TWI672805B - 具有改良接觸區之背側照明影像感測器 - Google Patents

Abstract

一種影像感測器包含具有一前側及與該前側對置之一背側之一半導體材料。該影像感測器亦包含一淺溝渠隔離(STI)結構、一層間介電質、一金屬間介電質，及一接觸區。該STI結構自該半導體材料之該前側延伸至該半導體材料中。該層間介電質係安置於該半導體材料之該前側與該金屬間介電質之間。該接觸區經安置接近於該半導體材料之一橫向邊緣。該接觸區包含經安置於該金屬間介電質內之一金屬互連件，以及至少部分地經安置於該層間介電質內之複數個接觸插塞。該接觸區亦包含一接觸墊。該複數個接觸插塞係耦合於該接觸墊與該金屬互連件之間。

Description

具有改良接觸區之背側照明影像感測器

本發明一般而言係關於半導體影像感測器，且特定而言(但非排他性地)係關於背側照明半導體影像感測器。

影像感測器已變得普遍存在。其廣泛用於數位靜態相機、蜂巢式電話、安全攝影機以及醫療、汽車及其他應用中。由於對較高解析度、較低電力消耗、增加之動態範圍等之不斷增加之需求，影像感測器之裝置架構已持續快速地發展。此等需求亦已促進了影像感測器在此等裝置中之進一步小型化及整合。 典型之影像感測器如下操作。來自一外部場景之影像光入射於影像感測器上。影像感測器包含複數個光敏元件，使得每一光敏元件吸收一部分入射影像光。影像感測器中所包含之光敏元件(諸如光電二極體)各自在吸收影像光之後旋即產生影像電荷。所產生之影像電荷之量與影像光之強度成比例。所產生之影像電荷可用於產生表示外部場景之一影像。 影像感測器之小型化可減小影像感測器之個別元件之間的距離。此減小之距離可導致一增大之對金屬污染之易感性。一影像感測器之一個元件之金屬可無意地污染一不同元件。舉例而言，一電極之銅可擴散或以其他方式傳播至影像感測器之一半導體材料中，從而導致銅金屬污染。金屬污染物可充當半導體材料內之深能級井且對影像感測器效能具有一不利影響。

本文中闡述具有改良接觸區之一影像感測器之一設備及方法的實例。在以下說明中，陳述眾多特定細節以提供對實例之一透徹理解。然而，熟習相關技術者將認識到，本文中所闡述之技術可在不具有該等特定細節中之一或多者的情況下實踐，或者可藉助於其他方法、組件、材料等來實踐。在其他例項中，未詳細展示或闡述眾所周知之結構、材料或操作，以避免使某些態樣模糊。 貫穿本說明書對「一項實例」或「一項實施例」之提及意指結合實例所闡述之一特定特徵、結構或特性係包含於本發明之至少一項實例中。因此，貫穿本說明書各種位置中之片語「在一項實例中」或「在一項實施例中」之出現未必全部指代同一實例。此外，在一或多項實例中，可以任何適合方式來組合該等特定特徵、結構或特性。 貫穿本說明書，使用數個技術術語。此等術語應理解為其在所屬領域中之普通含義，除非本文中另外具體定義或其使用之內容脈絡將另外清晰地暗示。應注意，在本文件中，元件名稱及符號可互換使用(例如，Si與矽)；然而，其兩者具有相同含義。圖 1A 係具有改良接觸區之一實例性影像感測器100-A之一剖面圖解。影像感測器100-A包含背側金屬106、緩衝層108、半導體材料110 (包含背側109、前側111及橫向邊緣113)、複數個光電二極體、淺溝渠隔離(STI)結構114、接觸墊116、層間介電質118、複數個接觸插塞120及121、金屬間介電質122，以及金屬互連件124及126。 如所圖解說明，影像感測器100-A包含具有前側111及與前側111對置之背側109之半導體材料110。半導體材料110包含安置於前側111與背側109之間的複數個光電二極體。影像感測器100-A亦包含安置於半導體材料110上、位於背側金屬106與半導體材料110之背側109之間的緩衝層108。STI結構114自半導體材料110之前側111延伸至半導體材料110中。層間介電質118安置於半導體材料110之前側111與金屬間介電質122之間。前側金屬124安置於金屬間介電質122內。一接觸區接近於半導體材料110之橫向邊緣113而安置。接觸區包含金屬互連件126、複數個接觸插塞120及接觸墊116。金屬互連件126安置於金屬間介電質122內。複數個接觸插塞120耦合於接觸墊116與金屬互連件126之間。如所圖解說明，複數個接觸插塞120安置於接觸墊116與金屬互連件126之間。複數個接觸插塞120至少部分地安置於層間介電質118內且安置於接觸墊116與金屬互連件126之間。 在一項實例中，緩衝層108、層間介電質118、STI結構114及金屬間介電質122之組成可不同。舉例而言，層間介電質118及金屬間介電質122可具有不同化學組成。 在另一實例中，複數個接觸插塞120之組成可不同於接觸墊116或金屬互連件126之組成。舉例而言，接觸墊116可包含鋁或銅中之至少一者。複數個接觸插塞120可包含鎢，且金屬互連件126可包含銅。複數個接觸插塞120可將接觸墊116電耦合至金屬互連件126以允許一信號在影像感測器之一前側與背側之間傳播。 複數個接觸插塞120可減輕金屬污染之風險。舉例而言，在影像感測器100-A之製作期間，半導體材料110之背側109之處理將不使金屬互連件126曝露。此乃因接觸墊116在半導體材料110之前側111處停止。複數個接觸插塞120可具有在用於形成接觸墊116之蝕刻程序期間不導致金屬污染之一組成。舉例而言，當蝕刻至半導體材料110以形成用於接觸墊116之一深溝渠時，複數個接觸插塞120可不對蝕刻程序作出反應，或可具有比待蝕刻之材料(例如，半導體材料110)大體上更慢之一蝕刻速率。另外，影像感測器100-A可藉由使利用同一掩模來蝕刻半導體材料110及緩衝層108所需之光學光刻步驟之數目最小化而幫助減小製作成本。 如所圖解說明，STI結構114可自半導體材料110之橫向邊緣113朝向接觸墊116延伸，使得STI結構114之一第一部分安置於半導體材料110之橫向邊緣113與接觸墊116之間。STI結構114與接觸墊116可經對準使得STI結構114之一側及接觸墊116位於由半導體材料110之前側形成之一平面上。STI結構114之厚度可小於接觸墊116之厚度，從而在接近於STI結構114之第一部分之半導體材料110與接觸墊116之間產生溝渠。該溝渠幫助防止接觸墊116與半導體材料110發生短路。 在一項實例中，接觸墊116可與STI結構114及層間介電質118介接。如所圖解說明，影像感測器100-A可具有在其處接觸墊116、STI結構114及層間介電質118相遇之三重點。圖 1B 係具有改良接觸區之一實例性影像感測器100-B之一剖面圖解。影像感測器100-B類似於影像感測器100-A。然而，一個不同之處在於影像感測器100-B包含安置於層間介電質118內之焊盤墊132。焊盤墊132耦合於複數個接觸插塞120與接觸墊116之間。在一項實例中，焊盤墊132可包含多晶矽。焊盤墊132亦可允許一較簡單之製作程序，此乃因可使用一自對準蝕刻來蝕刻半導體材料110以在到達焊盤墊132時容易地停止蝕刻半導體材料110。焊盤墊132可充當用以防止金屬污染之一阻障。在接觸墊116之製作期間，焊盤墊132防止複數個接觸插塞120或金屬互連件126之金屬在半導體材料110之蝕刻程序期間被曝露。此外，焊盤墊132可減小接觸墊116與金屬互連件126之間的接觸電阻。圖 1C 係具有改良接觸區之一實例性影像感測器100-C之一剖面圖解。影像感測器100-C類似於影像感測器100-B。一個不同之處在於STI結構114之一第二部分自STI結構114之第一部分橫向延伸，使得第二部分係安置於接觸墊116與金屬互連件126之間。如所圖解說明，複數個接觸插塞120部分地係安置於STI結構114之第二部分內。換言之，複數個接觸插塞120延伸超過層間介電質118之整個厚度，使得複數個接觸插塞120係至少部分地安置於STI結構114之第二部分內。接觸墊116可係至少部分地安置於STI結構114內，從而導致STI結構114在第二部分處之厚度小於STI結構114在第一部分處之厚度。圖 1D 係具有改良接觸區之一實例性影像感測器100-D之一剖面圖解。影像感測器100-D類似於影像感測器100-C。然而，緩衝層108可自半導體材料110之背側延伸至STI結構114，使得緩衝層108之至少一部分係安置於接觸墊116與半導體材料110的橫向邊緣113之間。緩衝層108可防止接觸墊116與半導體材料110之間的短路。緩衝層108可係諸如SiO₂ 之一單層介電質，或可係由複數個介電質層形成。舉例而言，緩衝層108可包含一第一高k介電質材料，諸如作為一第一層之HfO₂ 及作為一第二層之SiO₂ 。第一層可具有小於第二層之一厚度，且第一層可係安置於半導體材料110與第二層之間。 在一項實例中，接觸墊116可具有一主要部分及一輔助部分。接觸墊116之主要部分可係安置接近於半導體材料110之背側109，使得緩衝層108之至少部分係安置於主要部分與半導體材料110之間。接觸墊116之輔助部分可自主要部分朝向複數個接觸插塞120延伸，以將接觸墊116與複數個接觸插塞耦合。輔助部分亦可與STI結構114及複數個接觸插塞120介接。 在另一實例中，接觸墊116在主要部分處之一厚度與接近於半導體材料110之背側109而安置之背側金屬106之一厚度相同。接觸墊116之主要部分可接近於與半導體材料110之橫向邊緣113對置之一第二橫向邊緣而安置。接觸墊116之輔助部分可接近於半導體材料110之橫向邊緣113及第二橫向邊緣兩者而安置以形成一溝渠。諸如SiO₂ 之一介電質可安置於溝渠內以形成接觸墊116之一平坦表面。圖 2 係圖解說明成像系統200之一項實例之一方塊圖，該成像系統可包含圖 1A 至圖 1D 之影像感測器100。成像系統200包含像素陣列212、控制電路221、讀出電路211及功能邏輯215。儘管圖 1A 至圖 1D 中未繪示，但讀出電路211及控制電路221可至少部分地安置於圖 1A 至圖 1D 之金屬間介電質122中。舉例而言，金屬互連件126可包含於讀出電路及控制電路中之至少一者中。 返回參考圖2，在一項實例中，像素陣列212係光電二極體或影像感測器像素(例如，像素P1、P2、…、Pn)之一個二維(2D)陣列。如所圖解說明，光電二極體係配置成若干列(例如，列R1至列Ry)及若干行(例如，行C1至行Cx)以獲取一人、地點、物件等之影像資料，該影像資料然後可用於再現人、地點、物件等之一2D影像。然而，在其他實例中，應瞭解，光電二極體未必被配置成若干列及若干行，而係可採取其他組態。 在一項實例中，在像素陣列212中之影像感測器光電二極體/像素已獲取其影像資料或影像電荷之後，該影像資料由讀出電路211讀出且然後被傳送至功能邏輯215。在各種實例中，讀出電路211可包含放大電路、類比轉數位轉換(ADC)電路或其他。功能邏輯215可僅儲存該影像資料或甚至藉由應用後影像效應(例如，修剪、旋轉、移除紅眼、調整亮度、調整對比度或其他)來操縱該影像資料。在一項實施例中，讀出電路211可沿著讀出行線一次讀出一列影像資料(所圖解說明)或可使用各種其他技術(未圖解說明)讀出影像資料，諸如一串行讀出或同時對所有像素之一全並行讀出。 在一項實例中，控制電路221耦合至像素陣列212以控制像素陣列212中之複數個光電二極體之操作。舉例而言，控制電路221可產生用於控制影像獲取之一快門信號。在一項實例中，該快門信號係用於同時啟用像素陣列212內之所有像素以在一單一獲取窗期間同時擷取其各別影像資料之一全域快門信號。在另一實例中，快門信號係一滾動快門信號，使得在連續獲取窗期間依序啟用每一像素列、每一像素行或每一像素群組。在另一實例中，影像獲取與諸如一閃光燈之照明效應同步。 在一項實例中，成像系統200可包含於一數位相機、行動電話、膝上型電腦、汽車或諸如此類中。另外，成像系統200可耦合至其他硬體，諸如一處理器(一般用途或其他)、記憶體元件、輸出(USB埠、無線傳輸器、HDMI埠等)、照明/閃光燈、電輸入(鍵盤、觸控顯示器、追蹤墊、滑鼠、麥克風等)及/或顯示器。其他件硬體可將指令遞送至成像系統200、自成像系統200提取影像資料或操縱由成像系統200供應之影像資料。圖 3 圖解說明用於形成圖 1A 至圖 1D 之影像感測器之一實例性方法300。程序方塊中之某些或全部程序方塊在方法300中出現之次序不應被視為限制性的。而係，受益於本發明之熟習此項技術者將理解，可以未圖解說明之各種次序或甚至並行地執行方法300中之某些方法。此外，方法300可省略某些程序方塊，以避免使某些方面模糊。另一選擇係，方法300可包含在本發明之某些實施例/實例中可能並非必需之額外程序方塊。 程序方塊301展示提供具有一前側及與前側對置之一背側之一半導體材料。所提供之半導體可包含自半導體材料之前側延伸至半導體材料中之一淺溝渠隔離(STI)結構。一層間介電質可接近於半導體材料之前側而安置。STI結構可安置於半導體材料與層間介電質之間。 程序方塊303展示在層間介電質內形成複數個接觸插塞。半導體材料可經定位以自半導體材料之前側朝向背側地執行處理步驟。在一項實例中，層間介電質具有一第一側及與第一側對置之一第二側。層間介電質之第二側可安置於半導體材料之前側與層間介電質之第一側之間。層間介電質中之複數個開口可藉由自層間介電質之第一側蝕刻至第二側而形成。該複數個開口可接近於STI結構而安置。在一項實例中，該複數個開口可經進一步經蝕刻使得該複數個開口自半導體材料之前側至少部分地延伸至STI結構中。該複數個開口可藉由使用一乾式蝕刻技術(諸如，CF₄ 電漿蝕刻)而形成。可使用其他蝕刻方法來形成該複數個開口，諸如電漿蝕刻、離子銑削、濺鍍等。接著可藉由在複數個開口內沈積金屬而形成複數個接觸插塞。在一項實例中，複數個接觸插塞包含鎢金屬。 在一項實例中，可藉由在半導體材料接近於STI結構之第一側上沈積一焊盤墊而形成焊盤墊。該焊盤墊可在形成層間介電質之前形成。舉例而言，層間介電質可形成於半導體材料之前側及焊盤墊兩者上。在一項實例中，焊盤墊可包含多晶矽且可使用諸如化學氣相沈積等已知技術而形成。焊盤墊可安置於半導體材料之前側與複數個接觸插塞之間。 接著可藉由在層間介電質之第一側上接近於複數個接觸插塞沈積金屬而形成耦合至複數個接觸插塞之一金屬互連件。在一項實例中，金屬互連件包含銅金屬。金屬互連件可經由熱蒸鍍、濺鍍等而形成，如熟習此項技術者可瞭解。複數個接觸插塞可安置於STI結構與金屬互連件之間。 在形成複數個接觸插塞之後，半導體材料可被倒置以自半導體材料之背側朝向前側地執行處理步驟。 程序方塊305展示使複數個接觸插塞之一第一端自半導體材料之背側曝露。一深溝渠可藉由自半導體材料之背側朝向前側地蝕刻半導體材料之至少一部分及STI結構而形成。深溝渠被蝕刻為足夠深的，使得複數個接觸插塞接近於半導體材料之前側之一第一端被曝露。在一項實例中，形成深溝渠包含完全移除接近於複數個接觸插塞之半導體材料，且亦可包含部分地移除STI結構以使複數個接觸插塞之第一端或焊盤墊曝露。使複數個接觸插塞之一第一端曝露可形成半導體材料之一橫向邊緣。若影像感測器包含一焊盤墊，則深溝渠可經蝕刻以在焊盤墊處停止而非在複數個接觸插塞之第一端處停止。 程序方塊307展示形成耦合至複數個接觸插塞之第一端之一接觸墊。接觸墊可藉由在先前形成之深溝渠內沈積金屬而形成。在一項實例中，接觸墊包含鋁金屬、銅金屬或其一組合。接觸墊可直接形成於複數個接觸插塞之頂部或焊盤墊上。在另一實例中，接觸墊之一主要部分可不直接沈積在複數個接觸插塞之頂部上。在一項實例中，接觸墊之主要部分可接近於緩衝層及半導體材料而形成，且經由接觸墊之一輔助部分而耦合至複數個接觸插塞。複數個接觸插塞可耦合於接觸墊與金屬互連件之間以提供穿過半導體材料之一電連接。 包含發明摘要中所闡述內容的本發明之所圖解說明實例之以上說明並非意欲係窮盡性的或將本發明限制於所揭示之精確形式。雖然出於說明性目的而在本文中闡述了本發明之特定實例，但如熟習此項技術者將認識到，可在本發明之範疇內做出各種修改。 可根據以上詳細說明對本發明做出此等修改。以下申請專利範圍中所使用之術語不應理解為將本發明限制於本說明書中所揭示之特定實例。而是，本發明之範疇將完全由以下申請專利範圍來決定，申請專利範圍將根據所確立之請求項解釋原則來加以理解。

100-A‧‧‧影像感測器

100-B‧‧‧影像感測器

100-C‧‧‧影像感測器

100-D‧‧‧影像感測器

106‧‧‧背側金屬

108‧‧‧緩衝層

109‧‧‧背側

110‧‧‧半導體材料

111‧‧‧前側

113‧‧‧橫向邊緣

114‧‧‧淺溝渠隔離結構

116‧‧‧接觸墊

118‧‧‧層間介電質

120‧‧‧接觸插塞

121‧‧‧接觸插塞

122‧‧‧金屬間介電質

124‧‧‧金屬互連件/前側金屬

126‧‧‧金屬互連件

132‧‧‧焊盤墊

200‧‧‧成像系統

211‧‧‧讀出電路

212‧‧‧像素陣列

215‧‧‧功能邏輯

221‧‧‧控制電路

C1-Cx‧‧‧行

P1-Pn‧‧‧像素

R1-Ry‧‧‧列

參考以下各圖闡述本發明之非限制性及非窮盡性實例，其中除非另有規定，否則貫穿各種視圖中相似參考編號指代相似部件。圖 1A 係根據本發明之教示之具有一改良接觸區之一實例性影像感測器之一剖面圖解。圖 1B 係根據本發明之教示之具有一改良接觸區之一實例性影像感測器之一剖面圖解。圖 1C 係根據本發明之教示之具有一改良接觸區之一實例性影像感測器之一剖面圖解。圖 1D 係根據本發明之教示之具有一改良接觸區之一實例性影像感測器之一剖面圖解。圖 2 係圖解說明根據本發明之教示之一成像系統之一項實例之一方塊圖，該成像系統可包含圖 1A 至圖 1D 之影像感測器。圖 3 圖解說明根據本發明之教示之用於形成圖 1A 至圖 1D 之具有一改良接觸區之影像感測器之一實例性方法。 貫穿圖式之數個視圖，對應參考字符指示對應組件。熟習此項技術者將瞭解，各圖中之元件係為簡單及清晰起見而圖解說明，且未必按比例繪製。舉例而言，為幫助改良對本發明之各項實施例之理解，各圖中之元件中之某些元件之尺寸可相對於其他元件放大。此外，通常未繪示在一商業上可行之實施例中有用或必要之常見而眾所周知之元件以便促進對本發明之此等各項實施例之一較不受阻擋之觀看。

Claims (20)

1. 一種影像感測器，其包括：一半導體材料，其具有一前側，及與該前側對置之一背側；一淺溝渠隔離(STI)結構，其自該半導體材料之該前側延伸至該半導體材料中；一層間介電質(interlayer dielectric)，其經安置於該半導體材料之該前側與一金屬間介電質(intermetal dielectric)之間；及一接觸區，其經安置接近於該半導體材料之一橫向邊緣，該接觸區包含：一金屬互連件，其係安置於該金屬間介電質內；複數個接觸插塞(contact plug)，其係至少部分地安置於該層間介電質內；及一接觸墊，其中該複數個接觸插塞係耦合於該接觸墊與該金屬互連件之間。
2. 如請求項1之影像感測器，其中該接觸墊包含鋁或銅中之至少一者，其中該複數個接觸插塞包含鎢，且其中該金屬互連件包含銅。
3. 如請求項1之影像感測器，其中該STI結構自該半導體材料之該橫向邊緣朝向該接觸墊延伸，使得該STI結構之一第一部分係安置於該半導體材料之該橫向邊緣與該接觸墊之間。
4. 如請求項3之影像感測器，其中一焊盤墊(landing pad)係安置於該層間介電質內，且經耦合於該複數個接觸插塞與該接觸墊之間。
5. 如請求項4之影像感測器，其中該焊盤墊包含多晶矽。
6. 如請求項3之影像感測器，其中該接觸墊與至少該STI結構及該層間介電質介接(interface)。
7. 如請求項3之影像感測器，其中該STI結構之一第二部分自該第一部分延伸，使得該STI結構之該第二部分係安置於該接觸墊與該金屬互連件之間，且其中該複數個接觸插塞係至少部分地安置於該STI結構之該第二部分內。
8. 如請求項7之影像感測器，其中該STI結構在該第二部分處之一厚度小於該STI結構在該第一部分處之厚度。
9. 如請求項1之影像感測器，進一步包括經安置於該半導體材料之該背側上之一緩衝層。
10. 如請求項9之影像感測器，其中該緩衝層自該半導體材料之該背側延伸至該STI結構，使得該緩衝層之至少部分係安置於該接觸墊與該半導體材料之該橫向邊緣之間。
11. 如請求項10之影像感測器，其中該緩衝層係安置於該半導體材料之該背側與該接觸墊之一主要部分之間，其中該接觸墊之一輔助部分(secondary portion)自該主要部分朝向該複數個接觸插塞延伸，且其中該接觸墊之該輔助部分與該STI結構及該複數個接觸插塞介接。
12. 如請求項11之影像感測器，其中該接觸墊在該主要部分處之一厚度係與經安置接近於該半導體材料之該背側之一背側金屬之一厚度相同。
13. 一種成像系統，其包括：複數個光電二極體，其經安置於具有一前側及與該前側對置之一背側之一半導體材料中；一淺溝渠隔離(STI)結構，其自該半導體材料之該前側延伸至該半導體材料中；一層間介電質，其經安置於該半導體材料之該前側上；一接觸區，其經安置接近於該半導體材料之一橫向邊緣，該接觸區包含：一金屬互連件；複數個接觸插塞，其係至少部分地安置於該層間介電質內；一接觸墊，其中該複數個接觸插塞係耦合於該接觸墊與該金屬互連件之間；及控制電路及讀出電路，其中該金屬互連件係包含於該控制電路或該讀出電路中之至少一者中。
14. 如請求項13之成像系統，其中該STI結構自該半導體材料之該橫向邊緣朝向該接觸墊延伸，使得該STI結構之一第一部分係安置於該半導體材料之該橫向邊緣與該接觸墊之間。
15. 如請求項14之成像系統，其中該STI結構之一第二部分自該第一部分延伸，使得該STI結構之該第二部分係安置於該接觸墊與該金屬互連件之間，且其中該複數個接觸插塞延伸穿過該STI結構之該第二部分。
16. 如請求項13之成像系統，其中該控制電路係至少部分地安置於一金屬間介電質中且包含該金屬互連件，其中該層間介電質係安置於該半導體材料與該金屬間介電質之間，且其中該控制電路控制該複數個光電二極體之操作。
17. 如請求項16之成像系統，進一步包括讀出電路，該讀出電路係至少部分地安置於該金屬間介電質中，且經耦合以自該複數個光電二極體讀出影像資料。
18. 一種影像感測器製作方法，其包括：提供具有一前側及與該前側對置之一背側之一半導體材料，其中一淺溝渠隔離(STI)結構自該半導體材料之該前側延伸至該半導體材料中，且其中一層間介電質經安置接近於該半導體材料之該前側；在該層間介電質內形成複數個接觸插塞，其中該複數個接觸插塞自該層間介電質之一第一側朝向該半導體材料之該前側延伸； 在該層間介電質之該第一側處，形成經耦合至該複數個接觸插塞之一金屬互連件；在形成複數個接觸插塞之後，藉由蝕刻該半導體材料之至少部分及該STI結構來使該複數個接觸插塞之一第一端自該半導體材料之該背側曝露；及在使該複數個接觸插塞之該第一端曝露之後，形成經耦合至該複數個接觸插塞之該第一端之一接觸墊，其中該複數個接觸插塞係安置於該接觸墊與該金屬互連件之間。
19. 如請求項18之方法，其中使該複數個接觸插塞之該第一端曝露包含形成該半導體材料之一橫向邊緣，其中該STI結構之一第一部分係安置於該半導體材料之該橫向邊緣與該接觸墊之間，且其中該複數個接觸插塞係至少部分地安置於該STI結構內。
20. 如請求項18之方法，進一步包含形成一焊盤墊，該焊盤墊位於該層間介電質內，且係耦合於該複數個接觸插塞與該接觸墊之間。