻R2為50歐姆)，使得絕緣柵雙極電晶體300在關斷時，僅經過單一個電阻值較小的第二電阻R2放電，放電時間較短。但是，由於第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5與第一電容C1所構成的RC電路的時間常數大，放電時間較長(相較於第二電阻R2與絕緣柵雙極電晶體300的時間常數)。由於放電時間的差異，使得第一關斷路徑Ps1關斷絕緣柵雙極電晶體300與第二關斷路徑Ps2關斷金氧半場效電晶體400之間產生第二延遲時間，以提供如圖2B所示的關斷順序。值得一提，於本發明之一實施例中，放電時間除了調整第二電阻R2或第三電阻R3、第四電阻R4或第五電阻R5的電阻值外，也可藉由選擇絕緣柵雙極電晶體300、金氧半場效電晶體400的寄生電容(以虛線電容表示)或第一電容C1的電容值來調整。

請參閱圖4為本發明混合驅動電路第二實施例之電路方塊示意圖，復配合參閱圖1~3B。混合驅動電路100’包括第一支路10’與第二支路20’，且第一支路10’耦接絕緣柵雙極電晶體300，第二支路20’耦接金氧半場效電晶體400。第一支路10’包括第五二極體D5、第六電阻R6及第二電容C2，且第五二極體D5的陰極耦接輸入訊號Sin，第五二極體D5的陽極耦接絕緣柵雙極電晶體300。第六電阻R6並聯耦接第五二極體D5，且第二電容C2的一端耦接第五二極體D5、第六電阻R6及絕緣柵雙極電晶體300，第二電容C2的另一端耦接接地點。第二支路20’包括第六二極體D6、第七電阻R7及第三電容C3，且第六二極體D6的陽極耦接輸入訊號Sin，第六二極體D6的陰極耦接金氧半場效電晶體400，第五二極體D5與第六二極體D6設置為不同的電流導通方向。第七電阻R7並聯耦接第六二極體D6，且第三電容C3的一端耦接第六二極體D6、第七電阻R7及金氧半場效電晶體400，第三電容C3的另一端耦接接地點。

具體而言，第六電阻R6為第一導通路徑，且第五二極體D5為第一關斷路徑。第六二極體D6為第二導通路徑，且第七電阻R7為第二關斷路徑。在絕緣柵雙極電晶體300與金氧半場效電晶體400導通時，第六電阻R6與第二電容C2構成RC電路，且輸入訊號Sin的上升沿直接對第三電容C3充電。因此，第六電阻R6與第二電容C2構成RC電路的充電時間較第三電容C3的充電時間長。由於充電時間的差異，使得第一導通路徑導通絕緣柵雙極電晶體300與第二導通路徑導通金氧半場效電晶體400之間產生第一延遲時間，以提供如圖2A所示的導通順序。值得一提，於本發明之一實施例中，充電時間除了調整電阻值外，也可調整電容值。

在絕緣柵雙極電晶體300與金氧半場效電晶體400關斷時，第七電阻R7與第三電容C3構成RC電路，且第二電容C2直接放電。因此，第七電阻 R7與第三電容C3構成RC電路的放電時間較第二電容C2的放電時間長。由於放電時間的差異，使得第一關斷路徑關斷絕緣柵雙極電晶體300與第二關斷路徑關斷金氧半場效電晶體400之間產生第二延遲時間，以提供如圖2B所示的關斷順序。值得一提，於本發明之一實施例中，放電時間除了調整電阻值外，也可調整電容值。

請參閱圖5A為本發明具有光耦驅動模組的混合驅動電路第一實施例之方塊示意圖，復配合參閱圖1~4。當驅動電路需要隔離時，會使用隔離元件，其中可能包括光耦合式、電容式或磁性耦合式等元件。為了方便說明，以下以光耦合式為例，混合驅動電路100包括光耦驅動模組30，光耦驅動模組30耦接第一支路10、第二支路20、絕緣柵雙極電晶體300及金氧半場效電晶體400之間，且光耦驅動模組30包括第一光耦驅動電路302與第二光耦驅動電路304。第一光耦驅動電路302包括第一光耦驅動器302-1與第一斜率調整電路302-2，第一光耦驅動器302-1耦接第一支路10，且第一斜率調整電路302-2耦接第一光耦驅動器302-1與絕緣柵雙極電晶體300。第二光耦驅動電路304包括第二光耦驅動器304-1與第二斜率調整電路304-2，第二光耦驅動器304-1耦接第二支路20，且第二斜率調整電路304-2耦接第二光耦驅動器304-1與金氧半場效電晶體400。

具體而言，第一光耦驅動電路302根據第一支路10所提供的訊號而提供第一驅動訊號至絕緣柵雙極電晶體300，且第二光耦驅動電路304根據第二支路20所提供的訊號而提供第二驅動訊號至金氧半場效電晶體400。由於第一光耦驅動器302-1與第二光耦驅動器304-1具有上升沿上升到觸發點而觸發為高準位訊號，且下降沿下降到觸發點而觸發為低準位訊號的特性，因此，圖2A與圖2B中，具有斜率的波形經過第一光耦驅動器302-1與第二光耦驅動器304-1後，在A點所得到的第一驅動訊號或第二驅動訊號成為接近方波的波形(I)，如 此可以達成控制絕緣柵雙極電晶體300金氧半場效電晶體400的延遲時間，且不會使開與關的過程持續過長而造成過多的損耗。但是，接近方波的波形(I)具有陡峭的上升沿與下降沿，因此會產生較高的電磁干擾(EMI)，因此，可利用第一斜率調整電路302-2與第二斜率調整電路304-2略為調緩波形(I)的上升沿與下降沿的斜率，以在B點所得到的第一驅動訊號或第二驅動訊號成為梯形波的波形(II)。其中，如圖5A所示，第一斜率調整電路302-2、第二斜率調整電路304-2可以為斜率調整電阻RS1、RS2，利用電阻提供電阻值的特性，將具有陡峭的上升沿與下降沿的波形(I)調整為緩升的上升沿與緩降的下降沿的波形(II)。

請參閱圖5B為本發明具有光耦驅動模組的混合驅動電路第二實施例之方塊示意圖，復配合參閱圖1~5A。本實施例與圖5A的第一實施例之差異在於，光耦驅動模組30’耦接輸入訊號Sin、第一支路10、第二支路20。輸入訊號Sin經過第一光耦驅動器302-1與第二光耦驅動器304-1後，因為輸入訊號Sin相同，在A點所得到的訊號基本上會相同，再分別經過第一支路10、第二支路20達成延遲效果。具體而言，圖5A與5B光耦驅動模組30設置位置的差異在於，由於第一光耦驅動器302-1與第二光耦驅動器304-1導通或關斷的切換時間較快，光耦驅動模組30設置在圖5A的位置時，可產生延遲時間且不會使開與關的過程拉長，如此可以減少不必要的損耗。因此，光耦驅動模組30設置在圖5A的位置較佳，較能降低整體電路的損耗。

請參閱圖6為本發明光耦驅動模組的電路方塊示意圖，復配合參閱圖1~5B。第一光耦驅動器302-1與第二光耦驅動器304-1包括光耦合單元306與驅動單元308。以圖5A的電路結構與連接關係為例，光耦合單元306根據一上升沿第一觸發點時，提供高準位訊號，且根據一下降沿下降至第二觸發點時，提供低準位訊號。具體而言，由於光耦合單元306的輸出具有切換速度快的特性，因此當上升沿的電壓值逐漸提升至觸發點的電壓值時，光耦合單元306即 迅速地切換導通(下降沿亦同)。因此，光耦合單元306可將緩升或緩降的波形調整成具有陡峭的上升或下降的波形。但是，由於光耦合單元306需上升沿或下降沿到達觸發點時，才切換導通或切換截止。因此，光耦合單元306同時也會造成輸入波形與輸出波形些微的延遲。

其中，VCC為驅動電壓，且VEE為參考地電壓。由於光耦合單元306所提供高準位訊號並未有足夠的驅動電壓VCC足以驅動絕緣柵雙極電晶體300或金氧半場效電晶體400，因此必須利用驅動單元308提供驅動電壓VCC來驅動絕緣柵雙極電晶體300或金氧半場效電晶體400。當光耦合單元306所提供的訊號為高準位訊號時，驅動單元308根據高準位訊號而提供驅動電壓VCC，以導通絕緣柵雙極電晶體300或金氧半場效電晶體400。然後，當光耦合單元306所提供的訊號為低準位訊號時，驅動單元308根據低準位訊號而不提供驅動電壓VCC，以關斷絕緣柵雙極電晶體300或金氧半場效電晶體400。值得一提，本發明之一實施例中，第一光耦驅動器302-1與第二光耦驅動器304-1係以惠普出廠的光耦驅動器HCPL-3120為例，但不以此為限。換言之，第一光耦驅動器302-1與第二光耦驅動器304-1皆可利用功效相同的光耦驅動器或其它隔離型驅動器替代。

請參閱圖7為本發明斜率調整電路的電路方塊示意圖，復配合參閱圖1~6。圖5A所示之第一斜率調整電路302-2、第二斜率調整電路304-2為斜率調整電阻RS1、RS2，且可同時調整波形(I)的上升沿與下降沿的斜率。雖然其電路結構較為簡單，但是並無法分別且獨立地調整上升沿的斜率與下降沿的斜率。而圖7實施例中的斜率調整電路302-2’、304-2’可分別且獨立地調整上升沿的斜率與下降沿的斜率。具體而言，第一斜率調整電路302-2’、第二斜率調整電路304-2’包括第八電阻R8、第七二極體D7及第九電阻R9。第七二極體D7的陰極串聯耦接第八電阻R8，第九電阻R9並聯耦接第八電阻R8與第七二極 體D7，且第九電阻R9耦接第七二極體D7的陽極。第一驅動訊號或第二驅動訊號上升沿的路徑，係流過第九電阻R9，且第一驅動訊號或第二驅動訊號下降沿的路徑，係流過第八電阻R8與第七二極體D7。當第一驅動訊號或第二驅動訊號在上升沿時，第九電阻R9調緩第一上升沿或第二上升沿的斜率，且當第一驅動訊號或第二驅動訊號在下降沿時，第八電阻R8調緩第一下降沿或第二下降沿的斜率。

進一步而言，由於第九電阻R9與第八電阻R8可分別且獨立地調整上升沿的斜率與下降沿的斜率，因此，設計者可根據切換損失與電磁干擾的雙重因素考量，選擇合適的上升沿的斜率與下降沿的斜率。意即，第九電阻R9與第八電阻R8的電阻值可因應最佳化設計而不相同。

惟，以上所述，僅為本發明較佳具體實施例之詳細說明與圖式，惟本發明之特徵並不侷限於此，並非用以限制本發明，本發明之所有範圍應以下述之申請專利範圍為準，凡合於本發明申請專利範圍之精神與其類似變化之實施例，皆應包括於本發明之範疇中，任何熟悉該項技藝者在本發明之領域內，可輕易思及之變化或修飾皆可涵蓋在以下本案之專利範圍。

Claims (12)

1. 一種混合驅動電路，根據一輸入訊號驅動並聯耦接的一第一特性電晶體與一第二特性電晶體，該混合驅動電路包括：一第一支路，包括：一第一導通路徑，根據該輸入訊號的一上升沿導通該第一特性電晶體；及一第一關斷路徑，根據該輸入訊號的一下降沿關斷該第一特性電晶體；及一第二支路，包括：一第二導通路徑，根據該上升沿導通該第二特性電晶體；及一第二關斷路徑，根據該下降沿關斷該第二特性電晶體；其中，該上升沿於該第一導通路徑與該第二導通路徑產生一第一延遲時間，該第一延遲時間使該第一特性電晶體延後導通；該下降沿於該第一關斷路徑與該第二關斷路徑產生一第二延遲時間，該第二延遲時間使該第二特性電晶體延後關斷。
2. 如申請專利範圍第1項所述之混合驅動電路，其中該第一支路包括串聯耦接的一第一二極體與一第一電阻、串聯耦接的一第二二極體與一第二電阻，該第一二極體與該第二二極體設置為不同的電流導通方向；該第一二極體與該第一電阻構成該第一導通路徑，且該第二二極體與該第二電阻構成該第一關斷路徑。
3. 如申請專利範圍第2項所述之混合驅動電路，其中該第二支路包括串聯耦接的一第三二極體與一第三電阻，以及一放電電路，該放電電路包括：一第四電阻，耦接該第三二極體與該第三電阻；一第一電容，耦接該第四電阻；一第五電阻，耦接該第四電阻與該第一電容；及一第四二極體，耦接該第五電阻；其中，該第三二極體與該第四二極體設置為不同的電流導通方向，且該第三二極體與該第三電阻構成該第二導通路徑，該第三電阻、該第四電阻、該第五電阻及該第四二極體構成該第二關斷路徑。
4. 如申請專利範圍第3項所述之混合驅動電路，其中該第一電阻的電阻值大於該第三電阻的電阻值，使該第一電阻所提供的一充電時間較該第三電阻長，以產生該第一延遲時間。
5. 如申請專利範圍第3項所述之混合驅動電路，其中該第三電阻、該第四電阻及該第五電阻總和的電阻值大於該第二電阻的電阻值，使該第三電阻、該第四電阻、該第五電阻與該第一電容所提供的一放電時間較該第二電阻長，以產生該第二延遲時間。
6. 如申請專利範圍第1項所述之混合驅動電路，其中該第一支路包括：一第五二極體；一第六電阻，並聯耦接該第五二極體；及一第二電容，耦接該第五二極體與該第六電阻；及該第二支路包括：一第六二極體，與該第五二極體設置為不同的電流導通方向；一第七電阻，並聯耦接該第六二極體；及一第三電容，耦接該第六二極體與該第七電阻；其中，該第六電阻為該第一導通路徑，且該第五二極體為該第一關斷路徑；該第六二極體為該第二導通路徑，且該第七電阻為該第二關斷路徑。
7. 如申請專利範圍第6項所述之混合驅動電路，其中該第六電阻與該第二電容所提供的一充電時間較該第三電容長，以產生該第一延遲時間；該第七電阻與該第三電容所提供的一放電時間較該第二電容長，以產生該第二延遲時間。
8. 如申請專利範圍第1項所述之混合驅動電路，其中該第一特性電晶體為一絕緣柵雙極電晶體；該第二特性電晶體為一金氧半場效電晶體。
9. 如申請專利範圍第1項所述之混合驅動電路，更包括一光耦驅動模組，該光耦驅動模組包括：一第一光耦驅動電路，包括：一第一光耦驅動器，耦接該第一支路；及一第一斜率調整電路，耦接該第一光耦驅動器與該第一特性電晶體；及一第二光耦驅動電路，包括：一第二光耦驅動器，耦接該第二支路；及一第二斜率調整電路，耦接該第二光耦驅動器與該第二特性電晶體；其中，該第一光耦驅動器根據該輸入訊號而提供一第一驅動訊號，且該第一斜率調整電路調緩該第一驅動訊號的一第一上升沿與一第一下降沿的斜率；該第二光耦驅動器根據該輸入訊號而提供一第二驅動訊號，且該第二斜率調整電路調緩該第二驅動訊號的一第二上升沿與一第二下降沿的斜率。
10. 如申請專利範圍第9項所述之混合驅動電路，其中該第一光耦驅動器與該第二光耦驅動器分別包括：一光耦合單元；及一驅動單元，耦接該光耦合單元；其中，該光耦合單元根據一上升沿上升到一第一觸發點而提供一高準位訊號，且根據一下降沿下降至一第二觸發點而提供一低準位訊號；該驅動單元根據該高準位訊號而提供一驅動電壓，以導通該第一特性電晶體或該第二特性電晶體，且根據該低準位訊號而不提供該驅動電壓，以關斷該第一特性電晶體或該第二特性電晶體。
11. 如申請專利範圍第9項所述之混合驅動電路，其中該第一斜率調整電路與該第二斜率調整電路分別包括：一第八電阻；一第七二極體，串聯耦接該第八電阻；及一第九電阻，並聯耦接該第八電阻與該第七二極體。
12. 如申請專利範圍第1項所述之混合驅動電路，更包括一光耦驅動模組，該光耦驅動模組包括：一第一光耦驅動電路，耦接該輸入訊號；及一第二光耦驅動電路，耦接該輸入訊號；其中，該第一光耦驅動器的輸出耦接該第一支路，且該第二光耦驅動器的輸出耦接該第二支路。